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JPH0666655B2 - ECL integrated circuit - Google Patents

ECL integrated circuit

Info

Publication number
JPH0666655B2
JPH0666655B2 JP62080221A JP8022187A JPH0666655B2 JP H0666655 B2 JPH0666655 B2 JP H0666655B2 JP 62080221 A JP62080221 A JP 62080221A JP 8022187 A JP8022187 A JP 8022187A JP H0666655 B2 JPH0666655 B2 JP H0666655B2
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
transistor
schottky barrier
barrier diode
base
emitter
Prior art date
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Expired - Lifetime
Application number
JP62080221A
Other languages
Japanese (ja)
Other versions
JPS63246023A (en
Inventor
義孝 梅木
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
NEC Corp
Original Assignee
NEC Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by NEC Corp filed Critical NEC Corp
Priority to JP62080221A priority Critical patent/JPH0666655B2/en
Publication of JPS63246023A publication Critical patent/JPS63246023A/en
Publication of JPH0666655B2 publication Critical patent/JPH0666655B2/en
Anticipated expiration legal-status Critical
Expired - Lifetime legal-status Critical Current

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  • Bipolar Integrated Circuits (AREA)
  • Logic Circuits (AREA)

Description

【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明はECL(Emitter Coupled Logic)集積回路に関
し、特にECLにて構成されたセット,リセット付ラッ
チ、及びセット,リセット付マスター・スレーブ型フリ
ップ・フロップに関する。
Description: TECHNICAL FIELD The present invention relates to an ECL (Emitter Coupled Logic) integrated circuit, and more particularly to a set, a latch with reset, and a master / slave flip with set, which are configured by ECL.・ Regarding the flop.

〔従来の技術〕[Conventional technology]

ECLにて論理回路を設計する場合、マスタースライス法
がよく使用される。これはチップ内にセルがアレイ状に
配置されており、1セル内には複数のトランジスタ,抵
抗等が用意されている。そして、トランジスタ,抵抗を
配線接続することにより論理回路が形成される。このと
きLSI内部の論理振幅は600mV程度であり、第1のリファ
レンス電圧VR1は内部論理出力の“H"レベルと“L"レベ
ルとの中間レベルに位置する。ここでECLの高速化の手
段としてシリーズゲート回路を用いることが多く、縦型
2段のシリーズゲート回路としてはラッチ,フリップ・
フロップがよく知られている。従来回路例として第4図
にラッチ、第5図にマスター・スレーブ型フリップ・フ
ロップを示す。〔文献:ザ セミコンダクタ データ
ライブラリー MECL インテグレーテッド サーキット
(THE SEMICONDUCTOR DATA LIBRARY MECL INTEGRA
TED CIRCUITS)1974年3-75モトローラ、MECL インテ
グレーテッド サーキット データ ブック(MECL IN
TEGRATED CIRCUITS DATA BOOK Third Edition)19
73年3-85モトローラ〕これらはともにリセット入力を有
しており、第4図ではトランジスタQ7,抵抗R8,R9、第5
図においてはトランジスタQ14,Q18,Q24,抵抗R21〜R24
挿入することによりリセット機能を実現している。な
お、第2のリファレンス電圧VR2は第1のリファレンス
電圧VR1に対してトランジスタのベース−エミッタ間順
方向電圧(VBE)分低い。
The master slice method is often used when designing a logic circuit with ECL. In this device, cells are arranged in an array in a chip, and a plurality of transistors, resistors, etc. are prepared in one cell. Then, the logic circuit is formed by wiring the transistors and the resistors. At this time, the logic amplitude inside the LSI is about 600 mV, and the first reference voltage VR 1 is located at the intermediate level between the “H” level and the “L” level of the internal logic output. Here, a series gate circuit is often used as a means for speeding up ECL, and a latch, flip,
The flop is well known. As a conventional circuit example, FIG. 4 shows a latch, and FIG. 5 shows a master-slave flip-flop. [Reference: The Semiconductor Data
Library MECL Integrated Circuit (THE SEMICONDUCTOR DATA LIBRARY MECL INTEGRA
TED CIRCUITS) 1974 3-75 Motorola, MECL Integrated Circuit Data Book (MECL IN
TEGRATED CIRCUITS DATA BOOK Third Edition) 19
1973 3-85 Motorola] Both of these have reset inputs. In Fig. 4, transistor Q 7 , resistors R 8 , R 9 and 5
In the figure, the reset function is realized by inserting transistors Q 14 , Q 18 , Q 24 and resistors R 21 to R 24 . The second reference voltage VR 2 is lower than the first reference voltage VR 1 by the base-emitter forward voltage (V BE ) of the transistor.

次に第4図に示す回路の動作について説明する。いま、
CLOCK入力信号が“H"すなわちトランジスタQ8を介して
入力された信号により、定電流源3を含むクロック回路
を構成するトランジスタQ9をオン,トランジスタQ10
オフ状態にした状態で、さらにRESET入力信号が“L"の
時において、トランジスタQ3のベースが“H",トランジ
スタQ4のベースが“L"の場合、トランジスタQ11のエミ
ッタを出力とする出力Qは“H",およびトランジスタQ12
のエミッタを出力とする出力は“L"を示している。こ
こでRESET入力信号が“H"に変化し、トランジスタQ3
ベース電位よりトランジスタQ7のベース電位が高くなる
と出力Q,は反転する。ここでトランジスタQ7のベース
電位,すなわちRESET入力信号にはLSI内部においては出
力Q,と同様な回路構成の出力が印加される。したがっ
てRESET機能が正常に動作するためには、トランジスタQ
3のベースの“H"における電位は、RESET入力信号の“H"
よりも低い必要があり、抵抗R9はトランジスタQ3のベー
ス電位を下げるために挿入されている。またSET入力回
路が存在する場合は抵抗R8が同様の効果を示す。なお、
定常時におけるデータ入力信号はトランジスタQ1のベー
スに入力するものとする。
Next, the operation of the circuit shown in FIG. 4 will be described. Now
The CLOCK input signal is "H" that is, the signal input through the transistor Q 8, turns on the transistor Q 9 constituting a clock circuit including a constant current source 3, the transistor Q 10 in a state of being in an off state, further RESET at the time of the input signal is "L", the base of the transistor Q 3 is "H", if the base of the transistor Q 4 is "L", the output Q and output emitter of the transistor Q 11 "H", and the transistor Q 12
The output with the emitter of is as "L". Here RESET input signal changes to "H", the output Q base potential rises of the transistor Q 7 than the base potential of the transistor Q 3, it is inverted. Here, an output having the same circuit configuration as the output Q in the LSI is applied to the base potential of the transistor Q 7 , that is, the RESET input signal. Therefore, in order for the RESET function to operate normally, the transistor Q
The potential at the “H” level of the base of 3 is the “H” level of the RESET input signal.
Must be lower and resistor R 9 is inserted to reduce the base potential of transistor Q 3 . When the SET input circuit is present, the resistor R 8 has the same effect. In addition,
The data input signal in the stationary state is input to the base of the transistor Q 1 .

第5図においては抵抗R22,R23が第4図における抵抗R9
に相当し、抵抗R21,R24が第4図における抵抗R8に相当
し、同様な動作をする。
In FIG. 5, resistors R 22 and R 23 are resistors R 9 in FIG.
And the resistors R 21 and R 24 correspond to the resistor R 8 in FIG. 4 and perform the same operation.

〔発明が解決しようとする問題点〕[Problems to be solved by the invention]

しかしながら、上述した従来のリセットもしくはセット
付ラッチ,フリップ・フロップをマスタースライス方式
にてLSIにて実現するには以下のような欠点を有してい
る。
However, there are the following drawbacks in realizing the conventional reset or set-equipped latches and flip-flops described above in an LSI by the master slice method.

リセット,セット機能付ラッチ,フリップ・フロップを
構成する上で従来回路では抵抗R8,R9,R21〜R24が必須で
あり、これらの抵抗の両端に生じる電位差を利用して論
理動作を得ている。ところが上記抵抗は他の抵抗と比べ
て非常に小さな値を必要とし、かつ他の抵抗との比精度
も要求される。この条件を満足させる上で抵抗形式に要
する面積は無視できず、セルサイズ,ひいてはチップ面
積の増大を招いてしまう。さらに、上記抵抗は回路動作
上以下の問題を有している。たとえば抵抗R9の両端に生
じる電位差、いいかえれば、抵抗R9を流れる電流は回路
動作上一定である必要がある。仮に抵抗R9と抵抗R6の比
精度が保たれていても、低位側電源2の電源電圧変動、
及びトランジスタQ3のベース電流の変動を伴ない抵抗R9
を流れる電流も変動する。すなわち抵抗R9の両端の電位
差は抵抗R6との比精度の他に、電源2の電源変動および
トランジスタQ3のhFE変動による影響も大きい。他の抵
抗R8,R21〜R24も同様であり、安定したた動作を保証す
るには問題があった。
The resistors R 8 , R 9 , and R 21 to R 24 are indispensable in the conventional circuit for configuring the reset, the latch with the set function, and the flip-flop, and the logical operation is performed by using the potential difference generated between both ends of these resistors. It has gained. However, the above resistance requires a very small value as compared with other resistances, and is required to have a relative accuracy with other resistances. In order to satisfy this condition, the area required for the resistance type cannot be ignored, and the cell size and eventually the chip area are increased. Further, the above resistor has the following problems in circuit operation. For example, the potential difference across the resistor R 9 , in other words, the current flowing through the resistor R 9 needs to be constant in terms of circuit operation. Even if the ratio accuracy of the resistors R 9 and R 6 is maintained, fluctuations in the power supply voltage of the low-potential side power supply 2,
And In conjunction with variations in the base current of the transistor Q 3 resistor R 9
The current flowing through the gate also fluctuates. That is, the potential difference between both ends of the resistor R 9 is greatly influenced by the power source fluctuation of the power source 2 and the h FE fluctuation of the transistor Q 3 in addition to the ratio accuracy with the resistor R 6 . The same applies to the other resistors R 8 and R 21 to R 24 , and there was a problem in ensuring stable operation.

本発明はこのような従来回路の欠点に鑑みてなされたも
ので、従来のセット,リセット付ラッチ,フリップ・フ
ロップにて挿入されている抵抗に対し、抵抗のかわりに
ショットキー・バリアー・ダイオードを挿入することに
より、セルサイズ,ひいてはチップ面積の縮少がはから
れるとともに、電源電圧,トランジスタのhFEの変動に
対しても影響が少なく、安定した回路動作をするECL集
積回路を提供できるという独創的内容を有する。
The present invention has been made in view of such drawbacks of the conventional circuit, and a Schottky barrier diode is used in place of the resistor in place of the resistor inserted in the conventional set / reset latch and flip-flop. By inserting it, it is possible to provide an ECL integrated circuit that reduces the cell size and, in turn, the chip area, has little effect on fluctuations in the power supply voltage and h FE of the transistor, and operates stably. It has original content.

〔問題点を解決するための手段〕[Means for solving problems]

本発明のECL集積回路は、エミッタが共通接続された第
1および第2のそれぞれのトランジスタとエミッタが共
通接続された第3および第4のそれぞれのトランジスタ
と前記第1のトランジスタのコレクタおよび前記第3の
トランジスタのコレクタにベースが接続され前記第4の
トランジスタのベースにエミッタが接続された第5のト
ランジスタと前記第2のトランジスタのコレクタおよび
前記第4のトランジスタのコレクタにベースが接続され
前記第3のトランジスタのベースにエミッタが接続され
た第6のトランジスタと前記第1および第3のトランジ
スタのコレクタのそれぞれに一方が接続され高位側電源
端子に他方が接続された第1の負荷抵抗と前記第2およ
び第4のトランジスタのコレクタのそれぞれに一方が接
続され前記高位側電源端子に他方が接続された第2の負
荷抵抗とを有するラッチ回路と、クロック信号の相補出
力のそれぞれが前記第1および第2のトランジスタのエ
ミッタのそれぞれならびに前記第3および第4のトラン
ジスタのエミッタのそれぞれに接続されたクロック回路
と、前記第3および第4のトランジスタのエミッタのそ
れぞれにエミッタが接続され前記第2または第4のトラ
ンジスタのコレクタのそれぞれにコレクタが接続され前
記ラッチ回路の出力を強制的にセット(リセット)する
セット(リセット)入力信号をベースに受ける第7のト
ラジスタとを備えるフリップ・フロップ回路を含むECL
集積回路において、前記第1の抵抗、前記第5のトラン
ジスタのベースおよび前記第5のトランジスタのエミッ
タよりなる直列回路に第1のショットキー・バリアー・
ダイオードを直列に挿入し、前記第2の抵抗、前記第6
のトランジスタのベースおよび前記第6のトランジスタ
のエミッタよりなる直列回路に第2のショットキー・バ
リアー・ダイオードを直列に挿入する構成である。
The ECL integrated circuit according to the present invention includes first and second transistors having emitters commonly connected, third and fourth transistors having emitters commonly connected, collectors of the first transistor, and the first transistor. A fifth transistor having a base connected to the collector of the third transistor and an emitter connected to the base of the fourth transistor; a collector connected to the second transistor; and a base connected to the collector of the fourth transistor; A third transistor having an emitter connected to the base of the third transistor and a first load resistor having one connected to each of the collectors of the first and third transistors and the other connected to a high-potential side power supply terminal; One is connected to each of the collectors of the second and fourth transistors, and A latch circuit having a second load resistor having the other connected to a terminal, and complementary outputs of the clock signal respectively having emitters of the first and second transistors and emitters of the third and fourth transistors. And a clock circuit connected to each of the third and fourth transistors, an emitter is connected to each of the emitters of the third and fourth transistors, and a collector is connected to each of the collectors of the second or fourth transistors to output the output of the latch circuit. An ECL including a flip-flop circuit having a seventh transistor for receiving a set (reset) input signal forcibly set (reset)
In the integrated circuit, a first Schottky barrier is connected to a series circuit including the first resistor, the base of the fifth transistor and the emitter of the fifth transistor.
A diode is inserted in series, and the second resistor and the sixth resistor are connected.
The second Schottky barrier diode is inserted in series in the series circuit including the base of the transistor and the emitter of the sixth transistor.

また、本発明のECL集積回路は、前記第1のショットキ
ー・バリアー・ダイオードを前記第5のトランジスタの
エミッタと前記第4のトランジスタのベースとの間に挿
入し、前記第2のショットキー・バリアー・ダイオード
を前記第6のトランジスタのエミッタと前記第3のトラ
ンジスタのベースとの間に挿入する構成とすることもで
きる。さらにまた、本発明のECL集積回路は、前記第1
のショットキー・バリアー・ダイオードを前記第5のト
ランジスタのベースと前記第1の負荷抵抗との間に挿入
し、前記第2のショットキー・バリアー・ダイオードを
前記第6のトランジスタのベースと前記第2の負荷抵抗
との間に挿入する構成とすることもできる。
In the ECL integrated circuit of the present invention, the first Schottky barrier diode is inserted between the emitter of the fifth transistor and the base of the fourth transistor, and the second Schottky barrier diode is inserted. A barrier diode may be inserted between the emitter of the sixth transistor and the base of the third transistor. Furthermore, the ECL integrated circuit of the present invention is the first
A Schottky barrier diode is inserted between the base of the fifth transistor and the first load resistor, and the second Schottky barrier diode is connected to the base of the sixth transistor and the sixth load transistor. It may be configured to be inserted between two load resistors.

〔実施例〕〔Example〕

以下に、本発明について図面を参照して説明する。 The present invention will be described below with reference to the drawings.

第1図は本発明を適用したECL集積回路の一実施例を示
す回路接続図である。第4図における従来回路において
は抵抗R8,R9が挿入接続されていたのに対し、本実施例
ではショットキー・バリアー・ダイオードD1,D2が図の
如く挿入接続されている。
FIG. 1 is a circuit connection diagram showing an embodiment of an ECL integrated circuit to which the present invention is applied. While the resistors R 8 and R 9 are inserted and connected in the conventional circuit shown in FIG. 4, the Schottky barrier diodes D 1 and D 2 are inserted and connected in this embodiment as shown in the figure.

第1図に示す本発明の実施例のECL集積回路の動作は基
本的に前述した第4図における従来回路と同一であり、
ショットキー・バリアー・ダイオードD1,D2の作用も抵
抗R8,R9と同様である。すなわちトランジスタQ3のベー
スの“H"における電位は、ショットキー・バリアー・ダ
イオードD2の両端の電位差分だけRESET入力信号の“H"
より低くなる。このときショットキー・バリアー・ダイ
オードの順方向電圧Vは約300mVであり、LSI内部の論
理振幅を600mVとすれば、トランジスタQ3のベースの
“H"レベルは、ほぼ第1のリファレンス電圧VR1と等し
くなるので、RESET機能は正常に動作する。
The operation of the ECL integrated circuit of the embodiment of the present invention shown in FIG. 1 is basically the same as that of the conventional circuit shown in FIG.
The functions of the Schottky barrier diodes D 1 and D 2 are the same as those of the resistors R 8 and R 9 . That is, the potential at "H" of the base of the transistor Q 3 is "H" of the RESET input signal by the potential difference between both ends of the Schottky barrier diode D 2.
Will be lower. Forward voltage V F of this time Schottky barrier diode is about 300 mV, if the logical amplitude of the LSI and 600 mV, based "H" level of the transistor Q 3 are approximately the first reference voltage VR Since it is equal to 1 , the RESET function operates normally.

ここで第4図における抵抗R9両端の電位差は、抵抗R6
の比精度,電源2の電源変動およびトランジスタQ3のベ
ース電流変動による影響が大きいことは前述したが、本
実施例におけるショットキー・バリアー・ダイオードD2
ではこれらの変動による影響は極めて小さい。なぜなら
ば、上記変動に伴ないショットキー・バリアー・ダイオ
ードD2を流れる電流が仮に1.5倍になったとしてもショ
ットキー・バリアー・ダイオードD2両側の電位差は10mV
しか増加しない。したがって上記変動に対しても安定し
た回路動作が得られる。さらに、ショットキー・バリア
ー・ダイオードD2は第4図における抵抗R9に対して素子
面積を小さくできるのでセルサイズ,チップ面積の縮少
がはかられる。なお、SET機能を実現するにはトランジ
スタQ7に相当するトランジスタをトランジスタQ3に並列
に接続すれば良い。
As described above, the potential difference across the resistor R 9 in FIG. 4 is greatly affected by the relative accuracy with the resistor R 6 , the power source fluctuation of the power source 2 and the base current fluctuation of the transistor Q 3 , but the shot in this embodiment. Key barrier diode D 2
Then, the effect of these fluctuations is extremely small. This is because even if the current flowing through the Schottky barrier diode D 2 increases 1.5 times due to the above fluctuation, the potential difference across the Schottky barrier diode D 2 is 10 mV.
Only increase. Therefore, a stable circuit operation can be obtained even with the above fluctuation. Furthermore, since the Schottky barrier diode D 2 can reduce the element area with respect to the resistor R 9 in FIG. 4, the cell size and the chip area can be reduced. To realize the SET function, a transistor corresponding to the transistor Q 7 may be connected in parallel with the transistor Q 3 .

第2図は本発明の第2の実施例を示す回路接続図であ
る。トランジスタQ6のベースと抵抗R2間にショットキー
・バリアー・ダイオードD2が図の如く挿入され、またト
ランジスタQ5のベースと抵抗R1間にショットキー・バリ
アー・ダイオードD1が図の如く挿入されている。第2図
は第1図と同じくリセット付ラッチである。抵抗R2へ流
れる電流が第1図の抵抗R2に流れる電流と同じであるの
で、ショットキー・バリアー・ダイオードD2はトランジ
スタQ3のベース電位を下げることになる。またセット付
ラッチの場合はショットキー・バリアー・ダイオードD1
がトランジスタQ4のベース電位を下げる。
FIG. 2 is a circuit connection diagram showing a second embodiment of the present invention. The Schottky barrier diode D 2 is inserted between the base of the transistor Q 6 and the resistor R 2 as shown in the figure, and the Schottky barrier diode D 1 is inserted between the base of the transistor Q 5 and the resistor R 1 as shown in the figure. Has been inserted. FIG. 2 shows a latch with reset as in FIG. The current flowing through the resistor R 2 is the same as the current flowing through the resistor R 2 of Figure 1, a Schottky barrier diode D 2 will be lowered base potential of the transistor Q 3. Schottky barrier diode D 1 for latch with set
Lowers the base potential of transistor Q 4 .

第3図は本発明の第3の実施例を示す回路接続図であ
り、第5図における抵抗R21〜R24のかわりにショットキ
ー・バリアー・ダイオードD3〜D6が挿入されている。
Figure 3 is a circuit connection diagram showing a third embodiment of the present invention, Schottky barrier diode D 3 to D 6 in place of the resistor R 21 to R 24 in FIG. 5 is inserted.

第2図及び第3図の実施例にて挿入されているショット
キー・バリアー・ダイオードの機能,効果においては、
第1図の実施例と同様であることにかわりはない。
Regarding the functions and effects of the Schottky barrier diode inserted in the embodiments of FIGS. 2 and 3,
It is the same as the embodiment shown in FIG.

〔発明の効果〕〔The invention's effect〕

以上説明したように本発明では、従来のセット,リセッ
ト付ラッチ,フリップ・フロップにて挿入されている抵
抗に対し、抵抗のかわりにショットキー・バリアー・ダ
イオードを挿入することにより、セルサイズ,ひいては
チップ面積の縮少がはかれるとともに、電源電圧,トラ
ンジスタのhFEの変動に対しても影響が少なく、安定し
た回路動作をするECL集積回路を提供できるという効果
がある。
As described above, according to the present invention, by inserting a Schottky barrier diode instead of the resistor in the conventional resistor inserted in the set / reset latch and the flip-flop, the cell size, and by extension, the The chip area can be reduced, and there is little effect on fluctuations in the power supply voltage and the h FE of the transistor, and there is an effect that an ECL integrated circuit that operates stably can be provided.

【図面の簡単な説明】[Brief description of drawings]

第1図は本発明にかかわるECL集積回路の一実施例を示
すラッチ回路の回路接続図、第2図は本発明の他の実施
例を示すラッチ回路の回路接続図、第3図は本発明の他
の実施例を示すフリップ・フロップ回路の回路接続図、
第4図は従来のラッチ回路の回路接続図、第5図は従来
のフリップ・フロップ回路の回路接続図である。 図中、1……高位側電源VCC、2……低位側電源VEE
3……定電流源、CLOCK……クロック入力端子、DATA…
…データ入力端子、RESET……リセット入力端子、Q,
……出力、Q1〜Q34……トランジスタ、R1〜R24……抵
抗、D1〜D6……ショットキー・バリアー・ダイオード、
R1……第1のリファレンス電圧、VR2……第2のリフ
ァレンス電圧。
FIG. 1 is a circuit connection diagram of a latch circuit showing an embodiment of an ECL integrated circuit according to the present invention, FIG. 2 is a circuit connection diagram of a latch circuit showing another embodiment of the present invention, and FIG. Circuit connection diagram of a flip-flop circuit showing another embodiment of
FIG. 4 is a circuit connection diagram of a conventional latch circuit, and FIG. 5 is a circuit connection diagram of a conventional flip-flop circuit. In the figure, 1 ... High-side power supply V CC , 2 ... Low-side power supply V EE ,
3 ... Constant current source, CLOCK ... Clock input terminal, DATA ...
… Data input terminal, RESET …… Reset input terminal, Q,
...... Output, Q 1 to Q 34 …… Transistor, R 1 to R 24 …… Resistance, D 1 to D 6 …… Schottky barrier diode,
VR1 ... 1st reference voltage, VR2 ... 2nd reference voltage.

Claims (3)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項1】エミッタが共通接続された第1および第2
のそれぞれのトランジスタとエミッタが共通接続された
第3および第4のそれぞれのトランジスタと前記第1の
トランジスタのコレクタおよび前記第3のトランジスタ
のコレクタにベースが接続され前記第4のトランジスタ
のベースにエミッタが接続された第5のトランジスタと
前記第2のトランジスタのコレクタおよび前記第4のト
ランジスタのコレクタにベースが接続され前記第3のト
ランジスタのベースにエミッタが接続された第6のトラ
ンジスタと前記第1および第3のトランジスタのコレク
タのそれぞれに一方が接続され高位側電源端子に他方が
接続された第1の負荷抵抗と前記第2および第4のトラ
ンジスタのコレクタのそれぞれに一方が接続され前記高
位側電源端子に他方が接続された第2の負荷抵抗とを有
するラッチ回路と、クロック信号の相補出力のそれぞれ
が前記第1および第2のトランジスタのエミッタのそれ
ぞれならびに前記第3および第4のトランジスタのエミ
ッタのそれぞれに接続されたクロック回路と、前記第3
および第4のトランジスタのエミッタのそれぞれにエミ
ッタが接続され前記第2または第4のトランジスタのコ
レクタのそれぞれにコレクタが接続され前記ラッチ回路
の出力を強制的にセット(リセット)するセット(リセ
ット)入力信号をベースに受ける第7のトラジスタとを
備えるフリップ・フロップ回路を含むECL集積回路にお
いて、前記第1の負荷抵抗、前記第5のトランジスタの
ベースおよび前記第5のトランジスタのエミッタよりな
る直列回路に第1のショットキー・バリアー・ダイオー
ドを直列に挿入し、前記第2の負荷抵抗、前記第6のト
ランジスタのベースおよび前記第6のトランジスタのエ
ミッタよりなる直列回路に第2のショットキー・バリア
ー・ダイオードを直列に挿入することを特徴とするECL
集積回路。
1. A first and a second emitter whose emitters are commonly connected.
Of the third and fourth transistors whose emitters are commonly connected to the collectors of the first transistor and the bases of the collectors of the third transistor and the emitters of the bases of the fourth transistor. A fifth transistor and a sixth transistor having bases connected to collectors of the second transistor and collector of the fourth transistor and emitters connected to bases of the third transistor and the first transistor, respectively. And a first load resistor, one of which is connected to each of the collectors of the third transistor and the other of which is connected to the high potential side power supply terminal, and one of which is connected to each of the collectors of the second and fourth transistors, the high potential side A latch circuit having a second load resistor having the other connected to a power supply terminal; A clock circuit connected to the emitters of each respective complementary output of the clock signal of the emitter of said first and second transistors and said third and fourth transistors, the third
And a set input for forcibly setting (resetting) the output of the latch circuit by connecting the emitter to the emitter of the fourth transistor and connecting the collector to the collector of the second or fourth transistor, respectively. In a ECL integrated circuit including a flip-flop circuit having a seventh transistor for receiving a signal at its base, a series circuit including a first load resistor, a base of the fifth transistor and an emitter of the fifth transistor is provided. A first Schottky barrier diode is inserted in series, and a second Schottky barrier diode is provided in a series circuit including the second load resistor, the base of the sixth transistor and the emitter of the sixth transistor. ECL characterized by inserting diodes in series
Integrated circuit.
【請求項2】前記第1のショットキー・バリアー・ダイ
オードを前記第5のトランジスタのエミッタと前記第4
のトランジスタのベースとの間に挿入し、前記第2のシ
ョットキー・バリアー・ダイオードを前記第6のトラン
ジスタのエミッタと前記第3のトランジスタのベースと
の間に挿入することを特徴とする特許請求の範囲第1項
記載のECL集積回路。
2. The first Schottky barrier diode is connected to the emitter of the fifth transistor and the fourth Schottky barrier diode.
The second Schottky barrier diode is inserted between the base of the transistor and the second Schottky barrier diode between the emitter of the sixth transistor and the base of the third transistor. The ECL integrated circuit according to claim 1.
【請求項3】前記第1のショットキー・バリアー・ダイ
オードを前記第5のトランジスタのベースと前記第1の
負荷抵抗との間に挿入し、前記第2のショットキー・バ
リアー・ダイオードを前記第6のトランジスタのベース
と前記第2の負荷抵抗との間に挿入することを特徴とす
る特許請求の範囲第1項記載のECL集積回路。
3. The first Schottky barrier diode is inserted between the base of the fifth transistor and the first load resistor, and the second Schottky barrier diode is inserted into the second Schottky barrier diode. The ECL integrated circuit according to claim 1, wherein the ECL integrated circuit is inserted between the base of the transistor No. 6 and the second load resistor.
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