[go: up one dir, main page]

JPH0718768B2 - 真空中で熱処理さるべき物体の表面特性の安定化方法及び圧力センサの作製方法 - Google Patents

真空中で熱処理さるべき物体の表面特性の安定化方法及び圧力センサの作製方法

Info

Publication number
JPH0718768B2
JPH0718768B2 JP4320097A JP32009792A JPH0718768B2 JP H0718768 B2 JPH0718768 B2 JP H0718768B2 JP 4320097 A JP4320097 A JP 4320097A JP 32009792 A JP32009792 A JP 32009792A JP H0718768 B2 JPH0718768 B2 JP H0718768B2
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
diaphragm
substrate
glass
pressure sensor
spin
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Expired - Fee Related
Application number
JP4320097A
Other languages
English (en)
Other versions
JPH05264384A (ja
Inventor
ヘークナー フランク
ドレーヴェス ウルフェルト
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Endress and Hauser SE and Co KG
Original Assignee
Endress and Hauser SE and Co KG
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Endress and Hauser SE and Co KG filed Critical Endress and Hauser SE and Co KG
Publication of JPH05264384A publication Critical patent/JPH05264384A/ja
Publication of JPH0718768B2 publication Critical patent/JPH0718768B2/ja
Anticipated expiration legal-status Critical
Expired - Fee Related legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • G—PHYSICS
    • G01—MEASURING; TESTING
    • G01L—MEASURING FORCE, STRESS, TORQUE, WORK, MECHANICAL POWER, MECHANICAL EFFICIENCY, OR FLUID PRESSURE
    • G01L9/00—Measuring steady of quasi-steady pressure of fluid or fluent solid material by electric or magnetic pressure-sensitive elements; Transmitting or indicating the displacement of mechanical pressure-sensitive elements, used to measure the steady or quasi-steady pressure of a fluid or fluent solid material, by electric or magnetic means
    • G01L9/0041—Transmitting or indicating the displacement of flexible diaphragms
    • G01L9/0072—Transmitting or indicating the displacement of flexible diaphragms using variations in capacitance
    • G01L9/0075—Transmitting or indicating the displacement of flexible diaphragms using variations in capacitance using a ceramic diaphragm, e.g. alumina, fused quartz, glass
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C03—GLASS; MINERAL OR SLAG WOOL
    • C03C—CHEMICAL COMPOSITION OF GLASSES, GLAZES OR VITREOUS ENAMELS; SURFACE TREATMENT OF GLASS; SURFACE TREATMENT OF FIBRES OR FILAMENTS MADE FROM GLASS, MINERALS OR SLAGS; JOINING GLASS TO GLASS OR OTHER MATERIALS
    • C03C17/00—Surface treatment of glass, not in the form of fibres or filaments, by coating
    • C03C17/22—Surface treatment of glass, not in the form of fibres or filaments, by coating with other inorganic material
    • C03C17/23—Oxides
    • C03C17/25—Oxides by deposition from the liquid phase
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C04—CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
    • C04B—LIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
    • C04B37/00—Joining burned ceramic articles with other burned ceramic articles or other articles by heating
    • C04B37/003—Joining burned ceramic articles with other burned ceramic articles or other articles by heating by means of an interlayer consisting of a combination of materials selected from glass, or ceramic material with metals, metal oxides or metal salts
    • C04B37/006—Joining burned ceramic articles with other burned ceramic articles or other articles by heating by means of an interlayer consisting of a combination of materials selected from glass, or ceramic material with metals, metal oxides or metal salts consisting of metals or metal salts
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C04—CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
    • C04B—LIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
    • C04B37/00—Joining burned ceramic articles with other burned ceramic articles or other articles by heating
    • C04B37/02—Joining burned ceramic articles with other burned ceramic articles or other articles by heating with metallic articles
    • C04B37/023—Joining burned ceramic articles with other burned ceramic articles or other articles by heating with metallic articles characterised by the interlayer used
    • C04B37/026—Joining burned ceramic articles with other burned ceramic articles or other articles by heating with metallic articles characterised by the interlayer used consisting of metals or metal salts
    • G—PHYSICS
    • G01—MEASURING; TESTING
    • G01L—MEASURING FORCE, STRESS, TORQUE, WORK, MECHANICAL POWER, MECHANICAL EFFICIENCY, OR FLUID PRESSURE
    • G01L9/00—Measuring steady of quasi-steady pressure of fluid or fluent solid material by electric or magnetic pressure-sensitive elements; Transmitting or indicating the displacement of mechanical pressure-sensitive elements, used to measure the steady or quasi-steady pressure of a fluid or fluent solid material, by electric or magnetic means
    • G01L9/0041—Transmitting or indicating the displacement of flexible diaphragms
    • G01L9/0051—Transmitting or indicating the displacement of flexible diaphragms using variations in ohmic resistance
    • G01L9/0052—Transmitting or indicating the displacement of flexible diaphragms using variations in ohmic resistance of piezoresistive elements
    • G01L9/0055—Transmitting or indicating the displacement of flexible diaphragms using variations in ohmic resistance of piezoresistive elements bonded on a diaphragm
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C03—GLASS; MINERAL OR SLAG WOOL
    • C03C—CHEMICAL COMPOSITION OF GLASSES, GLAZES OR VITREOUS ENAMELS; SURFACE TREATMENT OF GLASS; SURFACE TREATMENT OF FIBRES OR FILAMENTS MADE FROM GLASS, MINERALS OR SLAGS; JOINING GLASS TO GLASS OR OTHER MATERIALS
    • C03C2217/00—Coatings on glass
    • C03C2217/20—Materials for coating a single layer on glass
    • C03C2217/21—Oxides
    • C03C2217/213—SiO2
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C03—GLASS; MINERAL OR SLAG WOOL
    • C03C—CHEMICAL COMPOSITION OF GLASSES, GLAZES OR VITREOUS ENAMELS; SURFACE TREATMENT OF GLASS; SURFACE TREATMENT OF FIBRES OR FILAMENTS MADE FROM GLASS, MINERALS OR SLAGS; JOINING GLASS TO GLASS OR OTHER MATERIALS
    • C03C2218/00—Methods for coating glass
    • C03C2218/10—Deposition methods
    • C03C2218/11—Deposition methods from solutions or suspensions
    • C03C2218/113—Deposition methods from solutions or suspensions by sol-gel processes
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C04—CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
    • C04B—LIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
    • C04B2235/00—Aspects relating to ceramic starting mixtures or sintered ceramic products
    • C04B2235/65—Aspects relating to heat treatments of ceramic bodies such as green ceramics or pre-sintered ceramics, e.g. burning, sintering or melting processes
    • C04B2235/658—Atmosphere during thermal treatment
    • C04B2235/6581—Total pressure below 1 atmosphere, e.g. vacuum
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C04—CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
    • C04B—LIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
    • C04B2237/00—Aspects relating to ceramic laminates or to joining of ceramic articles with other articles by heating
    • C04B2237/02—Aspects relating to interlayers, e.g. used to join ceramic articles with other articles by heating
    • C04B2237/04—Ceramic interlayers
    • C04B2237/06—Oxidic interlayers
    • C04B2237/062—Oxidic interlayers based on silica or silicates
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C04—CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
    • C04B—LIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
    • C04B2237/00—Aspects relating to ceramic laminates or to joining of ceramic articles with other articles by heating
    • C04B2237/02—Aspects relating to interlayers, e.g. used to join ceramic articles with other articles by heating
    • C04B2237/10—Glass interlayers, e.g. frit or flux
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C04—CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
    • C04B—LIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
    • C04B2237/00—Aspects relating to ceramic laminates or to joining of ceramic articles with other articles by heating
    • C04B2237/02—Aspects relating to interlayers, e.g. used to join ceramic articles with other articles by heating
    • C04B2237/12—Metallic interlayers
    • C04B2237/122—Metallic interlayers based on refractory metals
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C04—CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
    • C04B—LIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
    • C04B2237/00—Aspects relating to ceramic laminates or to joining of ceramic articles with other articles by heating
    • C04B2237/02—Aspects relating to interlayers, e.g. used to join ceramic articles with other articles by heating
    • C04B2237/12—Metallic interlayers
    • C04B2237/125—Metallic interlayers based on noble metals, e.g. silver
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C04—CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
    • C04B—LIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
    • C04B2237/00—Aspects relating to ceramic laminates or to joining of ceramic articles with other articles by heating
    • C04B2237/02—Aspects relating to interlayers, e.g. used to join ceramic articles with other articles by heating
    • C04B2237/12—Metallic interlayers
    • C04B2237/126—Metallic interlayers wherein the active component for bonding is not the largest fraction of the interlayer
    • C04B2237/127—The active component for bonding being a refractory metal
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C04—CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
    • C04B—LIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
    • C04B2237/00—Aspects relating to ceramic laminates or to joining of ceramic articles with other articles by heating
    • C04B2237/30—Composition of layers of ceramic laminates or of ceramic or metallic articles to be joined by heating, e.g. Si substrates
    • C04B2237/32—Ceramic
    • C04B2237/34—Oxidic
    • C04B2237/343—Alumina or aluminates
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C04—CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
    • C04B—LIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
    • C04B2237/00—Aspects relating to ceramic laminates or to joining of ceramic articles with other articles by heating
    • C04B2237/30—Composition of layers of ceramic laminates or of ceramic or metallic articles to be joined by heating, e.g. Si substrates
    • C04B2237/40—Metallic
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C04—CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
    • C04B—LIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
    • C04B2237/00—Aspects relating to ceramic laminates or to joining of ceramic articles with other articles by heating
    • C04B2237/50—Processing aspects relating to ceramic laminates or to the joining of ceramic articles with other articles by heating
    • C04B2237/59—Aspects relating to the structure of the interlayer
    • C04B2237/592—Aspects relating to the structure of the interlayer whereby the interlayer is not continuous, e.g. not the whole surface of the smallest substrate is covered by the interlayer
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C04—CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
    • C04B—LIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
    • C04B2237/00—Aspects relating to ceramic laminates or to joining of ceramic articles with other articles by heating
    • C04B2237/50—Processing aspects relating to ceramic laminates or to the joining of ceramic articles with other articles by heating
    • C04B2237/70—Forming laminates or joined articles comprising layers of a specific, unusual thickness
    • C04B2237/708—Forming laminates or joined articles comprising layers of a specific, unusual thickness of one or more of the interlayers
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C04—CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
    • C04B—LIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
    • C04B2237/00—Aspects relating to ceramic laminates or to joining of ceramic articles with other articles by heating
    • C04B2237/50—Processing aspects relating to ceramic laminates or to the joining of ceramic articles with other articles by heating
    • C04B2237/72—Forming laminates or joined articles comprising at least two interlayers directly next to each other
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
    • Y10T—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION
    • Y10T29/00—Metal working
    • Y10T29/43—Electric condenser making
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
    • Y10T—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION
    • Y10T29/00—Metal working
    • Y10T29/49—Method of mechanical manufacture
    • Y10T29/49002—Electrical device making
    • Y10T29/49082—Resistor making
    • Y10T29/49103—Strain gauge making

Landscapes

  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Ceramic Engineering (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Structural Engineering (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • General Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Geochemistry & Mineralogy (AREA)
  • Life Sciences & Earth Sciences (AREA)
  • Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
  • Measuring Fluid Pressure (AREA)
  • Surface Treatment Of Glass (AREA)
  • Crystals, And After-Treatments Of Crystals (AREA)
  • Formation Of Insulating Films (AREA)

Description

【発明の詳細な説明】
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明はセラミック−ガラス又は
単結晶絶縁材料から成る物体の表面特性の安定化方法で
あって、上記物体は真空中で熱処理例えば高温熱処理を
受けるようにした方法及び圧力センサの作製方法に関す
る。
【０００２】
【従来の技術】その種プロセスステップは例えば圧力セ
ンサ作製の際、適用される。例えば、ＵＳ−Ａ５０５０
０３４には少なくとも縁にて密に閉鎖された室の形成下
で、例えば、相互に平行に所定の間隔をおいて接合され
るべき、基体とダイヤフラムとを有する容量性圧力セン
サの作製方が記載されている。その際基体および／又は
ダイヤフラムはセラミックス、ガラス又は単結晶絶縁材
料から成る。上記プロセスは次のステップを有する。当
該ダイヤフラムは炭化珪素、ニオブ又はタンタルから成
る一方のコンデンサ電極として用いられる膜で被覆され
る。当該基体は事後的に室内に配される領域にて前記の
伝導性材料のうちの１つから成る第２等のコンデンサ電
極として用いられる少なくとも１つの別の膜で被覆され
る。当該コンデンサ電極はそれにより基体を介して接触
接続される。基体及びダイヤフラムは同時にスペーサと
して用いられる活性硬ろうから成るリング状成形部材を
用いて、又は当該間隔の維持に十分な活性硬ろうペース
トの量を用いて高真空中でろう付けされる。
【０００３】そのようにして作製された圧力センサとは
なお極めて強気に対して敏感であり、それにより、殊に
コンデンサのＱないし品質ないし特性の良さを損なう。
それに対してなされた試験により明らかになったところ
によれば当該の湿気−感度（湿気に対する影響の受け易
さ）は高真空−ろう付中のストレーンゲージの材料又は
電極の変化に基づかないで、次の事項に起因する、即ち
当該のプロセスステップにおいて、基体及びダイヤフラ
ムの被わわれてない表面部分が著しく変化し、それも、
著しく良好な絶縁性の状態に保たないことなく、半伝導
性となり著しく湿気に敏感となるという事項に起因す
る。
【０００４】而して、夫々６０ｐＦの定格容量の測定−
及び基準コンデンサを有する容量性試験圧力センサは３
０％から８５％への相対強度の変化の際（夫々２０℃の
温度のもとで）圧力零点（基準点）にて１．５ｐＦの測
定容量差及び０．０５のダイジェント−デルタ差並びに
３ｐＦの基準−容量差（０．１のタンジェントデルタ差
のもとで）を示した。
【０００５】更に、９６％純度のアルミニウム酸化物−
セラミックから成る試験基体（この基体上には上記の測
定−及び基準コンデンサの一方の電極に相応する２つの
同心的被覆物が１６ｍｍの内側電極の直径のもとで１ｍ
ｍの間隔を以って被着されている）は乾燥雰囲気のもと
で（＝０％相対湿度）高真空ろう付けの前に、抵抗値４
×１０13Ω（当該両電極間にて測定された抵抗値）を示
し、一方、これに対して、７０％相対湿度（同様に２０
℃のもとで）１×１０11Ωの抵抗値を示した。
【０００６】上記の試験により得られた認識によれば、
高真空におけるろう付けにより、形成さるべき室内で露
出されないサブストレート及びダイヤフラムの表面部分
が、酸素原子又は窒素原子を失なう、すなわち、それら
の表面部分は還元される。その結果、それらの表面部分
は半伝導性になり、それにより、コンデンサのＱ（品質
ないし特性の良さ）及び容量変化が生ぜしめられる。
【０００７】よって、一般的に、真空−湿度（熱）−プ
ロセスによっては処理される物体の表面特性が影響を受
けない訳にはゆかず、大抵は悪影響を与えるものとな
る。
【０００８】
【発明の目的】本発明の目的ないし課題とするところは
上記の従来技術の問題点を克服し真空中で温度、熱処理
を受けるセラミック、ガラス又は単結晶絶縁材料から成
る物体の表面特性の悪化を回避し、更に、容量性又は抵
抗性圧力センサの著しい湿度依存性（敏感性）の回避し
得ることにある。
【０００９】
【発明の構成】上記の課題の解決のため本発明によれ
ば、セラミック・ガラス又は単結晶絶縁材料から成る物
体の表面特性の安定化方法であって、上記物体は真空中
で熱処理を受けるようにした方法において、上記物体上
には上記の熱処理前に、せいぜい１０％の２酸化珪素当
量を有するスピン−ホン−ガラス溶液（Ｓｐｉｎ−ｏｎ
−ｇｌａｓｓ−Ｓｏｌｕｔｉｏｎ）から成る薄膜が、ス
ピニング（回転）又はスプレー（吹付け）により被着及
び乾燥されるようにしたのでる。
【００１０】本発明の請求項２の手法によれば基体とダ
イヤフラムとを有する容量性圧力センサの作製方法であ
って、上記の基体とダイヤフラムは少なくとも縁部に密
に閉鎖されている室の形成下で例えば所定の間隔をおい
て相互に平行に接合さるべきものであり、ここにおい
て、基体および／又はダイヤフラムはセラミック、ガラ
ス又は単結晶絶縁材料から成るようにした方法におい
て、次の各ステップを有する、即ち、 −上記ダイヤフラムは一方のコンデンサ電極として用い
られる、炭火珪素、ニオブ又はタンタルから成る膜で被
覆されるようにし、 −上記基体は、事後的に、室内部に配される領域にて、
上記の導電性材料のうちの１つから成る第２の等のコン
デンサ電極として用いられる少なくとも１つの別の膜で
被覆されるようにし、 −当該の被覆を施されたダイヤフラム及び基体の夫々の
表面全体上にはせいぜい１０％の２酸化珪素等量を有す
るスピン−オン−ガラス溶液（Ｓｐｉｎ−ｏｎ−ｇｌａ
ｓｓ Ｓｏｌｕｔｉｏｎ）から成る薄膜が、スピニング
（回転）ないしスプレーにより被着され乾燥され、 −上記コンデンサ電極は基体と、場合によりダイヤフラ
ムを通って接触接続され、−基体及びダイヤフラムはス
ペーサとしても用いられる、活性硬ろうから成る成形部
材を用いて、又は当該間隔の維持に十分な活性硬質ろう
ペースト量を用いてろう付されるようにしたのである。
【００１１】本発明の請求項３の手法によれば、基体と
ダイヤフラムとを有する抵抗性圧力センサの作製方法で
あって、上記の基体とダイヤフラムは少なくとも縁部に
て密に閉鎖されている室の形成下で例えば所定の間隔を
おいて相互に平行に接合さるべきものであり、ここにお
いて、基体および／又はダイヤフラムはセラミック、ガ
ラス又は単結晶絶縁材料から成るようにした方法におい
て、次の各ステップを有する、即ち、 −上記ダイヤフラムは事後的に室内に位置せしめられる
領域にて、少なくとも１つのストレインゲージで被覆さ
れるようにし、 −当該の被覆を施されたダイヤフラムの夫々の表面全
体、及び当該のダイヤフラム表面部分に事後的に対向す
る基体の表面上にはせいぜい１０％の２酸化珪素等量を
有するスピン−オン−ガラス溶液（Ｓｐｉｎ−ｏｎ−ｇ
ｌａｓｓ Ｓｏｌｕｔｉｏｎ）から成る薄膜が、スピニ
ング（回転）ないしスプレーにより被着され乾燥され、 −当該ストレインゲージはそれによりダイヤフラムを介
して接触接続せしめられるようにし、 −基体及びダイヤフラムはスペーサとしても用いられ
る、活性硬ろうから成る成形部材２０′を用いて、又は
当該間隔の維持に十分な活性硬質ろうペースト量を用い
てろう付されるようにしたのである。
【００１２】請求項２の本発明の対象の発展形態によれ
ば、当該コンデンサ電極はスピン−オン−ガラス溶液の
被着前に保護層で被覆される。
【００１３】本発明において使用されるスピン−オン−
ガラス溶液は従来は、セラミック、ガラス又は単結晶、
絶縁材料とは全く別の材料から成る生成物の特性のクラ
スのものの作製の場合のみ通有、慣例であり、すなわ
ち、半導体技術にてＩＣ回路の作製の際、また、他の目
的にも、即ち、それの表面の平坦化のためにも、つま
り、多量のプロセスステップにより形成される表面段状
部の平坦化にも用いられ得る。例えば下記の論文を参照
し得る。Ｓ．Ｋ．Ｇｕｐｔａ著述による論文“Ｓｐｉｎ
−ｏｎ Ｇｌａｓｓ ｆｏｒ Ｄｉｅｌｅｃｔｒｉｃ
Ｐｌａｎａｒｉｚａｔｉｏｎ”（雑誌“Ｍｉｃｒｏｅｌ
ｅｃｔｒ ｏｎｉｃ Ｍａｎｕｆａｃｔｕｒｉｎｇ ａ
ｎｄ Ｔｅｓｔｉｎｇ”，中所載）Ａｐｒｉｌ １９８
９。
【００１４】注目すべきことには上記論文中に記載され
ているスピン−オン−ガラス溶液（“Ｓｐｉｎ−ｏｎ−
ｇｌａｓｓ−Ｓｏｌｕｔｉｏｎ”）は上記の材料におけ
る上記の欠点の除去のため用いられ得るのである。
【００１５】本発明を図示の実施例を用いて詳述し、当
該の図中同じ部分には同じ参照符号が付されている。
【００１６】
【実施例】本発明の基本思想を、図示の圧力センサの作
製方法に関連して説明する、即ち、請求項１の対象に対
する別個の固有の汎用的に該当する図は存在せず、図示
を行なうとすれば、薄膜の施された物体（センサ等）の
うちの任意の１例を示すことになるためである。
【００１７】図１及び図２に示す容量性圧力センサ１０
は面平行の面を有する円形ディスクの形態のダイヤラム
１１を有し、上記ダイヤフラムは所定間隔ｄをおいて当
該周辺に円形の基体１２に接合されている。その結果基
体１２の扁平な表面とこの表面に対向する、ダイヤフラ
ム１１の面との間に、室１３が形成される。
【００１８】ダイヤラム１１はセラミックス有利には９
６重量％の純度のアルミニウム酸化物−セラミックス又
はガラス又は単結晶材料例えばサファィアから作製され
ていてもよい。ダイヤフラム１１と基体１２の材料は互
いに異なってもよい。
【００１９】ダイヤラム１１は弾性的であってそれによ
って、それに及ぼされる力ないし相応の圧力のもとで変
形され得る。一方基体１２は内実で剛性に形成されてい
てもよく、こことは例えばダイヤグラムに比してより大
きな厚さにより達成される。但し、基体は所望の場合は
ダイヤグラム１１と同様に扁平で弾性的従って可撓性の
ディスクとして構成されていてもよい。
【００２０】ダイヤラム１１と基体１２との互いに向か
い合う面にはそれぞれ円形で適当な金属（例えばニオ
ブ、タンタル又は導電性炭化珪素から成るコンデンサ電
極１４，１５が取付けられており、しかも室１３内で互
いに間隔を置きながら相対向して位置している。この場
合、電極１４はダイヤグラム１１を完全に被覆している
が、室１３の範囲だけに取付けられていてもよい。さら
に上記両電極１４，１５はそれぞれ室側の自由表面にて
保護層２１，２２によって被覆されていてよい。図１及
び図２に示すようにこれらの保護層２１，２２は例えば
上記両電極１４，１５を成す材料の酸化から作製されて
いる。タンタルの場合は有利に五酸化タンタルである。
その場合ダイヤルフラム電極１４の接触接続は接合（継
ぎ目）個所の活性硬ろう及び接続導体１６を介して行な
われる（このことは必須ではない）。
【００２１】例えばダイヤフラム電極が上述のようにダ
イヤラム表面を被わないで、たんに室１４３の領域にて
のみ設けられている場合には当該ダイヤフラム電極はダ
イヤフラム１１を通ってその裏面（背面）へ、同じよう
に（基体の電極におけると同じように）接触接続さるべ
きである。このために、接続導体１６及び接続導体１７
は活性硬ろう挿入物１８，１９を用いて接触接続されて
いる。上述の挿入物の代わりに、活性硬ろうで被覆され
た接続体を用いることもできる。
【００２２】活性硬ろうは少なくとも１つの著しく反応
性の元素例えば、チタン、ジルコニウム、ベリリウム、
ハフニウム、又はタンタルを含む硬ろうである。上記の
活性元素はろう付中ろう付さるべき部材の表面を濡ら
す。酸化物セラミック（酸化アルミニウム−セラミッ
ク）の場合には酸素に対する上記活性元素の親和性によ
りセラミックとの反応が生ぜしめれられ、それにより、
混合酸化物及び自由な化学的原子価の生成がなされる。
硬ろうの反応成分は他の合金元素のマトリクス中に、例
えば銀／銅中に埋込まれ、それにより本来の硬ろう金属
（材料）が形成される。
【００２３】２つの電極１４，１５は当該の容量がそれ
の間隔に依存するコンデンサを形成する。ダイヤフラム
１１が力又は圧力の作用下で変形すると、電極の間隔
が、もって圧力センサの容量が変化する。この変化は接
続導体１６，１７に接続さるべき電子回路を用いて測定
され、従ってダイヤフラム１１に作用する圧力ないし力
に対する尺度量であり得る。
【００２４】図３の断面図に示す圧力センサ１０′は面
平行の面を有する円形ディスクの形態のダイヤフラム１
１′を有し、上記ダイヤフラムは所定の間隔ｄをおいて
円形の基体１２′にその周囲に接合されていて、その結
果基体１２′の上面とダイヤフラム１１′の対向する面
との間に室１３′が形成されている。基体とダイヤフラ
ムの弾性及び使用可能な材料に関しては容量性センサに
ついて述べたことが同じように成立つ。
【００２５】ダイヤフラム１１′の表面には少なくとも
ストレインゲージ、例えば２つのストレインゲージから
成るハーフブリッジ、又は４つのストレインゲージから
成るフルブリッジが取付けられている。ストレインゲー
ジ２４は２つの接続線路１６′，１７′と接続あれてお
り、上記の２つの接続線路はガス密にダイヤフラム１
１′を通って外部へ、即ちそれの後面へ通じている。
【００２６】ストレインゲージのオーム抵抗は力又は圧
力の作用によるダイヤフラム１１′のたわみに依存す
る。当該の抵抗変化は接続線路１６′，１７′に接続可
能な電子回路を用いて測定され得、従って、ダイヤフラ
ム１１′に作用する圧力ないし力に対する尺度になり得
る。
【００２７】室１３，１３′が排気されると、容量性な
いし抵抗性圧力センサ１０，１０′にのみ外部圧力が供
給される。これに反して室が外方に向って開いている場
合（このことは例えば基体１２，１２′における孔を用
いて行なわれ得る）圧力センサは基準圧センサとして使
用可能である。
【００２８】本発明により被着される上述スピン−オン
−ガラス溶液（Ｓｐｉｎ−ｏｎ−ｇｌａｓｓ−Ｓｏｌｕ
ｔｉｏｎ）の層（これは、ろう付けの高温処理プロセス
により交差結合ないし橋かけ結合（クロスリンケージ）
された２酸化珪素へ変換される）は既に仕上った圧力セ
ンサでは可視的でなく、従って図１〜図３には示されて
いない。
【００２９】これに対して、図４には図１，図２の容量
性センサ１０のダイヤ１１及び基体１２が当該の被着後
のプロセス状態で示してある即ちせいぜい１０％の２酸
化珪素等量を有するスピン オン ガラス溶液がスピニ
ング（回転）ないしスプレー（吹付け）によって被着さ
れた後（このことはスピニング又はスプレーにより行な
われ得、スピン−オン−ガラス膜（層）２３′を生じ
る）のプロセス状態で示してある。上記膜はたんにほぼ
２００ｎｍ厚であり、よって、図４においても寸法通り
には示してない。
【００３０】図５には同じように、せいぜい１０％の二
酸化珪素当量を有するスピン−オン−溶液がスピニング
ないしスプレーによって被着された後（このことはスピ
ン−オン−ガラス層２３′を生じさせる）のステッププ
ロセス状態における図３の抵抗性圧力センサ１０′の基
体１２′およびダイヤフラム１１′が示されている。
【００３１】ダイヤフラム１１，１１′及び基体１２，
１２′のろう付けは少なくとも１０-5ｈＰａ（＝ｍｂａ
ｒ）、一層良好には１０-6ｈＰａ（＝ｍｂａｒ）の領域
にて行なわれる。反応性硬ろう金属、殊に、チタンの残
留ガスとの反応を回避し良好な濡れを達成するため著し
く良好な真空度が必要である。ろう付温度は有利に液相
を３０℃〜１００℃上回るとよい（最適の反応、高い強
度、接合個所の気密性が得られるためには）。
【００３２】スピン−オン−ガラス膜２３，２３′はダ
イヤフラム１１，１１′及び基体１２，１２′の被われ
てない表面部分１１，１１′を注目すべきほど完全にシ
ールし、ここにおいて、ろう付中上述の還元作用が実際
上もはや起らないように完全にシールする。
【００３３】このことは以下に掲げる測定結果により示
されており、これら測定結果は本発明により作製された
容量性基準圧力センサについて得られたものであり、上
記基準圧力センサは冒頭に述べた基準圧力センサと同じ
寸法を有し、同じ測定条件（温度２０℃、圧力電点（基
準点）において）が存在していた。
【００３４】先ず、同じく上述のようにたんに基体１２
が試験され、スピン オン ガラス溶液で被着された。
コーティング（被着）された基体が乾燥され４００℃に
加熱された後、０％の相対温度に対して１×１０13Ωの
抵抗が生じ、７０％の相対湿度に対しては１×１０10Ω
が生じた。このことはコーティングされていない基体の
場合上記の測定値に比しての著しい改良である。
【００３５】被覆された（コーティングされた）基体が
ほぼ９００℃に加熱されたとき（上記温度は圧力センサ
のろう付温度領域に対応する）、７０％相対湿度に対し
て、は５×１０12Ωが生じ、０％相対湿度に対する値は
変らなかった。
【００３６】抵抗の上述のような改善は容量性圧力セン
サの特性値にも影響を及ぼす。相対湿度３０％と８５％
との間では測定容量の差は０．００５のタンジエントデ
ルタ（ｔａｎ δ）の差のもとでたんに０．２ｐＦとな
り、基準容量差は０．０１のｔａｎ δ差のもとで０．
４ｐＦであった。
【００３７】上述の圧力センサの場合にはメーカデータ
を用いてのスピン オン ガラス溶液の組成の選択の際
は以下のことに注意しなければならない、即ち、ろう付
け後、交差結合（掲げ結合）された２酸化珪素におい
て、炭化水素ボルト（結合）が、例えばシロキサンにお
いて存在するようなものが生じないように、すなわち純
然たる珪酸塩、ホスホ珪酸塩（Ｐｈｏｓｐｈｏｓｉｌｉ
ｋａｔ）等が生じるように注意しなければならない、そ
れというのは、そうしないと、湿気に対する感受性（影
響の受け易さ）が十分には低減されないからである。
【００３８】
【発明の効果】本発明によれば真空中で熱処理を受ける
セラミック、ガラス又は単結晶絶縁材料から成る物体の
表面特性の悪化を回避し、更に、容量性又は抵抗性圧力
センサの著しい湿度依存性（熱に対する敏感性）を回避
し、従来技術の欠点を克服し得る効果が奏される。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明により作製される容量性センサの平面図
である。
【図２】切断線Ａ−Ｂに沿っての図１の圧力センサの断
面図である。
【図３】本発明により作製される抵抗性圧力センサ中
の、図２に相応する断面図である。
【図４】スピン−オン−ガラス溶液の被着後の、図２の
圧力センサの当該両部分の断面図である。
【図５】スピン オン ガラス溶液の被着後の、図３の
圧力センサの当該両部分断面図である。
【符号の説明】
１０ 圧力センサ １１ ダイヤフラム １２ 基体 １３ 室 １４，１５ コンデンサ電極 １６，１７ 接続導体 １８，１９ 活性硬ろう挿入物
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.6 識別記号 庁内整理番号 ＦＩ 技術表示箇所 Ｈ０１Ｌ 21/316 Ｇ 7352−4Ｍ (72)発明者 ウルフェルト ドレーヴェス ドイツ連邦共和国 ハイタースハイム モ ーツァルトシュトラーセ 10 (56)参考文献 特開 平３−21023（ＪＰ，Ａ) 実開 昭61−56544（ＪＰ，Ｕ)

Claims (4)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項１】 セラミック、ガラス又は単結晶絶縁材料
    から成る物体の表面特性の安定化方法であって、上記物
    体は真空中で熱処理を受けるようにした方法において、
    上記物体上には上記の熱処理前に、せいぜい１０％の２
    酸化珪素当量を有するスピン−オン−ガラス溶液（Ｓｐ
    ｉｎ−ｏｎ−ｇｌａｓｓ−Ｓｏｌｕｔｉｏｎ）から成る
    薄膜が、スピニング（回転）又はスプレー（吹付け）に
    より被着及び乾燥されるようにしたことを特徴とする真
    空中で熱処理さるべき物体の表面特性の安定化方法。
  2. 【請求項２】 基体（１２）とダイヤフラム（１１）と
    を有する容量性圧力センサ（１０）の作製方法であっ
    て、 上記の基体とダイヤフラムは少なくとも縁部にて密に閉
    鎖されている室（１３）の形成下で例えば所定の間隔
    （ｄ）をおいて相互に平行に接合さるべきものであり、
    ここにおいて、基体および／又はダイヤフラムはセラミ
    ック、ガラス又は単結晶絶縁材料から成るようにした方
    法において、次の各ステップを有する、即ち、−上記ダ
    イヤフラム（１１）は一方のコンデンサ電極（１４）と
    して用いられる、炭化珪素、ニオブ又はタンタルから成
    る膜で被覆されるようにし、 −上記基体は、事後的に室（１３）内部に配される領域
    にて、上記の導電性材料のうちの１つから成る第２の等
    のコンデンサ電極（１５）として用いられる少なくとも
    １つの別の膜で被覆されるようにし、 −当該の被覆を施されたダイヤフラム（１１）及び基体
    （１２）の夫々の表面全体上にはせいぜい１０％の２酸
    化珪素当量を有するスピン−オン−ガラス溶液（Ｓｐｉ
    ｎ−ｏｎ−ｇｌａｓｓ Ｓｏｌｕｔｉｏｎ）から成る薄
    膜が、スピニング（回転）ないしスプレーにより被着さ
    れ乾燥され、 −上記コンデンサ電極（１４，１５）は基体（１２）
    と、場合によりダイヤフラム（１１）を通って接触接続
    され、 −基体及びダイヤフラムはスペーサとしても用いられ
    る、活性硬ろうから成る成形部材（２０）を用いて、又
    は当該間隔（ｄ）の維持に十分な活性硬質ろうペースト
    量を用いてろう付されるようにしたことを特徴とする圧
    力センサの作製方法。
  3. 【請求項３】 上記コンデンサー電極（１４，１５）は
    スピン−オン−溶液の被着前に保護層（２１）で被われ
    るようにした請求項２記載の方法。
  4. 【請求項４】 基体（１２′）とダイヤフラム（１
    １′）とを有する抵抗性圧力センサ（１０′）の作製方
    法であって、 上記の基体とダイヤフムは少なくとも縁部にて密に閉鎖
    されている室（１３′）の形成下で例えば所定の間隔
    （ｄ）をおいて相互に平行に接合さるべきものであり、
    ここにおいて、 基体および／又はダイヤフラムはセラミック、ガラス又
    は単結晶絶縁材料から成るようにした方法において、次
    の各ステップを有する、即ち、 −上記ダイヤフラム（１１′）事後的に室（１３′）内
    に位置せしめられる領域にて、少なくとも１つのストレ
    インゲージ（２４）で被覆されるようにし、 −当該の被覆を施されたダイヤフラム（１１′）の夫々
    の表面全体、及び当該のダイヤフラム表面部分に事後的
    に対向する基体（１２′）の表面上にはせいぜい１０％
    の２酸化珪素等量を有するスピン−オン−ガラス溶液
    （Ｓｐｉｎ−ｏｎ−ｇｌａｓｓ−Ｓｏｌｕｔｉｏｎ）か
    ら成る薄膜が、スピニング（回転）ないしスプレーによ
    り被着され乾燥され、 −当該ストレインゲージ（２４）はそれによりダイヤフ
    ラムを介して接触接続せしめられるようにし、 −基体及びダイヤフラムはスペーサとしても用いられ
    る、活性硬ろうから成る成形部材（２０′）を用いて、
    又は当該間隔（ｄ）の維持に十分な活性硬質ろうペース
    ト量を用いてろう付けされるようにしたことを特徴とす
    る抵抗性圧力センサの作製方法。
JP4320097A 1991-11-30 1992-11-30 真空中で熱処理さるべき物体の表面特性の安定化方法及び圧力センサの作製方法 Expired - Fee Related JPH0718768B2 (ja)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
DE91120640.7 1991-11-30
EP91120640A EP0544934B1 (de) 1991-11-30 1991-11-30 Verfahren zum Stabilisieren der Oberflächeneigenschaften von in Vakuum temperaturzubehandelnden Gegenständen

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JPH05264384A JPH05264384A (ja) 1993-10-12
JPH0718768B2 true JPH0718768B2 (ja) 1995-03-06

Family

ID=8207396

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP4320097A Expired - Fee Related JPH0718768B2 (ja) 1991-11-30 1992-11-30 真空中で熱処理さるべき物体の表面特性の安定化方法及び圧力センサの作製方法

Country Status (6)

Country Link
US (1) US5400489A (ja)
EP (1) EP0544934B1 (ja)
JP (1) JPH0718768B2 (ja)
CA (1) CA2082021C (ja)
DE (1) DE59108247D1 (ja)
DK (1) DK0544934T3 (ja)

Families Citing this family (47)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2582665Y2 (ja) * 1992-08-17 1998-10-08 株式会社トーキン 静電容量形圧力センサ
GB2276762B (en) * 1993-04-01 1996-10-30 Plessey Semiconductors Ltd Mounting arrangement for semiconductor devices
US6570221B1 (en) 1993-07-27 2003-05-27 Hyundai Electronics America Bonding of silicon wafers
EP0674164B1 (de) * 1994-03-18 1997-07-30 ENVEC Mess- und Regeltechnik GmbH + Co. Kapazitiver Drucksensor bzw. kapazitiver Differenzdrucksensor
US6039918A (en) * 1996-07-25 2000-03-21 Endress + Hauser Gmbh + Co. Active brazing solder for brazing alumina-ceramic parts
US5917264A (en) * 1996-09-05 1999-06-29 Nagano Keiki Co Ltd Electrostatic capacitance type transducer and method for producing the same
US5880371A (en) * 1997-01-27 1999-03-09 Texas Instruments Incorporated Pressure transducer apparatus and method for making
US5965821A (en) * 1997-07-03 1999-10-12 Mks Instruments, Inc. Pressure sensor
US20040099061A1 (en) * 1997-12-22 2004-05-27 Mks Instruments Pressure sensor for detecting small pressure differences and low pressures
US6267009B1 (en) * 1998-12-14 2001-07-31 Endress + Hauser Gmbh + Co. Capacitive pressure sensor cells or differential pressure sensor cells and methods for manufacturing the same
US6374680B1 (en) * 1999-03-24 2002-04-23 Endress + Hauser Gmbh + Co. Capacitive pressure sensor or capacitive differential pressure sensor
US6578427B1 (en) * 1999-06-15 2003-06-17 Envec Mess- Und Regeltechnik Gmbh + Co. Capacitive ceramic relative-pressure sensor
US6319617B1 (en) 1999-12-17 2001-11-20 Agere Systems Gaurdian Corp. Oxide-bondable solder
AU2001265986A1 (en) * 2000-07-26 2002-02-05 Endress & Hauser Gmbh & Co.Kg. Capacitive pressure sensor
DE10052053A1 (de) * 2000-10-19 2002-04-25 Endress Hauser Gmbh Co Druckmeßzelle
FR2818676B1 (fr) * 2000-12-27 2003-03-07 Freyssinet Int Stup Procede de demontage d'un cable de precontrainte et dispositif pour la mise en oeuvre
US6869007B2 (en) * 2001-01-26 2005-03-22 Lucent Technologies Inc. Oxidation-resistant reactive solders and brazes
JP2002323394A (ja) * 2001-04-26 2002-11-08 Kyocera Corp 圧力検出装置用パッケージ
KR100411476B1 (ko) * 2001-09-24 2003-12-18 주식회사코닉스 정전 용량식 진공센서의 제조방법 및 그 진공 센서를이용한 진공 검출장치
DE10163567A1 (de) * 2001-12-21 2003-07-17 Endress & Hauser Gmbh & Co Kg Drucksensor mit hydrophober Beschichtung
US6960911B2 (en) * 2002-01-29 2005-11-01 Kabushiki Kaisha Toshiba Strain sensor
US6739199B1 (en) 2003-03-10 2004-05-25 Hewlett-Packard Development Company, L.P. Substrate and method of forming substrate for MEMS device with strain gage
US6993973B2 (en) * 2003-05-16 2006-02-07 Mks Instruments, Inc. Contaminant deposition control baffle for a capacitive pressure transducer
DE502004010904D1 (de) * 2004-01-27 2010-04-29 Mettler Toledo Ag Dehnmessstreifen mit Feuchtigkeitsschutz durch inhomogene anorganische Schicht auf glättender Polymerschicht (ORMOCER) und Schlitzanordnung
US7201057B2 (en) * 2004-09-30 2007-04-10 Mks Instruments, Inc. High-temperature reduced size manometer
US7141447B2 (en) * 2004-10-07 2006-11-28 Mks Instruments, Inc. Method of forming a seal between a housing and a diaphragm of a capacitance sensor
US7137301B2 (en) * 2004-10-07 2006-11-21 Mks Instruments, Inc. Method and apparatus for forming a reference pressure within a chamber of a capacitance sensor
US7204150B2 (en) 2005-01-14 2007-04-17 Mks Instruments, Inc. Turbo sump for use with capacitive pressure sensor
JP2006322783A (ja) * 2005-05-18 2006-11-30 Dainippon Screen Mfg Co Ltd 圧力センサおよび基板処理装置
US20080202251A1 (en) * 2007-02-27 2008-08-28 Iee International Electronics & Engineering S.A. Capacitive pressure sensor
DE102007026243A1 (de) * 2007-06-04 2008-12-11 Endress + Hauser Gmbh + Co. Kg Kapazitiver Drucksensor
US8974891B2 (en) * 2007-10-26 2015-03-10 Coi Ceramics, Inc. Thermal protection systems comprising flexible regions of inter-bonded lamina of ceramic matrix composite material and methods of forming the same
DE102009027742A1 (de) 2009-07-15 2011-01-27 Endress + Hauser Gmbh + Co. Kg Kapazitive keramische Druckmesszelle und Drucksensor mit einer solchen Druckmesszelle
DE102009054909A1 (de) * 2009-12-17 2011-06-22 Endress + Hauser GmbH + Co. KG, 79689 Keramisches Produkt und Verfahren zu dessen Herstellung
US8096186B2 (en) * 2010-03-24 2012-01-17 Carefusion 303, Inc. Systems and methods for measuring fluid pressure within a disposable IV set connected to a fluid supply pump
EP2463635B2 (de) * 2010-12-07 2016-01-06 VEGA Grieshaber KG Druckmesszelle
DE102010063065A1 (de) * 2010-12-14 2012-06-14 Endress + Hauser Gmbh + Co. Kg Drucksensor und Verfahren zu dessen Herstellung+
DE102012110152A1 (de) * 2012-07-11 2014-05-15 Endress + Hauser Gmbh + Co. Kg Verfahren zum Fügen von Keramikkörpern mittels eines Aktivhartlots, Baugruppe mit mindestens zwei miteinander gefügten Keramikkörpern, insbesondere Druckmesszelle
DE102012106236A1 (de) * 2012-07-11 2014-01-16 Endress + Hauser Gmbh + Co. Kg Verfahren zum Fügen von Keramikkörpern mittels eines Aktivhartlots, Baugruppe mit mindestens zwei miteinander gefügten Keramikkörpern, insbesondere Druckmesszelle
US9103738B2 (en) 2012-09-07 2015-08-11 Dynisco Instruments Llc Capacitive pressure sensor with intrinsic temperature compensation
US8943895B2 (en) 2012-09-07 2015-02-03 Dynisco Instruments Llc Capacitive pressure sensor
US8984952B2 (en) 2012-09-07 2015-03-24 Dynisco Instruments Llc Capacitive pressure sensor
DE102013106045A1 (de) 2013-06-11 2014-12-11 Endress + Hauser Gmbh + Co. Kg Kapazitive, keramische Druckmesszelle und Verfahren zu ihrer Herstellung
DE102014214083C5 (de) * 2014-07-18 2021-04-08 Schott Ag Vorrichtung und Verfahren zum thermischen Behandeln eines ringförmigen Bereichs einer inneren Oberfläche eines aus einem Borosilikat-Rohrglas hergestellten Glasbehälters
CN104476655B (zh) * 2014-11-14 2017-07-28 哈尔滨工业大学 一种陶瓷胚体的凝胶离心成型方法
WO2017080882A1 (de) * 2015-11-11 2017-05-18 Endress+Hauser Gmbh+Co. Kg Verfahren zum stabilisieren des widerstands zwischen leiterbahnen
US10724907B2 (en) * 2017-07-12 2020-07-28 Sensata Technologies, Inc. Pressure sensor element with glass barrier material configured for increased capacitive response

Family Cites Families (10)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US2329632A (en) * 1938-12-19 1943-09-14 Jr Charles P Marsden Method of coating glass
US3811918A (en) * 1971-12-20 1974-05-21 Owens Illinois Inc Process for producing protective glass coatings
US4458537A (en) * 1981-05-11 1984-07-10 Combustion Engineering, Inc. High accuracy differential pressure capacitive transducer
JPS58142206A (ja) * 1982-02-18 1983-08-24 Tokyo Electric Co Ltd 歪センサ
JPS60213837A (ja) * 1984-04-09 1985-10-26 Tokyo Electric Co Ltd ロ−ドセル
JPS62268167A (ja) * 1986-05-15 1987-11-20 Komatsu Ltd 薄膜圧力センサ
JPS6381867A (ja) * 1986-09-25 1988-04-12 Yokogawa Electric Corp 半導体拡散ストレンゲ−ジ
JPH02122572A (ja) * 1988-10-31 1990-05-10 Aisin Seiki Co Ltd 保護層を有する圧力センサー
DE3910646A1 (de) * 1989-04-01 1990-10-04 Endress Hauser Gmbh Co Kapazitiver drucksensor und verfahren zu seiner herstellung
US5050034A (en) * 1990-01-22 1991-09-17 Endress U. Hauser Gmbh U. Co. Pressure sensor and method of manufacturing same

Also Published As

Publication number Publication date
DK0544934T3 (ja) 1997-03-17
JPH05264384A (ja) 1993-10-12
CA2082021C (en) 1996-06-25
CA2082021A1 (en) 1993-05-31
DE59108247D1 (de) 1996-11-07
EP0544934A1 (de) 1993-06-09
EP0544934B1 (de) 1996-10-02
US5400489A (en) 1995-03-28

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JPH0718768B2 (ja) 真空中で熱処理さるべき物体の表面特性の安定化方法及び圧力センサの作製方法
JP4764468B2 (ja) 容量式の真空測定セルの製造方法および容量式の真空測定セルを用いた測定方法
JP4334139B2 (ja) 容量式の真空測定セルのためのダイヤフラム
CN1327214C (zh) 静电电容传感器
JP2655534B2 (ja) 容量型圧力センサーの製造法
US5479827A (en) Capacitive pressure sensor isolating electrodes from external environment
US4703658A (en) Pressure sensor assembly
US4343688A (en) Method of making humidity sensors
US20050262946A1 (en) Method for producing a pressure sensor for detecting small pressure differences and low pressures
JPH06129933A (ja) 過圧保護ポリシリコン容量性差圧センサー及びその製造方法
JPS6071927A (ja) 圧力トランスデユ−サ及びその製造法
JPH10148591A (ja) 圧力検出装置
WO1995020244A1 (en) Package for electronic element
JPS6050970A (ja) 半導体圧力変換器
US5440931A (en) Reference element for high accuracy silicon capacitive pressure sensor
JPS6410109B2 (ja)
US5375034A (en) Silicon capacitive pressure sensor having a glass dielectric deposited using ion milling
JPS6329981A (ja) 半導体圧力変換器
JP3278926B2 (ja) 半導体圧力センサ
JPS623682Y2 (ja)
JPS63175482A (ja) 圧力センサ
JPS60230028A (ja) 半導体圧力変換器
JPH036674B2 (ja)
JPH1022512A (ja) 静電容量型圧力センサ
JP2753654B2 (ja) 感湿素子

Legal Events

Date Code Title Description
LAPS Cancellation because of no payment of annual fees