JPH0722497A

JPH0722497A - 半導体製造装置

Info

Publication number: JPH0722497A
Application number: JP14617993A
Authority: JP
Inventors: Shigeki Kobayashi; 茂樹小林
Original assignee: Sumitomo Metal Industries Ltd
Current assignee: Nippon Steel Corp
Priority date: 1993-06-17
Filing date: 1993-06-17
Publication date: 1995-01-24

Abstract

(57)【要約】【目的】ウエハＳ中に蓄積された電荷を速やかに放出
させることができ、ウエハＳと静電チャック２４との間
に作用する残留吸着力が大きい場合でも、ウエハＳを傷
つけることなく容易にウエハＳを離脱させることがで
き、また簡単な構造でありながらしかもウエハＳの金属
による汚染を少なくすることができ、生産効率の向上、
ウエハＳの歩留まりの向上及び低コスト化を図ることが
できる半導体製造装置１０を提供すること。【構成】静電チャック２４が内装された半導体製造装
置１０において、静電チャック２４からウエハＳを離脱
させる離脱用ノックピン２８ａの少なくとも表面部が導
電性セラミックスにより被覆されている半導体製造装置
１０。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【産業上の利用分野】本発明は半導体製造装置に関し、
より詳細には静電気を利用してウエハを吸着させる静電
チャックを備え、ＣＶＤやエッチング等を行なうための
半導体製造装置に関する。

【０００２】

【従来の技術】従来、半導体製造過程の薄膜形成工程や
ドライエッチング工程等で使用される半導体製造装置に
おいては、ウエハを試料台に確実に密着させて所定温度
にコントロールすることが望まれており、リング状の押
え板や載置面に設けられた爪状の押え治具等を用い、ウ
エハ周辺部を前記試料台に押さえ付けていた。しかし、
これらの方法では前記ウエハと前記試料台との密着度が
不十分である。そこで近年、このような問題を解決する
ために、静電力による吸着作用を利用した試料保持装置
として静電チャックが開発され、該静電チャックが内装
された半導体製造装置が普及してきている。

【０００３】図５はこの種静電チャックが内装された半
導体製造装置を示した模式的断面図である。図中３０は
半導体製造装置を示しており、処理室１１の中央部には
ガス導入孔（図示せず）を有する上部電極１２が配設さ
れており、上部電極１２にはＲＦ電源１５が接続されて
いる。上部電極１２はアルミナ等のセラミックによる絶
縁リング１３を介して処理室１１の上部電極保持部１４
に固定されている。また処理室１１の両側壁１１ｂには
ウエハＳの搬入孔１６、搬出孔１７が形成され、それぞ
れ閉塞装置１６ａ、１７ａを用いて封止されるようにな
っている。また処理室１１の下部壁１１ｃには真空ポン
プ（図示せず）に接続された排気管１８が接続され、ま
た下部壁１１ｃ側部には絶縁リング１９が配設されてい
る。絶縁リング１９上にはアルミニウム製の下部電極７
０が配設され、下部電極７０には導線７１を介してＲＦ
電源７２が接続されており、下部電極７０上には上部電
極１２に対向して静電チャック５４が配設され、静電チ
ャック５４上にはウエハＳが載置されるようになってい
る。静電チャック５４は絶縁体５４ａの内部に導電体層
５４ｂが形成されることにより構成されており、導電体
層５４ｂは導線７３ａ及びスイッチ７３を介してＤＣ電
源７５が接続されている。また、下部電極７０における
導線７３ａが貫通する部分には絶縁筒７０ａが介装され
ている。また、静電チャック５４内には流路７６が形成
され、流路７６には導入管７６ａ及び導出管７６ｂが接
続されており、冷却液が導入管７６ａより流路７６を循
環して導出管７６ｂから排出されることにより、静電チ
ャック５４が冷却されるようになっている。また、静電
チャック５４と下部電極７０とは下部電極押えリング２
９を用いて絶縁リング１９に固定されている。そして、
流路７６に冷却液を循環させてウエハＳを所定温度に設
定し、ＲＦ電源１５、７２をオンにして上部電極１２及
び下部電極７０に高周波電力を印加することにより、前
記ガス導入孔から供給された反応ガスがプラズマ化さ
れ、ウエハＳ上に処理が施されるようになっている。

【０００４】このように構成された半導体製造装置３０
を用い、ウエハＳを吸着・保持させる場合、まずウエハ
Ｓを静電チャック５４上に載せ、次にＤＣ電源７５をオ
ンにして静電チャック５４の導電体層５４ｂに直流電圧
を印加する。すると、静電チャック５４は正または負に
帯電し、ウエハＳと静電チャック５４との間に静電力が
発生する。この静電力によりウエハＳは静電チャック５
４の表面上に確実に吸着・保持されることとなる。

【０００５】また、成膜またはエッチング処理後にウエ
ハＳを静電チャック５４から離脱させる場合、まずＤＣ
電源７５をオフにして静電力を弱めることによりウエハ
Ｓと静電チャック５４との吸着力を弱め、静電チャック
５４からウエハＳを離脱させる。

【０００６】このように半導体製造装置３０ではウエハ
Ｓと静電チャック５４との密着度が得られるが、反面処
理後にウエハＳを離脱させるのが難しいという問題があ
り、この問題を解決するための対策として、離脱用ノッ
クピンが内設された静電チャックが知られている。

【０００７】このような静電チャック内に離脱用ノック
ピンが配設された半導体製造装置を用い、処理後のウエ
ハを離脱させる場合、まずＤＣ電源をオフし、その後前
記離脱用ノックピンを用いて前記ウエハを裏面から押し
上げ、該ウエハを静電チャックから離脱させる。しかし
ながら、前記ＤＣ電源による印加停止直後では前記ウエ
ハ中に電荷がまだ残っており、前記静電チャックによる
吸着力が残存している。この残存吸着力は時間経過につ
れて減少するが、この減少率は前記ウエハの特性、処理
温度、印加電圧等により異なっている。電圧印加停止後
の残留吸着力が大きい場合、前記ウエハにおける前記離
脱用ノックピンとの接触部に押し上げ力が集中するた
め、この近傍に損傷が生じ、前記ウエハの歩留まりが低
下するという問題があった。

【０００８】このような問題を解決するために、ウエハ
との接触部分の金属を露出させた離脱用ノックピンが内
設された静電チャックが提案されている（特開昭６３−
２８１４３０号公報及び特開平４−１１７１８８号公
報）。

【０００９】図６は特開昭６３−２８１４３０号公報記
載の静電チャックを示した模式的断面図である。図中６
４は静電チャックを示しており、導電体６４ｂの表面に
絶縁体層６４ａが形成され、導電体６４ｂにＤＣ電源６
５が接続されている。また、静電チャック６４にはアー
スされた離脱用ノックピン６８が昇降可能に内設されて
おり、この離脱用ノックピン６８は本体６８ａがステン
レス等の金属を用いて形成され、本体６８ａ表面がウエ
ハＳとの接触部分を除いてアルミナ等からなる絶縁体層
６８ｂで覆われている。

【００１０】このような構成の静電チャック６４を用い
てウエハＳを離脱させる場合、まずＤＣ電源６５をオフ
にし、次に離脱用ノックピン６８の金属露出部をウエハ
Ｓに当接させる。すると、ウエハＳに蓄積された電荷が
放出され、静電チャック６４とウエハＳとの吸着力が弱
まる。この後、離脱用ノックピン６８を用いてウエハＳ
を裏面から押し上げ、ウエハＳを離脱させる。

【００１１】また、特開平４−１１７１８８号公報記載
の静電チャックでは、該静電チャックにアースされた離
脱用ノックピンが昇降可能に内設され、該離脱用ノック
ピンにおけるウエハとの接触部分が金属導体を用いて形
成されている。

【００１２】このような構成の前記静電チャックを用い
て前記ウエハを離脱させる場合、前記ウエハに前記離脱
用ノックピンの導体を当接させることにより、前記ウエ
ハに蓄積された電荷を放出させ、前記静電チャックと前
記ウエハとの吸着力を弱め、この後に前記離脱用ノック
ピンを用いて前記ウエハを裏面から押し上げ、該ウエハ
を離脱させる。

【００１３】

【発明が解決しようとする課題】図６に示した従来の静
電チャック６４においては、アースされた本体６８ａを
ウエハＳに接触させることにより、ウエハＳ内に蓄積さ
れた電荷が速やかに放出されるため、静電チャック６４
とウエハＳとの残留吸着力が大きい場合でもウエハＳの
離脱が容易かつ安全に行なわれる。また、本体６８ａ表
面に絶縁体層６８ｂが形成されているため、プラズマに
よるウエハＳの処理中、離脱用ノックピン６８の損傷が
阻止される。

【００１４】しかしながら、絶縁体層６８ｂが形成さ
れ、またウエハＳとの接触部分の絶縁体層６８ｂが平坦
に削られて本体６８ａを露出させた構成となっているた
め、離脱用ノックピン６８の構造が複雑になり、製造に
手間がかかり、製造コストが高いという課題があった。

【００１５】しかも、離脱用ノックピン６８におけるウ
エハＳとの接触部分は金属本体６８ａが露出しており、
金属によりウエハＳが汚染されるという課題があった。

【００１６】また、上記した特開平４−１１７１８８号
公報記載の静電チャックにおいては、前記ウエハ内に蓄
積された電荷が速やかに放出されるため、前記静電チャ
ックと前記ウエハとの吸着力が大きい場合でも該ウエハ
の離脱が容易かつ安全に行なわれるものの、やはり前記
離脱用ノックピンにおける前記ウエハとの接触部分を構
成する金属により前記ウエハが汚染されるという課題が
あった。

【００１７】本発明はこのような課題に鑑みなされたも
のであり、ウエハ中に蓄積された電荷を速やかに放出さ
せることができ、該ウエハと静電チャックとの残留吸着
力が大きい場合でも、前記ウエハを傷つけることなく容
易に該ウエハを離脱させることができ、また簡単な構造
でありながらしかも該ウエハの金属による汚染を少なく
することができ、生産効率の向上、前記ウエハの歩留ま
りの向上及び低コスト化を図ることができる半導体製造
装置を提供することを目的としている。

【００１８】

【課題を解決するための手段】上記目的を達成するため
に本発明に係る半導体製造装置は、静電チャックが内装
された半導体製造装置において、前記静電チャックから
ウエハを離脱させる離脱用ノックピンの少なくとも表面
部が導電性セラミックスにより被覆されていることを特
徴としている（１）。

【００１９】また本発明に係る半導体製造装置は、静電
チャックが内装された半導体製造装置において、前記静
電チャックからあるいは該静電チャックにウエハを搬送
する搬送用ウエハ爪の少なくとも表面部が導電性セラミ
ックスにより被覆されていることを特徴としている
（２）。

【００２０】

【作用】ウエハの電気抵抗値は通常１〜５０Ω・ｃｍで
ある。この値より十分低い０．０１〜０．１Ω・ｃｍの
電気抵抗値を有し、かつ接触により前記ウエハ表面に付
着する金属分子数が１０¹¹〜１０¹²以下である導電性セ
ラミックスとして、ＴｉＯ₂ 、Ｖ₂ Ｏ₃ 、Ｖ₂ Ｏ₅ 、Ｖ
Ｏ₂ 、ＴｉＮＺｎＯ及びＰｂＯ₂ 等が挙げられ、このよ
うな導電性セラミックスを電荷が蓄積された前記ウエハ
に接触させた場合、前記電荷が前記導電性セラミックス
中に速やかに放出され、また前記ウエハの金属汚染をほ
とんど生じさせない。

【００２１】したがって、上記した構成の半導体製造装
置（１）によれば、前記静電チャックから前記ウエハを
離脱させる前記離脱用ノックピンの少なくとも表面部が
前記導電性セラミックスにより被覆されているので、前
記ウエハに前記離脱用ノックピンが当接することによ
り、前記ウエハ中に蓄積された電荷が前記離脱用ノック
ピン表面の前記導電性セラミックスを介して速やかに放
出される。このため、前記ウエハと前記静電チャックと
の間に作用する残留吸着力が大きい場合でも、該吸着力
が短時間で弱められ、離脱がスムーズになり、前記ウエ
ハが傷つくことなく離脱され、したがって生産効率及び
前記ウエハの歩留まりの向上を図ることが可能となる。

【００２２】また、導電性セラミックスが接触しても前
記ウエハ表面への金属付着量は少なく、該ウエハの金属
汚染をほとんど生じさせない。

【００２３】さらに、導電性セラミックスは導電性を有
しており前記ウエハとの接触部分を削る必要がなくな
り、このため構造が簡単になり、製造工程が減り、低コ
スト化が図られる。

【００２４】また、上記した構成の半導体製造装置
（２）によれば、前記静電チャックからあるいは該静電
チャックに前記ウエハを搬送する前記搬送用ウエハ爪の
少なくとも表面部が導電性セラミックスにより被覆され
ているので、前記ウエハに前記搬送用ウエハ爪が当接す
ることにより、前記ウエハ中に蓄積された電荷が前記搬
送用ウエハ爪表面の前記導電性セラミックスを介して速
やかに放出される。このため、前記ウエハと前記静電チ
ャックとの間に作用する残留吸着力が大きい場合でも、
該吸着力が短時間で弱められ、離脱がスムーズになり、
前記ウエハが傷つくことなく離脱され、したがって生産
効率及び前記ウエハの歩留まりの向上を図ることが可能
となる。

【００２５】また、導電性セラミックスが接触しても前
記ウエハ表面への金属付着量は少なく、該ウエハの金属
汚染をほとんど生じさせない。

【００２６】さらに、導電性セラミックスは導電性を有
しており、前記ウエハとの接触部分を削る必要がなくな
り、このため構造が簡単になり、製造工程が減り、低コ
スト化が図られる。

【００２７】

【実施例】以下、本発明に係る半導体製造装置の実施例
を図面に基づいて説明する。なお、従来例と同一の機能
を有する構成部品には同一の符号を付すこととする。図
１は実施例に係る半導体製造装置を示した模式的断面図
である。図中１０は半導体製造装置を示しており、処理
室１１の中央部にはガス導入孔（図示せず）を有する上
部電極１２が配設されており、上部電極１２にはＲＦ電
源１５が接続されている。上部電極１２はアルミナ等の
セラミックによる絶縁リング１３を介して処理室１１の
上部電極保持部１４に固定されている。また処理室１１
の両側壁１１ｂにはウエハＳの搬入孔１６、搬出孔１７
が形成され、それぞれ閉塞装置１６ａ、１７ａを用いて
封止されるようになっている。また処理室１１の下部壁
１１ｃには真空ポンプ（図示せず）に接続された排気管
１８が接続され、また下部壁１１ｃ側部には絶縁リング
１９が配設されている。絶縁リング１９上にはアルミニ
ウム製の下部電極２０が配設され、下部電極２０には導
線２１を介してＲＦ電源２２が接続されており、下部電
極２０上には上部電極１２に対向して静電チャック２４
が配設され、静電チャック２４上にはウエハＳが載置さ
れるようになっている。静電チャック２４は導電体２４
ｂの周囲にアルミナ溶射等の手段により絶縁体層２４ａ
が形成されることにより構成されており、導電体２４ｂ
には導線２３ａ及びスイッチ２３を介してＤＣ電源２５
が接続されている。また、下部電極２０における導線２
３ａが貫通する部分には絶縁筒２０ａが介装されてい
る。また、静電チャック２４内には流路２６が形成さ
れ、流路２６には導入管２６ａ及び導出管２６ｂが接続
されており、冷却液が導入管２６ａより流路２６を循環
して導出管２６ｂから排出されることにより、静電チャ
ック２４が冷却されるようになっている。また、静電チ
ャック２４には空間部２７が形成されており、空間部２
７内には主成分としてＴｉＯ₂ を７０％含み、バインダ
ーとしてＳｉＯ₂ が添加された導電性セラミックスによ
り形成された複数個の離脱用ノックピン２８ａを有する
リフト台２８ｂが配設され、リフト台２８ｂ下方には昇
降軸２８ｃを介して駆動装置２８ｄが配設され、リフト
台２８ｂはアースされている。また、空間部２７上方に
おける絶縁体層２４ａ、導電体２４ｂには離脱用ノック
ピン２８ａの挿通孔２４ｃが形成されており、駆動装置
２８ｄを駆動させると昇降軸２８ｃが上昇し、静電チャ
ック２４上に載置されているウエハＳが離脱用ノックピ
ン２８ａにより押し上げられるようになっている。

【００２８】また、静電チャック２４と下部電極２０と
は下部電極押えリング２９を用いて絶縁リング１９に固
定されている。そして、流路２６に冷却液を循環させて
ウエハＳを所定温度に設定し、ＲＦ電源１５、２２をオ
ンにして上部電極１２及び下部電極２０に高周波電力を
印加することにより、ガス導入孔から供給された反応ガ
スがプラズマ化され、ウエハＳにエッチング処理がなさ
れるようになっている。

【００２９】このように構成された半導体製造装置１０
を用い、ウエハＳを吸着・保持させる場合、まずウエハ
Ｓを静電チャック２４上に載せ、次にＤＣ電源２５をオ
ンにして静電チャック２４の導電体２４ｂに直流電圧を
印加する。すると静電チャック２４は正または負に帯電
し、ウエハＳと静電チャック２４との間に静電力が発生
する。このため、ウエハＳは静電チャック２４の表面上
に確実に吸着・保持されることとなる。

【００３０】また、例えばウエハＳ上をドライエッチン
グした後に、ウエハＳを静電チャック２４から離脱させ
る場合、まずＤＣ電源２５をオフにし、この後ウエハＳ
に離脱用ノックピン２８ａを当接させてウエハＳ中に蓄
積されている電荷を取ってやる。次に、駆動装置２８ｄ
を作動させて昇降軸２８ｃを上昇させ、離脱用ノックピ
ン２８ａを押し上げ、静電チャック２４からウエハＳを
離脱させる。

【００３１】上記したように本実施例に係る半導体製造
装置１０にあっては、ウエハＳに離脱用ノックピン２８
ａを当接させることにより、ウエハＳ中に蓄積された電
荷を離脱用ノックピン２８ａ表面の前記導電性セラミッ
クスを介して速やかに放出させることができる。このた
め、ウエハＳと静電チャック２４との間に作用する残留
吸着力が大きい場合でも、該吸着力を短時間で弱めるこ
とができ、離脱をスムーズに行うことができ、ウエハＳ
を傷つけることなく、離脱させることができ、生産効率
及びウエハＳの歩留まりの向上を図ることができる。ま
た、ウエハＳのはねあがりによる位置ずれの発生をなく
すことができ、搬送トラブルの発生も防止することがで
きる。

【００３２】また、導電性セラミックスが接触してもウ
エハＳ表面への金属付着をほとんど生じさせない材質な
ので、ウエハＳの金属汚染を少なくすることができる。

【００３３】さらに、離脱用ノックピン２８ａにおける
ウエハＳとの接触部分を削る必要をなくすことができ、
このため静電チャック２４の構造を簡単にすることがで
き、製造工程を減らすことができ、低コスト化を図るこ
とができる。

【００３４】図２は別の実施例に係る半導体製造装置を
概略的に示した図であり、図３は搬送用把持具を示した
断面図である。図中３１は反応容器を示しており、反応
容器３１によりプラズマ生成室３２と処理室３３とが形
成されている。プラズマ生成室３２の周壁は２重構造に
なっており、その内部は冷却水を通流させる冷却室３４
となっており、プラズマ生成室３２左壁略中央部にはマ
イクロ波導入孔３２ａが形成され、このマイクロ波導入
孔３２ａ左方には石英板３２ｂが配設されており、石英
板３２ｂ左方に導波管３２ｃが接続されている。また、
プラズマ生成室３２の右方にはプラズマ引き出し窓３２
ｄが形成され、プラズマ引き出し窓３２ｄに臨ませて処
理室３３が配設されている。処理室３３の右側壁には処
理室３３内を所定の圧力に設定するためのターボ分子ポ
ンプ３５、ロータリーポンプ３６が接続されている。さ
らに、プラズマ生成室３２及びこれに接続された導波管
３２ｃの一端部にわたる周囲にはこれらを囲繞する態様
でこれらと同心状に励磁コイル３７が配設されている。

【００３５】一方、処理室３３内にはプラズマ引き出し
窓３２ｄと対向する位置に静電吸着によりウエハＳを保
持する静電チャック３８が配設されている。静電チャッ
ク３８の内部には電極板３９が埋設されており、電極板
３９には接続線３９ａ、マッチングボックス４０を介し
てＤＣ電源４１が接続されている。また静電チャック３
８内には冷却液流路４２が形成されており、冷却液流路
４２の右方には２重磁気コイル３８ａが配設されてい
る。

【００３６】また図中３２ｅはプラズマ生成室３２に連
通する反応ガス供給管を示しており、３３ｂは処理室３
３に連通する反応ガス供給管を示しており、３４ａ、３
４ｂは冷却水の供給管、排出管を示しており、４２ａ、
４２ｂは冷却液の供給管、排出管を示している。

【００３７】さらに処理室３３の下方にはウエハローデ
ィング室４３が配設され、ウエハローディング室４３内
にはウエハＳが収容されたカセット４３ａが配置されて
おり、また静電チャック３８とカセット４３ａとの間で
のウエハＳ移動のためのアース（図示せず）された搬送
用ロボット４４が配設されている。

【００３８】また、ウエハローディング室４３の左方に
はウエハカセット室４３ｂが形成され、ウエハカセット
室４３ｂ内にはウエハＳが収容されたカセット４３ｃが
配置されており、ウエハローディング室４３及びウエハ
カセット室４３ｂ内を処理室３３内と同じ圧力に維持す
るためにウエハカセット室４３ｂにはターボ分子ポンプ
５１及びロータリーポンプ５２が接続されている。

【００３９】また、搬送用ロボット４４は図３に示した
搬送用把持具４５を備えており、把持具本体４６両端に
はソレノイド４７を介して搬送用ウエハ爪４８が接続さ
れている。この搬送用ウエハ爪４８は厚さが８ｍｍ、幅
が１５ｍｍ、長さが２００ｍｍの金属を用いて本体４８
ａが形成され、本体４８ａの表面が主成分としてＴｉＯ
₂ を７０％含み、バインダーとしてＳｉＯ₂ が添加され
た導電性セラミックスを用いて被覆されている。また、
搬送用ウエハ爪４８は支軸４９を支点として回動自在に
構成され、ソレノイド４７の伸縮により搬送用ウエハ爪
４８が開閉し、ウエハＳが把持または開放されるように
なっている。また、把持具本体４６の両端には搬送用ウ
エハ爪４８とソレノイド４７との接続側及び支軸４９を
覆うカバー５０が配設されている。

【００４０】このような構成の半導体製造装置を用い、
ウエハＳを吸着・保持させる場合、まずＤＣ電源４１を
オンにして静電チャック３８内の電極板３９に直流電圧
を印加する。すると、静電チャック３８が正または負に
帯電し、ウエハＳと静電チャック３８との間に静電力が
発生する。このため、ウエハＳは静電チャック３８表面
上に確実に吸着・保持される。

【００４１】また、成膜またはエッチング処理後にウエ
ハＳを静電チャック３８から離脱させる場合は、まずＤ
Ｃ電源４１をオフにし、この後搬送用把持具４５をウエ
ハＳ近傍に移動させ、搬送用ウエハ爪４８を一旦開いた
後閉じてウエハＳを把持させる。すると、搬送用ウエハ
爪４８がウエハＳに接触することによりウエハＳ中に蓄
積されていた電荷が速やかに放出され、これによりウエ
ハＳと静電チャック３８との吸着力が弱まり、この時点
でウエハＳを静電チャック３８から離脱させる。

【００４２】上記したように本実施例に係る半導体製造
装置では、ウエハＳを搬送する搬送用ウエハ爪４８の表
面部が導電性セラミックスにより被覆されているので、
ウエハＳに搬送用ウエハ爪４８が当接することにより、
ウエハＳ中に蓄積された電荷を搬送用ウエハ爪４８表面
の前記導電性セラミックスを介して速やかに放出させる
ことができる。このため、ウエハＳと静電チャック２４
との残留吸着力が大きい場合でも、該吸着力を短時間で
弱めることができ、離脱をスムーズに行うことができ、
ウエハＳを傷つけることなくウエハＳを離脱させること
ができ、生産効率及びウエハＳの歩留まりの向上を図る
ことができる。

【００４３】また、導電性セラミックスが接触してもウ
エハＳ表面への金属付着をほとんど生じさせず、ウエハ
Ｓの金属汚染を少なくすることができる。

【００４４】さらに、搬送用ウエハ爪４８におけるウエ
ハＳとの接触部分を削る必要をなくすことができ、この
ため搬送用把持具４５の構造を簡単にすることができ、
製造工程を減らすことができ、低コスト化を図ることが
できる。

【００４５】そのうえ、静電チャック３８が水平でない
場合（図２参照）でも、ウエハＳの離脱時には搬送用ウ
エハ爪４８によりウエハＳが把持されるので、ウエハＳ
を落下させることなく安全に離脱させることができる。

【００４６】図４はさらに別の実施例に係る半導体製造
装置に装備された搬送用把持具を示した平面図である。
なお、実施例に係る半導体製造装置における搬送用把持
具以外の構成及び使用方法は図２に示した上記実施例の
ものと同様であるため、ここではその説明を省略する。
図中５５は搬送用把持具を示しており、Ｕ字形状の把持
具本体５６両端にはソレノイド５７を介して、主成分と
してＴｉＯ₂ を７０％含み、バインダーとしてＳｉＯ₂
が添加された導電性セラミックスにより形成された厚さ
が８ｍｍ、幅が１５ｍｍ、長さが２００ｍｍの搬送用ウ
エハ爪５８が接続されており、また把持具本体５６両側
部には搬送用ウエハ爪５８に接続された圧縮バネ６１が
配設されている。搬送用ウエハ爪５８は支軸５９を中心
に回動自在に構成されており、ソレノイド５７の伸縮及
び圧縮バネ６１のバネ力により搬送用ウエハ爪５８が開
閉し、ウエハＳが把持または開放されるようになってい
る。

【００４７】このような構成の搬送用把持具５５が装備
された半導体製造装置を用い、成膜またはエッチング処
理後にウエハＳを静電チャック３８から離脱させる場
合、上記した別の実施例に係る離脱方法と同様に行な
う。

【００４８】上記したように本実施例に係る半導体製造
装置では、上記した別の実施例における半導体製造装置
（図２）における効果と同様の効果に加え、搬送用ウエ
ハ爪５８が前記導電性セラミックスにより形成されてい
るので、ウエハＳとの接触部分を削る必要をなくすこと
ができ、送用ウエハ爪５８の構造をより簡単にすること
ができ、製造工程をより一層減らすことができ、低コス
ト化をより一層図ることができる。

【００４９】なお、上記した実施例ではＴｉＯ₂ を主成
分とする導電性セラミックスを用いた場合について説明
したが、別の実施例ではその他Ｖ₂ Ｏ₃ 、Ｖ₂ Ｏ₅ 、Ｖ
Ｏ₂、ＴｉＮＺｎＯ及びＰｂＯ₂ 等を主成分とする導電
性セラミックスを用いることができる。

【００５０】また、上記した実施例では半導体製造装置
が平行平板型プラズマ装置及び横型のＥＣＲプラズマ処
理装置である場合について説明したが、別の実施例では
半導体製造装置が別のエッチング装置や薄膜形成装置で
ある場合においても同様に本発明を適用することができ
る。

【００５１】

【発明の効果】以上詳述したように本発明に係る半導体
製造装置にあっては、静電チャックからウエハを離脱さ
せる離脱用ノックピンの少なくとも表面部が導電性セラ
ミックスにより被覆されているので、前記ウエハに前記
離脱用ノックピンを当接させることにより、前記ウエハ
中に蓄積された電荷を前記離脱用ノックピン表面の前記
導電性セラミックスを介して速やかに放出させることが
できる。このため、前記ウエハと前記静電チャックとの
間に作用する残留吸着力が大きい場合でも、該吸着力を
短時間で弱めることができ、離脱をスムーズに行なうこ
とができ、前記ウエハを傷つけることなく離脱させるこ
とができ、また該ウエハの位置ずれが生じるのを防ぐこ
とができ、搬送トラブルの発生も防止することができ、
生産効率及び前記ウエハの歩留まりの向上を図ることが
できる。

【００５２】また、導電性セラミックスが接触しても前
記ウエハ表面への金属付着をほとんど生じさせず、該ウ
エハの金属汚染を少なくすることができる。

【００５３】さらに、前記ウエハとの接触部分を削る必
要をなくすことができ、このため前記離脱用ノックピン
の構造を簡単にすることができ、製造工程を減らすこと
ができ、低コスト化を図ることができる。

【００５４】また、本発明に係る半導体製造装置にあっ
ては、搬送用ウエハ爪の表面部が導電性セラミックスに
より被覆されているので、前記ウエハに前記搬送用ウエ
ハ爪を当接させることにより、前記ウエハ中に蓄積され
た電荷を前記搬送用ウエハ爪表面の前記導電性セラミッ
クスを介して速やかに放出させることができる。このた
め、前記ウエハと前記静電チャックとの吸着力が大きい
場合でも、該吸着力を短時間で弱めることができ、離脱
をスムーズに行なうことができ、前記ウエハを傷つける
ことなく離脱させることができ、生産効率及び前記ウエ
ハの歩留まりの向上を図ることができる。

【００５５】また、導電性セラミックスが接触しても前
記ウエハ表面への金属付着をほとんど生じさせず、該ウ
エハの金属汚染を少なくすることができる。

【００５６】さらに、前記ウエハとの接触部分を削る必
要をなくすことができ、このため前記搬送用ノックピン
の構造を簡単にすることができ、製造工程を減らすこと
ができ、低コスト化を図ることができる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明に係る半導体製造装置の一実施例を概略
的に示した断面図である。

【図２】別の実施例に係る半導体製造装置を概略的に示
した断面図である。

【図３】別の実施例に係る半導体製造装置に装備された
搬送用把持具を概略的に示した水平断面図である。

【図４】さらに別の実施例に係る半導体製造装置に装備
された搬送用把持具を概略的に示した部分水平断面図で
ある。

【図５】従来の半導体製造装置を概略的に示した断面図
である。

【図６】別の従来の半導体製造装置に装備された離脱用
ノックピンを概略的に示した断面図である。

【符号の説明】

１０半導体製造装置２４、３８静電チャックＳウエハ２８ａ離脱用ノックピン４８、５８搬送用ウエハ爪

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】静電チャックが内装された半導体製造装
置において、前記静電チャックからウエハを離脱させる
離脱用ノックピンの少なくとも表面部が導電性セラミッ
クスにより被覆されていることを特徴とする半導体製造
装置。
【請求項２】静電チャックが内装された半導体製造装
置において、前記静電チャックからあるいは該静電チャ
ックにウエハを搬送する搬送用ウエハ爪の少なくとも表
面部が導電性セラミックスにより被覆されていることを
特徴とする半導体製造装置。