JPH07109128A - ガラス成形用型およびその製造方法 - Google Patents
ガラス成形用型およびその製造方法Info
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- JPH07109128A JPH07109128A JP25410293A JP25410293A JPH07109128A JP H07109128 A JPH07109128 A JP H07109128A JP 25410293 A JP25410293 A JP 25410293A JP 25410293 A JP25410293 A JP 25410293A JP H07109128 A JPH07109128 A JP H07109128A
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 多数回にも及ぶプレス成形によってもガラス
の融着が起こらず、所望のガラス成形体を得ること。 【構成】 炭化ケイ素焼結体１にＣＶＤ法により炭化ケ
イ素膜２を形成して基盤を得、この炭化ケイ素膜２上に
イオンプレーティング法により炭素膜３を形成した後、
不活性ガスのイオン注入処理を行うことによって、炭化
ケイ素膜２の炭素膜３との界面に非晶質層４を形成す
る。
の融着が起こらず、所望のガラス成形体を得ること。 【構成】 炭化ケイ素焼結体１にＣＶＤ法により炭化ケ
イ素膜２を形成して基盤を得、この炭化ケイ素膜２上に
イオンプレーティング法により炭素膜３を形成した後、
不活性ガスのイオン注入処理を行うことによって、炭化
ケイ素膜２の炭素膜３との界面に非晶質層４を形成す
る。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明はガラス成形型に関し、特
に、ガラス素材（プリフォーム）をプレス成形してガラ
スレンズ等のガラス成形体を製造するために用いられる
ガラスプレス成形型に関する。
に、ガラス素材（プリフォーム）をプレス成形してガラ
スレンズ等のガラス成形体を製造するために用いられる
ガラスプレス成形型に関する。
【０００２】
【従来の技術】ガラス素材（プリフォーム）をプレス成
形することによりガラス成形体を得る製造方法の１つに
“直接プレス成形法”がある。この直接プレス成形法で
は、プレス成形後の冷間研磨を不要にすることができる
ので、ガラス成形体を製造する工程の簡素化とコストダ
ウンを実現できる。
形することによりガラス成形体を得る製造方法の１つに
“直接プレス成形法”がある。この直接プレス成形法で
は、プレス成形後の冷間研磨を不要にすることができる
ので、ガラス成形体を製造する工程の簡素化とコストダ
ウンを実現できる。
【０００３】この直接プレス成形法では、ガラス成形体
面は高温下において成形型の表面形状をそのまま転写し
ている必要があり、更に成形型表面は、ガラス成形体面
に必要な面精度並びに面粗度が確保されていなければな
らない。このため、ガラス成形用型としては、次に述べ
る事項が必要となる。高温下においてガラスと化学的
な反応を起こさないこと。耐酸化性及び耐熱性に優れ
ていること。硬度が高くプレス成形時に組織変化又は
塑性変形しないこと。型形状の加工性が良く、型表面
の摩擦抵抗が極力小さいこと。
面は高温下において成形型の表面形状をそのまま転写し
ている必要があり、更に成形型表面は、ガラス成形体面
に必要な面精度並びに面粗度が確保されていなければな
らない。このため、ガラス成形用型としては、次に述べ
る事項が必要となる。高温下においてガラスと化学的
な反応を起こさないこと。耐酸化性及び耐熱性に優れ
ていること。硬度が高くプレス成形時に組織変化又は
塑性変形しないこと。型形状の加工性が良く、型表面
の摩擦抵抗が極力小さいこと。
【０００４】従来、ガラス成形用型としては、超硬合
金、サーメットや窒化ケイ素（Ｓｉ3Ｎ4 ）、炭化ケイ
素（ＳｉＣ）等のセラミックスが用いられている。これ
らガラス成形用型はいずれも、５００℃以上の高温プレ
スでは数回〜数十回のプレスで型表面にガラスの融着が
起こる。これを防止する手段として、各種離型膜が基盤
の表面上に設けられている。この離型膜としては、特に
カーボンから成るものが多用されている。
金、サーメットや窒化ケイ素（Ｓｉ3Ｎ4 ）、炭化ケイ
素（ＳｉＣ）等のセラミックスが用いられている。これ
らガラス成形用型はいずれも、５００℃以上の高温プレ
スでは数回〜数十回のプレスで型表面にガラスの融着が
起こる。これを防止する手段として、各種離型膜が基盤
の表面上に設けられている。この離型膜としては、特に
カーボンから成るものが多用されている。
【０００５】一例として、特開平２−１９９０３６号公
報には、イオンプレーティング法により、アノード電極
とカソード電極とから成るイオン源にて炭化水素イオン
を生成して、炭化ケイ素焼結体上にＣＶＤ法による炭化
ケイ素膜を有する基盤表面に炭素膜を形成してガラスプ
レス成形型とする方法が開示されている。
報には、イオンプレーティング法により、アノード電極
とカソード電極とから成るイオン源にて炭化水素イオン
を生成して、炭化ケイ素焼結体上にＣＶＤ法による炭化
ケイ素膜を有する基盤表面に炭素膜を形成してガラスプ
レス成形型とする方法が開示されている。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】従来のイオンプレーテ
ィング法により得られた炭素膜は、耐熱性、耐酸化性及
び基盤との密着性に優れかつ成形時にガラスの融着も起
こりにくい。しかしながら、数百〜数千回に及ぶプレス
成形によってガラスが軟化成形される際に、ガラス表面
と成形型表面に生じる剪断応力や成形型面のエッヂ等の
応力集中の生じ易い場所で炭素膜の剥離が起こり、この
剥離部分から露出した基盤表面がわずかに酸化している
ためガラスの融着が起こり易くなる。さらに、同様の理
由で、基盤材となるＣＶＤ法で得られた炭化ケイ素膜表
面にもクラックやカケが生じて、プレス成形したガラス
表面に凸部として転写され、所望のガラス成形体が得ら
れないという問題点を有している。
ィング法により得られた炭素膜は、耐熱性、耐酸化性及
び基盤との密着性に優れかつ成形時にガラスの融着も起
こりにくい。しかしながら、数百〜数千回に及ぶプレス
成形によってガラスが軟化成形される際に、ガラス表面
と成形型表面に生じる剪断応力や成形型面のエッヂ等の
応力集中の生じ易い場所で炭素膜の剥離が起こり、この
剥離部分から露出した基盤表面がわずかに酸化している
ためガラスの融着が起こり易くなる。さらに、同様の理
由で、基盤材となるＣＶＤ法で得られた炭化ケイ素膜表
面にもクラックやカケが生じて、プレス成形したガラス
表面に凸部として転写され、所望のガラス成形体が得ら
れないという問題点を有している。
【０００７】したがって、本発明の目的は、数百〜数千
回に及ぶプレス成形によっても、ガラスの融着が起こり
難いガラス成形用型及びその製造方法を提供することに
ある。
回に及ぶプレス成形によっても、ガラスの融着が起こり
難いガラス成形用型及びその製造方法を提供することに
ある。
【０００８】本発明の他の目的は、所望のガラス成形体
を得ることができるガラス成形用型及びその製造方法を
提供することにある。
を得ることができるガラス成形用型及びその製造方法を
提供することにある。
【０００９】
【課題を解決するための手段】本発明によるガラス成形
用型は、プリフォームをプレス成形することによりガラ
ス成形体を得るために使用されるものであって、製造さ
れるべきガラス成形体の形状に加工した基盤と、この基
盤材料表面上に形成された炭素膜と、この炭素膜と基盤
との界面にアルゴン又は窒素などの不活性ガスをイオン
注入することによって形成された非晶質層とを含むこと
を特徴とする。
用型は、プリフォームをプレス成形することによりガラ
ス成形体を得るために使用されるものであって、製造さ
れるべきガラス成形体の形状に加工した基盤と、この基
盤材料表面上に形成された炭素膜と、この炭素膜と基盤
との界面にアルゴン又は窒素などの不活性ガスをイオン
注入することによって形成された非晶質層とを含むこと
を特徴とする。
【００１０】基盤材料としては、ケイ素（Ｓｉ）、窒化
ケイ素（Ｓｉ3 Ｎ4 ）、炭化タングステン（ＷＣ）、酸
化アルミニウム（Ａｌ2 Ｏ3 ）と炭化チタン（ＴｉＣ）
のサーメット等を使用できるが、炭化ケイ素焼結体を用
いることが好ましい。更に、この基盤としては、炭化ケ
イ素焼結体の表面、特に、プレス成形の際、ガラスと接
する面に、ＣＶＤ法による炭化ケイ素膜を有するものが
好ましい。
ケイ素（Ｓｉ3 Ｎ4 ）、炭化タングステン（ＷＣ）、酸
化アルミニウム（Ａｌ2 Ｏ3 ）と炭化チタン（ＴｉＣ）
のサーメット等を使用できるが、炭化ケイ素焼結体を用
いることが好ましい。更に、この基盤としては、炭化ケ
イ素焼結体の表面、特に、プレス成形の際、ガラスと接
する面に、ＣＶＤ法による炭化ケイ素膜を有するものが
好ましい。
【００１１】次に、イオンプレーティング法による炭素
膜の成膜について説明する。イオンプレーティング法は
イオンプレーティング装置を用いて実施される。イオン
プレーティング装置は、アノード電極と、第１のカソー
ド電極と、ガラスプレス成形型の基盤を保持する第２の
カソード電極として働く基盤ホルダーとを有する。更
に、イオンプレーティング装置は、第１のカソード電極
とアノード電極とを取り囲む形で配置したリフレクター
を有する。このイオンプレーティング装置において、ア
ノード電極と第１のカソード電極との間に５０〜１５０
Ｖの低電圧を印加して、炭化水素イオンのプラズマを発
生させる。
膜の成膜について説明する。イオンプレーティング法は
イオンプレーティング装置を用いて実施される。イオン
プレーティング装置は、アノード電極と、第１のカソー
ド電極と、ガラスプレス成形型の基盤を保持する第２の
カソード電極として働く基盤ホルダーとを有する。更
に、イオンプレーティング装置は、第１のカソード電極
とアノード電極とを取り囲む形で配置したリフレクター
を有する。このイオンプレーティング装置において、ア
ノード電極と第１のカソード電極との間に５０〜１５０
Ｖの低電圧を印加して、炭化水素イオンのプラズマを発
生させる。
【００１２】ここで用いられる炭化水素としては、炭素
（Ｃ）の原子数（ＮC ）と水素（Ｈ）の原子数（ＮH ）
との比率（ＮC ／ＮH ）が１／３以上であるものが好ま
しい。この比率（ＮC ／ＮH ）が１／３未満の炭化水素
や酸素、窒素を含む炭化水素化合物は、離型膜の成膜性
及びプレス成形時のプレス成形品離型性の少なくともい
ずれか一方が不十分であり、使用することが不適当であ
ることが知られている。
（Ｃ）の原子数（ＮC ）と水素（Ｈ）の原子数（ＮH ）
との比率（ＮC ／ＮH ）が１／３以上であるものが好ま
しい。この比率（ＮC ／ＮH ）が１／３未満の炭化水素
や酸素、窒素を含む炭化水素化合物は、離型膜の成膜性
及びプレス成形時のプレス成形品離型性の少なくともい
ずれか一方が不十分であり、使用することが不適当であ
ることが知られている。
【００１３】次に、アノード電極に対して基盤ホルダー
が第２のカソード電極となるように、それらの間に０．
５〜２．５ｋＶの電圧を印加して、炭化水素イオンの加
速を促進する。
が第２のカソード電極となるように、それらの間に０．
５〜２．５ｋＶの電圧を印加して、炭化水素イオンの加
速を促進する。
【００１４】イオンプレーティング処理時の基盤温度は
２００〜４００℃の範囲内にあるのが好ましい。その理
由は次の通りである。基盤温度を２００℃未満として形
成した炭素膜は膜質が脆弱であり、窒素雰囲気中におけ
る６５０℃の加熱保持テストにおいて、昇温直後に炭素
膜がフィルム状に基盤表面から浮き上がり耐熱性が劣
る。これに対して、基盤温度を２００〜４００℃の範囲
内にした場合では、上記加熱保持テストにおいて３０時
間保持後も何ら変化を示さないからである。基盤温度を
４００℃を越える温度にした場合は、膜構造がグラファ
イト化して、上記加熱保持テストでは局所的に酸化され
て肌荒れ現象を生じた。また、炭素膜の厚さの実用範囲
は５０〜５０００オングストロームである。この理由は
次の通りである。炭素膜の厚さが５０オングストローム
未満であると、均一な膜の形成が困難である。一方、炭
素膜の厚さが５０００オングストロームを越えると、膜
中の歪みのために剥離を生じるためである。
２００〜４００℃の範囲内にあるのが好ましい。その理
由は次の通りである。基盤温度を２００℃未満として形
成した炭素膜は膜質が脆弱であり、窒素雰囲気中におけ
る６５０℃の加熱保持テストにおいて、昇温直後に炭素
膜がフィルム状に基盤表面から浮き上がり耐熱性が劣
る。これに対して、基盤温度を２００〜４００℃の範囲
内にした場合では、上記加熱保持テストにおいて３０時
間保持後も何ら変化を示さないからである。基盤温度を
４００℃を越える温度にした場合は、膜構造がグラファ
イト化して、上記加熱保持テストでは局所的に酸化され
て肌荒れ現象を生じた。また、炭素膜の厚さの実用範囲
は５０〜５０００オングストロームである。この理由は
次の通りである。炭素膜の厚さが５０オングストローム
未満であると、均一な膜の形成が困難である。一方、炭
素膜の厚さが５０００オングストロームを越えると、膜
中の歪みのために剥離を生じるためである。
【００１５】次に、イオン注入による炭素膜上への処理
について説明する。イオン注入はイオン注入装置を用い
て実施される。イオン注入装置は、上記のイオンプレー
ティング法により炭素膜が形成されたプレス成形型基盤
を保持する基盤ホルダーと、カソード電極とアノード電
極から成るイオン化源との間に加速器とを有する。この
イオン注入装置において、イオン化されるべきアルゴン
（Ａｒ）あるいは窒素（Ｎ2 ）ガスは、アノード電極と
カソード電極間に導入されてイオン化された後、加速器
で１５〜２００ｋｅＶの範囲の加速電圧で加速エネルギ
ーが付与される。ここで、加速電圧が１５ｋｅＶ未満で
あると、基盤表面へのイオン注入量が減少してスパッタ
現象が支配的となる。また、加速電圧が２００ｋｅＶを
越えると、照射イオン種が基盤のかなり深い所まで注入
されるため、炭素膜と基盤との界面での密着性改善が成
されないことが知られている。
について説明する。イオン注入はイオン注入装置を用い
て実施される。イオン注入装置は、上記のイオンプレー
ティング法により炭素膜が形成されたプレス成形型基盤
を保持する基盤ホルダーと、カソード電極とアノード電
極から成るイオン化源との間に加速器とを有する。この
イオン注入装置において、イオン化されるべきアルゴン
（Ａｒ）あるいは窒素（Ｎ2 ）ガスは、アノード電極と
カソード電極間に導入されてイオン化された後、加速器
で１５〜２００ｋｅＶの範囲の加速電圧で加速エネルギ
ーが付与される。ここで、加速電圧が１５ｋｅＶ未満で
あると、基盤表面へのイオン注入量が減少してスパッタ
現象が支配的となる。また、加速電圧が２００ｋｅＶを
越えると、照射イオン種が基盤のかなり深い所まで注入
されるため、炭素膜と基盤との界面での密着性改善が成
されないことが知られている。
【００１６】イオン種は基盤ホルダーへ１０13〜１０17
ＩＯＮ／ｃｍ2 のイオン密度で照射される。この際、均
一にイオン種を基盤ホルダーへ照射するために、イオン
種を収束レンズ中を通過させる。また、供給するイオン
種としては、質量分離器を使用して必要なもののみ選択
することが好ましい。
ＩＯＮ／ｃｍ2 のイオン密度で照射される。この際、均
一にイオン種を基盤ホルダーへ照射するために、イオン
種を収束レンズ中を通過させる。また、供給するイオン
種としては、質量分離器を使用して必要なもののみ選択
することが好ましい。
【００１７】尚、上述の炭素膜の成膜とイオン注入処理
は、それぞれ、独立したイオンプレーティング装置及び
イオン注入装置にて行っても良いが、処理時間短縮の効
率化を考えれば、イオンプレーティング及びイオン注入
のいずれの機能をも満たした装置にて行う方が好まし
い。また、炭素膜の形成前に、（ＣＶＤ法で得られた）
炭化ケイ素膜表面にイオン注入にて非晶質層を形成して
おいても良く、更に、イオンプレーティング法による炭
素膜の成膜時に、イオンの注入を同時に行う、いわゆる
ダイナミックミキシング法によっても同様の効果が得ら
れる。
は、それぞれ、独立したイオンプレーティング装置及び
イオン注入装置にて行っても良いが、処理時間短縮の効
率化を考えれば、イオンプレーティング及びイオン注入
のいずれの機能をも満たした装置にて行う方が好まし
い。また、炭素膜の形成前に、（ＣＶＤ法で得られた）
炭化ケイ素膜表面にイオン注入にて非晶質層を形成して
おいても良く、更に、イオンプレーティング法による炭
素膜の成膜時に、イオンの注入を同時に行う、いわゆる
ダイナミックミキシング法によっても同様の効果が得ら
れる。
【００１８】
【作用】本発明のガラス成形用型は、基盤の表面上に炭
素膜を成膜した後、イオン注入処理することを特徴とす
る。
素膜を成膜した後、イオン注入処理することを特徴とす
る。
【００１９】アルゴン（Ａｒ）あるいは窒素（Ｎ2 ）の
不活性ガスを、炭素膜を形成した基盤表面にイオン注入
すると、炭素膜を構成する原子は照射イオン種と衝突し
て反跳し、基盤の内部にまで侵入するいわゆるイオンミ
キシング効果が高まって、炭素膜と基盤の密着性が向上
し、炭素膜の剥離が生じにくくなる。
不活性ガスを、炭素膜を形成した基盤表面にイオン注入
すると、炭素膜を構成する原子は照射イオン種と衝突し
て反跳し、基盤の内部にまで侵入するいわゆるイオンミ
キシング効果が高まって、炭素膜と基盤の密着性が向上
し、炭素膜の剥離が生じにくくなる。
【００２０】更に、炭素膜を形成した炭化ケイ素膜の極
表面層は、イオン注入の際に発生する照射損傷によっ
て、格子欠陥が生じ非晶質化する。これによって、基盤
面の靭性が改善されて引張応力に対する強度が向上し、
クラックやカケが起こりにくくなる。このため、対破壊
性及び離型性において非常に良好な成形型となり、半永
久的な使用が可能となる。
表面層は、イオン注入の際に発生する照射損傷によっ
て、格子欠陥が生じ非晶質化する。これによって、基盤
面の靭性が改善されて引張応力に対する強度が向上し、
クラックやカケが起こりにくくなる。このため、対破壊
性及び離型性において非常に良好な成形型となり、半永
久的な使用が可能となる。
【００２１】
【実施例】次に、実施例により本発明を説明する。
【００２２】〔実施例１〕本発明の第１の実施例による
プレス成形用型を次のようにして製造した。図１に示す
ように、プレス成形用型の基盤材料として炭化ケイ素
（ＳｉＣ）焼結体１を用い、研削によりプレス成形型形
状に加工後、さらに加工面側にＣＶＤ法により炭化ケイ
素膜２を形成して、更に研削及び研磨して製造されるべ
きガラス成形体に対応する形状に鏡面仕上げして成形型
基盤を得た。次に、成形型基盤の炭化ケイ素膜２上に炭
素膜３をイオンプレーティング法により成膜した。
プレス成形用型を次のようにして製造した。図１に示す
ように、プレス成形用型の基盤材料として炭化ケイ素
（ＳｉＣ）焼結体１を用い、研削によりプレス成形型形
状に加工後、さらに加工面側にＣＶＤ法により炭化ケイ
素膜２を形成して、更に研削及び研磨して製造されるべ
きガラス成形体に対応する形状に鏡面仕上げして成形型
基盤を得た。次に、成形型基盤の炭化ケイ素膜２上に炭
素膜３をイオンプレーティング法により成膜した。
【００２３】図２は、炭素膜を成膜するために用いられ
るイオンプレーティング装置とイオン注入に用いられる
イオン注入装置のいずれの機能も付加した装置の概略図
である。図２に示す装置の右側にある真空槽１１の内部
には、アノード電極１５と、第１のカソード電極１４
と、これら電極と対向する位置にヒーター１８を内蔵し
た基盤ホルダー１２とが設けられている。この基盤ホル
ダー１２には、炭化ケイ素膜２（図１）を有するガラス
成形型基盤１３が保持されている。
るイオンプレーティング装置とイオン注入に用いられる
イオン注入装置のいずれの機能も付加した装置の概略図
である。図２に示す装置の右側にある真空槽１１の内部
には、アノード電極１５と、第１のカソード電極１４
と、これら電極と対向する位置にヒーター１８を内蔵し
た基盤ホルダー１２とが設けられている。この基盤ホル
ダー１２には、炭化ケイ素膜２（図１）を有するガラス
成形型基盤１３が保持されている。
【００２４】最初に、炭素膜３（図１）を成膜するイオ
ンプレーティング法について説明する。先ず、タンタル
（Ｔａ）フィラメントから成る第１のカソード電極１４
とタングステン（Ｗ）基盤からなるアノード電極１５間
に８０Ｖの電圧を印加し、真空槽１１内に導入されたア
ルゴンガスをイオン化する。更に第２のカソード電極と
して作用する基盤ホルダー１２とアノード電極１５間に
１．５ｋＶの電圧を印加するとともに、第１のカソード
電極１４とアノード電極１５とを取り囲む形で配置され
たリフレクター１６に８０Ｖの電圧を印加してアルゴン
イオンを基盤１３へ集中的に加速させることで基盤表面
をイオンボンバードし清浄化した。
ンプレーティング法について説明する。先ず、タンタル
（Ｔａ）フィラメントから成る第１のカソード電極１４
とタングステン（Ｗ）基盤からなるアノード電極１５間
に８０Ｖの電圧を印加し、真空槽１１内に導入されたア
ルゴンガスをイオン化する。更に第２のカソード電極と
して作用する基盤ホルダー１２とアノード電極１５間に
１．５ｋＶの電圧を印加するとともに、第１のカソード
電極１４とアノード電極１５とを取り囲む形で配置され
たリフレクター１６に８０Ｖの電圧を印加してアルゴン
イオンを基盤１３へ集中的に加速させることで基盤表面
をイオンボンバードし清浄化した。
【００２５】次に真空槽１１内の導入ガスをアルゴンガ
スからベンゼンガスに替え、第１のガソード電極１４と
アノード電極１５間に８０Ｖの電圧を印加してベンゼン
ガスを炭化水素イオンとし、更に第２のカソード電極と
して働く基盤ホルダー１２とアノード電極１５間に１．
５ｋＶの電圧を印加するとともに、アノード電極１５と
リフレクター１６間に８０Ｖの電圧を印加して炭化水素
イオンをガラス成形型基盤１３の方向に集中的に加速
し、あらかじめ３００℃に加熱しておいたガラス成形型
基盤１３の表面に膜厚５００オングストロームの炭素膜
３（図１）を形成した。
スからベンゼンガスに替え、第１のガソード電極１４と
アノード電極１５間に８０Ｖの電圧を印加してベンゼン
ガスを炭化水素イオンとし、更に第２のカソード電極と
して働く基盤ホルダー１２とアノード電極１５間に１．
５ｋＶの電圧を印加するとともに、アノード電極１５と
リフレクター１６間に８０Ｖの電圧を印加して炭化水素
イオンをガラス成形型基盤１３の方向に集中的に加速
し、あらかじめ３００℃に加熱しておいたガラス成形型
基盤１３の表面に膜厚５００オングストロームの炭素膜
３（図１）を形成した。
【００２６】次に、炭素膜３上に窒素イオンを照射して
イオン注入を行う方法について説明する。イオン注入装
置は、図２におけるイオンプテーティング用真空槽１１
の左側に位置する真空管（図示せず）内部に、アノード
電極（図示せず）とカソード電極（図示せず）とから成
るイオン源１９と、このイオン源１９と対向する位置に
上述した炭素膜３を形成したガラス成形型基盤１３を保
持した基盤ホルダー１２と、この基盤ホルダー１２とイ
オン源１９間に配置された、照射イオンの加速器２１、
質量分離器２０および収束レンズ２２とから構成されて
いる。
イオン注入を行う方法について説明する。イオン注入装
置は、図２におけるイオンプテーティング用真空槽１１
の左側に位置する真空管（図示せず）内部に、アノード
電極（図示せず）とカソード電極（図示せず）とから成
るイオン源１９と、このイオン源１９と対向する位置に
上述した炭素膜３を形成したガラス成形型基盤１３を保
持した基盤ホルダー１２と、この基盤ホルダー１２とイ
オン源１９間に配置された、照射イオンの加速器２１、
質量分離器２０および収束レンズ２２とから構成されて
いる。
【００２７】先ず、イオン源１９に導入された窒素ガス
はここでイオン化された後、質量分離器２０で必要とさ
れるイオン源が選択される。この選択されたイオン種に
は更に加速器２１によって１００ｋｅＶの加速電圧が印
加されて、基盤ホルダー１２へ１×１０16ＩＯＮ／ｃｍ
2 のイオン密度で照射され、炭素膜３（図１）と炭化ケ
イ素膜２（図１）との界面に非晶質層４（図１）を形成
した。
はここでイオン化された後、質量分離器２０で必要とさ
れるイオン源が選択される。この選択されたイオン種に
は更に加速器２１によって１００ｋｅＶの加速電圧が印
加されて、基盤ホルダー１２へ１×１０16ＩＯＮ／ｃｍ
2 のイオン密度で照射され、炭素膜３（図１）と炭化ケ
イ素膜２（図１）との界面に非晶質層４（図１）を形成
した。
【００２８】このようにして、図１に示すように、所定
形状の炭化ケイ素焼結体１上のプレス型基盤面にＣＶＤ
法により形成された炭化ケイ素膜２を有し、更にこの炭
化ケイ素膜２上にイオンプレーティング法により炭素膜
３を形成し、さらにこの炭素膜３上より窒素イオンをイ
オン注入することにより炭化ケイ素膜２の表面に非晶質
層４を形成した、ガラス成形用型５が得られた。
形状の炭化ケイ素焼結体１上のプレス型基盤面にＣＶＤ
法により形成された炭化ケイ素膜２を有し、更にこの炭
化ケイ素膜２上にイオンプレーティング法により炭素膜
３を形成し、さらにこの炭素膜３上より窒素イオンをイ
オン注入することにより炭化ケイ素膜２の表面に非晶質
層４を形成した、ガラス成形用型５が得られた。
【００２９】次に、本実施例で得られたガラス成形用型
５を用いてプレス成形を行った結果を示す。図１の如
く、一対のガラス成形用型５、５と案内型６との間にガ
ラス転移点温度４７５℃からなるガラス７（以下、この
ガラスを“ガラスＡ”と呼ぶ）を配置した後、窒素雰囲
気中でガラス７を温度５４５℃（ガラス粘性１０9 ポア
ズに相当）にて５０ｋｇｆ／ｃｍ2 のプレス圧で６０秒
間の成形を行い、室温まで急冷する操作を繰り返した。
その結果、下記の表１中の実施例１のガラスＡの欄に示
すように、本実施例１のガラス成形用型５（同一方法で
得られた５個の成形用型を用いた。以下同様）では、３
０００回のプレス成形でもガラスの融着は認められず、
また炭素膜３の表面は何ら劣化を示さなかった。
５を用いてプレス成形を行った結果を示す。図１の如
く、一対のガラス成形用型５、５と案内型６との間にガ
ラス転移点温度４７５℃からなるガラス７（以下、この
ガラスを“ガラスＡ”と呼ぶ）を配置した後、窒素雰囲
気中でガラス７を温度５４５℃（ガラス粘性１０9 ポア
ズに相当）にて５０ｋｇｆ／ｃｍ2 のプレス圧で６０秒
間の成形を行い、室温まで急冷する操作を繰り返した。
その結果、下記の表１中の実施例１のガラスＡの欄に示
すように、本実施例１のガラス成形用型５（同一方法で
得られた５個の成形用型を用いた。以下同様）では、３
０００回のプレス成形でもガラスの融着は認められず、
また炭素膜３の表面は何ら劣化を示さなかった。
【００３０】
【表１】
【００３１】また、上記ガラスＡとは異なるガラスＢ
（ガラス転移点温度５４５℃）を温度６５０℃にて前述
したのと同条件でプレス成形を行ったところ、上記表１
中の実施例１のガラスＢの欄に示すように、本実施例１
のプレス成形用型では２５０３回と２７１４回にガラス
の融着が確認されたが、炭素膜３の表面には何ら異常は
認められなかった。
（ガラス転移点温度５４５℃）を温度６５０℃にて前述
したのと同条件でプレス成形を行ったところ、上記表１
中の実施例１のガラスＢの欄に示すように、本実施例１
のプレス成形用型では２５０３回と２７１４回にガラス
の融着が確認されたが、炭素膜３の表面には何ら異常は
認められなかった。
【００３２】これに対して、炭素膜３を形成せず、イオ
ン注入も施さない、形成面が炭化ケイ素膜である参考例
のガラス成形用型では、上記表１中の参考例のガラスＡ
及びガラスＢの欄に示すように、ガラスＡで５〜９回、
ガラスＢで２〜３回でガラスの融着が発生し、ガラス成
形用型の表面にクラック及びカケが多数確認された。
ン注入も施さない、形成面が炭化ケイ素膜である参考例
のガラス成形用型では、上記表１中の参考例のガラスＡ
及びガラスＢの欄に示すように、ガラスＡで５〜９回、
ガラスＢで２〜３回でガラスの融着が発生し、ガラス成
形用型の表面にクラック及びカケが多数確認された。
【００３３】〔実施例２〕実施例２は、炭素膜３の膜厚
を５００オングストロームから１０００オングストロー
ムに代えた以外は、実施例１と同様である。
を５００オングストロームから１０００オングストロー
ムに代えた以外は、実施例１と同様である。
【００３４】第１のカソード電極１４とアノード電極１
５間に８０Ｖの電圧を印加してベンゼンガスを炭化水素
イオンとし、更に第２のカソード電極として働く基盤ホ
ルダー１２とアノード電極１５間に１．５ｋＶの電圧を
印加するとともに、アノード電極１５とリフレクター１
６間に８０Ｖの電圧を印加して炭化水素イオンをガラス
成形型基盤１３の方向に集中的に加速し、あらかじめ３
００℃に加熱しておいたガラス成形型基盤１３の表面に
膜厚１０００オングストロームの炭素膜３を形成した。
５間に８０Ｖの電圧を印加してベンゼンガスを炭化水素
イオンとし、更に第２のカソード電極として働く基盤ホ
ルダー１２とアノード電極１５間に１．５ｋＶの電圧を
印加するとともに、アノード電極１５とリフレクター１
６間に８０Ｖの電圧を印加して炭化水素イオンをガラス
成形型基盤１３の方向に集中的に加速し、あらかじめ３
００℃に加熱しておいたガラス成形型基盤１３の表面に
膜厚１０００オングストロームの炭素膜３を形成した。
【００３５】次に、上記炭素膜３上に、アノード電極と
カソード電極とから成るイオン源１９に窒素ガスを導入
してイオン化し、質量分離器２０で必要とされるイオン
源を選択し、この選択したイオン種に更に加速器２１に
よって１００ｋｅＶの加速電圧を印加して、成形用基盤
１３へ１×１０16ＩＯＮ／ｃｍ2 のイオン密度で照射し
て、炭素膜３と炭化ケイ素膜２との界面に非晶質層４を
形成した。
カソード電極とから成るイオン源１９に窒素ガスを導入
してイオン化し、質量分離器２０で必要とされるイオン
源を選択し、この選択したイオン種に更に加速器２１に
よって１００ｋｅＶの加速電圧を印加して、成形用基盤
１３へ１×１０16ＩＯＮ／ｃｍ2 のイオン密度で照射し
て、炭素膜３と炭化ケイ素膜２との界面に非晶質層４を
形成した。
【００３６】次に、本実施例で得られたガラス成形用型
を用いて、上記実施例１におけるのと同様にプレス成形
を行った結果、上記表１中の実施例２のガラスＡ及びガ
ラスＢの欄に示すように、ガラスＡ並びにガラスＢに対
する３０００回のプレス成形でもガラスの融着は認めら
れず、また炭素膜３の表面は何ら劣化を示さなかった。
を用いて、上記実施例１におけるのと同様にプレス成形
を行った結果、上記表１中の実施例２のガラスＡ及びガ
ラスＢの欄に示すように、ガラスＡ並びにガラスＢに対
する３０００回のプレス成形でもガラスの融着は認めら
れず、また炭素膜３の表面は何ら劣化を示さなかった。
【００３７】〔実施例３〕実施例３は、炭素膜３の膜厚
を５００オングストロームから１００オングストローム
に代えた以外は、実施例１と同様である。
を５００オングストロームから１００オングストローム
に代えた以外は、実施例１と同様である。
【００３８】第１のカソード電極１４とアノード電極１
５間に８０Ｖの電圧を印加してベンゼンガスを炭化水素
イオンとし、更に第２のカソード電極として働く基盤ホ
ルダー１２とアノード電極１５間に１．５ｋＶの電圧を
印加するとともに、アノード電極１５とリフレクター１
６間に８０Ｖの電圧を印加して炭化水素イオンをガラス
成形型基盤１３の方向に集中的に加速し、あらかじめ３
００℃に加熱しておいたガラス成形型基盤１３の表面に
膜厚１００オングストロームの炭素膜を形成した。
５間に８０Ｖの電圧を印加してベンゼンガスを炭化水素
イオンとし、更に第２のカソード電極として働く基盤ホ
ルダー１２とアノード電極１５間に１．５ｋＶの電圧を
印加するとともに、アノード電極１５とリフレクター１
６間に８０Ｖの電圧を印加して炭化水素イオンをガラス
成形型基盤１３の方向に集中的に加速し、あらかじめ３
００℃に加熱しておいたガラス成形型基盤１３の表面に
膜厚１００オングストロームの炭素膜を形成した。
【００３９】次に、上記炭素膜３上に、アノード電極と
カソード電極とから成るイオン源１９に窒素ガスを導入
してイオン化し、質量分離器２０で必要とされるイオン
源を選択し、この選択したイオン種に更に加速器２１に
よって１００ｋｅＶの加速電圧を印加して、ガラス成形
用基盤１３へ１×１０16ＩＯＮ／ｃｍ2 のイオン密度で
照射して、炭素膜３と炭化ケイ膜２との界面に非晶質層
４を形成した。
カソード電極とから成るイオン源１９に窒素ガスを導入
してイオン化し、質量分離器２０で必要とされるイオン
源を選択し、この選択したイオン種に更に加速器２１に
よって１００ｋｅＶの加速電圧を印加して、ガラス成形
用基盤１３へ１×１０16ＩＯＮ／ｃｍ2 のイオン密度で
照射して、炭素膜３と炭化ケイ膜２との界面に非晶質層
４を形成した。
【００４０】次に、本実施例３で得られたガラス成形用
型を用いて、上記実施例１におけるのと同様にプレス成
形を行った結果、上記表１中の実施例３のガラスＡ及び
ガラスＢの欄に示すように、ガラスＡの場合８３４〜９
２７回目に、またガラスＢの場合６２１〜６９２回目に
ガラスの融着が確認されたが、炭素膜３の表面は何ら劣
化を示さなかった。
型を用いて、上記実施例１におけるのと同様にプレス成
形を行った結果、上記表１中の実施例３のガラスＡ及び
ガラスＢの欄に示すように、ガラスＡの場合８３４〜９
２７回目に、またガラスＢの場合６２１〜６９２回目に
ガラスの融着が確認されたが、炭素膜３の表面は何ら劣
化を示さなかった。
【００４１】〔実施例４〕実施例４は、加速電圧を１０
０ｋｅＶから５０ｋｅＶに変更した以外は、実施例２と
同様である。
０ｋｅＶから５０ｋｅＶに変更した以外は、実施例２と
同様である。
【００４２】すなわち、第１のカソード電極１４とアノ
ード電極１５間に８０Ｖの電圧を印加してベンゼンガス
を炭化水素イオンとし、更に第２のカソード電極として
働く基盤ホルダー１２とアノード電極１５間に１．５ｋ
Ｖの電圧を印加するとともに、アノード電極１５とリフ
レクター１６間に８０Ｖの電圧を印加して炭化水素イオ
ンをガラス成形型基盤１３の方向に集中的に加速し、あ
らかじめ３００℃に加熱しておいたガラス成形型基盤１
３の表面に膜厚１０００オングストロームの炭素膜３を
形成した。
ード電極１５間に８０Ｖの電圧を印加してベンゼンガス
を炭化水素イオンとし、更に第２のカソード電極として
働く基盤ホルダー１２とアノード電極１５間に１．５ｋ
Ｖの電圧を印加するとともに、アノード電極１５とリフ
レクター１６間に８０Ｖの電圧を印加して炭化水素イオ
ンをガラス成形型基盤１３の方向に集中的に加速し、あ
らかじめ３００℃に加熱しておいたガラス成形型基盤１
３の表面に膜厚１０００オングストロームの炭素膜３を
形成した。
【００４３】次に、上記炭素膜３上に、アノード電極と
カソード電極とから成るイオン源１９に窒素ガスを導入
してイオン化し、質量分離器２０で必要とされるイオン
源を選択し、この選択したイオン種に更に加速器２１に
よって５０ｋｅＶの加速電圧を印加して、ガラス成形用
基盤１３へ１×１０16ＩＯＮ／ｃｍ2 のイオン密度で照
射して、炭素膜３と炭化ケイ素膜２との界面に非晶質層
４を形成した。
カソード電極とから成るイオン源１９に窒素ガスを導入
してイオン化し、質量分離器２０で必要とされるイオン
源を選択し、この選択したイオン種に更に加速器２１に
よって５０ｋｅＶの加速電圧を印加して、ガラス成形用
基盤１３へ１×１０16ＩＯＮ／ｃｍ2 のイオン密度で照
射して、炭素膜３と炭化ケイ素膜２との界面に非晶質層
４を形成した。
【００４４】次に、本実施例４で得られたガラス成形用
型を用いて、上記実施例１におけるのと同様にプレス成
形を行った結果、上記表１中の実施例４のガラスＡの欄
に示すように、ガラスＡの場合３０００回でもガラスの
融着が認められず、炭素膜３の表面は何ら劣化を示さな
かった。また、上記表１中の実施例４のガラスＢの欄に
示すように、ガラスＢの場合２７３３〜２８９２回目に
ガラスの融着が確認されたが、炭素膜３の表面は何ら劣
化を示さなかった。
型を用いて、上記実施例１におけるのと同様にプレス成
形を行った結果、上記表１中の実施例４のガラスＡの欄
に示すように、ガラスＡの場合３０００回でもガラスの
融着が認められず、炭素膜３の表面は何ら劣化を示さな
かった。また、上記表１中の実施例４のガラスＢの欄に
示すように、ガラスＢの場合２７３３〜２８９２回目に
ガラスの融着が確認されたが、炭素膜３の表面は何ら劣
化を示さなかった。
【００４５】〔比較例１〕ガラス成形型基盤１３の表面
上に炭素膜３を形成することなく、イオン注入のみを行
った比較成形型を用いて上述した実施例との比較実験を
行った。
上に炭素膜３を形成することなく、イオン注入のみを行
った比較成形型を用いて上述した実施例との比較実験を
行った。
【００４６】すなわち、ガラス成形用基盤１３上に、ア
ノード電極とカソード電極とから成るイオン源１９に窒
素ガスを導入してイオン化し、質量分離器２０で必要と
されるイオン源を選択し、この選択したイオン種に更に
加速器２１によって１００ｋｅＶの加速電圧を印加し
て、成形用基盤１３へ１×１０16ＩＯＮ／ｃｍ2 のイオ
ン密度で照射して、炭化ケイ素膜２の表面に非晶質層４
を形成した。
ノード電極とカソード電極とから成るイオン源１９に窒
素ガスを導入してイオン化し、質量分離器２０で必要と
されるイオン源を選択し、この選択したイオン種に更に
加速器２１によって１００ｋｅＶの加速電圧を印加し
て、成形用基盤１３へ１×１０16ＩＯＮ／ｃｍ2 のイオ
ン密度で照射して、炭化ケイ素膜２の表面に非晶質層４
を形成した。
【００４７】次に、この比較例１で得られたガラス成形
用型を用いて、上記実施例１におけるのと同様にプレス
成形を行った結果、上記表１中の比較例１のガラスＡ及
びガラスＢの欄に示すように、ガラスＡの場合３０〜４
５回目に、またガラスＢの場合１５〜２０回目にガラス
の融着が確認されたが、ガラス成形用型表面にクラック
及びカケは発生しなかった。
用型を用いて、上記実施例１におけるのと同様にプレス
成形を行った結果、上記表１中の比較例１のガラスＡ及
びガラスＢの欄に示すように、ガラスＡの場合３０〜４
５回目に、またガラスＢの場合１５〜２０回目にガラス
の融着が確認されたが、ガラス成形用型表面にクラック
及びカケは発生しなかった。
【００４８】〔比較例２〕比較例２は、加速電圧を１０
０ｋｅＶから２２０ｋｅＶに変更した以外は、実施例２
と同様である。
０ｋｅＶから２２０ｋｅＶに変更した以外は、実施例２
と同様である。
【００４９】すなわち、第１のカソード電極１４とアノ
ード電極１５間に８０Ｖの電圧を印加してベンゼンガス
を炭化水素イオンとし、更に第２のカソード電極として
働く基盤ホルダー１２とアノード電極１５間に１．５ｋ
Ｖの電圧を印加するとともに、アノード電極１５とリフ
レクター１６間に８０Ｖの電圧を印加して炭化水素イオ
ンをガラス成形型基盤１３の方向に集中的に加速し、あ
らかじめ３００℃に加熱しておいたガラス成形型基盤１
３の表面に膜厚１０００オングストロームの炭素膜３を
形成した。
ード電極１５間に８０Ｖの電圧を印加してベンゼンガス
を炭化水素イオンとし、更に第２のカソード電極として
働く基盤ホルダー１２とアノード電極１５間に１．５ｋ
Ｖの電圧を印加するとともに、アノード電極１５とリフ
レクター１６間に８０Ｖの電圧を印加して炭化水素イオ
ンをガラス成形型基盤１３の方向に集中的に加速し、あ
らかじめ３００℃に加熱しておいたガラス成形型基盤１
３の表面に膜厚１０００オングストロームの炭素膜３を
形成した。
【００５０】次に、上記炭素膜３上に、アノード電極と
カソード電極とから成るイオン源１９に窒素ガスを導入
してイオン化し、質量分離器２０で必要とされるイオン
源を選択し、この選択したイオン種に更に加速器２１に
よって２２０ｋｅＶの加速電圧を印加して、ガラス成形
用基盤１３へ１×１０16ＩＯＮ／ｃｍ2 のイオン密度で
照射して、ガラス成形用基盤１３の深さ方向へイオン注
入を行った。
カソード電極とから成るイオン源１９に窒素ガスを導入
してイオン化し、質量分離器２０で必要とされるイオン
源を選択し、この選択したイオン種に更に加速器２１に
よって２２０ｋｅＶの加速電圧を印加して、ガラス成形
用基盤１３へ１×１０16ＩＯＮ／ｃｍ2 のイオン密度で
照射して、ガラス成形用基盤１３の深さ方向へイオン注
入を行った。
【００５１】次に、本比較例２で得られたガラス成形用
型を用いて、上記実施例１におけるのと同様にプレス成
形を行った結果、上記表１中の比較例２のガラスＡ及び
ガラスＢの欄に示すように、ガラスＡの場合７６３〜９
２８回目に、またガラスＢの場合５２４〜５９８回目に
ガラスの融着が確認され、更に炭素膜３の表面に粗れが
生じた。
型を用いて、上記実施例１におけるのと同様にプレス成
形を行った結果、上記表１中の比較例２のガラスＡ及び
ガラスＢの欄に示すように、ガラスＡの場合７６３〜９
２８回目に、またガラスＢの場合５２４〜５９８回目に
ガラスの融着が確認され、更に炭素膜３の表面に粗れが
生じた。
【００５２】〔比較例３〕比較例３は、加速電圧を１０
０ｋｅＶから７ｋｅＶに変更した以外は、実施例２と同
様である。
０ｋｅＶから７ｋｅＶに変更した以外は、実施例２と同
様である。
【００５３】すなわち、第１のカソード電極１４とアノ
ード電極１５間に８０Ｖの電圧を印加してベンゼンガス
を炭化水素イオンとし、更に第２のカソード電極として
働く基盤ホルダー１２とアノード電極１５間に１．５ｋ
Ｖの電圧を印加するとともに、アノード電極１５とリフ
レクター１６間に８０Ｖの電圧を印加して炭化水素イオ
ンをガラス成形型基盤１３の方向に集中的に加速し、あ
らかじめ３００℃に加熱しておいたガラス成形型基盤１
３の表面に膜厚１０００オングストロームの炭素膜３を
形成した。
ード電極１５間に８０Ｖの電圧を印加してベンゼンガス
を炭化水素イオンとし、更に第２のカソード電極として
働く基盤ホルダー１２とアノード電極１５間に１．５ｋ
Ｖの電圧を印加するとともに、アノード電極１５とリフ
レクター１６間に８０Ｖの電圧を印加して炭化水素イオ
ンをガラス成形型基盤１３の方向に集中的に加速し、あ
らかじめ３００℃に加熱しておいたガラス成形型基盤１
３の表面に膜厚１０００オングストロームの炭素膜３を
形成した。
【００５４】次に、上記炭素膜３上に、アノード電極と
カソード電極とから成るイオン源１９に窒素ガスを導入
してイオン化し、質量分離器２０で必要とされるイオン
源を選択し、この選択したイオン種に更に加速器２１に
よって７ｋｅＶの加速電圧を印加して、ガラス成形用基
盤１３へ１×１０16ＩＯＮ／ｃｍ2 のイオン密度で照射
した。
カソード電極とから成るイオン源１９に窒素ガスを導入
してイオン化し、質量分離器２０で必要とされるイオン
源を選択し、この選択したイオン種に更に加速器２１に
よって７ｋｅＶの加速電圧を印加して、ガラス成形用基
盤１３へ１×１０16ＩＯＮ／ｃｍ2 のイオン密度で照射
した。
【００５５】次に、本比較例３で得られたガラス成形用
型を用いて、上記実施例１におけるのと同様にプレス成
形を行った結果、上記表１中の比較例３のガラスＡ及び
ガラスＢの欄に示すように、ガラスＡの場合８４〜１１
１回目に、またガラスＢの場合７３〜９２回目にガラス
の融着が確認された。
型を用いて、上記実施例１におけるのと同様にプレス成
形を行った結果、上記表１中の比較例３のガラスＡ及び
ガラスＢの欄に示すように、ガラスＡの場合８４〜１１
１回目に、またガラスＢの場合７３〜９２回目にガラス
の融着が確認された。
【００５６】〔比較例４〕ガラス成形型基盤１３の表面
上に炭素膜を形成し、イオン注入を行わない比較成形型
を用いて上述した実施例との比較実験を行った。
上に炭素膜を形成し、イオン注入を行わない比較成形型
を用いて上述した実施例との比較実験を行った。
【００５７】すなわち、第１のカソード電極１４とアノ
ード電極１５間に８０Ｖの電圧を印加してベンゼンガス
を炭化水素イオンとし、更に第２のカソード電極として
働く基盤ホルダー１２とアノード電極１５間に１．５ｋ
Ｖの電圧を印加するとともに、アノード電極１５とリフ
レクター１６間に８０Ｖの電圧を印加して炭化水素イオ
ンをガラス成形型基盤１３の方向に集中的に加速し、あ
らかじめ３００℃に加熱しておいたガラス成形型基盤１
３の表面に膜厚１０００オングストロームの炭素膜を形
成した。
ード電極１５間に８０Ｖの電圧を印加してベンゼンガス
を炭化水素イオンとし、更に第２のカソード電極として
働く基盤ホルダー１２とアノード電極１５間に１．５ｋ
Ｖの電圧を印加するとともに、アノード電極１５とリフ
レクター１６間に８０Ｖの電圧を印加して炭化水素イオ
ンをガラス成形型基盤１３の方向に集中的に加速し、あ
らかじめ３００℃に加熱しておいたガラス成形型基盤１
３の表面に膜厚１０００オングストロームの炭素膜を形
成した。
【００５８】次に、本比較例４で得られたガラス成形用
型を用いて、上記実施例１におけるのと同様にプレス成
形を行った結果、上記表１の比較例４のガラスＡ及びガ
ラスＢの欄に示すように、ガラスＡの場合４７６〜５２
３回目に、またガラスＢの場合３３４〜３６８回目にガ
ラスの融着が生じ、更に炭素膜の表面に粗れが確認され
た。
型を用いて、上記実施例１におけるのと同様にプレス成
形を行った結果、上記表１の比較例４のガラスＡ及びガ
ラスＢの欄に示すように、ガラスＡの場合４７６〜５２
３回目に、またガラスＢの場合３３４〜３６８回目にガ
ラスの融着が生じ、更に炭素膜の表面に粗れが確認され
た。
【００５９】本発明についていくつかの好ましい実施例
では、実際には、炭素膜としてｉ−カーボン膜が形成さ
れたことが確認された。尚、本発明は上述した実施例に
限定されずに本発明の要旨を逸脱しない範囲内で種々の
変更／変形が可能である。
では、実際には、炭素膜としてｉ−カーボン膜が形成さ
れたことが確認された。尚、本発明は上述した実施例に
限定されずに本発明の要旨を逸脱しない範囲内で種々の
変更／変形が可能である。
【００６０】
【発明の効果】以上説明したように本発明によれば、基
盤表面上に炭素膜を形成した後、不活性ガスのイオン注
入処理を行うことによって、基盤表層部を非晶質化して
カケやクラックなどの脆性破壊を防止でき、更にイオン
ミキシング効果によって炭素膜の密着性が強化されて膜
の剥離を防止できる利点がある。このため、本発明によ
るガラス成形用型は、ガラスプレス成形を多数回繰り返
しても、ガラス離型性を損なうことなく、高品質のガラ
ス成形体を長時間にわたって多数回繰り返し製造するこ
とができる。
盤表面上に炭素膜を形成した後、不活性ガスのイオン注
入処理を行うことによって、基盤表層部を非晶質化して
カケやクラックなどの脆性破壊を防止でき、更にイオン
ミキシング効果によって炭素膜の密着性が強化されて膜
の剥離を防止できる利点がある。このため、本発明によ
るガラス成形用型は、ガラスプレス成形を多数回繰り返
しても、ガラス離型性を損なうことなく、高品質のガラ
ス成形体を長時間にわたって多数回繰り返し製造するこ
とができる。
【図１】本発明の一実施例によるガラス成形用型を用い
るガラス成形例を示す概略図である。
るガラス成形例を示す概略図である。
【図２】図１に示したガラス成形用型を製造するために
好適な、炭素膜を成膜するために用いられるイオンプレ
ーティング装置とイオン注入に用いられるイオン注入装
置のいずれの機能をも有する装置の概略図である。
好適な、炭素膜を成膜するために用いられるイオンプレ
ーティング装置とイオン注入に用いられるイオン注入装
置のいずれの機能をも有する装置の概略図である。
１ 炭化ケイ素焼結体 ２ 炭化ケイ素膜 ３ 炭素膜 ４ 非晶質層 ５ ガラス成形用型 ６ 案内型 １１ 真空槽 １２ 基盤ホルダー １３ ガラス成形型基盤 １４ カソード電極 １５ アノード電極 １６ リフレクター １７ 排気口 １８ ヒーター １９ イオン源 ２０ 質量分離器 ２１ 加速器 ２２ 収束レンズ
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 渡部 修一 埼玉県北▲葛▼飾郡杉戸町高野台西５丁目 ４番地７ (72)発明者 宇野 賢 東京都新宿区中落合２丁目７番５号 ホー ヤ株式会社内 (72)発明者 熊谷 泰 埼玉県南埼玉郡白岡長西８丁目19番８号 ナノテック株式会社内
Claims (4)
- 【請求項１】 プリフォームをプレス成形することによ
りガラス成形体を得るために使用されるガラス成形用型
に於いて、 表面に得ようとする前記ガラス成形体の最終面形状が形
成された基盤と、該基盤の表面上に形成された炭素膜
と、前記基盤と前記炭素膜との界面に、１５〜２００ｋ
ｅＶの加速電圧で加速された不活性ガスのイオン注入に
より形成された非晶質層とを含むことを特徴とするガラ
ス成形用型。 - 【請求項２】 前記基盤が焼結炭化ケイ素母材上にＣＶ
Ｄ法による炭化ケイ素膜を設けてなる、請求項１記載の
ガラス成形用型。 - 【請求項３】 表面に得ようとするガラス成形品の最終
面形状が形成された基盤の表面上に炭素膜を形成する工
程と、 前記基盤と前記炭素膜との界面に、１５〜２００ｋｅＶ
の加速電圧で加速された不活性ガスのイオン注入により
非晶質層を形成する工程とを含むことを特徴とするガラ
ス成形用型の製造方法。 - 【請求項４】 前記炭素膜を形成する工程の前に、焼結
炭化ケイ素母材上にＣＶＤ法による炭化ケイ素膜を設け
て前記基盤を形成する工程を含む、請求項３記載のガラ
ス成形用型の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP25410293A JPH07109128A (ja) | 1993-10-12 | 1993-10-12 | ガラス成形用型およびその製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP25410293A JPH07109128A (ja) | 1993-10-12 | 1993-10-12 | ガラス成形用型およびその製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH07109128A true JPH07109128A (ja) | 1995-04-25 |
Family
ID=17260254
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP25410293A Pending JPH07109128A (ja) | 1993-10-12 | 1993-10-12 | ガラス成形用型およびその製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH07109128A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100385257B1 (ko) * | 1995-08-29 | 2003-08-09 | 자테크 테크노로지 가부시키가이샤 | 프레스성형용금형및그것을사용하여성형된컴퓨터메모리용유리원반 |
-
1993
- 1993-10-12 JP JP25410293A patent/JPH07109128A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100385257B1 (ko) * | 1995-08-29 | 2003-08-09 | 자테크 테크노로지 가부시키가이샤 | 프레스성형용금형및그것을사용하여성형된컴퓨터메모리용유리원반 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A02 | Decision of refusal |
Effective date: 20040317 Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 |