JP2000133629A

JP2000133629A - 基板処理装置および方法

Info

Publication number: JP2000133629A
Application number: JP10302216A
Authority: JP
Inventors: Masahiro Motomura; 雅洋基村
Original assignee: Dainippon Screen Manufacturing Co Ltd
Current assignee: Dainippon Screen Manufacturing Co Ltd
Priority date: 1998-10-23
Filing date: 1998-10-23
Publication date: 2000-05-12

Abstract

(57)【要約】【課題】有機溶剤を使用して基板の乾燥処理を行う場
合に、基板へのパーティクル付着を抑制することができ
る基板処理装置を提供する。【解決手段】外槽１０の内部には、純水等の処理液を
貯留して基板Ｗに洗浄処理等を行う処理槽２０が配置さ
れている。処理槽２０内において純水による仕上洗浄処
理が終了すると、吐出ノズル３１から純水が水平方向に
吐出され、処理槽２０に貯留された純水表面を覆うよう
な純水流が形成される。その後、ＩＰＡ・Ｎ₂供給ノズ
ル５０からＩＰＡ蒸気が供給され、処理槽２０の上方に
ＩＰＡの蒸気を含む雰囲気が形成される。さらに、その
後、基板Ｗが純水流を通過してＩＰＡの蒸気を含む雰囲
気中にまで引き揚げられる。このときに、純水流がＩＰ
Ａ蒸気と貯留された純水表面との接触を防止する障壁層
として働き、気液界面におけるＩＰＡ層の形成を防ぎ、
ＩＰＡ層を介したパーティクル付着を抑制する。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、純水による浸漬洗
浄処理が終了した半導体基板、液晶表示装置用ガラス基
板、フォトマスク用ガラス基板、光ディスク用基板等
（以下、単に「基板」と称する）を有機溶剤の蒸気を含
む雰囲気中に移動させることによって乾燥処理を行う基
板処理装置および基板処理方法に関する。

【０００２】

【従来の技術】従来より、上記基板の製造工程において
は、フッ酸等の薬液による処理および純水による洗浄処
理を順次行った後、純水から基板を引き出しつつイソプ
ロピルアルコール（以下、「ＩＰＡ」と称する）等の有
機溶剤の蒸気を基板の周辺に供給して乾燥処理を行う基
板処理装置が用いられている。

【０００３】このような装置としては、特公平６−１０
３６８６号公報に開示されているようなものがある。図
１３は、同公報に開示された基板処理装置を示す図であ
る。

【０００４】水洗流体とＩＰＡの乾燥蒸気とで処理する
ためにウェハを保持する容器１１２は、上部のウェハ支
持容器１１８および下部のウェハ支持容器１２０により
構成されている。上部のウェハ支持容器１１８および下
部のウェハ支持容器１２０内には、２列の並列垂直に配
向したウェハの形態で、複数の半導体ウェハ１１６が懸
垂されている。

【０００５】ウェハ支持容器１１８および１２０は、流
体入口１２４へ接続される上部容器クランプ１２２、お
よび流体出口１２８へ接続される下部容器クランプ１２
６により所定位置に保持される。また、容器１１２に流
出入する各種の処理流体、例えばエッチング、ストリッ
ピング、清浄化および／もしくは水洗用の流体を制御す
る弁が図外に設けられている。

【０００６】このような従来の装置において、ウェハの
処理を行うときは、水力学的に容器１１２内に処理流体
が満たされた状態となる。最終の水洗処理時にも容器１
１２は超純水の温水が満たされたままとなる。そして、
最終の水洗サイクル後、図外の弁が開けられて、ＩＰＡ
蒸気が流体入口１２４を通して容器１１２内に流入す
る。ＩＰＡ蒸気が容器１１２内に流入するに連れて、純
水は流体出口１２８を通って下部容器クランプ１２６か
ら流出し、界面１３４が降下する。

【０００７】このときに、容器１１２内においては、上
部がＩＰＡの乾燥蒸気１３２で満たされており、ガス−
液体−固体の界面１３４よりも下方は純水の水洗液体１
３０が満たされている。ＩＰＡの蒸気は、界面１３４に
て半導体ウェハ１１６からの純水に置きかわるととも
に、界面１３４が降下するに連れて純水の水洗液体１３
０上部に濃縮し、ＩＰＡの乾燥流体層を形成する。

【０００８】ガス−液体−固体の界面１３４の降下速度
は、比較的低速で制御されるのが重要であると信じられ
ている。具体的には、純水をＩＰＡで置換後にウェハ面
上に実質的に液滴が残らないような速度で、ＩＰＡの乾
燥蒸気１３２が半導体ウェハ１１６から水洗液体を置換
するのが好ましい。これは、液滴が半導体ウェハ１１６
上に残る程度にまで水洗液体１３０の容器１１２からの
流出が速すぎると、その半導体ウェハ１１６上に残った
液滴が蒸発し、汚染物が生じることとなるからである。

【０００９】水洗液体１３０が容器１１２から完全に流
出し、容器１１２内が空になると、窒素のような乾燥し
た不活性で非凝縮性ガスが導入され、容器１１２からＩ
ＰＡ蒸気をパージする。この窒素ガスがＩＰＡ蒸気を容
器１１２から押出すとともに、半導体ウェハ１１６面上
にあるＩＰＡと見られるものを除去することにより、半
導体ウェハ１１６の乾燥処理が達成される。

【００１０】以上のようにして、特公平６−１０３６８
６号公報に開示された装置においては、ウェハ表面を汚
染することなく乾燥処理を行っている。

【００１１】

【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上述の
ように、特公平６−１０３６８６号公報に開示された装
置においては、ＩＰＡの蒸気が界面１３４に凝縮し、Ｉ
ＰＡの乾燥流体層を形成することが明白である。

【００１２】ガス−液体−固体の界面１３４にＩＰＡの
乾燥流体層が形成されると、半導体ウェハ１１６面上に
一部残留していたエッチング残渣がＩＰＡの乾燥流体層
中に溶解され、その半導体ウェハ１１６に再付着した
り、その半導体ウェハ１１６に対向配置される半導体ウ
ェハ１１６等に新たな化合物として付着するのである。
そして、その化合物が界面１３４の降下にともなって半
導体ウェハ１１６面上に付着するパーティクルとなるの
である。

【００１３】すなわち、界面１３４に形成されたＩＰＡ
の乾燥流体層を媒介としてパーティクルが生成し、半導
体ウェハ１１６面上に付着するのである。

【００１４】本発明は、上記課題に鑑みなされたもので
あり、有機溶剤を使用して基板の乾燥処理を行う場合
に、基板へのパーティクル付着を抑制することができる
基板処理装置および方法を提供することを目的とする。

【００１５】

【課題を解決するための手段】上記課題を解決するた
め、請求項１の発明は、純水による浸漬洗浄処理が終了
した基板を有機溶剤の蒸気を含む雰囲気中に移動させる
ことによって前記基板の乾燥処理を行う基板処理装置で
あって、(a)純水を貯留し、基板の前記浸漬洗浄処理を
行う処理槽と、(b)前記処理槽を収容する外槽と、(c)前
記外槽内に前記有機溶剤の蒸気を含む雰囲気を形成する
有機溶剤雰囲気形成手段と、(d)前記浸漬洗浄処理が終
了した前記基板を前記処理槽から前記有機溶剤の蒸気を
含む雰囲気中に引き揚げる引き揚げ手段と、(e)前記処
理槽の上方に液体を吐出し、前記処理槽に貯留された純
水表面のうち少なくとも前記引き揚げ手段によって前記
基板が引き揚げられる領域を覆う液流を形成する液流形
成手段と、を備えている。

【００１６】また、請求項２の発明は、純水による浸漬
洗浄処理が終了した基板を有機溶剤の蒸気を含む雰囲気
中に移動させることによって前記基板の乾燥処理を行う
基板処理方法であって、(a)純水を貯留した処理槽内に
て基板の前記浸漬洗浄処理を行う洗浄処理工程と、(b)
前記処理槽の上方に液体を吐出し、前記処理槽に貯留さ
れた純水表面のうち少なくとも特定の領域を覆う液流を
形成する液流形成工程と、(c)前記処理槽を収容する外
槽内に前記有機溶剤の蒸気を含む雰囲気を形成する有機
溶剤雰囲気形成工程と、(d)前記浸漬洗浄処理が終了し
た前記基板を前記処理槽から前記有機溶剤の蒸気を含む
雰囲気中に引き揚げる引き揚げ工程と、を備え、前記特
定の領域を、前記引き揚げ手段によって前記基板が引き
揚げられる領域としている。

【００１７】また、請求項３の発明は、請求項２の発明
に係る基板処理方法において、前記液流の形成を、前記
有機溶剤の蒸気を含む雰囲気を形成する前に開始してい
る。

【００１８】

【発明の実施の形態】以下、図面を参照しつつ本発明の
実施の形態について詳細に説明する。

【００１９】図１は本発明に係る基板処理装置の正面図
であり、図２は基板処理装置の平面図である。なお、図
１および以下の各図には、それらの方向関係を明確にす
るため、ＸＹＺ直交座標系を適宜付している。

【００２０】本発明に係る基板処理装置は、外槽１０
と、処理槽２０と、純水吐出機構３０と、昇降機構４０
と、ＩＰＡ・Ｎ₂供給ノズル５０とを備えている。

【００２１】処理槽２０は、フッ酸等の薬液または純水
（以下、これらを総称して「処理液」とする）を貯留し
て基板に順次表面処理を行う槽であり、外槽１０の内部
に収容されている。処理槽２０には、図外の処理液供給
源から供給管２５を介して処理液を供給することができ
る。なお、処理液は処理槽２０の底部から供給されて処
理槽２０の上部から溢れ出るようにされている。

【００２２】昇降機構４０は、処理槽２０に貯留されて
いる処理液に複数の基板Ｗを浸漬させる機構である。昇
降機構４０は、リフター４１と、リフターアーム４２
と、基板Ｗを保持する３本の保持部４３、４４、４５と
を備えている。３本の保持部４３、４４、４５のそれぞ
れには基板Ｗの外縁部がはまり込んで基板Ｗを起立姿勢
にて保持する複数の保持溝が所定間隔にてＸ方向に配列
して設けられている。それぞれの保持溝は、Ｙ方向に沿
って形成された切欠状の溝である。３本の保持部４３、
４４、４５はリフターアーム４２に固設され、リフター
アーム４２はリフター４１によって鉛直方向（Ｚ方向）
に昇降可能に設けられている。

【００２３】このような構成により、昇降機構４０は３
本の保持部４３、４４、４５によってＸ方向に相互に平
行に配列されて保持された複数の基板Ｗを処理槽２０に
貯留されている処理液に浸漬する位置（図１の実線位
置）とその処理液から引き揚げた位置（図１の２点鎖線
位置）との間で昇降させることができる。なお、リフタ
ー４１には、リフターアーム４２を昇降させる機構とし
て、ボールネジを用いた送りネジ機構やプーリとベルト
を用いたベルト機構など種々の機構を採用することが可
能である。また、昇降機構４０が図１の２点鎖線位置に
おいて、装置外部の基板搬送ロボットと基板Ｗの受け渡
しが行えるように、外槽１０の上部にはスライド式開閉
機構（図示省略）が設けられている。

【００２４】純水吐出機構３０は、外槽１０内の２つの
側壁１０ａ内側にそれぞれ設けられており、処理槽２０
の上方に純水を吐出する機構である。純水吐出機構３０
は、吐出ノズル３１と、防水板３９とを備えている。図
１に示すように、吐出ノズル３１は処理槽２０の上端の
高さ位置よりも上方であって、昇降機構４０によって引
き揚げられつつある複数の基板Ｗの両側の側方のそれぞ
れに設けられている。吐出ノズル３１のそれぞれは、Ｘ
方向に沿って伸びる中空の管状部材であり、Ｘ方向に等
間隔にて配列された複数の吐出孔３１ａを備えている。
そして、吐出ノズル３１のそれぞれは、複数の吐出孔３
１ａから処理槽２０の上方に純水を吐出し、処理槽２０
に貯留された純水表面のうち少なくとも昇降機構４０に
よって複数の基板Ｗが引き揚げられる領域を覆う純水流
を形成することができる。また、防水板３９は、Ｘ方向
に沿って伸びる曲面形状の板であり、２つの吐出ノズル
３１のそれぞれの上方を覆うようにして設けられてい
る。なお、図２においては、図示の便宜上、防水板３９
の記載を省略している。

【００２５】また、図２に示すように、吐出ノズル３１
のそれぞれには外槽１０の外部に設けられた純水供給源
３５から配管３６を経由して純水が供給される。そし
て、供給された純水は複数の吐出孔３１ａのそれぞれか
ら一方向に吐出されて一方向の純水流を形成するのであ
る。なお、吐出ノズル３１による純水の吐出態様につい
てはさらに後述する。

【００２６】ＩＰＡ・Ｎ₂供給ノズル５０は、外槽１０
内の２つの側壁１０ａの外側にそれぞれ設けられてお
り、外槽１０内にＩＰＡの蒸気を含む雰囲気を形成する
ノズルである。ＩＰＡ・Ｎ₂供給ノズル５０のそれぞれ
は、Ｘ方向に沿って伸びる中空の管状部材であり、Ｘ方
向に等間隔にて配列された複数の吐出孔５０ａを備えて
いる。また、ＩＰＡ・Ｎ₂供給ノズル５０のそれぞれに
は、外槽１０の外部に設けられたＩＰＡ供給源５５から
配管５６を経由してＩＰＡ蒸気が供給される。そして、
供給されたＩＰＡ蒸気は、複数の吐出孔５０ａから上方
（＋Ｚ方向）へ向けて外槽１０内に供給されるのであ
る。図１に示すように、外槽１０内において、側壁１０
ａの上方は開放されており、ＩＰＡ・Ｎ₂供給ノズル５
０のそれぞれから供給されたＩＰＡ蒸気は側壁１０ａの
上方を通過して、処理槽２０の上方に至り、やがて処理
槽２０の上方にＩＰＡの雰囲気を形成するのである。

【００２７】また、ＩＰＡ・Ｎ₂供給ノズル５０は、窒
素供給源５９とも接続されており、窒素ガスのみを外槽
１０内に供給することおよびＩＰＡと窒素との混合ガス
を外槽１０内に供給することができる。従って、ＩＰＡ
・Ｎ₂供給ノズル５０により、外槽１０内には、ＩＰＡ
雰囲気、窒素雰囲気、またはＩＰＡ・窒素混合雰囲気を
選択的に形成することができる。なお、「ＩＰＡの蒸気
を含む雰囲気」とは、ＩＰＡ雰囲気およびＩＰＡ・窒素
混合雰囲気の双方を含むものである。

【００２８】本実施形態においては、ＩＰＡ・Ｎ₂供給
ノズル５０が有機溶剤雰囲気形成手段に相当し、吐出ノ
ズル３１が液流形成手段に相当し、昇降機構４０が引き
揚げ手段に相当する。

【００２９】次に、上記の基板処理装置における処理の
手順について図３から図９を参照しつつ説明する。図３
から図９は、基板処理装置における処理の様子を説明す
る図である。

【００３０】上記基板処理装置において基板Ｗに処理を
行うときは、まず、昇降機構４０が図外の基板搬送ロボ
ットから複数の基板Ｗを受け取る。そして、図３に示す
ように、外槽１０が密閉されるとともに、昇降機構４０
がＸ方向に平行配列させて保持したそれら基板Ｗを降下
させて処理槽２０に貯留された純水中に浸漬させる。こ
の段階においては、供給管２５から処理槽２０に純水が
供給され続けており、処理槽２０の上端からは純水が溢
れ出し続けている。処理槽２０から溢れ出した純水は外
槽１０に落下して回収され、装置外の廃液ラインに排出
される。また、ＩＰＡ・Ｎ₂供給ノズル５０からは窒素
ガスが供給され、外槽１０内は窒素雰囲気とされてい
る。なお、吐出ノズル３１からの純水吐出は行われてい
ない。

【００３１】次に、処理槽２０に貯留された純水に複数
の基板Ｗを浸漬した状態を維持しつつ、供給管２５から
処理槽２０に薬液または純水を順次供給することにより
エッチングや洗浄処理を予め定められた順序に従って進
行させる（図４の状態）。この段階においては、処理槽
２０の上端から薬液または純水が溢れ出し続けており、
溢れ出した処理液は外槽１０に落下して回収される。な
お、ＩＰＡ・Ｎ₂供給ノズル５０からは窒素ガスが供給
され、外槽１０内は窒素雰囲気とされていることおよび
吐出ノズル３１からの純水吐出が行われていないことは
上記と同様である。

【００３２】基板Ｗに対する表面処理が進行すると、や
がて最終の仕上洗浄処理に至る。本実施形態では、仕上
洗浄処理も通常の洗浄処理と同じく、供給管２５からの
処理液供給を純水に切り替え、処理槽２０内を純水に置
換することによって行われる。そして、図５に示すよう
に、処理槽２０内における浸漬処理を終了して昇降機構
４０が基板Ｗを純水から引き上げる前に、吐出ノズル３
１からの純水吐出を開始するのである。

【００３３】上述のように、吐出ノズル３１はＸ方向に
等間隔にて配列された複数の吐出孔３１ａを備えてお
り、複数の吐出孔３１ａのそれぞれからは純水が一方向
に吐出されて一方向の純水流を形成する。ここで、複数
の吐出孔３１ａのそれぞれは水平方向に向けて設けられ
ており、吐出ノズル３１からの複数の純水流は処理槽２
０内の水面と平行な水平方向に沿って形成されることと
なる。

【００３４】また、複数の吐出孔３１ａが配列されてい
る間隔は、保持部４３、４４、４５に設けられている保
持溝の間隔、すなわち保持される基板Ｗの配列間隔と等
しい間隔である。さらに、複数の吐出孔３１ａは保持さ
れる基板Ｗと同数設けられており、それらのそれぞれは
基板Ｗの主面と平行な方向に向けて設けられているので
ある。従って、吐出ノズル３１からの複数の純水流は基
板Ｗの主面と平行な方向にその配列間隔と等間隔にて形
成されることとなり、換言すれば、保持される複数の基
板Ｗのそれぞれの主面に沿って純水流が形成されるので
ある。なお、複数の吐出孔３１ａが設けられる位置は、
上記複数の純水流のそれぞれが隣接する基板Ｗの間に形
成される位置としている。

【００３５】以上のような吐出ノズル３１の構成によ
り、結局、吐出ノズル３１からの複数の一方向純水流は
水平方向かつ基板Ｗの主面と平行な方向（すなわち、Ｙ
軸方向）に、基板Ｗが保持される配列間隔と等間隔にて
形成されるのである。従って、吐出ノズル３１のそれぞ
れは、処理槽２０に貯留された純水表面のうち少なくと
も昇降機構４０によって複数の基板Ｗが引き揚げられる
領域を覆う純水流を形成することになる。

【００３６】処理槽２０に貯留された純水表面を覆う純
水流が形成された後、その状態を維持しつつ図６に示す
ように、ＩＰＡ・Ｎ₂供給ノズル５０からはＩＰＡ蒸気
が所定時間供給され、外槽１０内にＩＰＡの蒸気を含む
雰囲気を形成する。このときには、処理槽２０の上方に
もＩＰＡの蒸気を含む雰囲気が形成される。なお、ＩＰ
Ａ・Ｎ₂供給ノズル５０からはＩＰＡと窒素との混合ガ
スを供給するようにしてもよい。

【００３７】処理槽２０の上方にＩＰＡの蒸気を含む雰
囲気が形成された後、図７に示すように、昇降機構４０
が複数の基板Ｗを処理槽２０内の純水から引き揚げつ
つ、それら基板Ｗに吐出ノズル３１からの純水流中を通
過させ、さらにＩＰＡの蒸気を含む雰囲気まで移動させ
る。図１０は、基板Ｗに吐出ノズル３１からの純水流中
を通過させるときの様子を模式的に示した平面図であ
る。本実施形態においては、引き揚げられつつある複数
の基板Ｗの両側の側方のそれぞれに配置された吐出ノズ
ル３１に設けられた複数の吐出孔３１ａが相対向するよ
うにされているため、隣接する基板Ｗ間のそれぞれには
両側の吐出ノズル３１から純水が吐出される。なお、そ
れぞれの吐出ノズル３１から吐出された純水は、基板Ｗ
を挟んで反対側に設けられた防水板３９によって飛散が
防止されている。また、この引き揚げ処理中において
は、ＩＰＡ・Ｎ₂供給ノズル５０からＩＰＡ蒸気が供給
され続けている。

【００３８】やがて、基板Ｗの下端が処理槽２０に貯留
された純水表面を通過した時点で、図８に示すように、
吐出ノズル３１からの純水吐出が停止される。吐出ノズ
ル３１からの純水吐出が停止されるときも、ＩＰＡ・Ｎ
₂供給ノズル５０からはＩＰＡ蒸気が供給され続けてい
る。そして、基板Ｗはその全体がＩＰＡの蒸気を含む雰
囲気中に曝されることとなり、基板Ｗの表面にはＩＰＡ
蒸気が凝縮し、当該表面に付着していた水滴と置換す
る。

【００３９】その後、基板Ｗが図１中の２点鎖線位置に
まで到達した時点で、基板Ｗの引き揚げが完了する。こ
の時点においては、図９に示すように、ＩＰＡ・Ｎ₂供
給ノズル５０から窒素ガスを所定時間供給して外槽１０
内の雰囲気を窒素雰囲気とする。また、供給管２５から
の純水供給が停止されるとともに、処理槽２０内に貯留
されていた純水は、図示を省略する急速排出機構によっ
て急速排水される。その後、外槽１０内を減圧雰囲気と
することにより、基板Ｗの表面に凝縮していたＩＰＡが
完全に乾燥する。減圧乾燥処理後の基板Ｗは基板搬送ロ
ボットに渡されて一連の処理が終了する。なお、基板Ｗ
を引き揚げた時点で、その基板Ｗの清浄度が十分でない
場合は、処理槽２０内に再び純水を貯留し、図３から図
９にて説明した工程（但し、薬液供給による薬液処理を
除く）を繰り返すことも可能である。

【００４０】以上説明したように、処理槽２０の上方に
ＩＰＡの蒸気を含む雰囲気が形成される前に、吐出ノズ
ル３１からの純水吐出が開始され、処理槽２０に貯留さ
れた純水表面のうち少なくとも昇降機構４０によって複
数の基板Ｗが引き揚げられる領域を覆う純水流が形成さ
れている。このことは、すなわち、吐出ノズル３１から
の純水流がＩＰＡの蒸気を含む雰囲気と処理槽２０に貯
留された純水表面との接触を防ぐ障壁層としての役割を
果たしていることを意味する。

【００４１】図１２は、吐出ノズル３１からの純水流が
障壁層となる様子を概念的に示す図である。吐出ノズル
３１からの複数の純水流によって処理槽２０に貯留され
た純水表面のうち少なくとも昇降機構４０によって複数
の基板Ｗが引き揚げられる領域を覆うような障壁層ＢＬ
が形成され、その障壁層ＢＬによってＩＰＡの蒸気を含
む雰囲気ＩＡが処理槽２０に貯留された純水表面に到達
するのが遮られている。

【００４２】従って、少なくとも基板Ｗが通過する領域
においては、ＩＰＡの蒸気が処理槽２０に貯留された純
水中に溶解して気液界面に凝縮することはなく、当該気
液界面にＩＰＡの層が形成されることが阻止される。そ
の結果、気液界面に形成されたＩＰＡの層を媒介とし
て、パーティクルが基板Ｗの表面に付着することが抑制
されるのである。

【００４３】また、処理槽２０から引き揚げられつつあ
る基板Ｗに吐出ノズル３１からの純水流中を通過させる
ことは、処理槽２０内に貯留されている純水よりも高い
清浄度の純水によって基板Ｗ全体を洗浄することとな
り、引き揚げられた洗浄後の基板Ｗの清浄度を高めるこ
とができる。このときに、図１０に示すように、引き揚
げられつつある複数の基板Ｗの両側の側方から純水が吐
出されるため、基板Ｗ全体を均一にかつ効率よく洗浄す
ることができる。

【００４４】また、吐出ノズル３１からの純水流を水平
方向に沿って形成することにより、基板Ｗを保持する保
持部４３、４４、４５の保持溝に沿って純水が流れるこ
ととなり、基板Ｗに対する洗浄効率を高くすることがで
きる。

【００４５】さらに、防水板３９によって吐出ノズル３
１から吐出された純水の飛散が防止されているため、汚
染物質を含んだ飛散した水滴が洗浄後の基板Ｗに付着し
て基板Ｗを汚染するおそれはない。

【００４６】以上、本発明の実施の形態について説明し
たが、この発明は上記の例に限定されるものではない。
例えば、上記実施形態では、引き揚げられつつある複数
の基板Ｗの両側の側方のそれぞれに配置された吐出ノズ
ル３１から図１０に示すような形態にて純水吐出を行っ
ていたが、これを図１１に示すような形態としてもよ
い。すなわち、吐出ノズル３１に設ける複数の吐出孔３
１ａの間隔を基板Ｗの配列間隔の２倍とし、両側の吐出
ノズル３１のそれぞれにおける複数の吐出孔３１ａの位
置を基板Ｗの配列間隔（吐出孔３１ａの設置間隔の１／
２）だけ相互にずらした位置とするのである。隣接する
基板Ｗ間のそれぞれにはいずれか一方の吐出ノズル３１
から純水が吐出されることとなる。このようにしても、
上記実施形態と同様の効果が得られる。

【００４７】また、純水の吐出は、複数の吐出孔３１ａ
から行うことに限定されるものではなく、スリット状の
１つの吐出孔から行い、カーテン状の純水流を形成する
ようにしてもよい。

【００４８】また、上記実施形態においては、吐出ノズ
ル３１から一方向の純水流を形成するようにしていた
が、処理槽２０に貯留された純水表面のうち少なくとも
昇降機構４０によって複数の基板Ｗが引き揚げられる領
域を覆うような障壁層ＢＬとなるものであれば、吐出ノ
ズル３１から純水の水蒸気やミストを吐出するような形
態であってもよい。

【００４９】また、吐出ノズル３１から処理槽２０の上
方に純水を吐出し、処理槽２０に貯留された純水表面の
全面を覆う純水流を形成するようにしてもよい。このよ
うにする方が純水流の障壁層ＢＬとしての機能が高ま
り、気液界面におけるＩＰＡ層形成防止の観点からは好
ましいものの、純水の消費量は多くなる。

【００５０】また、吐出ノズル３１からの純水流形成を
行うのは、基板Ｗの引き揚げ前であれば、ＩＰＡの蒸気
を含む雰囲気が形成された後であってもよい。もっと
も、上記実施形態のように、ＩＰＡの蒸気を含む雰囲気
が形成される前に行う方がＩＰＡの蒸気を含む雰囲気と
処理槽２０に貯留された純水表面との接触をより効果的
に防止することができる。

【００５１】また、吐出ノズル３１から吐出するのは純
水に限定されるものではなく、障壁層ＢＬとして機能す
るものであれば、他の液体、例えば有機溶剤であっても
よい。

【００５２】さらに、上記実施形態においては、１つの
処理槽で薬液に処理および純水による洗浄処理の双方を
行う、いわゆるワンバス式の処理装置であったが、本発
明に係る基板処理装置は、薬液処理および純水洗浄処理
を異なる処理槽で行ういわゆる多槽式の処理装置であっ
ても適用可能である。多槽式の処理装置に適用する場合
は、通常、最終の仕上水洗槽に適用するのが効果的であ
る。

【００５３】

【発明の効果】以上、説明したように、請求項１および
請求項２の発明によれば、処理槽の上方に液体を吐出
し、処理槽に貯留された純水表面のうち少なくとも引き
揚げ手段によって基板が引き揚げられる領域を覆う液流
を形成しているため、その液流が有機溶剤の蒸気を含む
雰囲気と処理槽に貯留された純水表面との接触を防ぐ障
壁層として機能し、気液界面に有機溶剤の層が形成され
るのを防ぎ、有機溶剤の層を媒介とした基板へのパーテ
ィクル付着を抑制することができる。

【００５４】また、請求項３の発明によれば、液流の形
成は、有機溶剤の蒸気を含む雰囲気を形成する前に開始
するため、有機溶剤の蒸気を含む雰囲気と処理槽に貯留
された純水表面との接触をより効果的に防止することが
できる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明に係る基板処理装置の正面図である。

【図２】図１の基板処理装置の平面図である。

【図３】図１の基板処理装置における処理の様子を説明
する図である。

【図４】図１の基板処理装置における処理の様子を説明
する図である。

【図５】図１の基板処理装置における処理の様子を説明
する図である。

【図６】図１の基板処理装置における処理の様子を説明
する図である。

【図７】図１の基板処理装置における処理の様子を説明
する図である。

【図８】図１の基板処理装置における処理の様子を説明
する図である。

【図９】図１の基板処理装置における処理の様子を説明
する図である。

【図１０】基板に吐出ノズルからの純水流中を通過させ
るときの様子を模式的に示した平面図である。

【図１１】基板に吐出ノズルからの純水流中を通過させ
るときの他の例を模式的に示した平面図である。

【図１２】吐出ノズルからの純水流が障壁層となる様子
を概念的に示す図である。

【図１３】従来の基板処理装置を示す図である。

【符号の説明】

１０外槽２０処理槽３０純水吐出機構３１吐出ノズル４０昇降機構５０ＩＰＡ・Ｎ₂供給ノズルＷ基板

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】純水による浸漬洗浄処理が終了した基板
を有機溶剤の蒸気を含む雰囲気中に移動させることによ
って前記基板の乾燥処理を行う基板処理装置であって、 (a) 純水を貯留し、基板の前記浸漬洗浄処理を行う処理
槽と、 (b) 前記処理槽を収容する外槽と、 (c) 前記外槽内に前記有機溶剤の蒸気を含む雰囲気を形
成する有機溶剤雰囲気形成手段と、 (d) 前記浸漬洗浄処理が終了した前記基板を前記処理槽
から前記有機溶剤の蒸気を含む雰囲気中に引き揚げる引
き揚げ手段と、 (e) 前記処理槽の上方に液体を吐出し、前記処理槽に貯
留された純水表面のうち少なくとも前記引き揚げ手段に
よって前記基板が引き揚げられる領域を覆う液流を形成
する液流形成手段と、を備えることを特徴とする基板処
理装置。
【請求項２】純水による浸漬洗浄処理が終了した基板
を有機溶剤の蒸気を含む雰囲気中に移動させることによ
って前記基板の乾燥処理を行う基板処理方法であって、 (a) 純水を貯留した処理槽内にて基板の前記浸漬洗浄処
理を行う洗浄処理工程と、 (b) 前記処理槽の上方に液体を吐出し、前記処理槽に貯
留された純水表面のうち少なくとも特定の領域を覆う液
流を形成する液流形成工程と、 (c) 前記処理槽を収容する外槽内に前記有機溶剤の蒸気
を含む雰囲気を形成する有機溶剤雰囲気形成工程と、 (d) 前記浸漬洗浄処理が終了した前記基板を前記処理槽
から前記有機溶剤の蒸気を含む雰囲気中に引き揚げる引
き揚げ工程と、を備え、前記特定の領域は、前記引き揚げ手段によって前記基板
が引き揚げられる領域であることを特徴とする基板処理
方法。
【請求項３】請求項２記載の基板処理方法において、前記液流の形成は、前記有機溶剤の蒸気を含む雰囲気を
形成する前に開始することを特徴とする基板処理方法。