JPH07297162A - 半導体基板洗浄装置 - Google Patents
半導体基板洗浄装置Info
- Publication number
- JPH07297162A JPH07297162A JP10782894A JP10782894A JPH07297162A JP H07297162 A JPH07297162 A JP H07297162A JP 10782894 A JP10782894 A JP 10782894A JP 10782894 A JP10782894 A JP 10782894A JP H07297162 A JPH07297162 A JP H07297162A
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 半導体チップの高集積度化に対応して洗浄効
率をより一層向上することのできる半導体基板洗浄装置
を提供する。 【構成】 薬液処理された半導体基板の表面の洗浄を行
う半導体基板洗浄装置の構成を、垂直に保持された半導
体基板２の面に直交する向きの水膜８を形成する水膜ノ
ズル５を該基板の上方に設けると共に、前記水膜ノズル
と前記基板とを、前記基板の径方向について相対移動さ
せるものとする。
率をより一層向上することのできる半導体基板洗浄装置
を提供する。 【構成】 薬液処理された半導体基板の表面の洗浄を行
う半導体基板洗浄装置の構成を、垂直に保持された半導
体基板２の面に直交する向きの水膜８を形成する水膜ノ
ズル５を該基板の上方に設けると共に、前記水膜ノズル
と前記基板とを、前記基板の径方向について相対移動さ
せるものとする。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、半導体チップ等の基板
となるウェーハの表面を洗浄するための半導体基板洗浄
装置に関するものである。
となるウェーハの表面を洗浄するための半導体基板洗浄
装置に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】半導体チップの基板となるウェーハの製
造工程のうち、特に、薬液や純水によるウェーハ表面の
洗浄が重要である。一般に、フッ化水素酸を含む洗浄液
で酸化膜の除去および金属汚染の除去処理を行った後、
純水で洗浄して付着粒子の除去を行うが、この純水によ
る洗浄の後、洗浄液からウェーハを引き上げる際に、液
面に浮遊する微粒子がウェーハ表面の微細な凹凸に再付
着することがあるので、従来、スプレー式のシャワーに
てこのような付着粒子を洗い流すようにしている（特開
昭６３−４７９３６号公報参照）。
造工程のうち、特に、薬液や純水によるウェーハ表面の
洗浄が重要である。一般に、フッ化水素酸を含む洗浄液
で酸化膜の除去および金属汚染の除去処理を行った後、
純水で洗浄して付着粒子の除去を行うが、この純水によ
る洗浄の後、洗浄液からウェーハを引き上げる際に、液
面に浮遊する微粒子がウェーハ表面の微細な凹凸に再付
着することがあるので、従来、スプレー式のシャワーに
てこのような付着粒子を洗い流すようにしている（特開
昭６３−４７９３６号公報参照）。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】ところで、半導体装置
の高集積度化、高密度化が近年著しく、それに伴い、残
留する付着粒子のより一層の低減が望まれているが、従
来の洗浄装置でこのような要望を満たそうとすると、洗
浄時間や洗浄液の消費量の格段な増大を余儀なくされる
ため、高集積度の半導体チップの製造コストを低減する
ことが困難であった。
の高集積度化、高密度化が近年著しく、それに伴い、残
留する付着粒子のより一層の低減が望まれているが、従
来の洗浄装置でこのような要望を満たそうとすると、洗
浄時間や洗浄液の消費量の格段な増大を余儀なくされる
ため、高集積度の半導体チップの製造コストを低減する
ことが困難であった。
【０００４】本発明は、このような従来技術の不都合を
解消するべく案出されたものであり、その主な目的は、
半導体チップの高集積度化に対応して洗浄効率をより一
層向上することのできる半導体基板洗浄装置を提供する
ことにある。
解消するべく案出されたものであり、その主な目的は、
半導体チップの高集積度化に対応して洗浄効率をより一
層向上することのできる半導体基板洗浄装置を提供する
ことにある。
【０００５】
【課題を解決するための手段】このような目的は、本発
明によれば、薬液処理された半導体基板の表面の洗浄を
行う半導体基板洗浄装置の構成を、垂直に保持された半
導体基板の面に直交する向きの水膜を形成する水膜ノズ
ルを該基板の上方に設けると共に、前記水膜ノズルと前
記基板とを、前記基板の径方向について相対移動させる
ものとすることによって達成される。
明によれば、薬液処理された半導体基板の表面の洗浄を
行う半導体基板洗浄装置の構成を、垂直に保持された半
導体基板の面に直交する向きの水膜を形成する水膜ノズ
ルを該基板の上方に設けると共に、前記水膜ノズルと前
記基板とを、前記基板の径方向について相対移動させる
ものとすることによって達成される。
【０００６】
【作用】このような構成によれば、シャワーのような水
滴ではなく、上下に連続する水膜で基板の表面を流すの
で、微粒子の捕捉効率が高くなる。
滴ではなく、上下に連続する水膜で基板の表面を流すの
で、微粒子の捕捉効率が高くなる。
【０００７】
【実施例】以下に添付の図面に示された具体的な実施例
に基づいて本発明の構成を詳細に説明する。
に基づいて本発明の構成を詳細に説明する。
【０００８】図１は、本発明に基づき構成されたウェー
ハ洗浄装置を示している。この洗浄装置１は、複数のウ
ェーハ２を略垂直状態で適宜な一定の間隔をおいて並列
に保持するキャリア３を受容するべく上方が開放した液
槽４と、液槽４の上方にウェーハ２の表面と直交する向
きに延設された水膜ノズル５とからなっている。この水
膜ノズル５は、水平面上をウェーハ２の径方向について
往復移動するように、図示されていない駆動装置に接続
されている。
ハ洗浄装置を示している。この洗浄装置１は、複数のウ
ェーハ２を略垂直状態で適宜な一定の間隔をおいて並列
に保持するキャリア３を受容するべく上方が開放した液
槽４と、液槽４の上方にウェーハ２の表面と直交する向
きに延設された水膜ノズル５とからなっている。この水
膜ノズル５は、水平面上をウェーハ２の径方向について
往復移動するように、図示されていない駆動装置に接続
されている。
【０００９】水膜ノズル５は、互いの外周面と内周面と
の間に適宜な隙間Ｇをあけて内外二重に組み合わされた
径違いの２本のパイプ６ａ・６ｂからなっている。これ
ら２本のパイプ６ａ・６ｂには、図２に併せて示すよう
に、軸線に沿う一条のスリット７ａ・７ｂが、互いに１
８０度反対の位置にそれぞれ開口している。そして内側
のパイプ６ｂは洗浄液（純水）の供給源に連結されてお
り、この内パイプ６ｂに洗浄液を供給すると、内パイプ
６ｂの外周面と外パイプ６ａの内周面との隙間Ｇに内パ
イプ６ｂのスリット７ｂから洗浄液が流れ込む。そし
て、この隙間Ｇを介して外パイプ６ａのスリット７ａか
ら洗浄液が流出する際に、カーテン状の水膜８が形成さ
れる。
の間に適宜な隙間Ｇをあけて内外二重に組み合わされた
径違いの２本のパイプ６ａ・６ｂからなっている。これ
ら２本のパイプ６ａ・６ｂには、図２に併せて示すよう
に、軸線に沿う一条のスリット７ａ・７ｂが、互いに１
８０度反対の位置にそれぞれ開口している。そして内側
のパイプ６ｂは洗浄液（純水）の供給源に連結されてお
り、この内パイプ６ｂに洗浄液を供給すると、内パイプ
６ｂの外周面と外パイプ６ａの内周面との隙間Ｇに内パ
イプ６ｂのスリット７ｂから洗浄液が流れ込む。そし
て、この隙間Ｇを介して外パイプ６ａのスリット７ａか
ら洗浄液が流出する際に、カーテン状の水膜８が形成さ
れる。
【００１０】さて、本装置にてウェーハ２を洗浄するに
は、洗浄液を流出させて水膜８を形成した状態の水膜ノ
ズル５を、ウェーハ２が収納されたキャリア３上で往復
移動させつつ液槽４内を洗浄液で満たしていく。この過
程で、水膜８の線状の流れによって径方向にスキャンさ
れるようにしてウェーハ２の表面が順次洗浄されてい
く。ここで水膜８には落下の速度があるため、水膜８に
触れた微粒子は、ウェーハ２の表面からはぎ取られる。
また、水膜８は、ウェーハ２の表面上を上から下へ向け
て径方向に途切れることのない線状の流れを形成するた
め、この流れの線上にある付着粒子は、ほぼ完全に洗浄
液に捕捉されてウェーハ２の表面から除去される。
は、洗浄液を流出させて水膜８を形成した状態の水膜ノ
ズル５を、ウェーハ２が収納されたキャリア３上で往復
移動させつつ液槽４内を洗浄液で満たしていく。この過
程で、水膜８の線状の流れによって径方向にスキャンさ
れるようにしてウェーハ２の表面が順次洗浄されてい
く。ここで水膜８には落下の速度があるため、水膜８に
触れた微粒子は、ウェーハ２の表面からはぎ取られる。
また、水膜８は、ウェーハ２の表面上を上から下へ向け
て径方向に途切れることのない線状の流れを形成するた
め、この流れの線上にある付着粒子は、ほぼ完全に洗浄
液に捕捉されてウェーハ２の表面から除去される。
【００１１】数回スキャンした洗浄液をドレンバルブ９
を開いて排出した後、ドレンバルブ９を閉じて液槽４内
に洗浄液を注入し、ウェーハ２が完全に洗浄液に浸漬さ
れた後、ドレンバルブ９を開いて洗浄液を液槽４から静
かに抜き取る。この過程を２〜３回繰り返すことによ
り、表１に示すように、従来の方法に比して一段と高い
付着粒子の除去率が得られることが分かる。
を開いて排出した後、ドレンバルブ９を閉じて液槽４内
に洗浄液を注入し、ウェーハ２が完全に洗浄液に浸漬さ
れた後、ドレンバルブ９を開いて洗浄液を液槽４から静
かに抜き取る。この過程を２〜３回繰り返すことによ
り、表１に示すように、従来の方法に比して一段と高い
付着粒子の除去率が得られることが分かる。
【００１２】
【表１】
【００１３】なお、上記実施例に於ては、水膜ノズル５
を移動させるものとしたが、これはウェーハ２側を移動
させるようにしても良い。
を移動させるものとしたが、これはウェーハ２側を移動
させるようにしても良い。
【００１４】
【発明の効果】このように本発明によれば、洗浄液の流
れがウェーハ表面に沿う連続的な流れとなるために微粒
子の捕捉効率が高くなる上に再付着し難くなることか
ら、ウェーハ表面からの付着粒子の除去効率を向上する
上に多大な効果がもたらされる。
れがウェーハ表面に沿う連続的な流れとなるために微粒
子の捕捉効率が高くなる上に再付着し難くなることか
ら、ウェーハ表面からの付着粒子の除去効率を向上する
上に多大な効果がもたらされる。
【図１】本発明装置の構成を示す斜視図。
【図２】水膜ノズルの縦断面図。
１ 洗浄装置 ２ ウェーハ ３ キャリア ４ 液槽 ５ 水膜ノズル ６ａ・６ｂ パイプ ７ａ・７ｂ スリット ８ 水膜 ９ ドレンバルブ
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 渥美 純 相模原市淵野辺５−10−１ 新日本製鐵株 式会社エレクトロニクス研究所内 (72)発明者 佐近 正 神奈川県川崎市中原区井田1618 新日本製 鐵株式会社内
Claims (1)
- 【請求項１】 薬液処理された半導体基板の表面の洗浄
を行う半導体基板洗浄装置であって、 垂直に保持された半導体基板の面に直交する向きの水膜
を形成する水膜ノズルを該基板の上方に設けると共に、 前記水膜ノズルと前記基板とを、前記基板の径方向につ
いて相対移動させることを特徴とする半導体基板洗浄装
置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP6107828A JP3068404B2 (ja) | 1994-04-22 | 1994-04-22 | 半導体基板洗浄装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP6107828A JP3068404B2 (ja) | 1994-04-22 | 1994-04-22 | 半導体基板洗浄装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH07297162A true JPH07297162A (ja) | 1995-11-10 |
| JP3068404B2 JP3068404B2 (ja) | 2000-07-24 |
Family
ID=14469076
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP6107828A Expired - Fee Related JP3068404B2 (ja) | 1994-04-22 | 1994-04-22 | 半導体基板洗浄装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3068404B2 (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2000286220A (ja) * | 1999-01-29 | 2000-10-13 | Dainippon Screen Mfg Co Ltd | 基板処理装置 |
| WO2012023801A3 (ko) * | 2010-08-19 | 2012-05-24 | 주식회사 엘지화학 | 유체 공급 장치 및 이를 이용한 박판 세정 시스템 및 방법 |
| CN105081866A (zh) * | 2014-05-16 | 2015-11-25 | 发那科株式会社 | 机床的机内清洗装置及其所使用的清洗用管 |
-
1994
- 1994-04-22 JP JP6107828A patent/JP3068404B2/ja not_active Expired - Fee Related
Cited By (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2000286220A (ja) * | 1999-01-29 | 2000-10-13 | Dainippon Screen Mfg Co Ltd | 基板処理装置 |
| WO2012023801A3 (ko) * | 2010-08-19 | 2012-05-24 | 주식회사 엘지화학 | 유체 공급 장치 및 이를 이용한 박판 세정 시스템 및 방법 |
| TWI474875B (zh) * | 2010-08-19 | 2015-03-01 | Lg Chemical Ltd | 用於清洗薄膜之流體供給裝置、系統、及使用其之方法 |
| US9943887B2 (en) | 2010-08-19 | 2018-04-17 | Lg Chem, Ltd. | Fluid supplying apparatus and system and method for cleaning thin film using the same |
| CN105081866A (zh) * | 2014-05-16 | 2015-11-25 | 发那科株式会社 | 机床的机内清洗装置及其所使用的清洗用管 |
| JP2015217459A (ja) * | 2014-05-16 | 2015-12-07 | ファナック株式会社 | クーラントの滴下を防止した工作機械の機内洗浄装置 |
| US9694458B2 (en) | 2014-05-16 | 2017-07-04 | Fanuc Corporation | Interior cleaning device for machine tool, and cleaning pipe used by interior cleaning device for machine tool |
| DE102015107187B4 (de) | 2014-05-16 | 2018-10-11 | Fanuc Corporation | Innenraumreinigungsvorrichtung für eine Werkzeugmaschine und Reinigungsrohr, das von der Innenraumreinigungsvorrichtung für eine Werkzeugmaschine benutzt wird |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP3068404B2 (ja) | 2000-07-24 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
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Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20000502 |
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