JPH07210834A - 磁気抵抗効果型磁気ヘッドとその製法および磁気ディスク装置 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【目的】表面クリーニングによる磁気抵抗効果膜の損傷
および磁気特性の劣化を防止し、高感度で信頼性の高い
磁気抵抗効果型磁気ヘッドの提供にある。 【構成】磁気抵抗効果を用いて磁気的信号を電気的信号
に変換する磁気抵抗効果膜６０と、該磁気抵抗効果膜に
信号検出電流を流すための一対の電極と、前記磁気抵抗
効果膜の両端部に配置され、該磁気抵抗効果膜に磁気的
に長手方向にバイアスを印加するための磁区制御層８０
を有する磁気抵抗効果型磁気ヘッドにおいて、前記磁気
抵抗効果膜６０と磁区制御層８０との間に強磁性膜から
なるバッファ層７０を設けたことを特徴とする磁気抵抗
効果型磁気ヘッド。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【産業上の利用分野】本発明は磁気ディスク装置、磁気
テープ等の磁気記録装置に用いられる磁気抵抗効果を利
用した磁気抵抗効果型磁気ヘッドおよびその製法に関す
るものである。

【０００２】

【従来の技術】磁気抵抗効果型磁気ヘッドの主要な問題
は、磁気抵抗効果膜に磁壁が存在した場合、磁気記録媒
体の磁性面から信号磁界により磁壁が不規則に移動し
て、バルクハウゼンノイズと呼ばれるノイズが発生する
ことである。このため、磁気抵抗効果膜内の磁壁を消滅
させる必要がある。

【０００３】磁気抵抗効果膜内の磁壁を消滅する方法と
して、米国特許第４,６６３,６８５号には、磁気抵抗効
果膜の上側両端部に反強磁性体で構成される磁区制御層
を設け、この反強磁性膜と磁気抵抗効果膜との界面で生
じる磁気的な結合（以下、交換結合と称す）を利用し
て、磁気抵抗効果膜の長手方向に縦バイアス磁界を印加
し、磁気抵抗効果膜内の磁気モーメントを一方向に揃え
る（一方向異方性）ことによって、磁気抵抗効果膜の中
央にある感磁部を単一磁区状態に維持し、バルクハウゼ
ンノイズを防止する方法が記載されている。上記の米国
特許で提案された材料は、磁気抵抗効果膜としてはＮｉ
Ｆｅ、反強磁性膜としてはＭｎ合金が開示されている。
そして、Ｍｎ合金中では磁気抵抗効果膜と交換結合が最
も大きい材料はＦｅＭｎとされている。

【０００４】磁気抵抗効果膜に一方向異方性を付与する
ためには、磁気抵抗効果膜に反強磁性膜をエピタキシャ
ル成長させることが必要である。そのためには磁気抵抗
効果膜を形成した後、同一装置内で反強磁性膜を連続的
に蒸着あるいはスパッタすることが必要である。

【０００５】磁気抵抗効果素子を作製する場合、磁気抵
抗効果素子を所定の形状にパターニングした後、反強磁
性膜を形成する。しかしこの場合、パターニング後の磁
気抵抗効果膜の表面には、数ｎｍの酸化皮膜が生成する
ことから、この上に反強磁性膜を形成しても磁気的な結
合がとれない。

【０００６】そこで、従来は図２（ａ）に示すプロセス
が採用されていた。つまり、磁気抵抗効果膜（ＭＲ膜）
をパターニングした後、磁気抵抗効果膜の表面をクリー
ニングして膜表面の酸化皮膜をエッチングにより除去
し、引き続き同一真空装置内で反強磁性膜を形成するも
のである。この表面クリーニング法としては、バイアス
スパッタあるいはＡｒ電子銃等でエッチングする方法を
用いていた。

【０００７】

【発明が解決しようとする課題】上記従来法では、磁気
抵抗効果膜の表面をクリーニングする工程が入るためプ
ロセスが複雑である。さらに、磁気抵抗効果膜は数１０
ｎｍ以下と薄く、クリーニング時のプラズマによって磁
気抵抗効果膜が損傷され、磁気特性が変化すると云う問
題がある。

【０００８】また、前記酸化皮膜の膜厚が一定でないこ
とから、これをエッチングする際、磁気抵抗効果膜もエ
ッチングされ、該磁気抵抗効果膜の磁気特性が劣化する
ばかりでなく、ヘッド特性にも大きく影響を及ぼすこと
になる。

【０００９】更に、酸化皮膜のクリーニング時には、試
料全体がプラズマ中に曝されることから、基板ホルダー
あるいは基板表面がエッチアウトされて、該エッチアウ
ト物が再付着するため、交換結合の強さ並びにその再現
性が問題となる。その結果、磁気抵抗効果膜が単一磁区
状態とならず磁壁が生じ、バルクハウゼンノイズが発生
すると云う問題がある。

【００１０】本発明の目的は、磁気抵抗効果膜と反強磁
性膜との間で再現性良く交換結合が形成される構造の磁
気抵抗効果型磁気ヘッドおよびその製法、並びに、該磁
気ヘッドを用いた磁気ディスク装置を提案することにあ
る。

【００１１】

【課題を解決するための手段】前記課題を解決する本発
明の要旨は次のとおりである。即ち、磁気抵抗効果を用
いて磁気的信号を電気的信号に変換する磁気抵抗効果膜
と、該磁気抵抗効果膜に信号検出電流を流すための一対
の電極と、前記磁気抵抗効果膜の両端部に配置され、該
磁気抵抗効果膜に磁気的に長手方向にバイアスを印加す
るための磁区制御層を有する磁気抵抗効果型磁気ヘッド
において、前記磁気抵抗効果膜と磁区制御層との間に強
磁性膜からなるバッファ層を設けたことを特徴とする磁
気抵抗効果型磁気ヘッドにある。また、上記バッファ層
の厚さとしては１〜５ｎｍが望ましい。

【００１２】上記本発明の磁気抵抗効果型磁気ヘッドの
製法は、図２（ｂ）のフロー図に示すように、前記磁気
抵抗効果膜６０を所定の形状にパターニングした後、直
ちに前記バッファ層７０と磁区制御層８０とを連続して
形成し、かつ、所定の形状にパターニングした後、磁気
抵抗効果膜の容易軸方向に磁界を印加しながら熱処理を
施すことにある。つまり、本発明の特徴は、磁気抵抗効
果膜６０とバッファ層７０との強磁性−強磁性カップリ
ングを応用し、酸化皮膜を介しても安定性のある交換結
合が得られる点にある。

【００１３】また、上記熱処理温度２６０〜３００℃、
保持時間６０〜２０時間で熱処理することにより、交換
結合の向上とブロッキング温度の向上を図ることができ
る。なお、本発明の磁気ディスク装置は、前記の磁気抵
抗効果型磁気ヘッドを搭載することにより得ることがで
きる。

【００１４】

【作用】磁気抵抗効果膜を所定の形状にパターニングし
た後、同じ真空装置内で直ちにバッファ層と磁区制御層
である反強磁性膜とを連続して形成することにより、磁
気抵抗効果膜表面をクリーニングすることなく、前記両
者間の交換結合を再現性良く形成することができる。従
って、従来法の表面クリーニングによる磁気抵抗効果膜
の損傷並びに磁気特性の劣化が防止できので、高感度で
信頼性の高い磁気抵抗効果型磁気ヘッドを得ることがで
きる。

【００１５】また、前記バルクハウゼンノイズは、適切
な熱処理を施すことにより交換結合が向上して防止で
き、かつ、ブロッキング温度が向上することから、熱履
歴による安定性が高くなる。

【００１６】さらにまた、磁気抵抗効果膜の表面クリー
ニングを省くことができるので、製造工程を短縮するこ
とができる。

【００１７】

【実施例】本発明の磁気抵抗効果型磁気ヘッドの一実施
例を図１を用いて説明する。

【００１８】磁気抵抗効果型磁気ヘッドは、非磁性セラ
ミック基板１０上に形成された下部磁気シールド膜２０
と、該磁気シールド膜２０上に下部ギャップ膜３０とを
備えている。この下部ギャップ膜３０上にソフト膜４
０，シャント膜５０および磁気抵抗効果膜６０とが形成
されている。

【００１９】磁気抵抗効果膜６０の少なくとも感磁部に
配置される分離膜６５と、この分離膜６５の上に所定の
箇所に所定間隔をおいて、分離膜６５と磁気抵抗効果膜
６０を覆うバッファ層７０と磁区制御層８０とが形成さ
れている。更に、その上に信号読出し用電極９０が形成
されている。

【００２０】上記各膜を覆うように上部ギャップ膜１０
０、上部磁気シールド膜１１０および保護膜１２０とが
形成され、構成されている。

【００２１】図１の磁気抵抗効果型磁気ヘッドは分離膜
６５を備えているが、該分離膜６５は省略してもよい。

【００２２】次に、各層、各膜の作用および材料につい
て説明する。

【００２３】上部磁気シールド膜１１０および下部磁気
シールド膜２０は、磁気抵抗効果膜６０に信号以外の磁
界が影響するのを防止し、磁気抵抗効果型磁気ヘッドの
信号分解能を高める作用を有する。これらの材料として
は、ＮｉＦｅ合金、ＮｉＣｏ合金、Ｃｏ系の非晶質合金
またはＦｅＳｉＡｌ合金等であり、これらの膜厚はおよ
そ０.５〜３μｍである。

【００２４】上記磁気シールド膜１１０および２０に隣
接して配置される上部ギャップ膜１００および下部ギャ
ップ膜３０は、磁気抵抗効果膜６０，上部磁気シールド
膜１１０および下部磁気シールド膜２０を電気的，磁気
的に隔離する作用を有し、ガラス、Ａｌ₂Ｏ₃等の非磁性
絶縁物よりなる。

【００２５】上部および下部ギャップ膜１００および３
０の膜厚は、磁気抵抗効果型磁気ヘッドの再生，分解能
に影響するため、磁気ディスク装置に望まれる記録密度
に依存し、通常０.１〜０.４μｍの範囲にある。

【００２６】磁気抵抗効果膜６０はＮｉＦｅ合金、Ｎｉ
Ｃｏ合金、ＮｉＦｅＣｏ合金のように、磁化の方向によ
って電気抵抗が変化する強磁性膜が用いられる。その膜
厚は、約０.０１〜０.０４μｍである。

【００２７】シャント膜５０およびソフト膜４０は、磁
気抵抗効果膜６０を高感度化するために、横バイアス磁
界を印加する作用を有する。シャント膜はＴｉ、Ｎｂ、
Ｔａ、Ｍｏ等の非磁性金属膜を用い、その膜厚は０.０
１〜０.０５μｍである。

【００２８】ソフト膜材料は、ＮｉＦｅＮｂ、ＮｉＦｅ
Ｒｈ、ＮｉＦｅＣｏまたはＣｏＺｒＭｏ等が用いられ、
その膜厚は０.０１〜０.０５μｍである。図１ではソフ
ト膜４０とシャント膜５０をバイアス磁界の印加手段と
して用いているが、どちらか一方のみでもよい。

【００２９】分離膜６５は、高抵抗金属膜、例えばＴ
ｉ、Ｔａ、Ｃ等であり、絶縁膜としてはＡｌ₂Ｏ₃、Ｓｉ
Ｏ₂、ＴｉＯ₂、ＺｒＯ₂等がよい。また、該絶縁膜に第
３元素を添加した材料で構成してもよい。

【００３０】バッファ層７０は、ＮｉＦｅ合金、ＮｉＣ
ｏ合金、ＮｉＦｅＣｏ合金のような強磁性膜が用いら
れ、磁気抵抗効果膜６０と強磁性結合し、磁区制御層８
０をバッファ層７０の上にエピタキシャル成長させる作
用を有する。

【００３１】磁区制御層８０は、磁気抵抗効果膜６０を
単磁区状態にするために長さ方向の縦バイアス磁界を与
える作用がある。その材料としてはＦｅＭｎ、ＣｏＰ
ｔ、ＣｒＭｎ等が用いられ、その膜厚は０.０１〜０.０
３μｍである。

【００３２】信号検出電極９０は、磁気抵抗効果膜６０
に十分な電流、例えば１×１０⁶〜２０×１０⁶Ａ／ｃｍ
²を流すため、通常、電気抵抗が小さいＣｕ、Ａｕ、Ｎ
ｂ、Ｔａ、Ｗ等の単層または積層膜が用いられる。

【００３３】次に、本発明の磁気抵抗効果型磁気ヘッド
の製法について述べる。先ず、基板１０にＮｉＦｅＮか
らなる膜厚０.５〜３μｍの下部磁気シールド膜２０を
形成する。下部磁気シールド膜２０の上に、下部ギャッ
プ膜３０、例えばＡｌ₂Ｏ₃膜を０.１μｍ以上形成す
る。更に、ソフト膜４０はＮｉＦｅＮｂを０.０２μ
ｍ、シャント膜５０はＴａ膜を０.０１５μｍ（０.０１
５〜０.０３μｍでも可）、磁気抵抗効果膜６０はＮｉ
Ｆｅ膜を０.０２μｍ形成し、所定の形状にミリング法
によりパターニングする。

【００３４】次に、磁気抵抗効果膜６０の上に分離膜６
５として、例えば、Ａｌ₂Ｏ₃膜を所定の位置に０.０１
５μｍ（０.０１〜０.０２μｍでも可）形成する。ここ
で、分離膜６５は、少なくとも磁気抵抗効果膜６０の感
磁部の位置に配置されるように形成する。

【００３５】従来は、図２（ａ）で示されるように、磁
気抵抗効果膜６０であるＮｉＦｅ膜の表面をクリーニン
グし、ＮｉＦｅ膜表面の酸化皮膜を除去してから、分離
膜６５の上に磁区制御層８０をＦｅＭｎ膜で形成してい
た。

【００３６】本発明は、図２（ｂ）に示すように、Ｎｉ
Ｆｅ膜をパターニングした後、直ちに同一装置内でバッ
ファ層７０をＮｉＦｅ膜で、そして、磁区制御層８０と
してＦｅＭｎ膜０.０２μｍ（０.０１〜０.０３μｍで
も可）を連続的に形成する。

【００３７】図３は、本発明の特徴である最適バッファ
層の膜厚と交換結合磁界との関係を調べたものである。

【００３８】磁気抵抗効果膜にＮｉＦｅ膜を、磁区制御
層にＦｅＭｎ膜を用い、両者の間にバッファ層としてＮ
ｉＦｅ膜（以下バッファＮｉＦｅ膜と呼ぶ）を用いた。
ＮｉＦｅ膜は、通常のパターニング工程と同様に処理さ
れており、表面には酸化皮膜が数ｎｍ生成している。Ｎ
ｉＦｅ膜およびＦｅＭｎ膜の膜厚は０.０４μｍであ
る。ガラス基板等の非晶質下地膜上に形成されたＦｅＭ
ｎ薄膜は常磁性を示し、ＮｉＦｅ膜に一方向異方性を付
与するためには、反強磁性膜であるγ−ＦｅＭｎ膜をＮ
ｉＦｅ膜上にエピタキシャル成長させなければならな
い。従って、パターニング工程により膜表面が酸化され
ているＮｉＦｅ膜上に直接ＦｅＭｎ膜を形成すると、図
３に示すようにＮｉＦｅ膜とＦｅＭｎ膜との間に交換相
互作用が生じないために交換結合磁界はゼロとなる。

【００３９】そこで、ＮｉＦｅ膜上にバッファ層として
同じＮｉＦｅ膜を形成すれば、両者は強磁性結合するも
のと考え、バッファＮｉＦｅ膜上に形成したＦｅＭｎ膜
はエピタキシャル成長し、ＮｉＦｅ膜とＦｅＭｎ膜との
間に交換結合が形成することを見出した。その際のバッ
ファＮｉＦｅ膜の膜厚は少なくとも１ｎｍは必要であ
り、それ未満では、バッファＮｉＦｅ膜が連続膜となら
ないため、ＮｉＦｅ膜とＦｅＭｎ膜との交換結合の強さ
が不十分となってしまう。

【００４０】また、交換結合の大きさはバッファＮｉＦ
ｅ膜の膜厚が１〜５ｎｍの範囲内では、約２５Ｏｅと一
定である。バッファＮｉＦｅ膜の膜厚が５ｎｍを超える
ると、例えば図１に示すように分離膜６５を有する場合
は、バッファＮｉＦｅ膜７０にポールが発生し、磁気抵
抗効果膜６０の感磁部の異方性磁界が大きり磁気特性が
劣化してしまう。また分離膜６５が無い場合では、磁気
抵抗効果膜の総膜厚が厚くなってしまうため、磁気ヘッ
ドとしての再生特性が悪くなる。従ってバッファ層の膜
厚は１〜５ｎｍが最適である。

【００４１】上記バッファ層７０と磁区制御層８０とを
形成した後電極９０を形成し、磁気抵抗効果膜６０の容
易軸方向に磁界を印加しながら、高真空中で熱処理を施
す。その際の最適熱処理条件について検討した結果を下
記に示す。

【００４２】図４に熱処理温度とＦｅＭｎ膜のブロッキ
ング温度の関係を示す。ここでブロッキング温度とは、
ＮｉＦｅ膜に付与された一方向異方性が消失する（交換
結合磁界がゼロとなる）温度を示している。

【００４３】ＮｉＦｅ膜およびＦｅＭｎ膜は同一装置内
で連続形成し、その厚さはいずれも０.０４μｍであ
る。また、酸化防止のためＦｅＭｎ膜の上にＡｌ₂Ｏ₃膜
を０.０４μｍ付けた。熱処理はＮｉＦｅ膜の容易軸方
向に外部磁界約２〜３ｋＯｅを印加しながら施した。保
持時間は６０時間である。

【００４４】図１の磁気抵抗効果型磁気ヘッドは、保護
膜１２０の上に書込み専用の磁気ヘッドを備えている。
この磁気ヘッドは作製時の温度が約２５０℃まで上がる
ため、上記ブロッキング温度は２５０℃よりも高いこと
が必要である。膜作製直後のブロッキング温度は約１６
０℃と低いが、熱処理を施すことによってブロッキング
温度は高くなり、例えば、熱処理温度が２６０℃ではブ
ロッキング温度は約２６０℃となる。しかし、熱処理温
度が３００℃以上になると磁気抵抗効果膜であるＮｉＦ
ｅ膜の磁気特性が劣化する。従って、保持時間が６０時
間の場合の最適な熱処理温度は２６０〜２８０℃であ
る。

【００４５】次に、熱処理時間とブロッキング温度との
関係を図５に示す。熱処理温度は２７０℃（●）と２８
０℃（○）で、その他の条件は上記と同様である。ブロ
ッキング温度が２５０℃以上になるのは、熱処理温度が
２７０℃で約４０時間、２８０℃で約３０時間で、熱処
理温度を高くすることにより保持時間が短くてよい。上
記の結果から最適な熱処理温度は２６０〜３００℃、熱
処理時間は２０〜６０時間である。

【００４６】熱処理後、上部ギャップ膜１００および上
部磁気シールド膜１１０を形成することにより、本発明
の磁気抵抗効果型磁気ヘッドの作製が完了する。

【００４７】図６は、本発明の磁気ディスク装置の概略
構造を示す図である。磁気ディスク装置は、等間隔で一
軸（スピンドル２０２０）上に積層された複数の磁気デ
ィスク群２０４０と、スピンドル２０２０を駆動するモ
ーター２０３０と、移動可能なキャリッジ２０６０を駆
動するボイスコイルモーター２１３０を構成するマグネ
ット２０８０およびボイスコイル２０７０と、これらを
支持するベース２０１０を備えている。

【００４８】また、磁気ディスク制御装置等の上位装置
２１２０から送出される信号に従って、ボイスコイルモ
ーター２１３０を制御するボイスコイルモーター制御回
路２０９０を備えている。更に、上位装置２１２０から
送られてきたデータを書込み方式に対応し、磁気ヘッド
に流すべき電流に変換する機能と、磁気ディスク２０４
０から送られてきたデータを増幅し、ディジタル信号に
変換する機能とを有するライト／リード回路２１００を
備え、このライト／リード回路２１００は、インターフ
ェイス２１１０を介して、上位装置２１２０と接続され
ている。

【００４９】次に、この磁気ディスク装置の動作を、読
出しの場合を例に説明する。

【００５０】上位装置２１２０から、インターフェイス
２１１０を介してボイスコイルモーター制御回路２０９
０からの制御電流によって、ボイスコイルモーター２１
３０がキャリッジ２０６０を駆動させ、指示されたデー
タが記憶されているトラックの位置に、磁気ヘッド群２
０５０を移動させ、正確に位置付けする。この位置付け
は、ボイスコイルモーター制御回路２０９０と接続され
ている位置決め用磁気ヘッド２０５０ａが、磁気ディス
ク２０４０上の位置を検出して提供し、データ用磁気ヘ
ッド２０５０の位置制御によって行われる。

【００５１】また、ベース２０１０に支持されたモータ
２０３０は、スピンドル２０２０に取り付けた複数の磁
気ディスク２０４０（直径３.５インチ）を回転させ
る。

【００５２】次に、ライト／リード回路２１００からの
信号に従って、指示された所定の磁気ヘッドを選択し、
指示された領域の先頭位置を検出後、磁気ディスク上の
データ信号を読出す。この読出しは、ライト／リード回
路２１００に接続されているデータ用磁気ヘッド２０５
０が、磁気ディスク２０４０との間の信号の授受により
行なわれる。読出されたデータは所定の信号に変換さ
れ、上位装置２１２０に送出される。

【００５３】高性能磁気ディスク装置としては、磁気デ
ィスク上の面記録密度は５０Ｍｂ／ｉｎ²以上、線記録
密度は２.５ｋｂ／ｉｎ以上、トラック密度は２０００
トラック／ｉｎ以上であることが望ましい。

【００５４】本発明の磁気抵抗効果型磁気ヘッドを使用
することによって、記録密度が５００Ｍｂ／ｉｎ²以上
の磁気ディスク装置を作製することが可能である。

【００５５】

【発明の効果】磁気抵抗効果膜を所定の形状にパターニ
ングした後、バッファ層と磁区制御層である反強磁性膜
とを連続的に形成することで、磁気抵抗効果膜の表面を
クリーニングすることなく磁気抵抗効果膜と反強磁性膜
との間の交換結合を再現性良く形成することができる。
これによって、従来の表面クリーニングによる磁気抵抗
効果膜の損傷および磁気特性の劣化が防止でき、高感度
で信頼性の高い磁気抵抗効果型磁気ヘッドを得ることが
できた。

【００５６】また、熱処理工程の最適化により、交換結
合が向上し、バルクハウゼンノイズを防止することがで
き、ブロッキング温度が向上することから、熱履歴に対
する安定性が高くなり、プロセスマージンを広げること
ができる。さらに、従来の磁気抵抗効果膜の表面クリー
ニングの工程を省くことができる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の一実施例の磁気抵抗効果型磁気ヘッド
の概略断面図である。

【図２】従来および本発明の磁気抵抗効果素子の作製工
程図である。

【図３】バッファ層（ＮｉＦｅ膜）を介した場合のバッ
ファ層の膜厚と交換結合磁界の強さを示すグラフであ
る。

【図４】熱処理温度とブロッキング温度との関係を示す
グラフである。

【図５】熱処理時間とブロッキング温度との関係を示す
グラフである。

【図６】磁気ディスク装置の一例を示す構成図である。

【符号の説明】

１０…基板、２０…下部磁気シールド膜、３０…下部ギ
ャップ膜、４０…ソフト膜、５０…シャント膜、６０…
磁気抵抗効果膜、６５…分離膜、７０…バッファ層、８
０…磁区制御層、９０…電極、１００…上部ギャップ
膜、１１０…上部磁気シールド膜、１２０…保護膜、２
０１０…ベース、２０２０…スピンドル、２０３０…モ
ーター、２０４０…磁気ディスク群、２０５０…データ
用磁気ヘッド、２０５０ａ…位置決め用磁気ヘッド、２
０６０…キャリッジ、２０７０…ボイスコイル、２０８
０…マグネット、２０９０…ボイスコイルモーター制御
回路、２１００…ライト／リード回路（Ｒ／Ｗ電子回
路）、２１１０…インターフェイス、２１２０…上位装
置、２１３０…ボイスコイルモーター。

フロントページの続き (72)発明者 由比藤 勇 神奈川県小田原市国府津2880番地 株式会 社日立製作所ストレージシステム事業部内

Claims (9)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 磁気抵抗効果を用いて磁気的信号を電気
   的信号に変換する磁気抵抗効果膜と、該磁気抵抗効果膜
   に信号検出電流を流すための一対の電極と、前記磁気抵
   抗効果膜の両端部に配置され、該磁気抵抗効果膜に磁気
   的に長手方向にバイアスを印加するための磁区制御層を
   有する磁気抵抗効果型磁気ヘッドにおいて、 前記磁気抵抗効果膜と磁区制御層との間に強磁性膜から
   なるバッファ層を設けたことを特徴とする磁気抵抗効果
   型磁気ヘッド。
2. 【請求項２】 前記強磁性膜からなるバッファ層の膜厚
   が１〜５ｎｍである請求項１に記載の磁気抵抗効果型磁
   気ヘッド。
3. 【請求項３】 前記バッファ層が前記磁区制御層と同じ
   材質の膜厚１〜５ｎｍの膜が形成されている請求項１ま
   たは２に記載の磁気抵抗効果型磁気ヘッド。
4. 【請求項４】 磁気抵抗効果を用いて磁気的信号を電気
   的信号に変換する磁気抵抗効果膜と、該磁気抵抗効果膜
   に信号検出電流を流すための一対の電極と、前記磁気抵
   抗効果膜の両端部に配置され、該磁気抵抗効果膜に磁気
   的に長手方向にバイアスを印加するための磁区制御層を
   有する磁気抵抗効果型磁気ヘッドの製法において、 前記磁気抵抗効果膜を所定の形状にパターニングした
   後、直ちに前記バッファ層と磁区制御層とを連続して形
   成し、かつ、所定の形状にパターニングした後、磁気抵
   抗効果膜の容易軸方向に磁界を印加しながら熱処理を施
   すことを特徴とする磁気抵抗効果型磁気ヘッドの製法。
5. 【請求項５】 前記熱処理が２６０℃〜３００℃で６０
   〜２０時間加熱する請求項４に記載の磁気抵抗効果型磁
   気ヘッドの製法。
6. 【請求項６】 スピンドル軸上に積層された複数の磁気
   ディスク群と、前記スピンドルを回転駆動するモーター
   と、キャリッジ移動を駆動するボイスコイルモーターを
   構成するマグネットおよびボイスコイルと、これらを支
   持するベースと、 上位装置から送出される信号に基づきボイスコイルモー
   ターを制御するボイスコイルモーター制御回路を備え、 上位装置からのデータを書込み方式に対応して磁気ヘッ
   ドへ流す電流に変換する機能と、磁気ディスクからのデ
   ータをディジタル信号に変換する機能とを有するライト
   ／リード回路備え、 前記ライト／リード回路は、インターフェイスを介し
   て、前記上位装置と接続されている磁気ディスク装置で
   あって、 前記磁気ヘッドは、磁気抵抗効果を用いて磁気的信号を
   電気的信号に変換する磁気抵抗効果膜と、該磁気抵抗効
   果膜に信号検出電流を流すための一対の電極と、前記磁
   気抵抗効果膜の両端部に配置され、該磁気抵抗効果膜に
   磁気的に長手方向にバイアスを印加するための磁区制御
   層を有しており、 前記磁気抵抗効果膜と磁区制御層との間に強磁性膜から
   なるバッファ層を設けたことを特徴とする磁気ディスク
   装置。
7. 【請求項７】 前記磁気ヘッドの強磁性膜からなるバッ
   ファ層の膜厚が１〜５ｎｍである請求項６に記載の磁デ
   ィスク装置。
8. 【請求項８】 前記磁気ヘッドのバッファ層が磁区制御
   層と同じ材質の膜で形成されている請求項６または７に
   記載の磁ディスク装置。
9. 【請求項９】 前記磁磁気ヘッドの記録媒体の記録密度
   が５００Ｍｂ／ｉｎ²以上である請求項６，７または８
   に記載の磁気ディスク装置。