JPH069213A - 低鋳型性のクラスラシル - Google Patents
低鋳型性のクラスラシルInfo
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 クラスラシルを提供すること、および通常の
クラスラシルおよび通常の合成方法の不利な点をまった
く持たないかあるいは少量しか持たない合成方法を提供
することである。 【構成】 結晶化の種子および鋳型の一部、あるいは全
てが結晶化の種子のなかに存在し、鋳型の含有量が媒体
中のSiO2 のモル数にたいして1%より小さいような
少量の鋳型分子から成るケイ酸塩を含有するアルカリ性
の水性媒体が熱処理を受けることであり、本発明のクラ
スラシルはH2 、HeおよびNH3 の吸収剤として利用
できる。
クラスラシルおよび通常の合成方法の不利な点をまった
く持たないかあるいは少量しか持たない合成方法を提供
することである。 【構成】 結晶化の種子および鋳型の一部、あるいは全
てが結晶化の種子のなかに存在し、鋳型の含有量が媒体
中のSiO2 のモル数にたいして1%より小さいような
少量の鋳型分子から成るケイ酸塩を含有するアルカリ性
の水性媒体が熱処理を受けることであり、本発明のクラ
スラシルはH2 、HeおよびNH3 の吸収剤として利用
できる。
Description
【0001】
【産業上の利用分野】本発明は低鋳型性の包接化合物様
物質(Clathrasil、以降クラスラシルと記載
する)、その製造方法に関係し、更に吸収剤としてこの
素材を利用することに関係する。
物質(Clathrasil、以降クラスラシルと記載
する)、その製造方法に関係し、更に吸収剤としてこの
素材を利用することに関係する。
【0002】
【従来の技術】このクラスラシルは多孔質のテクトケイ
酸塩鉱物、あるいは多孔質体のクラスに属し、H.ギー
ス(Gies)およびB.マーラー(Marler)
著、ゼオライト(Zeolites)、12(199
2)によれば一般式(1)
酸塩鉱物、あるいは多孔質体のクラスに属し、H.ギー
ス(Gies)およびB.マーラー(Marler)
著、ゼオライト(Zeolites)、12(199
2)によれば一般式(1)
【0003】
【化1】 で示すことができ、このなかでAは電荷yのカチオン、
Tは4個のO原子によって正四面体的に配位されている
3価のカチオンであり、zは格子中断を補償するための
追加の酸素原子の数であり、AXはイオン対であり、M
はゲスト粒子であり、u,v,wは0,1,2である。
妥当なカチオンAの例はアルカリ金属イオンおよびアル
カリ土類金属イオンであり、Tは例えば、アルミニウム
カチオンあるいは硼素カチオンであることも出来て、X
としては、例えば、OH,ハロゲン、などのような多数
のアニオンが妥当である。
Tは4個のO原子によって正四面体的に配位されている
3価のカチオンであり、zは格子中断を補償するための
追加の酸素原子の数であり、AXはイオン対であり、M
はゲスト粒子であり、u,v,wは0,1,2である。
妥当なカチオンAの例はアルカリ金属イオンおよびアル
カリ土類金属イオンであり、Tは例えば、アルミニウム
カチオンあるいは硼素カチオンであることも出来て、X
としては、例えば、OH,ハロゲン、などのような多数
のアニオンが妥当である。
【0004】鋳型とも呼ばれているゲスト粒子は多孔質
構造の間隙に組み込まれ、かくして実質的に合成中にそ
の多孔質体の構造に影響を及ぼす。特に電荷を帯びた多
孔質体構造の場合には、帯電したゲスト粒子も時には組
み込まれることもあるが、ゲスト粒子は通常は中性分子
である。このような場合には上記の式(1)はそのよう
に変更する必要がある。
構造の間隙に組み込まれ、かくして実質的に合成中にそ
の多孔質体の構造に影響を及ぼす。特に電荷を帯びた多
孔質体構造の場合には、帯電したゲスト粒子も時には組
み込まれることもあるが、ゲスト粒子は通常は中性分子
である。このような場合には上記の式(1)はそのよう
に変更する必要がある。
【0005】間隙のサイズとその形態によっては、多孔
質体はクラスラシルとゼオシルに分類できる。ゼオシル
が籠型の孔あるいは運河型の孔を持っていて、そのサイ
ズは鋳型分子が比較的温和な条件下でも孔から追い出さ
れる程の大きさであり、希望すれば、他のゲスト分子と
交替するのに反し、クラスラシルは極めて小さい籠型間
隙を持っていて、その開口は極めて小さく、そのために
トラップされた分子がこの多孔質系を離れられない。ド
デカシル1H,ドデカシル3C,メラノフロガイト及び
ノナシルタイプのクラスラシルは0.3nmよりも小さ
い孔直径を持っている。穴直径は典型的には約0.28
nmである。このような狭い孔開口には酸素分子が孔に
入ることも、CO2 分子が孔を離れることを許さず、そ
の結果鋳型分子はか焼段階によっても孔から逃れられな
い。
質体はクラスラシルとゼオシルに分類できる。ゼオシル
が籠型の孔あるいは運河型の孔を持っていて、そのサイ
ズは鋳型分子が比較的温和な条件下でも孔から追い出さ
れる程の大きさであり、希望すれば、他のゲスト分子と
交替するのに反し、クラスラシルは極めて小さい籠型間
隙を持っていて、その開口は極めて小さく、そのために
トラップされた分子がこの多孔質系を離れられない。ド
デカシル1H,ドデカシル3C,メラノフロガイト及び
ノナシルタイプのクラスラシルは0.3nmよりも小さ
い孔直径を持っている。穴直径は典型的には約0.28
nmである。このような狭い孔開口には酸素分子が孔に
入ることも、CO2 分子が孔を離れることを許さず、そ
の結果鋳型分子はか焼段階によっても孔から逃れられな
い。
【0006】今迄はクラスラシルは例えばアダマンチル
アミンのような鋳型分子を余分に加えたケイ酸塩含有溶
液から、例えば200℃での水熱結晶化によって合成さ
れ、その結果として実質的にクラスラシル結晶中の全て
の十分に大きな間隙が鋳型分子によって占有されてい
る。そのような高濃度の鋳型の利用は今迄は一般的に良
い形態の定義通りの、しかも結晶性のクラスラシル構造
を得るためには必要であると考えられていた。
アミンのような鋳型分子を余分に加えたケイ酸塩含有溶
液から、例えば200℃での水熱結晶化によって合成さ
れ、その結果として実質的にクラスラシル結晶中の全て
の十分に大きな間隙が鋳型分子によって占有されてい
る。そのような高濃度の鋳型の利用は今迄は一般的に良
い形態の定義通りの、しかも結晶性のクラスラシル構造
を得るためには必要であると考えられていた。
【0007】以前に文献に記載された合成方法の不利な
点は長い合成時間であった。更に、通常の方法では15
0〜500μmのサイズをもつ比較的大きな結晶が製造
され、これらは多くの利用には必要でなく、あるいは好
ましくないとさえ考えられていた。しかしながら、従来
の方法で合成されたクラスラシルは有る限界までの多孔
質素材であるとのみ考えられていたことが特別の不利な
点である。その理由は実質的には全ての有用な、しかも
十分に大きな間隙は合成中に鋳型分子によって既に占有
されているからである。鋳型分子が空隙から過激な条件
下でさえも逃れ難いので、今迄に合成されたクラスラシ
ルを吸収剤として使用することは実質的に不可能であっ
た。
点は長い合成時間であった。更に、通常の方法では15
0〜500μmのサイズをもつ比較的大きな結晶が製造
され、これらは多くの利用には必要でなく、あるいは好
ましくないとさえ考えられていた。しかしながら、従来
の方法で合成されたクラスラシルは有る限界までの多孔
質素材であるとのみ考えられていたことが特別の不利な
点である。その理由は実質的には全ての有用な、しかも
十分に大きな間隙は合成中に鋳型分子によって既に占有
されているからである。鋳型分子が空隙から過激な条件
下でさえも逃れ難いので、今迄に合成されたクラスラシ
ルを吸収剤として使用することは実質的に不可能であっ
た。
【0008】本発明の目的はクラスラシルを提供するこ
と、および通常のクラスラシルおよび通常の合成方法の
不利な点を全く持たないか、あるいは少量しか持たない
合成方法を提供することである。
と、および通常のクラスラシルおよび通常の合成方法の
不利な点を全く持たないか、あるいは少量しか持たない
合成方法を提供することである。
【0009】この目的は本発明による方法によって、お
よび本発明によるクラスラシルによって達成されること
が見出された。
よび本発明によるクラスラシルによって達成されること
が見出された。
【0010】従って、本発明は低鋳型性のクラスラシル
の合成方法に関係し、その特徴とするところは結晶化の
種子および鋳型の一部、あるいは全てが結晶化の種子の
中に存在し、その鋳型の含有量が媒体中のSiO2 のモ
ル数に対して1%より小さいような少量の鋳型分子から
成るけい酸塩を含有するアルカリ性の水性媒体が熱処理
を受けるということである。
の合成方法に関係し、その特徴とするところは結晶化の
種子および鋳型の一部、あるいは全てが結晶化の種子の
中に存在し、その鋳型の含有量が媒体中のSiO2 のモ
ル数に対して1%より小さいような少量の鋳型分子から
成るけい酸塩を含有するアルカリ性の水性媒体が熱処理
を受けるということである。
【0011】更に、本発明は低鋳型性のクラスラシルに
関係し、その特徴は鋳型の含有量がクラスラシルのSi
o2 モル含有量に対して1%より少ないことである。更
に本発明はH2 、Heおよび/あるいはNH3 のための
吸収剤として本発明によるクラスラシルの使用に関係す
る。
関係し、その特徴は鋳型の含有量がクラスラシルのSi
o2 モル含有量に対して1%より少ないことである。更
に本発明はH2 、Heおよび/あるいはNH3 のための
吸収剤として本発明によるクラスラシルの使用に関係す
る。
【0012】本発明による方法は、例えばドデカシル1
H,ドデカシル3C、メラノフロガイトおよびノナシル
のような種々のクラスラシルの合成に適当である。その
方法は特にドデカシル1H、およびドデカシル3C、お
よび特にドデカシル1Hの合成には適当である。
H,ドデカシル3C、メラノフロガイトおよびノナシル
のような種々のクラスラシルの合成に適当である。その
方法は特にドデカシル1H、およびドデカシル3C、お
よび特にドデカシル1Hの合成には適当である。
【0013】クラスラシル合成中の鋳型の濃度はアルカ
リ性のケイ酸塩含有水性媒体に結晶化の種子を添加する
ことによって急激に減少させることができる。ゼオライ
トの合成のために結晶化の種子の使用が公知であること
は真実であるが(例えば、DE2,935,123参
照)、しかしながら結晶化の種子の添加によるクラスラ
シルの合成は先行技術には記載されてなく、特に結晶化
の種子の添加によって吸収剤として使用したときに妥当
な、新しい低鋳型性の、しかも極めて多孔質の素材を得
ることが可能であることは今迄には認められていなかっ
た。
リ性のケイ酸塩含有水性媒体に結晶化の種子を添加する
ことによって急激に減少させることができる。ゼオライ
トの合成のために結晶化の種子の使用が公知であること
は真実であるが(例えば、DE2,935,123参
照)、しかしながら結晶化の種子の添加によるクラスラ
シルの合成は先行技術には記載されてなく、特に結晶化
の種子の添加によって吸収剤として使用したときに妥当
な、新しい低鋳型性の、しかも極めて多孔質の素材を得
ることが可能であることは今迄には認められていなかっ
た。
【0014】結晶化の種子としては例えば、通常の合成
方法によって得られ、しかも場合によっては既に鋳型を
含有しているクラスラシル結晶の微細な粉砕結晶が使用
される。クラスラシル結晶は例えば、振動粉砕器によっ
て粉砕することも出来て、得られた結晶化の種子の平均
粒径は典型的には0.2〜1.5μm,特に約1μmで
ある。
方法によって得られ、しかも場合によっては既に鋳型を
含有しているクラスラシル結晶の微細な粉砕結晶が使用
される。クラスラシル結晶は例えば、振動粉砕器によっ
て粉砕することも出来て、得られた結晶化の種子の平均
粒径は典型的には0.2〜1.5μm,特に約1μmで
ある。
【0015】添加された結晶化の種子の量は決定的でな
く、アルカリ性水性媒体のSiO2含有量に対して0.
1〜50%であってもよく、好ましくは2〜20重量%
の重量比である。
く、アルカリ性水性媒体のSiO2含有量に対して0.
1〜50%であってもよく、好ましくは2〜20重量%
の重量比である。
【0016】添加した種子結晶の、あるいは結晶化の種
子の量が得られたクラスラシル結晶のサイズに影響を及
ぼすことができることが見出された。例えば、クラスラ
シル結晶5〜10重量%の比較的少量の種子結晶によっ
て5〜15μmの平均粒径が得られたが、10重量%よ
り多い、特に10〜20重量%の高い種子結晶濃度では
典型的には5μmより小さい平均粒径をもつ小さい結晶
を生ずる。
子の量が得られたクラスラシル結晶のサイズに影響を及
ぼすことができることが見出された。例えば、クラスラ
シル結晶5〜10重量%の比較的少量の種子結晶によっ
て5〜15μmの平均粒径が得られたが、10重量%よ
り多い、特に10〜20重量%の高い種子結晶濃度では
典型的には5μmより小さい平均粒径をもつ小さい結晶
を生ずる。
【0017】アルカリ性のケイ酸塩含有水性媒体に結晶
化の種子によって種子付けすることは核化過程が短縮さ
れる、あるいはそれを飛び越すことさえもできるという
効果を有し、その結果として、鋳型の高過剰によって核
化に好ましい媒体を作ることが不必要になった。鋳型の
含有量は、アルカリ性水性媒体のSiO2 含有量に対し
2モル%より小さく、特に1モル%より小さい。対照的
に通常のクラスラシルの鋳型の含有量は一般に2.5モ
ル%より大きく、最大籠占有の場合には2.9モル%で
ある。特に、好ましいのは選択された鋳型含有量は0.
5モル%より小さく,特に0.1モル%より多くなく、
しかも特別に好ましいのは0.05モル%小さい。この
鋳型含有量は種子結晶中に存在するいかなる鋳型および
アルカリ性水性媒体に添加された鋳型の合計であり、鋳
型が当初にどこに存在していたかと言うことには無関係
である。得られたクラスラシル結晶の形態は良好、ない
しは極めて良好と考えられており、鋳型の極めて低い濃
度の場合にのみ、時折結晶の連晶が認められるが、しか
しながら、このことはこの素材の吸収剤としての使用に
関しては大した問題ではない。
化の種子によって種子付けすることは核化過程が短縮さ
れる、あるいはそれを飛び越すことさえもできるという
効果を有し、その結果として、鋳型の高過剰によって核
化に好ましい媒体を作ることが不必要になった。鋳型の
含有量は、アルカリ性水性媒体のSiO2 含有量に対し
2モル%より小さく、特に1モル%より小さい。対照的
に通常のクラスラシルの鋳型の含有量は一般に2.5モ
ル%より大きく、最大籠占有の場合には2.9モル%で
ある。特に、好ましいのは選択された鋳型含有量は0.
5モル%より小さく,特に0.1モル%より多くなく、
しかも特別に好ましいのは0.05モル%小さい。この
鋳型含有量は種子結晶中に存在するいかなる鋳型および
アルカリ性水性媒体に添加された鋳型の合計であり、鋳
型が当初にどこに存在していたかと言うことには無関係
である。得られたクラスラシル結晶の形態は良好、ない
しは極めて良好と考えられており、鋳型の極めて低い濃
度の場合にのみ、時折結晶の連晶が認められるが、しか
しながら、このことはこの素材の吸収剤としての使用に
関しては大した問題ではない。
【0018】使用した鋳型は、例えば4級アンモニウム
化合物、アミン、例えば、ラウリル硫酸エステルのよう
な界面活性剤、アルコール類のような種々の中性分子で
あることができる。種子結晶の選択および/または鋳型
の選択が熱処理後に得られるクラスラシルの結晶構造を
決定する。特に好ましいドデカシル1H構造のクラスラ
シルは特に1−アダマンチルアミン、沃化アザビシクロ
ノナニウム、および/またはピペリジンが鋳型として使
用されたならば、特別に得られる。
化合物、アミン、例えば、ラウリル硫酸エステルのよう
な界面活性剤、アルコール類のような種々の中性分子で
あることができる。種子結晶の選択および/または鋳型
の選択が熱処理後に得られるクラスラシルの結晶構造を
決定する。特に好ましいドデカシル1H構造のクラスラ
シルは特に1−アダマンチルアミン、沃化アザビシクロ
ノナニウム、および/またはピペリジンが鋳型として使
用されたならば、特別に得られる。
【0019】アルカリ性の水性媒体は典型的には媒体中
のSiO2 のモル数に対して完全解離を仮定したOH量
と等しい15モルから45モルのNH3 含有量を有し、
さらに40モルから70モルのH2 Oを含有量を有して
いる。必要とするOH含有量あるいは対応するpHは塩
基を添加することによって、通常はNH3 を添加するこ
とによって調節する。アルカリ性の水性媒体のpHは好
ましくは12〜13である。OH含有量、H2 O含有量
およびpHのための上記の範囲が一般的には好ましく、
しかしこの範囲以上および以下の値も可能である。
のSiO2 のモル数に対して完全解離を仮定したOH量
と等しい15モルから45モルのNH3 含有量を有し、
さらに40モルから70モルのH2 Oを含有量を有して
いる。必要とするOH含有量あるいは対応するpHは塩
基を添加することによって、通常はNH3 を添加するこ
とによって調節する。アルカリ性の水性媒体のpHは好
ましくは12〜13である。OH含有量、H2 O含有量
およびpHのための上記の範囲が一般的には好ましく、
しかしこの範囲以上および以下の値も可能である。
【0020】使用するケイ酸塩の源は特にケイ酸であ
り、アルカリ金属のケイ酸塩、アルミノケイ酸塩、その
他のケイ酸塩源の水溶液も可能である。
り、アルカリ金属のケイ酸塩、アルミノケイ酸塩、その
他のケイ酸塩源の水溶液も可能である。
【0021】以上に詳しく特徴を記載したアルカリ性の
ケイ酸塩含有水性媒体はその後に熱処理を受け、これに
よってクラスラシルが得られる。その加熱速度は好まし
くは0.05〜50K/分であり、特に0.1〜20K
/分であり、選択した最終温度は好ましくは400〜4
70Kであり、特に423〜453である。温度は多か
れ少なかれ一様に上昇するか、あるいは加熱中に温度を
例えば1回あるいは数回中間の温度に一定に維持し、そ
の後に加熱するような複雑な温度プログラム、あるいは
その他の温度プログラムを利用しても良い。
ケイ酸塩含有水性媒体はその後に熱処理を受け、これに
よってクラスラシルが得られる。その加熱速度は好まし
くは0.05〜50K/分であり、特に0.1〜20K
/分であり、選択した最終温度は好ましくは400〜4
70Kであり、特に423〜453である。温度は多か
れ少なかれ一様に上昇するか、あるいは加熱中に温度を
例えば1回あるいは数回中間の温度に一定に維持し、そ
の後に加熱するような複雑な温度プログラム、あるいは
その他の温度プログラムを利用しても良い。
【0022】妥当な温度プログラムの選択はクラスラシ
ルの合成が大まかに言って2相に分割されるという考え
によって導かれる、すなはちその第一は核化、その第二
は成長可能な種にモノマーが接触することである。従っ
て、小さい、あるいは比較的小さい種子結晶濃度が使用
されたならば、比較的緩やかな加熱速度と温度勾配の使
用が好ましく、高い種子結晶濃度の場合には、高い加熱
速度の使用も可能である。更に、低い加熱速度では得ら
れたクラスラシルは完璧な形態を有している。全ての場
合に使用するアルカリ性のケイ酸塩含有水性媒体の組成
に加熱速度と加熱プログラムを調節すること、さらに好
ましい結晶形態と収量の最適化することは当業者には特
に何等のインヴェンテイヴステップ無しに容易に行われ
る。熱処理の全継続時間は好ましくは3〜10日であ
り、媒体は好ましくは最終温度に3〜10日間維持され
ている。
ルの合成が大まかに言って2相に分割されるという考え
によって導かれる、すなはちその第一は核化、その第二
は成長可能な種にモノマーが接触することである。従っ
て、小さい、あるいは比較的小さい種子結晶濃度が使用
されたならば、比較的緩やかな加熱速度と温度勾配の使
用が好ましく、高い種子結晶濃度の場合には、高い加熱
速度の使用も可能である。更に、低い加熱速度では得ら
れたクラスラシルは完璧な形態を有している。全ての場
合に使用するアルカリ性のケイ酸塩含有水性媒体の組成
に加熱速度と加熱プログラムを調節すること、さらに好
ましい結晶形態と収量の最適化することは当業者には特
に何等のインヴェンテイヴステップ無しに容易に行われ
る。熱処理の全継続時間は好ましくは3〜10日であ
り、媒体は好ましくは最終温度に3〜10日間維持され
ている。
【0023】本発明はさらに詳しくドデカシル1H結晶
の例によって記述される。ドデカシル1Hでは、H2 ,
Heおよび/またはNH3 のような小さい分子を受容可
能な0.28nmの間隙開口を有する2種類の間隙、2
0面体籠および12面体籠が存在する。加えて、実質的
にはすべの分子を受容できないようなSiOの5員環か
ら成るそのような小さい間隙開口を有する異なった12
面体が存在している。これらの受容できない12面体籠
は以下の議論には含めないことにする。
の例によって記述される。ドデカシル1Hでは、H2 ,
Heおよび/またはNH3 のような小さい分子を受容可
能な0.28nmの間隙開口を有する2種類の間隙、2
0面体籠および12面体籠が存在する。加えて、実質的
にはすべの分子を受容できないようなSiOの5員環か
ら成るそのような小さい間隙開口を有する異なった12
面体が存在している。これらの受容できない12面体籠
は以下の議論には含めないことにする。
【0024】高鋳型性のおよび体鋳型性のドデカシル1
H結晶、すなはち本発明によるドデカシル1H結晶は相
互に比較され、両者で使用した鋳型は1−アダマンチル
アミンである。高鋳型性のドデカシル結晶では、20面
体籠が多かれ少なかれ完璧に1−アダマンチルアミンに
占有されており、受容可能な12面体籠は空であり、1
−アダマンチルアミンに占有されてなく、この分子はこ
の空隙には大きすぎるのである。しかしながら、12面
体籠は占有されている20面体を通じてのみ受容可能な
ので、空であっても、受容可能な12面体籠は吸収には
役に立たない。これと対照的に、低鋳型性のドデカシル
1H結晶の場合には、多くの20面体籠は占有されてい
ない。しかしながら、この事実によって、空の20面体
籠のみならず、更に受容可能な12面体籠システムも吸
収に役立っている。この効果が例えば実施例1に示すよ
うに、高鋳型性のドデカシル1H結晶に比較して低鋳型
性のドデカシル1H結晶の場合に急激な吸収容量の増大
を説明している。
H結晶、すなはち本発明によるドデカシル1H結晶は相
互に比較され、両者で使用した鋳型は1−アダマンチル
アミンである。高鋳型性のドデカシル結晶では、20面
体籠が多かれ少なかれ完璧に1−アダマンチルアミンに
占有されており、受容可能な12面体籠は空であり、1
−アダマンチルアミンに占有されてなく、この分子はこ
の空隙には大きすぎるのである。しかしながら、12面
体籠は占有されている20面体を通じてのみ受容可能な
ので、空であっても、受容可能な12面体籠は吸収には
役に立たない。これと対照的に、低鋳型性のドデカシル
1H結晶の場合には、多くの20面体籠は占有されてい
ない。しかしながら、この事実によって、空の20面体
籠のみならず、更に受容可能な12面体籠システムも吸
収に役立っている。この効果が例えば実施例1に示すよ
うに、高鋳型性のドデカシル1H結晶に比較して低鋳型
性のドデカシル1H結晶の場合に急激な吸収容量の増大
を説明している。
【0025】本発明による方法によって製造されたクラ
スラシル結晶は良好な形態および低い鋳型含有量に特に
優れており、低い鋳型含有量は小さい原子あるいは分
子、特にH2 、NH3 および/またはHe用の高い吸収
容量に結果として現われる。本発明によるクラスラシル
のうちで、12Kの温度およびヘリウム圧力0.5バー
ルでクラスラシル1gあたりHe20ml(標準温度圧
力)より多い吸収容量を有するクラスラシルはは特に好
ましい。
スラシル結晶は良好な形態および低い鋳型含有量に特に
優れており、低い鋳型含有量は小さい原子あるいは分
子、特にH2 、NH3 および/またはHe用の高い吸収
容量に結果として現われる。本発明によるクラスラシル
のうちで、12Kの温度およびヘリウム圧力0.5バー
ルでクラスラシル1gあたりHe20ml(標準温度圧
力)より多い吸収容量を有するクラスラシルはは特に好
ましい。
【0026】小さい分子および原子用の高い吸収容量に
よって、本発明によるクラスラシルは天然ガスからHe
の除去、廃ガスからNH3 の除去のような応用には特に
妥当である。本発明によるクラスラシルはH2 用貯蔵媒
体として、例えば吸引利用には特に好ましい。
よって、本発明によるクラスラシルは天然ガスからHe
の除去、廃ガスからNH3 の除去のような応用には特に
妥当である。本発明によるクラスラシルはH2 用貯蔵媒
体として、例えば吸引利用には特に好ましい。
【0027】以下の実施例は発明を説明するものであ
り、それを限定するものではない。
り、それを限定するものではない。
【0028】
【実施例】実施例1 組成SiO2 を有する焼成したシリカ0.8gと微粉砕
したドデカシル1H結晶0.08g、−この物は種子結
晶として作用し、以降SiO2 (種子結晶)と呼ぶこと
にする−と23.4mlの32重量%のアンモニアとを
室温で0.5分間攪拌する。
したドデカシル1H結晶0.08g、−この物は種子結
晶として作用し、以降SiO2 (種子結晶)と呼ぶこと
にする−と23.4mlの32重量%のアンモニアとを
室温で0.5分間攪拌する。
【0029】反応釜は以下のモル組成を有している。 1 SiO2 :0.1 SiO2 (種子結晶):0.0
029 1−アダマンチルアミン(種子結晶から):6
0 水:29 NH3 0.5K/分の加熱速度および453Kの最終温度でド
デカシル1Hが144時間後に100%の収率で得られ
た。得られたドデカシル1Hは12Kで1g当りHe3
0ml(標準温度圧力)の収着容量を示した。図1は1
2Kでのこの素材の収着等温線を示している。
029 1−アダマンチルアミン(種子結晶から):6
0 水:29 NH3 0.5K/分の加熱速度および453Kの最終温度でド
デカシル1Hが144時間後に100%の収率で得られ
た。得られたドデカシル1Hは12Kで1g当りHe3
0ml(標準温度圧力)の収着容量を示した。図1は1
2Kでのこの素材の収着等温線を示している。
【0030】比較のために、高鋳型性のドデカシル1H
が合成された。この目的のために、組成SiO2 を有す
る焼成したシリカ0.8gと微粉砕したドデカシル1H
結晶0.08g、−この物は種子結晶として作用し、以
降SiO2 (種子結晶)と呼ぶことにする−と23.4
mlの32重量%のアンモニアとを室温で0.5分間攪
拌する。
が合成された。この目的のために、組成SiO2 を有す
る焼成したシリカ0.8gと微粉砕したドデカシル1H
結晶0.08g、−この物は種子結晶として作用し、以
降SiO2 (種子結晶)と呼ぶことにする−と23.4
mlの32重量%のアンモニアとを室温で0.5分間攪
拌する。
【0031】反応釜は以下のモル組成を有している。 1 SiO2 :0.1 SiO2 (種子結晶):0.7
3 1−アダマンチルアミン(種子結晶から):60
水:29 NH3 0.5K/分の加熱速度および453Kの最終温度でド
デカシル1Hが144時間後に100%の収率で得られ
た。得られたドデカシル1Hは12Kで1g当りHe3
0ml(標準温度圧力)の収着容量を示した。図2は1
2Kでのこの素材の収着等温線を示している。
3 1−アダマンチルアミン(種子結晶から):60
水:29 NH3 0.5K/分の加熱速度および453Kの最終温度でド
デカシル1Hが144時間後に100%の収率で得られ
た。得られたドデカシル1Hは12Kで1g当りHe3
0ml(標準温度圧力)の収着容量を示した。図2は1
2Kでのこの素材の収着等温線を示している。
【0032】実施例2 組成SiO2 を有する焼成した高温のシリカ0.8gと
微粉砕したドデカシル1H結晶0.08g、−この物は
種子結晶として作用し、以降SiO2 (種子結晶)と呼
ぶことにする−1−ダマンチルアミン0.01gと2
3.4mlの25重量%のアンモニアとを室温で0.5
分間攪拌する。
微粉砕したドデカシル1H結晶0.08g、−この物は
種子結晶として作用し、以降SiO2 (種子結晶)と呼
ぶことにする−1−ダマンチルアミン0.01gと2
3.4mlの25重量%のアンモニアとを室温で0.5
分間攪拌する。
【0033】反応釜は以下のモル組成を有している。 1 SiO2 :0.1 SiO2 (種子結晶):0.0
079 1−アダマンチルアミン(追加及び種子結晶か
ら):60 水:22 NH3 0.5K/分の加熱速度および453Kの最終温度でド
デカシル1Hが144時間後に100%の収率で得られ
た。得られたドデカシル1は12Kで1g当りHe30
ml(標準温度圧力)の吸収容量を示した。実施例3 組成SiO2 を有する焼成したシリカ0.8gと微粉砕
したドデカシル1H結晶0.08g(この物は種子結晶
として作用し、以降SiO2 (種子結晶)と呼ぶことに
する)1−ダマンチルアミン0.01gと23.4ml
の47重量%のアンモニアとを室温で0.5分間攪拌す
る。
079 1−アダマンチルアミン(追加及び種子結晶か
ら):60 水:22 NH3 0.5K/分の加熱速度および453Kの最終温度でド
デカシル1Hが144時間後に100%の収率で得られ
た。得られたドデカシル1は12Kで1g当りHe30
ml(標準温度圧力)の吸収容量を示した。実施例3 組成SiO2 を有する焼成したシリカ0.8gと微粉砕
したドデカシル1H結晶0.08g(この物は種子結晶
として作用し、以降SiO2 (種子結晶)と呼ぶことに
する)1−ダマンチルアミン0.01gと23.4ml
の47重量%のアンモニアとを室温で0.5分間攪拌す
る。
【0034】反応釜は以下のモル組成を有している。 1 SiO2 :0.1 SiO2 (種子結晶):0.0
079 1−アダマンチルアミン(追加及び種子結晶か
ら):48 水:37 NH3 0.5K/分の加熱速度および453Kの最終温度でド
デカシル1Hが240時間後に100%の収率で得られ
た。
079 1−アダマンチルアミン(追加及び種子結晶か
ら):48 水:37 NH3 0.5K/分の加熱速度および453Kの最終温度でド
デカシル1Hが240時間後に100%の収率で得られ
た。
【図1】12Kでのこの素材の収着等温線を示す図。
【図2】12Kでのこの素材の収着等温線を示す図。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 アクセル ライヒ ドイツ連邦共和国 デー−6509 シヨルン スハイムヘレンヴェークシュトラーセ 6 (72)発明者 ホルスト ライヒァルト ドイツ連邦共和国 デー−6500 マインツ トーマス−マン−シュトラーセ 14 (72)発明者 フェルディ シュト ドイツ連邦共和国 デー−6500 マインツ コルマーシュトラーセ 14 (72)発明者 クラウス ウンガー ドイツ連邦共和国 デー−6104 ゼーハイ ム−ユーゲンハイム アム アルテンベル ク 40
Claims (10)
- 【請求項1】 結晶化の種子および鋳型の一部、あるい
は全てが結晶化の種子の中に存在していて、クラスラシ
ルの鋳型の含有量が媒体のSiO2 のモル数に対して2
モル%より小さいような少量の鋳型から成るケイ酸塩を
含有するアルカリ性の水性媒体がが熱処理を受けること
を特徴とする低鋳型性のクラスラシルの製造方法。 - 【請求項2】 使用された結晶化の種子が微細に粉砕さ
れたクラスラシルであることを特徴とする請求項1によ
る製造方法。 - 【請求項3】 結晶化の種子の重量%がシリカの重量に
たいして0.05〜0.2であることを特徴とする請求
項1あるいは2項による製造方法。 - 【請求項4】 使用された鋳型が1−アダマンチルアミ
ン、ヨウ化アザビシクロノナニウムおよび/またはピペ
ラジンであることを特徴とする請求項1ないし3の1項
による製造方法。 - 【請求項5】 媒体がSiO2 のモル数にたいして各々
15モルから45モルのNH3 含有量、40モルから7
0モルのH2 O含有量を有することを特徴とする請求項
1から4の請求項の1項による製造方法。 - 【請求項6】 媒体は実質的には一様に最終温度まで加
熱され、その加熱速度が0.1〜20K/分であり、最
終温度は400〜480Kであることを特徴とする請求
項1ないし5項の1項による製造方法。 - 【請求項7】 請求項1ないし6の1項による製造方法
によって得られる低鋳型性のクラスラシル。 - 【請求項8】 請求項1ないし6の1項による製造方法
によって得られるドデカシル1H構造タイプの低鋳型性
のクラスラシル。 - 【請求項9】 12Kの温度およびヘリウム圧力0.5
バールでクラスラシル1gあたり少なくともHe20m
lの吸収容量によって特徴付けられる請求項7あるいは
8による低鋳型性のクラスラシル。 - 【請求項10】 水素、Heおよび/またはNH3 用の
吸収剤として請求項7項ないし9項の1項によるクラス
ラシルの利用。
Applications Claiming Priority (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
DE4206579/8 | 1992-03-02 | ||
DE4206579A DE4206579A1 (de) | 1992-03-02 | 1992-03-02 | Templatarmes clathrasil |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH069213A true JPH069213A (ja) | 1994-01-18 |
Family
ID=6453066
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP5041235A Pending JPH069213A (ja) | 1992-03-02 | 1993-03-02 | 低鋳型性のクラスラシル |
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Country | Link |
---|---|
US (1) | US5368836A (ja) |
EP (1) | EP0559059B1 (ja) |
JP (1) | JPH069213A (ja) |
KR (1) | KR930019552A (ja) |
CN (1) | CN1075934A (ja) |
CA (1) | CA2090538A1 (ja) |
CZ (1) | CZ394892A3 (ja) |
DE (2) | DE4206579A1 (ja) |
FI (1) | FI930909A (ja) |
MX (1) | MX9301131A (ja) |
TW (1) | TW239110B (ja) |
Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2007516152A (ja) * | 2003-12-23 | 2007-06-21 | エクソンモービル・ケミカル・パテンツ・インク | カバサイト含有モレキュラーシーブ、その合成及びオイシジェネートからオレフィンへの変換におけるその使用 |
JP2007534582A (ja) * | 2003-12-23 | 2007-11-29 | エクソンモービル・ケミカル・パテンツ・インク | カバサイトタイプ分子篩、その合成、及びオキシジネートをオレフィンへ変換することにおけるそれらの使用 |
JP2012504541A (ja) * | 2008-10-02 | 2012-02-23 | ビーエーエスエフ ソシエタス・ヨーロピア | 鋳型の無いクラスラシル及びクラスラシル膜 |
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Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN1081478C (zh) * | 1997-07-21 | 2002-03-27 | 青岛海洋化工集团公司 | 硅铝胶凝胶粒产品 |
US7622417B2 (en) * | 2008-03-21 | 2009-11-24 | Exxonmobil Chemical Patents Inc. | Synthesis and use of AEI structure-type molecular sieves |
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Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US4199556A (en) * | 1973-12-13 | 1980-04-22 | Mobil Oil Corporation | Method for producing zeolites |
US4175114A (en) * | 1973-12-13 | 1979-11-20 | Mobil Oil Corporation | Method for producing zeolites |
US4173622A (en) * | 1978-01-03 | 1979-11-06 | Fmc Corporation | Zeolite A crystals of uniformly small particle size and the manufacture thereof |
DE2935123A1 (de) * | 1979-08-30 | 1981-04-09 | Mobil Oil Corp., 10017 New York, N.Y. | Verfahren zur herstellung von zeolithen |
JPS6018451B2 (ja) * | 1981-02-27 | 1985-05-10 | 喜信 武上 | 結晶性アルミノシリケ−トゼオライト触媒への金属および金属酸化物の担持方法 |
DE3201752A1 (de) * | 1981-07-22 | 1983-09-08 | Friedrich Prof. Dr. 2301 Achterwehr Liebau | Kristalline einschlussverbindungen von siliziumdioxid verfahren zur herstellung und verwendung |
DE3128988A1 (de) * | 1981-07-22 | 1983-02-24 | Liebau, Friedrich, Prof. Dr., 2301 Achterwehr | Kristalline einschlussverbindungen von siliziumdioxid, verfahren zur herstellung und verwendung |
US4714601A (en) * | 1984-05-04 | 1987-12-22 | Exxon Research And Engineering Co. | Process for preparing a high silica faujasite aluminosilicate, ECR-4 |
US4562166A (en) * | 1984-11-19 | 1985-12-31 | Mobil Oil Corporation | Synthesis of Dodecasil-1H with a methylazabicyclononanium directing agent |
US4665110A (en) * | 1986-01-29 | 1987-05-12 | Chevron Research Company | Process for preparing molecular sieves using adamantane template |
US5157185A (en) * | 1989-09-01 | 1992-10-20 | Mobil Oil Corporation | Alkylation of aromatics |
-
1992
- 1992-03-02 DE DE4206579A patent/DE4206579A1/de not_active Withdrawn
- 1992-12-24 TW TW081110414A patent/TW239110B/zh active
- 1992-12-29 CZ CS923948A patent/CZ394892A3/cs unknown
-
1993
- 1993-02-24 EP EP93102827A patent/EP0559059B1/de not_active Expired - Lifetime
- 1993-02-24 DE DE59303391T patent/DE59303391D1/de not_active Expired - Fee Related
- 1993-02-26 KR KR1019930002831A patent/KR930019552A/ko not_active Application Discontinuation
- 1993-02-26 CA CA002090538A patent/CA2090538A1/en not_active Abandoned
- 1993-03-01 FI FI930909A patent/FI930909A/fi not_active Application Discontinuation
- 1993-03-01 CN CN93102017A patent/CN1075934A/zh active Pending
- 1993-03-01 MX MX9301131A patent/MX9301131A/es unknown
- 1993-03-02 US US08/024,967 patent/US5368836A/en not_active Expired - Fee Related
- 1993-03-02 JP JP5041235A patent/JPH069213A/ja active Pending
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Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2007516152A (ja) * | 2003-12-23 | 2007-06-21 | エクソンモービル・ケミカル・パテンツ・インク | カバサイト含有モレキュラーシーブ、その合成及びオイシジェネートからオレフィンへの変換におけるその使用 |
JP2007534582A (ja) * | 2003-12-23 | 2007-11-29 | エクソンモービル・ケミカル・パテンツ・インク | カバサイトタイプ分子篩、その合成、及びオキシジネートをオレフィンへ変換することにおけるそれらの使用 |
JP4842143B2 (ja) * | 2003-12-23 | 2011-12-21 | エクソンモービル・ケミカル・パテンツ・インク | カバサイト含有モレキュラーシーブ、その合成及びオイシジェネートからオレフィンへの変換におけるその使用 |
JP2012504541A (ja) * | 2008-10-02 | 2012-02-23 | ビーエーエスエフ ソシエタス・ヨーロピア | 鋳型の無いクラスラシル及びクラスラシル膜 |
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MX9301131A (es) | 1993-12-01 |
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DE4206579A1 (de) | 1993-09-09 |
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