JPH0658927B2 - 半導体薄膜の分析方法および分析用試料の回収装置 - Google Patents
半導体薄膜の分析方法および分析用試料の回収装置Info
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- JPH0658927B2 JPH0658927B2 JP58176503A JP17650383A JPH0658927B2 JP H0658927 B2 JPH0658927 B2 JP H0658927B2 JP 58176503 A JP58176503 A JP 58176503A JP 17650383 A JP17650383 A JP 17650383A JP H0658927 B2 JPH0658927 B2 JP H0658927B2
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- G01N21/71—Systems in which the material investigated is excited whereby it emits light or causes a change in wavelength of the incident light thermally excited
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- G01N1/28—Preparing specimens for investigation including physical details of (bio-)chemical methods covered elsewhere, e.g. G01N33/50, C12Q
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Description
【発明の詳細な説明】 ［発明の技術分野］ 本発明は半導体薄膜の分析方法および分析用試料の回収
装置に関し、さらに詳しくは、半導体薄膜中の超微量不
純物分析用の試料を調製するための半導体薄膜の分析方
法および分析用試料の回収装置に関するものである。
装置に関し、さらに詳しくは、半導体薄膜中の超微量不
純物分析用の試料を調製するための半導体薄膜の分析方
法および分析用試料の回収装置に関するものである。
［発明の技術的背景とその問題点］ ＳｉＯ２膜やＳｉ３Ｎ４膜などの半導体薄膜は、シリコ
ン半導体素子におけるドープ材部分拡散マスクや金属蒸
着膜の保護膜として使用されているが、この薄膜中にＮ
ａ，Ｋ，Ｆｅなどの不純物が存在すると、たとえその量
が超微量であっても、素子の電気特性は大きな影響を受
ける。このため、超ＬＳＩ素子等の素子の性能を高める
ためには、これらの不純物の含有量を出来得る限り低く
抑える必要があるが、この目的を達成するためには、半
導体薄膜中のかかる不純物の濃度を正確に測定する必要
がある。
ン半導体素子におけるドープ材部分拡散マスクや金属蒸
着膜の保護膜として使用されているが、この薄膜中にＮ
ａ，Ｋ，Ｆｅなどの不純物が存在すると、たとえその量
が超微量であっても、素子の電気特性は大きな影響を受
ける。このため、超ＬＳＩ素子等の素子の性能を高める
ためには、これらの不純物の含有量を出来得る限り低く
抑える必要があるが、この目的を達成するためには、半
導体薄膜中のかかる不純物の濃度を正確に測定する必要
がある。
半導体薄膜中の不純物量を測定するためには、従来、フ
レームレス原子吸光分析装置が使用されているが、この
分析装置にかける試料の調製には大きな問題点が存在す
る。
レームレス原子吸光分析装置が使用されているが、この
分析装置にかける試料の調製には大きな問題点が存在す
る。
従来の試料調製法は、半導体薄膜を弗化水素酸（弗酸）
と硫酸との混合溶液で直接分解した後、得られた分解液
を蒸発乾固して残渣を得、これを純水を用いて一定容量
に希釈することによって、フレームレス原子吸光分析用
の試料を得る方法であった。しかしながら、この従来法
によるときには、半導体薄膜を分解するために使用する
試薬からの汚染が極めて大きく、たとえ非沸騰蒸留法や
イオン交換法で精製した試薬を用いた場合でも、これら
の試薬がすでに０．１ppb以上の不純物（Ｎａ，Ｋな
ど）を含有しているため、１０−１０ｇ／cm2以下の薄
膜中不純物の量を、フレームレス原子吸光分析装置を用
いて、正確に測定することは極めて困難なことである。
と硫酸との混合溶液で直接分解した後、得られた分解液
を蒸発乾固して残渣を得、これを純水を用いて一定容量
に希釈することによって、フレームレス原子吸光分析用
の試料を得る方法であった。しかしながら、この従来法
によるときには、半導体薄膜を分解するために使用する
試薬からの汚染が極めて大きく、たとえ非沸騰蒸留法や
イオン交換法で精製した試薬を用いた場合でも、これら
の試薬がすでに０．１ppb以上の不純物（Ｎａ，Ｋな
ど）を含有しているため、１０−１０ｇ／cm2以下の薄
膜中不純物の量を、フレームレス原子吸光分析装置を用
いて、正確に測定することは極めて困難なことである。
［発明の目的］ 本発明はかかる従来技術の問題点を解消することを目的
とする。すなわち、本発明は、分解試薬や環境からの汚
染がほとんどない半導体薄膜の分析方法および分析用試
料の回収装置を提供することを目的とする。
とする。すなわち、本発明は、分解試薬や環境からの汚
染がほとんどない半導体薄膜の分析方法および分析用試
料の回収装置を提供することを目的とする。
［発明の概要］ 本発明の半導体薄膜分析方法は、半導体薄膜を常温に
て、弗化水素酸ガスを用いて分解し分析用試料を回収す
る装置を用いる方法であるが、その特徴は、密閉容器；
該密閉容器内に設けられた弗化水素ガス発生用弗化水素
酸貯蔵用容器；該密閉容器内に設けられた半導体薄膜試
料保持手段；及び該密閉容器内下部に設けられた半導体
薄膜の分解液を受容するための分解液受容器からなり、
かつこれらが四弗化エチレン系樹脂で構成されたことで
ある。
て、弗化水素酸ガスを用いて分解し分析用試料を回収す
る装置を用いる方法であるが、その特徴は、密閉容器；
該密閉容器内に設けられた弗化水素ガス発生用弗化水素
酸貯蔵用容器；該密閉容器内に設けられた半導体薄膜試
料保持手段；及び該密閉容器内下部に設けられた半導体
薄膜の分解液を受容するための分解液受容器からなり、
かつこれらが四弗化エチレン系樹脂で構成されたことで
ある。
本発明装置を構成する弗化水素酸貯蔵容器は、一定量の
弗化水素酸を貯蔵し、そこから、弗化水素ガスを効率よ
く発生蒸発せしめ得るものであればいかなるものであっ
てもよい。半導体薄膜保持手段は、分解されるべき半導
体薄膜の端を保持し、そこに、前記貯蔵容器からの弗化
水素ガスが接触して半導体薄膜の分解が行なわれ得るよ
うな位置関係で該密閉容器内に設けられたものである。
薄膜保持手段は、一個の薄膜試料（例えば、薄膜のつい
た試料ウェハー）を保持するだけのものでもよく、複数
個の薄膜試料を保持するものであってもよい。ここで
「保持」するとは、固定するという概念を含むが、単に
立て掛けておくだけの動作をも含むものとする。複数個
の薄膜試料を保持し、これを同時分解するためには、各
試料を隔てる間仕切りを設けることが好ましく、これに
対応して分解液受容器も複数の薄膜試料に対応した分解
液を受容することができるよう間仕切りが設けられてい
ることが好ましい。
弗化水素酸を貯蔵し、そこから、弗化水素ガスを効率よ
く発生蒸発せしめ得るものであればいかなるものであっ
てもよい。半導体薄膜保持手段は、分解されるべき半導
体薄膜の端を保持し、そこに、前記貯蔵容器からの弗化
水素ガスが接触して半導体薄膜の分解が行なわれ得るよ
うな位置関係で該密閉容器内に設けられたものである。
薄膜保持手段は、一個の薄膜試料（例えば、薄膜のつい
た試料ウェハー）を保持するだけのものでもよく、複数
個の薄膜試料を保持するものであってもよい。ここで
「保持」するとは、固定するという概念を含むが、単に
立て掛けておくだけの動作をも含むものとする。複数個
の薄膜試料を保持し、これを同時分解するためには、各
試料を隔てる間仕切りを設けることが好ましく、これに
対応して分解液受容器も複数の薄膜試料に対応した分解
液を受容することができるよう間仕切りが設けられてい
ることが好ましい。
本発明の装置を構成する部材の材質には、それが、測定
を目的とする半導体薄膜試料中の不純物の正確な測定を
直接的にも間接的にも妨害しないものが必要であり、分
解用ガスが弗化水素ガスであることから四弗化エチレン
系樹脂を用いる。四弗化エチレン系樹脂（例えばテフロ
ン：Ｄｕｐｏｎｔ社商標）は、耐酸性及び耐熱性が優れ
ているうえに、弗化水素酸、硝酸、塩酸などの混酸によ
る洗浄によって不純物を容易に除去することができ、か
かる洗浄を終えたものからの不純物の溶出が極めて少な
く、本発明の目的にかなった材質である。
を目的とする半導体薄膜試料中の不純物の正確な測定を
直接的にも間接的にも妨害しないものが必要であり、分
解用ガスが弗化水素ガスであることから四弗化エチレン
系樹脂を用いる。四弗化エチレン系樹脂（例えばテフロ
ン：Ｄｕｐｏｎｔ社商標）は、耐酸性及び耐熱性が優れ
ているうえに、弗化水素酸、硝酸、塩酸などの混酸によ
る洗浄によって不純物を容易に除去することができ、か
かる洗浄を終えたものからの不純物の溶出が極めて少な
く、本発明の目的にかなった材質である。
次に、添付した図面に基づいて本発明をさらに具体的に
説明する。添付の第１図は、本発明装置の一実施例の縦
断面概略図であるが、図面からも明らかなように、密閉
容器１、弗化水素酸受容器（弗化水素蒸発用ビーカ）
２、薄膜支持具（ウェハーキャリア）３及び分解液受容
器（受皿）４から構成されており、ウェハーキャリア３
はキャリア保持台５と共に薄膜試料保持手段を構成す
る。分解液受容器４中には、間仕切りを設けてもよく、
複数の薄膜試料からの分解液が混り合うことを防止し
て、複数の別個の試料分解溶液を同時に得ることができ
る。装置の材質はすべてテフロン（Ｄｕｐｏｎｔ社商
標）で、使用前に弗化水素酸、硝酸、塩酸の混酸溶液で
加熱洗浄した後純水ですすぐ、ＳｉＯ２またはＳｉ３Ｎ
４薄膜７のついた試料ウェハー８をウェハーキャリア３
に立てかけておき、弗化水素酸６を蒸発用ビーカ２に入
れて常温で所定時間放置する。（この場合、放置時間
は、分解が完了してから、３００分間程度超過しても、
分析感度や精度に影響はほとんどない。なお、放置温度
は２０〜３５℃程度にあることが望ましい。）キャリア
カバー１０は、密閉容器１の上蓋下面から液滴がウェハ
キャリアー内に落下したり、ハンドリング中にゴミがウ
ェハキャリアー内に落下したりして、試料およびその分
解溶液が汚染することを防止するために、取付けてもよ
い。薄膜は発生する弗化水素ガスによって完全に分解
し、分解液は大部分分解液受皿に落下する（なお分解速
度は薄膜の種頼や厚さなどによって異なり、弗酸（５０
％）、１００ml、温度３０℃、密閉容器の空間体積約１
６０００cm2、膜厚１００００Åでの分解所要時間は第
２図に示すように、熱酸化ＳｉＯ２膜：３１分、ＬＰＣ
ＶＤ−ＳｉＯ２膜：２９分、プラズマＣＶＤ−Ｓｉ３Ｎ
４膜：４７分、ＬＰＣＶＤ−Ｓｉ３Ｎ４膜：１０８分で
あった。）。その分解液をマイクロピペットで回収し撹
拌し計量した後、蒸発乾固による分離濃縮を行なうこと
なく直接フレームレス原子吸光分析装置で測定する。
説明する。添付の第１図は、本発明装置の一実施例の縦
断面概略図であるが、図面からも明らかなように、密閉
容器１、弗化水素酸受容器（弗化水素蒸発用ビーカ）
２、薄膜支持具（ウェハーキャリア）３及び分解液受容
器（受皿）４から構成されており、ウェハーキャリア３
はキャリア保持台５と共に薄膜試料保持手段を構成す
る。分解液受容器４中には、間仕切りを設けてもよく、
複数の薄膜試料からの分解液が混り合うことを防止し
て、複数の別個の試料分解溶液を同時に得ることができ
る。装置の材質はすべてテフロン（Ｄｕｐｏｎｔ社商
標）で、使用前に弗化水素酸、硝酸、塩酸の混酸溶液で
加熱洗浄した後純水ですすぐ、ＳｉＯ２またはＳｉ３Ｎ
４薄膜７のついた試料ウェハー８をウェハーキャリア３
に立てかけておき、弗化水素酸６を蒸発用ビーカ２に入
れて常温で所定時間放置する。（この場合、放置時間
は、分解が完了してから、３００分間程度超過しても、
分析感度や精度に影響はほとんどない。なお、放置温度
は２０〜３５℃程度にあることが望ましい。）キャリア
カバー１０は、密閉容器１の上蓋下面から液滴がウェハ
キャリアー内に落下したり、ハンドリング中にゴミがウ
ェハキャリアー内に落下したりして、試料およびその分
解溶液が汚染することを防止するために、取付けてもよ
い。薄膜は発生する弗化水素ガスによって完全に分解
し、分解液は大部分分解液受皿に落下する（なお分解速
度は薄膜の種頼や厚さなどによって異なり、弗酸（５０
％）、１００ml、温度３０℃、密閉容器の空間体積約１
６０００cm2、膜厚１００００Åでの分解所要時間は第
２図に示すように、熱酸化ＳｉＯ２膜：３１分、ＬＰＣ
ＶＤ−ＳｉＯ２膜：２９分、プラズマＣＶＤ−Ｓｉ３Ｎ
４膜：４７分、ＬＰＣＶＤ−Ｓｉ３Ｎ４膜：１０８分で
あった。）。その分解液をマイクロピペットで回収し撹
拌し計量した後、蒸発乾固による分離濃縮を行なうこと
なく直接フレームレス原子吸光分析装置で測定する。
このように直接酸分解することなく、弗化水素ガスを用
いて分解処理を行なうため、非常に高精度の検出が可能
となる。この弗化水素ガスは、弗化水素の蒸発ガスを用
いるため、たとえ溶液中に不純物が含まれていたとして
も、蒸発ガス中では極めて不純物量は少ない。従って回
収される試料用の溶液中の不純物量も少なくなるのであ
る。加熱して蒸発を行なうと、不純物も蒸発しやすくな
り、弗化水素ガス中の不純物量が増えてしまう可能性が
あるため、蒸発は２０〜３５℃程度の常温で行なうこと
が好ましい。
いて分解処理を行なうため、非常に高精度の検出が可能
となる。この弗化水素ガスは、弗化水素の蒸発ガスを用
いるため、たとえ溶液中に不純物が含まれていたとして
も、蒸発ガス中では極めて不純物量は少ない。従って回
収される試料用の溶液中の不純物量も少なくなるのであ
る。加熱して蒸発を行なうと、不純物も蒸発しやすくな
り、弗化水素ガス中の不純物量が増えてしまう可能性が
あるため、蒸発は２０〜３５℃程度の常温で行なうこと
が好ましい。
［発明の実施例］ 以下、実施例により、本発明をさらに詳細に説明する。
実施例１ Ｓｉウェハーに熱酸化法で作製したＳｉＯ２膜（２３２
Å）中の不純物を、本発明の装置を用いて分解しフレー
ムレス原子吸光分析装置で調べた。
Å）中の不純物を、本発明の装置を用いて分解しフレー
ムレス原子吸光分析装置で調べた。
分解及び測定条件 薄膜の分解条件……弗化水素酸（５０％）：１００m
l、温度：３０℃、密閉容器の空間体積：約１６０００c
m2、分解放置時間：６０分、 フレームレス原子吸光分析装置の測定条件……乾燥：
１２０℃で３０秒、灰化：所定温度（Ｎａ：６００℃，
Ｋ：７００℃，ＦｅとＣｒ：１０００℃）で３０秒、原
子化：所定温度（Ｎａ：２５００℃，Ｋ：２７００℃，
ＦｅとＣｒ：２８００℃）で８秒、キャリアガス：アル
ゴン１００ml／分、ただし原子化時だけは０ml／分、測
定波長：Ｎａ５８９．０nm，Ｋ７６６．５nm，Ｆｅ２４
８．３nm，Ｃｒ３５９．４nm，妨害吸収補正用光源：Ｎ
ａやＫの分析時にはハロゲンタングステンランプ、Ｆｅ
やＣｒの分析時には重水素ランプを使用。
l、温度：３０℃、密閉容器の空間体積：約１６０００c
m2、分解放置時間：６０分、 フレームレス原子吸光分析装置の測定条件……乾燥：
１２０℃で３０秒、灰化：所定温度（Ｎａ：６００℃，
Ｋ：７００℃，ＦｅとＣｒ：１０００℃）で３０秒、原
子化：所定温度（Ｎａ：２５００℃，Ｋ：２７００℃，
ＦｅとＣｒ：２８００℃）で８秒、キャリアガス：アル
ゴン１００ml／分、ただし原子化時だけは０ml／分、測
定波長：Ｎａ５８９．０nm，Ｋ７６６．５nm，Ｆｅ２４
８．３nm，Ｃｒ３５９．４nm，妨害吸収補正用光源：Ｎ
ａやＫの分析時にはハロゲンタングステンランプ、Ｆｅ
やＣｒの分析時には重水素ランプを使用。
上記の条件でＮａ：４×１０−１２ｇ／cm2，Ｋ：１×
１０１２ｇ／cm2，Ｆｅ：２．７×１０−１１ｇ／cm2，
Ｃｒ：５×１０−１３ｇ／cm2を分析することができ
た。しかし、従来の直接酸分解−フレームレス原子吸光
分析法（薄膜の分解条件…弗化水素酸（５０％）５ml
と硫酸（９６％）０．１mlと純水５mlとの混酸溶液で３
０℃にて薄膜を１０分間で分解し、その分解液を約１６
０℃で２時間加熱して蒸発乾固した後、純水で５mlに希
釈する。フレームレス原子吸光分析装置の測定条件…
前記条件と同じ。）では、使用する試薬中の不純物のた
めに、２×１０−１０ｇ／cm2以下のＮａ，Ｋ，Ｆｅ，
１×１０−１０ｇ／cm2以下のＣｒを検出することはで
きなかった。
１０１２ｇ／cm2，Ｆｅ：２．７×１０−１１ｇ／cm2，
Ｃｒ：５×１０−１３ｇ／cm2を分析することができ
た。しかし、従来の直接酸分解−フレームレス原子吸光
分析法（薄膜の分解条件…弗化水素酸（５０％）５ml
と硫酸（９６％）０．１mlと純水５mlとの混酸溶液で３
０℃にて薄膜を１０分間で分解し、その分解液を約１６
０℃で２時間加熱して蒸発乾固した後、純水で５mlに希
釈する。フレームレス原子吸光分析装置の測定条件…
前記条件と同じ。）では、使用する試薬中の不純物のた
めに、２×１０−１０ｇ／cm2以下のＮａ，Ｋ，Ｆｅ，
１×１０−１０ｇ／cm2以下のＣｒを検出することはで
きなかった。
実施例２ ＳｉウェハーにＬＰＣＶＤ法で作製したＳｉＯ２膜（３
０００Å）中の不純物を、本発明の装置を用いて分解し
フレームレス原子吸光分析装置で調べたところ（薄膜
の分解条件…弗化水素酸（５０％）：１００ml、温度３
０℃、密閉容器の空間体積：約１６０００cm3、分解放
置時間：１２０分、フレームレス原子吸光分析装置の
測定条件…実施例１の条件と同じ。）、Ｎａ：３．３×
１０−１１ｇ／cm2，Ｋ：２．２×１０−１１ｇ／cm2，
Ｆｅ：７．８×１０−１０ｇ／cm2，Ｃｒ：３．４×１
０−１２ｇ／cm2を分析することができた。しかし、従
来法（実施例１の従来法の条件と同じ）では、Ｆｅ（：
８×１０−１０ｇ／cm2）を除き、Ｎａ，Ｋ，Ｃｒを検
出することはできなかった。
０００Å）中の不純物を、本発明の装置を用いて分解し
フレームレス原子吸光分析装置で調べたところ（薄膜
の分解条件…弗化水素酸（５０％）：１００ml、温度３
０℃、密閉容器の空間体積：約１６０００cm3、分解放
置時間：１２０分、フレームレス原子吸光分析装置の
測定条件…実施例１の条件と同じ。）、Ｎａ：３．３×
１０−１１ｇ／cm2，Ｋ：２．２×１０−１１ｇ／cm2，
Ｆｅ：７．８×１０−１０ｇ／cm2，Ｃｒ：３．４×１
０−１２ｇ／cm2を分析することができた。しかし、従
来法（実施例１の従来法の条件と同じ）では、Ｆｅ（：
８×１０−１０ｇ／cm2）を除き、Ｎａ，Ｋ，Ｃｒを検
出することはできなかった。
実施例３ ＳｉウェハーにプラズマＣＶＤ法で作製したＳｉ３Ｎ４
膜（１００００Å）中の不純物を、本発明装置を用いて
分解しフレームレス原子吸光分析装置によって調べたと
ころ（実施例２と同条件）、Ｎａ：１．７×１０−１１
ｇ／cm2，Ｋ：２．０×１０−１２ｇ／cm2，Ｆｅ：５．
５×１０−１０ｇ／cm2，Ｃｒ：８．２×１０−１１ｇ
／cm2を分析することができた。しかし、従来法（実施
例１の従来法と同条件）では、Ｆｅ（：６×１０−１０
ｇ／cm2）を除き、Ｎａ，Ｋ，Ｃｒを検出することはで
きなかった。
膜（１００００Å）中の不純物を、本発明装置を用いて
分解しフレームレス原子吸光分析装置によって調べたと
ころ（実施例２と同条件）、Ｎａ：１．７×１０−１１
ｇ／cm2，Ｋ：２．０×１０−１２ｇ／cm2，Ｆｅ：５．
５×１０−１０ｇ／cm2，Ｃｒ：８．２×１０−１１ｇ
／cm2を分析することができた。しかし、従来法（実施
例１の従来法と同条件）では、Ｆｅ（：６×１０−１０
ｇ／cm2）を除き、Ｎａ，Ｋ，Ｃｒを検出することはで
きなかった。
［発明の効果］ 本発明では試料を直接酸分解するのではなく、より高純
度な弗化水素ガスで分解するため、試薬からの汚染を大
幅に低減することができた。また、蒸発乾固の操作を行
なわないこと、および密閉容器内で分解するため、環境
からの汚染も低減することができた。以上のことから、
本発明によって従来法に比較し１０００倍の超高感度化
を達成し、薄膜中の１０−１３ｇ／cm2レベルのＮａ，
Ｋ，Ｆｅなどの金属不純物を分析可能とした。しかも、
分析試料分解液調製のための操作は簡単であり、その工
業的価値は大である。
度な弗化水素ガスで分解するため、試薬からの汚染を大
幅に低減することができた。また、蒸発乾固の操作を行
なわないこと、および密閉容器内で分解するため、環境
からの汚染も低減することができた。以上のことから、
本発明によって従来法に比較し１０００倍の超高感度化
を達成し、薄膜中の１０−１３ｇ／cm2レベルのＮａ，
Ｋ，Ｆｅなどの金属不純物を分析可能とした。しかも、
分析試料分解液調製のための操作は簡単であり、その工
業的価値は大である。
第１図は、本発明の半導体薄膜の分析用試料の回収装置
の概略に示す縦断面図である。 １……密閉容器、２……蒸発用ビーカ（弗化水素酸貯蔵
容器）、３……ウェハーキャリア、４……分解液受容器
（受皿）、５……キャリア保持台、６……弗化水素酸溶
液、７……Ｓｉ３Ｎ４又はＳｉＯ２薄膜、８……Ｓｉウ
ェハー、９……分解液滴、１０……キャリアカバー、１
１……弗化水素ガス。 第２図は、本発明装置を用いた、弗化水素ガスによる各
種半導体薄膜の分解速度を示すグラフである。 Ａ……Ｓｉ３Ｎ４膜（ＬＰＣＶＤ） Ｂ……Ｓｉ３Ｎ４膜（プラズマＣＶＤ） Ｃ……ＳｉＯ２膜（熱酸化） Ｄ……ＳｉＯ２膜（ＬＰＣＶＤ）
の概略に示す縦断面図である。 １……密閉容器、２……蒸発用ビーカ（弗化水素酸貯蔵
容器）、３……ウェハーキャリア、４……分解液受容器
（受皿）、５……キャリア保持台、６……弗化水素酸溶
液、７……Ｓｉ３Ｎ４又はＳｉＯ２薄膜、８……Ｓｉウ
ェハー、９……分解液滴、１０……キャリアカバー、１
１……弗化水素ガス。 第２図は、本発明装置を用いた、弗化水素ガスによる各
種半導体薄膜の分解速度を示すグラフである。 Ａ……Ｓｉ３Ｎ４膜（ＬＰＣＶＤ） Ｂ……Ｓｉ３Ｎ４膜（プラズマＣＶＤ） Ｃ……ＳｉＯ２膜（熱酸化） Ｄ……ＳｉＯ２膜（ＬＰＣＶＤ）
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 山口 芳美 神奈川県川崎市幸区小向東芝町１番地 東 京芝浦電気株式会社総合研究所内 (56)参考文献 特開 昭55−125632（ＪＰ，Ａ) 特開 昭53−10974（ＪＰ，Ａ)
Claims (2)
- 【請求項１】密閉容器；該密閉容器内に設けられた弗化
水素ガス発生用弗化水素酸貯蔵容器；該密閉容器内に設
けられた半導体薄膜試料保持手段；及び該密閉容器内下
部に設けられた、半導体薄膜の分解液受容器とからな
り、かつ、これらが四弗化エチレン系樹脂で構成された
半導体薄膜の分解装置を用いて採取した試料分解溶液を
分析することを特徴とする半導体薄膜の分析方法。 - 【請求項２】密閉容器；該密閉容器内に設けられた弗化
水素ガス発生用弗化水素酸貯蔵容器；該密閉容器内に設
けられた半導体薄膜試料保持手段；及び該密閉容器内下
部に設けられた、半導体薄膜の分解液受容器とからな
り、かつ、これらが四弗化エチレン系樹脂で構成された
ことを特徴とする半導体薄膜の分析用試料の回収装置。
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| JP58176503A JPH0658927B2 (ja) | 1983-09-26 | 1983-09-26 | 半導体薄膜の分析方法および分析用試料の回収装置 |
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| EP84111472A EP0137409B1 (en) | 1983-09-26 | 1984-09-26 | Resolution device for semiconductor thin films |
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| JP58176503A JPH0658927B2 (ja) | 1983-09-26 | 1983-09-26 | 半導体薄膜の分析方法および分析用試料の回収装置 |
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