JPH07183188A - 走査型露光装置 - Google Patents
走査型露光装置Info
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- JPH07183188A JPH07183188A JP5323717A JP32371793A JPH07183188A JP H07183188 A JPH07183188 A JP H07183188A JP 5323717 A JP5323717 A JP 5323717A JP 32371793 A JP32371793 A JP 32371793A JP H07183188 A JPH07183188 A JP H07183188A
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- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
- G03F7/70058—Mask illumination systems
-
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- G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
- G03F7/70216—Mask projection systems
- G03F7/70275—Multiple projection paths, e.g. array of projection systems, microlens projection systems or tandem projection systems
-
- G—PHYSICS
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- G03F7/70358—Scanning exposure, i.e. relative movement of patterned beam and workpiece during imaging
-
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- G03F7/70483—Information management; Active and passive control; Testing; Wafer monitoring, e.g. pattern monitoring
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- G03F7/70558—Dose control, i.e. achievement of a desired dose
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- General Physics & Mathematics (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】専用の周辺露光装置を用いることなく、周辺露
光をおこなうことができる走査型露光装置を提供する。 【構成】露光パターンを有したマスク１０を照明する照
明光学系ＬＯ１〜ＬＯ５と、マスク１０の露光パターン
を通過した光束を感光基板１５の周辺部を除く中央部Ｐ
Ａに投影し、マスク１０の露光パターンのない部分を通
過した光束を周辺部ＥＸに投影する投影光学系ＰＬ１〜
ＰＬ５と、を備える走査型露光装置において、照明光学
系ＬＯ１とＬＯ５に周辺部ＥＸの露光量を中央部ＰＡの
露光量より多くする露光量調節手段１２，１３を設けて
いる。
光をおこなうことができる走査型露光装置を提供する。 【構成】露光パターンを有したマスク１０を照明する照
明光学系ＬＯ１〜ＬＯ５と、マスク１０の露光パターン
を通過した光束を感光基板１５の周辺部を除く中央部Ｐ
Ａに投影し、マスク１０の露光パターンのない部分を通
過した光束を周辺部ＥＸに投影する投影光学系ＰＬ１〜
ＰＬ５と、を備える走査型露光装置において、照明光学
系ＬＯ１とＬＯ５に周辺部ＥＸの露光量を中央部ＰＡの
露光量より多くする露光量調節手段１２，１３を設けて
いる。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、半導体素子や液晶表示
基板製造用の走査型露光装置に関し、特に、専用の周辺
露光装置を用いることなく周辺露光ができる走査型露光
装置に関する。
基板製造用の走査型露光装置に関し、特に、専用の周辺
露光装置を用いることなく周辺露光ができる走査型露光
装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】近年、パソコンやテレビ等の表示素子と
して、液晶表示基板が多用されるようになった。また、
この液晶表示基板の大面積化が進んできており、最近で
は５００ｍｍ×５００ｍｍ程度のものが要求されてい
る。この液晶表示基板は、矩形状のガラス基板上に透明
薄膜電極をフォトリソグラフィの手法で所望の形状にパ
ターンニングして作られている。このフォトリソグラフ
ィの装置として、マスク上に形成された露光パターンを
投影光学系を介してガラス基板上のフォトレジスト層に
露光する投影露光装置が用いられている。前述したよう
に液晶表示基板の大面積化に伴い、投影露光装置の露光
領域の拡大のため、走査型の投影露光装置が提案されて
いる。
して、液晶表示基板が多用されるようになった。また、
この液晶表示基板の大面積化が進んできており、最近で
は５００ｍｍ×５００ｍｍ程度のものが要求されてい
る。この液晶表示基板は、矩形状のガラス基板上に透明
薄膜電極をフォトリソグラフィの手法で所望の形状にパ
ターンニングして作られている。このフォトリソグラフ
ィの装置として、マスク上に形成された露光パターンを
投影光学系を介してガラス基板上のフォトレジスト層に
露光する投影露光装置が用いられている。前述したよう
に液晶表示基板の大面積化に伴い、投影露光装置の露光
領域の拡大のため、走査型の投影露光装置が提案されて
いる。
【０００３】また、従来から言われているように、スピ
ンコータによりガラス基板上にレジストを塗布したとき
には、エッジ付近のレジスト厚が他の部分に比べ厚くな
ってしまう。このため、ポジレジストの場合は、パター
ン露光に最適な露光量では、エッジ付近を露光してもエ
ッジ付近のレジストが現像しきれずに残ってしまい発塵
の原因になる。このため、専用の周辺露光装置が必要と
されていた。
ンコータによりガラス基板上にレジストを塗布したとき
には、エッジ付近のレジスト厚が他の部分に比べ厚くな
ってしまう。このため、ポジレジストの場合は、パター
ン露光に最適な露光量では、エッジ付近を露光してもエ
ッジ付近のレジストが現像しきれずに残ってしまい発塵
の原因になる。このため、専用の周辺露光装置が必要と
されていた。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】ところが、ガラス基板
の大面積化により、専用の周辺露光機も大型になるのが
避けられず、大きなスペースが必要になるという問題点
があった。また、周辺露光装置を使用すると、工程が増
えて、スループットが落ちるという問題もあった。
の大面積化により、専用の周辺露光機も大型になるのが
避けられず、大きなスペースが必要になるという問題点
があった。また、周辺露光装置を使用すると、工程が増
えて、スループットが落ちるという問題もあった。
【０００５】そこで本発明では、専用の周辺露光装置を
使用することなく、エッジ付近のレジストによる発塵を
防止できる走査型露光装置を提供することを目的とす
る。
使用することなく、エッジ付近のレジストによる発塵を
防止できる走査型露光装置を提供することを目的とす
る。
【０００６】
【課題を解決するための手段】上記問題点を解決するた
めに、一実施例を示す図１〜図４と図６とに対応付けて
説明すると、請求項１記載の走査型露光装置では、露光
パターンを有したマスク（１０）を載置するマスクステ
ージ（９）と矩形状の感光基板（１５）を載置する基板
ステージ（１４）とを同期させて前記矩形状の一辺と平
行な一方向に移動させる駆動手段（１６）と、マスク
（１０）を照明する照明光学系（ＬＯ１〜ＬＯ５）と、
マスク（１０）の前記露光パターンを通過した光束を感
光基板（１５）上の周辺部（ＥＸ）を除く中央部（Ｐ
Ａ）に投影し、マスク（１０）の前記露光パターンのな
い部分を通過した光束を周辺部（ＥＸ）に投影する投影
光学系（ＰＬ１〜ＰＬ５）と、を具備する走査型露光装
置において、照明光学系（ＬＯ１〜ＬＯ５）に、周辺部
（ＥＸ）の露光量を中央部（ＰＡ）の露光量より多くす
る露光量調節手段（１２，１３，２０）を設けている。
めに、一実施例を示す図１〜図４と図６とに対応付けて
説明すると、請求項１記載の走査型露光装置では、露光
パターンを有したマスク（１０）を載置するマスクステ
ージ（９）と矩形状の感光基板（１５）を載置する基板
ステージ（１４）とを同期させて前記矩形状の一辺と平
行な一方向に移動させる駆動手段（１６）と、マスク
（１０）を照明する照明光学系（ＬＯ１〜ＬＯ５）と、
マスク（１０）の前記露光パターンを通過した光束を感
光基板（１５）上の周辺部（ＥＸ）を除く中央部（Ｐ
Ａ）に投影し、マスク（１０）の前記露光パターンのな
い部分を通過した光束を周辺部（ＥＸ）に投影する投影
光学系（ＰＬ１〜ＰＬ５）と、を具備する走査型露光装
置において、照明光学系（ＬＯ１〜ＬＯ５）に、周辺部
（ＥＸ）の露光量を中央部（ＰＡ）の露光量より多くす
る露光量調節手段（１２，１３，２０）を設けている。
【０００７】請求項２記載の走査型露光装置では、照明
光学系（ＬＯ１〜ＬＯ５）と投影光学系（ＰＬ１〜ＰＬ
５）とは、複数の対になっており、前記一方向と平行な
周辺部（ＥＸ）とこの周辺部（ＥＸ）と隣接する中央部
（ＰＡ）とを露光する照明光学系（ＰＬ１とＰＬ５）に
露光量調節手段（１２，１３，２０）を設けている。請
求項３記載の走査型露光装置では、露光量調節手段は、
周辺部（ＥＸ）への露光面積を変える露光面積可変手段
（１２，１３）である。
光学系（ＬＯ１〜ＬＯ５）と投影光学系（ＰＬ１〜ＰＬ
５）とは、複数の対になっており、前記一方向と平行な
周辺部（ＥＸ）とこの周辺部（ＥＸ）と隣接する中央部
（ＰＡ）とを露光する照明光学系（ＰＬ１とＰＬ５）に
露光量調節手段（１２，１３，２０）を設けている。請
求項３記載の走査型露光装置では、露光量調節手段は、
周辺部（ＥＸ）への露光面積を変える露光面積可変手段
（１２，１３）である。
【０００８】請求項４記載の走査型露光装置では、露光
量調節手段は、中央部（ＰＡ）に露光する光量を調節す
る光量調節手段（１２，２０）である。
量調節手段は、中央部（ＰＡ）に露光する光量を調節す
る光量調節手段（１２，２０）である。
【０００９】
【作用】本発明では、照明光学系内（ＰＬ１〜ＰＬ５）
に露光量調節手段（１２，１３，２０）が配設されてい
る。露光量調節手段（１２，１３，２０）は、周辺部
（ＥＸ）の露光量を中央部（ＰＡ）の露光量より多くし
ている。このため、レジスト厚が他の部分に比べて厚い
エッジ部分の露光量が多くなるので、現像時にエッジ部
分のレジストを全て現像できるので、発塵を防止するこ
とができる。このため、専用の周辺露光装置が不要にな
る。
に露光量調節手段（１２，１３，２０）が配設されてい
る。露光量調節手段（１２，１３，２０）は、周辺部
（ＥＸ）の露光量を中央部（ＰＡ）の露光量より多くし
ている。このため、レジスト厚が他の部分に比べて厚い
エッジ部分の露光量が多くなるので、現像時にエッジ部
分のレジストを全て現像できるので、発塵を防止するこ
とができる。このため、専用の周辺露光装置が不要にな
る。
【００１０】露光量調節手段である露光面積可変手段
（１２，１３）は、周辺部の露光面積を大きくすること
により、周辺部（ＥＸ）の露光量を多くしている。ま
た、露光量調節手段である光量調節手段（１２，２０）
は、中央部（ＰＡ）に露光する光量を周辺部（ＥＸ）に
露光する光量より少なくし、かつ、パターン露光に十分
な光量にしている。
（１２，１３）は、周辺部の露光面積を大きくすること
により、周辺部（ＥＸ）の露光量を多くしている。ま
た、露光量調節手段である光量調節手段（１２，２０）
は、中央部（ＰＡ）に露光する光量を周辺部（ＥＸ）に
露光する光量より少なくし、かつ、パターン露光に十分
な光量にしている。
【００１１】
【実施例】以下、図１〜図４を参照して本発明の一実施
例を説明する。図１は本発明の走査型露光装置の概略的
な構成を示す図である。図１において、超高圧水銀ラン
プ１から射出した光束を、楕円鏡２が集光する。集光さ
れた光束は、シャッター３を通過して、レンズ４に入射
する。
例を説明する。図１は本発明の走査型露光装置の概略的
な構成を示す図である。図１において、超高圧水銀ラン
プ１から射出した光束を、楕円鏡２が集光する。集光さ
れた光束は、シャッター３を通過して、レンズ４に入射
する。
【００１２】レンズ４はシャッター３を通過した光束を
ほぼ平行な光束にし、波長選択フィルター５は、露光に
必要な波長のみを通過させる。波長選択フィルター５を
通過した光束は、ほぼ平行光束としてフライアイインテ
グレータ６に入射する。フライアイインテグレータ６
は、照明分布を均一にした光束をレンズ７へ射出する。
レンズ７は、この光束をほぼ平行な光束にして視野絞り
８に入射させる。
ほぼ平行な光束にし、波長選択フィルター５は、露光に
必要な波長のみを通過させる。波長選択フィルター５を
通過した光束は、ほぼ平行光束としてフライアイインテ
グレータ６に入射する。フライアイインテグレータ６
は、照明分布を均一にした光束をレンズ７へ射出する。
レンズ７は、この光束をほぼ平行な光束にして視野絞り
８に入射させる。
【００１３】視野絞り８は、台形状の開口部を有してお
り、マスクステージ９に載置された、露光パターンを有
したマスク１０上の照明範囲を調節する。視野絞り８を
通過した光束を、レンズ系１１は視野絞り８の開口の像
をマスク１０上に結像させる。なお、上述の超高圧水銀
ランプ１からレンズ系１１までを以下照明光学系ＬＯ１
という。
り、マスクステージ９に載置された、露光パターンを有
したマスク１０上の照明範囲を調節する。視野絞り８を
通過した光束を、レンズ系１１は視野絞り８の開口の像
をマスク１０上に結像させる。なお、上述の超高圧水銀
ランプ１からレンズ系１１までを以下照明光学系ＬＯ１
という。
【００１４】本実施例では、この照明光学系ＬＯ１と同
じ構成の照明光学系が、図１のＸ方向とＹ方向とに一定
の間隔をもって、計５つ配置されている。（ただし図１
においては、便宜上レンズ系１１に対応するもののみを
示し、それぞれ照明光学系ＬＯ２〜ＬＯ５とする） それぞれの照明光学系ＬＯ１〜ＬＯ５から射出した光束
は、マスク１０上の異なる照明領域を照明する。
じ構成の照明光学系が、図１のＸ方向とＹ方向とに一定
の間隔をもって、計５つ配置されている。（ただし図１
においては、便宜上レンズ系１１に対応するもののみを
示し、それぞれ照明光学系ＬＯ２〜ＬＯ５とする） それぞれの照明光学系ＬＯ１〜ＬＯ５から射出した光束
は、マスク１０上の異なる照明領域を照明する。
【００１５】周辺視野絞り１２と可動遮光部材１３と
は、照明光学系ＬＯ１とＬＯ５とに備えてある。図２
は、照明光学系ＬＯ１とＬＯ５とに備えてある周辺視野
絞り１２と可動遮光部材１３との詳細と、ＬＯ２〜ＬＯ
４の視野絞り８を示した図である。視野絞り８は、前述
のように、斜線部で示す台形状の開口部を有している。
は、照明光学系ＬＯ１とＬＯ５とに備えてある。図２
は、照明光学系ＬＯ１とＬＯ５とに備えてある周辺視野
絞り１２と可動遮光部材１３との詳細と、ＬＯ２〜ＬＯ
４の視野絞り８を示した図である。視野絞り８は、前述
のように、斜線部で示す台形状の開口部を有している。
【００１６】周辺視野絞り１２は、開口部（斜線部）を
有している。この開口部を可動遮光部材１３は、不図示
のアクチュエータにより移動し、周辺視野絞り１２の開
口部を部分的に遮光する。なお、本実施例において、露
光量調節手段とは周辺視野絞り１２と可動遮光部材１３
とのことである。
有している。この開口部を可動遮光部材１３は、不図示
のアクチュエータにより移動し、周辺視野絞り１２の開
口部を部分的に遮光する。なお、本実施例において、露
光量調節手段とは周辺視野絞り１２と可動遮光部材１３
とのことである。
【００１７】図１に戻って、マスク１０を通過した５つ
の光束を、それぞれの照明光学系ＬＯ１〜ＬＯ５に対応
して配置された投影光学系ＰＬ１〜ＰＬ５は、基板ステ
ージ１４に載置された矩形状のガラス基板１５上の異な
る投影領域に投影する。なお本実施例では、投影光学系
ＰＬ１〜ＰＬ５は、いずれも等倍正立系となっている。
の光束を、それぞれの照明光学系ＬＯ１〜ＬＯ５に対応
して配置された投影光学系ＰＬ１〜ＰＬ５は、基板ステ
ージ１４に載置された矩形状のガラス基板１５上の異な
る投影領域に投影する。なお本実施例では、投影光学系
ＰＬ１〜ＰＬ５は、いずれも等倍正立系となっている。
【００１８】図３は、それぞれの投影光学系ＰＬ１〜Ｐ
Ｌ５のガラス基板１５上での投影領域を示した図であ
る。図３において、ＰＡ１〜ＰＡ５は、投影光学系ＰＬ
１〜ＰＬ５のそれぞれに対応する露光領域である。ＰＡ
１, とＰＡ５, とは周辺視野絞り１２と可動遮光部材１
３とにより設定される露光領域である。一点鎖線で囲ま
れた領域ＰＡはマスク９の露光パターンが露光される露
光パターン領域である。ガラス基板１５上のＰＡ以外の
領域は、パターンが露光されない周辺部ＥＸであり、Ｅ
Ｘ１は、スピンコータによりガラス基板１５上にレジス
トを塗布したときに、レジスト厚が他の部分よりも厚く
なっている領域である。ＥＸ２はＰＡと同じ厚さにレジ
ストが塗布されている領域である。
Ｌ５のガラス基板１５上での投影領域を示した図であ
る。図３において、ＰＡ１〜ＰＡ５は、投影光学系ＰＬ
１〜ＰＬ５のそれぞれに対応する露光領域である。ＰＡ
１, とＰＡ５, とは周辺視野絞り１２と可動遮光部材１
３とにより設定される露光領域である。一点鎖線で囲ま
れた領域ＰＡはマスク９の露光パターンが露光される露
光パターン領域である。ガラス基板１５上のＰＡ以外の
領域は、パターンが露光されない周辺部ＥＸであり、Ｅ
Ｘ１は、スピンコータによりガラス基板１５上にレジス
トを塗布したときに、レジスト厚が他の部分よりも厚く
なっている領域である。ＥＸ２はＰＡと同じ厚さにレジ
ストが塗布されている領域である。
【００１９】隣接する投影投影光学系（例えばＰＬ１と
ＰＬ２又はＰＬ２とＰＬ３）は、図に示すように破線部
分が重複するように、露光パターンを投影する。図１に
戻って、ステージ駆動回路１６は、後述のＣＰＵ１７の
指示により、不図示のモータを介して、マスクステージ
９と基板ステージ１４とを同期させてＹ方向に走査させ
る。これにより、マスク１０上のパターンを全てガラス
基板１５上に露光している。なお、同期させるとは、マ
スクステージ９と基板ステージ１４とが一体になって構
成されている場合も含む。
ＰＬ２又はＰＬ２とＰＬ３）は、図に示すように破線部
分が重複するように、露光パターンを投影する。図１に
戻って、ステージ駆動回路１６は、後述のＣＰＵ１７の
指示により、不図示のモータを介して、マスクステージ
９と基板ステージ１４とを同期させてＹ方向に走査させ
る。これにより、マスク１０上のパターンを全てガラス
基板１５上に露光している。なお、同期させるとは、マ
スクステージ９と基板ステージ１４とが一体になって構
成されている場合も含む。
【００２０】ディテクタ１８は、それぞれの投影光学系
ＰＬ１〜ＰＬ５に対応して、ガラス基板１５の同一の露
光面に配置されており、各露光量を計測している。ＣＰ
Ｕ１７は、パターン露光のための種々の演算を行うとと
もに、ステージ駆動回路１６と光量制御回路１９とを制
御する。光量制御回路１９は、ガラス基板１５上の各露
光面の露光量をディテクタ１８の出力から検出し、各露
光面の露光量が同じになるように、超高圧水銀ランプ１
の光量を制御する。
ＰＬ１〜ＰＬ５に対応して、ガラス基板１５の同一の露
光面に配置されており、各露光量を計測している。ＣＰ
Ｕ１７は、パターン露光のための種々の演算を行うとと
もに、ステージ駆動回路１６と光量制御回路１９とを制
御する。光量制御回路１９は、ガラス基板１５上の各露
光面の露光量をディテクタ１８の出力から検出し、各露
光面の露光量が同じになるように、超高圧水銀ランプ１
の光量を制御する。
【００２１】以上のように構成された走査型露光装置の
露光動作について、以下図４のＣＰＵ１７のフローチャ
ートを用いて説明を続ける。ＣＰＵ１７は露光パターン
領域ＰＡを認識する。（ステップ１０１） ＣＰＵ１７はステージ駆動回路１６に露光動作を指示す
る。即ち、ステージ駆動回路１６は、前述のように、マ
スクステージ９と基板ステージ１４とを同期させてＹ方
向に移動させる。（ステップ１０２） ＣＰＵ１７は、レジスト厚が厚い周辺部ＥＸ１部を露光
するために、光量制御回路１９を介して、照明光学系Ｌ
Ｏ１〜ＬＯ５の超高圧水銀ランプ１の光量を通常の露光
時の光量よりも上げる。（ステップ１０３） 露光領域ＰＡ２と露光領域ＰＡ４との一部が周辺部ＥＸ
１部の走査を終了しても、まだ、露光パターンの無い周
辺部ＥＸ２部を走査するので、光量が多いままでも問題
なく周辺部ＥＸ１部の露光が行なえる。
露光動作について、以下図４のＣＰＵ１７のフローチャ
ートを用いて説明を続ける。ＣＰＵ１７は露光パターン
領域ＰＡを認識する。（ステップ１０１） ＣＰＵ１７はステージ駆動回路１６に露光動作を指示す
る。即ち、ステージ駆動回路１６は、前述のように、マ
スクステージ９と基板ステージ１４とを同期させてＹ方
向に移動させる。（ステップ１０２） ＣＰＵ１７は、レジスト厚が厚い周辺部ＥＸ１部を露光
するために、光量制御回路１９を介して、照明光学系Ｌ
Ｏ１〜ＬＯ５の超高圧水銀ランプ１の光量を通常の露光
時の光量よりも上げる。（ステップ１０３） 露光領域ＰＡ２と露光領域ＰＡ４との一部が周辺部ＥＸ
１部の走査を終了しても、まだ、露光パターンの無い周
辺部ＥＸ２部を走査するので、光量が多いままでも問題
なく周辺部ＥＸ１部の露光が行なえる。
【００２２】ＣＰＵ１７は、光量制御回路１９を介し
て、照明光学系ＬＯ２とＬＯ４とがパターン露光を開始
するのにあわせて、照明光学系ＬＯ２とＬＯ４との超高
圧水銀ランプ１の光量を露光時の光量に落とす。（ステ
ップ１０４） ついで、ＣＰＵ１７は、光量制御回路１９を介して、照
明光学系ＬＯ１とＬＯ３とＬＯ５とがパターン露光を開
始するのにあわせて、照明光学系ＬＯ１とＬＯ３とＬＯ
５との超高圧水銀ランプ１の光量を露光時の光量に落と
す。（ステップ１０５） 更にＣＰＵ１７は、露光面積可変手段である周辺視野絞
り１２と可動遮光部１３とにより露光面積を以下のよう
に調節する。（ステップ１０６） 即ち、不図示のアクチュエータを介して、可動遮光部１
３を周辺視野絞り１２の開口部上を移動させる。そし
て、可動遮光部１３は、露光領域ＰＡ１, と露光領域Ｐ
Ａ２, とがＹ方向に平行な両端のＥＸ１部を覆うよう
に、かつ、露光パターン領域ＰＡの領域に入らないよう
な位置に調節される。これにより、Ｙ方向に平行な両端
の周辺部ＥＸ１部を露光する時間が長くなるため露光量
が多くなり、パターン露光を行うときの超高圧水銀ラン
プ１の光量で周辺部ＥＸ１部を露光することができる。
て、照明光学系ＬＯ２とＬＯ４とがパターン露光を開始
するのにあわせて、照明光学系ＬＯ２とＬＯ４との超高
圧水銀ランプ１の光量を露光時の光量に落とす。（ステ
ップ１０４） ついで、ＣＰＵ１７は、光量制御回路１９を介して、照
明光学系ＬＯ１とＬＯ３とＬＯ５とがパターン露光を開
始するのにあわせて、照明光学系ＬＯ１とＬＯ３とＬＯ
５との超高圧水銀ランプ１の光量を露光時の光量に落と
す。（ステップ１０５） 更にＣＰＵ１７は、露光面積可変手段である周辺視野絞
り１２と可動遮光部１３とにより露光面積を以下のよう
に調節する。（ステップ１０６） 即ち、不図示のアクチュエータを介して、可動遮光部１
３を周辺視野絞り１２の開口部上を移動させる。そし
て、可動遮光部１３は、露光領域ＰＡ１, と露光領域Ｐ
Ａ２, とがＹ方向に平行な両端のＥＸ１部を覆うよう
に、かつ、露光パターン領域ＰＡの領域に入らないよう
な位置に調節される。これにより、Ｙ方向に平行な両端
の周辺部ＥＸ１部を露光する時間が長くなるため露光量
が多くなり、パターン露光を行うときの超高圧水銀ラン
プ１の光量で周辺部ＥＸ１部を露光することができる。
【００２３】ＣＰＵ１７は、光量制御回路１９を介し
て、照明光学系ＬＯ２とＬＯ４とがパターン露光を終了
するのにあわせて、照明光学系ＬＯ２とＬＯ４との超高
圧水銀ランプ１の光量を上げる。（ステップ１０７） ついで、ＣＰＵ１７は、光量制御回路１９を介して、照
明光学系ＬＯ１とＬＯ３とＬＯ５とがパターン露光を終
了するのにあわせて、照明光学系ＬＯ１とＬＯ３とＬＯ
５との超高圧水銀ランプ１の光量を上げる。（ステップ
１０８） これにより、周辺部ＥＸ１部のすべてを十分な露光量で
露光することができる。
て、照明光学系ＬＯ２とＬＯ４とがパターン露光を終了
するのにあわせて、照明光学系ＬＯ２とＬＯ４との超高
圧水銀ランプ１の光量を上げる。（ステップ１０７） ついで、ＣＰＵ１７は、光量制御回路１９を介して、照
明光学系ＬＯ１とＬＯ３とＬＯ５とがパターン露光を終
了するのにあわせて、照明光学系ＬＯ１とＬＯ３とＬＯ
５との超高圧水銀ランプ１の光量を上げる。（ステップ
１０８） これにより、周辺部ＥＸ１部のすべてを十分な露光量で
露光することができる。
【００２４】次に、本実施例の変形例を説明する。変形
例では、可動遮光部材１３以外の構成は図１と同様の構
成であり、同じ部番を付してその説明を省略する。ま
た、周辺視野絞り１２は、開口の大きさが小さくなった
のに伴い、形状が小さくなっている。図５は、本実施例
の可動遮光部材１３の代わりに配設される光量調節手段
であるＮＤフィルター２０を示した図である。ＮＤフィ
ルター２０は、周辺視野絞り１２の開口（開口部を斜線
で示す）を不図示のアクチュエータにより可動して、周
辺視野絞り１２の開口を通過する光量を部分的に落と
す。
例では、可動遮光部材１３以外の構成は図１と同様の構
成であり、同じ部番を付してその説明を省略する。ま
た、周辺視野絞り１２は、開口の大きさが小さくなった
のに伴い、形状が小さくなっている。図５は、本実施例
の可動遮光部材１３の代わりに配設される光量調節手段
であるＮＤフィルター２０を示した図である。ＮＤフィ
ルター２０は、周辺視野絞り１２の開口（開口部を斜線
で示す）を不図示のアクチュエータにより可動して、周
辺視野絞り１２の開口を通過する光量を部分的に落と
す。
【００２５】この変形例の露光動作について以下図６の
ＣＰＵ１７のフローチャートを用いて説明を続ける。な
お、変形例の露光動作において、図４のフローチャート
のステップ１０１〜１０４までの工程は同じであるの
で、図６のフローチャートのステップ２０１としてその
説明を省略する。
ＣＰＵ１７のフローチャートを用いて説明を続ける。な
お、変形例の露光動作において、図４のフローチャート
のステップ１０１〜１０４までの工程は同じであるの
で、図６のフローチャートのステップ２０１としてその
説明を省略する。
【００２６】ＣＰＵ１７は、露光領域ＰＡ２と露光領域
ＰＡ４とがパターン領域ＰＡの露光を開始した後に、露
光領域ＰＡ１，ＰＡ３，ＰＡ５とがパターン領域ＰＡの
露光を開始するのにあわせて、光量調節手段である周辺
視野絞り１２と可動のＮＤフィルター２０とにより光量
を以下のように調節する。（ステップ２０２） 即ち、不図示のアクチュエータを介して、可動のＮＤフ
ィルター２０を周辺視野絞り１２の開口部上を移動させ
る。そして、可動のＮＤフィルター２０は、露光領域Ｐ
Ａだけの光量を落とす位置に調節される。これにより、
ＥＸ１部分を露光する光量は大きいままで、ＰＡの露光
量を他の照明光学系と同じにすることができる。
ＰＡ４とがパターン領域ＰＡの露光を開始した後に、露
光領域ＰＡ１，ＰＡ３，ＰＡ５とがパターン領域ＰＡの
露光を開始するのにあわせて、光量調節手段である周辺
視野絞り１２と可動のＮＤフィルター２０とにより光量
を以下のように調節する。（ステップ２０２） 即ち、不図示のアクチュエータを介して、可動のＮＤフ
ィルター２０を周辺視野絞り１２の開口部上を移動させ
る。そして、可動のＮＤフィルター２０は、露光領域Ｐ
Ａだけの光量を落とす位置に調節される。これにより、
ＥＸ１部分を露光する光量は大きいままで、ＰＡの露光
量を他の照明光学系と同じにすることができる。
【００２７】ＣＰＵ１７は、光量制御回路１９を介し
て、照明光学系ＬＯ２とＬＯ４とがパターン露光を終了
するのにあわせて、照明光学系ＬＯ２とＬＯ４との超高
圧水銀ランプ１の光量を上げて周辺部ＥＸを露光する。
（ステップ２０３） ＣＰＵ１７は、光量制御回路１９を介して、照明光学系
ＬＯ１，ＬＯ３，ＬＯ５がパターン露光を終了するのに
あわせて、照明光学系ＬＯ１，ＬＯ３，ＬＯ５との超高
圧水銀ランプ１の光量を上げて周辺部ＥＸを露光する。
（ステップ２０４） これにより、ＥＸ１部の全てを十分な露光量で露光する
ことができる。
て、照明光学系ＬＯ２とＬＯ４とがパターン露光を終了
するのにあわせて、照明光学系ＬＯ２とＬＯ４との超高
圧水銀ランプ１の光量を上げて周辺部ＥＸを露光する。
（ステップ２０３） ＣＰＵ１７は、光量制御回路１９を介して、照明光学系
ＬＯ１，ＬＯ３，ＬＯ５がパターン露光を終了するのに
あわせて、照明光学系ＬＯ１，ＬＯ３，ＬＯ５との超高
圧水銀ランプ１の光量を上げて周辺部ＥＸを露光する。
（ステップ２０４） これにより、ＥＸ１部の全てを十分な露光量で露光する
ことができる。
【００２８】本実施例では、照明光学系ＬＯ１とＬＯ５
とに周辺視野絞り１２と可動遮光部１３またはＮＤフィ
ルター２０を配設したが本発明はこれに限るものではな
い。例えば、照明光学系ＬＯ２の露光領域ＰＡ２がＥＸ
１部の露光とパターン露光とを同時にしなければならな
いときには、照明光学系ＬＯ２に周辺視野絞り１２と可
動遮光部１３またはＮＤフィルター２０を配設すればい
い。
とに周辺視野絞り１２と可動遮光部１３またはＮＤフィ
ルター２０を配設したが本発明はこれに限るものではな
い。例えば、照明光学系ＬＯ２の露光領域ＰＡ２がＥＸ
１部の露光とパターン露光とを同時にしなければならな
いときには、照明光学系ＬＯ２に周辺視野絞り１２と可
動遮光部１３またはＮＤフィルター２０を配設すればい
い。
【００２９】また、本実施例では、超高圧水銀ランプ１
の光量を調節したが、光源を２つ設けてパターン露光と
周辺部露光とに使いわけてもいい。
の光量を調節したが、光源を２つ設けてパターン露光と
周辺部露光とに使いわけてもいい。
【００３０】
【発明の効果】以上説明してきたように、本発明では、
照明光学系内に露光量調節手段が配設されている。露光
量調節手段は、周辺部の露光量を中央部の露光量より多
くしている。このため、レジスト厚が他の部分に比べて
厚いエッジ部分の露光量が多くなるので、現像時にエッ
ジ部分のレジストを全て現像できる。これにより、専用
の周辺露光装置を用いることなく、レジストの発塵を防
止することができる。
照明光学系内に露光量調節手段が配設されている。露光
量調節手段は、周辺部の露光量を中央部の露光量より多
くしている。このため、レジスト厚が他の部分に比べて
厚いエッジ部分の露光量が多くなるので、現像時にエッ
ジ部分のレジストを全て現像できる。これにより、専用
の周辺露光装置を用いることなく、レジストの発塵を防
止することができる。
【００３１】露光量調節手段である露光面積可変手段
は、周辺部の露光面積を大きくすることにより、周辺部
の露光量を多くしている。このため、現像時にエッジ部
分のレジストを全て現像できるので、発塵を防止するこ
とができる。また、露光量調節手段である光量調節手段
は、中央部に露光する光量を周辺部に露光する光量より
少なくし、かつ、パターン露光に十分な光量にしてい
る。
は、周辺部の露光面積を大きくすることにより、周辺部
の露光量を多くしている。このため、現像時にエッジ部
分のレジストを全て現像できるので、発塵を防止するこ
とができる。また、露光量調節手段である光量調節手段
は、中央部に露光する光量を周辺部に露光する光量より
少なくし、かつ、パターン露光に十分な光量にしてい
る。
【００３２】このため、現像時にエッジ部分のレジスト
を全て現像できるので、発塵を防止することができる。
を全て現像できるので、発塵を防止することができる。
【図１】本発明の一実施例である走査型露光装置の概要
図である。
図である。
【図２】図１の視野絞り８と周辺視野絞り１２と可動遮
光部１３との詳細を示した図である。
光部１３との詳細を示した図である。
【図３】投影光学系ＰＬ１〜ＰＬ５のガラス基板１４上
での投影領域を示した図である。
での投影領域を示した図である。
【図４】実施例のＣＰＵ１７のフローチャートである。
【図５】可動のＮＤフィルター２０を示した図である。
【図６】変形例のＣＰＵ１７のフローチャートである。
９ マスクステージ １０ マスク １２ 周辺視野絞り １３ 可動遮光部 １４ ガラス基板ステージ １５ ガラス基板 ２０ 可動のＮＤフィルター ＬＯ１〜ＬＯ５ 照明光学系 ＰＬ１〜ＰＬ５ 投影光学系
Claims (4)
- 【請求項１】露光パターンを有したマスクを載置するマ
スクステージと矩形状の感光基板を載置する基板ステー
ジとを同期させて前記矩形状の一辺と平行な一方向に移
動させる駆動手段と、 前記マスクを照明する照明光学系と、 前記マスクの前記露光パターンを通過した光束を前記感
光基板上の周辺部を除く中央部に投影し、前記マスクの
前記露光パターンのない部分を通過した光束を前記周辺
部に投影する投影光学系と、を具備する走査型露光装置
において、 前記照明光学系に、前記周辺部の露光量を前記中央部の
露光量より多くする露光量調節手段を設けたことを特徴
とする走査型露光装置。 - 【請求項２】請求項１記載の走査型露光装置において、 前記照明光学系と前記投影光学系とは、複数の対になっ
ており、 前記一方向と平行な周辺部と該周辺部と隣接する中央部
の一部とを露光する照明光学系に前記露光量調節手段を
設けたことを特徴とする走査型露光装置。 - 【請求項３】請求項１または請求項２記載の走査型露光
装置において、 前記露光量調節手段は、前記周辺部への露光面積を変え
る露光面積可変手段であることを特徴とする走査型露光
装置。 - 【請求項４】請求項１または請求項２記載の走査型露光
装置において、 前記露光量調節手段は、前記中央部に露光する光量を調
節する光量調節手段であることを特徴とする走査型露光
装置。
Priority Applications (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP32371793A JP3384068B2 (ja) | 1993-12-22 | 1993-12-22 | 走査型露光装置 |
| US08/358,590 US5668624A (en) | 1993-12-22 | 1994-12-14 | Scan type exposure apparatus |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP32371793A JP3384068B2 (ja) | 1993-12-22 | 1993-12-22 | 走査型露光装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH07183188A true JPH07183188A (ja) | 1995-07-21 |
| JP3384068B2 JP3384068B2 (ja) | 2003-03-10 |
Family
ID=18157821
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP32371793A Expired - Lifetime JP3384068B2 (ja) | 1993-12-22 | 1993-12-22 | 走査型露光装置 |
Country Status (2)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US5668624A (ja) |
| JP (1) | JP3384068B2 (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2001305747A (ja) * | 2000-02-18 | 2001-11-02 | Nikon Corp | 露光装置及び露光方法 |
| JP2006039512A (ja) * | 2004-06-21 | 2006-02-09 | Nikon Corp | 露光装置及びマイクロデバイスの製造方法 |
| JP2013104934A (ja) * | 2011-11-11 | 2013-05-30 | Tokyo Electron Ltd | 露光装置及び露光方法 |
Families Citing this family (9)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5729331A (en) * | 1993-06-30 | 1998-03-17 | Nikon Corporation | Exposure apparatus, optical projection apparatus and a method for adjusting the optical projection apparatus |
| JPH09283407A (ja) * | 1996-04-12 | 1997-10-31 | Nikon Corp | 露光装置 |
| US6239861B1 (en) * | 1996-11-19 | 2001-05-29 | Nikon Corporation | Exposure method and scanning type exposure apparatus |
| US6562528B2 (en) | 2001-06-20 | 2003-05-13 | Nikon Corporation | Method for determining and calibrating image plane tilt and substrate plane tilt in photolithography |
| US9405203B2 (en) | 2008-09-23 | 2016-08-02 | Applied Materials, Inc. | Pixel blending for multiple charged-particle beam lithography |
| US9025136B2 (en) * | 2008-09-23 | 2015-05-05 | Applied Materials, Inc. | System and method for manufacturing three dimensional integrated circuits |
| US8670106B2 (en) * | 2008-09-23 | 2014-03-11 | Pinebrook Imaging, Inc. | Optical imaging writer system |
| US8253923B1 (en) | 2008-09-23 | 2012-08-28 | Pinebrook Imaging Technology, Ltd. | Optical imaging writer system |
| US9507271B1 (en) * | 2008-12-17 | 2016-11-29 | Applied Materials, Inc. | System and method for manufacturing multiple light emitting diodes in parallel |
Citations (15)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5655043A (en) * | 1979-10-12 | 1981-05-15 | Ushio Inc | Device for irradiating light |
| JPS59178729A (ja) * | 1983-03-30 | 1984-10-11 | Hitachi Ltd | フォトレジストプロセスにおける露光方法 |
| JPS60109228A (ja) * | 1983-11-18 | 1985-06-14 | Hitachi Ltd | 投影露光装置 |
| JPS61176118A (ja) * | 1985-01-31 | 1986-08-07 | Canon Inc | 露光装置 |
| JPS63258019A (ja) * | 1987-04-15 | 1988-10-25 | Nec Kyushu Ltd | 目合露光装置 |
| JPH01101628A (ja) * | 1987-10-14 | 1989-04-19 | Nec Corp | 縮小投影露光装置 |
| JPH01220332A (ja) * | 1988-02-26 | 1989-09-04 | Toshiba Corp | カラー受像管用シャドウマスクの製造方法 |
| JPH01261821A (ja) * | 1988-04-13 | 1989-10-18 | Nec Corp | 縮小投影露光装置 |
| JPH0249417A (ja) * | 1988-08-11 | 1990-02-19 | Fuji Electric Co Ltd | フォトレジストパターン形成方法 |
| JPH02237018A (ja) * | 1989-03-09 | 1990-09-19 | Fujitsu Ltd | 半導体装置の製造方法 |
| JPH03249657A (ja) * | 1990-02-28 | 1991-11-07 | Ushio Inc | フィルム露光方法およびフィルム露光装置 |
| JPH04283726A (ja) * | 1991-03-13 | 1992-10-08 | Canon Inc | 露光装置 |
| JPH05190448A (ja) * | 1992-01-16 | 1993-07-30 | Nikon Corp | 周辺露光装置 |
| JPH0786139A (ja) * | 1993-09-14 | 1995-03-31 | Nikon Corp | 露光装置 |
| JPH0794404A (ja) * | 1993-09-24 | 1995-04-07 | Canon Inc | 露光装置及びそれを用いた半導体デバイスの製造方法 |
Family Cites Families (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| FR2075386A5 (ja) * | 1970-01-10 | 1971-10-08 | Fuji Photo Film Co Ltd | |
| JPS4926590B1 (ja) * | 1970-09-03 | 1974-07-10 | ||
| US5473410A (en) * | 1990-11-28 | 1995-12-05 | Nikon Corporation | Projection exposure apparatus |
| US5305054A (en) * | 1991-02-22 | 1994-04-19 | Canon Kabushiki Kaisha | Imaging method for manufacture of microdevices |
| US5581075A (en) * | 1993-10-06 | 1996-12-03 | Nikon Corporation | Multi-beam scanning projection exposure apparatus and method with beam monitoring and control for uniform exposure of large area |
-
1993
- 1993-12-22 JP JP32371793A patent/JP3384068B2/ja not_active Expired - Lifetime
-
1994
- 1994-12-14 US US08/358,590 patent/US5668624A/en not_active Expired - Lifetime
Patent Citations (15)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5655043A (en) * | 1979-10-12 | 1981-05-15 | Ushio Inc | Device for irradiating light |
| JPS59178729A (ja) * | 1983-03-30 | 1984-10-11 | Hitachi Ltd | フォトレジストプロセスにおける露光方法 |
| JPS60109228A (ja) * | 1983-11-18 | 1985-06-14 | Hitachi Ltd | 投影露光装置 |
| JPS61176118A (ja) * | 1985-01-31 | 1986-08-07 | Canon Inc | 露光装置 |
| JPS63258019A (ja) * | 1987-04-15 | 1988-10-25 | Nec Kyushu Ltd | 目合露光装置 |
| JPH01101628A (ja) * | 1987-10-14 | 1989-04-19 | Nec Corp | 縮小投影露光装置 |
| JPH01220332A (ja) * | 1988-02-26 | 1989-09-04 | Toshiba Corp | カラー受像管用シャドウマスクの製造方法 |
| JPH01261821A (ja) * | 1988-04-13 | 1989-10-18 | Nec Corp | 縮小投影露光装置 |
| JPH0249417A (ja) * | 1988-08-11 | 1990-02-19 | Fuji Electric Co Ltd | フォトレジストパターン形成方法 |
| JPH02237018A (ja) * | 1989-03-09 | 1990-09-19 | Fujitsu Ltd | 半導体装置の製造方法 |
| JPH03249657A (ja) * | 1990-02-28 | 1991-11-07 | Ushio Inc | フィルム露光方法およびフィルム露光装置 |
| JPH04283726A (ja) * | 1991-03-13 | 1992-10-08 | Canon Inc | 露光装置 |
| JPH05190448A (ja) * | 1992-01-16 | 1993-07-30 | Nikon Corp | 周辺露光装置 |
| JPH0786139A (ja) * | 1993-09-14 | 1995-03-31 | Nikon Corp | 露光装置 |
| JPH0794404A (ja) * | 1993-09-24 | 1995-04-07 | Canon Inc | 露光装置及びそれを用いた半導体デバイスの製造方法 |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2001305747A (ja) * | 2000-02-18 | 2001-11-02 | Nikon Corp | 露光装置及び露光方法 |
| JP4581262B2 (ja) * | 2000-02-18 | 2010-11-17 | 株式会社ニコン | 露光装置及び露光方法 |
| JP2006039512A (ja) * | 2004-06-21 | 2006-02-09 | Nikon Corp | 露光装置及びマイクロデバイスの製造方法 |
| JP2013104934A (ja) * | 2011-11-11 | 2013-05-30 | Tokyo Electron Ltd | 露光装置及び露光方法 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| US5668624A (en) | 1997-09-16 |
| JP3384068B2 (ja) | 2003-03-10 |
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