JPH0689955A - 熱電冷却器 - Google Patents
熱電冷却器Info
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- JPH0689955A JPH0689955A JP23944492A JP23944492A JPH0689955A JP H0689955 A JPH0689955 A JP H0689955A JP 23944492 A JP23944492 A JP 23944492A JP 23944492 A JP23944492 A JP 23944492A JP H0689955 A JPH0689955 A JP H0689955A
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- Japan
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- thermoelectric cooler
- peltier element
- optical semiconductor
- electrode plate
- peltier
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 光通信用の光源として用いられる光半導体モ
ジュール用熱電冷却器に関し、その熱電冷却器の信頼性
を向上させ、交換頻度を少なくしてコストダウンを図
る。 【構成】 ペルチェ素子エレメント１０は、電気的に直
列に配置され、そのペルチェ素子エレメント１０の２個
に対して、バイパス回路２１及び２２が並列に配列され
る。このため、ペルチェ素子エレメント１０の１個がそ
の半田付け部分等で断線したりしたとしても、電流は、
その部分で断線することなく、バイパス回路２１または
２２を通って流れる。したがって、他のペルチェ素子エ
レメント１０は正常に作動する。その結果、熱電冷却器
１は、温度コントローラとしての機能を保持することが
でき、信頼性が向上し、光半導体モジュールの特性劣化
が起こる率も低減する。また、熱電冷却器１の交換頻度
も少なくなり、その分コストダウンになる。
ジュール用熱電冷却器に関し、その熱電冷却器の信頼性
を向上させ、交換頻度を少なくしてコストダウンを図
る。 【構成】 ペルチェ素子エレメント１０は、電気的に直
列に配置され、そのペルチェ素子エレメント１０の２個
に対して、バイパス回路２１及び２２が並列に配列され
る。このため、ペルチェ素子エレメント１０の１個がそ
の半田付け部分等で断線したりしたとしても、電流は、
その部分で断線することなく、バイパス回路２１または
２２を通って流れる。したがって、他のペルチェ素子エ
レメント１０は正常に作動する。その結果、熱電冷却器
１は、温度コントローラとしての機能を保持することが
でき、信頼性が向上し、光半導体モジュールの特性劣化
が起こる率も低減する。また、熱電冷却器１の交換頻度
も少なくなり、その分コストダウンになる。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は光半導体モジュール内で
冷却用として用いられる熱電冷却器に関し、特に光通信
用の光源として用いられる光半導体素子を冷却する熱電
冷却器に関する。
冷却用として用いられる熱電冷却器に関し、特に光通信
用の光源として用いられる光半導体素子を冷却する熱電
冷却器に関する。
【０００２】光半導体素子は、熱による影響を受けやす
いので、温度コントロールが重要な要素となる。そのた
めに光半導体モジュール内に熱電冷却器を設け、その熱
電冷却器で光半導体素子の温度をコントロールするよう
にしている。
いので、温度コントロールが重要な要素となる。そのた
めに光半導体モジュール内に熱電冷却器を設け、その熱
電冷却器で光半導体素子の温度をコントロールするよう
にしている。
【０００３】
【従来の技術】図５は従来の光半導体モジュール用熱電
冷却器の斜視図である。図に示すように、熱電冷却器
（Thermo Electric Cooler，TEC ）１Ｃは、複数（例え
ば４０個）のペルチェ素子エレメント１０ａ、１０ｂ・
・をユニット化して構成される。すなわち、ｐ形、ｎ形
のペルチェ素子エレメント１０ａ、１０ｂ・・が交互に
配列され、そのペルチェ素子エレメント１０ａ、１０ｂ
・・は、電極プレート２Ｃ及び３Ｃを介して互いに接合
される。
冷却器の斜視図である。図に示すように、熱電冷却器
（Thermo Electric Cooler，TEC ）１Ｃは、複数（例え
ば４０個）のペルチェ素子エレメント１０ａ、１０ｂ・
・をユニット化して構成される。すなわち、ｐ形、ｎ形
のペルチェ素子エレメント１０ａ、１０ｂ・・が交互に
配列され、そのペルチェ素子エレメント１０ａ、１０ｂ
・・は、電極プレート２Ｃ及び３Ｃを介して互いに接合
される。
【０００４】図６は図５の簡易回路図である。図に示す
ように、ペルチェ素子エレメント１０ａ、１０ｂ・・
は、電気的に直列に配置されている。このような熱電冷
却器１Ｃにおいて、電極プレート３Ｃに設けられたリー
ド線４及び５に通電すると、ペルチェ素子エレメント１
０ａ等の各接合部分でペルチェ効果による吸熱及び発熱
作用が発生する。リード線４側をプラス、リード線５側
をマイナスとして通電すると、電極プレート２Ｃ側では
吸熱が、電極プレート３Ｃ側では発熱が生じ、全体とし
て光半導体素子６が冷却される。逆に、リード線５側を
プラス、リード線４側をマイナスとして通電すると、電
極プレート２Ｃ側では発熱が、電極プレート３Ｃ側では
吸熱が生じ、全体として光半導体素子６が加熱される。
その結果、光半導体素子６は常時適度な温度範囲に保持
されて、安定した発光を行うことができる。
ように、ペルチェ素子エレメント１０ａ、１０ｂ・・
は、電気的に直列に配置されている。このような熱電冷
却器１Ｃにおいて、電極プレート３Ｃに設けられたリー
ド線４及び５に通電すると、ペルチェ素子エレメント１
０ａ等の各接合部分でペルチェ効果による吸熱及び発熱
作用が発生する。リード線４側をプラス、リード線５側
をマイナスとして通電すると、電極プレート２Ｃ側では
吸熱が、電極プレート３Ｃ側では発熱が生じ、全体とし
て光半導体素子６が冷却される。逆に、リード線５側を
プラス、リード線４側をマイナスとして通電すると、電
極プレート２Ｃ側では発熱が、電極プレート３Ｃ側では
吸熱が生じ、全体として光半導体素子６が加熱される。
その結果、光半導体素子６は常時適度な温度範囲に保持
されて、安定した発光を行うことができる。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】しかし、ペルチェ素子
エレメント１０ａ等は、熱や外からの衝撃に弱く、熱変
形等により電極プレート２Ｃ、３Ｃとの間の半田付け部
分などで断線等が生じやすい。しかも、各ペルチェ素子
エレメント１０ａ等は、上述したように、直列に配置さ
れている。このため、ペルチェ素子エレメント１０ａ等
の１個でもその半田付け部分等が断線したりすると、他
のペルチェ素子エレメント１０ａ等が正常であっても、
熱電冷却器１Ｃは、温度コントローラとしての機能を果
たすことができない。
エレメント１０ａ等は、熱や外からの衝撃に弱く、熱変
形等により電極プレート２Ｃ、３Ｃとの間の半田付け部
分などで断線等が生じやすい。しかも、各ペルチェ素子
エレメント１０ａ等は、上述したように、直列に配置さ
れている。このため、ペルチェ素子エレメント１０ａ等
の１個でもその半田付け部分等が断線したりすると、他
のペルチェ素子エレメント１０ａ等が正常であっても、
熱電冷却器１Ｃは、温度コントローラとしての機能を果
たすことができない。
【０００６】したがって、熱電冷却器１Ｃの信頼性は非
常に悪く、光半導体モジュールの特性劣化も起こりやす
かった。また、熱電冷却器１Ｃの交換頻度も多くなるた
め、その分、コストが高く付いていた。さらに、熱電冷
却器１Ｃは、光半導体モジュールの中に封止されている
ためにその交換も容易に行うことができなかった。
常に悪く、光半導体モジュールの特性劣化も起こりやす
かった。また、熱電冷却器１Ｃの交換頻度も多くなるた
め、その分、コストが高く付いていた。さらに、熱電冷
却器１Ｃは、光半導体モジュールの中に封止されている
ためにその交換も容易に行うことができなかった。
【０００７】本発明はこのような点に鑑みてなされたも
のであり、信頼性を向上させると共に、交換頻度を少な
くしてコストダウンを図ることができる熱電冷却器を提
供することを目的とする。
のであり、信頼性を向上させると共に、交換頻度を少な
くしてコストダウンを図ることができる熱電冷却器を提
供することを目的とする。
【０００８】
【課題を解決するための手段】図１に示すように、本発
明の熱電冷却器１は、直列に配列されたペルチェ素子エ
レメント１０ａ，１０ｂ・・と、そのペルチェ素子エレ
メント１０ａ，１０ｂ・・に対して設けられた抵抗を含
むバイパス回路２１ａ，２１ｂ・・及び２２ａ，２２ｂ
・・とから構成される。
明の熱電冷却器１は、直列に配列されたペルチェ素子エ
レメント１０ａ，１０ｂ・・と、そのペルチェ素子エレ
メント１０ａ，１０ｂ・・に対して設けられた抵抗を含
むバイパス回路２１ａ，２１ｂ・・及び２２ａ，２２ｂ
・・とから構成される。
【０００９】
【作用】バイパス回路２１ａ，２１ｂ・・及び２２ａ，
２２ｂ・・をペルチェ素子エレメント１０ａ等に対して
並列に設けた。このため、ペルチェ素子エレメント１０
の１個がその半田付け部分等で断線したりしたとして
も、電流は、その部分で断線することなく、バイパス回
路２１ａ等または２２ａ等を通って流れる。したがっ
て、他のペルチェ素子エレメント１０ａ等は正常に作動
する。その結果、熱電冷却器１は、温度コントローラと
しての機能を保持することができ、信頼性が向上し、光
半導体モジュールの特性劣化が起こる率も低減する。ま
た、従来ペルチェ素子エレメント１０ａ等の１個でも断
線すると、熱電冷却器１全体を交換していたのに対し、
そのような場合でも熱電冷却器１をそのまま使用するこ
とができるので、熱電冷却器１の交換頻度も少なくな
り、その分コストダウンになる。
２２ｂ・・をペルチェ素子エレメント１０ａ等に対して
並列に設けた。このため、ペルチェ素子エレメント１０
の１個がその半田付け部分等で断線したりしたとして
も、電流は、その部分で断線することなく、バイパス回
路２１ａ等または２２ａ等を通って流れる。したがっ
て、他のペルチェ素子エレメント１０ａ等は正常に作動
する。その結果、熱電冷却器１は、温度コントローラと
しての機能を保持することができ、信頼性が向上し、光
半導体モジュールの特性劣化が起こる率も低減する。ま
た、従来ペルチェ素子エレメント１０ａ等の１個でも断
線すると、熱電冷却器１全体を交換していたのに対し、
そのような場合でも熱電冷却器１をそのまま使用するこ
とができるので、熱電冷却器１の交換頻度も少なくな
り、その分コストダウンになる。
【００１０】
【実施例】以下、本発明の一実施例を図面に基づいて説
明する。図２は本発明の光半導体モジュール用熱電冷却
器の斜視図である。図に示すように、熱電冷却器１は、
複数（例えば４０個）のペルチェ素子エレメント１０
ａ，１０ｂ・・をユニット化して構成される。すなわ
ち、ｐ形、ｎ形のペルチェ素子エレメント１０ａ等が交
互に配列され、そのペルチェ素子エレメント１０ａ等
は、電極プレート２及び３を介して互いに接合される。
電極プレート２及び３は、セラミック基板上に形成され
た薄膜金属である。
明する。図２は本発明の光半導体モジュール用熱電冷却
器の斜視図である。図に示すように、熱電冷却器１は、
複数（例えば４０個）のペルチェ素子エレメント１０
ａ，１０ｂ・・をユニット化して構成される。すなわ
ち、ｐ形、ｎ形のペルチェ素子エレメント１０ａ等が交
互に配列され、そのペルチェ素子エレメント１０ａ等
は、電極プレート２及び３を介して互いに接合される。
電極プレート２及び３は、セラミック基板上に形成され
た薄膜金属である。
【００１１】このような熱電冷却器１Ｃにおいて、電極
プレート３Ｃに設けられたリード線４及び５に通電する
と、ペルチェ素子エレメント１０ａ等の各接合部分でペ
ルチェ効果による吸熱及び発熱作用が発生する。リード
線４側をプラス、リード線５側をマイナスとして通電す
ると、電極プレート２Ｃ側では吸熱が、電極プレート３
Ｃ側では発熱が生じ、全体として光半導体素子６が冷却
される。逆に、リード線５側をプラス、リード線４側を
マイナスとして通電すると、電極プレート２Ｃ側では発
熱が、電極プレート３Ｃ側では吸熱が生じ、全体として
光半導体素子６が加熱される。その結果、光半導体素子
６は常時適度な温度範囲に保持されて、安定した発光を
行うことができる。
プレート３Ｃに設けられたリード線４及び５に通電する
と、ペルチェ素子エレメント１０ａ等の各接合部分でペ
ルチェ効果による吸熱及び発熱作用が発生する。リード
線４側をプラス、リード線５側をマイナスとして通電す
ると、電極プレート２Ｃ側では吸熱が、電極プレート３
Ｃ側では発熱が生じ、全体として光半導体素子６が冷却
される。逆に、リード線５側をプラス、リード線４側を
マイナスとして通電すると、電極プレート２Ｃ側では発
熱が、電極プレート３Ｃ側では吸熱が生じ、全体として
光半導体素子６が加熱される。その結果、光半導体素子
６は常時適度な温度範囲に保持されて、安定した発光を
行うことができる。
【００１２】図１は図２の簡易回路図である。図に示す
ように、ペルチェ素子エレメント１０ａ等は、電気的に
直列に配置されている。そのペルチェ素子エレメント１
０ａ等の各２個に対して薄膜抵抗２１ａ，２２ａ等が順
次バイパス回路として設けられる。薄膜抵抗２１ａ，２
１ｂ・・は、電極プレート３上に設けられ、薄膜抵抗２
２ａ，２２ｂ・・は、電極プレート２上に設けられる。
このように、例えば２個のペルチェ素子エレメント１０
ａ、１０ｂに対して薄膜抵抗２１ａを設けるようにした
のは、同一電極プレート３上でバイパス回路を形成する
ためである。
ように、ペルチェ素子エレメント１０ａ等は、電気的に
直列に配置されている。そのペルチェ素子エレメント１
０ａ等の各２個に対して薄膜抵抗２１ａ，２２ａ等が順
次バイパス回路として設けられる。薄膜抵抗２１ａ，２
１ｂ・・は、電極プレート３上に設けられ、薄膜抵抗２
２ａ，２２ｂ・・は、電極プレート２上に設けられる。
このように、例えば２個のペルチェ素子エレメント１０
ａ、１０ｂに対して薄膜抵抗２１ａを設けるようにした
のは、同一電極プレート３上でバイパス回路を形成する
ためである。
【００１３】薄膜抵抗２１ａ等及び２２ａ等は、電極プ
レート２、３側のセラミック基板上に形成され、例えば
薄膜抵抗２２ａの抵抗値は２個分のペルチェ素子エレメ
ント１０ａ及び１０ｂと同程度に設定される。電極プレ
ート３上の薄膜抵抗２１ａ等と電極プレート２上の薄膜
抵抗２２ａ等とは、その起点が順に繰り返すように設け
られる。例えば、図１において、電極プレート３側の薄
膜抵抗２１ａは、ペルチェ素子エレメント１０ａの右側
端子をその起点とし、電極プレート２側の薄膜抵抗２２
ａは、ペルチェ素子エレメント１０ａの左側端子をその
起点とし、その起点は、ペルチェ素子エレメントの１個
置き毎に順に繰り返すようになっている。
レート２、３側のセラミック基板上に形成され、例えば
薄膜抵抗２２ａの抵抗値は２個分のペルチェ素子エレメ
ント１０ａ及び１０ｂと同程度に設定される。電極プレ
ート３上の薄膜抵抗２１ａ等と電極プレート２上の薄膜
抵抗２２ａ等とは、その起点が順に繰り返すように設け
られる。例えば、図１において、電極プレート３側の薄
膜抵抗２１ａは、ペルチェ素子エレメント１０ａの右側
端子をその起点とし、電極プレート２側の薄膜抵抗２２
ａは、ペルチェ素子エレメント１０ａの左側端子をその
起点とし、その起点は、ペルチェ素子エレメントの１個
置き毎に順に繰り返すようになっている。
【００１４】このように、薄膜抵抗２１ａ等及び２２ａ
等をペルチェ素子エレメント１０ａ等に対して並列に設
けたので、ペルチェ素子エレメント１０ａ等の１個がそ
の半田付け部分等で断線したりしたとしても、電流は、
その部分で断線することなく、電極プレート３上の薄膜
抵抗２１ａ等または電極プレート２上の薄膜抵抗２２ａ
等を通って流れる。したがって、他のペルチェ素子エレ
メント１０ａ等は正常に作動する。その結果、熱電冷却
器１は、温度コントローラとしての機能を保持すること
ができ、信頼性が向上し、光半導体モジュールの特性劣
化が起こる率も低減する。また、従来ペルチェ素子エレ
メント１０ａ等の１個でも断線すると、熱電冷却器１全
体を交換していたのに対し、そのような場合でも熱電冷
却器１をそのまま使用することができるので、熱電冷却
器１の交換頻度も少なくなり、その分コストダウンにな
る。
等をペルチェ素子エレメント１０ａ等に対して並列に設
けたので、ペルチェ素子エレメント１０ａ等の１個がそ
の半田付け部分等で断線したりしたとしても、電流は、
その部分で断線することなく、電極プレート３上の薄膜
抵抗２１ａ等または電極プレート２上の薄膜抵抗２２ａ
等を通って流れる。したがって、他のペルチェ素子エレ
メント１０ａ等は正常に作動する。その結果、熱電冷却
器１は、温度コントローラとしての機能を保持すること
ができ、信頼性が向上し、光半導体モジュールの特性劣
化が起こる率も低減する。また、従来ペルチェ素子エレ
メント１０ａ等の１個でも断線すると、熱電冷却器１全
体を交換していたのに対し、そのような場合でも熱電冷
却器１をそのまま使用することができるので、熱電冷却
器１の交換頻度も少なくなり、その分コストダウンにな
る。
【００１５】上記の説明では、２個のペルチェ素子エレ
メント１０ａ等に対して薄膜抵抗２１ａ等、２２ａ等を
設けるようにしたが、２個以上のペルチェ素子エレメン
ト１０ａ等に対して薄膜抵抗２１ａ等、２２ａ等を設け
るように構成することもできる。
メント１０ａ等に対して薄膜抵抗２１ａ等、２２ａ等を
設けるようにしたが、２個以上のペルチェ素子エレメン
ト１０ａ等に対して薄膜抵抗２１ａ等、２２ａ等を設け
るように構成することもできる。
【００１６】図３及び図４は本発明の第２の実施例を示
す図であり、図３は熱電冷却器の斜視図、図４はその簡
易回路図である。図３、図４に示すように、本実施例で
は、１個のペルチェ素子１０ａに対して、薄膜抵抗２６
ａと通電用柱２７ａとがバイパス回路として設けられ
る。通電用柱２７ａはペルチェ素子エレメント１０ａの
電極プレート２Ａ、３Ａ間に設けられる。以下、同様に
して各ペルチェ素子エレメント１０ｂ等に対して、薄膜
抵抗２６ｂ等と通電用柱２７ｂ等とがバイパス回路２５
として設けられる。このように、第１の実施例の場合と
同様に、ペルチェ素子エレメント１０ａ等の１個がその
半田付け部分等で断線したりしたとしても、電流は、そ
の部分で断線することなく、薄膜抵抗２６ａ等及び通電
用柱２７ａ等を通って流れる。さらに、本実施例では、
１個のペルチェ素子エレメント１０ａ等に対して薄膜抵
抗２６ａ等と通電用柱２７ａ等を設けたので、各１個の
ペルチェ素子エレメント１０ａ等毎にバイパスが可能と
なり、その断線等による影響を最小限に止めることがで
きる。その際に、通電用柱２７はペルチェ素子エレメン
ト１０を流れる電流が同じ方向となるような機能を果た
す。また、セラミック基板（電極プレート）２Ａ、３Ａ
間の支柱となるので、セラミック基板２Ａ、３Ａの熱に
よる歪み等を吸収する機能も果たしている。
す図であり、図３は熱電冷却器の斜視図、図４はその簡
易回路図である。図３、図４に示すように、本実施例で
は、１個のペルチェ素子１０ａに対して、薄膜抵抗２６
ａと通電用柱２７ａとがバイパス回路として設けられ
る。通電用柱２７ａはペルチェ素子エレメント１０ａの
電極プレート２Ａ、３Ａ間に設けられる。以下、同様に
して各ペルチェ素子エレメント１０ｂ等に対して、薄膜
抵抗２６ｂ等と通電用柱２７ｂ等とがバイパス回路２５
として設けられる。このように、第１の実施例の場合と
同様に、ペルチェ素子エレメント１０ａ等の１個がその
半田付け部分等で断線したりしたとしても、電流は、そ
の部分で断線することなく、薄膜抵抗２６ａ等及び通電
用柱２７ａ等を通って流れる。さらに、本実施例では、
１個のペルチェ素子エレメント１０ａ等に対して薄膜抵
抗２６ａ等と通電用柱２７ａ等を設けたので、各１個の
ペルチェ素子エレメント１０ａ等毎にバイパスが可能と
なり、その断線等による影響を最小限に止めることがで
きる。その際に、通電用柱２７はペルチェ素子エレメン
ト１０を流れる電流が同じ方向となるような機能を果た
す。また、セラミック基板（電極プレート）２Ａ、３Ａ
間の支柱となるので、セラミック基板２Ａ、３Ａの熱に
よる歪み等を吸収する機能も果たしている。
【００１７】
【発明の効果】以上説明したように本発明では、バイパ
ス回路をペルチェ素子エレメントに対して並列に設けた
ので、ペルチェ素子エレメントの１個がその半田付け部
分等で断線したりしたとしても、電流は、その部分で断
線することなく、バイパス回路を通って流れる。
ス回路をペルチェ素子エレメントに対して並列に設けた
ので、ペルチェ素子エレメントの１個がその半田付け部
分等で断線したりしたとしても、電流は、その部分で断
線することなく、バイパス回路を通って流れる。
【００１８】したがって、他のペルチェ素子エレメント
は正常に作動する。その結果、熱電冷却器は、温度コン
トローラとしての機能を保持することができ、信頼性が
向上し、光半導体モジュールの特性劣化が起こる率も低
減する。
は正常に作動する。その結果、熱電冷却器は、温度コン
トローラとしての機能を保持することができ、信頼性が
向上し、光半導体モジュールの特性劣化が起こる率も低
減する。
【００１９】また、従来ペルチェ素子エレメントの１個
でも断線すると、熱電冷却器全体を交換していたのに対
し、そのような場合でも熱電冷却器をそのまま使用する
ことができるので、熱電冷却器の交換頻度も少なくな
り、その分コストダウンになる。
でも断線すると、熱電冷却器全体を交換していたのに対
し、そのような場合でも熱電冷却器をそのまま使用する
ことができるので、熱電冷却器の交換頻度も少なくな
り、その分コストダウンになる。
【図１】図２の簡易回路図である。
【図２】本発明の光半導体モジュール用熱電冷却器の斜
視図である。
視図である。
【図３】第２の実施例に係る熱電冷却器の斜視図であ
る。
る。
【図４】図３の簡易回路図である。
【図５】従来の光半導体モジュール用熱電冷却器の斜視
図である。
図である。
【図６】図５の簡易回路図である。
１，１Ａ 光半導体モジュール用熱電冷却器 ２，２Ａ，３，３Ａ 電極プレート ４，５ リード線 ６ 光半導体素子 １０ａ，１０ｂ，１０ｃ ペルチェ素子エレメント ２１ａ，２１ｂ，２２ａ，２２ｂ，２６ａ，２６ｂ 薄
膜抵抗 ２７ａ，２７ｂ 通電用柱
膜抵抗 ２７ａ，２７ｂ 通電用柱
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 大矢 利夫 神奈川県川崎市中原区上小田中1015番地 富士通株式会社内 (72)発明者 横井 小恵子 神奈川県川崎市中原区上小田中1015番地 富士通株式会社内
Claims (4)
- 【請求項１】 光半導体モジュール内で冷却用として用
いられる熱電冷却器（１）において、 直列に配列されたペルチェ素子エレメント（１０ａ，１
０ｂ，・・）と、 前記ペルチェ素子エレメント（１０ａ，１０ｂ，・・）
に対して設けられた抵抗を含むバイパス回路（２１ａ，
２２ａ，・・）と、 を有することを特徴とする熱電冷却器。 - 【請求項２】 前記バイパス回路（２１ａ，２２ａ，・
・）は、前記ペルチェ素子エレメント（１０ａ，１０
ｂ，・・）の少なくとも２個以上に対して並列に配列さ
れることを特徴とする請求項１記載の熱電冷却器。 - 【請求項３】 前記バイパス回路（２１ａ，２２ａ，・
・）は、一方の電極プレート（２）と他方の電極プレー
ト（３）とに交互に設けられることを特徴とする請求項
２記載の熱電冷却器。 - 【請求項４】 前記バイパス回路は、前記ペルチェ素子
エレメント（１０ａ，・・）１個に対して並列に配列さ
れた抵抗と、前記ペルチェ素子エレメント（１０ａ，・
・）の電極プレート間に設けられた通電用柱と、から構
成されることを特徴とする請求項記載の熱電冷却器。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP23944492A JPH0689955A (ja) | 1992-09-08 | 1992-09-08 | 熱電冷却器 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP23944492A JPH0689955A (ja) | 1992-09-08 | 1992-09-08 | 熱電冷却器 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0689955A true JPH0689955A (ja) | 1994-03-29 |
Family
ID=17044868
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP23944492A Withdrawn JPH0689955A (ja) | 1992-09-08 | 1992-09-08 | 熱電冷却器 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0689955A (ja) |
Cited By (12)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2008067748A1 (en) * | 2006-12-06 | 2008-06-12 | Huawei Technologies Co., Ltd. | Method and system for redundant thermoelectric coolers for integrated dwdm transmitter/receiver |
| US8050525B2 (en) | 2006-10-11 | 2011-11-01 | Futurewei Technologies, Inc. | Method and system for grating taps for monitoring a DWDM transmitter array integrated on a PLC platform |
| US8285149B2 (en) | 2006-10-02 | 2012-10-09 | Futurewei Technologies, Inc. | Method and system for integrated DWDM transmitters |
| US8285151B2 (en) | 2006-10-20 | 2012-10-09 | Futurewei Technologies, Inc. | Method and system for hybrid integrated 1XN DWDM transmitter |
| US8285150B2 (en) | 2006-10-02 | 2012-10-09 | Futurewei Technologies, Inc. | Method and system for integrated DWDM transmitters |
| US8974942B2 (en) * | 2009-05-18 | 2015-03-10 | Gentherm Incorporated | Battery thermal management system including thermoelectric assemblies in thermal communication with a battery |
| US9719701B2 (en) | 2008-06-03 | 2017-08-01 | Gentherm Incorporated | Thermoelectric heat pump |
| US10270141B2 (en) | 2013-01-30 | 2019-04-23 | Gentherm Incorporated | Thermoelectric-based thermal management system |
| US10464391B2 (en) | 2007-05-25 | 2019-11-05 | Gentherm Incorporated | System and method for distributed thermoelectric heating and cooling |
| US10991869B2 (en) | 2018-07-30 | 2021-04-27 | Gentherm Incorporated | Thermoelectric device having a plurality of sealing materials |
| US11152557B2 (en) | 2019-02-20 | 2021-10-19 | Gentherm Incorporated | Thermoelectric module with integrated printed circuit board |
| US11993132B2 (en) | 2018-11-30 | 2024-05-28 | Gentherm Incorporated | Thermoelectric conditioning system and methods |
-
1992
- 1992-09-08 JP JP23944492A patent/JPH0689955A/ja not_active Withdrawn
Cited By (19)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US8285149B2 (en) | 2006-10-02 | 2012-10-09 | Futurewei Technologies, Inc. | Method and system for integrated DWDM transmitters |
| US8285150B2 (en) | 2006-10-02 | 2012-10-09 | Futurewei Technologies, Inc. | Method and system for integrated DWDM transmitters |
| US8050525B2 (en) | 2006-10-11 | 2011-11-01 | Futurewei Technologies, Inc. | Method and system for grating taps for monitoring a DWDM transmitter array integrated on a PLC platform |
| US8285151B2 (en) | 2006-10-20 | 2012-10-09 | Futurewei Technologies, Inc. | Method and system for hybrid integrated 1XN DWDM transmitter |
| WO2008067748A1 (en) * | 2006-12-06 | 2008-06-12 | Huawei Technologies Co., Ltd. | Method and system for redundant thermoelectric coolers for integrated dwdm transmitter/receiver |
| US7739877B2 (en) | 2006-12-06 | 2010-06-22 | Futurewei Technologies, Inc. | Method and system for redundant thermoelectric coolers for integrated DWDM transmitter/receiver |
| US10464391B2 (en) | 2007-05-25 | 2019-11-05 | Gentherm Incorporated | System and method for distributed thermoelectric heating and cooling |
| US9719701B2 (en) | 2008-06-03 | 2017-08-01 | Gentherm Incorporated | Thermoelectric heat pump |
| US10473365B2 (en) | 2008-06-03 | 2019-11-12 | Gentherm Incorporated | Thermoelectric heat pump |
| US9666914B2 (en) | 2009-05-18 | 2017-05-30 | Gentherm Incorporated | Thermoelectric-based battery thermal management system |
| US8974942B2 (en) * | 2009-05-18 | 2015-03-10 | Gentherm Incorporated | Battery thermal management system including thermoelectric assemblies in thermal communication with a battery |
| US11264655B2 (en) | 2009-05-18 | 2022-03-01 | Gentherm Incorporated | Thermal management system including flapper valve to control fluid flow for thermoelectric device |
| US10270141B2 (en) | 2013-01-30 | 2019-04-23 | Gentherm Incorporated | Thermoelectric-based thermal management system |
| US10784546B2 (en) | 2013-01-30 | 2020-09-22 | Gentherm Incorporated | Thermoelectric-based thermal management system |
| US10991869B2 (en) | 2018-07-30 | 2021-04-27 | Gentherm Incorporated | Thermoelectric device having a plurality of sealing materials |
| US11075331B2 (en) | 2018-07-30 | 2021-07-27 | Gentherm Incorporated | Thermoelectric device having circuitry with structural rigidity |
| US11223004B2 (en) | 2018-07-30 | 2022-01-11 | Gentherm Incorporated | Thermoelectric device having a polymeric coating |
| US11993132B2 (en) | 2018-11-30 | 2024-05-28 | Gentherm Incorporated | Thermoelectric conditioning system and methods |
| US11152557B2 (en) | 2019-02-20 | 2021-10-19 | Gentherm Incorporated | Thermoelectric module with integrated printed circuit board |
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