JPH07106485A - 樹脂封止型ピングリッドアレイ - Google Patents
樹脂封止型ピングリッドアレイInfo
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- JPH07106485A JPH07106485A JP24267693A JP24267693A JPH07106485A JP H07106485 A JPH07106485 A JP H07106485A JP 24267693 A JP24267693 A JP 24267693A JP 24267693 A JP24267693 A JP 24267693A JP H07106485 A JPH07106485 A JP H07106485A
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Classifications
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- H01—ELECTRIC ELEMENTS
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- H01L2224/92242—Sequential connecting processes the first connecting process involving a layer connector
- H01L2224/92247—Sequential connecting processes the first connecting process involving a layer connector the second connecting process involving a wire connector
Landscapes
- Structures Or Materials For Encapsulating Or Coating Semiconductor Devices Or Solid State Devices (AREA)
- Lead Frames For Integrated Circuits (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】 樹脂封止型ピングリッドアレイのコンタクト
ピンの半田濡れ性の信頼性とマザーボードとの導通性の
向上。 【構成】 コンタクトピン素材１の表面に下地としてＣ
ｕメッキ層２を形成し、更に該Ｃｕメッキ層２の表面に
Ｓｎ／Ｐｂメッキ層３のように半田に拡散し、且つメッ
キ可能な金属メッキ層を形成した複数のコンタクトピン
４をプリント樹脂基板２０に配設したスルーホール２１
にピン打ちし、前記コンタクトピン４の表面に半田塗膜
を形成し、前記プリント樹脂基板２０の上面側にＩＣチ
ップ２４をボンディングワイヤー２５でボンディング
し、該ＩＣチップ２４を封止樹脂２６でトランスファー
モールドすることを特徴とする樹脂封止型ピングリッド
アレイ。 【効果】 コンタクトピンの半田の濡れ不良がなく、品
質向上。
ピンの半田濡れ性の信頼性とマザーボードとの導通性の
向上。 【構成】 コンタクトピン素材１の表面に下地としてＣ
ｕメッキ層２を形成し、更に該Ｃｕメッキ層２の表面に
Ｓｎ／Ｐｂメッキ層３のように半田に拡散し、且つメッ
キ可能な金属メッキ層を形成した複数のコンタクトピン
４をプリント樹脂基板２０に配設したスルーホール２１
にピン打ちし、前記コンタクトピン４の表面に半田塗膜
を形成し、前記プリント樹脂基板２０の上面側にＩＣチ
ップ２４をボンディングワイヤー２５でボンディング
し、該ＩＣチップ２４を封止樹脂２６でトランスファー
モールドすることを特徴とする樹脂封止型ピングリッド
アレイ。 【効果】 コンタクトピンの半田の濡れ不良がなく、品
質向上。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は半導体装置のパッケージ
に関するもので、更に詳しくは下面に複数のコンタクト
ピンを有する樹脂基板にＩＣチップを搭載したマイクロ
コンピュータ等の交換用メモリーとして機能する樹脂封
止型ピングリッドアレイ（以下、樹脂封止型ＰＧＡとい
う）に関するものである。
に関するもので、更に詳しくは下面に複数のコンタクト
ピンを有する樹脂基板にＩＣチップを搭載したマイクロ
コンピュータ等の交換用メモリーとして機能する樹脂封
止型ピングリッドアレイ（以下、樹脂封止型ＰＧＡとい
う）に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】近年、集積回路の発展はめざましく、生
産量の増加、価格の低下により使用される分野は、非常
に高い信頼度が要求される宇宙通信、超大型コンピュー
タはもとより、家庭電化製品に至るまで拡がっている。
産量の増加、価格の低下により使用される分野は、非常
に高い信頼度が要求される宇宙通信、超大型コンピュー
タはもとより、家庭電化製品に至るまで拡がっている。
【０００３】そこで、ＩＣチップを搭載した樹脂封止型
ＰＧＡは近年それを交換し、他の機能に変換させること
により装置の応用範囲を広げることが行われてきてお
り、この用途のため樹脂封止型ＰＧＡの回路基板として
セラミック、樹脂等が用いられてきた。
ＰＧＡは近年それを交換し、他の機能に変換させること
により装置の応用範囲を広げることが行われてきてお
り、この用途のため樹脂封止型ＰＧＡの回路基板として
セラミック、樹脂等が用いられてきた。
【０００４】このうち樹脂基板を用い、かつ射出成形樹
脂によってモールドした樹脂封止型ＰＧＡの半導体搭載
基板が開発されている。この種の樹脂封止型ＰＧＡは、
その搭載部に半導体素子を搭載したマザーボードと呼ば
れる他の基板に接続されて、半導体素子の実装に使用さ
れるものである。
脂によってモールドした樹脂封止型ＰＧＡの半導体搭載
基板が開発されている。この種の樹脂封止型ＰＧＡは、
その搭載部に半導体素子を搭載したマザーボードと呼ば
れる他の基板に接続されて、半導体素子の実装に使用さ
れるものである。
【０００５】一般的な樹脂封止型ＰＧＡの製造工程の概
要について説明する。図２（ａ）〜（ｆ）は従来の樹脂
封止型ＰＧＡの製造工程を示す断面図で、図２（ａ）は
ガラスエポキシ樹脂等から作られたプリント樹脂基板２
０に複数のスルーホール２１が配設されており、前記ス
ルーホール２１には図２（ｂ）に示すように、後述する
コンタクトピン２２がピン打ちされている。
要について説明する。図２（ａ）〜（ｆ）は従来の樹脂
封止型ＰＧＡの製造工程を示す断面図で、図２（ａ）は
ガラスエポキシ樹脂等から作られたプリント樹脂基板２
０に複数のスルーホール２１が配設されており、前記ス
ルーホール２１には図２（ｂ）に示すように、後述する
コンタクトピン２２がピン打ちされている。
【０００６】図３は、前記図２（ｂ）に対応するもの
で、コンタクトピン２２をプリント樹脂基板２０に配設
されたスルーホール２１にピン打ちした状態を示す部分
拡大断面図であり、コンタクトピン２２は素材表面に、
予めＮｉメッキ２２ａと、更にその表面にＳｎメッキ２
２ｂが施されている。
で、コンタクトピン２２をプリント樹脂基板２０に配設
されたスルーホール２１にピン打ちした状態を示す部分
拡大断面図であり、コンタクトピン２２は素材表面に、
予めＮｉメッキ２２ａと、更にその表面にＳｎメッキ２
２ｂが施されている。
【０００７】前記コンタクトピン２２は、一般に、材質
はリン青銅より硬く、靱性があり、線膨張係数が小さい
コバール線材を使用する。前記コバール線材は直径が、
例えば０．４５ｍｍ程度で、素材の表面には、Ｎｉメッ
キ２２ａ（例えば、０．５μｍｍ程度）＋Ｓｎメッキ２
２ｂ（例えば、２．５μｍｍ程度）が施されており、前
記コンタクトピン２２の一本の長さに相当する間隔で、
スルーホール２１と嵌合する部分をコイニングにより外
径形状を、例えば星形に変形させる。その変形させた凹
部とスルーホール２１との隙間から、後述する半田ディ
ップの際に、毛細管現象で半田がコンタクトピン２２と
スルーホール２１との接合部内に十分浸透することがで
き、コンタクトピン２２はプリント樹脂基板２０のスル
ーホール２１の嵌合部に電気的に確実に接合される。
はリン青銅より硬く、靱性があり、線膨張係数が小さい
コバール線材を使用する。前記コバール線材は直径が、
例えば０．４５ｍｍ程度で、素材の表面には、Ｎｉメッ
キ２２ａ（例えば、０．５μｍｍ程度）＋Ｓｎメッキ２
２ｂ（例えば、２．５μｍｍ程度）が施されており、前
記コンタクトピン２２の一本の長さに相当する間隔で、
スルーホール２１と嵌合する部分をコイニングにより外
径形状を、例えば星形に変形させる。その変形させた凹
部とスルーホール２１との隙間から、後述する半田ディ
ップの際に、毛細管現象で半田がコンタクトピン２２と
スルーホール２１との接合部内に十分浸透することがで
き、コンタクトピン２２はプリント樹脂基板２０のスル
ーホール２１の嵌合部に電気的に確実に接合される。
【０００８】次に、図２（ｃ）では前記コンタクトピン
２２を活性フラックス処理し、溶融半田浴（例えば、６
３％Ｓｎ：３７％Ｐｂ）内に浸漬する、所謂半田ディッ
プ（例えば、２４５°Ｃ×５Ｓｅｃ程度）工程を行い、
その後乾燥工程（例えば、１２５°Ｃ×１２Ｈｒ＋１５
０°Ｃ×１２Ｈｒ程度）を行うことにより、コンタクト
ピン２２の表面に均一な半田２３の塗膜（例えば、３〜
４μｍｍ程度）を形成することができる。
２２を活性フラックス処理し、溶融半田浴（例えば、６
３％Ｓｎ：３７％Ｐｂ）内に浸漬する、所謂半田ディッ
プ（例えば、２４５°Ｃ×５Ｓｅｃ程度）工程を行い、
その後乾燥工程（例えば、１２５°Ｃ×１２Ｈｒ＋１５
０°Ｃ×１２Ｈｒ程度）を行うことにより、コンタクト
ピン２２の表面に均一な半田２３の塗膜（例えば、３〜
４μｍｍ程度）を形成することができる。
【０００９】図４は、前記図２（ｃ）に対応するもの
で、半田ディップ工程後の状態を示す部分拡大断面図で
あり、前記したように溶融半田はコンタクトピン２２と
プリント樹脂基板２０に配設されたスルーホール２１と
の前記隙間から毛細管現象で容易にスルーホール２１内
に浸透して、コンタクトピン２２の表面に半田２３の塗
膜を形成すると同時に、プリント樹脂基板２０の上面に
盛り上がり凸部２３ａが形成される。
で、半田ディップ工程後の状態を示す部分拡大断面図で
あり、前記したように溶融半田はコンタクトピン２２と
プリント樹脂基板２０に配設されたスルーホール２１と
の前記隙間から毛細管現象で容易にスルーホール２１内
に浸透して、コンタクトピン２２の表面に半田２３の塗
膜を形成すると同時に、プリント樹脂基板２０の上面に
盛り上がり凸部２３ａが形成される。
【００１０】更に、図２（ｄ）はプリント樹脂基板２０
の上面にＩＣチップ２４を搭載し、実装するダイボンド
工程であり、その後乾燥工程（例えば、１５０°Ｃ×１
Ｈｒ＋１７０°Ｃ×３Ｈｒ程度）を行い、図２（ｅ）で
ボンディングワイヤー２５のワイヤーボンド工程の後、
図２（ｆ）で熱硬化性の封止樹脂２６で、前記プリント
樹脂基板２０の上面及び側面部をトランスファーモール
ドを行い、その後乾燥工程（例えば、１７５°Ｃ×４Ｈ
ｒ程度）を施すことにより、樹脂封止型ＰＧＡ２７が完
成される。
の上面にＩＣチップ２４を搭載し、実装するダイボンド
工程であり、その後乾燥工程（例えば、１５０°Ｃ×１
Ｈｒ＋１７０°Ｃ×３Ｈｒ程度）を行い、図２（ｅ）で
ボンディングワイヤー２５のワイヤーボンド工程の後、
図２（ｆ）で熱硬化性の封止樹脂２６で、前記プリント
樹脂基板２０の上面及び側面部をトランスファーモール
ドを行い、その後乾燥工程（例えば、１７５°Ｃ×４Ｈ
ｒ程度）を施すことにより、樹脂封止型ＰＧＡ２７が完
成される。
【００１１】一般に、ＰＧＡのパッキングには、ＩＣチ
ップをアルミニューム等よりなるキャップで覆い、キャ
ップの縁部をシールドする方法及び、ＩＣチップとボン
ディングワイヤーを覆うように封止樹脂でポッティング
する方法等があるが、前記した熱硬化性の封止樹脂によ
るトランスファーモールドにおいては、プリント樹脂基
板の上面及び側面部が封止樹脂層で覆われており、封止
樹脂層が圧力を伴うトランスファーモールドにより成形
されるので、樹脂密度が高く、製品としてのＰＧＡが耐
湿性を有し信頼性が優れている。
ップをアルミニューム等よりなるキャップで覆い、キャ
ップの縁部をシールドする方法及び、ＩＣチップとボン
ディングワイヤーを覆うように封止樹脂でポッティング
する方法等があるが、前記した熱硬化性の封止樹脂によ
るトランスファーモールドにおいては、プリント樹脂基
板の上面及び側面部が封止樹脂層で覆われており、封止
樹脂層が圧力を伴うトランスファーモールドにより成形
されるので、樹脂密度が高く、製品としてのＰＧＡが耐
湿性を有し信頼性が優れている。
【００１２】上記したように完成された樹脂封止型ＰＧ
Ａ２７は、図示しないマザーボード等の他の基板に接続
されて使用される場合に、上記ＩＣチップ２４をボンデ
ィングワイヤー２５、導電パターン、スルーホール２１
及びこれに嵌合されているコンタクトピン２２を通じ
て、マザーボード等に設けられている導電パターンある
いは電子部品と電気的に接続するものである。
Ａ２７は、図示しないマザーボード等の他の基板に接続
されて使用される場合に、上記ＩＣチップ２４をボンデ
ィングワイヤー２５、導電パターン、スルーホール２１
及びこれに嵌合されているコンタクトピン２２を通じ
て、マザーボード等に設けられている導電パターンある
いは電子部品と電気的に接続するものである。
【００１３】一般に前記樹脂封止型ＰＧＡ２７をマザー
ボード等に実装する方式として、マザーボード側に設け
られたソケットを介して接続する、所謂ソケット方式
と、マザーボードに配設されたスルーホールに、樹脂封
止型ＰＧＡ２７のコンタクトピン２２の先端部がマザー
ボードの下面に突出するように挿入した状態で、前記コ
ンタクトピン２２の突出部を、ウエーブソルダー内（例
えば、２４５°Ｃ〜２６０°Ｃ程度）を通過させること
により、コンタクトピン２２に半田塗膜を形成させる、
所謂直結式ウエーブソルダー方式とがある。
ボード等に実装する方式として、マザーボード側に設け
られたソケットを介して接続する、所謂ソケット方式
と、マザーボードに配設されたスルーホールに、樹脂封
止型ＰＧＡ２７のコンタクトピン２２の先端部がマザー
ボードの下面に突出するように挿入した状態で、前記コ
ンタクトピン２２の突出部を、ウエーブソルダー内（例
えば、２４５°Ｃ〜２６０°Ｃ程度）を通過させること
により、コンタクトピン２２に半田塗膜を形成させる、
所謂直結式ウエーブソルダー方式とがある。
【００１４】上記した実装方式において、ソケット方式
は問題がないが、直結式ウエーブソルダー方式におい
て、コンタクトピンの突出部に活性フラックスを使用す
る場合は、コンタクトピンの表面の半田濡れ性の信頼性
は高いが、活性フラックスは塩素分が多いので、それを
除去するために後工程に洗浄作業が必要となり、洗浄作
業は地球環境に好ましくない。また、前記活性フラック
スの代わりに不活性フラックスを使用すると、後工程に
洗浄作業は不要となり地球環境の対応には良好である
が、コンタクトピンの表面に半田塗膜が着きにくく、半
田濡れ性の信頼性に問題を生じた。
は問題がないが、直結式ウエーブソルダー方式におい
て、コンタクトピンの突出部に活性フラックスを使用す
る場合は、コンタクトピンの表面の半田濡れ性の信頼性
は高いが、活性フラックスは塩素分が多いので、それを
除去するために後工程に洗浄作業が必要となり、洗浄作
業は地球環境に好ましくない。また、前記活性フラック
スの代わりに不活性フラックスを使用すると、後工程に
洗浄作業は不要となり地球環境の対応には良好である
が、コンタクトピンの表面に半田塗膜が着きにくく、半
田濡れ性の信頼性に問題を生じた。
【００１５】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、前述し
た樹脂封止型ＰＧＡにて、次のような問題点がある。即
ち、前記樹脂封止型ＰＧＡにおいて、前記したトランス
ファーモールドする樹脂封止型ＰＧＡでは、前記したよ
うに、ＩＣチップのダイボンド工程及びトランスファー
モールド工程等で、長時間高温（例えば、１７０〜１７
５°Ｃ、３〜４Ｈｒ程度）に暴露されるパッケージング
工程で、前記したようにコバール線材よりなるコンタク
トピンの表面に、一般的にＮｉメッキ（例えば、０．５
μｍｍ程度）＋Ｓｎメッキ（例えば、２．５μｍｍ程
度）のようなメッキ仕様では、前記したような高温領域
で、Ｎｉ3 Ｓｎ4 のインターメタリック（金属間化合
物）の形成がみられ、図５に示すように、半田２３の塗
膜が侵され、コンタクトピン２２のＮｉメッキ層２２ａ
露出する程に薄くなり、半田の濡れ不良の原因となるこ
とが判明した。半田の濡れ不良は、樹脂封止型ＰＧＡを
マザーボード２８に実装する際、前記した直結式ウエー
ブソルダー方式で後工程に洗浄作業は不要となる不活性
フラックスを使用すると、ＰＧＡのコンタクトピン２２
とマザーボード２８との電気的接続が阻害されてマザー
ボード２８との導通不良を生ずる致命的な問題があっ
た。
た樹脂封止型ＰＧＡにて、次のような問題点がある。即
ち、前記樹脂封止型ＰＧＡにおいて、前記したトランス
ファーモールドする樹脂封止型ＰＧＡでは、前記したよ
うに、ＩＣチップのダイボンド工程及びトランスファー
モールド工程等で、長時間高温（例えば、１７０〜１７
５°Ｃ、３〜４Ｈｒ程度）に暴露されるパッケージング
工程で、前記したようにコバール線材よりなるコンタク
トピンの表面に、一般的にＮｉメッキ（例えば、０．５
μｍｍ程度）＋Ｓｎメッキ（例えば、２．５μｍｍ程
度）のようなメッキ仕様では、前記したような高温領域
で、Ｎｉ3 Ｓｎ4 のインターメタリック（金属間化合
物）の形成がみられ、図５に示すように、半田２３の塗
膜が侵され、コンタクトピン２２のＮｉメッキ層２２ａ
露出する程に薄くなり、半田の濡れ不良の原因となるこ
とが判明した。半田の濡れ不良は、樹脂封止型ＰＧＡを
マザーボード２８に実装する際、前記した直結式ウエー
ブソルダー方式で後工程に洗浄作業は不要となる不活性
フラックスを使用すると、ＰＧＡのコンタクトピン２２
とマザーボード２８との電気的接続が阻害されてマザー
ボード２８との導通不良を生ずる致命的な問題があっ
た。
【００１６】本発明は上記従来の課題に鑑みなされたも
のであり、その目的は、コンタクトピンの半田の濡れ性
の良好な、マザーボードとの導通性のよい信頼性の高い
樹脂封止型ＰＧＡを提供するものである。
のであり、その目的は、コンタクトピンの半田の濡れ性
の良好な、マザーボードとの導通性のよい信頼性の高い
樹脂封止型ＰＧＡを提供するものである。
【００１７】
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するため
に、本発明における樹脂封止型ＰＧＡは、表面にメッキ
層を形成した複数のコンタクトピンを樹脂基板に配設さ
れたスルーホールにピン打ちし、該コンタクトピンの表
面に半田塗膜を形成し、前記樹脂基板の上面側にＩＣチ
ップをワイヤーボンディング実装し、該ＩＣチップをト
ランスファーモールドする樹脂封止型ＰＧＡにおいて、
前記コンタクトピンの素材表面に下地としてＣｕメッキ
層を形成し、更に該Ｃｕメッキ層の表面に、半田に拡散
し、且つメッキ可能な金属メッキ層を形成することを特
徴とするものである。
に、本発明における樹脂封止型ＰＧＡは、表面にメッキ
層を形成した複数のコンタクトピンを樹脂基板に配設さ
れたスルーホールにピン打ちし、該コンタクトピンの表
面に半田塗膜を形成し、前記樹脂基板の上面側にＩＣチ
ップをワイヤーボンディング実装し、該ＩＣチップをト
ランスファーモールドする樹脂封止型ＰＧＡにおいて、
前記コンタクトピンの素材表面に下地としてＣｕメッキ
層を形成し、更に該Ｃｕメッキ層の表面に、半田に拡散
し、且つメッキ可能な金属メッキ層を形成することを特
徴とするものである。
【００１８】
【作用】従って、本発明により得られる樹脂封止型ＰＧ
Ａにおいて、前述したように、コバール線材よりなるコ
ンタクトピンの素材表面に、先ずＣｕの下地メッキ層を
形成し、更にＣｕメッキ層の表面に、半田に拡散し、且
つメッキ可能な金属メッキ層を形成するメッキ仕様にす
ることにより、前記したトランスファーモールドする樹
脂封止型ＰＧＡでは、長時間高温領域にさらされても、
Ｃｕメッキ表面に形成された金属メッキ層は半田に拡散
して半田の濡れ性の信頼性を向上させる。
Ａにおいて、前述したように、コバール線材よりなるコ
ンタクトピンの素材表面に、先ずＣｕの下地メッキ層を
形成し、更にＣｕメッキ層の表面に、半田に拡散し、且
つメッキ可能な金属メッキ層を形成するメッキ仕様にす
ることにより、前記したトランスファーモールドする樹
脂封止型ＰＧＡでは、長時間高温領域にさらされても、
Ｃｕメッキ表面に形成された金属メッキ層は半田に拡散
して半田の濡れ性の信頼性を向上させる。
【００１９】
【実施例】以下図面に基づいて好適な実施例を説明す
る。図１は本発明の一実施例で、図１（ａ）は樹脂封止
型ＰＧＡの断面図、図１（ｂ）はコンタクトピンをピン
打ちした状態の部分拡大断面図である。図１（ａ）及び
図１（ｂ）において、従来技術と同一部材は同一符号で
示し説明は省略する。コバール線材よりなるコンタクト
ピン素材１の表面に、先ず下地にＣｕメッキ層２（例え
ば、０．５μｍｍ程度以上）を形成し、更にＣｕメッキ
層２の表面に、Ｓｎ／Ｐｂメッキ層３（例えば、２．５
μｍｍ程度以上）を形成する。ここで、Ｃｕメッキ層２
の表面にメッキする金属は、Ｓｎ／Ｐｂに限るものでは
なく、例えば、Ｓｎ、Ａｕ、Ａｇ、Ｐｂ等の金属のよう
に、半田に拡散し、且つメッキ可能な金属であればよい
ことはいうまでもない。コンタクトピン４の一本の長さ
に相当する間隔で、スルーホール２１と嵌合する部分を
コイニングにより外径形状を、例えば星型に変形させ
て、コンタクトピン４を製造することは従来技術と同様
である。
る。図１は本発明の一実施例で、図１（ａ）は樹脂封止
型ＰＧＡの断面図、図１（ｂ）はコンタクトピンをピン
打ちした状態の部分拡大断面図である。図１（ａ）及び
図１（ｂ）において、従来技術と同一部材は同一符号で
示し説明は省略する。コバール線材よりなるコンタクト
ピン素材１の表面に、先ず下地にＣｕメッキ層２（例え
ば、０．５μｍｍ程度以上）を形成し、更にＣｕメッキ
層２の表面に、Ｓｎ／Ｐｂメッキ層３（例えば、２．５
μｍｍ程度以上）を形成する。ここで、Ｃｕメッキ層２
の表面にメッキする金属は、Ｓｎ／Ｐｂに限るものでは
なく、例えば、Ｓｎ、Ａｕ、Ａｇ、Ｐｂ等の金属のよう
に、半田に拡散し、且つメッキ可能な金属であればよい
ことはいうまでもない。コンタクトピン４の一本の長さ
に相当する間隔で、スルーホール２１と嵌合する部分を
コイニングにより外径形状を、例えば星型に変形させ
て、コンタクトピン４を製造することは従来技術と同様
である。
【００２０】次に、半田ディップ、ＩＣチップのダイボ
ンド、ワイヤーボンディング及び熱硬化性の封止樹脂２
６で、前記プリント樹脂基板２０の上面及び側面部をト
ランスファーモールドして樹脂封止型ＰＧＡ５を完成さ
せる工程は従来技術と同様である。
ンド、ワイヤーボンディング及び熱硬化性の封止樹脂２
６で、前記プリント樹脂基板２０の上面及び側面部をト
ランスファーモールドして樹脂封止型ＰＧＡ５を完成さ
せる工程は従来技術と同様である。
【００２１】上述の如く、本実施例の特徴とするところ
は、樹脂封止型ＰＧＡは、前述したように、コンタクト
ピンのメッキ仕様をＮｉメッキ＋Ｓｎメッキから、Ｃｕ
メッキ＋Ｓｎ／Ｐｂメッキに変えることにより、ＰＧＡ
のパッケージング工程で長時間高温にさらされても、Ｓ
ｎ／Ｐｂが半田に拡散してコンタクトピンの表面に均一
に半田塗膜が形成されるもので、ＰＧＡ完成品としてコ
ンタクトピンの半田の濡れ性が向上した。従って、前記
樹脂封止型ＰＧＡをマザーボード等の他の基板に接続す
る際、前記した、所謂直結式ウエーブソルダー方式にお
いても、半田の濡れ性の信頼性は劣化することはなく、
樹脂封止型ＰＧＡのコンタクトピンとマザーボードとの
良好な電気的接続が得られる。
は、樹脂封止型ＰＧＡは、前述したように、コンタクト
ピンのメッキ仕様をＮｉメッキ＋Ｓｎメッキから、Ｃｕ
メッキ＋Ｓｎ／Ｐｂメッキに変えることにより、ＰＧＡ
のパッケージング工程で長時間高温にさらされても、Ｓ
ｎ／Ｐｂが半田に拡散してコンタクトピンの表面に均一
に半田塗膜が形成されるもので、ＰＧＡ完成品としてコ
ンタクトピンの半田の濡れ性が向上した。従って、前記
樹脂封止型ＰＧＡをマザーボード等の他の基板に接続す
る際、前記した、所謂直結式ウエーブソルダー方式にお
いても、半田の濡れ性の信頼性は劣化することはなく、
樹脂封止型ＰＧＡのコンタクトピンとマザーボードとの
良好な電気的接続が得られる。
【００２２】
【発明の効果】以上説明したように、本発明によれば、
樹脂封止型ＰＧＡにおいて、コンタクトピンの素材表面
に予めＣｕの下地メッキ層を形成し、更に該Ｃｕメッキ
層の表面に、Ｓｎ、Ａｕ、Ａｇ、Ｐｂ及びＳｎ／Ｐｂ等
の半田に拡散し、且つメッキ可能な金属メッキ層を形成
することにより、ＰＧＡのパッケージング工程で長時間
高温にさらされても、均一な半田塗膜が得られ、半田の
濡れ不良を生ずることがなく、マザーボードとの導通性
もよく、信頼性の高い樹脂封止型ＰＧＡを提供すること
ができる。
樹脂封止型ＰＧＡにおいて、コンタクトピンの素材表面
に予めＣｕの下地メッキ層を形成し、更に該Ｃｕメッキ
層の表面に、Ｓｎ、Ａｕ、Ａｇ、Ｐｂ及びＳｎ／Ｐｂ等
の半田に拡散し、且つメッキ可能な金属メッキ層を形成
することにより、ＰＧＡのパッケージング工程で長時間
高温にさらされても、均一な半田塗膜が得られ、半田の
濡れ不良を生ずることがなく、マザーボードとの導通性
もよく、信頼性の高い樹脂封止型ＰＧＡを提供すること
ができる。
【図１】本発明の一実施例に係わる樹脂封止型ＰＧＡの
構造を示し、図１（ａ）はＰＧＡの断面図、図１（ｂ）
はコンタクトピンのピン打ち状態を示す部分拡大断面
図。
構造を示し、図１（ａ）はＰＧＡの断面図、図１（ｂ）
はコンタクトピンのピン打ち状態を示す部分拡大断面
図。
【図２】従来のＰＧＡの製造工程を示す断面図。
【図３】従来のＰＧＡのコンタクトピンのピン打ち状態
を示す部分拡大断面図。
を示す部分拡大断面図。
【図４】従来のＰＧＡの半田ディップ工程を示す部分拡
大断面図。
大断面図。
【図５】従来のＰＧＡの半田濡れ不良の状態を示す部分
拡大断面図。
拡大断面図。
１ コンタクトピン素材 ２ Ｃｕメッキ層 ３ Ｓｎ／Ｐｂメッキ層 ４ コンタクトピン ５ 樹脂封止型ＰＧＡ ２０ プリント樹脂基板 ２１ スルーホール ２４ ＩＣチップ ２６ 封止樹脂
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.6 識別記号 庁内整理番号 ＦＩ 技術表示箇所 Ｈ０１Ｌ 23/29 23/31
Claims (1)
- 【請求項１】 表面にメッキ層を形成した複数のコンタ
クトピンを樹脂基板に配設されたスルーホールにピン打
ちし、該コンタクトピンの表面に半田塗膜を形成し、前
記樹脂基板の上面側にＩＣチップをワイヤーボンディン
グ実装し、該ＩＣチップをトランスファーモールドする
樹脂封止型ピングリッドアレイにおいて、前記コンタク
トピンの素材表面に下地としてＣｕメッキ層を形成し、
更に該Ｃｕメッキ層の表面に、半田に拡散し、且つメッ
キ可能な金属メッキ層を形成することを特徴とする樹脂
封止型ピングリッドアレイ。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP24267693A JPH07106485A (ja) | 1993-09-29 | 1993-09-29 | 樹脂封止型ピングリッドアレイ |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP24267693A JPH07106485A (ja) | 1993-09-29 | 1993-09-29 | 樹脂封止型ピングリッドアレイ |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH07106485A true JPH07106485A (ja) | 1995-04-21 |
Family
ID=17092584
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP24267693A Pending JPH07106485A (ja) | 1993-09-29 | 1993-09-29 | 樹脂封止型ピングリッドアレイ |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH07106485A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6281436B1 (en) * | 1997-08-05 | 2001-08-28 | Tdk Corporation | Encapsulated surface mounting electronic part |
| KR100325242B1 (ko) * | 1998-05-15 | 2002-04-17 | 이택렬 | 반도체소자 및 그 제작방법 |
| JP2014236115A (ja) * | 2013-06-03 | 2014-12-15 | 株式会社デンソー | モールドパッケージ |
-
1993
- 1993-09-29 JP JP24267693A patent/JPH07106485A/ja active Pending
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6281436B1 (en) * | 1997-08-05 | 2001-08-28 | Tdk Corporation | Encapsulated surface mounting electronic part |
| KR100325242B1 (ko) * | 1998-05-15 | 2002-04-17 | 이택렬 | 반도체소자 및 그 제작방법 |
| JP2014236115A (ja) * | 2013-06-03 | 2014-12-15 | 株式会社デンソー | モールドパッケージ |
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