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JP2000250226A - 露光装置 - Google Patents

露光装置

Info

Publication number
JP2000250226A
JP2000250226A JP11051882A JP5188299A JP2000250226A JP 2000250226 A JP2000250226 A JP 2000250226A JP 11051882 A JP11051882 A JP 11051882A JP 5188299 A JP5188299 A JP 5188299A JP 2000250226 A JP2000250226 A JP 2000250226A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
reticle
blind
mark
exposure
substrate
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Withdrawn
Application number
JP11051882A
Other languages
English (en)
Inventor
Tetsutsugu Hanazaki
哲嗣 花崎
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Nikon Corp
Original Assignee
Nikon Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Nikon Corp filed Critical Nikon Corp
Priority to JP11051882A priority Critical patent/JP2000250226A/ja
Publication of JP2000250226A publication Critical patent/JP2000250226A/ja
Withdrawn legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • GPHYSICS
    • G03PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03FPHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/70Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
    • G03F7/70058Mask illumination systems
    • G03F7/70066Size and form of the illuminated area in the mask plane, e.g. reticle masking blades or blinds

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
  • Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)

Abstract

(57)【要約】 【課題】 ブラインド装置の位置決めを容易、且つ短時
間で実施する。 【解決手段】 パターンを有したマスクRの照明領域を
規定するブラインド装置10を備え、照明領域を透過し
たパターン像を基板Pに露光する。ブラインド装置10
がブラインド装置10の位置を示すマークを有してお
り、ブラインド装置10に設けられたマークを検出する
検出装置6を備えた。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【発明の属する技術分野】本発明は、光源からのビーム
によってレチクルのパターンを感光基板に転写する露光
装置に関し、特に、光源からのビームをブラインドの開
口を介してレチクル上に照射する露光装置に関するもの
である。
【0002】
【従来の技術】液晶表示素子等を製造する露光装置とし
ては、レチクル上に形成されたパターンを感光基板の所
定領域に露光した後、感光基板を一定距離だけステッピ
ングさせて、再びレチクルのパターンを露光することを
繰り返す、いわゆるステップ・アンド・リピート方式の
もの(ステッパー)がある。
【0003】従来、例えば液晶表示素子用のLCDパタ
ーンをステッパーで形成する際には、通常画面合成法が
用いられている。この画面合成法は、分割されたLCD
パターンのそれぞれに対応する複数のレチクルを用い、
一枚のレチクルに対応するガラス基板の露光領域に該レ
チクルのパターンを露光した後に、ガラス基板をステッ
プさせるとともにレチクルを別のものに交換し、このレ
チクルに対応する露光領域に該レチクルのパターンを露
光することにより、ガラス基板に複数のパターンが合成
されたLCDパターンを形成するものである。
【0004】ところで、上記画面合成法を行う際には、
レチクルのパターン描画誤差や投影光学系のレンズの収
差、ガラス基板をステップ移動させるステージの位置決
め誤差等に起因してパターンの継ぎ目部に段差が発生
し、デバイスの特性が損なわれたり、さらに、画面合成
された分割パターンを多層に重ね合わせた場合、各層の
露光領域の重ね誤差やパターンの線幅差がパターンの継
ぎ目部分で不連続に変化し、デバイスの品質が低下する
ことを回避するために、いわゆる、重ね継ぎが行われて
いる。
【0005】この重ね継ぎは、隣接する露光領域でこの
継ぎ目部分を重ね合わせ露光し、且つ各露光領域で、例
えば露光時間を変化させることでこの継ぎ目部分の露光
量を境界へ向けて比例的に減少させることにより、重ね
合わせ露光した際に、この部分の露光量を他の部分の露
光量と略一致させるものである。
【0006】上記、露光量を減少させるには、例えば、
レチクルの照明領域を規定するブラインド装置の開口を
露光中に露光光と直交する方向に一定の速度で移動させ
ることで、変位した開口の端部の露光時間を変化させる
方法が採られている。そのため、重ね継ぎを実施する際
には、レチクルとブラインド装置の開口とを高精度に位
置決めする必要がある。
【0007】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上述し
たような従来の露光装置には、以下のような問題が存在
する。レチクルの位置決めは、該レチクルに形成された
レチクルマークをマーク検出系で検出することにより容
易になされている。ところが、ブラインド装置の位置決
めは、一旦、基板上に試し露光を行うとともに基板を現
像し、転写されたパターンを別途読み取り、計測するこ
とによりなされているため、作業が繁雑で多大な作業時
間も必要であった。
【0008】また、位置決め作業は、トライ・アンド・
エラーを繰り返すため、さらに多くの作業時間を要する
ことに加えて調整時間のばらつきも多くなってしまうと
いう問題もあった。
【0009】本発明は、以上のような点を考慮してなさ
れたもので、ブラインド装置の位置決めを容易、且つ短
時間で実施することのできる露光装置を提供することを
目的とする。
【0010】
【課題を解決するための手段】上記の目的を達成するた
めに本発明は、実施の形態を示す図1ないし図5に対応
付けした以下の構成を採用している。本発明の露光装置
は、パターンを有したマスクRの照明領域を規定するブ
ラインド装置(10)を備え、照明領域を透過したパタ
ーン像を基板(P)に露光する露光装置(1)におい
て、ブラインド装置(10)が該ブラインド装置(1
0)の位置を示すマーク(15a〜15d)を有してお
り、ブラインド装置(10)に設けられたマーク(15
a〜15d)を検出する検出装置(6)を備えたことを
特徴とするものである。
【0011】従って、本発明の露光装置では、検出装置
(6)がブラインド装置(10)に設けられたマーク
(15a〜15d)を検出することにより、ブラインド
装置(10)の位置を検出することができる。そのた
め、ブラインド装置(10)をマスク(R)に対して位
置決めすることができる。
【0012】
【発明の実施の形態】以下、本発明の露光装置の実施の
形態を、図1ないし図4を参照して説明する。ここで
は、露光装置がステッパ方式である例を用いて説明す
る。図1は、露光装置1の概略構成図である。なお、本
実施の形態の露光装置1は、従来技術で説明した画面合
成法によりガラスプレートにLCDパターンを露光する
液晶用露光装置である。露光装置1は、レチクル(マス
ク)Rに形成されたパターン(例えば、液晶表示素子パ
ターン)を角形のガラスプレートである基板P上へ投影
転写するものであって、水銀ランプ2、照明光学系3、
投影光学系4、基板ステージ5、レチクルRを保持して
移動可能なレチクルステージRS、マーク検出装置(検
出装置)6および露光装置1全体を制御する制御装置1
00から概略構成されている。
【0013】水銀ランプ2は、露光光としてのビームB
を発するものである。この水銀ランプ2には、楕円鏡2
aが付設されている。楕円鏡2aは、水銀ランプ2が発
する露光光を集光するものである。
【0014】照明光学系3は、反射ミラー7a,7b
と、波長選択フィルタ8と、フライアイインテグレータ
9と、レチクルブラインド(ブラインド装置)10と、
リレーレンズ11と、ハーフミラー12とから概略構成
されている。反射ミラー7aは、楕円鏡2aで集光され
たビームBを波長選択フィルタ8へ向けて反射するもの
である。反射ミラー7bは、リレーレンズ11を通過し
たビームBをレチクルRへ向けて反射するものである。
【0015】波長選択フィルタ8は、ビームBのうち露
光に必要な波長(g線やi線)のみを通過させるもので
ある。フライアイインテグレータ9は、波長選択フィル
タ8を通過したビームBの照度分布を均一にするもので
ある。
【0016】レチクルブラインド10は、フライアイイ
ンテグレータ9を通過したビームBがレチクルRを照明
する照明領域を設定するものであって、開口部材10
a、10bと駆動機構(不図示)とを備えた構成であ
り、制御装置100の制御に基づいて照明領域を設定す
る。開口部材10a、10bは、レチクルRの共役面を
挟んで互いに対向するように微小隙間(例えば、300
μm程度)をあけて配置され、ビームBと直交する平面
内でこの互いに直交する方向にそれぞれ移動自在とされ
ている。
【0017】図2に示すように、開口部材10aは、C
r蒸着等により遮光された平面視矩形状の遮光部13a
と、該遮光部13aの略中央に形成された平面視矩形状
の開口14aとから構成されている。同様に、開口部材
10bは、いずれも平面視矩形状を有する遮光部13b
と開口14bとから構成されている。そして、開口部材
10a、10bが移動して、開口14a、14bが組み
合わされることで、レチクルRの照明領域の位置、大き
さが設定される構成になっている。なお、開口部材10
a、10bは、特開平7−235466号公報に開示さ
れているように、開口14a(14b)の任意の辺に開
口14a(14b)から周辺に向けて透過率が変化する
減光部を設けたものでもよい。
【0018】また、開口部材10aの遮光部13aに
は、開口部材10aの位置を示すアライメントマーク
(マーク)15a、15bが開口14aを挟んで該開口
14aと所定寸法離間してそれぞれ設けられている。同
様に、開口部材10bの遮光部13bには、開口部材1
0bの位置を示すアライメントマーク(マーク)15
c、15dが設けられている。図3に示すように、各ア
ライメントマーク15a〜15dは、X方向およびY方
向の計測を行うために、各方向に延在するスリット形状
の開口パターンをそれぞれ有している。
【0019】駆動機構は、開口部材10a、10bの上
記ビームBと直交する平面内で互いに直交する方向への
移動およびビームB周りの回転移動をそれぞれ駆動する
ものである。
【0020】リレーレンズ11は、レチクルブラインド
10の開口14a、14bで設定された照明領域の像を
レチクルRで結像させるものである。ハーフミラー12
は、フライアイインテグレータ9を通過したビームBを
レチクルブラインド10へ向けて通過させるとともに、
後述する発光部(照射部)16から照射される検出光を
光電子増倍管(受光部)17へ向けて反射するものであ
る。
【0021】投影光学系4は、レチクルRの照明領域に
存在するパターンの像を基板P上に結像させるものであ
る。基板ステージ5は、基板Pを保持するものであっ
て、制御装置100の制御により互いに直交する方向へ
移動自在とされている。この基板ステージ5上には、移
動鏡18が設けられている。移動鏡18には、位置検出
装置であるレーザ干渉計19からレーザ光が射出され、
その反射光と入射光との干渉に基づいて移動鏡18とレ
ーザ干渉計19との間の距離、すなわち基板ステージ5
の位置が検出される構成になっている。なお、レーザ干
渉計19の出力は、制御装置100に入力される。
【0022】マーク検出装置6は、レチクルブラインド
10に設けられたアライメントマーク15a〜15dお
よびレチクルRに形成されたレチクルマーク(不図示)
を検出するものであって、上記発光部16と光電子増倍
管17とを主体として構成されている。発光部16は、
上記のマークを検出するための検出光を投影光学系4へ
向けて照射するものであって、基板ステージ5上に配置
されている。また、発光部16には、図3に示した図3
に示したレチクルブラインド10のアライメントマーク
15a〜15dと同様にスリット形状の開口パターンが
形成されている。そして、上記検出光は、このスリット
形状で照射されるようになっている。光電子増倍管17
は、発光部16から照射された検出光を投影光学系4を
通して受光して電気信号に変換し制御装置100に出力
するものである。
【0023】レチクルRは、投影光学系4側の面に上記
パターンが形成されたパターン領域(不図示)を有して
おり、このパターン領域の周囲に上記レチクルマークが
形成されている。このレチクルマークは、図3に示した
レチクルブラインド10のアライメントマーク15a〜
15dと同様に、スリット形状の開口パターンが形成さ
れている。
【0024】上記の構成の露光装置において制御装置1
00によるレチクルRとレチクルブラインド10とを位
置決めする手順について説明する。ここで、基板ステー
ジ5に対する発光部16の位置、レチクルRに対するレ
チクルマークの位置、開口部材10aにおける開口14
aとアライメントマーク15a、15bとの関係位置お
よび開口部材10bにおける開口14bとアライメント
マーク15c、15dとの関係位置は、既知であるもの
とする。
【0025】レチクルブラインド10の内、開口部材1
0aを位置決めするには、まず開口部材10bを発光部
16からの検出光と干渉しない位置に退避させる。次
に、基板ステージ5を移動させるに先だって、開口部材
10aのアライメントマーク15aが上記検出光の光路
に概ね位置するように開口部材10aを移動させる。そ
して、発光部16から検出光を照射しながら基板ステー
ジ5を、例えばX方向に走査移動する。
【0026】この検出光は、投影光学系4、レチクルR
を通過して、リレーレンズ11によりレチクル共役面に
結像し、検出光の光路にアライメントマーク15aが位
置したときに該アライメントマーク15aのスリットを
透過する。
【0027】ここで、レチクルRは、透明部分を検出光
が通過するように予め移動しておくか、パターンが形成
されていない透明のレチクルが用いられる。さらに、レ
チクルRを取り除いてもよい。また、基板ステージ5を
X方向に移動させる際には、アライメントマーク15a
の内、Y方向に延在するスリットを用いる。
【0028】スリットを透過した検出光は、ハーフミラ
ー12で反射して光電子増倍管17に入射して電気信号
に変換される。図4に、発光部16の走査方向の位置と
光電子増倍管17に入射した検出光の信号レベルとの関
係を示す。この図に示すように、発光部16とアライメ
ントマーク15aの位置が一致したときに信号レベルの
最大値が発生する。基板ステージ5の移動の際には、レ
ーザ干渉計19が、基板ステージ5上の移動鏡17に向
けてレーザ光18を射出し、基板ステージ5の位置を正
確に検出しているので、制御装置100は、上記検出光
の信号レベルが最大値になったときの基板ステージ5の
位置座標および発光部16の位置とからアライメントマ
ーク15aのX座標を検出できる。
【0029】続いて、同様の手順で基板ステージ5をY
方向に走査移動することにより、アライメントマーク1
5aのY座標を決定する。このとき、アライメントマー
ク15aの内、X方向に延在するスリットが用いられ
る。さらに、開口部材15aを、アライメントマーク1
5bが上記検出光の光路に概ね位置するように移動させ
る。そして、上記と同様の手順によりアライメントマー
ク15bのX座標、Y座標をそれぞれ決定する。ここ
で、アライメントマーク15a、15bと開口14aと
の位置関係は既知であるので、開口14aの基板ステー
ジ5における座標を正確に検出することができる。
【0030】次に、開口部材10aを発光部16からの
検出光と干渉しない位置に移動させた後に、開口部材1
0aと同様に、開口部材10bのアライメントマーク1
5c、15dのX座標、Y座標をそれぞれ検出する。ア
ライメントマーク15c、15dと開口14bとの位置
関係も既知であるので、開口14bの基板ステージ5に
おける座標を正確に検出することができる。
【0031】そして、得られた開口14a、14bの位
置と、設計上あるべき理想位置とのずれ量を求めて、開
口部材10a、10bの回転補正量、XYシフト補正量
を求める。これらの補正量に基づいて開口部材10a、
10bを駆動機構を用いて位置決めする。
【0032】続いて、制御装置100によりレチクルR
を位置決めする手順について説明する。まず、開口14
a、14b内に検出光の光路が位置するように開口部材
10a、10bを移動させる。次に、レチクルRのレチ
クルマークが上記検出光の光路に概ね位置するようにレ
チクルRを移動させる。そして、開口部材10a、10
bのアライメントマーク15a、15bを検出するとき
と同様に、発光部16から検出光を照射しながら基板ス
テージ5を走査移動することにより、レチクルマークの
X座標、Y座標を検出する。
【0033】そして、得られたレチクルマークの位置
と、設計上あるべき理想位置とのずれ量を求めて、レチ
クルRの回転補正量、XYシフト補正量、XY倍率オフ
セット量を求める。これらの補正量に基づいてレチクル
Rを位置決めする。かくして、レチクルブラインド10
およびレチクルRが基板ステージ5の座標系で位置決め
される。
【0034】そして、基板ステージ5上に基板Pがセッ
トされてアライメントされると露光処理に入る。レチク
ルRが、レチクルステージRSにアライメントされてセ
ットされると、レチクルブラインド10の開口部材10
a、10bを移動させる。これにより、レチクルRに
は、開口14a、14bに対応する照明領域が設定され
る。また、開口部材10a、10bを移動させると同時
に、開口14a、14bで設定された照明領域に対応す
る位置に基板ステージ5を移動させる。
【0035】レチクルブラインド10および基板ステー
ジ5が所定位置にセットされると、水銀ランプ2からの
露光光であるビームBが楕円鏡2aで集光され、反射ミ
ラー7aから波長選択フィルタ8に入射する。波長選択
フィルタ8で露光に必要な波長のみが通過したビームB
は、フライアイインテグレータ9で均一な照度分布に調
整された後、ハーフミラー12を通過してレチクルブラ
インド10に到達する。
【0036】レチクルブラインド10の開口を通過した
ビームBは、リレーレンズ11に入射する。このリレー
レンズ11によりレチクルブラインド10の開口の像が
反射ミラー7bで反射した後、レチクルRで結像し、上
記開口に対応するレチクルRの照明領域が照明される。
レチクルRの照明領域に存在するパターンの像は、投影
光学系4により基板P上に結像する。これにより、基板
P上にレチクルRのパターンが転写される。なお、開口
部材10a、10bは、レチクルRの共役面に対して微
小距離離間しているが、発光部16の検出光を結像させ
る光学系の焦点深度が上記共役面と開口部材10a、1
0bとの間の距離以上であれば不都合はない。
【0037】本実施の形態の露光装置では、レチクルブ
ラインド10の開口部材10a、10bに設けられたア
ライメントマーク15a〜15dをマーク検出装置6で
検出することで開口部材10a、10bを位置決めでき
るので、レチクルブラインド10の位置決めの際に基板
Pへの試し露光が必要なくなり、作業の簡便化および試
し露光に伴う基板Pの現像、パターンの読み取りに要す
る時間を削除でき、作業時間の短縮化、安定化を実現す
ることができる。加えて、試し露光に必要な資材、設備
を別途設ける必要もなくなるので、装置の小型化、低価
格化も実現することができる。なお、本実施の形態で
は、制御装置100の制御によりレチクルブラインド1
0の位置決めを行ったが、制御装置100を用いずにマ
ニュアル作業で行ってもよいことは言うまでもない。
【0038】また、本実施の形態の露光装置では、マー
ク検出装置6としてレチクルマークを検出するための装
置を用いているので、アライメントマーク15a〜15
dを検出するための装置を別途設ける必要がなく、装置
の一層の小型化、低価格化を実現することができる。
【0039】さらに、本実施の形態の露光装置では、発
光部16を基板ステージ5に設け、基板ステージ5を移
動させながらアライメントマーク15a〜15dを検出
しているので、投影光学系4のディストーションを含め
て実際に基板Pに投影される状態と近似の状態での補正
量を求めることができ、レチクルRや開口部材10a、
10bの位置決めを高精度に実施することができる。
【0040】また、本実施の形態の露光装置では、駆動
機構により移動した開口部材10a、10bの移動量を
検出する移動量検出部を設けることによって、開口14
a、14bの位置修正を自動で行うことが可能になり、
経時変化や熱変形により開口14a、14bの位置が変
化しても適宜位置補正を実施でき、装置精度を維持でき
るという効果も得られる。
【0041】なお、上記実施の形態において、発光部1
6から検出光を照射する構成としたが、これに限られ
ず、例えば、水銀ランプ2から照射されるビームBをラ
イトガイド等の光伝搬手段により基板ステージ5に導
き、検出光を水銀ランプからのビームBとする構成であ
ってもよい。この場合、発光部を別途設ける必要がなく
なり、装置の小型化、低価格化に寄与できる。
【0042】さらに、上記実施の形態において、発光部
16を基板ステージ5に設け、光電子増倍管17をフラ
イアイインテグレータ9とレチクルブラインド10との
間に設ける構成としたが、これに限定されるものではな
く、図5に示すように、発光部を水銀ランプ2とし、光
電子増倍管17を基板ステージ5に設け、検出光として
のビームBを反射ミラー12aを介して光電子増倍管1
7で検出するような構成であってもよい。
【0043】また、上記実施の形態において、アライメ
ントマーク15a〜15d、レチクルマークをスリット
形状の開口パターンとしたが、開口ではなく遮蔽のスリ
ットマークや他の各種形状を採用することができる。
【0044】なお、基板Pとしては、液晶ディスプレイ
デバイス用のガラス基板のみならず、半導体デバイス用
の半導体ウエハ、薄膜磁気ヘッド用のセラミックウエ
ハ、あるいは露光装置で用いられるマスクまたはレチク
ルの原版(合成石英、シリコンウエハ)等が適用され
る。
【0045】露光装置1としては、レチクルRと基板P
とを静止した状態でレチクルRのパターンを露光し、基
板Pを順次ステップ移動させるステップ・アンド・リピ
ート方式の露光装置(ステッパー)でも、レチクルRと
基板Pとを同期移動してレチクルRのパターンを露光す
るステップ・アンド・スキャン方式の走査型投影露光装
置(スキャニング・ステッパー)にも適用することがで
きる。
【0046】露光装置1の種類としては、上記液晶ディ
スプレイデバイス製造用のみならず、半導体製造用の露
光装置や、薄膜磁気ヘッド、撮像素子(CCD)あるい
はレチクルRなどを製造するための露光装置などにも広
く適用できる。
【0047】また、照明光学系3の光源として、水銀ラ
ンプ2から発生する輝線(g線(436nm)、i線
(365nm))、KrFエキシマレーザ(248n
m)、ArFエキシマレーザ(193nm)、F2レー
ザ(157nm)、X線などを用いることができる。ま
た、YAGレーザや半導体レーザ等の高周波などを用い
てもよい。
【0048】投影光学系4の倍率は、縮小系のみならず
等倍および拡大系のいずれでもよい。また、投影光学系
4としては、エキシマレーザなどの遠紫外線を用いる場
合は硝材として石英や蛍石などの遠紫外線を透過する材
料を用い、F2レーザを用いる場合は反射屈折系または
屈折系の光学系にする。
【0049】基板ステージ5やレチクルステージRSに
リニアモータを用いる場合は、エアベアリングを用いた
エア浮上型およびローレンツ力またはリアクタンス力を
用いた磁気浮上型のどちらを用いてもよい。また、各ス
テージは、ガイドに沿って移動するタイプでもよく、ガ
イドを設けないガイドレスタイプであってもよい。
【0050】基板ステージ5の移動により発生する反力
は、フレーム部材を用いて機械的に床(大地)に逃がし
てもよい。レチクルステージRSの移動により発生する
反力は、フレーム部材を用いて機械的に床(大地)に逃
がしてもよい。
【0051】複数の光学素子から構成される照明光学系
3および投影光学系4をそれぞれ露光装置本体に組み込
んでその光学調整をするとともに、多数の機械部品から
なるレチクルステージRSや基板ステージ5を露光装置
本体に取り付けて配線や配管を接続し、更に総合調整
(電気調整、動作確認等)をすることにより本実施の形
態の露光装置1を製造することができる。なお、露光装
置1の製造は、温度およびクリーン度等が管理されたク
リーンルームで行うことが望ましい。
【0052】液晶ディスプレイデバイスや半導体デバイ
ス等のデバイスは、各デバイスの機能・性能設計を行う
ステップ、この設計ステップに基づいたレチクルRを製
作するステップ、ガラス基板P、ウエハ等を製作するス
テップ、前述した実施の形態の露光装置1によりレチク
ルRのパターンを基板P、ウエハに露光するステップ、
各デバイスを組み立てるステップ、検査ステップ等を経
て製造される。
【0053】
【発明の効果】以上説明したように、請求項1に係る露
光装置は、ブラインド装置が該ブラインド装置の位置を
示すマークを有しており、検出装置がこのマークを検出
する構成となっている。これにより、この露光装置で
は、作業の簡便化および試し露光に伴って発生する作業
時間を削除でき、作業時間の短縮化、安定化を実現でき
るとともに、試し露光に必要な資材、設備を別途設ける
必要もなくなるので、装置の小型化、低価格化も実現で
きるという効果が得られる。
【0054】請求項2に係る露光装置は、検出装置が、
検出光を照射する照射部とマークからの検出光を受光す
る受光部とを備える構成となっている。これにより、こ
の露光装置では、照射部が照射した検出光を受光部が受
光することでブラインド装置の位置を検出できるので、
試し露光に伴う作業の簡便化および試し露光に伴って発
生する作業時間を削除でき、作業時間の短縮化、安定化
を実現できるとともに、試し露光に必要な資材、設備を
別途設ける必要もなくなるので、装置の小型化、低価格
化も実現できるという効果が得られる。
【0055】請求項3に係る露光装置は、照射部を基板
ステージに設ける構成となっている。これにより、この
露光装置では、投影光学系のディストーションを含めて
実際に基板に投影される状態と近似の状態での補正量を
求めることができ、マスクやブラインド装置の位置決め
を高精度に実施するできるという効果が得られる。
【0056】請求項4に係る露光装置は、基板ステージ
が移動しながら、検出装置がマークを検出する構成とな
っている。これにより、この露光装置では、実際に基板
に投影される状態と一層近似の状態での補正量を求める
ことができ、マスクやブラインド装置の位置決めを高精
度に実施するできるという効果が得られる。
【図面の簡単な説明】
【図1】 本発明の実施の形態を示す図であって、マー
ク検出装置を備えた露光装置の概略構成図である。
【図2】 同露光装置を構成するレチクルブラインドの
開口部材を示す平面図である。
【図3】 同開口部材に形成されたアライメントマーク
の平面図である。
【図4】 本発明の実施の形態を示す図であって、発光
部の走査方向の位置と光電子増倍管で検出する信号レベ
ルとの関係図である。
【図5】 本発明の別の実施の形態を示す図であって、
光電子増倍管が基板ステージに設けられた露光装置の概
略構成図である。
【符号の説明】
P 基板 R レチクル(マスク) 1 露光装置 5 基板ステージ 6 マーク検出装置(検出装置) 10 レチクルブラインド(ブラインド装置) 15a、15b、15c、15d アライメントマーク
(マーク) 16 発光部(照射部) 17 光電子増倍管(受光部)

Claims (4)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】 パターンを有したマスクの照明領域を規
    定するブラインド装置を備え、前記照明領域を透過した
    パターン像を基板に露光する露光装置において、 前記ブラインド装置は、該ブラインド装置の位置を示す
    マークを有しており、前記ブラインド装置に設けられた
    マークを検出する検出装置を備えたことを特徴とする露
    光装置。
  2. 【請求項2】 前記検出装置は、前記マークを検出する
    検出光を照射する照射部と、前記マークからの前記検出
    光を受光する受光部とを備えたことを特徴とする請求項
    1記載の露光装置。
  3. 【請求項3】 前記基板を保持して移動する基板ステー
    ジを備え、前記照射部を前記基板ステージに設けたこと
    を特徴とする請求項2記載の露光装置。
  4. 【請求項4】 前記検出装置は、前記基板ステージを移
    動しながら前記マークを検出することを特徴とする請求
    項3記載の露光装置。
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* Cited by examiner, † Cited by third party
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