JPH0693258A - 有機薄膜素子 - Google Patents
有機薄膜素子Info
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- JPH0693258A JPH0693258A JP27119992A JP27119992A JPH0693258A JP H0693258 A JPH0693258 A JP H0693258A JP 27119992 A JP27119992 A JP 27119992A JP 27119992 A JP27119992 A JP 27119992A JP H0693258 A JPH0693258 A JP H0693258A
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- B82—NANOTECHNOLOGY
- B82Y—SPECIFIC USES OR APPLICATIONS OF NANOSTRUCTURES; MEASUREMENT OR ANALYSIS OF NANOSTRUCTURES; MANUFACTURE OR TREATMENT OF NANOSTRUCTURES
- B82Y10/00—Nanotechnology for information processing, storage or transmission, e.g. quantum computing or single electron logic
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- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
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- H10K2102/101—Transparent electrodes, e.g. using graphene comprising transparent conductive oxides [TCO]
- H10K2102/103—Transparent electrodes, e.g. using graphene comprising transparent conductive oxides [TCO] comprising indium oxides, e.g. ITO
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- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K39/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic radiation-sensitive element covered by group H10K30/00
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- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
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- H10K85/211—Fullerenes, e.g. C60
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- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K85/00—Organic materials used in the body or electrodes of devices covered by this subclass
- H10K85/30—Coordination compounds
- H10K85/311—Phthalocyanine
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- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K85/00—Organic materials used in the body or electrodes of devices covered by this subclass
- H10K85/60—Organic compounds having low molecular weight
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- Y02E10/50—Photovoltaic [PV] energy
- Y02E10/549—Organic PV cells
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- Photovoltaic Devices (AREA)
- Photoreceptors In Electrophotography (AREA)
- Led Devices (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】 アクセプタ性分子の酸化還元の繰り返しによ
る劣化を防止し、素子寿命の長い有機薄膜素子を提供す
る。 【構成】 アクセプタ性分子膜としてのフラーレン分子
の薄膜と、ドナー性分子としてのフラーレン分子よりも
電子親和力が小さい有機分子の薄膜との積層構造を有す
る有機薄膜を備えている。
る劣化を防止し、素子寿命の長い有機薄膜素子を提供す
る。 【構成】 アクセプタ性分子膜としてのフラーレン分子
の薄膜と、ドナー性分子としてのフラーレン分子よりも
電子親和力が小さい有機分子の薄膜との積層構造を有す
る有機薄膜を備えている。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は各種機能素子として用い
られる有機薄膜素子に関する。
られる有機薄膜素子に関する。
【０００２】
【従来の技術】近年、有機物の超薄膜を用いた各種電子
デバイスの研究が盛んに行われている。例えば、特開昭
５２−３５５８７号、特開昭５５−１７５０５号、特開
昭５７−５１７８１号、特開昭５７−１９６１４３号、
特開昭５９−１９４３９３号、特開昭６０−２３９７３
９号、特開昭６１−３７８９１号、特開昭６２−６５４
７７号、特開昭６２−２２９９７１号、特開昭６３−２
９５６９５号、特開平１−２４３３９６号、特開平１−
２４５０８７号などが知られている。
デバイスの研究が盛んに行われている。例えば、特開昭
５２−３５５８７号、特開昭５５−１７５０５号、特開
昭５７−５１７８１号、特開昭５７−１９６１４３号、
特開昭５９−１９４３９３号、特開昭６０−２３９７３
９号、特開昭６１−３７８９１号、特開昭６２−６５４
７７号、特開昭６２−２２９９７１号、特開昭６３−２
９５６９５号、特開平１−２４３３９６号、特開平１−
２４５０８７号などが知られている。
【０００３】これらはアクセプタ性分子やドナー性分子
を含む有機薄膜を備えた有機薄膜素子であり、その多く
はアクセプタ性分子の薄膜とそれより電子親和力が小さ
いドナー性分子の薄膜とのヘテロ接合を利用した素子で
ある。これらの素子はドナー性分子やアクセプタ性分子
の酸化還元による電荷の蓄積や移動、吸収スペクトルの
変化などを利用している。したがって、素子寿命を長く
するためには、酸化還元の繰り返しによりこれらの分子
が劣化しないことが必要である。
を含む有機薄膜を備えた有機薄膜素子であり、その多く
はアクセプタ性分子の薄膜とそれより電子親和力が小さ
いドナー性分子の薄膜とのヘテロ接合を利用した素子で
ある。これらの素子はドナー性分子やアクセプタ性分子
の酸化還元による電荷の蓄積や移動、吸収スペクトルの
変化などを利用している。したがって、素子寿命を長く
するためには、酸化還元の繰り返しによりこれらの分子
が劣化しないことが必要である。
【０００４】これまで、ドナー性分子については、電子
写真用感光体に用いられる正孔輸送剤の研究から、フタ
ロシアニン類やその他の色素分子など、酸化還元の繰り
返しにより劣化が起こりにくい分子が判明している。し
かし、アクセプタ性分子については、酸化還元の繰り返
しに対して十分に満足できる分子は知られていない。
写真用感光体に用いられる正孔輸送剤の研究から、フタ
ロシアニン類やその他の色素分子など、酸化還元の繰り
返しにより劣化が起こりにくい分子が判明している。し
かし、アクセプタ性分子については、酸化還元の繰り返
しに対して十分に満足できる分子は知られていない。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】以上のような理由で、
積層構造を有する有機薄膜を備えた従来の有機薄膜素子
においては、アクセプタ性分子の酸化還元の繰り返しに
よる劣化のために、素子寿命が短くなるという問題があ
った。
積層構造を有する有機薄膜を備えた従来の有機薄膜素子
においては、アクセプタ性分子の酸化還元の繰り返しに
よる劣化のために、素子寿命が短くなるという問題があ
った。
【０００６】本発明の目的は、素子寿命の長い有機薄膜
素子を提供することにある。
素子を提供することにある。
【０００７】
【課題を解決するための手段と作用】本発明の有機薄膜
素子は、フラーレン分子を含む薄膜と、フラーレン分子
よりも電子親和力が小さい有機分子を含む薄膜との積層
構造を有する有機薄膜を備えたことを特徴とするもので
ある。
素子は、フラーレン分子を含む薄膜と、フラーレン分子
よりも電子親和力が小さい有機分子を含む薄膜との積層
構造を有する有機薄膜を備えたことを特徴とするもので
ある。
【０００８】本発明において用いられるフラーレン分子
（Ｃ60、Ｃ70など）は、球状のクラスタをなしており、
近年サッカーボール状分子として注目されている。これ
らはアルカリ金属やハロゲン元素のドーピングにより、
かなり高い温度で超電導を示すことが報告されている。
また、これらの還元電位は比較的小さく、ベンゾキノン
などと同様のアクセプタ性を有するため、特異な電子物
性や光物性も期待されている。
（Ｃ60、Ｃ70など）は、球状のクラスタをなしており、
近年サッカーボール状分子として注目されている。これ
らはアルカリ金属やハロゲン元素のドーピングにより、
かなり高い温度で超電導を示すことが報告されている。
また、これらの還元電位は比較的小さく、ベンゾキノン
などと同様のアクセプタ性を有するため、特異な電子物
性や光物性も期待されている。
【０００９】フラーレン分子について、サイクリックボ
ルタモグラムで酸化還元のサイクルを測定すると、一般
のアクセプタ性分子に比べて可逆性が高い。したがっ
て、アクセプタ性分子としてフラーレン分子を用いた素
子の寿命は、他のアクセプタ性分子を用いたものよりも
長くなる。また、フラーレン分子は通常の有機物と比較
すると、極めて耐熱性に優れている。したがって、熱に
弱いとされる有機物の欠点を補うことができる。
ルタモグラムで酸化還元のサイクルを測定すると、一般
のアクセプタ性分子に比べて可逆性が高い。したがっ
て、アクセプタ性分子としてフラーレン分子を用いた素
子の寿命は、他のアクセプタ性分子を用いたものよりも
長くなる。また、フラーレン分子は通常の有機物と比較
すると、極めて耐熱性に優れている。したがって、熱に
弱いとされる有機物の欠点を補うことができる。
【００１０】フラーレン分子は種々の方法で薄膜化でき
る。例えば、真空蒸着法やＭＢＥ法などのドライプロセ
スによって薄膜化できる。また、最近、フラーレン分子
についても、分子レベルでの成膜法としてラングミュア
・ブロジェット（ＬＢ）法を適用し、水面上で単分子膜
を形成できることが報告された（ジャーナル オブアメ
リカン ケミカル ソサエティー誌、１１３巻、６２７
９頁、１９９１年）。ただし、形成された単分子膜は極
めて硬く、通常の累積方法ではまだらのある不均一な膜
しか得られない。
る。例えば、真空蒸着法やＭＢＥ法などのドライプロセ
スによって薄膜化できる。また、最近、フラーレン分子
についても、分子レベルでの成膜法としてラングミュア
・ブロジェット（ＬＢ）法を適用し、水面上で単分子膜
を形成できることが報告された（ジャーナル オブアメ
リカン ケミカル ソサエティー誌、１１３巻、６２７
９頁、１９９１年）。ただし、形成された単分子膜は極
めて硬く、通常の累積方法ではまだらのある不均一な膜
しか得られない。
【００１１】そこで、本発明者らはＬＢ法による成膜条
件について検討した。その結果、水面上の単分子膜の表
面圧のばらつきが２０％以下であり、かつ固体基板に移
しとる際に固体基板にかかる動的表面圧が、固体基板の
静止時にかかる静的表面圧の５０％以上であれば、良好
なフラーレン分子のＬＢ膜が得られることを見出した。
さらに単分子膜の表面圧のばらつきは５％以下であるこ
とがより好ましい。
件について検討した。その結果、水面上の単分子膜の表
面圧のばらつきが２０％以下であり、かつ固体基板に移
しとる際に固体基板にかかる動的表面圧が、固体基板の
静止時にかかる静的表面圧の５０％以上であれば、良好
なフラーレン分子のＬＢ膜が得られることを見出した。
さらに単分子膜の表面圧のばらつきは５％以下であるこ
とがより好ましい。
【００１２】ここで、単分子膜の表面圧は分子の密度の
関数であり、Ｗｉｌｈｅｌｍｙ法などにより極めて簡便
に測定できる。したがって、単分子膜の表面圧を水面上
の複数点、好ましくは４点以上で測定すれば、膜が均一
かどうか判断できる。膜を均一にする具体的な方法とし
ては、極めてゆっくりと膜面積を減少させる、温度を上
げる、ムービングウォールを用いる（シン ソリッド
フィルムズ誌、１７８巻、１７５頁、１９８９年）など
の方法が挙げられる。また、これらの方法を組み合わせ
てもよい。
関数であり、Ｗｉｌｈｅｌｍｙ法などにより極めて簡便
に測定できる。したがって、単分子膜の表面圧を水面上
の複数点、好ましくは４点以上で測定すれば、膜が均一
かどうか判断できる。膜を均一にする具体的な方法とし
ては、極めてゆっくりと膜面積を減少させる、温度を上
げる、ムービングウォールを用いる（シン ソリッド
フィルムズ誌、１７８巻、１７５頁、１９８９年）など
の方法が挙げられる。また、これらの方法を組み合わせ
てもよい。
【００１３】このようにして得られた均一な単分子膜を
固体基板上に均一に累積するためには、移しとる際に固
体基板にかかる動的表面圧が、固体基板静止時にかかる
静的表面圧の５０％以上、好ましくは９０％以上である
必要がある。５０％未満では、累積時に分子密度が著し
く低下してしまい、均一な膜を得ることが困難である。
動的表面圧の測定方法は、ラングミュア誌、６１巻、１
３０９頁、１９９０年に記載されている。動的表面圧を
静的表面圧の５０％以上にする具体的な方法としては、
基板を極めてゆっくりと動かす、基板を水平にして累積
時に膜が流動しないようにする、温度を上げる、ムービ
ングウォールを用いるなどの方法が挙げられる。また、
これらの方法を組み合わせてもよい。
固体基板上に均一に累積するためには、移しとる際に固
体基板にかかる動的表面圧が、固体基板静止時にかかる
静的表面圧の５０％以上、好ましくは９０％以上である
必要がある。５０％未満では、累積時に分子密度が著し
く低下してしまい、均一な膜を得ることが困難である。
動的表面圧の測定方法は、ラングミュア誌、６１巻、１
３０９頁、１９９０年に記載されている。動的表面圧を
静的表面圧の５０％以上にする具体的な方法としては、
基板を極めてゆっくりと動かす、基板を水平にして累積
時に膜が流動しないようにする、温度を上げる、ムービ
ングウォールを用いるなどの方法が挙げられる。また、
これらの方法を組み合わせてもよい。
【００１４】以上の方法を用いることにより、基板上に
形成される単分子膜の欠陥面積を少なくとも５％以下に
することができる。さらに条件を厳しくすることによ
り、欠陥面積をほとんどなくすこともできる。なお、欠
陥面積の測定は走査型電子顕微鏡を用いる方法が簡便で
ある。
形成される単分子膜の欠陥面積を少なくとも５％以下に
することができる。さらに条件を厳しくすることによ
り、欠陥面積をほとんどなくすこともできる。なお、欠
陥面積の測定は走査型電子顕微鏡を用いる方法が簡便で
ある。
【００１５】なお、特にＬＢ法によりフラーレン単分子
膜を形成する場合には、他の一般的な分子にＬＢ法を適
用する場合と異なり、フラーレン分子に疎水基を導入す
る必要がないという利点がある。
膜を形成する場合には、他の一般的な分子にＬＢ法を適
用する場合と異なり、フラーレン分子に疎水基を導入す
る必要がないという利点がある。
【００１６】以下、本発明に係る各種の有機薄膜素子の
構造および動作原理を簡単に説明する。
構造および動作原理を簡単に説明する。
【００１７】（有機エレクトロルミネセンス素子）蛍光
色素分子を含む発光層と電子輸送層の二層構造からなる
有機薄膜、または正孔輸送層と電子輸送層との間に前記
発光層を有する三層構造もしくはそれ以上の多層構造か
らなる有機薄膜を、少なくとも片方は透明電極である二
つの電極で挟んだ構造を有する。
色素分子を含む発光層と電子輸送層の二層構造からなる
有機薄膜、または正孔輸送層と電子輸送層との間に前記
発光層を有する三層構造もしくはそれ以上の多層構造か
らなる有機薄膜を、少なくとも片方は透明電極である二
つの電極で挟んだ構造を有する。
【００１８】いずれの構造の素子でも、電子および正孔
が発光層に注入されて再結合する結果、発光する。電子
輸送層および正孔輸送層は注入確率を増大させる働きを
有する。
が発光層に注入されて再結合する結果、発光する。電子
輸送層および正孔輸送層は注入確率を増大させる働きを
有する。
【００１９】（有機太陽電池素子）可視光線を吸収して
電子と正孔とを生じる色素分子を含む電荷発生層と電子
輸送層との二層構造からなる有機薄膜、または正孔輸送
層と電子輸送層との間に前記電荷発生層を有する三層構
造もしくはそれ以上の多層構造からなる有機薄膜を、少
なくとも片方は透明電極である二つの電極で挟んだ構造
を有する。
電子と正孔とを生じる色素分子を含む電荷発生層と電子
輸送層との二層構造からなる有機薄膜、または正孔輸送
層と電子輸送層との間に前記電荷発生層を有する三層構
造もしくはそれ以上の多層構造からなる有機薄膜を、少
なくとも片方は透明電極である二つの電極で挟んだ構造
を有する。
【００２０】いずれの構造の素子でも、発生した電子お
よび正孔が再結合するのを防止して電荷分離を効率よく
行わせ、光電変換効率を増大させる働きを有する。
よび正孔が再結合するのを防止して電荷分離を効率よく
行わせ、光電変換効率を増大させる働きを有する。
【００２１】（有機電子写真感光体）導体上に、可視光
線を吸収して電子と正孔とを生じる色素分子を含む電荷
発生層と電子輸送剤を含む電荷輸送層の二層積層が感光
層として設けられた構造を有する。一例として、導体上
に、電荷発生層および正帯電型の電荷輸送層をこの順で
形成した場合について、動作方法を示すと、まず、コロ
ナ放電などにより、輸送層の表面を正に帯電させる。そ
の後、記録光を入射すると、電荷発生層において光が当
たった部分だけ電子と正孔が発生する。そして、発生し
た電子が効率よく表面に輸送され、正電荷が打ち消され
る。したがって、例えばトナーを予め正に帯電させてお
けば、光が当たった部分にだけトナーが付着し、得られ
たトナー像を紙に印刷することができる。
線を吸収して電子と正孔とを生じる色素分子を含む電荷
発生層と電子輸送剤を含む電荷輸送層の二層積層が感光
層として設けられた構造を有する。一例として、導体上
に、電荷発生層および正帯電型の電荷輸送層をこの順で
形成した場合について、動作方法を示すと、まず、コロ
ナ放電などにより、輸送層の表面を正に帯電させる。そ
の後、記録光を入射すると、電荷発生層において光が当
たった部分だけ電子と正孔が発生する。そして、発生し
た電子が効率よく表面に輸送され、正電荷が打ち消され
る。したがって、例えばトナーを予め正に帯電させてお
けば、光が当たった部分にだけトナーが付着し、得られ
たトナー像を紙に印刷することができる。
【００２２】（有機整流素子）正孔輸送層（Ｐ型半導
体）と電子輸送層（Ｎ型半導体）の二層構造からなる有
機薄膜を二つの電極で挟んだ構造を有する。
体）と電子輸送層（Ｎ型半導体）の二層構造からなる有
機薄膜を二つの電極で挟んだ構造を有する。
【００２３】この素子では、無機半導体のＰＮ接合と同
様に、電子および正孔のみが輸送されることから整流作
用が生じる。なお、無機半導体と同様に、正孔輸送層に
アクセプタ性分子を、電子輸送層にドナー性分子を少量
ドーピングすることにより、電流密度を増大させること
ができる。
様に、電子および正孔のみが輸送されることから整流作
用が生じる。なお、無機半導体と同様に、正孔輸送層に
アクセプタ性分子を、電子輸送層にドナー性分子を少量
ドーピングすることにより、電流密度を増大させること
ができる。
【００２４】（有機光素子）電子と正孔とを生じる色素
分子を含む電荷発生層とアクセプタ性分子層の二層構造
からなる有機薄膜、またはドナー性分子層とアクセプタ
性分子層との間に電荷発生層を有する３層構造もしくは
それ以上の多層構造からなる有機薄膜を有する。
分子を含む電荷発生層とアクセプタ性分子層の二層構造
からなる有機薄膜、またはドナー性分子層とアクセプタ
性分子層との間に電荷発生層を有する３層構造もしくは
それ以上の多層構造からなる有機薄膜を有する。
【００２５】この素子では、光を照射することにより発
生する膜電圧を利用して、情報の記憶および輸送、液晶
のスイッチング、非線形光学効果に基づく光波長変換な
どに適用することができる。
生する膜電圧を利用して、情報の記憶および輸送、液晶
のスイッチング、非線形光学効果に基づく光波長変換な
どに適用することができる。
【００２６】
【実施例】以下、本発明の実施例を説明する。
【００２７】実施例１（有機エレクトロルミネセンス素
子） ＩＴＯ膜／ガラス基板上に構造式（１）で示されるトリ
フェニルアミン誘導体を５０ｎｍの厚さに蒸着した（正
孔輸送層）。その上に、構造式（２）で示されるアルミ
ニウムキノリノール錯体を１０ｎｍの厚さに蒸着した
（発光層）。さらに、その上にフラーレン分子Ｃ60を５
０ｎｍの厚さに蒸着し（電子輸送層）、３層構造からな
る有機薄膜を形成した。最後に、面積１ｃｍ2 のマグネ
シウムおよび銀（原子比１０：１）からなる合金電極を
形成した。
子） ＩＴＯ膜／ガラス基板上に構造式（１）で示されるトリ
フェニルアミン誘導体を５０ｎｍの厚さに蒸着した（正
孔輸送層）。その上に、構造式（２）で示されるアルミ
ニウムキノリノール錯体を１０ｎｍの厚さに蒸着した
（発光層）。さらに、その上にフラーレン分子Ｃ60を５
０ｎｍの厚さに蒸着し（電子輸送層）、３層構造からな
る有機薄膜を形成した。最後に、面積１ｃｍ2 のマグネ
シウムおよび銀（原子比１０：１）からなる合金電極を
形成した。
【００２８】
【化１】
【００２９】
【化２】 この有機エレクトロルミネセンス素子（有機ＥＬ素子）
を作製後直ちに、真空下において、１０Ｖの直流電圧を
印加して初期輝度を測定したところ、１０００ｃｄ／ｍ
2 の輝度を示した。この素子を連続して動作させたとこ
ろ、輝度が半減するのに１５日以上かかった。
を作製後直ちに、真空下において、１０Ｖの直流電圧を
印加して初期輝度を測定したところ、１０００ｃｄ／ｍ
2 の輝度を示した。この素子を連続して動作させたとこ
ろ、輝度が半減するのに１５日以上かかった。
【００３０】実施例２（有機エレクトロルミネセンス素
子） 構造式（２）で示されるアルミニウムキノリノール錯体
の代わりに、構造式（３）で示されるオキサジアゾール
誘導体を用いた以外は実施例１と同様にして有機エレク
トロルミネセンス素子を作製した。
子） 構造式（２）で示されるアルミニウムキノリノール錯体
の代わりに、構造式（３）で示されるオキサジアゾール
誘導体を用いた以外は実施例１と同様にして有機エレク
トロルミネセンス素子を作製した。
【００３１】
【化３】 この有機ＥＬ素子を作製後直ちに、真空下において、１
０Ｖの直流電圧を印加して初期輝度を測定したところ、
１０００ｃｄ／ｍ2 の輝度を示した。この素子を連続し
て動作させたところ、輝度が半減するのに１５日以上か
かった。
０Ｖの直流電圧を印加して初期輝度を測定したところ、
１０００ｃｄ／ｍ2 の輝度を示した。この素子を連続し
て動作させたところ、輝度が半減するのに１５日以上か
かった。
【００３２】実施例３（有機エレクトロルミネセンス素
子） フラーレン分子Ｃ60の代わりに、フラーレン分子Ｃ70を
用いた以外は実施例１と同様にして有機エレクトロルミ
ネセンス素子を作製した。
子） フラーレン分子Ｃ60の代わりに、フラーレン分子Ｃ70を
用いた以外は実施例１と同様にして有機エレクトロルミ
ネセンス素子を作製した。
【００３３】この有機ＥＬ素子を作製後直ちに、真空下
において、１０Ｖの直流電圧を印加して初期輝度を測定
したところ、１０００ｃｄ／ｍ2 の輝度を示した。この
素子を連続して動作させたところ、輝度が半減するのに
１５日以上かかった。
において、１０Ｖの直流電圧を印加して初期輝度を測定
したところ、１０００ｃｄ／ｍ2 の輝度を示した。この
素子を連続して動作させたところ、輝度が半減するのに
１５日以上かかった。
【００３４】実施例４（有機エレクトロルミネセンス素
子） フラーレン分子Ｃ60の代わりに、フラーレン分子Ｃ84を
用いた以外は実施例１と同様にして有機エレクトロルミ
ネセンス素子を作製した。
子） フラーレン分子Ｃ60の代わりに、フラーレン分子Ｃ84を
用いた以外は実施例１と同様にして有機エレクトロルミ
ネセンス素子を作製した。
【００３５】この有機ＥＬ素子を作製後直ちに、真空下
において、１０Ｖの直流電圧を印加して初期輝度を測定
したところ、１０００ｃｄ／ｍ2 の輝度を示した。この
素子を連続して動作させたところ、輝度が半減するのに
１５日以上かかった。
において、１０Ｖの直流電圧を印加して初期輝度を測定
したところ、１０００ｃｄ／ｍ2 の輝度を示した。この
素子を連続して動作させたところ、輝度が半減するのに
１５日以上かかった。
【００３６】実施例５（有機太陽電池素子） ＩＴＯ膜／ガラス基板上に構造式（１）で示されるトリ
フェニルアミン誘導体を５０ｎｍの厚さに蒸着した（正
孔輸送層）。その上に、銅フタロシアニンを５０ｎｍの
厚さに蒸着した（電荷発生層）。さらにその上に、フラ
ーレン分子Ｃ60を５０ｎｍの厚さに蒸着し（電子輸送
層）、３層構造からなる有機薄膜を形成した。最後に、
面積１ｃｍ2 のアルミニウム電極を形成した。
フェニルアミン誘導体を５０ｎｍの厚さに蒸着した（正
孔輸送層）。その上に、銅フタロシアニンを５０ｎｍの
厚さに蒸着した（電荷発生層）。さらにその上に、フラ
ーレン分子Ｃ60を５０ｎｍの厚さに蒸着し（電子輸送
層）、３層構造からなる有機薄膜を形成した。最後に、
面積１ｃｍ2 のアルミニウム電極を形成した。
【００３７】この有機太陽電池素子を作製後直ちに、真
空下において、ガラス基板側から４００ｎｍ以下の紫外
線をカットしたタングステンランプ光を照射し、初期光
電変換効率を測定したところ、１．２〜１．５％を示し
た。この素子を連続して動作させたところ、光電変換効
率は１か月以上経過してもほとんど変化しなかった。
空下において、ガラス基板側から４００ｎｍ以下の紫外
線をカットしたタングステンランプ光を照射し、初期光
電変換効率を測定したところ、１．２〜１．５％を示し
た。この素子を連続して動作させたところ、光電変換効
率は１か月以上経過してもほとんど変化しなかった。
【００３８】実施例６（有機太陽電池素子） フラーレン分子Ｃ60の代わりに、フラーレン分子Ｃ70を
用いた以外は実施例５と同様にして有機太陽電池素子を
作製した。
用いた以外は実施例５と同様にして有機太陽電池素子を
作製した。
【００３９】この有機太陽電池素子を作製後直ちに、真
空下において、ガラス基板側から４００ｎｍ以下の紫外
線をカットしたタングステンランプ光を照射し、初期光
電変換効率を測定したところ、１．３〜１．５％を示し
た。この素子を連続して動作させたところ、光電変換効
率は１か月以上経過してもほとんど変化しなかった。
空下において、ガラス基板側から４００ｎｍ以下の紫外
線をカットしたタングステンランプ光を照射し、初期光
電変換効率を測定したところ、１．３〜１．５％を示し
た。この素子を連続して動作させたところ、光電変換効
率は１か月以上経過してもほとんど変化しなかった。
【００４０】実施例７（有機電子写真感光体） ガラス基板上に形成されたアルミニウム蒸着電極上に、
銅フタロシアニンを分散したポリカーボネートをキャス
トし、厚さ２μｍの塗膜を形成した（電荷発生層）。そ
の上に、構造式（１）で示されるトリフェニルアミン誘
導体（正孔輸送剤）およびフラーレン分子Ｃ70（電子輸
送剤）をそれぞれ２０ｗｔ％および１０ｗｔ％の割合で
相溶したポリカーボネートをキャストし、厚さ２μｍの
塗膜を形成し（電荷輸送層）、２層構造の感光層を形成
した。
銅フタロシアニンを分散したポリカーボネートをキャス
トし、厚さ２μｍの塗膜を形成した（電荷発生層）。そ
の上に、構造式（１）で示されるトリフェニルアミン誘
導体（正孔輸送剤）およびフラーレン分子Ｃ70（電子輸
送剤）をそれぞれ２０ｗｔ％および１０ｗｔ％の割合で
相溶したポリカーボネートをキャストし、厚さ２μｍの
塗膜を形成し（電荷輸送層）、２層構造の感光層を形成
した。
【００４１】この有機電子写真感光体を作製後直ちに、
６３０ｎｍの単色光（０．４μＷ／ｃｍ2 ）を照射した
時の表面帯電電位の減衰を測定した。その結果、正負ど
ちらの帯電に対してもおよそ２ｃｍ2 ／μＪの高感度を
示した。この素子を連続して動作させたところ、特性は
１か月以上経過してもほとんど変化しなかった。
６３０ｎｍの単色光（０．４μＷ／ｃｍ2 ）を照射した
時の表面帯電電位の減衰を測定した。その結果、正負ど
ちらの帯電に対してもおよそ２ｃｍ2 ／μＪの高感度を
示した。この素子を連続して動作させたところ、特性は
１か月以上経過してもほとんど変化しなかった。
【００４２】実施例８（有機整流素子） ガラス基板上に形成されたアルミニウム蒸着電極上に、
構造式（１）で示されるトリフェニルアミン誘導体を２
０ｎｍの厚さに蒸着した（正孔輸送層）。その上に、フ
ラーレン分子Ｃ60を２０ｎｍの厚さに蒸着し（電子輸送
層）、２層構造からなる有機薄膜を形成した。最後に、
面積１ｃｍ2 のアルミニウム上部電極を形成した。
構造式（１）で示されるトリフェニルアミン誘導体を２
０ｎｍの厚さに蒸着した（正孔輸送層）。その上に、フ
ラーレン分子Ｃ60を２０ｎｍの厚さに蒸着し（電子輸送
層）、２層構造からなる有機薄膜を形成した。最後に、
面積１ｃｍ2 のアルミニウム上部電極を形成した。
【００４３】この有機整流素子を作製後直ちに、真空下
において、光を遮断して電流−電圧特性を測定したとこ
ろ、上部電極を負にしたときに電流が流れる整流特性が
得られた。この素子を繰り返し動作させたところ、１万
回以上繰り返しても整流特性はほとんど変化しなかっ
た。
において、光を遮断して電流−電圧特性を測定したとこ
ろ、上部電極を負にしたときに電流が流れる整流特性が
得られた。この素子を繰り返し動作させたところ、１万
回以上繰り返しても整流特性はほとんど変化しなかっ
た。
【００４４】実施例９（有機光記憶素子） 本実施例では、ＬＢ法によりフラーレン単分子膜を形成
した。まず、ＬＢ法によるフラーレン単分子膜の成膜条
件について検討した結果を説明する。この実験では、図
５に示すＬＢ成膜装置を用いた。図５において、ＬＢト
ラフ１１の内部にはイオン交換樹脂を用いて精製された
水が満たされており、この水面上に単分子膜が展開され
る。この単分子膜は、ＬＢトラフ１１上に設けられたバ
リア１２により圧縮される。ＬＢトラフ１１の中央部上
方には昇降台１３が設けられている。この昇降台１３上
に表面圧計１４が載せられ、さらにこの表面圧計１４に
基板２０が取り付けられ、基板２０を上下させることに
より単分子膜が移しとられる。また、基板２０の近傍、
バリア１２の近傍およびバリア１２に対向するＬＢトラ
フ１１の壁面の近傍の上方にも、表面圧計１４が設けら
れ、これらの表面圧計１４にそれぞれ単分子膜に接触し
た状態でロ紙１５が取り付けられている。これらの機構
により、単分子膜の表面圧をモニターできる。
した。まず、ＬＢ法によるフラーレン単分子膜の成膜条
件について検討した結果を説明する。この実験では、図
５に示すＬＢ成膜装置を用いた。図５において、ＬＢト
ラフ１１の内部にはイオン交換樹脂を用いて精製された
水が満たされており、この水面上に単分子膜が展開され
る。この単分子膜は、ＬＢトラフ１１上に設けられたバ
リア１２により圧縮される。ＬＢトラフ１１の中央部上
方には昇降台１３が設けられている。この昇降台１３上
に表面圧計１４が載せられ、さらにこの表面圧計１４に
基板２０が取り付けられ、基板２０を上下させることに
より単分子膜が移しとられる。また、基板２０の近傍、
バリア１２の近傍およびバリア１２に対向するＬＢトラ
フ１１の壁面の近傍の上方にも、表面圧計１４が設けら
れ、これらの表面圧計１４にそれぞれ単分子膜に接触し
た状態でロ紙１５が取り付けられている。これらの機構
により、単分子膜の表面圧をモニターできる。
【００４５】まず、２ｃｍ×５ｃｍのシリコンウェハを
フッ酸、水の順で洗浄した後、１５０℃で乾燥させた。
一方、分子量７２０のフラーレン分子Ｃ60をトルエンに
溶解し、０．１ｍｍｏｌ／ｌの展開溶液を調製した。次
いで、ＬＢトラフの水面（水温２５℃）上にこの展開溶
液を滴下して単分子膜を形成し、図５の各点に設けられ
た表面圧計により測定される単分子膜の表面圧をモニタ
ーしながら、ゆっくりと単分子膜を圧縮した。シリコン
ウェハ表面での表面圧が２５ｄｙｎ／ｃｍになったとき
の表面圧のばらつきは４％であった。次に、表面圧を保
ちながら、０．１ｍｍ／ｍｉｎの速度でシリコンウェハ
を垂直に引き上げ、ウェハ上にＣ60単分子膜を１層累積
した。このときの動的表面圧は２０ｄｙｎ／ｃｍであっ
た。次に、ウェハを引き下げ、引き上げ、さらに２層の
単分子膜を累積した。この累積膜を電子顕微鏡で観察し
たところ、欠陥面積は０．３％であり、極めて均一な膜
であることがわかった。
フッ酸、水の順で洗浄した後、１５０℃で乾燥させた。
一方、分子量７２０のフラーレン分子Ｃ60をトルエンに
溶解し、０．１ｍｍｏｌ／ｌの展開溶液を調製した。次
いで、ＬＢトラフの水面（水温２５℃）上にこの展開溶
液を滴下して単分子膜を形成し、図５の各点に設けられ
た表面圧計により測定される単分子膜の表面圧をモニタ
ーしながら、ゆっくりと単分子膜を圧縮した。シリコン
ウェハ表面での表面圧が２５ｄｙｎ／ｃｍになったとき
の表面圧のばらつきは４％であった。次に、表面圧を保
ちながら、０．１ｍｍ／ｍｉｎの速度でシリコンウェハ
を垂直に引き上げ、ウェハ上にＣ60単分子膜を１層累積
した。このときの動的表面圧は２０ｄｙｎ／ｃｍであっ
た。次に、ウェハを引き下げ、引き上げ、さらに２層の
単分子膜を累積した。この累積膜を電子顕微鏡で観察し
たところ、欠陥面積は０．３％であり、極めて均一な膜
であることがわかった。
【００４６】また、フラーレン分子としてＣ70を用い、
前記と同様にして合計３層の単分子膜を累積した場合に
も、欠陥面積は１％であり、均一な膜であることがわか
った。
前記と同様にして合計３層の単分子膜を累積した場合に
も、欠陥面積は１％であり、均一な膜であることがわか
った。
【００４７】一方、フラーレン分子Ｃ60の単分子膜を水
面上で速い速度で圧縮して表面圧のばらつきが４０％に
なるようにした以外は前記と同様にして合計３層の単分
子膜を累積した場合、単分子膜が崩壊したと見られる微
小な粒子がところどころ観測された。
面上で速い速度で圧縮して表面圧のばらつきが４０％に
なるようにした以外は前記と同様にして合計３層の単分
子膜を累積した場合、単分子膜が崩壊したと見られる微
小な粒子がところどころ観測された。
【００４８】また、前記と同様にフラーレン分子Ｃ60の
単分子膜を水面上でゆっくりと圧縮して表面圧のばらつ
きが４％になるようにしたが、ウェハを５ｍｍ／ｍｉｎ
の速度で上下に動かして合計３層の単分子膜を累積した
場合、動的表面圧は３ｄｙｎ／ｃｍで、得られた単分子
膜では微小な孔が数多く観測され、不均一な膜になっ
た。
単分子膜を水面上でゆっくりと圧縮して表面圧のばらつ
きが４％になるようにしたが、ウェハを５ｍｍ／ｍｉｎ
の速度で上下に動かして合計３層の単分子膜を累積した
場合、動的表面圧は３ｄｙｎ／ｃｍで、得られた単分子
膜では微小な孔が数多く観測され、不均一な膜になっ
た。
【００４９】図１に本実施例において作製された有機光
記憶素子の構成を示す。図１において、ガラス基板１上
には、厚さ２０ｎｍのＩＴＯ電極２および厚さ４０ｎｍ
のＳｉＯ2 膜３が形成されている。その上に、ＬＢ法に
よりアクセプタ性分子層４、感光性分子を含む電荷発生
層５、ドナー性分子層６および絶縁性分子層７が順次積
層形成され、超格子構造をなしている。さらに、厚さ約
５０ｎｍのＡｌ電極８が形成され、このＡｌ電極８は素
子の温度を制御するためにペルチェ素子（図示せず）に
接続されている。
記憶素子の構成を示す。図１において、ガラス基板１上
には、厚さ２０ｎｍのＩＴＯ電極２および厚さ４０ｎｍ
のＳｉＯ2 膜３が形成されている。その上に、ＬＢ法に
よりアクセプタ性分子層４、感光性分子を含む電荷発生
層５、ドナー性分子層６および絶縁性分子層７が順次積
層形成され、超格子構造をなしている。さらに、厚さ約
５０ｎｍのＡｌ電極８が形成され、このＡｌ電極８は素
子の温度を制御するためにペルチェ素子（図示せず）に
接続されている。
【００５０】この有機光記憶素子の超格子構造を構成す
るアクセプタ性分子層４、電荷発生層５、ドナー性分子
層６および絶縁性分子層７は、それぞれＬＢ法により以
下のようにして形成された。
るアクセプタ性分子層４、電荷発生層５、ドナー性分子
層６および絶縁性分子層７は、それぞれＬＢ法により以
下のようにして形成された。
【００５１】まず、アクセプタ性分子としてフラーレン
分子Ｃ60をトルエンに溶解し、０．１ｍｍｏｌ／ｌの展
開溶液を調製した。ＬＢトラフの水面（水温２５℃）上
にこの展開溶液を滴下して単分子膜を形成し、表面圧が
２５ｄｙｎ／ｃｍになるまでゆっくりと単分子膜を圧縮
した。この表面圧を保ちながら、０．１ｍｍ／ｍｉｎの
速度でガラス基板を垂直に引上げ、Ｃ60単分子膜を１層
累積した。次に、ガラス基板を引き下げ、引き上げて、
さらに２層の単分子膜を累積した。これらの条件は、前
述した実験により良好な累積膜が得られたときの条件と
同一である。
分子Ｃ60をトルエンに溶解し、０．１ｍｍｏｌ／ｌの展
開溶液を調製した。ＬＢトラフの水面（水温２５℃）上
にこの展開溶液を滴下して単分子膜を形成し、表面圧が
２５ｄｙｎ／ｃｍになるまでゆっくりと単分子膜を圧縮
した。この表面圧を保ちながら、０．１ｍｍ／ｍｉｎの
速度でガラス基板を垂直に引上げ、Ｃ60単分子膜を１層
累積した。次に、ガラス基板を引き下げ、引き上げて、
さらに２層の単分子膜を累積した。これらの条件は、前
述した実験により良好な累積膜が得られたときの条件と
同一である。
【００５２】次いで、感光性分子として構造式（４）で
示される銅フタロシアニン誘導体をクロロホルムに溶解
して、０．２ｍｇ／ｍｌの展開溶液を調製した。ＬＢト
ラフの水面上にこの展開溶液を滴下し、単分子膜を形成
した。この分子は、表面圧１３ｄｙｎ／ｃｍで固体凝縮
膜になった。続いて前記と同様な方法により、アクセプ
タ性分子層４の上に、銅フタロシアニン誘導体の２層膜
からなる電荷発生層５を形成した。
示される銅フタロシアニン誘導体をクロロホルムに溶解
して、０．２ｍｇ／ｍｌの展開溶液を調製した。ＬＢト
ラフの水面上にこの展開溶液を滴下し、単分子膜を形成
した。この分子は、表面圧１３ｄｙｎ／ｃｍで固体凝縮
膜になった。続いて前記と同様な方法により、アクセプ
タ性分子層４の上に、銅フタロシアニン誘導体の２層膜
からなる電荷発生層５を形成した。
【００５３】次に、ドナー性分子として構造式（５）で
示されるパラフェニレンジアミン誘導体をクロロホルム
に溶解して、０．５ｍｇ／ｍｌの展開溶液を調製した。
ＬＢトラフの水面上にこの展開溶液を滴下し、単分子膜
を形成した。この分子は、表面圧２５ｄｙｎ／ｃｍで固
体凝縮膜になった。続いて前記と同様な方法により、電
荷発生層５の上に、パラフェニレンジアミン誘導体の２
層膜からなるドナー性分子層６を形成した。
示されるパラフェニレンジアミン誘導体をクロロホルム
に溶解して、０．５ｍｇ／ｍｌの展開溶液を調製した。
ＬＢトラフの水面上にこの展開溶液を滴下し、単分子膜
を形成した。この分子は、表面圧２５ｄｙｎ／ｃｍで固
体凝縮膜になった。続いて前記と同様な方法により、電
荷発生層５の上に、パラフェニレンジアミン誘導体の２
層膜からなるドナー性分子層６を形成した。
【００５４】さらに、絶縁性分子として分子量２０万の
ポリイソブチルメタクリレートをクロロホルムに溶解し
て、０．２ｍｇ／ｍｌの展開溶液を調製した。ＬＢトラ
フの水面上にこの展開溶液を滴下し、単分子膜を形成し
た。この分子は、表面圧１３ｄｙｎ／ｃｍで固体凝縮膜
になった。続いて前記と同様な方法により、ドナー性分
子層６の上に、ポリイソブチルメタクリレートの３０層
膜からなる絶縁性分子層７を形成した。
ポリイソブチルメタクリレートをクロロホルムに溶解し
て、０．２ｍｇ／ｍｌの展開溶液を調製した。ＬＢトラ
フの水面上にこの展開溶液を滴下し、単分子膜を形成し
た。この分子は、表面圧１３ｄｙｎ／ｃｍで固体凝縮膜
になった。続いて前記と同様な方法により、ドナー性分
子層６の上に、ポリイソブチルメタクリレートの３０層
膜からなる絶縁性分子層７を形成した。
【００５５】このようにして形成された多層構造からな
る有機薄膜を、窒素気流下で１晩乾燥させた後、真空蒸
着装置に設置し、３×１０-6ｔｏｒｒの真空下でＡｌ電
極８を蒸着した。
る有機薄膜を、窒素気流下で１晩乾燥させた後、真空蒸
着装置に設置し、３×１０-6ｔｏｒｒの真空下でＡｌ電
極８を蒸着した。
【００５６】
【化４】
【００５７】
【化５】 この有機光記憶素子では、光照射により感光性分子であ
る銅フタロシアニン誘導体（４）の電子が励起され、電
子はアクセプタ性分子であるＣ60のＬＵＭＯへ、また正
孔はドナー性分子であるパラフェニレンジアミン誘導体
（５）のＨＯＭＯへ遷移して電荷分離される。この電荷
分離状態が、情報の記憶に対応する。
る銅フタロシアニン誘導体（４）の電子が励起され、電
子はアクセプタ性分子であるＣ60のＬＵＭＯへ、また正
孔はドナー性分子であるパラフェニレンジアミン誘導体
（５）のＨＯＭＯへ遷移して電荷分離される。この電荷
分離状態が、情報の記憶に対応する。
【００５８】電荷分離状態は例えば光照射に伴う過渡電
流の大きさを測定することにより検出でき、これによっ
て記憶を読み出すことができる。すなわち、電荷分離が
保たれた状態と電荷分離していない状態とで低エネルギ
ーの読み出し光を照射したときの過渡電流を比較する
と、前者では内部電界が存在するために、後者よりも過
渡電流が小さい。
流の大きさを測定することにより検出でき、これによっ
て記憶を読み出すことができる。すなわち、電荷分離が
保たれた状態と電荷分離していない状態とで低エネルギ
ーの読み出し光を照射したときの過渡電流を比較する
と、前者では内部電界が存在するために、後者よりも過
渡電流が小さい。
【００５９】実際に、ＩＴＯ電極２側を正とするバイア
ス電圧を印加しながら、ガラス基板１側からＨｅ−Ｎｅ
レーザー光パルス（波長６３３ｎｍ、５ｍＷ、パルス幅
１μｓｅｃ、スポット径０．２ｍｍ）を照射し、書き込
みを行った。感光性分子である銅フタロシアニン誘導体
（４）は波長６３３ｎｍに強い吸収を持つが、アクセプ
タ性分子であるＣ60、ドナー性分子であるパラフェニレ
ンジアミン誘導体（５）、絶縁性分子であるポリイソブ
チルメタクリレートは強い吸収を持たない。これを室温
下において暗所で一定時間放置した後、弱いレーザー光
パルス（０．５ｍＷ）を照射し、過渡電流ピーク値
（Ａ）を測定した。ここで、電荷分離していない場合の
ピーク値をＡ0 とする。
ス電圧を印加しながら、ガラス基板１側からＨｅ−Ｎｅ
レーザー光パルス（波長６３３ｎｍ、５ｍＷ、パルス幅
１μｓｅｃ、スポット径０．２ｍｍ）を照射し、書き込
みを行った。感光性分子である銅フタロシアニン誘導体
（４）は波長６３３ｎｍに強い吸収を持つが、アクセプ
タ性分子であるＣ60、ドナー性分子であるパラフェニレ
ンジアミン誘導体（５）、絶縁性分子であるポリイソブ
チルメタクリレートは強い吸収を持たない。これを室温
下において暗所で一定時間放置した後、弱いレーザー光
パルス（０．５ｍＷ）を照射し、過渡電流ピーク値
（Ａ）を測定した。ここで、電荷分離していない場合の
ピーク値をＡ0 とする。
【００６０】図２にＡ＝Ａ0 、すなわち記憶が完全に失
われるまでに要する時間とバイアス電圧との関係を示
す。図３にバイアス電圧０．５ＶのときのＡ／Ａ0 の経
時変化を示す。図４にバイアス電圧０．５Ｖのときに、
記憶が完全に失われるまでに要する時間と温度との関係
を示す。
われるまでに要する時間とバイアス電圧との関係を示
す。図３にバイアス電圧０．５ＶのときのＡ／Ａ0 の経
時変化を示す。図４にバイアス電圧０．５Ｖのときに、
記憶が完全に失われるまでに要する時間と温度との関係
を示す。
【００６１】図２〜図４から明らかなように、電圧や温
度により記憶の保持時間を制御できる可塑性光記憶素子
が得られていることが確認された。この素子について、
記憶が失われた後に再度情報の書き込みを行う動作を繰
り返したところ、５千〜１万回繰り返しても上述したよ
うな特性はほとんど変化しなかった。
度により記憶の保持時間を制御できる可塑性光記憶素子
が得られていることが確認された。この素子について、
記憶が失われた後に再度情報の書き込みを行う動作を繰
り返したところ、５千〜１万回繰り返しても上述したよ
うな特性はほとんど変化しなかった。
【００６２】
【発明の効果】以上詳述したように本発明によれば、安
定で長寿命の有機薄膜素子を簡便に提供できる。
定で長寿命の有機薄膜素子を簡便に提供できる。
【図１】本発明の実施例９において作製された有機光記
憶素子の構成図。
憶素子の構成図。
【図２】本発明の実施例９の有機光記憶素子について、
記憶が完全に失われるまでに要する時間とバイアス電圧
との関係を示す特性図。
記憶が完全に失われるまでに要する時間とバイアス電圧
との関係を示す特性図。
【図３】本発明の実施例９の有機光記憶素子について、
バイアス電圧０．５ＶのときのＡ／Ａ0 の経時変化を示
す特性図。
バイアス電圧０．５ＶのときのＡ／Ａ0 の経時変化を示
す特性図。
【図４】本発明の実施例９の有機光記憶素子について、
バイアス電圧０．５Ｖのときに記憶が完全に失われるま
でに要する時間と温度との関係を示す特性図。
バイアス電圧０．５Ｖのときに記憶が完全に失われるま
でに要する時間と温度との関係を示す特性図。
【図５】フラーレン単分子膜の成膜条件を検討するため
に用いられたＬＢ成膜装置の構成図。
に用いられたＬＢ成膜装置の構成図。
１…ガラス基板、２…ＩＴＯ電極、３…ＳｉＯ2 膜、４
…アクセプタ性分子層、５…電荷発生層、６…ドナー性
分子層、７…絶縁性分子層、８…Ａｌ電極。
…アクセプタ性分子層、５…電荷発生層、６…ドナー性
分子層、７…絶縁性分子層、８…Ａｌ電極。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.5 識別記号 庁内整理番号 ＦＩ 技術表示箇所 Ｈ０１Ｌ 29/91 31/04 33/00 Ａ 7514−4Ｍ Ｈ０５Ｂ 33/14 // Ｈ０１Ｌ 39/12 ＺＡＡ Ｚ 9276−4Ｍ
Claims (1)
- 【請求項１】 フラーレン分子を含む薄膜と、フラーレ
ン分子よりも電子親和力が小さい有機分子を含む薄膜と
の積層構造を有する有機薄膜を備えたことを特徴とする
有機薄膜素子。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP27119992A JPH0693258A (ja) | 1992-09-14 | 1992-09-14 | 有機薄膜素子 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP27119992A JPH0693258A (ja) | 1992-09-14 | 1992-09-14 | 有機薄膜素子 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0693258A true JPH0693258A (ja) | 1994-04-05 |
Family
ID=17496732
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP27119992A Pending JPH0693258A (ja) | 1992-09-14 | 1992-09-14 | 有機薄膜素子 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0693258A (ja) |
Cited By (16)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0974216A (ja) * | 1995-09-07 | 1997-03-18 | Nippon Shokubai Co Ltd | 有機太陽電池 |
| JP2002313582A (ja) * | 2001-04-17 | 2002-10-25 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 発光素子及び表示装置 |
| US6815067B2 (en) * | 1999-06-25 | 2004-11-09 | Sony Corporation | Carbonaceous complex structure and manufacturing method therefor |
| WO2005006817A1 (ja) * | 2003-07-10 | 2005-01-20 | Ideal Star Inc. | 発光素子、及び発光装置 |
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