JPH07235729A - 窒化ガリウム系化合物半導体レーザ素子 - Google Patents
窒化ガリウム系化合物半導体レーザ素子Info
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 サファイアを基板とする窒化ガリウム系化合
物半導体よりなるレーザダイオードチップをレーザ素子
として使用するにあたり、チップの放熱効率を向上さ
せ、常温で連続発振可能なレーザ素子を提供する。 【構成】 サファイア基板１上に積層された窒化ガリウ
ム系化合物半導体層２よりなるレーザダイオードチップ
は、同一面側に正電極４と、負電極３が形成されてお
り、一方絶縁性のヒートシンク２０は同一面側に正電極
４４と負電極３３とがメタライズされており、それらの
電極同士が対向するようにレーザーダイオードチップ１
０がヒートシンク２０上に載置されて接続されている。
物半導体よりなるレーザダイオードチップをレーザ素子
として使用するにあたり、チップの放熱効率を向上さ
せ、常温で連続発振可能なレーザ素子を提供する。 【構成】 サファイア基板１上に積層された窒化ガリウ
ム系化合物半導体層２よりなるレーザダイオードチップ
は、同一面側に正電極４と、負電極３が形成されてお
り、一方絶縁性のヒートシンク２０は同一面側に正電極
４４と負電極３３とがメタライズされており、それらの
電極同士が対向するようにレーザーダイオードチップ１
０がヒートシンク２０上に載置されて接続されている。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は窒化ガリウム系化合物半
導体（ＩｎXＡｌYＧａ1-X-YＮ、０≦X≦１、０≦Y≦
１）を用いたレーザ素子に関する。
導体（ＩｎXＡｌYＧａ1-X-YＮ、０≦X≦１、０≦Y≦
１）を用いたレーザ素子に関する。
【０００２】
【従来の技術】窒化ガリウム系化合物半導体は短波長レ
ーザの材料として知られており、例えば特開平４−２４
２９８５号公報には、窒化ガリウム系化合物半導体がＳ
ｉＣ、Ｓｉ、サファイア、ＧａＮ等の基板上に積層され
てなるレーザダイオードチップ（以下、レーザチップと
いう。）が開示されている。また特開平４−２１３８７
８号公報には、窒化ガリウム系化合物半導体がＺｎＯ基
板上に積層されてなるレーザチップを、ＺｎＯ基板とヒ
ートシンク面とを電気的に接続して載置したレーザ素子
が開示されている。このように窒化ガリウム系化合物半
導体は種々の基板上に積層されてレーザチップとされ、
そのレーザチップがヒートシンクに載置されてレーザ素
子とされるが、現在未だ実現されたものはない。
ーザの材料として知られており、例えば特開平４−２４
２９８５号公報には、窒化ガリウム系化合物半導体がＳ
ｉＣ、Ｓｉ、サファイア、ＧａＮ等の基板上に積層され
てなるレーザダイオードチップ（以下、レーザチップと
いう。）が開示されている。また特開平４−２１３８７
８号公報には、窒化ガリウム系化合物半導体がＺｎＯ基
板上に積層されてなるレーザチップを、ＺｎＯ基板とヒ
ートシンク面とを電気的に接続して載置したレーザ素子
が開示されている。このように窒化ガリウム系化合物半
導体は種々の基板上に積層されてレーザチップとされ、
そのレーザチップがヒートシンクに載置されてレーザ素
子とされるが、現在未だ実現されたものはない。
【０００３】ところで、我々は１９９４年１１月末に、
世界で初めて実用レベルに達した光度１０００ｍｃｄの
青色発光ダイオードを発表した。その青色発光ダイオー
ドはサファイア基板の上に窒化ガリウム系化合物半導体
を積層してなり、さらにｐ−ｎ接合を有するダブルへテ
ロ構造である。サファイア基板の上に窒化ガリウム系化
合物半導体を積層したダブルへテロ構造で１０００ｍｃ
ｄの青色発光ダイオードが実現されれば、この構造でレ
ーザ素子を実現するには現在最も有望であり、そのレー
ザ素子の実現が切望されている。
世界で初めて実用レベルに達した光度１０００ｍｃｄの
青色発光ダイオードを発表した。その青色発光ダイオー
ドはサファイア基板の上に窒化ガリウム系化合物半導体
を積層してなり、さらにｐ−ｎ接合を有するダブルへテ
ロ構造である。サファイア基板の上に窒化ガリウム系化
合物半導体を積層したダブルへテロ構造で１０００ｍｃ
ｄの青色発光ダイオードが実現されれば、この構造でレ
ーザ素子を実現するには現在最も有望であり、そのレー
ザ素子の実現が切望されている。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】サファイアを基板とす
るダブルへテロ構造の窒化ガリウム系化合物半導体より
なるレーザチップを用いてレーザ素子を実現する場合、
周知のようにチップの発熱を放熱するために熱伝導性の
良いヒートシンクに載置する必要がある。（ヒートシン
クは狭義でサブマウントと呼ばれることもあるが、本願
ではサブマウントも合わせ、レーザチップが載置され
て、その熱を放熱させる部材をヒートシンクという。）
ヒートシンクに効率よくレーザチップの発熱を放熱でき
れば、レーザ素子の常温発振が可能となり、ひいてはレ
ーザ素子の長寿命化を実現することができる。
るダブルへテロ構造の窒化ガリウム系化合物半導体より
なるレーザチップを用いてレーザ素子を実現する場合、
周知のようにチップの発熱を放熱するために熱伝導性の
良いヒートシンクに載置する必要がある。（ヒートシン
クは狭義でサブマウントと呼ばれることもあるが、本願
ではサブマウントも合わせ、レーザチップが載置され
て、その熱を放熱させる部材をヒートシンクという。）
ヒートシンクに効率よくレーザチップの発熱を放熱でき
れば、レーザ素子の常温発振が可能となり、ひいてはレ
ーザ素子の長寿命化を実現することができる。
【０００５】従って本発明はこのような事情を鑑み成さ
れたものであり、その目的とするとことは、サファイア
を基板とする窒化ガリウム系化合物半導体よりなるレー
ザチップをレーザ素子として使用するにあたり、チップ
の放熱効率を向上させ、常温で連続発振可能なレーザ素
子を提供することにある。
れたものであり、その目的とするとことは、サファイア
を基板とする窒化ガリウム系化合物半導体よりなるレー
ザチップをレーザ素子として使用するにあたり、チップ
の放熱効率を向上させ、常温で連続発振可能なレーザ素
子を提供することにある。
【０００６】
【課題を解決するための手段】我々は、窒化ガリウム系
化合物半導体よりなるレーザチップをヒートシンクに載
置するにあたり、このヒートシンクに予め正、負両方の
電極をパターン形成し、これらの電極に、レーザチップ
の電極を接続して載置することにより、上記目的が達成
できることを見いだした。即ち本発明の窒化ガリウム系
化合物半導体レーザ素子は、サファイア基板上に窒化ガ
リウム系化合物半導体層が積層され、その窒化ガリウム
系化合物半導体層の同一面側に正、負一対の電極が形成
されてなるレーザチップが、同じく同一面側に正、負一
対の電極パターンがメタライズされた絶縁性のヒートシ
ンクに、互いの電極同士が対向するように載置されてな
ることを特徴とするものである。
化合物半導体よりなるレーザチップをヒートシンクに載
置するにあたり、このヒートシンクに予め正、負両方の
電極をパターン形成し、これらの電極に、レーザチップ
の電極を接続して載置することにより、上記目的が達成
できることを見いだした。即ち本発明の窒化ガリウム系
化合物半導体レーザ素子は、サファイア基板上に窒化ガ
リウム系化合物半導体層が積層され、その窒化ガリウム
系化合物半導体層の同一面側に正、負一対の電極が形成
されてなるレーザチップが、同じく同一面側に正、負一
対の電極パターンがメタライズされた絶縁性のヒートシ
ンクに、互いの電極同士が対向するように載置されてな
ることを特徴とするものである。
【０００７】本発明の一レーザ素子の構造を図１に示
す。１はサファイア基板、２は窒化ガリウム系化合物半
導体層、３と４は窒化ガリウム系化合物半導体層２の同
一面側に設けられた負電極と正電極であり、レーザチッ
プ１０は基本的に１、２、３、４よりなっている。一
方、レーザチップ１０を載置するヒートシンク２０は絶
縁性、高熱伝導性の材料よりなり、その表面にはチップ
１０の負電極３および正電極４と対応する位置にパター
ンメタライズされたヒートシンク２０の負電極３３およ
び正電極４４が形成されている。そしてレーザチップ１
０の電極と、ヒートシンク２０の電極とが対向するよう
に、チップの負電極３とヒートシンク１０の負電極３
３、およびチップの正電極４とヒートシンクの正電極４
４とが導電性材料１１を介して接続されている。
す。１はサファイア基板、２は窒化ガリウム系化合物半
導体層、３と４は窒化ガリウム系化合物半導体層２の同
一面側に設けられた負電極と正電極であり、レーザチッ
プ１０は基本的に１、２、３、４よりなっている。一
方、レーザチップ１０を載置するヒートシンク２０は絶
縁性、高熱伝導性の材料よりなり、その表面にはチップ
１０の負電極３および正電極４と対応する位置にパター
ンメタライズされたヒートシンク２０の負電極３３およ
び正電極４４が形成されている。そしてレーザチップ１
０の電極と、ヒートシンク２０の電極とが対向するよう
に、チップの負電極３とヒートシンク１０の負電極３
３、およびチップの正電極４とヒートシンクの正電極４
４とが導電性材料１１を介して接続されている。
【０００８】本発明のレーザ素子を構成するレーザチッ
プ１０の窒化ガリウム系化合物半導体層２には、種々の
ダブルへテロ構造が提案されているが、その中でも図４
に示すように、サファイア基板１の表面に、ＧａＮ、Ｇ
ａＡｌＮまたはＡｌＮよりなるバッファ層と、ｎ型Ｇａ
Ｎよりなるｎコンタクト層と、ｎ型ＧａＡｌＮよりなる
クラッド層と、ノンドープｎ型ＩｎＧａＮまたはＳｉド
ープｎ型ＩｎＧａＮよりなる活性層と、ｐ型ＧａＡｌＮ
よりなるクラッド層と、ｐ型ＧａＮよりなるｐコンタク
ト層とが積層されたダブルへテロ構造を用いることが最
も好ましい。この構造の窒化ガリウム系化合物半導体層
が現在常温で優れたレーザ発振を示す。
プ１０の窒化ガリウム系化合物半導体層２には、種々の
ダブルへテロ構造が提案されているが、その中でも図４
に示すように、サファイア基板１の表面に、ＧａＮ、Ｇ
ａＡｌＮまたはＡｌＮよりなるバッファ層と、ｎ型Ｇａ
Ｎよりなるｎコンタクト層と、ｎ型ＧａＡｌＮよりなる
クラッド層と、ノンドープｎ型ＩｎＧａＮまたはＳｉド
ープｎ型ＩｎＧａＮよりなる活性層と、ｐ型ＧａＡｌＮ
よりなるクラッド層と、ｐ型ＧａＮよりなるｐコンタク
ト層とが積層されたダブルへテロ構造を用いることが最
も好ましい。この構造の窒化ガリウム系化合物半導体層
が現在常温で優れたレーザ発振を示す。
【０００９】一方、ダイオードチップを載置するヒート
シンク２０にはダイヤモンド、ＡｌＮ、ｃＢＮ、Ｓｉ
Ｃ、Ｓｉ、ＢｅＯ等の高熱伝導性を有し、絶縁性の材料
を好ましく用いることができる（但し本明細書におい
て、絶縁性とは半絶縁性のものも含むものとする。）。
これらの材料に蒸着、スパッタ等の薄膜形成技術を用い
て、同一面側に電極パターン４４、３３をメタライズで
きる。図１はメタライズされた正電極４４がヒートシン
ク２０の周縁部と連続して、ヒートシンク２０の底部に
までパターニングされている。このように、ヒートシン
ク２０表面にメタライズする二種類の電極の内のいずれ
か一方をヒートシンクの裏面（レーザチップが載置され
る面と反対面）まで連続形成することにより、金属ステ
ム２１と導通が図れるので、レーザチップの熱が電極を
通って直接逃げやすくなる。またワイヤボンディングの
工程を減らすことができる。
シンク２０にはダイヤモンド、ＡｌＮ、ｃＢＮ、Ｓｉ
Ｃ、Ｓｉ、ＢｅＯ等の高熱伝導性を有し、絶縁性の材料
を好ましく用いることができる（但し本明細書におい
て、絶縁性とは半絶縁性のものも含むものとする。）。
これらの材料に蒸着、スパッタ等の薄膜形成技術を用い
て、同一面側に電極パターン４４、３３をメタライズで
きる。図１はメタライズされた正電極４４がヒートシン
ク２０の周縁部と連続して、ヒートシンク２０の底部に
までパターニングされている。このように、ヒートシン
ク２０表面にメタライズする二種類の電極の内のいずれ
か一方をヒートシンクの裏面（レーザチップが載置され
る面と反対面）まで連続形成することにより、金属ステ
ム２１と導通が図れるので、レーザチップの熱が電極を
通って直接逃げやすくなる。またワイヤボンディングの
工程を減らすことができる。
【００１０】また、レーザチップの電極３、４と、ヒー
トシンクの電極３３、４４とを直接接続する導電性材料
１１には、例えばＡｕＳｎ、ＰｂＳｎ、Ｉｎ、ＡｕＳｉ
等のはんだ材を用いることができる。
トシンクの電極３３、４４とを直接接続する導電性材料
１１には、例えばＡｕＳｎ、ＰｂＳｎ、Ｉｎ、ＡｕＳｉ
等のはんだ材を用いることができる。
【００１１】図２は、図１に示すレーザ素子を金属ステ
ム２１に実装した際の斜視図を示しており、パターンメ
タライズされた正電極４４をヒートシンク２０の裏面ま
で形成していることにより、金属ステム２１と正電極４
４とを直接接続でき、ヒートシンクの放熱効果を高めて
いる。
ム２１に実装した際の斜視図を示しており、パターンメ
タライズされた正電極４４をヒートシンク２０の裏面ま
で形成していることにより、金属ステム２１と正電極４
４とを直接接続でき、ヒートシンクの放熱効果を高めて
いる。
【００１２】図３は本発明の他の実施例に係るレーザ素
子の構造を示す模式断面図であり、ヒートシンク２０の
正電極４４をヒートシンク２０の裏面まで形成せず、負
電極３３と同様に同一平面上に形成して、レーザチップ
１０の電極と導電性材料１１を介して接続し、メタライ
ズ電極３３、４４にワイヤーボンディングしている。こ
のように、両方のメタライズ電極３３、４４をワイヤー
ボンディングして電源と接続することも可能である。
子の構造を示す模式断面図であり、ヒートシンク２０の
正電極４４をヒートシンク２０の裏面まで形成せず、負
電極３３と同様に同一平面上に形成して、レーザチップ
１０の電極と導電性材料１１を介して接続し、メタライ
ズ電極３３、４４にワイヤーボンディングしている。こ
のように、両方のメタライズ電極３３、４４をワイヤー
ボンディングして電源と接続することも可能である。
【００１３】
【作用】ところで、本願に類似したレーザ素子として、
特開平１−１８４８９５号公報に、二種類の電極がメタ
ライズされたヒートシンクの一方の電極上にレーザチッ
プが載置された素子が示されている。この技術はヒート
シンク上に設けられた電極のいずれか一方にレーザチッ
プの底面電極を接続し、もう一方のチップの上面電極
と、ヒートシンクのもう一方の電極とをワイヤーボンデ
ィングすることにより、ボンディング線の長さを短くし
てインダクタンスの低減を図るものである。
特開平１−１８４８９５号公報に、二種類の電極がメタ
ライズされたヒートシンクの一方の電極上にレーザチッ
プが載置された素子が示されている。この技術はヒート
シンク上に設けられた電極のいずれか一方にレーザチッ
プの底面電極を接続し、もう一方のチップの上面電極
と、ヒートシンクのもう一方の電極とをワイヤーボンデ
ィングすることにより、ボンディング線の長さを短くし
てインダクタンスの低減を図るものである。
【００１４】これに対し本発明のレーザ素子は、前にも
述べたように窒化ガリウム系化合物半導体よりなるレー
ザチップの放熱効果を高め、常温で連続発振を実現する
ことを目的とする。そしてその構成は、レーザチップの
同一面側に設けた電極と、ヒートシンクの同一面側に設
けた電極とを直接接続している。このように同一面側に
設けた電極同士を直接接続しているので、チップの発熱
が正、負両方の電極面から直接ヒートシンクに効率よく
伝わり、放熱効果が格段に向上して常温でのレーザ発振
が可能となる。さらに副次的効果として、前記技術に比
べ、チップとヒートシンクとの接続にはワイヤーボンデ
ィングを必要としないので、実質的にボンディング線の
長さは０となり、さらなるインダクタンスの低減を実現
できることはいうまでもない。
述べたように窒化ガリウム系化合物半導体よりなるレー
ザチップの放熱効果を高め、常温で連続発振を実現する
ことを目的とする。そしてその構成は、レーザチップの
同一面側に設けた電極と、ヒートシンクの同一面側に設
けた電極とを直接接続している。このように同一面側に
設けた電極同士を直接接続しているので、チップの発熱
が正、負両方の電極面から直接ヒートシンクに効率よく
伝わり、放熱効果が格段に向上して常温でのレーザ発振
が可能となる。さらに副次的効果として、前記技術に比
べ、チップとヒートシンクとの接続にはワイヤーボンデ
ィングを必要としないので、実質的にボンディング線の
長さは０となり、さらなるインダクタンスの低減を実現
できることはいうまでもない。
【００１５】
【実施例】サファイア基板１の表面に、ＧａＮよりなる
バッファ層と、ｎ型ＧａＮよりなるｎ−コンタクト層
と、ｎ型ＧａＡｌＮよりなるｎ−クラッド層と、ノンド
ープｎ型ＩｎＧａＮよりなる活性層と、ｐ型ＧａＡｌＮ
よりなるｐ−クラッド層と、ｐ型ＧａＮよりなるｐ−コ
ンタクト層とが順に積層されたウェーハを用意する。
バッファ層と、ｎ型ＧａＮよりなるｎ−コンタクト層
と、ｎ型ＧａＡｌＮよりなるｎ−クラッド層と、ノンド
ープｎ型ＩｎＧａＮよりなる活性層と、ｐ型ＧａＡｌＮ
よりなるｐ−クラッド層と、ｐ型ＧａＮよりなるｐ−コ
ンタクト層とが順に積層されたウェーハを用意する。
【００１６】次にｐコンタクト層の表面に所定の形状の
マスクを形成し、エッチングによりｐ−コンタクト層、
ｐ−クラッド層、ｎ−活性層、およびｎクラッド層の一
部を取り除き、ｎ−コンタクト層を露出させる。
マスクを形成し、エッチングによりｐ−コンタクト層、
ｐ−クラッド層、ｎ−活性層、およびｎクラッド層の一
部を取り除き、ｎ−コンタクト層を露出させる。
【００１７】マスクを除去した後、ｐ−コンタクト層の
表面に図４に示すように、ＳｉＯ2よりなる絶縁膜を所
定の形状で形成し、さらにその絶縁体の上から正電極４
を形成する。また露出したｎ−コンタクト層の表面にも
負電極３を所定の形状で形成することによりレーザチッ
プ１０を得る。なおこれらの電極、絶縁膜は先ほどのマ
スクを形成した技術と同じフォトリソフグラフィー技術
を用いて形成した。
表面に図４に示すように、ＳｉＯ2よりなる絶縁膜を所
定の形状で形成し、さらにその絶縁体の上から正電極４
を形成する。また露出したｎ−コンタクト層の表面にも
負電極３を所定の形状で形成することによりレーザチッ
プ１０を得る。なおこれらの電極、絶縁膜は先ほどのマ
スクを形成した技術と同じフォトリソフグラフィー技術
を用いて形成した。
【００１８】一方、ＡｌＮよりなるヒートシンク２０を
用意し、このヒートシンク２０の表面に同様にしてフォ
トリソグラフィー技術により、図１および図２に示すよ
うな形状で、正電極４４、負電極３３の電極パターンを
Ａｕで形成する。
用意し、このヒートシンク２０の表面に同様にしてフォ
トリソグラフィー技術により、図１および図２に示すよ
うな形状で、正電極４４、負電極３３の電極パターンを
Ａｕで形成する。
【００１９】次に前記レーザチップ１０の正電極４、お
よび負電極３と、前記ヒートシンクの正電極４４、およ
び負電極３３とが互いに対向するように載置し、電極間
をＡｕＳｎで接続する。
よび負電極３と、前記ヒートシンクの正電極４４、およ
び負電極３３とが互いに対向するように載置し、電極間
をＡｕＳｎで接続する。
【００２０】以上のようにして得た本発明のレーザ素子
をステムに実装して、電極間に通電したところ、室温に
おいて、しきい値電流１ｋＡ／cm2で３８０ｎｍの発光
波長でレーザ発振を確認した。さらに同条件で連続して
発振させたところ２４時間もの寿命を示した。また前記
レーザーチップのバッファ層をＡｌＮ、およびＧａＡｌ
Ｎとした場合においても同一の結果が得られた。
をステムに実装して、電極間に通電したところ、室温に
おいて、しきい値電流１ｋＡ／cm2で３８０ｎｍの発光
波長でレーザ発振を確認した。さらに同条件で連続して
発振させたところ２４時間もの寿命を示した。また前記
レーザーチップのバッファ層をＡｌＮ、およびＧａＡｌ
Ｎとした場合においても同一の結果が得られた。
【００２１】［比較例］ＡｌＮ全面にＡｕがメタライズ
されたヒートシンクを用意し、図５に示すように、この
ヒートシンクに実施例で得られたレーザチップ１０をサ
ファイア基板面が接するようにして載置する。さらに、
正電極４とヒートシンクのＡｕとをワイヤーボンドし、
負電極を他のメタルポストに接続した後、それらの電極
間に通電したところ、同じく、しきい値電流１ｋＡ／cm
2で常温発振を示したが、わずか数十秒間で切れてしま
った。
されたヒートシンクを用意し、図５に示すように、この
ヒートシンクに実施例で得られたレーザチップ１０をサ
ファイア基板面が接するようにして載置する。さらに、
正電極４とヒートシンクのＡｕとをワイヤーボンドし、
負電極を他のメタルポストに接続した後、それらの電極
間に通電したところ、同じく、しきい値電流１ｋＡ／cm
2で常温発振を示したが、わずか数十秒間で切れてしま
った。
【００２２】
【発明の効果】以上説明したように、本発明のレーザ素
子は窒化ガリウム系化合物半導体の両電極と、ヒートシ
ンクにメタライズされた電極とを同時に接続しているの
で、レーザチップの放熱が非常によい。これにより常温
で２４時間もの連続発振を示した。将来、この連続発振
時間をさらに延長し実用可能域にまで高める上で本発明
のレーザ素子は非常に有用である。
子は窒化ガリウム系化合物半導体の両電極と、ヒートシ
ンクにメタライズされた電極とを同時に接続しているの
で、レーザチップの放熱が非常によい。これにより常温
で２４時間もの連続発振を示した。将来、この連続発振
時間をさらに延長し実用可能域にまで高める上で本発明
のレーザ素子は非常に有用である。
【図１】 本発明に係る一レーザ素子の構造を示す模式
断面図。
断面図。
【図２】 図１のレーザ素子を金属ステムに実装した際
の斜視図。
の斜視図。
【図３】 本発明に係る他のレーザ素子の構造を示す模
式断面図。
式断面図。
【図４】 本発明に係るレーザチップの構造を示す拡大
模式断面図。
模式断面図。
【図５】 比較例のレーザ素子の構造を示す模式断面
図。
図。
３・・・・レーザチップの負電極 ４・・・・レーザチップの正電極 １０・・・・レーザチップ ２０・・・・ヒートシンク ３３・・・・ヒートシンクの負電極 ４４・・・・ヒートシンクの正電極
Claims (2)
- 【請求項１】 サファイア基板の表面に窒化ガリウム系
化合物半導体層が積層され、その窒化ガリウム系化合物
半導体層の同一面側に正、負一対の電極が形成されてな
るレーザダイオードチップが、同じく同一面側に正、負
一対の電極パターンがメタライズされた絶縁性のヒート
シンクに、互いの電極同士が対向するように載置されて
なることを特徴とする窒化ガリウム系化合物半導体レー
ザ素子。 - 【請求項２】 前記窒化ガリウム系化合物半導体層はサ
ファイア基板側から順に、ＧａＮ、ＧａＡｌＮまたはＡ
ｌＮよりなるバッファ層と、ｎ型ＧａＮよりなるｎコン
タクト層と、ｎ型ＧａＡｌＮよりなるクラッド層と、ノ
ンドープｎ型ＩｎＧａＮまたはＳｉドープｎ型ＩｎＧａ
Ｎよりなる活性層と、ｐ型ＧａＡｌＮよりなるクラッド
層と、ｐ型ＧａＮよりなるｐコンタクト層とが積層され
てなることを特徴とする請求項１に記載の窒化ガリウム
系化合物半導体レーザ素子。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2267194A JPH07235729A (ja) | 1994-02-21 | 1994-02-21 | 窒化ガリウム系化合物半導体レーザ素子 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2267194A JPH07235729A (ja) | 1994-02-21 | 1994-02-21 | 窒化ガリウム系化合物半導体レーザ素子 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH07235729A true JPH07235729A (ja) | 1995-09-05 |
Family
ID=12089320
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2267194A Pending JPH07235729A (ja) | 1994-02-21 | 1994-02-21 | 窒化ガリウム系化合物半導体レーザ素子 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH07235729A (ja) |
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-
1994
- 1994-02-21 JP JP2267194A patent/JPH07235729A/ja active Pending
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