JPH07321097A - Treating device and washing method for ring body or baffle board used in the treating device - Google Patents
Treating device and washing method for ring body or baffle board used in the treating deviceInfo
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Abstract
Description
【０００１】[0001]
【産業上の利用分野】本発明は処理装置及び該処理装置
に用いられるリング体もしくはバッフル板の洗浄方法に
関する。BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a processing apparatus and a method for cleaning a ring body or a baffle plate used in the processing apparatus.
【０００２】[0002]
【従来の技術】従来より半導体の製造工程においては、
たとえば、半導体ウェハやＬＣＤ基板などの被処理体に
所望の微細パターン形状を施すために、処理室内に導入
された反応性ガスの高周波グロー放電を利用したプラズ
マエッチング装置などの処理装置が広く使用されてい
る。2. Description of the Related Art Conventionally, in a semiconductor manufacturing process,
For example, in order to form a desired fine pattern shape on an object to be processed such as a semiconductor wafer or an LCD substrate, a processing apparatus such as a plasma etching apparatus using a high frequency glow discharge of a reactive gas introduced into a processing chamber is widely used. ing.
【０００３】図１１には、かかるグロー放電を利用した
プラズマエッチング装置、いわゆる平行平板型のプラズ
マエッチング装置の典型例が示されている。図示のよう
に、従来の平行平板型プラズマエッチング装置１００
は、処理室１０１内に被処理体Ｗを静電チャック１０２
により吸着保持可能な載置台１０３と、その載置台１０
３の載置面に対向して設けられた上部電極１０４とを備
えている。載置台１０３は、加熱装置１０５などの被処
理体Ｗの温度を調整するための温調手段を備えるととも
に、高周波電源１０７からたとえば１３.５６ＭＨｚの
高周波を印加することにより下部電極として作用するよ
うに構成されている。また上部電極１０４は中空に形成
され、その下面、すなわち被処理体Ｗの処理面に対向す
る面には複数の処理ガス噴出口１０８が穿設され、図示
しない処理ガス供給源よりＨＦガスなどの処理ガスを処
理室１０１内に導入することが可能なように構成されて
いる。FIG. 11 shows a typical example of a plasma etching apparatus utilizing such glow discharge, that is, a so-called parallel plate type plasma etching apparatus. As shown, a conventional parallel plate type plasma etching apparatus 100
Holds the workpiece W in the processing chamber 101 by the electrostatic chuck 102.
Mounting table 103 that can be sucked and held by the
3 and an upper electrode 104 provided so as to face the mounting surface of No. 3. The mounting table 103 is provided with a temperature adjusting means for adjusting the temperature of the object W to be processed such as a heating device 105, and acts as a lower electrode by applying a high frequency of 13.56 MHz, for example, from a high frequency power source 107. It is configured. Further, the upper electrode 104 is formed in a hollow shape, and a plurality of processing gas ejection ports 108 are formed in the lower surface thereof, that is, the surface facing the processing surface of the object W to be processed, and HF gas or the like is supplied from a processing gas supply source (not shown). The processing gas can be introduced into the processing chamber 101.
【０００４】[0004]
【発明が解決しようとする課題】しかし、以上のような
処理装置にあっては、被処理体の処理を行ういわゆるプ
ロセス時に載置台の側面などの被処理体以外の部位に反
応生成物が付着するといった問題がある。こうして生成
された反応生成物はパーティクルとなって処理室内を飛
散し、被処理体にコンタミネーションとして付着して、
被処理体の膜質や均一性の劣化といった弊害を引き起こ
す。However, in the processing apparatus as described above, the reaction product adheres to a portion other than the object to be processed, such as a side surface of the mounting table, during a so-called process of processing the object to be processed. There is a problem of doing. The reaction product generated in this way becomes particles and scatters in the processing chamber, and adheres to the object to be processed as contamination,
This causes adverse effects such as deterioration of the film quality and uniformity of the object to be processed.
【０００５】また、処理室側面には被処理体を処理室内
に搬入するための搬入口が設けられているが、プロセス
時にプラズマがその搬入口に入り込んで、プラズマ密度
の低下や不均一といった問題を引き起こしている。こう
して搬入口に異常反応生成物を生じるが、搬入口は狭く
て手が入りにくいために、かかる異常反応生成物のクリ
ーニングは非常に困難である。Further, a side surface of the processing chamber is provided with a carry-in port for carrying the object to be processed into the process chamber. However, plasma is introduced into the carry-in port during the process, resulting in a problem such as a decrease in plasma density or non-uniformity. Is causing. Although an abnormal reaction product is generated at the carry-in port in this way, cleaning of such an abnormal reaction product is very difficult because the carry-in port is narrow and hard to access.
【０００６】一方、そのような搬入口における反応生成
物の発生を防ぐために、搬入口にシャッターを設置した
処理装置は公知であるが、かかる処理装置は高価であ
り、半導体の製造コストが高くなるといった問題を生ず
る。また、シャッター角部において、フローティング電
位による異常放電が発生し、シャッターに反応生成物が
付着する。こうしてシャッターに付着した反応生成物の
クリーニングも非常に困難である。[0006] On the other hand, there is known a processing apparatus in which a shutter is installed at the carry-in port in order to prevent the generation of reaction products at the carry-in entrance. However, such a processing apparatus is expensive and the manufacturing cost of the semiconductor is high. Causes problems. In addition, an abnormal discharge due to the floating potential occurs at the corners of the shutter, and reaction products adhere to the shutter. Thus, it is very difficult to clean the reaction product attached to the shutter.
【０００７】このように、従来の処理装置は反応生成物
のクリーニングに手間と時間を要するために、処理装置
を稼働できないダウンタイムが長く、稼働率が低く、Ｃ
ＯＯ（Cost of ownership）が良くない。As described above, in the conventional processing apparatus, since it takes time and labor to clean the reaction products, there is a long downtime in which the processing apparatus cannot be operated, the operating rate is low, and C
OO (Cost of ownership) is not good.
【０００８】本発明は、処理室内を容易にクリーニング
できる手段を提供することにより、ウェハのパーティク
ル汚染防止を図ると共に、装置のダウンタイムを低減さ
せて、稼働率の向上、即ちＣＯＯ／ＣＥＯ（Cost of Eq
uipment ownership）値を低下させることを目的とす
る。本発明によれば、処理室内においてプラズマの密度
低下防止と均一安定化を図ることが可能になり、処理室
側面の搬入口の異常反応生成物発生といった問題も解消
できる。The present invention provides means for easily cleaning the inside of the processing chamber to prevent particle contamination of the wafer and reduce downtime of the apparatus to improve the operating rate, that is, COO / CEO (Cost). of Eq
The purpose is to reduce the uipment ownership) value. According to the present invention, it is possible to prevent the plasma density from decreasing in the processing chamber and to stabilize the plasma uniformly, and it is possible to solve the problem of abnormal reaction product generation at the carry-in port on the side surface of the processing chamber.
【０００９】[0009]
【課題を解決するための手段】本発明によれば、 ・気密に構成された処理室内において載置台上に載置さ
れた被処理体を熱またはプラズマを用いて処理する処理
装置において、前記載置台の周囲に設けられ、前記熱ま
たはプラズマにより生成された反応生成物を付着させる
リング体を前記処理室内において脱着自在に装着したこ
とを特徴とする処理装置。 ・気密に構成された処理室内において昇降自在な載置台
上に載置された被処理体を熱またはプラズマを用いて処
理する処理装置において、前記熱またはプラズマにより
生成された反応生成物を付着させるリング体を前記載置
台の周囲に脱着自在に装着し、該リング体が前記載置台
と共に昇降する構成としたことを特徴とする処理装置。 ・気密に構成された処理室内において昇降自在な載置台
上に載置された被処理体を熱またはプラズマを用いて処
理する処理装置において、前記熱またはプラズマにより
生成された反応生成物を付着させるリング体を前記載置
台の周囲に脱着自在に装着し、該リング体が前記載置台
と共に昇降することによって、該リング体が前記処理室
の側壁に設けられた被処理体の搬入口の上端位置と下端
位置との間を移動する構成としたことを特徴とする処理
装置。 が提供される。According to the present invention, a processing apparatus for processing an object to be processed placed on a mounting table in a hermetically sealed processing chamber by using heat or plasma, A processing apparatus, wherein a ring body, which is provided around a mounting table and to which a reaction product generated by the heat or plasma is attached, is detachably mounted in the processing chamber. In a processing apparatus that uses heat or plasma to process an object to be processed that is placed on a vertically movable mounting table in an airtight processing chamber, a reaction product generated by the heat or plasma is attached. A processing apparatus, wherein a ring body is detachably mounted around the mounting table, and the ring body moves up and down together with the mounting table. In a processing apparatus that uses heat or plasma to process an object to be processed that is placed on a vertically movable mounting table in an airtight processing chamber, a reaction product generated by the heat or plasma is attached. The ring body is detachably mounted around the mounting table, and the ring body moves up and down together with the mounting table so that the ring body is provided at the upper end position of the inlet of the object to be processed provided on the side wall of the processing chamber. And a lower end position for moving the processing device. Will be provided.
【００１０】また、本発明によれば、 ・気密に構成された処理室内において昇降自在な載置台
上に載置された被処理体を熱またはプラズマを用いて処
理する処理装置において、前記載置台と共に昇降するバ
ッフル板を載置台の周囲に装着し、少なくとも被処理体
を処理するときにおいては前記バッフル板が前記処理室
の側壁に設けられた被処理体の搬入口の上端位置よりも
高い位置に上昇するように構成したことを特徴とする処
理装置。 ・気密に構成された処理室内において昇降自在な載置台
上に載置された被処理体を熱またはプラズマを用いて処
理する処理装置において、前記載置台と共に昇降するバ
ッフル板を載置台の周囲に装着し、被処理体を処理する
ときに前記バッフル板により整流された処理ガスの下流
側に、前記処理室の側壁に設けられた被処理体の搬入口
が位置していることを特徴とする処理装置。 が提供される。なお、上記バッフル板を載置台の周囲に
脱着自在に装着することも可能である。Further, according to the present invention: In a processing apparatus for processing an object to be processed placed on a vertically movable mounting table in a hermetically sealed processing chamber using heat or plasma, the mounting table A baffle plate that moves up and down together is mounted around the mounting table, and the baffle plate is located at a position higher than the upper end position of the carry-in port of the object to be processed provided on the side wall of the processing chamber at least when processing the object. A processing device, characterized in that it is configured so as to rise. -In a processing apparatus that uses a heat or plasma to process an object to be processed mounted on a mounting table that can be raised and lowered in an airtight processing chamber, a baffle plate that moves up and down together with the mounting table is placed around the mounting table. An object-to-be-processed inlet provided on a side wall of the processing chamber is located on a downstream side of the processing gas which is mounted and processed by the baffle plate when processing the object. Processing equipment. Will be provided. The baffle plate can be detachably attached around the mounting table.
【００１１】そして、以上の処理装置の載置台から取り
外したリング体もしくはバッフル板の洗浄方法として、
次の方法を提供する。 ・上記リング体もしくはバッフル板を処理装置の載置台
に装着したままの状態で処理室内にＣlＦ3ガス、ＣＦ4
ガス、ＮＦ3ガス等のクリーニングガスを導入してドラ
イクリーニングする方法。 ・処理装置の載置台から取り外したリング体もしくはバ
ッフル板をＣlＦ3ガス、ＣＦ4ガス、ＮＦ3ガス等のクリ
ーニングガスを用いてドライクリーニングする方法。 ・処理装置の載置台から取り外したリング体もしくはバ
ッフル板をＩＰＡ（イソプロピルアルコール）、水、フ
ッ酸等のクリーニング液を用いてウェットクリーニング
する方法。Then, as a method of cleaning the ring body or the baffle plate removed from the mounting table of the above processing apparatus,
The following methods are provided.・ ClF 3 gas, CF 4 in the processing chamber with the ring body or baffle plate still attached to the mounting table of the processing apparatus.
A method of dry cleaning by introducing a cleaning gas such as gas or NF 3 gas. A method of dry cleaning the ring body or the baffle plate removed from the mounting table of the processing apparatus by using a cleaning gas such as ClF 3 gas, CF 4 gas, NF 3 gas. A method in which the ring body or the baffle plate removed from the mounting table of the processing apparatus is wet-cleaned with a cleaning liquid such as IPA (isopropyl alcohol), water, hydrofluoric acid.
【００１２】そして、これら洗浄方法において、リング
体をクリーニングする時期は、たとえば、次のように決
定される。 ・処理装置において処理された被処理体についてパーテ
ィクルの付着個数を計数し、パーティクルの付着個数が
所定の個数以上となったときに上記リング体及び／また
はバッフル板のクリーニングを行う。 ・処理装置から排気される室内雰囲気中及び／または排
気管中の少なくとも一カ所以上において飛散しているパ
ーティクルの個数を計数し、パーティクルの個数が所定
の個数以上となったときに上記リング体及び／またはバ
ッフル板のクリーニングを行う。 ・処理装置において所定数の被処理体を処理したときに
上記リング体及び／またはバッフル板のクリーニングを
行う。In these cleaning methods, the timing for cleaning the ring body is determined as follows, for example. The number of particles attached to the object processed in the processing apparatus is counted, and when the number of particles attached exceeds a predetermined number, the ring body and / or the baffle plate is cleaned. Counting the number of particles scattered in at least one place in the indoor atmosphere exhausted from the processing apparatus and / or in the exhaust pipe, and when the number of particles exceeds a predetermined number, the ring body and / Or clean the baffle plate. The cleaning of the ring body and / or the baffle plate is performed when a predetermined number of objects to be processed are processed in the processing apparatus.
【００１３】[0013]
【作用】処理室内において熱またはプラズマを用いて被
処理体に処理を施すことにより生成された発生した反応
生成物は、載置台の周囲に装着されたリング体やバッフ
ル板に付着し、こうして載置台の周面に直接反応生成物
が付着するのを防ぐことができる。The reaction product generated by processing the object to be processed with heat or plasma in the processing chamber adheres to the ring body or the baffle plate mounted around the mounting table, and is thus mounted. It is possible to prevent the reaction products from directly adhering to the peripheral surface of the table.
【００１４】また、載置台が昇降自在に構成された処理
装置にあっては、載置台の上昇時において、リング体や
バッフル板によって処理室側面の搬入口が塞がれ、これ
により、搬入口に異常反応生成物が発生するのを防ぐこ
とができ、また、処理室内におけるプラズマの密度低下
防止、均一安定化といった目的も達成される。In addition, in the processing apparatus in which the mounting table is configured to be movable up and down, when the mounting table is raised, the carry-in port on the side surface of the processing chamber is closed by the ring body and the baffle plate, whereby the carry-in port is provided. It is possible to prevent abnormal reaction products from being generated, and it is also possible to achieve the objectives of preventing the plasma density from decreasing in the processing chamber and stabilizing the plasma uniformly.
【００１５】こうして反応生成物を付着させたリング体
もしくはバッフル板を処理装置の載置台に装着したまま
の状態で処理室内にＣlＦ3ガス、ＣＦ4ガス、ＮＦ3ガス
等のクリーニングガスを導入してドライクリーニングす
ることによって、簡単にクリーニングすることができ
る。また、処理装置の載置台から定期的に取り外して、
ＣlＦ3ガス、ＣＦ4ガス、ＮＦ3ガス等のクリーニングガ
スを用いてドライクリーニングするか、もしくはＩＰＡ
（イソプロピルアルコール）、水、フッ酸等のクリーニ
ング液を用いてウェットクリーニングすることもでき
る。こうしてクリーニングしたリング体やバッフル板
は、再び載置台に装着して再利用することが可能であ
る。With the ring body or the baffle plate to which the reaction product is attached in this manner, the cleaning gas such as ClF 3 gas, CF 4 gas and NF 3 gas is introduced into the processing chamber with the ring plate or baffle plate still attached to the mounting table of the processing apparatus. It can be easily cleaned by dry cleaning. Also, periodically remove from the processing equipment mounting table,
Dry cleaning with a cleaning gas such as ClF 3 gas, CF 4 gas, NF 3 gas, or IPA
Wet cleaning can also be performed using a cleaning liquid such as (isopropyl alcohol), water, or hydrofluoric acid. The ring body and the baffle plate thus cleaned can be reused by mounting them on the mounting table again.
【００１６】[0016]
【実施例】以下に添付図面を参照しながら、本発明に基
づいて構成された処理装置を枚葉式のエッチング装置に
適用した実施例について詳細に説明する。DETAILED DESCRIPTION OF THE PREFERRED EMBODIMENTS An embodiment in which a processing apparatus constructed according to the present invention is applied to a single wafer type etching apparatus will be described in detail below with reference to the accompanying drawings.
【００１７】図１に示すように、エッチング装置１は、
たとえばアルミニウムなどの導電性材料から成る円筒状
あるいは角筒状で気密に形成された処理室２を備える。
処理室２の上面３は、ヒンジ４を介して上方に開放自在
な、上部電極３０を有する蓋に構成される。処理室２の
内部にはセラミックスなどの絶縁材を介して、たとえば
半導体ウェハなどの被処理体Ｗを載置するための略円筒
状の載置台５が収容される。この載置台５は、アルミニ
ウムなどで形成された複数の部材をボルトなどにより組
み付けることにより構成され、その内部には、ヒータ６
などの温調手段が内設され、被処理体Ｗの処理面を所望
の温度に調整することができるように構成されている。
ヒータ６は、たとえば窒化アルミニウムなどの絶縁性焼
結体にタングステンなどの導電性抵抗発熱体をインサー
トした構成で、この抵抗発熱体が電力供給リード９によ
りフィルタ１０を介して電力源１１から所望の電力を受
けて発熱し、被処理体Ｗの処理面の温度を所望する温度
まで加熱し、温度制御を行うように構成されている。As shown in FIG. 1, the etching apparatus 1 is
For example, the processing chamber 2 which is made of a conductive material such as aluminum and has a cylindrical shape or a rectangular tube shape and which is hermetically formed is provided.
The upper surface 3 of the processing chamber 2 is configured as a lid having an upper electrode 30 that can be opened upward via a hinge 4. A substantially cylindrical mounting table 5 for mounting an object to be processed W such as a semiconductor wafer is housed inside the processing chamber 2 via an insulating material such as ceramics. The mounting table 5 is configured by assembling a plurality of members made of aluminum or the like with bolts or the like, and the heater 6 is provided inside thereof.
Temperature control means such as is internally provided, and is configured so that the processing surface of the object W to be processed can be adjusted to a desired temperature.
The heater 6 has a structure in which a conductive resistance heating element such as tungsten is inserted into an insulating sintered body such as aluminum nitride, and the resistance heating element is supplied from the power source 11 via the filter 10 by the power supply lead 9 to a desired source. It is configured to generate heat upon receiving electric power, heat the temperature of the processing surface of the object W to a desired temperature, and perform temperature control.
【００１８】上記載置台５は、上面中央部が凸状にされ
た円板状で、この円板状部の中央上面には、被処理体Ｗ
を保持するためのチャック部として、たとえば静電チャ
ック１２が被処理体Ｗと略同径大、好ましくは被処理体
Ｗの径よりも若干小さい径で設けられている。この静電
チャック１２は、被処理体Ｗを載置吸着保持する面とし
て高分子絶縁材料、たとえばポリイミド樹脂からなる２
枚のフィルム１２ａ、１２ｂ間に銅箔などの導電膜１２
ｃを挟持した静電チャックシートより構成されている。
その導電膜１２ｃは、電圧供給リード１３により、途中
高周波をカットするフィルタ１４、たとえばコイルを介
して可変直流電圧源１５に接続されている。したがっ
て、その導電膜１２ｃに高電圧を印加することにより、
静電チャック１２の上側フィルム１２ａの上面に被処理
体Ｗをクーロン力により吸着保持し得るように構成され
ている。なお、プラズマが発生していない状態において
は、この静電荷量がわずかで、吸着力は比較的弱いもの
となっている。一方、次に説明するように、処理室２内
でプラズマが発生しているときは、プラズマによる導通
をかいして静電荷量が増大し、吸着力は強固になる。The mounting table 5 is in the shape of a disc having a convex central portion on the upper surface, and the object W to be processed is placed on the central upper surface of the disc-shaped portion.
For example, the electrostatic chuck 12 is provided as a chuck portion for holding the object W having a diameter substantially the same as the object W to be processed, and preferably a diameter slightly smaller than the diameter of the object W to be processed. The electrostatic chuck 12 is made of a polymer insulating material, such as a polyimide resin, as a surface on which the object W to be processed is placed and held by suction.
Conductive film 12 such as copper foil between the two films 12a and 12b
It is composed of an electrostatic chuck sheet sandwiching c.
The conductive film 12c is connected by a voltage supply lead 13 to a variable DC voltage source 15 via a filter 14 that cuts off high frequencies midway, for example, a coil. Therefore, by applying a high voltage to the conductive film 12c,
The object W to be processed can be adsorbed and held on the upper surface of the upper film 12a of the electrostatic chuck 12 by Coulomb force. In the state where plasma is not generated, this electrostatic charge amount is small and the adsorption force is relatively weak. On the other hand, as will be described below, when plasma is generated in the processing chamber 2, the amount of electrostatic charge increases due to conduction by the plasma, and the adsorption force becomes strong.
【００１９】上記載置台５には、ブロッキングコンデン
サ１８を介して高周波電源１９が接続されており、被処
理体Ｗを処理するプロセス時には、たとえば１３.５６M
Hzの高周波電力が載置台５に印加される。かかる構成に
より載置台５は下部電極として作用し、被処理体Ｗに対
向するように設けられた、後述の上部電極３０との間に
グロー放電を生じ、処理室２内に導入された処理ガスを
プラズマ化し、そのプラズマ流にて被処理体Ｗにエッチ
ング処理を施す。A high frequency power source 19 is connected to the mounting table 5 via a blocking capacitor 18, and for example, at the time of a process for treating the object W to be processed, 13.56M.
High frequency power of Hz is applied to the mounting table 5. With such a configuration, the mounting table 5 acts as a lower electrode, a glow discharge is generated between the mounting table 5 and an upper electrode 30, which will be described later, provided so as to face the object W to be processed, and the processing gas introduced into the processing chamber 2 is generated. Is converted into plasma, and the object W to be processed is etched by the plasma flow.
【００２０】上記載置台５の下面は、処理室２の下方に
装置された昇降手段２０の作動杆２１によって支持され
ており、この昇降手段２０の稼働により作動杆２１が伸
張・短縮することによって、載置台５が処理室２の内部
において適宜上昇・下降されるように構成されている。
なお、載置台５の下面には、処理室２の雰囲気が外部に
漏れるのを防止するためのベローズ２２が取り付けてあ
る。The lower surface of the mounting table 5 is supported by the operating rod 21 of the elevating means 20 installed below the processing chamber 2, and the operating rod 21 is extended and shortened by the operation of the elevating means 20. The mounting table 5 is configured to be appropriately raised and lowered inside the processing chamber 2.
A bellows 22 for preventing the atmosphere of the processing chamber 2 from leaking to the outside is attached to the lower surface of the mounting table 5.
【００２１】以上のように構成される載置台５の周囲に
は、熱またはプラズマにより生成された反応生成物が載
置台５の露出表面に付着するのを防止するためのリング
体２５が脱着自在に装着されている。載置第５の周囲を
取り囲むように設けられたリング体２５はたとえばＰＴ
ＦＥ（テフロン）、ＰＦＡ、ポリイミド、ＰＢＩ（ポリ
ベンゾイミダゾール）、その他、常温〜５００℃の範囲
で絶縁性のある樹脂か、アルミニウムの様な金属の表面
に絶縁性の膜を形成した部材で構成される。このリング
体２５にはバッフル板２６が一体的に設けられる。この
バッフル板２６には処理室２内において処理ガスを整流
するための複数のバッフル孔２８が穿設されている。こ
のバッフル板２６は、処理室２内からの処理ガスの排気
の流れを整え、均一な排気を行わせたり、処理空間とそ
れより下流の空間との圧力差を発生させるためのもので
あり、プロテクトリングあるいは排気リングとも称され
る。また、図示のように、リング体２５の上部２７は内
方に折れ曲がって静電チャック１２の近傍まで延設さ
れ、載置台５の上面でプラズマ処理時の露出面積ができ
るだけ少なくなるように構成されている。A ring body 25 for preventing reaction products generated by heat or plasma from adhering to the exposed surface of the mounting table 5 is detachably attached to the periphery of the mounting table 5 configured as described above. Is attached to. The ring body 25 provided so as to surround the mounting fifth periphery is, for example, PT.
FE (Teflon), PFA, polyimide, PBI (polybenzimidazole), or other resin having an insulating property in the range of room temperature to 500 ° C, or a member having an insulating film formed on the surface of a metal such as aluminum To be done. A baffle plate 26 is integrally provided on the ring body 25. The baffle plate 26 is provided with a plurality of baffle holes 28 for rectifying the processing gas in the processing chamber 2. The baffle plate 26 is for adjusting the exhaust flow of the processing gas from the inside of the processing chamber 2 to perform uniform exhaust, and to generate a pressure difference between the processing space and a space downstream thereof. Also called a protect ring or exhaust ring. Further, as shown in the figure, the upper portion 27 of the ring body 25 is bent inward and extends to the vicinity of the electrostatic chuck 12, and is configured so that the exposed area of the upper surface of the mounting table 5 during plasma processing is reduced as much as possible. ing.
【００２２】上記載置台５の載置面上方には上部電極３
０が配置される。処理室２内において被処理体Ｗを処理
するプロセス時には、上記昇降手段２０の稼働により載
置台５と上部電極３０の間隔が所望の距離に調整され
る。上部電極３０は中空に形成され、その中空部３１に
処理ガス供給管３２が接続され、処理ガス源３３より流
量制御器（ＭＦＣ）３４を介して処理ガス、たとえばＣ
Ｆ4などが導入される。また、中空部３１には、処理ガ
スの均一拡散を促進するための多数の小孔が穿設された
拡散板３５が設けられ、この拡散板３５の下方に処理ガ
ス噴出口として多数の小孔３６を穿設した底面３８から
なる処理ガス導入部３７が設けられている。The upper electrode 3 is located above the mounting surface of the mounting table 5.
0 is placed. During the process of processing the object W in the processing chamber 2, the space between the mounting table 5 and the upper electrode 30 is adjusted to a desired distance by the operation of the elevating means 20. The upper electrode 30 is formed in a hollow shape, a processing gas supply pipe 32 is connected to the hollow portion 31, and a processing gas, such as C, is supplied from a processing gas source 33 via a flow rate controller (MFC) 34.
F 4 etc. will be introduced. Further, the hollow portion 31 is provided with a diffusion plate 35 having a large number of small holes for promoting the uniform diffusion of the processing gas. Below the diffusion plate 35, a large number of small holes are formed as processing gas ejection ports. A processing gas introduction part 37 having a bottom surface 38 having a hole 36 is provided.
【００２３】上記処理室２の下方には真空ポンプなどか
らなる排気系に連通する排気口４０が設けられており、
処理室２内を所定の圧力は、たとえば０.５Torr程度に
適宜真空排気される。An exhaust port 40 communicating with an exhaust system including a vacuum pump is provided below the processing chamber 2.
The inside of the processing chamber 2 is appropriately evacuated to a predetermined pressure, for example, about 0.5 Torr.
【００２４】また上記処理室２の側面（図示の例では左
側面）には被処理体Ｗを処理室２内に搬入するための搬
入口４１が設けられ、この搬入口４１が図示しない駆動
機構により自動開閉するゲートバルブ４２を介してロー
ドロック室４３に連通している。そしてこのロードロッ
ク室４３内には被処理体Ｗを一枚ずつ処理室２内に搬入
すると共に、処理後において処理室２内より被処理体Ｗ
を一枚ずつ取り出すことができるハンドリングアーム４
４を備えた搬送機構４５が設置されている。On the side surface (left side surface in the illustrated example) of the processing chamber 2, there is provided a carry-in port 41 for carrying the object W into the process chamber 2. The carry-in port 41 is a drive mechanism (not shown). The load lock chamber 43 communicates with the gate valve 42 that automatically opens and closes. Then, the objects W to be processed are loaded into the processing chamber 2 one by one into the load lock chamber 43, and after the processing, the objects W to be processed from the processing chamber 2 are processed.
Handling arm 4 that can take out one by one
A transport mechanism 45 including 4 is installed.
【００２５】さて、以上のように構成される本実施例の
プラズマエッチング装置１において、先ず、処理室２の
側面の搬入口４１に設けられているゲートバルブ４２が
開き、ロードロック室４３に設置された搬送機構４５に
よって被処理体Ｗが処理室２内に搬入され、被処理体Ｗ
が載置台５上に載置される。搬入後、ゲートバルブ４２
が閉じられ、上部電極３０の処理ガス噴出口３６から処
理室２内に処理ガスが導入されると共に、高周波電源１
９によってたとえば１３.５６MHzの高周波電力が載置台
５に印加される。これにより、載置台５と上部電極３０
との間にグロー放電を発生させて、処理室２内に導入さ
れた処理ガスをプラズマ化させ、そのプラズマ流にて被
処理体Ｗをエッチング処理する。In the plasma etching apparatus 1 of this embodiment having the above-described structure, first, the gate valve 42 provided at the carry-in port 41 on the side surface of the processing chamber 2 is opened and installed in the load lock chamber 43. The object W to be processed is carried into the processing chamber 2 by the transported mechanism 45,
Are placed on the placing table 5. After loading, gate valve 42
Is closed, the processing gas is introduced into the processing chamber 2 from the processing gas ejection port 36 of the upper electrode 30, and the high frequency power source 1
A high frequency power of, for example, 13.56 MHz is applied to the mounting table 5 by means of 9. As a result, the mounting table 5 and the upper electrode 30
A glow discharge is generated between the two, and the processing gas introduced into the processing chamber 2 is made into plasma, and the object W to be processed is etched by the plasma flow.
【００２６】このように処理室２内において被処理体Ｗ
にエッチング処理を行うことにより反応生成物が発生す
るが、その反応生成物は、載置台５の周囲に装着された
前記リング体２５やバッフル板２６に付着し、載置台５
の周面には反応生成物が直接付着しない。そして、エッ
チング処理が終了すると、処理室２の側面の搬入口４１
に設けられたゲートバルブ４２が再び開き、ロードロッ
ク室４３の搬送機構４５によって、処理済みの被処理体
Ｗが処理室２内から搬出される。また、搬送機構４５に
よって次の被処理体Ｗが載置台５上に搬入される。搬入
後、再びゲートバルブ４２を閉じ、同様の工程により、
被処理体Ｗをエッチング処理する。In this way, the object W to be processed is processed in the processing chamber 2.
A reaction product is generated by performing an etching process on the substrate 5. The reaction product adheres to the ring body 25 and the baffle plate 26 mounted around the mounting table 5, and the mounting table 5
Reaction products do not directly adhere to the peripheral surface of the. Then, when the etching process is completed, the carry-in port 41 on the side surface of the processing chamber 2
The gate valve 42 provided at the opening position is opened again, and the processed target object W is unloaded from the processing chamber 2 by the transfer mechanism 45 of the load lock chamber 43. Further, the transport mechanism 45 carries the next object W to be processed onto the mounting table 5. After carrying in, the gate valve 42 is closed again, and the same process is performed.
The object W to be processed is etched.
【００２７】このようにして、ある量の処理を行ってリ
ング体２５に多量の反応生成物が付着した場合は、図２
に示すように、処理室２の上面３をヒンジ４を中心に回
動させて処理室２内を開放し、反応生成物が付着したリ
ング体２５を載置台５から取り外す。そして、そのリン
グ体２５をクリーニングし、付着した反応生成物を除去
するのである。リング体２５をクリーニングする時期
は、たとえば、次のように決定される。第１の例は、処
理装置１において処理された被処理体Ｗについてパーテ
ィクルの付着個数を計数し、パーティクルの付着個数が
所定の個数以上となったときにリング体２５のクリーニ
ングを行う。第２の例は、処理装置１から排気される室
内雰囲気中及び／または排気管中の少なくとも一カ所以
上において飛散しているパーティクルの個数を計数し、
パーティクルの個数が所定の個数以上となったときにリ
ング体２５のクリーニングを行う。第３の例は、処理装
置１において所定数の被処理体Ｗを処理したときにリン
グ体２５のクリーニングを行う。第４の例は、プラズマ
が発生していた期間、またはプラズマ処理を行った期間
の累計が、予め定めておいた所定の期間に達したときに
リング体２５のクリーニングを行う。In this way, when a large amount of the reaction product adheres to the ring body 25 by performing a certain amount of treatment, as shown in FIG.
As shown in FIG. 3, the upper surface 3 of the processing chamber 2 is rotated about the hinge 4 to open the inside of the processing chamber 2, and the ring body 25 to which the reaction product is attached is removed from the mounting table 5. Then, the ring body 25 is cleaned to remove the attached reaction product. The timing for cleaning the ring body 25 is determined as follows, for example. In the first example, the number of adhering particles of the object W to be processed in the processing apparatus 1 is counted, and when the number of adhering particles reaches a predetermined number or more, the ring body 25 is cleaned. The second example is to count the number of particles scattered in at least one place in the indoor atmosphere exhausted from the processing apparatus 1 and / or in the exhaust pipe,
When the number of particles exceeds a predetermined number, the ring body 25 is cleaned. In the third example, the ring body 25 is cleaned when a predetermined number of objects W to be processed are processed in the processing apparatus 1. In the fourth example, the ring body 25 is cleaned when the cumulative period during which plasma is generated or the period during which plasma processing is performed reaches a predetermined period.
【００２８】そして、クリーニング方法としては、たと
えばドライクリーニングやウェットクリーニングなどが
考えられる。ドライクリーニングとは、たとえば、リン
グ体２５を処理装置の載置台に装着したままの状態か、
もしくは図３に示すように、リング体２５を処理室２か
ら取り出した状態で、反応生成物が付着したリング体２
５にＣlＦ3ガス、ＣＦ4ガス、ＮＦ3ガス等のクリーニン
グガスを吹き付けることによって、リング体２５に付着
した反応生成物を除去するプラズマレスの洗浄方法であ
る。勿論、プラズマを発生させてクリーニングしても良
い。一方、ウェットクリーニングとは、たとえば図４に
示すように、反応生成物が付着したリング体２５を、容
器５０に充填されたＩＰＡ（イソプロピルアルコー
ル）、水、フッ酸等のクリーニング液５１中に浸漬させ
ることによって、リング体２５に付着した反応生成物を
洗い落とす洗浄方法である。As the cleaning method, for example, dry cleaning or wet cleaning can be considered. The dry cleaning means, for example, a state in which the ring body 25 is still attached to the mounting table of the processing apparatus,
Alternatively, as shown in FIG. 3, with the ring body 25 taken out from the processing chamber 2, the ring body 2 to which the reaction product is attached is attached.
This is a plasma-less cleaning method in which the reaction products attached to the ring body 25 are removed by spraying a cleaning gas such as ClF 3 gas, CF 4 gas, NF 3 gas, etc. Of course, plasma may be generated for cleaning. On the other hand, as the wet cleaning, for example, as shown in FIG. 4, the ring body 25 to which the reaction product is attached is dipped in a cleaning liquid 51 such as IPA (isopropyl alcohol), water or hydrofluoric acid filled in the container 50. By doing so, the reaction product attached to the ring body 25 is washed off.
【００２９】こうして、ドライクリーニングやウェット
クリーニングによって反応生成物を取り除いたリング体
２５を再び載置台５に装着し、再利用してプラズマ処理
を続行する。かくして、以上の工程を繰り返すことによ
り、従来は載置台５に直接付着していた反応生成物を、
脱着自在なリング体２５に付着させることにより容易に
クリーニングすることができ、被処理体Ｗのパーティク
ル汚染防止を図ると共に、装置のダウンタイムを低減さ
せて、稼働率の向上、即ちＣＯＯ／ＣＥＯ値を低下させ
ることが可能となる。In this way, the ring body 25 from which the reaction products have been removed by dry cleaning or wet cleaning is mounted on the mounting table 5 again and reused to continue the plasma treatment. Thus, by repeating the above steps, the reaction product that was directly attached to the mounting table 5 in the past can be
By attaching to the detachable ring body 25, it can be easily cleaned, particle contamination of the object to be processed W is prevented, downtime of the apparatus is reduced, and the operating rate is improved, that is, the COO / CEO value. Can be reduced.
【００３０】そして、以上に説明した工程によって被処
理体Ｗのエッチング処理を行うに際し、一つの載置台５
に対して予め複数個のリング体２５を用意しておけば、
一方のリング体２５をクリーニングしている間に、既に
クリーニング済みの他のリング体２５を載置台５に装着
してエッチング処理を行うようにすれば、処理装置をほ
ぼクリーンな状態で連続的に稼働させることが可能とな
る。これにより、装置のダウンタイムを著しく低減で
き、更に稼働率を向上できるようになる。When carrying out the etching process of the object W to be processed by the steps described above, one mounting table 5 is used.
If multiple ring bodies 25 are prepared in advance,
If one ring body 25 is being cleaned and another ring body 25 that has already been cleaned is attached to the mounting table 5 to perform an etching process, the processing apparatus can be continuously cleaned in a substantially clean state. It becomes possible to operate. As a result, the downtime of the device can be remarkably reduced and the operating rate can be further improved.
【００３１】また、リング体２５に付着した反応生成物
を除去するには、ドライクリーニングやウェットクリー
ニングなどの方法を適宜利用できるが、ドライクリーニ
ングはウェットクリーニングに比べて作業が簡単である
といった利点がある反面、洗浄がやや不完全である。ウ
ェットクリーニングはドライクリーニングに比べて洗浄
面で優れるが、作業が比較的煩雑である。従って、通常
はドライクリーニングによってリング体２５に付着した
反応生成物を簡単に除去しておき、周期的にウエットク
リーニングを行ってリング体２５に付着した反応生成物
を、一定回数毎に完全に洗い落とすようにするのが良
い。Further, in order to remove the reaction product attached to the ring body 25, a method such as dry cleaning or wet cleaning can be appropriately used, but dry cleaning has an advantage that the work is easier than wet cleaning. On the other hand, the cleaning is a little incomplete. Wet cleaning is superior to dry cleaning in terms of cleaning, but the work is relatively complicated. Therefore, usually, the reaction product attached to the ring body 25 is easily removed by dry cleaning, and the wet cleaning is periodically performed to completely wash off the reaction product attached to the ring body 25 at regular intervals. Good to do so.
【００３２】次に、上記バッフル板２６において、少な
くとも上部電極３０の真下に位置する部分が載置台５と
同電位となるように構成した実施例を説明する。Next, an embodiment will be described in which at least the portion of the baffle plate 26 located directly below the upper electrode 30 has the same potential as the mounting table 5.
【００３３】先に図１において説明したように、上部電
極３０の底面３８には多数の処理ガス噴出口３６が穿設
されているが、図５に示すように、処理ガス噴出口３６
が穿設されているエリアである処理ガス噴出有効径Ｄ1
と、処理室２において処理される被処理体Ｗの直径Ｄ2
の関係は、処理ガス噴出有効径Ｄ1が被処理体直径Ｄ2よ
りも大きくならないように設定されることが好ましい。
このように処理ガス噴出有効径Ｄ1を被処理体直径Ｄ2よ
りも大きくならないように設定することにより、処理室
２において効率の高いエッチング処理を実施できること
が分かっている。そして、エッチング処理の効率を高め
るためには、処理ガス噴出有効径Ｄ1を被処理体直径Ｄ2
に対して約９０％になるように設定することが最も好ま
しい。As described above with reference to FIG. 1, the bottom surface 38 of the upper electrode 30 is provided with a large number of processing gas ejection ports 36. However, as shown in FIG.
Effective diameter of the processing gas jet D 1
And the diameter D 2 of the object W to be processed in the processing chamber 2.
It is preferable that the relationship is set so that the effective diameter D 1 of the processing gas ejection does not become larger than the diameter D 2 of the object to be processed.
By setting the effective diameter D 1 of the processing gas jetting so as not to be larger than the diameter D 2 of the object to be processed in this way, it is known that the etching process can be performed in the processing chamber 2 with high efficiency. In order to increase the efficiency of the etching process, the processing gas ejection effective diameter D 1 is set to the object diameter D 2
Is most preferably set to about 90%.
【００３４】この場合、上部電極３０の底面３８の直径
をＤ3とすれば、処理ガス噴出有効径Ｄ1、被処理体直径
Ｄ2、及び上部電極直径Ｄ3の関係は、 Ｄ1 ＜ Ｄ2 ＜ Ｄ3 となるのが一般的である。かかる場合、以上に説明した
ように全体的に絶縁性材料で構成されているようなリン
グ体をそのまま用いると、載置台５からなる下部電極の
有効面積が上部電極３０の有効面積よりも実質的に小さ
くなり、処理室２内にプラズマが均一に発生しなくなる
といった問題を生ずる。このような問題は、下部電極の
有効面積が上部電極３０の有効面積と同じか、もしくは
下部電極の有効面積が上部電極３０の有効面積よりも大
きくなるように構成することによって解消することがで
きる。[0034] In this case, if the diameter of the bottom surface 38 of the upper electrode 30 and the D 3, the processing gas injection effective diameter D 1, the workpiece diameter D 2, and the relationship of the upper electrode diameter D 3 is, D 1 <D It is general that 2 <D 3 . In such a case, if the ring body made of an insulating material as described above is used as it is, the effective area of the lower electrode including the mounting table 5 is substantially larger than that of the upper electrode 30. Therefore, there is a problem that plasma is not uniformly generated in the processing chamber 2. Such a problem can be solved by configuring the effective area of the lower electrode to be the same as the effective area of the upper electrode 30 or by making the effective area of the lower electrode larger than the effective area of the upper electrode 30. .
【００３５】図６は、そのような問題を解消できるよう
に構成した実施例を示すものである。即ち、リング体２
５に一体的に設けられているバッフル板２６を、直径Ｄ
4よりも内側の部分６０と外側の部分６１に分割し、内
側部分６０をたとえばアルミニウムやステンレス等、金
属などの導電性物質で構成すると共に、外側部分６１を
たとえばＰＴＦＥ（テフロン）、ＰＦＡ、ポリイミド、
ＰＢＩ（ポリベンゾイミダゾール）、その他の絶縁性樹
脂か、アルミニウムの様な金属の表面に絶縁性の膜を形
成した部材などで構成している。直径Ｄ4は上部電極３
０の直径Ｄ3と少なくとも同じか、もしくは大きくなる
ようにして、少なくとも上部電極３０の真下に位置する
部分はバッフル板２６の内側部分６０、即ち導電性物質
で構成された部分がくるように構成している。また、リ
ング体２５を絶縁部６２を挟んで上半部分６３と下半部
分６４に分割し、上半部分６３たとえばアルミニウムや
ステンレス等、金属などの導電性物質で構成し、上記バ
ッフル板２６の内側部分６０と一体的に形成する。これ
ら、バッフル板２６の内側部分６０とリング体２５の上
半部分６３には、載置台５に高周波電力を印加するため
に設けられている高周波電源１９をブロッキングコンデ
ンサ１８を介してリード６７で接続し、これにより、少
なくとも上部電極３０の真下に位置する部分（バッフル
板２６の内側部分６０とリング体２５の上半部分６３）
が載置台５と同電位となるように構成している。なお、
リング体２５の交換作業性を向上させるために、リード
６７は取り外しが簡単にできるソケット６８によって、
リング体２５の上半部分６３、もしくはバッフル板２６
の内側部分６０に接続することが好ましい。また、図示
の例では載置台５の下方６５が絶縁層６６により載置台
５と絶縁状態にされているので、それに対応させて、リ
ング体２５の下半部分６４を絶縁部６２によりリング体
２５の上半部分６３と絶縁させた構成になっている。FIG. 6 shows an embodiment configured to solve such a problem. That is, the ring body 2
5, the baffle plate 26 provided integrally with
The inner portion 60 is divided into an inner portion 60 and an outer portion 61, and the inner portion 60 is made of a conductive material such as metal such as aluminum, stainless steel, etc., and the outer portion 61 is composed of, for example, PTFE (Teflon), PFA, polyimide. ,
It is made of PBI (polybenzimidazole), another insulating resin, or a member such as aluminum having a surface on which an insulating film is formed. Diameter D 4 is upper electrode 3
The diameter of the baffle plate 26 is at least equal to or larger than the diameter D 3 of 0, and at least the portion immediately below the upper electrode 30 is the inner portion 60 of the baffle plate 26, that is, the portion made of a conductive material. is doing. Further, the ring body 25 is divided into an upper half portion 63 and a lower half portion 64 with the insulating portion 62 sandwiched therebetween, and the upper half portion 63 is made of a conductive material such as metal such as aluminum or stainless steel. It is integrally formed with the inner portion 60. A high-frequency power source 19 provided for applying high-frequency power to the mounting table 5 is connected to the inner portion 60 of the baffle plate 26 and the upper half portion 63 of the ring body 25 by the lead 67 via the blocking capacitor 18. As a result, at least the portion located immediately below the upper electrode 30 (the inner portion 60 of the baffle plate 26 and the upper half portion 63 of the ring body 25).
Is configured to have the same potential as the mounting table 5. In addition,
In order to improve the workability of replacing the ring body 25, the lead 67 is provided with a socket 68 that can be easily removed.
The upper half portion 63 of the ring body 25 or the baffle plate 26
Preferably, it is connected to the inner part 60 of the. Further, in the illustrated example, the lower portion 65 of the mounting table 5 is insulated from the mounting table 5 by the insulating layer 66, so that the lower half portion 64 of the ring body 25 is correspondingly insulated by the insulating portion 62. The upper half portion 63 is insulated from the upper half portion 63.
【００３６】かくして、このようにバッフル板２６にお
いて、少なくとも上部電極３０の真下に位置する部分が
載置台５と同電位となるように構成することによって、
処理室２内でのプラズマの発生状態は均一なる。そし
て、リング体２５に多量の反応生成物が付着した場合
は、先に図２で説明した場合と全く同様に、載置台５か
ら反応生成物が付着したリング体２５を取り外してクリ
ーニングし、付着した反応生成物を除去して、再利用す
るものである。Thus, by thus configuring the baffle plate 26 so that at least the portion directly below the upper electrode 30 has the same potential as the mounting table 5,
The plasma generation state in the processing chamber 2 becomes uniform. When a large amount of the reaction product adheres to the ring body 25, the ring body 25, to which the reaction product adheres, is removed from the mounting table 5 and cleaned, just as in the case described above with reference to FIG. The reaction product is removed and reused.
【００３７】次に、載置台５が処理室２の内部において
昇降移動することに伴って、処理室２の側面の搬入口４
１を開閉するように構成した処理装置の実施例を説明す
る。Next, as the mounting table 5 moves up and down inside the processing chamber 2, the carry-in port 4 on the side surface of the processing chamber 2 is moved.
An embodiment of a processing device configured to open and close 1 will be described.
【００３８】図７、図８に示すように、処理室２の下方
には昇降手段２０が装置され、この昇降手段２０の作動
杆２１によって載置台５の下面を支持している。この昇
降手段２０が短縮稼働して作動杆２１が短縮すると、載
置台５が処理室２の内部において下降する。一方、昇降
手段２０が伸張稼働すると載置台５が作動杆２１で突き
上げられて上昇するように構成されている。As shown in FIGS. 7 and 8, an elevating means 20 is installed below the processing chamber 2, and an operating rod 21 of the elevating means 20 supports the lower surface of the mounting table 5. When the elevating means 20 is shortened and the operating rod 21 is shortened, the mounting table 5 is lowered inside the processing chamber 2. On the other hand, when the elevating means 20 is extended, the mounting table 5 is pushed up by the operating rod 21 and raised.
【００３９】以上のように昇降自在な載置台５を備えた
処理装置において、バッフル板２６を備えるリング体２
５を載置台５の周囲に装着し、載置台５の下降時におい
ては図７に示すようにバッフル板２６が搬入口４１より
も下方に位置すると共に、載置台５の上昇時においては
図８に示すようにバッフル板２６が搬入口４１よりも上
方に位置するように構成する。In the processing apparatus having the mounting table 5 which can be raised and lowered as described above, the ring body 2 having the baffle plate 26 is provided.
5 is mounted around the mounting table 5, and when the mounting table 5 is lowered, the baffle plate 26 is located below the carry-in port 41 as shown in FIG. 7, and when the mounting table 5 is raised, FIG. The baffle plate 26 is located above the carry-in port 41 as shown in FIG.
【００４０】かくして、この実施例の処理装置によれ
ば、被処理体Ｗの搬入時においては、昇降手段２０が短
縮稼働して載置台５が下降し、処理室２側面の搬入口４
１が開かれてロードロック室４３の搬送機構４５によっ
て被処理体Ｗが処理室２内に搬入される。被処理体Ｗの
搬入に際しては、載置台５が下降してバッフル板２６が
搬入口４１よりも下方に位置しているので、搬入の邪魔
とならない。その後、昇降手段２０が伸張稼働すること
によって載置台５が上昇し、被処理体Ｗをその上面に受
け取る。こうして被処理体Ｗの搬入が終了すると、搬送
機構４５はロードロック室４３内に格納され、図８に示
されるように、処理室２側面の搬入口４１に設けられて
いるゲートバルブ４２が閉じられると共に、載置台５が
上昇し、バッフル板２６が搬入口４１よりも上方に移動
する。その後、上部電極３０から処理室２内に処理ガス
が導入されると共に、載置台５に高周波電力が印加され
る。こうして処理室２内に導入された処理ガスがプラズ
マ化されて被処理体Ｗがエッチング処理されるが、その
際、バッフル板２６が搬入口４１よりも上方に位置して
いることにより搬入口４１へプラズマが回り込むことを
防ぐことができる。従って、この実施例のように載置台
５が上昇した際に搬入口４１をバッフル板２６で塞ぐよ
うに構成することによって、搬入口４１に異常反応生成
物が発生するのを防ぐことができ、また、処理室２内に
おけるプラズマの密度低下防止、均一なプラズマの安定
化といった目的も達成されるようになる。Thus, according to the processing apparatus of this embodiment, when the object W to be processed is loaded, the elevating means 20 is shortened and the mounting table 5 is lowered, and the loading port 4 on the side surface of the processing chamber 2 is used.
1 is opened and the object W to be processed is carried into the processing chamber 2 by the transfer mechanism 45 of the load lock chamber 43. When the object W to be processed is carried in, the mounting table 5 is lowered and the baffle plate 26 is located below the carry-in port 41, so that it does not interfere with the carry-in. After that, the elevating means 20 is extended and the mounting table 5 is raised to receive the object W to be processed on its upper surface. When the loading of the object W is completed in this way, the transport mechanism 45 is stored in the load lock chamber 43, and the gate valve 42 provided at the loading port 41 on the side surface of the processing chamber 2 is closed as shown in FIG. At the same time, the mounting table 5 rises and the baffle plate 26 moves above the carry-in port 41. After that, the processing gas is introduced into the processing chamber 2 from the upper electrode 30, and the high-frequency power is applied to the mounting table 5. In this way, the processing gas introduced into the processing chamber 2 is turned into plasma to etch the object W to be processed. At this time, since the baffle plate 26 is located above the carry-in entrance 41, the carry-in entrance 41 is provided. The plasma can be prevented from wrapping around. Therefore, by configuring the carry-in port 41 to be closed by the baffle plate 26 when the mounting table 5 is raised as in this embodiment, it is possible to prevent abnormal reaction products from being generated at the carry-in port 41. Further, the purpose of preventing the plasma density from decreasing in the processing chamber 2 and stabilizing the uniform plasma can be achieved.
【００４１】そして、以上のように載置台５の昇降移動
に伴って搬入口４１を塞ぐように構成する場合、図９に
示すように、バッフル板２６の周囲に閉塞板７０を設
け、載置台５の上昇時において搬入口４１をこの閉塞板
７０によって塞ぐように構成することもできる。特に、
搬入口４１は狭くて手が入りにくいために、この部分に
異常反応生成物が付着するとクリーニングが非常に困難
である。そこで、搬入口４１に反応生成物が付着するこ
とを更に確実に防止するためには、閉塞板７０と処理室
２の内壁面の隙間７１に不活性ガスなどをパージガスと
して供給し、処理ガスが搬入口４１に入り込まないよう
に構成すると良い。また、同様のパージガスを載置台５
とリング体２５の上部２７との隙間７２に供給しても良
い。When the loading port 41 is configured to be closed as the mounting table 5 is moved up and down as described above, the closing plate 70 is provided around the baffle plate 26 as shown in FIG. It is also possible to configure the carry-in port 41 to be closed by the closing plate 70 at the time of raising 5. In particular,
Since the carry-in port 41 is narrow and hard to access, if the abnormal reaction product adheres to this portion, cleaning is very difficult. Therefore, in order to more surely prevent the reaction product from adhering to the carry-in port 41, an inert gas or the like is supplied as a purge gas to the gap 71 between the closing plate 70 and the inner wall surface of the processing chamber 2 so that the processing gas is It is preferable to configure so as not to enter the carry-in port 41. In addition, the same purge gas is used on the mounting table 5.
It may be supplied to the gap 72 between the upper part 27 of the ring body 25 and the ring body 25.
【００４２】図１０に示す実施例は、バッフル板２６が
搬入口４１の中間程度まで上昇されれば、バッフル板２
６の周囲に設けた閉塞板７３によって搬入口４１を塞ぐ
ことができるように構成したものを示している。この実
施例は、載置台５の上昇量が比較的少なくて、バッフル
板２６では搬入口４１を完全に塞ぐことができなうよう
な場合に便利である。In the embodiment shown in FIG. 10, if the baffle plate 26 is lifted up to about the middle of the carry-in port 41, the baffle plate 2
6 shows a configuration in which the carry-in port 41 can be closed by a closing plate 73 provided on the periphery of 6. This embodiment is convenient when the amount of lifting of the mounting table 5 is relatively small and the baffle plate 26 cannot completely block the carry-in port 41.
【００４３】しかして、以上に説明した実施例において
は、原料ガスとしてＣＦ4ガスを使用した例を示したが
本発明はこれに限定されない。本発明は、気相材料であ
れば、あらゆる種類の処理ガス、キャリアガス、パージ
ガスなどに適用することが可能である。また以上では本
発明の好適な実施例についてプラズマエッチング装置を
例に挙げて説明をしたが、本発明はかかる構成に限定さ
れない。本発明はこの他にも、処理室内に処理ガスを導
入して処理を行う各種装置、たとえば熱またはプラズマ
ＣＶＤ装置、スパッタ装置、アッシング装置などにも適
用することが可能である。なお、ＣＶＤ装置によって処
理を行う場合は、載置台５を高温とし、リング体２５を
低温とするのが良く、エッチング装置によって処理を行
う場合は、載置台５を低温とし、リング体２５を高温と
するのが良い。従って、ＣＶＤ装置、エッチング装置の
何れの場合も載置台５とリング体２５の間に断熱材を介
在させるのが好ましい。また、処理室２の内壁面もリン
グ体２５に準じて高温もしくは低温にするのがよい。更
に、リング体２５は必ずしもバッフル板２６を一体成形
する必要はなく、筒状に形成することも考えられる。In the embodiments described above, CF 4 gas is used as the source gas, but the present invention is not limited to this. The present invention can be applied to any kind of process gas, carrier gas, purge gas and the like as long as it is a gas phase material. Although the preferred embodiment of the present invention has been described above by taking the plasma etching apparatus as an example, the present invention is not limited to such a configuration. In addition to the above, the present invention can be applied to various apparatuses for introducing a processing gas into the processing chamber to perform processing, such as a thermal or plasma CVD apparatus, a sputtering apparatus, and an ashing apparatus. When the processing is performed by the CVD apparatus, it is preferable that the mounting table 5 is at a high temperature and the ring body 25 is at a low temperature. When the processing is performed by the etching apparatus, the mounting table 5 is at a low temperature and the ring body 25 is at a high temperature. It is good to Therefore, in both the CVD apparatus and the etching apparatus, it is preferable to interpose a heat insulating material between the mounting table 5 and the ring body 25. Further, the inner wall surface of the processing chamber 2 is also preferably set to a high temperature or a low temperature according to the ring body 25. Further, the ring body 25 does not necessarily need to be integrally formed with the baffle plate 26, and may be formed in a tubular shape.
【００４４】[0044]
【発明の効果】本発明によれば、リング体を交換するだ
けで処理室内を容易にクリーニングできる。本発明によ
れば、被処理体のパーティクル汚染防止を図ることがで
き、また、クリーニング作業が容易であるので、装置の
ダウンタイムを低減でき、稼働率の向上、即ちＣＯＯ／
ＣＥＯ値を低下させることができる。According to the present invention, the inside of the processing chamber can be easily cleaned only by exchanging the ring body. According to the present invention, it is possible to prevent particle contamination of the object to be processed, and since the cleaning operation is easy, it is possible to reduce downtime of the apparatus and improve the operating rate, that is, COO /
The CEO value can be lowered.
【００４５】特に、処理室側面に設けられている搬入口
に処理ガスが流入するのを防ぐことによって、処理ガス
の流れが乱される要因を少なくして処理室内においてプ
ラズマの密度低下防止と均一安定化を図ることが可能に
なり、処理室側面の搬入口の異常反応生成物発生といっ
た問題も解消できる。In particular, by preventing the processing gas from flowing into the carry-in port provided on the side surface of the processing chamber, the factor of disturbing the flow of the processing gas is reduced and the plasma density is prevented from being lowered in the processing chamber and is uniform. It becomes possible to stabilize, and the problem of abnormal reaction product generation at the carry-in port on the side of the processing chamber can be solved.
【図１】本発明実施例のエッチング装置の断面図FIG. 1 is a sectional view of an etching apparatus according to an embodiment of the present invention.
【図２】反応生成物が付着したリング体を載置台から取
り外す状態を示す図面FIG. 2 is a drawing showing a state in which a ring body to which a reaction product is attached is removed from a mounting table.
【図３】ドライクリーニングの状態図[Figure 3] State diagram of dry cleaning
【図４】ウェットクリーニングの状態図[Fig. 4] State diagram of wet cleaning
【図５】処理ガス噴出有効径Ｄ1、被処理体直径Ｄ2、及
び上部電極直径Ｄ3の関係を説明する斜視図FIG. 5 is a perspective view illustrating a relationship among a processing gas ejection effective diameter D 1 , an object diameter D 2 , and an upper electrode diameter D 3 .
【図６】下部電極の有効面積を上部電極の有効面積以上
とした実施例にかかるエッチング装置の断面図FIG. 6 is a sectional view of an etching apparatus according to an embodiment in which an effective area of a lower electrode is equal to or larger than an effective area of an upper electrode.
【図７】載置台が下降した状態のエッチング装置の断面
図FIG. 7 is a sectional view of the etching apparatus with the mounting table lowered.
【図８】載置台が上昇した状態のエッチング装置の断面
図FIG. 8 is a sectional view of the etching apparatus with the mounting table raised.
【図９】載置台が上昇したときにバッフル板で搬入口を
塞ぐように構成したエッチング装置の断面図FIG. 9 is a cross-sectional view of an etching apparatus configured so that a loading port is closed by a baffle plate when the mounting table is raised.
【図１０】載置台が上昇したときにバッフル板の周囲に
設けた閉塞板で搬入口を塞ぐように構成したエッチング
装置の断面図FIG. 10 is a cross-sectional view of an etching apparatus configured such that a loading plate is closed by a blocking plate provided around the baffle plate when the mounting table rises.
【図１１】従来のエッチング装置の概略図FIG. 11 is a schematic view of a conventional etching apparatus.
Ｗ 被処理 ２ 処理室 ５ 載置台 ２５ リング体 ３０ 上部電極 W Treatment 2 Treatment chamber 5 Mounting table 25 Ring body 30 Upper electrode
Claims (12)
台上に載置された被処理体を熱またはプラズマを用いて
処理する処理装置において、前記載置台の周囲に設けら
れ、前記熱またはプラズマにより生成された反応生成物
を付着させるリング体を前記処理室内において脱着自在
に装着したことを特徴とする処理装置。1. A processing apparatus for processing an object to be processed placed on a mounting table by using heat or plasma in an airtight processing chamber, wherein the heat or plasma is provided around the mounting table. A processing apparatus, wherein a ring body to which the reaction product generated by the above is attached is detachably mounted in the processing chamber.
自在な載置台上に載置された被処理体を熱またはプラズ
マを用いて処理する処理装置において、前記熱またはプ
ラズマにより生成された反応生成物を付着させるリング
体を前記載置台の周囲に脱着自在に装着し、該リング体
が前記載置台と共に昇降する構成としたことを特徴とす
る処理装置。2. A processing apparatus for processing an object to be processed, which is placed on a vertically movable mounting table in a hermetically-sealed processing chamber, by using heat or plasma, wherein reaction generated by the heat or plasma is generated. A processing apparatus, wherein a ring body to which an object is attached is detachably attached around the mounting table, and the ring body moves up and down together with the mounting table.
自在な載置台上に載置された被処理体を熱またはプラズ
マを用いて処理する処理装置において、前記熱またはプ
ラズマにより生成された反応生成物を付着させるリング
体を前記載置台の周囲に脱着自在に装着し、該リング体
が前記載置台と共に昇降することによって、該リング体
が前記処理室の側壁に設けられた被処理体の搬入口の上
端位置と下端位置との間を移動する構成としたことを特
徴とする処理装置。3. A processing apparatus for processing an object to be processed, which is placed on a vertically movable mounting table in a hermetically-sealed processing chamber, by using heat or plasma, wherein a reaction generated by the heat or plasma is generated. A ring body to which an object is attached is detachably mounted around the mounting table, and the ring body moves up and down together with the mounting table so that the ring body is loaded on the object to be processed provided on the side wall of the processing chamber. A processing device having a configuration of moving between an upper end position and a lower end position of a mouth.
自在な載置台上に載置された被処理体を熱またはプラズ
マを用いて処理する処理装置において、前記載置台と共
に昇降するバッフル板を載置台の周囲に装着し、少なく
とも被処理体を処理するときにおいては前記バッフル板
が前記処理室の側壁に設けられた被処理体の搬入口の上
端位置よりも高い位置に上昇するように構成したことを
特徴とする処理装置。4. A processing apparatus for processing an object to be processed, which is placed on a vertically movable mounting table in a hermetically sealed processing chamber, by using heat or plasma, wherein a baffle plate that moves up and down together with the mounting table is mounted. The baffle plate is mounted around the table and is configured to rise to a position higher than the upper end position of the carry-in port of the object to be processed provided on the side wall of the processing chamber at least when processing the object to be processed. A processing device characterized by the above.
自在な載置台上に載置された被処理体を熱またはプラズ
マを用いて処理する処理装置において、前記載置台と共
に昇降するバッフル板を載置台の周囲に装着し、被処理
体を処理するときに前記バッフル板により整流された処
理ガスの下流側に、前記処理室の側壁に設けられた被処
理体の搬入口が位置していることを特徴とする処理装
置。5. A processing apparatus for processing an object to be processed placed on a vertically movable mounting table in a hermetically sealed processing chamber using heat or plasma, wherein a baffle plate that moves up and down together with the mounting table is mounted. An inlet for the object to be processed provided on the side wall of the processing chamber is located on the downstream side of the processing gas that is mounted around the table and is rectified by the baffle plate when processing the object to be processed. A processing device characterized by.
在に装着したことを特徴とする請求項４または５に記載
された処理装置。6. The processing apparatus according to claim 4, wherein the baffle plate is detachably mounted around a mounting table.
装置の載置台に装着したままの状態で処理室内にＣlＦ3
ガス、ＣＦ4ガス、ＮＦ3ガス等のクリーニングガスを導
入してドライクリーニングする請求項１〜６の何れかに
記載された処理装置に用いられるリング体もしくはバッ
フル板の洗浄方法。7. The ClF 3 in the processing chamber in a state where the ring body or the baffle plate is attached to the mounting table of the processing apparatus.
A method for cleaning a ring body or a baffle plate used in the processing apparatus according to claim 1, wherein a cleaning gas such as a gas, a CF 4 gas or an NF 3 gas is introduced to carry out dry cleaning.
体もしくはバッフル板をＣlＦ3ガス、ＣＦ4ガス、ＮＦ3
ガス等のクリーニングガスを用いてドライクリーニング
する請求項１〜６の何れかに記載された処理装置に用い
られるリング体もしくはバッフル板の洗浄方法。8. The ring body or the baffle plate removed from the mounting table of the processing apparatus is replaced with ClF 3 gas, CF 4 gas, NF 3 gas.
The method for cleaning a ring body or a baffle plate used in the processing apparatus according to claim 1, wherein dry cleaning is performed using a cleaning gas such as gas.
体もしくはバッフル板をＩＰＡ（イソプロピルアルコー
ル）、水、フッ酸等のクリーニング液を用いてウェット
クリーニングする請求項１〜６の何れかに記載された処
理装置に用いられるリング体もしくはバッフル板の洗浄
方法。9. The method according to claim 1, wherein the ring body or the baffle plate removed from the mounting table of the processing apparatus is wet-cleaned with a cleaning liquid such as IPA (isopropyl alcohol), water, hydrofluoric acid. Method for cleaning ring bodies or baffle plates used in processing equipment.
についてパーティクルの付着個数を計数し、パーティク
ルの付着個数が所定の個数以上となったときに上記リン
グ体及び／またはバッフル板のクリーニングを行うこと
を特徴とする請求項７〜９の何れかに記載された処理装
置に用いられるリング体もしくはバッフル板の洗浄方
法。10. A method for counting the number of particles adhering to an object to be processed in a processing apparatus, and cleaning the ring body and / or the baffle plate when the number of particles adhering reaches a predetermined number or more. A method for cleaning a ring body or a baffle plate used in the processing apparatus according to any one of claims 7 to 9.
及び／または排気管中の少なくとも一カ所以上において
飛散しているパーティクルの個数を計数し、パーティク
ルの個数が所定の個数以上となったときに上記リング体
及び／またはバッフル板のクリーニングを行うことを特
徴とする請求項７〜９の何れかに記載された処理装置に
用いられるリング体もしくはバッフル板の洗浄方法。11. The number of particles scattered in at least one place in an indoor atmosphere exhausted from a processing apparatus and / or in an exhaust pipe is counted, and when the number of particles exceeds a predetermined number. The method for cleaning a ring body or a baffle plate used in the processing apparatus according to any one of claims 7 to 9, wherein the ring body and / or the baffle plate is cleaned.
処理したときに上記リング体及び／またはバッフル板の
クリーニングを行うことを特徴とする請求項７〜９の何
れかに記載された処理装置に用いられるリング体もしく
はバッフル板の洗浄方法。12. The processing apparatus according to claim 7, wherein the ring body and / or the baffle plate is cleaned when a predetermined number of objects to be processed are processed in the processing apparatus. Method for cleaning ring bodies or baffle plates used for.
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