JPH067599B2 - 光起電力装置及びその製造方法 - Google Patents
光起電力装置及びその製造方法Info
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- JPH067599B2 JPH067599B2 JP60230552A JP23055285A JPH067599B2 JP H067599 B2 JPH067599 B2 JP H067599B2 JP 60230552 A JP60230552 A JP 60230552A JP 23055285 A JP23055285 A JP 23055285A JP H067599 B2 JPH067599 B2 JP H067599B2
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- electrode
- photovoltaic
- insulator
- semiconductor layer
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- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10F—INORGANIC SEMICONDUCTOR DEVICES SENSITIVE TO INFRARED RADIATION, LIGHT, ELECTROMAGNETIC RADIATION OF SHORTER WAVELENGTH OR CORPUSCULAR RADIATION
- H10F19/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one photovoltaic cell covered by group H10F10/00, e.g. photovoltaic modules
- H10F19/30—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one photovoltaic cell covered by group H10F10/00, e.g. photovoltaic modules comprising thin-film photovoltaic cells
- H10F19/31—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one photovoltaic cell covered by group H10F10/00, e.g. photovoltaic modules comprising thin-film photovoltaic cells having multiple laterally adjacent thin-film photovoltaic cells deposited on the same substrate
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
- Y02E—REDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
- Y02E10/00—Energy generation through renewable energy sources
- Y02E10/50—Photovoltaic [PV] energy
Landscapes
- Photovoltaic Devices (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明は複数の光起電力素子を直列接続してなる光起電
力装置及びその製造方法に関するものである。
力装置及びその製造方法に関するものである。
通常この種の光起電力装置は第３図（イ），（ロ）に示
す如く構成されている。第３図（イ）従来の光起電力装
置の断面構造図、第３図（ロ）は同じく平面図であり、
透光性絶縁基板21上に透明電極22，p-i-n接合型或いはn
-i-p接合型の非晶質半導体層25、裏面電極26をこの順序
に積層形成して構成される光起電力素子Ａ，Ｂ…のうち
相隣する一方の光起電力素子Ａの裏面電極26を他方の光
起電力素子Ｂの透明電極22上に形成した条状の導電体23
と接続し、またこの導電体23自体はこれと平行に形成し
た同じく条状の絶縁体24にて当該他方の光起電力素子Ｂ
の透明電極22、非晶質半導体層25と遮断状態に維持して
光起電力素子Ａ，Ｂ，…を相互に直列接続する構成が採
られている。ところでこのような光起電力装置の製造は
従来第４図（イ），（ロ）に示す如くに行われている。
す如く構成されている。第３図（イ）従来の光起電力装
置の断面構造図、第３図（ロ）は同じく平面図であり、
透光性絶縁基板21上に透明電極22，p-i-n接合型或いはn
-i-p接合型の非晶質半導体層25、裏面電極26をこの順序
に積層形成して構成される光起電力素子Ａ，Ｂ…のうち
相隣する一方の光起電力素子Ａの裏面電極26を他方の光
起電力素子Ｂの透明電極22上に形成した条状の導電体23
と接続し、またこの導電体23自体はこれと平行に形成し
た同じく条状の絶縁体24にて当該他方の光起電力素子Ｂ
の透明電極22、非晶質半導体層25と遮断状態に維持して
光起電力素子Ａ，Ｂ，…を相互に直列接続する構成が採
られている。ところでこのような光起電力装置の製造は
従来第４図（イ），（ロ）に示す如くに行われている。
第４図（イ），（ロ）は従来方法の製造過程を示す模式
図であり、先ず第４図（イ）に示す如く透光性絶縁基板
21上に透明電極22を積層形成した後、この透明電極22を
各光起電力素子Ａ，Ｂを構成する領域毎に切断し、また
切断にて区分した各透明電極の一側縁近傍には切断溝に
沿って切断溝側に位置して条状の導電体23を、またこれ
と所要の間隔を隔てて透明電極の中心側寄りに位置して
同じく条状の絶縁体24を夫々並列形成する。
図であり、先ず第４図（イ）に示す如く透光性絶縁基板
21上に透明電極22を積層形成した後、この透明電極22を
各光起電力素子Ａ，Ｂを構成する領域毎に切断し、また
切断にて区分した各透明電極の一側縁近傍には切断溝に
沿って切断溝側に位置して条状の導電体23を、またこれ
と所要の間隔を隔てて透明電極の中心側寄りに位置して
同じく条状の絶縁体24を夫々並列形成する。
次いで第２図（ロ）に示す如く透明電極22、切断溝及び
導電体23、絶縁体24上にわたって非晶質半導体層25、裏
面電極26をこの順序で積層形成し、導電体23上に対して
断続的に、また絶縁体24上に対しては連続的に夫々破線
で示す如くに所要線幅のレーザビームを投射する。これ
によって導電体23上にあってはレーザビームが投射され
た部分では夫々スポット状に非晶質半導体層25，裏面電
極26ともに穿孔され、非晶質半導体25は蒸散せしめら
れ、また裏面電極26は孔の周縁部が蒸散せしめられた非
晶質半導体層25の跡に垂れ下って導電体23と電気的に接
触状態で固化する。
導電体23、絶縁体24上にわたって非晶質半導体層25、裏
面電極26をこの順序で積層形成し、導電体23上に対して
断続的に、また絶縁体24上に対しては連続的に夫々破線
で示す如くに所要線幅のレーザビームを投射する。これ
によって導電体23上にあってはレーザビームが投射され
た部分では夫々スポット状に非晶質半導体層25，裏面電
極26ともに穿孔され、非晶質半導体25は蒸散せしめら
れ、また裏面電極26は孔の周縁部が蒸散せしめられた非
晶質半導体層25の跡に垂れ下って導電体23と電気的に接
触状態で固化する。
一方、絶縁体24上にあってはレーザビームが連続的に投
射され、非晶質半導体層25，裏面電極26が共に破断さ
れ、非晶質半導体層25，裏面電極26共に蒸散せしめられ
るが、裏面電極26はその破断縁部が蒸散せしめられた非
晶質半導体層25の跡に垂れ下って絶縁体24上に接触状態
で固化する。
射され、非晶質半導体層25，裏面電極26が共に破断さ
れ、非晶質半導体層25，裏面電極26共に蒸散せしめられ
るが、裏面電極26はその破断縁部が蒸散せしめられた非
晶質半導体層25の跡に垂れ下って絶縁体24上に接触状態
で固化する。
これによって第３図（イ），（ロ）に示す如く非晶質半
導体層25，裏面電極26は夫々各光起電力素子毎に絶縁体
24上で切断され、且つ相隣する一方の光起電力素子にお
ける裏面電極26は導電体23を通じて他方の光起電力素子
における透明電極22と接続されて相隣する光起電力素子
は相互に直列接続された状態となる。
導体層25，裏面電極26は夫々各光起電力素子毎に絶縁体
24上で切断され、且つ相隣する一方の光起電力素子にお
ける裏面電極26は導電体23を通じて他方の光起電力素子
における透明電極22と接続されて相隣する光起電力素子
は相互に直列接続された状態となる。
ところで上述した如き従来の製造方法であっては導電体
23上に対しては断続的に、また絶縁体24上に対しては連
続的に夫々レーザビームを投射する必要があって、加工
作業が煩わしいこと、また光起電力装置として、例えば
透明電極22，22間導電体23，絶縁体24下及びこれらに挟
まれた部分は実際上太陽電池等として機能しない無効部
分となるが、この導電体23，絶縁体24の幅寸法は裏面電
極26と導電体23とを確実に接触維持するため導電体23上
に対するレーザビームスポット径は30〜100μｍ、また
絶縁体24上にて相隣する光起電力素子の非晶半導体相2
5，裏面電極26を確実に絶縁維持するため絶縁体24上に
対するレーザビームの線幅は150μｍ程度に設定され、
更に導電体23と絶縁体24は相互の間に100〜200μｍ程度
の幅寸法を隔てて形成するため全体の無効部分は500〜7
00μｍ程度となり、無効部分の幅が大きいという問題も
あった。
23上に対しては断続的に、また絶縁体24上に対しては連
続的に夫々レーザビームを投射する必要があって、加工
作業が煩わしいこと、また光起電力装置として、例えば
透明電極22，22間導電体23，絶縁体24下及びこれらに挟
まれた部分は実際上太陽電池等として機能しない無効部
分となるが、この導電体23，絶縁体24の幅寸法は裏面電
極26と導電体23とを確実に接触維持するため導電体23上
に対するレーザビームスポット径は30〜100μｍ、また
絶縁体24上にて相隣する光起電力素子の非晶半導体相2
5，裏面電極26を確実に絶縁維持するため絶縁体24上に
対するレーザビームの線幅は150μｍ程度に設定され、
更に導電体23と絶縁体24は相互の間に100〜200μｍ程度
の幅寸法を隔てて形成するため全体の無効部分は500〜7
00μｍ程度となり、無効部分の幅が大きいという問題も
あった。
本発明はかかる事情に鑑みなされたものであって、その
目的とするところは、導電体と絶縁体との間に間隔を隔
てず相接した状態とすることによって、レーザスクライ
ブ加工等の作業が容易となることは勿論、無効部分の幅
寸法の狭小化も図れるようにした光起電力装置及びその
製造方法を提供するにある。
目的とするところは、導電体と絶縁体との間に間隔を隔
てず相接した状態とすることによって、レーザスクライ
ブ加工等の作業が容易となることは勿論、無効部分の幅
寸法の狭小化も図れるようにした光起電力装置及びその
製造方法を提供するにある。
本発明に係る光起電力装置は透光性絶縁基板上に透明電
極，非晶質半導体層，裏面電極をこの順序に積層形成し
てなる光起電力素子を直列接続して構成される光起電力
装置において、直列接続すべき相隣する光起電力素子の
うち、一方の光起電力素子の透明電極と、他方の光起電
力素子の裏面電極とを接続すべく前記一方の光起電力素
子の透明電極上に条状に形成された導電体と、該導電体
と前記一方の光起電力素子の非晶質半導体層，裏面電極
とを絶縁状態に隔てるべく前記導電体に対して、前記他
方の光起電力素子と反対側に接して条状に形成された絶
縁体とを具備することを特徴とする。
極，非晶質半導体層，裏面電極をこの順序に積層形成し
てなる光起電力素子を直列接続して構成される光起電力
装置において、直列接続すべき相隣する光起電力素子の
うち、一方の光起電力素子の透明電極と、他方の光起電
力素子の裏面電極とを接続すべく前記一方の光起電力素
子の透明電極上に条状に形成された導電体と、該導電体
と前記一方の光起電力素子の非晶質半導体層，裏面電極
とを絶縁状態に隔てるべく前記導電体に対して、前記他
方の光起電力素子と反対側に接して条状に形成された絶
縁体とを具備することを特徴とする。
以下本発明をその実施状態を示す図面に基づき具体的に
説明する。第１図（イ），（ロ）は本発明に係る光起電
力装置の要部を示す模式図であり、図中１はガラス等を
用いた透光性絶縁基板、２はSn０２，IT0/Sn０２等を用
いた透明電極，３はＡｌ，Ａｇ等を用いた導電体、４は
ガラス等を用いた絶縁体、５はアモルファスシリコン等
を用いたp-i-n接合型、又はn-i-p接合型の非晶質半導体
層、６はＡｌ等の裏面電極を示している。共通の透光性
絶縁基板１上に各光起電力素子Ａ，Ｂ…が形成されてお
り、各光起電力素子Ａ，Ｂ，…は前記した共通の透光性
絶縁基板１上に夫々透明電極２を形成し、その上に部分
的に導電体３，絶縁体４を相接した状態に隣接形成した
後、これらの表面に非晶質半導体層５，裏面電極６をこ
の順序に積層形成し、レーザビームの投射によって非晶
質半導体層５，裏面電極６を夫々各光起電力素子Ａ，Ｂ
…毎に分断して絶縁体４に相互に電気的に遮断すると共
に、相隣する光起電力素子Ａ，Ｂ…のうち一方の光起電
力素子Ａの裏面電極６は他の光起電力素子Ｂ上の導電体
３を介してその透明電極２と接続せしめて、光起電力素
子Ａ，Ｂ，…を相互に直列接続せしめてある。
説明する。第１図（イ），（ロ）は本発明に係る光起電
力装置の要部を示す模式図であり、図中１はガラス等を
用いた透光性絶縁基板、２はSn０２，IT0/Sn０２等を用
いた透明電極，３はＡｌ，Ａｇ等を用いた導電体、４は
ガラス等を用いた絶縁体、５はアモルファスシリコン等
を用いたp-i-n接合型、又はn-i-p接合型の非晶質半導体
層、６はＡｌ等の裏面電極を示している。共通の透光性
絶縁基板１上に各光起電力素子Ａ，Ｂ…が形成されてお
り、各光起電力素子Ａ，Ｂ，…は前記した共通の透光性
絶縁基板１上に夫々透明電極２を形成し、その上に部分
的に導電体３，絶縁体４を相接した状態に隣接形成した
後、これらの表面に非晶質半導体層５，裏面電極６をこ
の順序に積層形成し、レーザビームの投射によって非晶
質半導体層５，裏面電極６を夫々各光起電力素子Ａ，Ｂ
…毎に分断して絶縁体４に相互に電気的に遮断すると共
に、相隣する光起電力素子Ａ，Ｂ…のうち一方の光起電
力素子Ａの裏面電極６は他の光起電力素子Ｂ上の導電体
３を介してその透明電極２と接続せしめて、光起電力素
子Ａ，Ｂ，…を相互に直列接続せしめてある。
次にこのような光起電力装置の製造方法を第２図
（イ），（ロ）に基づき説明する。
（イ），（ロ）に基づき説明する。
先ず第２図（イ）に示す如く、ガラス等を用いて形成し
た共通の透光性絶縁基板１上にSnＯ２，或いはIT0/SnＯ
２等を材料とする透明電極２を全面に積層形成した後、
レーザスクライブによって透明電極２を各光起電力素子
Ａ，Ｂ…を形成する領域毎に切断分離すると共に、分離
し各透明電極２，２上には切断溝に沿わせて一側縁の全
長にわたるように導電体３及び絶縁体４を相接した状態
で並列形成せしめる。
た共通の透光性絶縁基板１上にSnＯ２，或いはIT0/SnＯ
２等を材料とする透明電極２を全面に積層形成した後、
レーザスクライブによって透明電極２を各光起電力素子
Ａ，Ｂ…を形成する領域毎に切断分離すると共に、分離
し各透明電極２，２上には切断溝に沿わせて一側縁の全
長にわたるように導電体３及び絶縁体４を相接した状態
で並列形成せしめる。
この導電体３，絶縁体４の形成は、例えばＡｇを主体と
する導電体ペースト、ガラスを主体とする絶縁体ペース
トを従来知られたペン描画法等に透明電極２上に条状に
付着させた後、これを焼成することによって形成され
る。
する導電体ペースト、ガラスを主体とする絶縁体ペース
トを従来知られたペン描画法等に透明電極２上に条状に
付着させた後、これを焼成することによって形成され
る。
次いで透明電極２上、透明電極２，２間の切断部に露出
する透光性絶縁基板１及び導電体３，絶縁体４上にわた
ってp-i-n接合型、或いはn-i-p接合型の非晶質半導体層
５及びＡｌ，Ｔｉ，Ａｇ製の裏面電極６がこの順序で所
要厚さに積層形成する。
する透光性絶縁基板１及び導電体３，絶縁体４上にわた
ってp-i-n接合型、或いはn-i-p接合型の非晶質半導体層
５及びＡｌ，Ｔｉ，Ａｇ製の裏面電極６がこの順序で所
要厚さに積層形成する。
そして最後に第２図（ロ）に破線で示す如く、導電体
３，絶縁体４の両者にわたるように線幅100〜150μｍの
レーザビームを投射し、これらの上の非晶質半導体層
５，裏面電極６を蒸散せしめて分断すると共に、この分
断された裏面電極６の縁部を溶融状態で垂れ下らせて夫
々導電体３，絶縁体４表面に接触状態で固化せしめる。
３，絶縁体４の両者にわたるように線幅100〜150μｍの
レーザビームを投射し、これらの上の非晶質半導体層
５，裏面電極６を蒸散せしめて分断すると共に、この分
断された裏面電極６の縁部を溶融状態で垂れ下らせて夫
々導電体３，絶縁体４表面に接触状態で固化せしめる。
これによって相隣する光起電力素子における非晶質半導
体層５，裏面電極６は夫々導電体３、絶縁体４上にて相
互に分断され、且つ一方の光起電力素子の裏面電極６の
他方の光起電力素子における導電体３を介して透明電極
２と電気的に接続せしめられて、各光起電力素子が直列
接続された光起電力装置が構成されることとなる。
体層５，裏面電極６は夫々導電体３、絶縁体４上にて相
互に分断され、且つ一方の光起電力素子の裏面電極６の
他方の光起電力素子における導電体３を介して透明電極
２と電気的に接続せしめられて、各光起電力素子が直列
接続された光起電力装置が構成されることとなる。
上述した如く本発明方法にあっては導電体と絶縁体とを
相隣せしめて形成し、この上に非晶質半導体層、裏面電
極を積層形成してこれを導電体、絶縁体上にて同時的に
切断せしめると共に導電体上の裏面電極の縁部を導電体
と電気的に接触せしめた状態とすることが出来、レーザ
による加工が一回で済むこととなり、加工が簡略化さ
れ、また導電体と絶縁体とを相互に接触せしめて形成す
るから相互の間の無効領域を除去することが出来て無効
面積の狭小化も図れるなど本発明は優れた効果を奏する
ものである。
相隣せしめて形成し、この上に非晶質半導体層、裏面電
極を積層形成してこれを導電体、絶縁体上にて同時的に
切断せしめると共に導電体上の裏面電極の縁部を導電体
と電気的に接触せしめた状態とすることが出来、レーザ
による加工が一回で済むこととなり、加工が簡略化さ
れ、また導電体と絶縁体とを相互に接触せしめて形成す
るから相互の間の無効領域を除去することが出来て無効
面積の狭小化も図れるなど本発明は優れた効果を奏する
ものである。
第１図（イ）は本発明装置の断面構造図、第１図（ロ）
は同じくその平面図、第２図（イ），（ロ）は本発明装
置の製造過程を示す模式的縦断面図、第３図（イ）は従
来装置の断面構造図、第３図（ロ）は同じくその平面
図、第４図（イ），（ロ）は従来方法の製造過程を示す
模式的縦断面図である。 １…透光性絶縁基板 ２…透明電極 ３…導電体
４…絶縁体 ５…非晶質半導体層 ６…裏面電極
は同じくその平面図、第２図（イ），（ロ）は本発明装
置の製造過程を示す模式的縦断面図、第３図（イ）は従
来装置の断面構造図、第３図（ロ）は同じくその平面
図、第４図（イ），（ロ）は従来方法の製造過程を示す
模式的縦断面図である。 １…透光性絶縁基板 ２…透明電極 ３…導電体
４…絶縁体 ５…非晶質半導体層 ６…裏面電極
Claims (2)
- 【請求項１】透光性絶縁基板上に透明電極，非晶質半導
体層，裏面電極をこの順序に積層形成してなる光起電力
素子を直列接続して構成される光起電力装置において、
直列接続すべき相隣する光起電力素子のうち、一方の光
起電力素子の透明電極と、他方の光起電力素子の裏面電
極とを接続すべく前記一方の光起電力素子の透明電極上
に条状に形成された導電体と、該導電体と前記一方の光
起電力素子の非晶質半導体層，裏面電極とを絶縁状態に
隔てるべく前記導電体に対して、前記他方の光起電力素
子と反対側に接して条状に形成された絶縁体とを具備す
ることを特徴とする光起電力装置。 - 【請求項２】透光性絶縁基板上に透明電極を形成してこ
れを各光起電力素子を形成する領域毎に切断し、各切断
した透明電極上に切断部近傍に沿って相接した状態で条
状に導電体及び絶縁体を形成した後、導電体，絶縁体及
び各切断した透明電極上にわたって非晶質半導体層，裏
面電極をこの順序に積層形成し、前記導電体，絶縁体上
において、前記非晶質半導体層，裏面電極を溶融切断
し、導電体に相隣する他の光起電力素子の裏面電極を電
気的に接触せしめることを特徴とする光起電力装置の製
造方法。
Priority Applications (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60230552A JPH067599B2 (ja) | 1985-10-15 | 1985-10-15 | 光起電力装置及びその製造方法 |
| US06/891,733 US4726849A (en) | 1985-08-07 | 1986-07-29 | Photovoltaic device and a method of manufacturing thereof |
| CN86105984A CN1007103B (zh) | 1985-08-07 | 1986-08-07 | 光电型器件及其制造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60230552A JPH067599B2 (ja) | 1985-10-15 | 1985-10-15 | 光起電力装置及びその製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6288371A JPS6288371A (ja) | 1987-04-22 |
| JPH067599B2 true JPH067599B2 (ja) | 1994-01-26 |
Family
ID=16909546
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP60230552A Expired - Lifetime JPH067599B2 (ja) | 1985-08-07 | 1985-10-15 | 光起電力装置及びその製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH067599B2 (ja) |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP3599648A1 (en) * | 2018-07-25 | 2020-01-29 | Nederlandse Organisatie voor toegepast- natuurwetenschappelijk onderzoek TNO | Photovoltaic device and method of manufacturing the same |
-
1985
- 1985-10-15 JP JP60230552A patent/JPH067599B2/ja not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS6288371A (ja) | 1987-04-22 |
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