JPH07307537A

JPH07307537A - 半導体パッケージ用検査治具基板および金属ベース基板

Info

Publication number: JPH07307537A
Application number: JP6100994A
Authority: JP
Inventors: Kunihiro Nagamine; 邦浩永峰; Seiichi Takahashi; 清一高橋; Kyoichi Ishigaki; 恭市石垣; Tatsumi Hoshino; ▲巽▼ 星野
Original assignee: Mitsui Toatsu Chemicals Inc
Current assignee: Mitsui Toatsu Chemicals Inc
Priority date: 1994-05-16
Filing date: 1994-05-16
Publication date: 1995-11-21

Abstract

(57)【要約】【目的】突起形状の外部接続部位を有する半導体パッ
ケージ（ＢＧＡパッケージなど）の電気的特性の検査時
などに使用され、接触信頼性が高く、廉価かつ小型であ
る検査治具基板を提供する。【構成】金属板１１上に絶縁層１２を介して回路加工
された銅箔層１３を有する金属ベ−ス基板を用い、この
金属ベ−ス基板にプレス成形などで半球形カップ形状の
凹部１４を形成する。凹部１４は半導体パッケージの外
部接続部位と対向する位置に設ける。配線パタ−ンに回
路加工された銅箔層１３の一端が凹部１４に露出するよ
うにし、他端は外部との接続のための接続パッド部１５
とする。凹部１４と半導体パッケージ１５の外部接続部
位とを合致・接触させて、両者の電気的接触を確立す
る。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【産業上の利用分野】本発明は、半導体パッケージの外
部接続部位と接触させてその半導体パッケージの電気的
特性などを検査する場合に使用される検査治具基板や、
その半導体パッケージの実装に使用される金属ベース基
板に関し、特に、ＢＧＡなど半球形状の突起物を外部接
続部位として有する半導体パッケージに適した検査治具
基板および金属ベース基板に関する。

【０００２】

【従来の技術】集積回路用の半導体パッケージとして
は、ＤＩＰ(Dual In-line Package)やＱＦＰ(Quad Flat
Package)など各種のものがあるが、外部端子数の多い
ＬＳＩ用の半導体パッケージとして、ＰＧＡ(Pin Grid
Array)がある。ＱＦＰでは、半導体集積回路素子（ＩＣ
チップ）に接続されたリードがアウターリードとしてパ
ッケージ外周（４方向）に複数本導出されているが、Ｐ
ＧＡでは、リードがパッケージ下面より端子として導出
される。ＱＦＰでは、パッケージ外周の４辺からしかア
ウターリードが取り出せないため、多ピン化したときに
ピンピッチを狭小化せざるをえないが、ＰＧＡではパッ
ケージ下面の全体を利用できるため、多ピン化しやす
く、また端子ピッチもそれほど狭小化する必要がない。

【０００３】しかしＰＧＡは、プリント基板に実装する
場合にピン挿入タイプの実装となるため、表面実装に比
べて実装の面積効率が悪くなり、高密度実装には適さな
い。またその構造上、その製造コストが高く、汎用の半
導体パッケージとしては用いにくい。

【０００４】このようなＰＧＡの持つ問題点を解決する
ために、ボール状の半田バンプを外部接続部位としてパ
ッケージの下面に形成したＢＧＡ(Ball Grid Array)タ
イプの半導体パッケージが開発されている。図７(a)は
ＢＧＡの構成の概略を示す下面図、図７(b)はＢＧＡを
プリント基板に実装した状態を示す模式断面図である。
ＢＧＡ８０では、ＰＧＡのアウターリード端子の代りに
ボール状の半田バンプ８１がパッケージ下面に形成され
ている。プリント基板８２にＢＧＡ８０を実装する場
合、半田バンプ８１を電気的接続部位として、リフロー
加熱によりプリント基板８２上のパッドと電気的に接続
させている。ＢＧＡ８０では、ＩＣチップ８３は、セラ
ミックないしガラスエポキシ製の基板８４上にダイパッ
ド８５を介して搭載されており、基板８４上の銅箔配線
８６（インナーリード）に対してボンディングワイヤ８
７によって接続されている。さらに、基板８４を貫通す
るスルーホールビア８８が設けられ、このスルホールビ
ア８８を介して銅箔配線８６と半田バンプ８１とが電気
的に接続されている。ＩＣチップ８３や銅箔配線８６、
ボンディングワイヤ８７を封止するために、エポキシな
どからなるモールド材８９が基板８４の上面に設けられ
ている。

【０００５】このＢＧＡでは、半田バンプの高さが不揃
いになって接触不良が生じることがあるほか、一度実装
した後にパッケージを取り外し再度実装しようとする場
合には、半田バンプを改めて形成しなければならない。
そこで本発明者らは、特願平6-27079において、金属ベ
ース基板に例えばスープ皿状に絞り加工するとともにそ
の外周部に半球形状の突起を設けこの突起部を外部接続
部位とする半導体パッケージを提案している。

【０００６】ところで上記のＢＧＡパッケージあるいは
特願平6-27079に提案されたパッケージなどを使用する
に際し、パッケージに実装された半導体素子の電気的特
性を予め検査する場合を考える。これらの半導体パッケ
ージでは、パッケージの一面に設けられた球形ないし半
球形状の突起を外部接続部位とするので、汎用のＩＣソ
ケットを使用して検査を行なうことができず、特別な形
状の検査治具が必要となる。特に半導体パッケージとし
ては、その信頼性確保のために、バーンインテストが必
須であり、汎用かつ廉価であって信頼性の高いコンパク
トなＩＣソケットないし検査治具が要求されている。

【０００７】半田バンプなどの球形ないし半球状の突起
物を外部接続部位として有する半導体パッケージから、
検査のための電気的接続としての電気的接触を確立する
方法として、特開平3-504064号公報には、図８(a)に示
すように、半導体パッケージ９０の底面の半球状の外部
接続部位９１に対向する位置に、導体パッド９３を有す
る基板９２を配置し、外部接続部位９１に向けて導体パ
ッド９３を押し当てることによって電気的接触を形成す
る方法が、開示されている。基板９２としては、プリン
ト基板、セラミック基板、ポリイミド基板などが用いら
れる。また、導体パッド９３は銅箔等で形成されてお
り、この導体パッド９３は、基板９２上の配線パターン
を介して、外部の検査回路と電気的に接続されている。
しかしこの方法では、基板９２に平坦性が悪かったり、
また、半田バンプなどで構成される半球状の外部接続部
位９１の高さが不揃いの場合には、導体パッド９３と外
部接続部位９１の接触不良が生じ、検査がうまく行なえ
ないことがある。

【０００８】この対策として、図８(b)に示されるよう
に、局所的に導電部９５が形成されているゴムシート９
４を基板９２と半導体パッケージ９０との間に挟み込む
方法が考えられる。このゴムシート９４では、半導体パ
ッケージ９０側の外部接続部位９１と基板９２側の導体
パッド９３との対ごとに対応して、導電性粒子が埋め込
まれた導電部９５が形成されており、この導電部９５は
圧力を加えることによって厚さ方向に局所的な導電性を
生じるようになっている。この方法の場合、導電部９５
を有するゴムシート９４の緩衝効果により、基板９２と
半導体パッケージ９０とをある圧力で接触させた場合、
図８(a)の例におけるような接触不良は改善されるが、
導電部９５自体の電気抵抗が金属ほどは低くないので、
導電部９５での抵抗損失のために全ての項目について電
気的検査を行なうというわけにはいかない。また、局所
的に導電部９５を形成したゴムシート９４は高価なもの
であり、検査治具全体のコストアップにつながる。

【０００９】基板上の導体パッドを直接あるいは間接に
外部接続部位に接触させる方法以外の方法として、図８
(c)に示すように、スプリング機能を有するコンタクト
プローブ９６を用いる方法がある。各コンタクトプロー
ブ９６は、プラスチック製などの絶縁板９７に機械的に
保持されており、先端が半導体パッケージ９０の外部接
続部位９１に接触し得るようになっており、根元側にリ
ード線９８が接続された構成となっている。コンタクト
プローブ９６自体にスプリング機能が備えられているの
で、コンタクトプローブ９６と外部接続部位９１との接
触は安定して行なうことができる。しかし、絶縁板９７
にコンタクトプローブ９６を埋め込み、またリード線９
８を結線するのにコストがかかり、またバーンインテス
ト時などの環境下では、接続の信頼性が十分確保できる
とはいえない。リード線９８によって外部との電気的接
続が行なわれるので、検査治具としてのサイズが大きく
なりがちで小型化が難しく、またコンタクトプローブ９
６の先端を半導体パッケージ９０の外部接続部位９１に
突き立てるように機械的に接触させるため、接触圧力に
よる外部接続部位９１での傷の発生の問題がある。さら
に、外部接続部位のピッチの狭小化を図るほどは、コン
タクトプローブのピッチを狭小化することができないと
いう問題がある。

【００１０】

【発明が解決しようとする課題】以上述べたように、半
田パンプを有するＢＧＡパッケージや上述の特願平6-27
079に記載されたパッケージなど突起形状の外部接続部
位を有する半導体パッケージに対して使用される検査治
具（検査用ＩＣソケット）であって、汎用で廉価、かつ
コンパクトで信頼性の高いものは、得られていないのが
現状である。

【００１１】本発明の目的は、突起形状の外部接続部位
を有する半導体パッケージに対して使用されるものであ
って、接触信頼性が高く、廉価かつ小型である検査治具
基板と金属ベース基板とを提供することにある。

【００１２】

【課題を解決するための手段】本発明の半導体パッケー
ジ用の検査治具基板は、突起形状である外部接続部位を
有する半導体パッケージの検査に使用される検査治具基
板において、金属板と回路加工された銅箔層が絶縁層を
介して積層された金属ベース基板と、前記回路加工され
た銅箔層の一端側が露出するようにプレス成形によって
前記金属ベース基板の前記銅箔層側の表面に形成された
カップ状の凹部とを有し、前記回路加工された銅箔層の
他端が配線接続に使用され、前記凹部と前記半導体パッ
ケージの外部接続部位とが形状的に適合しかつ電気的に
接触可能である。

【００１３】本発明の金属ベース基板は、半球状の突起
である外部接続部位を有する半導体パッケージが表面実
装される金属ベース基板において、金属板と回路加工さ
れた銅箔層が絶縁層を介して積層され、前記回路加工さ
れた銅箔層が露出するようにプレス成形によって前記銅
箔層側の表面に形成されたカップ状の凹部を有し、前記
凹部と前記半導体パッケージの外部接続部位とが半田付
け可能である。

【００１４】本発明では、半田パンプ等の半球形状の突
起物を外部接続部位として有する半導体パッケージに用
いる検査治具基板として、金属板上に絶縁層を介して回
路加工された銅箔層を有する金属ベース基板を使用し、
この金属ベース基板の銅箔面上にポンチなどで機械的に
例えば半球形のカップ状の凹部を形成する。そして、半
導体パッケージとの電気的接続を行なう場合には、半導
体パッケージ側の外部接続部位をこの凹部に合致させ
る。検査治具基板の場合であれば、機械的な接触だけで
電気的接続が行なわれるが、半導体パッケージを半恒久
的に表面実装する配線基板としての金属ベース基板の場
合であれば、さらに、外部接続部位と凹部の露出した銅
箔層とを半田付けすればよい。

【００１５】金属ベース基板の銅箔層は、半導体パッケ
ージの外部接続部位に対する導体パッドとして機能する
ほかに、通常のプリント基板と同じように配線パターン
として使用され、このように配線パターンを構成するこ
とによって、容易にこの基板外の回路との電気的接続が
可能となる。検査治具基板の場合、半導体パッケージ側
の外部接続部位に対応する数の電気的な接続を外部の検
査機器（ＩＣテスタなど）と行なう必要があるので、銅
箔層を配線パターンとして使用できることは、廉価でコ
ンパクトな検査治具基板を得ることに対して極めて有効
である。

【００１６】本発明において、金属ベース基板を構成す
る金属板としては、厚み０.０５〜３.０ｍｍ程度のもの
が使用されるが、好ましくは０.５〜２.０ｍｍのアルミ
ニウム、洋白や真鍮等の銅合金、銅、銅クラッドインバ
ー、ステンレス鋼、鉄、ケイ素鋼、電解酸化処理された
アルミニウム等を用いることができる。

【００１７】本発明に用いられる絶縁層としては、例え
ば、エポキシフェノール、ビスマレイミド等の熱硬化性
樹脂、及びポリアミドイミド、ポリスルフォン、ポリパ
ラバン酸、ポリフェニレンサルファイド等の熱可塑性樹
脂、及び熱可塑性ポリイミドの前駆体であるポリアミド
酸ワニスを加熱イミド化して得られるものを使用でき
る。あるいは耐熱性有機高分子フィルム、例えばポリイ
ミド、ポリアミドイミド、アラミド、ポリエーテルスル
フォン、ポリエーテルエーテルケトン等の各フィルムの
両面に、熱可塑性ポリイミドの前駆体であるポリアミド
酸ワニスを塗布し加熱イミド化して得られるものも使用
できる。また有機溶媒に可溶な熱可塑性ポリイミドの場
合であれば、熱可塑性ワニスを上述のフィルム形成方法
と同様にキャスト、あるいはコートし乾燥して得られる
フィルム、また熱可塑性ポリイミドの押し出し成形フィ
ルムあるいはシートも使用できる。さらには、使用する
金属板および／または銅箔層の裏面に、ポリイミド酸ワ
ニス、あるいは熱可塑性ポリイミドを塗布し乾燥し、積
層させてもかまわない。

【００１８】前述の絶縁層材料を組み合わせて用いるこ
とも可能である。放熱性を向上させる目的で、凹部形成
時の機械加工性を阻害しない範囲で、絶縁層に無機フィ
ラを加えても構わない。これらフィラとしては、アルミ
ナ、シリカ、炭化ケイ素、窒化アルミニウム、窒化ホウ
素等が挙げられる。

【００１９】このような絶縁層のうち、本発明において
最も好ましいものは、主鎖にイミド構造を有する熱可塑
性ポリイミドであって、ガラス転移温度(Ｔ_g)が１６０
℃以上３５０℃以下であり、ＪＩＳ（日本工業規格）-
Ｃ２３１８に規定された方法により測定される破断時の
伸び率が３０％以上のものである。破断時の伸び率を上
述のように規定することで、カップ状の凹部にプレス成
形した場合、ポリイミドからなる絶縁層はクラック等を
発生させることなくなめらかに伸び、これによって、銅
箔層と金属板とが電気的に接触するおそれがなくなる。
またガラス転移温度を上述のように規定することによ
り、絶縁層−金属板間の接着強度が優れたものとなると
ともに、耐熱性の高い熱可塑性のポリイミドを絶縁層に
もつ検査治具基板として、バーンインテストなどの過酷
な環境でも高い信頼性が得られ、さらに半導体パッケー
ジを表面実装する場合における半田付けに対する高い信
頼性が得られる。

【００２０】本発明に用いられる銅箔層は、比較的に安
価に容易に入手可能な、市販の電解銅箔、圧延銅箔等が
用いられる。銅箔層の回路加工の方法としては、通常の
プリント配線基板で使用される公知のパターニング（エ
ッチング）法などが使用できる。

【００２１】金属板、絶縁層、銅箔層を相互に積層する
方法としては、熱ロール法や熱プレス法等がある。また
金属板上に絶縁層を形成後、蒸着法またはメッキ法など
で銅箔層を形成するビルドアップ法も使用可能である。

【００２２】本発明におけるカップ状の凹部への加工
は、通常の金型を用いたプレス加工で行うことができ
る。絞り加工時に回路加工された銅箔層を保護するため
に、金型表面に樹脂コートして用いたり、配線パターン
形状に合わせて金型に凹形状を設けてもよい。深絞りや
曲率半径が小さい加工を行なう場合には、熱をかけての
加工や、絶縁層を溶剤等で膨潤させる等の処理を行って
もよい。

【００２３】本発明において、カップ状の凹部の形状
は、半導体パッケージ側の外部接続部位の形状に合わせ
て適宜選択し得るが、半球状とするのが一般的である。
凹部の曲率半径は、外部接続部位の曲率半径により適宜
選択し得るが、加工の優位性から、例えば、０.１〜５.
０ｍｍの範囲で加工を行うことが望ましい。後述の実施
例では凹部の曲率半径を０.５ｍｍとした。またこのカ
ップ状の凹部は、金属ベース基板内において、半導体パ
ッケージの外部接続部位と対向すべき位置に形成され
る。この凹部間の間隔は、その間に配線パターンを設け
るために０.１ｍｍ以上とすることが望ましい。

【００２４】回路加工された銅箔層の表面は、半導体パ
ッケージの外部接続端子との接触による傷を低減し同時
に錆の発生を防ぐために、メッキ処理を施すほうが好ま
しい。メッキに用いる金属としては、例えば、Ｎｉ,Ａ
ｕ,Ａｇ,半田やこれらの組み合わせがあり、電解法およ
び／または無電解法でメッキ処理を行なう。後述の実施
例では、無電解Ｎｉ／Ａｕメッキを用いた。銅箔層に対
するメッキ処理は、カップ状の凹部をプレス加工によっ
て形成する前に行なうことも可能であるが、プレス加工
時のメッキ層へのストレス低減のために、プレス加工後
に施すほうが好ましい。

【００２５】

【作用】本発明の検査治具基板では、銅箔層が従来の検
査治具基板における導体パッドとなるとともに、この銅
箔層にカップ状の凹部が形成されているので、凹部と半
導体パッケージの外部接続部位とを合致させることによ
り、両者間の電気的な接触が完成する。したがって、検
査用の電気信号は、半導体パッケージの外部接続部位か
らこの検査治具基板のカップ状の凹部の表面の銅箔層を
通り、基板内の配線パターンを通ってコネクタ等を介し
て外部の検査機器などへ送られる。このとき、検査治具
基板側の凹部のサイズと半導体パッケージ側の外部接続
部位のサイズとを対応させることによって、典型的には
球面である外部接続部位を平面である導体パッドと接触
させる従来のものに比べ、両者の接触面積が増加し、そ
の接続信頼性が高められる。言い換えれば、本発明の検
査治具基板ないし金属ベース基板では、平坦な基板上に
例えば半球形状のカップ状のソケットが一体的に配置さ
れた構成となっている。

【００２６】

【実施例】以下、本発明の実施例について、図面を参照
して説明する。

【００２７】［第１実施例］図１(a)は本発明の第１実
施例の検査治具基板の上面図、図１(b)は図１(a)のＡ-
Ａ'線での断面図、図２はこの検査治具基板の上面斜視
図、図３はこの検査治具基板の使用方法を説明するもの
であって半導体パッケージとの電気的接触を達成した状
態での断面図である。

【００２８】この検査治具基板１０は、半球形状の突起
部を外部接続部位とする半導体パッケージ（例えば、Ｂ
ＧＡパッケージなど）の電気的検査を行うときに用いる
ものであって、金属板１１上に絶縁層１２を介して銅箔
層１３が形成された金属ベース基板を使用し、この金属
ベース基板に対して回路パターン形成を行ない、その
後、プレス成形によって、半球形状のカップ状の凹部１
４を銅箔層１３側から形成したものである。凹部１４
は、検査対象の半導体パッケージの外部接続部位に対向
した位置に形成されている。本実施例では、凹部１４相
互の間隔を１.５ｍｍ、半球状の凹部１４の曲率半径を
０.５ｍｍとし、合計２５個の凹部１４、すなわち半導
体パッケージとの接続部位を配置した。

【００２９】上述の回路パターン形成によって銅箔層１
３は回路加工されており、回路加工された銅箔層１３は
配線パターンとなっている。各配線パターンの一端側は
凹部１４となっており、他端側は、この検査治具基板１
０の周縁部近くまで引き出されて、検査装置（不図示）
との接続に使用される接続パッド部１５となっている。
接続パッド部１５の代りに、外部の検査機器などとの接
続に使用されるコネクタを設けてもよい。カップ状の凹
部１４の内面には銅箔層１３（配線パターン）が露出し
ており、さらにこの銅箔層１３は凹部１４の外周に沿っ
た形で円形にパターン形成されている。防錆および接触
による傷からの保護のため、銅箔層１３からなる配線パ
ターンの表面には、無電解法によってＮｉを４〜５μｍ
厚でメッキした後、無電解メッキ法でＡｕを厚さ０.０
５〜０.１μｍで設けてある。

【００３０】金属板１１としては厚さ２ｍｍのアルミ板
を用い、絶縁層１２としては三井東圧化学(株)製の熱可
塑性ポリイミドの中から、破断時の伸び率が３０％以上
で、ガラス転移温度が１６０℃以上３５０℃以下のもの
を選択して用いた。絶縁層１２の厚さは２０μｍとし
た。銅箔層１３の厚さは１８μｍとした。金属板１１と
絶縁層１２と銅箔層１３とは、熱プレス法により相互の
接着・接合した。

【００３１】次に、この検査治具基板の使用方法につい
て、図３を用いて説明する。

【００３２】ＢＧＡタイプである半導体パッケージ２０
の下面には、検査治具基板１０側の凹部１４と対応する
ように、５×５に配列され半球状の半田ボールからなる
２５個の外部接続部位２１が設けられている。そして、
図３に示すように、各凹部１４がそれぞれ外部接続部位
２１によって蓋をされるように検査治具基板１０と半導
体パッケージ２０とを当接させることにより、検査治具
基板１０と半導体パッケージ２０との電気的接触が達成
される。

【００３３】この場合、検査治具基板１０を構成する金
属板１１の材質等にもよるが、検査治具基板１０自体が
弾性を有するので、単純に当接させるだけで両者の電気
的接触は十分に安定である。しかし、半導体パッケージ
２０の安定保持のためには、両側からスプリングなどに
よって両者を押圧するようにすることが望ましい。な
お、半導体パッケージ２０の外部接続部位２１を半田ボ
ールで構成した場合、外部接続部位２１の表面に薄い酸
化膜が形成されているのが一般的であるが、凹部１４の
縁にあたる角部がこの酸化膜を破るので、安定した電気
的接触が達成される。

【００３４】［第２実施例］本発明の検査治具基板にお
いて、カップ状の凹部の個数は２５個に限られるもので
はない。対応する半導体パッケージの外部接続部位の配
置や個数に合わせて、適宜のものとされる。例えば、図
４に示す検査治具基板１０ａでは、凹部１４の曲率半径
を小さく（半径０.２５ｍｍ）することにより、限られ
た面積内により多くの凹部１４を配置している。また、
図５に示す検査治具基板１０ｂでは、凹部１４を千鳥格
子状に配置することにより、図４に示すものよりさらに
多くの凹部１４を限られた面積内に配置している。この
ようにカップ状の凹部１４を多数設けることにより、超
多ピンの外部接続端子（外部接続部位）をもつ半導体パ
ッケージ用の検査治具基板として、極めて有効である。

【００３５】［第３実施例］上述の各実施例では、金属
ベース基板にカップ状の凹部を設けて構成され、半導体
パッケージとの間に一時的な電気的接触を成立させて使
用される検査治具基板を説明したが、この検査治具基板
は、半導体パッケージ検査用の治具に用途が限定される
ものではない。すなわち、半永久的に半導体パッケージ
を表面実装するための基板としても、使用することがで
きる。以下、このような表面実装のための使用を、金属
ベース基板としての使用ということにする。図６は、上
述の第１実施例に示す検査治具基板１０を金属ベース基
板として使用した状態を示す断面図である。

【００３６】半導体パッケージ２０の外部接続部位２１
は半球状の半田ボールで構成されており、実装時におい
て、この外部接続部位２１は、凹部で露出している銅箔
層１３に直接接合している。すなわち、外部接続部位２
１がそれ自身によって凹部に半田付けされていることに
なる。この場合、半導体パッケージ２０と基板１０とを
当接した状態で加熱して外部接続部位２１を軟化・融解
させることによって、外部接続部位２１を構成する半田
の一部が凹部内に侵入し、凹部を埋め、半田付けが完了
する。予め、凹部内部にクリーム半田を印刷しておいて
もよい。

【００３７】支持体として金属を使用する回路基板は、
一般に、通常のガラスエポキシ基板等のプリント基板と
同じように扱われ、その高い放熱性により、電源関係の
用途に用いられることが多い。このような基板におい
て、銅箔層表面にカップ状の凹部を設けた構成が本発明
の金属ベース基板であり、半球形状の外部接続部位をも
つ半導体パッケージの表面実装に有効に使用することが
できる。カップ状の凹部が形成されているので、半導体
パッケージを自動搭載機で基板上に搭載した場合に、搭
載ずれなどが起こらず、位置安定性に優れるようにな
る。また、外部接続部位側の半田と基板の銅箔層との接
触面積が、従来の平坦な基板に比べ大きくなるので、十
分な半田付け接続強度を得ることができる。

【００３８】

【発明の効果】以上説明したように本発明の検査治具基
板は、絶縁層を介して回路加工された銅箔層を有する金
属ベース基板上にカップ状の凹部を設けることにより、
この凹部と半導体パッケージの外部接続部位とを合致さ
せることが可能となるので、外部接続部位の形状が不揃
いであったり高さが不均一の場合であっても、良好な電
気的接触が得られるという効果がある。また、金属ベー
ス基板に対してプレス成形を施して凹部を形成するの
で、廉価かつコンパクトな検査治具基板が得られるとい
う効果がある。さらに、凹部位置を適宜に選択すること
により、突起形状の外部接続端子を持ついろいろな種類
の半導体パッケージに対応可能であり、凹部のピッチを
狭小化することで多ピン化した半導体パッケージにも適
用できる。本発明の検査治具基板は、バーンインテスト
などに廉価な治具として寄与することが大きい。

【００３９】また本発明の金属ベース基板は、半導体パ
ッケージの突起形状の外部接続部位との半田付け位置に
凹部が形成されているので、半導体パッケージの搭載時
に搭載ずれなどが起こらなくなって位置安定性が向上
し、また、半田付け接続強度も向上するという効果があ
る。

【図面の簡単な説明】

【図１】(a)は本発明の第１実施例の検査治具基板の平
面図、(b)は(a)のＡ−Ａ'線での断面図である。

【図２】図１(a)に示す検査治具基板の斜視図である。

【図３】図１(a)に示す検査治具基板の使用方法を説明
する断面図である。

【図４】カップ状の凹部の配置の一例を示す平面図であ
る。

【図５】カップ状の凹部の配置の一例を示す平面図であ
る。

【図６】金属ベース基板として使用した例を示す断面図
である。

【図７】(a)はＢＧＡパッケージの構成の概略を示す下
面図、(b)はＢＧＡパッケージをプリント基板に実装し
た状態を示す模式断面図である。

【図８】(a)〜(c)は、それぞれ、突起状の外部接続部位
を有する半導体パッケージに対する電気的検査の方法を
説明する図である。

【符号の説明】

１０,１０ａ,１０ｂ検査治具基板１１金属板１２絶縁層１３銅箔層１４凹部１５接続パッド部２０半導体パッケージ２１外部接続部位

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.⁶ 識別記号庁内整理番号ＦＩ技術表示箇所Ｈ０５Ｋ 13/08 Ｄ 8315−4Ｅ (72)発明者星野 ▲巽▼ 神奈川県横浜市栄区笠間町1190番地三井東圧化学株式会社内

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】突起形状である外部接続部位を有する半
導体パッケージの検査に使用される検査治具基板におい
て、金属板と回路加工された銅箔層が絶縁層を介して積層さ
れた金属ベース基板と、前記回路加工された銅箔層の一
端側が露出するようにプレス成形によって前記金属ベー
ス基板の前記銅箔層側の表面に形成されたカップ状の凹
部とを有し、前記回路加工された銅箔層の他端が配線接続に使用さ
れ、前記凹部と前記半導体パッケージの外部接続部位と
が形状的に適合しかつ電気的に接触可能であることを特
徴とする半導体パッケージ用の検査治具基板。
【請求項２】前記凹部の形状が半球形状または楕円体
形状である請求項１に記載の半導体パッケージ用の検査
治具基板。
【請求項３】前記絶縁層が、伸び率が３０％以上であ
りかつガラス転移温度が１６０℃以上３５０℃以下であ
る熱可塑性ポリイミドで構成されている、請求項１また
は２に記載の半導体パッケージ用の検査治具基板。
【請求項４】前記凹部の曲率半径が０.１ｍｍ以上２
ｍｍ以下であり、かつ各々の凹部間の距離が０.１ｍｍ
以上である請求項１または２に記載の検査治具基板。
【請求項５】半球状の突起である外部接続部位を有す
る半導体パッケージが表面実装される金属ベース基板に
おいて、金属板と回路加工された銅箔層が絶縁層を介して積層さ
れ、前記回路加工された銅箔層が露出するようにプレス
成形によって前記銅箔層側の表面に形成されたカップ状
の凹部を有し、前記凹部と前記半導体パッケージの外部
接続部位とが半田付け可能であることを特徴とする金属
ベース基板。