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JPH07211245A - 周辺ダイアモンド材料エッジ電子エミッタを採用する電界放射ディスプレイ - Google Patents

周辺ダイアモンド材料エッジ電子エミッタを採用する電界放射ディスプレイ

Info

Publication number
JPH07211245A
JPH07211245A JP33280294A JP33280294A JPH07211245A JP H07211245 A JPH07211245 A JP H07211245A JP 33280294 A JP33280294 A JP 33280294A JP 33280294 A JP33280294 A JP 33280294A JP H07211245 A JPH07211245 A JP H07211245A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
electron
layer
material layer
emitter
substrate
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP33280294A
Other languages
English (en)
Inventor
David A Wiemann
デイヴィッド・エイ・ウィーマン
Lawrence N Dworsky
ローレンス・エヌ・ドウォルスキー
James E Jaskie
ジェイムズ・イー・ジェイスキー
Robert C Kane
ロバート・シー・ケイン
Curtis D Moyer
カーティス・ディー・モイヤー
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Motorola Solutions Inc
Original Assignee
Motorola Inc
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Motorola Inc filed Critical Motorola Inc
Publication of JPH07211245A publication Critical patent/JPH07211245A/ja
Pending legal-status Critical Current

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Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J1/00—Details of electrodes, of magnetic control means, of screens, or of the mounting or spacing thereof, common to two or more basic types of discharge tubes or lamps
    • H01J1/02—Main electrodes
    • H01J1/30—Cold cathodes, e.g. field-emissive cathode
    • H01J1/304—Field-emissive cathodes
    • H01J1/3042—Field-emissive cathodes microengineered, e.g. Spindt-type
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J29/00—Details of cathode-ray tubes or of electron-beam tubes of the types covered by group H01J31/00
    • H01J29/02—Electrodes; Screens; Mounting, supporting, spacing or insulating thereof
    • H01J29/028—Mounting or supporting arrangements for flat panel cathode ray tubes, e.g. spacers particularly relating to electrodes
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J31/00—Cathode ray tubes; Electron beam tubes
    • H01J31/08—Cathode ray tubes; Electron beam tubes having a screen on or from which an image or pattern is formed, picked up, converted, or stored
    • H01J31/10—Image or pattern display tubes, i.e. having electrical input and optical output; Flying-spot tubes for scanning purposes
    • H01J31/12—Image or pattern display tubes, i.e. having electrical input and optical output; Flying-spot tubes for scanning purposes with luminescent screen
    • H01J31/123—Flat display tubes
    • H01J31/125—Flat display tubes provided with control means permitting the electron beam to reach selected parts of the screen, e.g. digital selection
    • H01J31/127—Flat display tubes provided with control means permitting the electron beam to reach selected parts of the screen, e.g. digital selection using large area or array sources, i.e. essentially a source for each pixel group
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J7/00—Details not provided for in the preceding groups and common to two or more basic types of discharge tubes or lamps
    • H01J7/14—Means for obtaining or maintaining the desired pressure within the vessel
    • H01J7/18—Means for absorbing or adsorbing gas, e.g. by gettering
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J2201/00—Electrodes common to discharge tubes
    • H01J2201/30—Cold cathodes
    • H01J2201/304—Field emission cathodes
    • H01J2201/30446—Field emission cathodes characterised by the emitter material
    • H01J2201/30453—Carbon types
    • H01J2201/30457—Diamond
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J2329/00—Electron emission display panels, e.g. field emission display panels
    • H01J2329/86—Vessels
    • H01J2329/8625—Spacing members

Landscapes

  • Cathode-Ray Tubes And Fluorescent Screens For Display (AREA)
  • Vessels, Lead-In Wires, Accessory Apparatuses For Cathode-Ray Tubes (AREA)
  • Cold Cathode And The Manufacture (AREA)
  • Electrodes For Cathode-Ray Tubes (AREA)

Abstract

(57)【要約】 【目的】 電子エネルギを光子エネルギに変換するエネ
ルギ変換材料層１１１を含むフラット画像ディスプレイ
を提供する。 【構成】 電子エミッタ１０５は、エネルギ変換材料と
電子エミッタ１０５との間で介在領域１０３，１４２が
定められるように、エネルギ変換材料の層に対して設け
られる。封入用バックプレーン１０６は、電子エミッタ
１０５に対して離れて設けられ、かつエネルギ変換手段
１１１と一般に反対の方向に設けられることにより、バ
ックプレーン１０６と電子エミッタ１０５との間にプレ
ナム１２０を定める。ゲッタ層１０９は、電子エミッタ
に当たるイオン性および分子性不純物の影響を緩和する
ためプレナム１２０内に設けられる。

Description

【発明の詳細な説明】
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、一般に、フラット・デ
ィスプレイ装置に関し、さらに詳しくは、ダイアモンド
材料電子エミッタを採用するフラット放射型ディスプレ
イに関する。
【０００２】
【従来の技術】フラット・ディスプレイは、当技術分野
で周知であり、例えば、液晶，プラズマ，エレクトロル
ミネセンスおよび電界放射(field emission)技術などを
利用して、多くの方法の１つで実現できる。これらの既
知の技術はすべて、多くの用途で不適切となる多くの固
有の制限がある。液晶ディスプレイは、非発光性であ
り、その用途は周辺光(ambient lighting)のある環境や
光源が付随する環境に制限される。プラズマおよびエレ
クトロルミネセンス・ディスプレイは、発光性である
が、フルカラー・ディスプレイとして容易に構成でき
ず、さらに、直射日光下など周辺が明るい用途では光出
力が不十分である。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】電界放射ディスプレイ
は、他のフラット・ディスプレイに比べて改善された動
作を提供する。しかし、電界放射ディスプレイは、ディ
スプレイ動作中に吸着および吸収された不純物の解放に
よって生じるアーク放電破損を受けることが知られてい
る。また、既知の電界放射ディスプレイは、フェースプ
レート(faceplate) と電子エミッタスペースとの公称間
隔を維持するためスペーサを採用する。フェースプレー
トと基板との間に配置されたスペーサは、フェースプレ
ート領域をフルに利用することを妨げるので、邪魔にな
る。
【０００４】さらに、既知のフラット電界放射ディスプ
レイは、このディスプレイの不可欠な一部である真空体
積(evacuated volume)内の脱ガス(outgassing)に耐える
能力が限られている。
【０００５】従って、従来技術のこれらの欠点の少なく
とも一部を克服するフラット電界放射ディスプレイが必
要とされる。
【０００６】本発明の１つの目的は、電子放射層とカソ
ードルミネセンス(cathodoluminescent)層との間で個別
の支持スペーサを採用しない構造的に健全な画像ディス
プレイを提供することである。
【０００７】本発明の別の目的は、ディスプレイの真空
領域内で生じる可能性のある脱ガスの影響を低減する真
空プレナム(evacuated plenum)からなる画像ディスプレ
イ装置を提供することである。
【０００８】本発明のさらに別の目的は、スペース間開
口部(interspace aperture) ，基板開口部およびプレナ
ム内に生じうる残留ガス不純物の影響を積極的に制御す
るため、静電イオン・トラップと、ゲッタ(getter)材料
とを採用するフラット画像ディスプレイ装置を提供する
ことである。
【０００９】
【課題を解決するための手段】この必要性等は、上記の
目的等とともに、電子エネルギを光子エネルギに変換す
るエネルギ変換材料層を含むフラット画像ディスプレイ
を提供することによって実質的に満たされる。電子エミ
ッタは、介在領域がエネルギ変換材料と電子エミッタと
の間で定められるように、エネルギ変換材料層に対して
配置される。封入用バックプレーンは、電子エミッタに
対して離れて配置され、電子変換手段に対してほぼ反対
の方向に設けられ、バックプレーンと電子エミッタとの
間にプレナムを定める。ゲッタ層は、電子エミッタに衝
突するイオン性および分子性不純物の影響を緩和するた
め、プレナム内に設けられる。
【００１０】
【実施例】まず図１を参照して、本発明によるフラット
画像ディスプレイ１００の実施例を示す部分的な側面図
を示す。実質的に光学的に透明な視覚スクリーン・アセ
ンブリは、図２および図３で詳しく説明されるカソード
ルミネセンス材料層などのエネルギ変換層１１１と、導
電アノード層１１０とが被着された透明スクリーン１０
１を含む。
【００１１】スペース間領域を定めるスペース間開口部
(interspace aperture) １０３を有するスペース間絶縁
層１０２は、この特定の実施例では、導電アノード層１
１０に設けられる。
【００１２】複数の電子エミッタは、点線のボックス内
に囲まれた電子エミッタ基板１４０によって定められ、
この基板１４０は、電子を放射する電子放射材料層１０
５と、電子放射材料層１０５上に設けられた基板絶縁層
１０７と、基板絶縁層１０７上に設けられた導電ゲート
層１０８とを有し、またそこに定められた基板開口部１
４２を有する非導電基板１１２を含む。電子放射材料層
１０５は、好ましくは、例えば、ダイアモンド，ダイア
モンド状炭素，非結晶ダイアモンド状炭素，窒化アルミ
ニウムおよび約１．０電子ボルト以下の表面仕事関数を
有する任意の他の電子放射材料の１つからなる。
【００１３】図１に示す実施例では、電子エミッタ基板
１４０の導電ゲート層１０８は、基板開口部１４２がス
ペース間開口部１０３と実質的に位置合わせされるよう
に、スペース間絶縁層１０２上に設けられる。また、絶
縁スペース１４３は、導電ゲート層１０８の部分を分離
し、導電ゲート層１０８はほぼ環状の部分に分割され、
各環状部分は基板開口部１４２を実質的に取り囲むこと
に留意されたい。それぞれの電子エミッタを制御するた
め、環状部分の行または列は、電気的に接続できる。
【００１４】バックプレーン１０６は、電子エミッタ基
板１４０から離れて設けられ、その間にプレナム領域を
定める。ゲッタ材料層１０９は、電子エミッタ基板１４
０とは反対にバックプレーン１０６上に設けられる。ス
ペーサ１０４は、プレナム領域１２０に実質的に設けら
れ、またプレナム領域１２０の真空時にディスプレイ・
アセンブリが崩壊しないように、電子エミッタ基板１４
０とゲッタ材料層１０９と動作可能に接触して設けられ
る。ゲッタ材料層１０９は、例えば、スペーサ１０４が
ゲッタ材料層１０９ではなくバックプレーン１０６上に
設けられるようにパターニングしてもよいことが理解さ
れる。本説明に限り、ゲッタ材料層１０９は一般に極め
て薄いため、いずれの実施例においても、バックプレー
ン１０７はスペーサ１０４によって支持されると想定さ
れる。
【００１５】実質的に光学的に透明な視覚アセンブリの
一部の断面図を図２に示し、これは視覚スクリーン１０
１，カソードルミネセンス材料層１１１および導電アノ
ード層１１０を含む。本実施例では、カソードルミネセ
ンス材料層１１１は、フェースプレート１０１上に被着
され、導電アノード１１０はカソードルミネセンス材料
層１１０上に被着され、この場合、導電アノード１１０
はフェースプレート１０１の光透過性を改善するため反
射層からなることができる。
【００１６】実質的に光学的に透明な視覚アセンブリの
一部の別の実施例の断面図を図３に示す。図３に示すよ
うに、導電アノード１１０’はフェースプレート１０
１’上に被着され、この場合、導電アノード１１０’
は、光の透過性を促進するため、実質的に光学的に透明
でなければならない。カソードルミネセンス材料層１１
１’は、導電アノード１１０’上に被着される。
【００１７】図１に戻って、多数の電位源１６２，１６
４，１６６，１６８が示され、それぞれは画像ディスプ
レイの１つまたはそれ以上の要素に動作可能に接続され
る。本説明では、各電位源１６２，１６４，１６６，１
６８は、例えば、接地電位などの基準電位に動作可能に
接続されるが、これは決して動作を制限するものではな
い。第１電位源１６２は、導電ゲート層１０８と基準電
位との間で動作可能に接続される。第２電位源１６４
は、導電アノード１１０と基準電位との間で動作可能に
接続される。第３電位源１６６は、ゲッタ材料層１０９
と接地電位との間で動作可能に接続される。第４電位源
１６８は、電子放射材料層１０５と基準電位との間で動
作可能に接続される。
【００１８】画像ディスプレイ装置の動作中に、電子放
射材料層１０５から放射される電子は、基板開口部１４
２およびスペース間開口部１０３の距離を移動して、カ
ソードルミネセンス層１１１に当たり、ここで電子は光
子放射を励起する。電位源１６２は電位源１６８と協調
して、電子の放射を制御すべく機能する。電位源１６４
は、スペース間開口部１０３内に必要な電界を発生する
吸引電位を与え、放射された電子を吸引する。電位源１
６６は、スペース間開口部１０３，基板開口部１４２ま
たはプレナム内に無作為に存在するイオン成分について
吸引電位を与える。同時に、電位源１６６は、ゲッタ材
料層１０９において、負に帯電された放射電子に対して
反対電位を与えることにより、放射電子の軌道を修正す
る。
【００１９】電位源１６２，１６８は、電子放射材料層
１０５の関連部分から制御された電子放射を行うよう
に、画素のアレイの所望の部分に対して選択的に印加さ
れる。このように制御された電子放射は、フェースプレ
ート１０１で見ることができる所望の画像または複数の
画像を生成する。
【００２０】本発明によるフラット画像ディスプレイの
別の実施例を示す部分的な側面図を図４に示し、ここで
図１で説明した特徴には同様な参照番号が付されてい
る。図４にさらに示すように、スペース間絶縁層１０２
は積層された複数の絶縁層４０２〜４０７によって構成
され、各絶縁層は、例えば、モリブデン，アルミニウ
ム，チタン，ニッケルまたはタングステンなどの導電層
４７０〜４７４が被着された表面を有する。従って、個
々の導電層４７０〜４７４は、隣接する絶縁層４０２〜
４０７の間ではさまれる。図４の説明では、６つの絶縁
層と、その間にはさまれた５つの導電層が含まれるが、
より少ないまたは多くのこのような導電層および／また
は絶縁層を利用して、スペース間絶縁層１０２を実現し
てもよいことが理解される。さらに、絶縁層４０２〜４
０７の一部またはすべては、そこに導電層を被着せずに
設けることができることが理解される。
【００２１】また、図４には、この例では導電層４７４
である導電層と、基準電位との間に動作可能に接続され
た、例えば電圧源などの電位源４８０も示されている。
電位源４８０は、アノード１０１に移動する放射電子速
度に影響するため、スペース間開口部１０３内の電界に
対して所望の修正を行うように選択される。図示してい
ない他の電位源も、必要に応じて他の導電層４７０〜４
７３において同様に用いることができる。
【００２２】図４の線５−５から見た断面図を図５に示
す。この図は、複数の基板開口部１４２が定められた電
子放射基板１４０の１つの可能な実施例を示す。さらに
図５は、電子放射材料層１０５が行／列となるように選
択的にパターニングされ、各行／列は他の行／列から分
離されていることを示す。
【００２３】本発明の画像ディスプレイ６００の実施例
の簡略化され縮小された側面図を図６に示す。画像ディ
スプレイ６００では、残留および放散イオン性および分
子性不純物６２２（ここでは矢印で示される）は、好ま
しくは、プレナム６２０の距離を移動して、ゲッタ層６
０９に向かいそこで集められる。プレナム６２０は、
（すでに説明した）電子エミッタに当たり、電子エミッ
タを劣化させ、画像ディスプレイの性能を不適切にする
イオン性および分子性不純物の影響を緩和するため、封
入された真空体積を増加させる。
【００２４】図１で説明したように、本発明による電子
エミッタ基板７４０の別の実施例を示す部分的な側面図
を図７に示す。電子エミッタ基板７４０では、第１導電
層７３２は基板絶縁層７０７と電子放射材料層７０５と
の間にはさまれる。基板絶縁層７０７は、その反対側に
被着された導電ゲート層７０８を有する。第２導電層７
３１は、電子放射材料層７０５の反対側に被着されるた
め、基板開口部７０３と関連する電子放射材料層７０５
の部分（ここでは界面７４３として定義される）のみが
露出される。そうすることにより、基板開口部７０３に
おいて露出された電子放射材料層７０５の一部分のみが
有為な電子放射を行う。
【００２５】図１で説明したように、本発明による電子
エミッタ基板８４０の別の実施例の部分的な側面図を図
８に示す。電子エミッタ基板８４０は、互いに実質的に
平行な相対する第１および第２表面を有する電子放射ダ
イアモンド材料層８０５を含む。第１基板絶縁層８０７
は、電子放射ダイアモンド材料層８０５の第１および第
２表面の一方の上に設けられる。第２基板絶縁層８４１
は、電子放射ダイアモンド材料層８０５の第１および第
２表面の他方の上に設けられる。第１および第２導電ゲ
ート層８０８，８５０は、各第１および第２基板絶縁層
８０７，８４１上に設けられる。電子放射材料層８０５
の周辺部を中心として実質的に対称的なゲート層の構造
を設けることにより、基板開口部８０３と一致する電子
放射ダイアモンド材料層８０５の部分に比べて、電界の
向上が実現される。
【００２６】本発明による電子放射基板９４０のさらに
別の実施例の部分的な側面図を図９に示し、ここで図７
および図８で説明した特徴は「９」から始まる同様な参
照番号が付されている。図７および図８の実施例の電子
エミッタ基板の構造的な特徴を取り入れることにより、
図９で説明する実施例は、基板開口部９０３と一致する
界面９４３において改善された電子放射を行う。さら
に、電子エミッタ基板９４０は、電子放射材料層９０５
の第１および第２表面上に設けられた第１および第２導
電層９３２，９３１を利用することにより、基板絶縁層
９０７，９４１における電子放射を実質的に抑制する。
第１および第２絶縁層９０７，９４１は、各第１および
第２導電層９３２，９３１上にそれぞれ設けられる。第
１および第２導電ゲート層９０８，９５０は、各第１お
よび第２基板絶縁層９０７，９４１上にそれぞれ設けら
れる。この説明に限り、図９の実施例では、（同様に図
７および図８においても）、基板絶縁層９０７，９４１
は、電子放射材料層９０５に対して一般に上部を覆うよ
うに設けられるが、薄い導電層９３２，９３１はその間
に設けられることが理解される。
【００２７】以上、電子放射層とカソードルミネセンス
層との間で個別の支持スペーサを利用しない、構造的に
健全な画像ディスプレイ装置について説明した。さら
に、ディスプレイの真空領域内で発生しうる脱ガスの影
響を低減する真空プレナムを含む改善された画像ディス
プレイについて説明した。また、スペース間開口部，基
板開口部およびプレナム内に存在しうる残留ガス不純物
の影響を積極的に制御するため、ゲッタ材料とともに静
電イオン・トラップを備えたフラット画像ディスプレイ
について説明した。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明によるフラット電界放射ディスプレイの
実施例を示す部分的な側面図である。
【図２】図１における線２−２から見たフラット電界放
射ディスプレイの一部を示す断面図である。
【図３】異なる実施例を示す図２と同様な断面図であ
る。
【図４】本発明によるフラット電界放射ディスプレイの
別の実施例を示す部分的な側面図である。
【図５】本発明による、縮小・簡略化されたフラット電
界放射ディスプレイを示す側面図であり、特に、真空体
積とその中の不純物ドリフトを示す。
【図６】図４の線６−６から見たフラット電界放射ディ
スプレイの断面図である。
【図７】本発明のよるフラット電界放射ディスプレイの
単一ピクセル／サブピクセルの実施例を示す部分的な側
面図である。
【図８】本発明によるフラット電界放射ディスプレイの
単一ピクセル／サブピクセルの別の実施例を示す部分的
な側面図である。
【図９】本発明によるフラット電界放射ディスプレイの
単一ピクセル／サブピクセルのさらに別の実施例を示す
部分的な側面図である。
【符号の説明】
１００ フラット画像ディスプレイ １０１ 透明スクリーン（フェースプレート） １０２ スペース間絶縁層 １０３ スペース間開口部 １０４ スペーサ １０５ 電子放射材料層 １０６ バックプレーン １０７ 基板絶縁層 １０８ 導電ゲート層 １０９ ゲッタ材料層 １１０ 導電アノード層 １１１ エネルギ変換層（カソードルミネセンス材料
層） １１２ 非導電基板 １２０ プレナム領域 １４０ 電子エミッタ基板 １４２ 基板開口部 １４３ 絶縁スペース １６２，１６４，１６６，１６８ 電位源 ４０２〜４０７ 絶縁層 ４７０〜４７４ 導電層 ４８０ 電位源 ６００ 画像ディスプレイ ６０９ ゲッタ層 ６２０ プレナム ６２２ 不純物 ７０３ 基板開口部 ７０５ 電子放射材料層 ７０７ 基板絶縁層 ７０８ 導電ゲート層 ７３１ 第２導電層 ７３２ 第１導電層 ７４０ 電子エミッタ基板 ７４３ 界面 ８０３ 基板開口部 ８０５ 電子放射ダイアモンド材料層 ８０７ 第１基板絶縁層 ８０８ 第１導電ゲート層 ８４０ 電子エミッタ基板 ８４１ 第２基板絶縁層 ８５０ 第２導電ゲート層 ９０３ 基板開口部 ９０５ 電子放射ダイアモンド材料層 ９０７ 第１基板絶縁層 ９０８ 第１導電ゲート層 ９３１ 第２導電層 ９３２ 第１導電層 ９４０ 電子エミッタ基板 ９４１ 第２基板絶縁層 ９４３ 界面 ９５０ 第２導電ゲート層
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 ジェイムズ・イー・ジェイスキー アメリカ合衆国アリゾナ州スコッツデイ ル、イー・マウンテン・ビュー12256 (72)発明者 ロバート・シー・ケイン アメリカ合衆国アリゾナ州スコッツデイ ル、エヌ・ナインティサード・ストリート 27031 (72)発明者 カーティス・ディー・モイヤー アメリカ合衆国アリゾナ州フェニックス、 イー・ディスル・ランディング・ドライヴ 4006

Claims (5)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項１】 エッジ電子エミッタを備えたラミネート
    型電界放射デバイスであって：主面を有し、透明フェー
    スプレート（１０１），カソードルミネセンス材料（１
    １１）および導電アノード（１１０）を含む実質的に光
    学的に透明なフェースプレート・アセンブリ；前記フェ
    ースプレートの前記主面上に設けられ、そこに定められ
    た開口部を有し、該開口部はさらにスペース間領域を定
    めるスペース間絶縁層（１０２）；電子エミッタ基板
    （１４０）であって、 電子を放射する電子放射材料層（１０５）と、 前記電子放射材料層に対して一般に上部を覆うように設
    けられた基板絶縁層（１０７）と、 前記基板絶縁層上に設けられた導電ゲート層（１０８）
    と、 を含み、前記電子エミッタ基板（１４０）は、そこに定
    められた少なくとも１つの開口部（１４２）を有し、前
    記電子エミッタ基板は、前記導電ゲート層（１０８）が
    前記導電アノード（１１０）と前記電子エミッタ層（１
    ０５）との間ではさまれるように、前記スペース間絶縁
    層（１０２）上に設けられ、かつ前記電子エミッタ基板
    に定められた前記開口部（１４２）が、前記スペース間
    絶縁層（１０２）に定められた開口部（１０３）と実質
    的に周辺的に整合されるように設けられた電子エミッタ
    基板（１４０）；および前記電子エミッタ基板（１４
    ０）に対して離れて設けられたバックプレーン（１０
    ６）であって、前記バックプレーンは、前記バックプレ
    ーン（１０６）と前記電子エミッタ基板（１４０）との
    間にプレナム領域（１２０）を定めるように形成され、
    前記プレナム領域（１２０）と、前記電子エミッタ基板
    に定められた開口部（１４２）と、前記スペース間絶縁
    層に定められた開口部（１０３）の真空時に、前記電子
    放射材料層によって放射される電子が前記スペース間領
    域の距離を移動して、前記カソードルミネセンス材料
    （１１１）から光子放射を励起するバックプレーン（１
    ０６）；によって構成されることを特徴とするラミネー
    ト型電界放射デバイス。
  2. 【請求項２】 電子エネルギを光子エネルギに変換する
    エネルギ変換手段（１１１）；電子を放射する電子エミ
    ッタ（１０５）であって、前記エネルギ変換手段と電子
    エミッタとの間で介在領域（１０３，１４２）が定めら
    れるように、前記エネルギ変換手段に対して設けられた
    電子エミッタ（１０５）；前記電子エミッタから離れて
    設けられ、かつ前記エネルギ変換手段とは一般に反対の
    方向に設けられた封止用バックプレーン（１０６）であ
    って、該バックプレーンと前記電子エミッタとが協調し
    てその間にプレナム（１２０）を定める封止用バックプ
    レーン（１０６）；および前記プレナム内に設けられた
    ゲッタ層（１０９）；によって構成されることを特徴と
    するフラット画像ディスプレイ。
  3. 【請求項３】 電界放射デバイス用電子エッジ・エミッ
    タであって：第１および第２の相対する表面を有する電
    子放射材料層（７０５）；および第１および第２導電層
    （７３１，７３２）であって、この第１および第２導電
    層の一方が前記電子放射材料層の前記第１および第２表
    面の一方の上に設けられ、第１および第２導電層の他方
    が前記電子放射材料層の前記第１および第２表面の他方
    の上に設けられることにより、前記第１導電層と第２導
    電層との間で前記電子放射材料層の放射エッジ部（７４
    ３）を露出する第１および第２導電層（７３１，７３
    ２）；によって構成されることを特徴とする電界放射デ
    バイス用電子エッジ・エミッタ。
  4. 【請求項４】 電界放射デバイス用電子エッジ・エミッ
    タであって：第１および第２の相対する表面を有する電
    子放射材料層（８０５）；および第１および第２絶縁層
    （８０７，８４１）であって、この第１および第２絶縁
    層の一方が前記電子放射材料層の前記第１および第２表
    面の一方の上に設けられ、第１および第２絶縁層の他方
    が前記電子放射材料層の前記第１および第２表面の他方
    の上に設けられることにより、前記第１絶縁層と第２絶
    縁層との間に前記電子放射材料層の放射エッジ部を露出
    する第１および第２絶縁層（８０７，８４１）；によっ
    て構成されることを特徴とする電界放射デバイス用電子
    エッジ・エミッタ。
  5. 【請求項５】 電界放射デバイス用電子エッジ・エミッ
    タであって：第１および第２の相対する表面を有する電
    子放射材料層（９０５）；第１および第２導電層（９３
    １，９３２）であって、この第１および第２導電層の一
    方が前記電子放射材料層の前記第１および第２表面の一
    方の上に設けられ、第１および第２導電層の他方が前記
    電子放射材料層の前記第１および第２表面の他方の上に
    設けられた第１および第２導電層（９３１，９３２）；
    および第１および第２絶縁層（９０７，９４１）であっ
    て、この第１および第２絶縁層の一方が前記第１および
    第２導電層の一方の上に設けられ、第１および第２絶縁
    層の他方が前記第１および第２導電層の他方の上に設け
    られることにより、前記第１導電層と第２導電層との間
    で前記電子放射材料層の放射エッジ部（９４３）を露出
    する第１および第２絶縁層（９０７，９４１）；によっ
    て構成されることを特徴とする電界放射デバイス用電子
    エッジ・エミッタ。
JP33280294A 1993-12-17 1994-12-15 周辺ダイアモンド材料エッジ電子エミッタを採用する電界放射ディスプレイ Pending JPH07211245A (ja)

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