JPH071776B2 - パターン検査装置 - Google Patents
パターン検査装置Info
- Publication number
- JPH071776B2 JPH071776B2 JP58220619A JP22061983A JPH071776B2 JP H071776 B2 JPH071776 B2 JP H071776B2 JP 58220619 A JP58220619 A JP 58220619A JP 22061983 A JP22061983 A JP 22061983A JP H071776 B2 JPH071776 B2 JP H071776B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- pattern
- color
- semiconductor wafer
- inspection
- vertical direction
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Lifetime
Links
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L22/00—Testing or measuring during manufacture or treatment; Reliability measurements, i.e. testing of parts without further processing to modify the parts as such; Structural arrangements therefor
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Investigating Materials By The Use Of Optical Means Adapted For Particular Applications (AREA)
- Testing Or Measuring Of Semiconductors Or The Like (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】 〔技術分野〕 本発明は半導体ウェーハに形成された素子パターンの欠
陥を検査するパターン検査装置に関するものである。
陥を検査するパターン検査装置に関するものである。
近年のIC,LSI等の半導体装置の微細化に伴ない、製造プ
ロセス途中で発生する欠陥，異物等はこれを低減する必
要がある。このためには、半導体装置の製造途中におい
てパターン外観を検査し、欠陥や異物の有無あるいはそ
のレベルを定量的に評価することが必要とされる。
ロセス途中で発生する欠陥，異物等はこれを低減する必
要がある。このためには、半導体装置の製造途中におい
てパターン外観を検査し、欠陥や異物の有無あるいはそ
のレベルを定量的に評価することが必要とされる。
このため、従来はパターン上にレーザ光を照射し、欠陥
や異物による散乱光を検出することによりパターン外観
を検査する外観検査装置が用いられていた（例えば特開
昭54-111774号公報参照）。ところが、このような自動
外観検査装置において、単一光照明でかつ隣接チップ比
較つまり形状比較である場合、パターン部位に低い段差
欠陥が生じていても検出できないことがある。また、こ
の検査装置はあくまでもパターン形状を検査するのみで
あり、半導体装置に多数形成されている薄膜の膜厚むら
まで検査することはできないことを本発明者は見い出し
た。
や異物による散乱光を検出することによりパターン外観
を検査する外観検査装置が用いられていた（例えば特開
昭54-111774号公報参照）。ところが、このような自動
外観検査装置において、単一光照明でかつ隣接チップ比
較つまり形状比較である場合、パターン部位に低い段差
欠陥が生じていても検出できないことがある。また、こ
の検査装置はあくまでもパターン形状を検査するのみで
あり、半導体装置に多数形成されている薄膜の膜厚むら
まで検査することはできないことを本発明者は見い出し
た。
このため、本発明者は先にカラー画像を利用してパター
ン検査を行なう方式を考察し、カラーTVカメラを使用し
てパターンを撮像しこれに基づいて薄膜の状態を検査す
る試みをなしている。即ち、薄膜は白色照明光の下では
膜厚に依存する干渉色による多彩な色を呈するため、こ
の色を検出することにより薄膜の膜厚はもとより欠陥，
異物をも検出できる。しかしながら、この方式ではカラ
ーTVの解像度に限界があってIC,LSIの微細パターンの検
査には適せず、高精度の検査を行なうことができないと
いう問題がある。そのため前述した問題を解決するため
鋭意検討した。
ン検査を行なう方式を考察し、カラーTVカメラを使用し
てパターンを撮像しこれに基づいて薄膜の状態を検査す
る試みをなしている。即ち、薄膜は白色照明光の下では
膜厚に依存する干渉色による多彩な色を呈するため、こ
の色を検出することにより薄膜の膜厚はもとより欠陥，
異物をも検出できる。しかしながら、この方式ではカラ
ーTVの解像度に限界があってIC,LSIの微細パターンの検
査には適せず、高精度の検査を行なうことができないと
いう問題がある。そのため前述した問題を解決するため
鋭意検討した。
本発明の目的は微細パターンのカラー検査に好適なカラ
ーセンサを使用して微細パターンを高精度に検査するこ
とのできるパターン検査技術を提供することにある。
ーセンサを使用して微細パターンを高精度に検査するこ
とのできるパターン検査技術を提供することにある。
本発明の前記ならびにそのほかの目的と新規な特徴は、
本明細書の記述および添付図面からあきらかになるであ
ろう。
本明細書の記述および添付図面からあきらかになるであ
ろう。
本願において開示される発明のうち代表的なものの概要
を簡単に説明すれば、下記のとおりである。
を簡単に説明すれば、下記のとおりである。
すなわち、多数個の撮像素子を少なくとも３個を１組と
してこれを複数組並列配置したカラーセンサを構成し、
パターン検査の撮像光を各組において色分解して検出で
きるように構成することにより、各色成分をビット単位
とした走査型の検査を可能にし、これにより微細パター
ンの高精度カラー検査を達成できる。
してこれを複数組並列配置したカラーセンサを構成し、
パターン検査の撮像光を各組において色分解して検出で
きるように構成することにより、各色成分をビット単位
とした走査型の検査を可能にし、これにより微細パター
ンの高精度カラー検査を達成できる。
また、カラーセンサへの結像光学系にプリズム，回折格
子，色分解フィルタ等を使用して被検査パターンの色分
解を行なう構成とすることにより、前記カラーセンサを
使用した検査装置の構成の簡易化および検査精度の向上
を達成するものである。
子，色分解フィルタ等を使用して被検査パターンの色分
解を行なう構成とすることにより、前記カラーセンサを
使用した検査装置の構成の簡易化および検査精度の向上
を達成するものである。
〔実施例１〕 第１図は本発明の一実施例であるパターン検査装置の全
体構成図を示し、１は被検査パターンとしての素子パタ
ーンを主面に形成した半導体ウェーハであり、XYテーブ
ル２上に水平に載置されてＸ方向およびＹ方向に移動さ
れる。３はこのXYテーブル２の斜上方に配置した照明ラ
ンプであり、前記ウェーハ１の表面を白色光で照明す
る。また、前記XYテーブル２の直上にはパターン検査部
４を配置している。
体構成図を示し、１は被検査パターンとしての素子パタ
ーンを主面に形成した半導体ウェーハであり、XYテーブ
ル２上に水平に載置されてＸ方向およびＹ方向に移動さ
れる。３はこのXYテーブル２の斜上方に配置した照明ラ
ンプであり、前記ウェーハ１の表面を白色光で照明す
る。また、前記XYテーブル２の直上にはパターン検査部
４を配置している。
前記パターン検査部４は、対物レンズ5,プリズム6,カラ
ーセンサ７および検査回路８からなる。対物レンズ５は
ウェーハ１上のパターンをカラーセンサ７上に結像さ
せ、プリズム６は分光手段としてこの結像される光を波
長に応じて分光させる。前記カラーセンサ７は、第２図
に示すように３個の固体撮像素子7B,7G,7Rを横方向に並
べてこれを１組とし、この組を縦方向に多数組列設した
構造としている。そして、各組における素子は右からＢ
（青）,G（緑）,R（赤）の光三原色に対応する素子とし
て設けている。この結果、縦方向に列設した素子数ｎに
対応してB,G,Rの各色の素子7B,7G,7Rはｎビットの直線
状に形成されていることになる。その上で、各色の素子
7B,7G,7Rは前記プリズム６により分光された光B,G,Rの
屈折位置に対応位置されている。
ーセンサ７および検査回路８からなる。対物レンズ５は
ウェーハ１上のパターンをカラーセンサ７上に結像さ
せ、プリズム６は分光手段としてこの結像される光を波
長に応じて分光させる。前記カラーセンサ７は、第２図
に示すように３個の固体撮像素子7B,7G,7Rを横方向に並
べてこれを１組とし、この組を縦方向に多数組列設した
構造としている。そして、各組における素子は右からＢ
（青）,G（緑）,R（赤）の光三原色に対応する素子とし
て設けている。この結果、縦方向に列設した素子数ｎに
対応してB,G,Rの各色の素子7B,7G,7Rはｎビットの直線
状に形成されていることになる。その上で、各色の素子
7B,7G,7Rは前記プリズム６により分光された光B,G,Rの
屈折位置に対応位置されている。
一方、検査回路８は前記各色の素子7B,7G,7R列から信号
を夫々独立するパターン抽出増幅器9B,9G,9Rと、メモリ
10B,10G,10Rと、比較器11B,11G,11Rと、判定処理器12と
を備え、前記増幅器9B,9G,9Rとメモリ10B,10G,10Rとは
切換器13B,13G,13Rによって導通がとられるようにして
いる。そして、この切換器13B,13G,13Rを作動すること
により各増幅器9B,9G,9Rの出力はメモリ10B,10G,10Rに
記憶できる。メモリ10B,10G,10Rに記憶された信号は比
較器11B,11G,11Rにおいて次に増幅器9B,9G,9Rから出力
される信号と比較される。判定処理器２は各比較器11B,
11G,11Rからの出力にもとづいてパターンにおける欠陥
や異物を検査する。
を夫々独立するパターン抽出増幅器9B,9G,9Rと、メモリ
10B,10G,10Rと、比較器11B,11G,11Rと、判定処理器12と
を備え、前記増幅器9B,9G,9Rとメモリ10B,10G,10Rとは
切換器13B,13G,13Rによって導通がとられるようにして
いる。そして、この切換器13B,13G,13Rを作動すること
により各増幅器9B,9G,9Rの出力はメモリ10B,10G,10Rに
記憶できる。メモリ10B,10G,10Rに記憶された信号は比
較器11B,11G,11Rにおいて次に増幅器9B,9G,9Rから出力
される信号と比較される。判定処理器２は各比較器11B,
11G,11Rからの出力にもとづいてパターンにおける欠陥
や異物を検査する。
以上の構成によれば、XYテーブル２によってウェーハ１
がＸ方向又はＹ方向に移動されれば、パターン検査部４
に対してウェーハ上のパターンが走査される。この走査
により照明ランプ３からの白色光のパターン反射光は対
物レンズ５およびプリズム６を通してカラーセンサ７に
結像される。そして、このとき、プリズム６の作用によ
りパターン反射光のB,G,Rの三原色は夫々B,G,Rの各色の
素子7B,7G,7R列上に結像され、結局三色に分解されて夫
々独自に検出される。この検出信号が前記走査に伴なっ
て時間の関数で検出される。
がＸ方向又はＹ方向に移動されれば、パターン検査部４
に対してウェーハ上のパターンが走査される。この走査
により照明ランプ３からの白色光のパターン反射光は対
物レンズ５およびプリズム６を通してカラーセンサ７に
結像される。そして、このとき、プリズム６の作用によ
りパターン反射光のB,G,Rの三原色は夫々B,G,Rの各色の
素子7B,7G,7R列上に結像され、結局三色に分解されて夫
々独自に検出される。この検出信号が前記走査に伴なっ
て時間の関数で検出される。
検出された信号は増幅器9B,9G,9Rで増幅された上で単位
チップ相当分が切換器13B,13G,13Rを通してメモリ10B,1
0G,10Rに記憶される。そして、次のチップ相当分の信号
が検出されると、メモリ10B,10G,10R内の信号と新たな
信号とは同期的に比較器11B,11G,11R内に入力されここ
で両者の比較が行なわれる。比較の結果、両者に違いが
存在すれば判定処理器12ではこれを欠陥又は異物として
検出することになる。
チップ相当分が切換器13B,13G,13Rを通してメモリ10B,1
0G,10Rに記憶される。そして、次のチップ相当分の信号
が検出されると、メモリ10B,10G,10R内の信号と新たな
信号とは同期的に比較器11B,11G,11R内に入力されここ
で両者の比較が行なわれる。比較の結果、両者に違いが
存在すれば判定処理器12ではこれを欠陥又は異物として
検出することになる。
したがって、この検査によれば、パターンを三原色に分
解してカラーの比較を行なっているので、パターンを構
成する薄膜の干渉色から薄膜の厚さむらを検査でき、か
つ色の相違から段差や膜厚不均一等の欠陥や異物を検査
することができる。また、このときカラーセンサ７はB,
G,Rに相当する３個の撮像素子7B,7G,7Rを１組とし、こ
れを多数組列設した構成としているので、パターンを各
色毎にしかも組数に相当するビット数で認識することが
でき、特に微細なパターンの検査を高精度に行なうこと
ができる。更に、検査光をプリズム６にて三原色に分解
しているので構成の簡易化を図ると共に、カラーセンサ
７の各色の素子7B,7G,7Rに同時に検査光を到達させ、検
査回路８における信号処理（時間の関数による）を容易
なものとする。
解してカラーの比較を行なっているので、パターンを構
成する薄膜の干渉色から薄膜の厚さむらを検査でき、か
つ色の相違から段差や膜厚不均一等の欠陥や異物を検査
することができる。また、このときカラーセンサ７はB,
G,Rに相当する３個の撮像素子7B,7G,7Rを１組とし、こ
れを多数組列設した構成としているので、パターンを各
色毎にしかも組数に相当するビット数で認識することが
でき、特に微細なパターンの検査を高精度に行なうこと
ができる。更に、検査光をプリズム６にて三原色に分解
しているので構成の簡易化を図ると共に、カラーセンサ
７の各色の素子7B,7G,7Rに同時に検査光を到達させ、検
査回路８における信号処理（時間の関数による）を容易
なものとする。
〔実施例２〕 第３図は本発明の他の実施例であるパターン検査装置の
全体構成図を示し、ウェーハ上に形成された多数個のチ
ップの中から２個のチップを直接比較してパターン検査
を行なう所謂隣接チップ比較型の検査装置の例である。
図中、第１図と同一部分には同一ないし添字を付した同
一記号を付してその詳細な説明は省略する。本例では、
パターン検査部4A内に夫々一対の対物レンズ5X,5Y,プリ
ズム6X,6Y,カラーセンサ7X,7Yを設け、ウェーハ１上の
異なるチップのパターンを夫々検出する構成としてい
る。但し、本例ではカラーセンサ7X,7Yは撮像素子を縦
方向に複数個並べた直線状のものをB,G,Rの各素子7XBと
7YB，7XGと7YG，7XRと7YRして構成した独立構造のもの
としている。そして、各素子には夫々パターン抽出増幅
器14XB,14XG,14XR,14YB,14YG,14YRを接続し、B,G,Rの各
色毎に比較器15B,15G,15Rにて信号比較を行なった上で
判定処理器16において処理する検査回路17に構成してい
る。
全体構成図を示し、ウェーハ上に形成された多数個のチ
ップの中から２個のチップを直接比較してパターン検査
を行なう所謂隣接チップ比較型の検査装置の例である。
図中、第１図と同一部分には同一ないし添字を付した同
一記号を付してその詳細な説明は省略する。本例では、
パターン検査部4A内に夫々一対の対物レンズ5X,5Y,プリ
ズム6X,6Y,カラーセンサ7X,7Yを設け、ウェーハ１上の
異なるチップのパターンを夫々検出する構成としてい
る。但し、本例ではカラーセンサ7X,7Yは撮像素子を縦
方向に複数個並べた直線状のものをB,G,Rの各素子7XBと
7YB，7XGと7YG，7XRと7YRして構成した独立構造のもの
としている。そして、各素子には夫々パターン抽出増幅
器14XB,14XG,14XR,14YB,14YG,14YRを接続し、B,G,Rの各
色毎に比較器15B,15G,15Rにて信号比較を行なった上で
判定処理器16において処理する検査回路17に構成してい
る。
本実施例では、カラーセンサ7X,7Yにて夫々検出した２
個のチップの三原色信号を直接比較器15B,15G,15Rにお
いて比較しているので直ちに両チップのパターンの相違
が検出でき、欠陥や異物の検査を行なうことができる。
そして、この場合においてもプリズム6X,6Yとカラーセ
ンサ7X,7Yによりパターンをカラー信号で検出している
ので、良好なパターン検査を行なうことができ、かつカ
ラーセンサ7X,7Yは素子を縦方向に直線状に列設した構
成であるのでパターンのビット処理を可能にし微細かつ
高精度の検査を可能にする。なお、本例ではカラーセン
サ7X,7Yは夫々独立した素子7XB,7XG,7XR,7YB,7YG,7YRで
構成しているので、センサの製造や取扱いを容易にでき
る。
個のチップの三原色信号を直接比較器15B,15G,15Rにお
いて比較しているので直ちに両チップのパターンの相違
が検出でき、欠陥や異物の検査を行なうことができる。
そして、この場合においてもプリズム6X,6Yとカラーセ
ンサ7X,7Yによりパターンをカラー信号で検出している
ので、良好なパターン検査を行なうことができ、かつカ
ラーセンサ7X,7Yは素子を縦方向に直線状に列設した構
成であるのでパターンのビット処理を可能にし微細かつ
高精度の検査を可能にする。なお、本例ではカラーセン
サ7X,7Yは夫々独立した素子7XB,7XG,7XR,7YB,7YG,7YRで
構成しているので、センサの製造や取扱いを容易にでき
る。
ここで、カラーセンサ7X,7Yは第１図に示した一体型の
カラーセンサ７を夫々に使用してもよいことは勿論であ
る。また、カラーセンサの構成は、第４図に示すように
Ｗ（白）,Y（黄）,C（シアン）,M（マゼンタ）の四素補
色型の構成のカラーセンサ7Zでもよく、W,Y,C,Mの各色
の素子7ZW,7ZY,7ZC,7ZMを横方向にかつこれをｎビット
相当数だけ縦方向に列設してもよい。
カラーセンサ７を夫々に使用してもよいことは勿論であ
る。また、カラーセンサの構成は、第４図に示すように
Ｗ（白）,Y（黄）,C（シアン）,M（マゼンタ）の四素補
色型の構成のカラーセンサ7Zでもよく、W,Y,C,Mの各色
の素子7ZW,7ZY,7ZC,7ZMを横方向にかつこれをｎビット
相当数だけ縦方向に列設してもよい。
（１）１つの素子パターンについてメモリに記憶された
画像信号と、別の素子パターンについて得られた画像信
号とを比較することにより、干渉色を利用してウェーハ
上の素子パターンの薄膜の厚さむら、段差等の欠陥はも
とより、異物その他の欠陥を１つのカラーセンサによっ
て良好に検査できる。
画像信号と、別の素子パターンについて得られた画像信
号とを比較することにより、干渉色を利用してウェーハ
上の素子パターンの薄膜の厚さむら、段差等の欠陥はも
とより、異物その他の欠陥を１つのカラーセンサによっ
て良好に検査できる。
（２）２つのカラーセンサにより同時に別々の素子パタ
ーンの画像を検出して、これらの画像信号を比較するこ
とにより、干渉色を利用してウェーハ上の素子パターン
の薄膜の厚さむら、段差等の欠陥はもとより、異物その
他の欠陥を迅速に検査することができる。
ーンの画像を検出して、これらの画像信号を比較するこ
とにより、干渉色を利用してウェーハ上の素子パターン
の薄膜の厚さむら、段差等の欠陥はもとより、異物その
他の欠陥を迅速に検査することができる。
（３）カラーセンサの各色の素子は多数個を直線状に列
設しているので、検査するパターンを列設した個数に相
当するビット単位の信号で検出でき、微細パターンの検
査においても高精度の検査を行なうことができる。
設しているので、検査するパターンを列設した個数に相
当するビット単位の信号で検出でき、微細パターンの検
査においても高精度の検査を行なうことができる。
（４）パターン検査光をプリズムにて三原色に分解して
いるので検査装置の構成、特に光学系を簡略化できると
共にカラーセンサの各色の素子へ同時に検査光を到達さ
せることができ、検査回路における信号処理を容易なも
のにできる。
いるので検査装置の構成、特に光学系を簡略化できると
共にカラーセンサの各色の素子へ同時に検査光を到達さ
せることができ、検査回路における信号処理を容易なも
のにできる。
以上本発明者によってなされた発明を実施例にもとづき
具体的に説明したが、本発明は上記実施例に限定される
ものではなく、その要旨を逸脱しない範囲で種々変更可
能であることはいうまでもない。たとえば、分光器とし
てはプリズムの外に回折格子が利用でき、場合によって
はハーフミラー等と組合わせてフィルタを利用すること
もできる。更に、カラーセンサの固体撮像素子の代りに
光電検出器や撮像管を使用することも可能である。
具体的に説明したが、本発明は上記実施例に限定される
ものではなく、その要旨を逸脱しない範囲で種々変更可
能であることはいうまでもない。たとえば、分光器とし
てはプリズムの外に回折格子が利用でき、場合によって
はハーフミラー等と組合わせてフィルタを利用すること
もできる。更に、カラーセンサの固体撮像素子の代りに
光電検出器や撮像管を使用することも可能である。
第１図は本発明のパターン検査装置の全体構成図、 第２図はカラーセンサの拡大図、 第３図は他の実施例のパターン検査装置の全体構成図、 第４図はカラーセンサの変形例の斜視図である。 １……ウェーハ、２……XYテーブル、３……照明ラン
プ、4,4A……パターン検出部、5,5X,5Y……対物レン
ズ、6,6X,6Y……プリズム、7,7X,7Y,7Z……カラーセン
サ、7B,7G,7R,7XB,7XG,7XR,7YB,7YG,7YR,7ZW,7ZY,7ZC,7
ZM……撮像素子、８……検査回路、9B,9G,9R……増幅
器、10B,10G,10R……メモリ、11B,11G,11R……比較器、
12……判定処理器、14XB,14XG,14XR,14YB,14YG,14YR…
…増幅器、15B,15G,15R……比較器、16……判定処理
器、17……検査回路。
プ、4,4A……パターン検出部、5,5X,5Y……対物レン
ズ、6,6X,6Y……プリズム、7,7X,7Y,7Z……カラーセン
サ、7B,7G,7R,7XB,7XG,7XR,7YB,7YG,7YR,7ZW,7ZY,7ZC,7
ZM……撮像素子、８……検査回路、9B,9G,9R……増幅
器、10B,10G,10R……メモリ、11B,11G,11R……比較器、
12……判定処理器、14XB,14XG,14XR,14YB,14YG,14YR…
…増幅器、15B,15G,15R……比較器、16……判定処理
器、17……検査回路。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (56)参考文献 特開 昭48−101983（ＪＰ，Ａ) 特開 昭54−140490（ＪＰ，Ａ) 特開 昭56−103573（ＪＰ，Ａ) 特開 昭57−196530（ＪＰ，Ａ) 特開 昭57−154853（ＪＰ，Ａ) 特開 昭57−34402（ＪＰ，Ａ) 特開 昭58−51531（ＪＰ，Ａ) 特開 昭58−192326（ＪＰ，Ａ) 特開 昭57−133341（ＪＰ，Ａ)
Claims (6)
- 【請求項１】同一の素子パターンが複数形成された半導
体ウェーハを支持するテーブルと、 前記素子パターンの検査光を波長に応じて分光する分光
手段と、 多数個の撮像素子を少なくとも３個を１組としてこれを
横方向に並設するとともにこの組を縦方向に複数組列設
してなり、前記分光手段により分光された各色光が投射
されるカラーセンサと、 前記半導体ウェーハ上の１つの素子パターンについての
それぞれの撮像素子からの検出信号を各分光色毎に記憶
するメモリと、 前記半導体ウェーハ上の前記素子パターンとは別の素子
パターンについてのそれぞれの撮像素子からの各分光色
毎の検出信号と、前記メモリ内に記憶された信号とを各
分光色毎に比較する比較器と、 当該比較器の出力に基づいて前記素子パターンを構成す
る薄膜の干渉色から素子パターンの欠陥を検出する判定
処理器とを有することを特徴とするパターン検査装置。 - 【請求項２】前記分光手段はプリズムである特許請求の
範囲第１項記載のパターン検査装置。 - 【請求項３】前記パターンを前記カラーセンサの横方向
に走査させ、前記パターンを前記カラーセンサの縦方向
にビット認識できるように構成してなる特許請求の範囲
第１項又は第２項記載のパターン検査装置。 - 【請求項４】同一の素子パターンが複数形成された半導
体ウェーハを支持するテーブルと、 前記半導体ウェーハの１つの素子パターンの検査光を波
長に応じて分光する第１分光手段と、 前記半導体ウェーハの前記素子パターンとは別の素子パ
ターンの検査光を波長に応じて分光する第２分光手段
と、 多数個の撮像素子を少なくとも３個を１組としてこれを
横方向に並設するとともにこの組を縦方向に複数組列設
してなり、前記第１分光手段により分光された各色光が
投射される第１カラーセンサと、 多数個の撮像素子を少なくとも３個を１組としてこれを
横方向に並設するとともにこの組を縦方向に複数組列設
してなり、前記第２分光手段により分光された各色光が
投射される第２カラーセンサと、 前記第１および第２カラーセンサにおけるそれぞれの前
記撮像素子からの各分光色毎の検出信号を比較する比較
器と、 当該比較器の出力に基づいて前記素子パターンを構成す
る薄膜の干渉色から素子パターンの欠陥を検出する判定
処理器とを有することを特徴とするパターン検査装置。 - 【請求項５】前記第１および第２分光手段はそれぞれプ
リズムである特許請求の範囲第４項記載のパターン検査
装置。 - 【請求項６】前記パターンを前記第１および第２カラー
センサの横方向に走査させ、前記パターンを前記第２お
よび第２カラーセンサの縦方向にビット認識できるよう
に構成してなる特許請求の範囲第４項又は第５項記載の
パターン検査装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58220619A JPH071776B2 (ja) | 1983-11-25 | 1983-11-25 | パターン検査装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58220619A JPH071776B2 (ja) | 1983-11-25 | 1983-11-25 | パターン検査装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS60113937A JPS60113937A (ja) | 1985-06-20 |
| JPH071776B2 true JPH071776B2 (ja) | 1995-01-11 |
Family
ID=16753806
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP58220619A Expired - Lifetime JPH071776B2 (ja) | 1983-11-25 | 1983-11-25 | パターン検査装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH071776B2 (ja) |
Families Citing this family (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| GB9315126D0 (en) * | 1993-07-21 | 1993-09-01 | Philips Electronics Uk Ltd | Opto-electronic memory systems |
| JP2001153621A (ja) * | 1999-11-30 | 2001-06-08 | Nidek Co Ltd | 外観検査装置 |
| JP2013061185A (ja) * | 2011-09-12 | 2013-04-04 | Toshiba Corp | パターン検査装置およびパターン検査方法 |
| US9523645B2 (en) * | 2014-10-20 | 2016-12-20 | Exnodes Inc. | Lenticular wafer inspection |
Family Cites Families (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS48101983A (ja) * | 1972-04-06 | 1973-12-21 | ||
| JPS54140490A (en) * | 1978-04-24 | 1979-10-31 | Hitachi Ltd | Light receiving device |
| JPS56103573A (en) * | 1980-01-22 | 1981-08-18 | Canon Inc | Color reading device |
-
1983
- 1983-11-25 JP JP58220619A patent/JPH071776B2/ja not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS60113937A (ja) | 1985-06-20 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US6928185B2 (en) | Defect inspection method and defect inspection apparatus | |
| JP3190913B1 (ja) | 撮像装置及びフォトマスクの欠陥検査装置 | |
| KR20100110321A (ko) | 검사 장치 및 검사 방법 | |
| US11138722B2 (en) | Differential imaging for single-path optical wafer inspection | |
| KR20080056086A (ko) | 웨이퍼 검사장치 | |
| TW201830133A (zh) | 偏光影像取得裝置，圖案檢查裝置，偏光影像取得方法，及圖案檢查方法 | |
| JPH09196859A (ja) | 表面欠陥検査装置 | |
| KR100335491B1 (ko) | 공정 파라미터 라이브러리를 내장한 웨이퍼 검사장비 및 웨이퍼 검사시의 공정 파라미터 설정방법 | |
| JPWO2009133849A1 (ja) | 検査装置 | |
| JP2008128811A (ja) | 欠陥検査装置 | |
| JPH071776B2 (ja) | パターン検査装置 | |
| JP2006105926A (ja) | 検査装置 | |
| JP2007322209A (ja) | 外観検査装置及び外観検査方法 | |
| JP4386326B2 (ja) | プリント基板の検査方法およびこれに用いる装置 | |
| JP2020016497A (ja) | 検査装置、及び検査方法 | |
| JPH0410968B2 (ja) | ||
| JPH10160435A (ja) | 欠陥検査装置 | |
| JPS6048683B2 (ja) | 物体表面状態検査方法とその検査装置 | |
| JPH0313850A (ja) | ウエハ欠陥検査の画像処理方法 | |
| JPH03239954A (ja) | パターン部材の検査方法および検査装置 | |
| KR20240063959A (ko) | 결함 분석용 검사 시스템 및 방법 | |
| JP2002333406A (ja) | 外観検査装置および外観検査方法 | |
| JPS6186637A (ja) | パタ−ン欠陥検出方法 | |
| JP2830430B2 (ja) | 異物検査装置 | |
| JP2024533868A (ja) | 検査システムと故障解析の方法 |