JPH0653469A - イメージセンサおよびその製造方法 - Google Patents
イメージセンサおよびその製造方法Info
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- JPH0653469A JPH0653469A JP4202720A JP20272092A JPH0653469A JP H0653469 A JPH0653469 A JP H0653469A JP 4202720 A JP4202720 A JP 4202720A JP 20272092 A JP20272092 A JP 20272092A JP H0653469 A JPH0653469 A JP H0653469A
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 成膜異常の発生を防止して、経時劣化の少な
いイメージセンサおよびその製造方法を提供することで
ある。 【構成】 イメージセンサ１０は、電気絶縁性の基板１
１の上に、共通電極１２と感光層１３が形成され、その
上に透明導電層１４、導電層１５，１６で構成される個
別電極１７が複数形成されており、感光層１３の端部２
０の断面形状が傾斜している。
いイメージセンサおよびその製造方法を提供することで
ある。 【構成】 イメージセンサ１０は、電気絶縁性の基板１
１の上に、共通電極１２と感光層１３が形成され、その
上に透明導電層１４、導電層１５，１６で構成される個
別電極１７が複数形成されており、感光層１３の端部２
０の断面形状が傾斜している。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、原稿を走査線毎に読取
って画像信号を出力するイメージセンサおよびその製造
方法に関する。
って画像信号を出力するイメージセンサおよびその製造
方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】図８（ａ）は、従来のイメージセンサの
一例を示す部分平面図であり、図８（ｂ）はＢ−Ｂ線に
沿った部分断面図である。当該イメージセンサ７０は、
ガラス基板などの電気絶縁性の基板７１の上に、Ｃｒな
どから成る共通電極７２と、アモルファスシリコン（ａ
−Ｓｉ）などから成る感光層７３が形成され、その上に
インジウム錫酸化物（ＩＴＯ）などから成る透明導電層
７４、Ｃｒなどから成る導電層７５およびＡｌなどから
成る導電層７６で構成される個別電極７７が複数形成さ
れており、透明導電層７４のみが形成された各受光部７
９の中央付近に、矩形状の導光窓７８がエッチングなど
によって基板７１に達するまで形設されている。
一例を示す部分平面図であり、図８（ｂ）はＢ−Ｂ線に
沿った部分断面図である。当該イメージセンサ７０は、
ガラス基板などの電気絶縁性の基板７１の上に、Ｃｒな
どから成る共通電極７２と、アモルファスシリコン（ａ
−Ｓｉ）などから成る感光層７３が形成され、その上に
インジウム錫酸化物（ＩＴＯ）などから成る透明導電層
７４、Ｃｒなどから成る導電層７５およびＡｌなどから
成る導電層７６で構成される個別電極７７が複数形成さ
れており、透明導電層７４のみが形成された各受光部７
９の中央付近に、矩形状の導光窓７８がエッチングなど
によって基板７１に達するまで形設されている。
【０００３】図９（ａ）は、図８に示したイメージセン
サ７０の感光層７４を成膜する際に用いられるマスク板
８０を示す正面図であり、図９（ｂ）はＣ−Ｃ線に沿っ
た断面図である。金属製などのマスク板８０は、長手方
向にスリット状の開口部８１が形成されており、開口部
８１の形状は厚さ方向で一定している。
サ７０の感光層７４を成膜する際に用いられるマスク板
８０を示す正面図であり、図９（ｂ）はＣ−Ｃ線に沿っ
た断面図である。金属製などのマスク板８０は、長手方
向にスリット状の開口部８１が形成されており、開口部
８１の形状は厚さ方向で一定している。
【０００４】図１０は、図９のマスク板８０を用いて感
光層７３を成膜している様子を示す部分断面図である。
基板７１の上に形成された共通電極７２が開口部から露
出するように、所定距離でマスク板８０を配置して、Ｃ
ＶＤ（Chemical VaporDeposition）法などを用いて成膜
材料となるたとえばＳｉ原子などの粒子流８２を発生さ
せることによって、共通電極７２および基板７１の上に
たとえばアモルファスシリコンから成る感光層７３を成
膜することができ、成膜された感光層７２の表面から見
た形状は、マスク板８０の開口部の形状にほぼ一致し、
その断面形状は矩形状となる。
光層７３を成膜している様子を示す部分断面図である。
基板７１の上に形成された共通電極７２が開口部から露
出するように、所定距離でマスク板８０を配置して、Ｃ
ＶＤ（Chemical VaporDeposition）法などを用いて成膜
材料となるたとえばＳｉ原子などの粒子流８２を発生さ
せることによって、共通電極７２および基板７１の上に
たとえばアモルファスシリコンから成る感光層７３を成
膜することができ、成膜された感光層７２の表面から見
た形状は、マスク板８０の開口部の形状にほぼ一致し、
その断面形状は矩形状となる。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、従来の
イメージセンサ７０は、感光層７３の断面形状が矩形状
であるため、（１）図１１の部分断面図で示すように、
感光層７３の肩部Ｅが部分的に突出して、成膜異常が生
じやすく、そのため光照射がない場合でも出力される暗
電流が異常に増加する。（２）図１２の部分断面図で示
すように、感光層７３の上に形成される透明導電層７４
や導電層７５，７６が、ステップカバレッジ不良により
段差部Ｆで断線しやすくなる。（３）図１３の部分平面
図で示すように、成膜工程中における感光層７３とマス
ク板８０との接触によって、マスク板８０の金属粒子が
感光層７３の上の斜線で示す領域Ｇに残留して、隣合う
個別電極同志が短絡しやすくなるなどの成膜異常が発生
するという課題がある。また、このような成膜異常は、
製造直後だけでなく、経時変化による信頼性の低下を招
くという課題がある。
イメージセンサ７０は、感光層７３の断面形状が矩形状
であるため、（１）図１１の部分断面図で示すように、
感光層７３の肩部Ｅが部分的に突出して、成膜異常が生
じやすく、そのため光照射がない場合でも出力される暗
電流が異常に増加する。（２）図１２の部分断面図で示
すように、感光層７３の上に形成される透明導電層７４
や導電層７５，７６が、ステップカバレッジ不良により
段差部Ｆで断線しやすくなる。（３）図１３の部分平面
図で示すように、成膜工程中における感光層７３とマス
ク板８０との接触によって、マスク板８０の金属粒子が
感光層７３の上の斜線で示す領域Ｇに残留して、隣合う
個別電極同志が短絡しやすくなるなどの成膜異常が発生
するという課題がある。また、このような成膜異常は、
製造直後だけでなく、経時変化による信頼性の低下を招
くという課題がある。
【０００６】本発明の目的は、前述した課題を解決する
ため、成膜異常の発生を防止して、経時劣化の少ないイ
メージセンサおよびその製造方法を提供することであ
る。
ため、成膜異常の発生を防止して、経時劣化の少ないイ
メージセンサおよびその製造方法を提供することであ
る。
【０００７】
【課題を解決するための手段】本発明は、電気絶縁性の
基板の上に、順次、共通電極、感光層が形成され、その
上に透明導電層を含む個別電極が複数形成されたイメー
ジセンサにおいて、前記感光層の端部の断面形状が傾斜
していることを特徴とするイメージセンサである。
基板の上に、順次、共通電極、感光層が形成され、その
上に透明導電層を含む個別電極が複数形成されたイメー
ジセンサにおいて、前記感光層の端部の断面形状が傾斜
していることを特徴とするイメージセンサである。
【０００８】また本発明は、（ａ）電気絶縁性の基板の
上に、共通電極を形成する工程と（ｂ）当該基板側の開
口領域が、当該基板の反対側の開口領域より広いマスク
板を用いて、感光層を成膜する工程と、（ｃ）前記感光
層および前記基板の上に、透明導電層を含む個別電極を
複数形成する工程とを含むことを特徴とするイメージセ
ンサの製造方法である。
上に、共通電極を形成する工程と（ｂ）当該基板側の開
口領域が、当該基板の反対側の開口領域より広いマスク
板を用いて、感光層を成膜する工程と、（ｃ）前記感光
層および前記基板の上に、透明導電層を含む個別電極を
複数形成する工程とを含むことを特徴とするイメージセ
ンサの製造方法である。
【０００９】
【作用】本発明に従えば、電気絶縁性の基板の上に順
次、共通電極、感光層が形成され、その上に透明導電層
を含む個別電極が複数形成されたイメージセンサにおい
て、感光層の端部の断面形状が傾斜していることによっ
て、暗電流を減少させることができるとともに、成膜工
程におけるステップカバレッジが良好になり、段差部に
おける個別電極の電気的接続が確実になる。
次、共通電極、感光層が形成され、その上に透明導電層
を含む個別電極が複数形成されたイメージセンサにおい
て、感光層の端部の断面形状が傾斜していることによっ
て、暗電流を減少させることができるとともに、成膜工
程におけるステップカバレッジが良好になり、段差部に
おける個別電極の電気的接続が確実になる。
【００１０】また本発明に従えば、感光層を成膜する際
に、基板側の開口領域が、基板の反対側の開口領域より
広いマスク板を用いることによって、感光層の端部の断
面形状が確実に傾斜するとともに、マスク板と感光層と
の接触を解消することができ、個別電極同志の短絡事故
を防止することが可能となる。
に、基板側の開口領域が、基板の反対側の開口領域より
広いマスク板を用いることによって、感光層の端部の断
面形状が確実に傾斜するとともに、マスク板と感光層と
の接触を解消することができ、個別電極同志の短絡事故
を防止することが可能となる。
【００１１】
【実施例】図１（ａ）は、本発明の一実施例であるイメ
ージセンサを示す部分平面図であり、図１（ｂ）はＡ−
Ａ線に沿った部分断面図である。当該イメージセンサ１
０は、ガラス基板などの電気絶縁性の基板の上に、Ｃｒ
などから成る共通電極１２とアモルファスシリコン（ａ
−Ｓｉ）などから成る感光層１３が形成され、その上に
インジウム錫酸化物（ＩＴＯ）などから成る透明導電層
１４、Ｃｒなどから成る導電層１５およびＡｌなどから
成る導電層１６で構成される個別電極１７が複数形成さ
れており、透明導電層１４のみが形成された各受光部１
９の中央付近に、矩形状の導光窓１８がエッチングなど
によって基板１１に達するまで形成されている。なお、
感光層１３の端部２０の断面形状が傾斜しているため、
その上に形成される個別電極１７はほぼ一様な厚さで滑
らかな断面形状で形成されている。
ージセンサを示す部分平面図であり、図１（ｂ）はＡ−
Ａ線に沿った部分断面図である。当該イメージセンサ１
０は、ガラス基板などの電気絶縁性の基板の上に、Ｃｒ
などから成る共通電極１２とアモルファスシリコン（ａ
−Ｓｉ）などから成る感光層１３が形成され、その上に
インジウム錫酸化物（ＩＴＯ）などから成る透明導電層
１４、Ｃｒなどから成る導電層１５およびＡｌなどから
成る導電層１６で構成される個別電極１７が複数形成さ
れており、透明導電層１４のみが形成された各受光部１
９の中央付近に、矩形状の導光窓１８がエッチングなど
によって基板１１に達するまで形成されている。なお、
感光層１３の端部２０の断面形状が傾斜しているため、
その上に形成される個別電極１７はほぼ一様な厚さで滑
らかな断面形状で形成されている。
【００１２】その動作は、基板１１の裏面側に配置され
た光源（図示せず）からの光が導光窓１８を通過して、
イメージセンサ１０の表面にほぼ密着するように配置さ
れた原稿（図示せず）を照射すると、原稿から反射した
光が透明導電層１４を介して感光層１３に到達する。光
が入射した領域の感光層１３は、受光量に応じて比抵抗
が低下する。そこで、予め各個別電極１７に負荷抵抗を
介して所定電圧を印加しておくことにより、感光層１３
の受光部に電流が流れ、各個別電極１７の電圧変化をバ
ッファアンプなどで外部へ取出すことによって、各受光
部の光量分布に応じた原稿の画像信号を得ることができ
る。
た光源（図示せず）からの光が導光窓１８を通過して、
イメージセンサ１０の表面にほぼ密着するように配置さ
れた原稿（図示せず）を照射すると、原稿から反射した
光が透明導電層１４を介して感光層１３に到達する。光
が入射した領域の感光層１３は、受光量に応じて比抵抗
が低下する。そこで、予め各個別電極１７に負荷抵抗を
介して所定電圧を印加しておくことにより、感光層１３
の受光部に電流が流れ、各個別電極１７の電圧変化をバ
ッファアンプなどで外部へ取出すことによって、各受光
部の光量分布に応じた原稿の画像信号を得ることができ
る。
【００１３】図２は、本発明の一実施例であるイメージ
センサの製造方法を示す部分断面図である。まず、図２
（ａ）に示すように、ガラス基板などの基板１１の上
に、Ｃｒなどの金属薄膜を蒸着やスパッタなどを用いて
全面に形成した後、フォトリソグラフィ法を用いて所定
パターンにエッチングすることにより、共通電極１２を
形成している。
センサの製造方法を示す部分断面図である。まず、図２
（ａ）に示すように、ガラス基板などの基板１１の上
に、Ｃｒなどの金属薄膜を蒸着やスパッタなどを用いて
全面に形成した後、フォトリソグラフィ法を用いて所定
パターンにエッチングすることにより、共通電極１２を
形成している。
【００１４】次に、図２（ｂ）に示すように、基板１１
および共通電極１２の上に、基板１１側の開口領域が基
板１１の反対側の開口領域より広い金属などから成るマ
スク板３０を設置して、ＣＶＤ法などによって、アモル
ファスシリコン（ａ−Ｓｉ）などから成る感光層１２を
成膜する。このとき感光層１２の端部の断面形状は、マ
スク板３０の断面形状に対応して、傾斜するようにな
る。図３は、プラズマＣＶＤ装置の一例を示す概略断面
図である。このプラズマＣＶＤ装置４０は、真空容器４
１の中に、基板ホルダ４２と、基板ホルダ４２に対向し
て原料ガスを供給するための噴出口４４を多数備えた中
空状の電極４３が設けられている。基板１１を基板ホル
ダ４２に固定し、さらに成膜パターンを決定するマスク
板３０を固定した後、真空容器４１内を真空排気すると
ともに、原料ガスを供給しながら基板４２と電極４１の
間に高周波電界を印加することによってプラズマが発生
し、原料ガスが分解して原料ガスの組成原子が基板１１
の上に堆積する。たとえば、原料ガス１１としてシラン
を用いて基板温度や圧力などの反応条件を制御すること
によって、アモルファスシリコンから成る感光層１３を
成膜することができる。なお、成膜領域を決定するマス
ク板３０は、基板側の開口領域が基板の反対側の開口領
域より広いものであれば、図４に示す段差状のもの、図
５に示すテーパ状のもの、図６に示す円弧状のもの、図
７に示す２段の段差状のものなどを用いることができ
る。また、マスク板の厚さは１ｍｍ〜１．５ｍｍが好ま
しく、裏側の開口領域と表側の開口領域を結ぶ直線とマ
スク板３０との成すテーパ角は、３０度〜４５度が好ま
しい。
および共通電極１２の上に、基板１１側の開口領域が基
板１１の反対側の開口領域より広い金属などから成るマ
スク板３０を設置して、ＣＶＤ法などによって、アモル
ファスシリコン（ａ−Ｓｉ）などから成る感光層１２を
成膜する。このとき感光層１２の端部の断面形状は、マ
スク板３０の断面形状に対応して、傾斜するようにな
る。図３は、プラズマＣＶＤ装置の一例を示す概略断面
図である。このプラズマＣＶＤ装置４０は、真空容器４
１の中に、基板ホルダ４２と、基板ホルダ４２に対向し
て原料ガスを供給するための噴出口４４を多数備えた中
空状の電極４３が設けられている。基板１１を基板ホル
ダ４２に固定し、さらに成膜パターンを決定するマスク
板３０を固定した後、真空容器４１内を真空排気すると
ともに、原料ガスを供給しながら基板４２と電極４１の
間に高周波電界を印加することによってプラズマが発生
し、原料ガスが分解して原料ガスの組成原子が基板１１
の上に堆積する。たとえば、原料ガス１１としてシラン
を用いて基板温度や圧力などの反応条件を制御すること
によって、アモルファスシリコンから成る感光層１３を
成膜することができる。なお、成膜領域を決定するマス
ク板３０は、基板側の開口領域が基板の反対側の開口領
域より広いものであれば、図４に示す段差状のもの、図
５に示すテーパ状のもの、図６に示す円弧状のもの、図
７に示す２段の段差状のものなどを用いることができ
る。また、マスク板の厚さは１ｍｍ〜１．５ｍｍが好ま
しく、裏側の開口領域と表側の開口領域を結ぶ直線とマ
スク板３０との成すテーパ角は、３０度〜４５度が好ま
しい。
【００１５】次に図２（ｃ）に示すように、感光層１２
および基板１１の上に、インジウム錫酸化物（ＩＴＯ）
などから成る透明導電層１４、Ｃｒなどから成る導電層
１５、Ａｌなどから成る導電層１６を蒸着やスパッタな
どを用いて全面に形成する。次に、図２（ｄ）に示すよ
うに、導電層１５，１６および透明導電層１４をフォト
リソグラフィ法を用いて所定パターンにエッチングする
ことによって、図１（ａ）の平面図に示すような個別電
極１７を複数形成して、イメージセンサ１０の基本的形
状を決定する。次に図２（ｅ）に示すように、受光部１
９の中央付近の個別電極を基板１１に達するまでエッチ
ングを行って、導光窓１８を形成する。
および基板１１の上に、インジウム錫酸化物（ＩＴＯ）
などから成る透明導電層１４、Ｃｒなどから成る導電層
１５、Ａｌなどから成る導電層１６を蒸着やスパッタな
どを用いて全面に形成する。次に、図２（ｄ）に示すよ
うに、導電層１５，１６および透明導電層１４をフォト
リソグラフィ法を用いて所定パターンにエッチングする
ことによって、図１（ａ）の平面図に示すような個別電
極１７を複数形成して、イメージセンサ１０の基本的形
状を決定する。次に図２（ｅ）に示すように、受光部１
９の中央付近の個別電極を基板１１に達するまでエッチ
ングを行って、導光窓１８を形成する。
【００１６】こうして、感光層１０が感光層１３の端部
の断面形状が傾斜しているイメージセンサを得ることが
できる。
の断面形状が傾斜しているイメージセンサを得ることが
できる。
【００１７】
【発明の効果】以上詳説したように、本発明によれば、
感光層の端部の断面形状が傾斜していることによって、
その上に形成される個別電極の電気的接続が確実になっ
て、高信頼性のイメージセンサを得ることができる。ま
た、基板側の開口領域が、基板と反対側の開口領域より
広いマスク板を用いて感光層の成膜を行うことによっ
て、端部の断面形状が傾斜した感光層を簡単に形成する
ことが可能となり、成膜異常による動作不良の発生を防
止して、イメージセンサの製造歩留まりを向上させるこ
とができる。
感光層の端部の断面形状が傾斜していることによって、
その上に形成される個別電極の電気的接続が確実になっ
て、高信頼性のイメージセンサを得ることができる。ま
た、基板側の開口領域が、基板と反対側の開口領域より
広いマスク板を用いて感光層の成膜を行うことによっ
て、端部の断面形状が傾斜した感光層を簡単に形成する
ことが可能となり、成膜異常による動作不良の発生を防
止して、イメージセンサの製造歩留まりを向上させるこ
とができる。
【図１】図１（ａ）は、本発明の一実施例であるイメー
ジセンサを示す部分平面図であり、図１（ｂ）はＡ−Ａ
線に沿った部分断面図である。
ジセンサを示す部分平面図であり、図１（ｂ）はＡ−Ａ
線に沿った部分断面図である。
【図２】本発明の一実施例であるイメージセンサの製造
方法を示す部分断面図である。
方法を示す部分断面図である。
【図３】プラズマＣＶＤ装置の一例を示す概略断面図で
ある。
ある。
【図４】本発明に係るマスク板３０の断面形状の一例を
示す部分断面図である。
示す部分断面図である。
【図５】本発明に係るマスク板３０の断面形状の他の例
を示す部分断面図である。
を示す部分断面図である。
【図６】本発明に係るマスク板３０の断面形状の他の例
を示す部分断面図である。
を示す部分断面図である。
【図７】本発明に係るマスク板３０の断面形状の他の例
を示す部分断面図である。
を示す部分断面図である。
【図８】図８（ａ）は、従来のイメージセンサの一例を
示す部分平面図であり、図８（ｂ）はＢ−Ｂ線に沿った
部分断面図である。
示す部分平面図であり、図８（ｂ）はＢ−Ｂ線に沿った
部分断面図である。
【図９】図９（ａ）は、従来用いられているマスク板８
０を示す正面図であり、図９（ｂ）はＣ−Ｃ線に沿った
断面図である。
０を示す正面図であり、図９（ｂ）はＣ−Ｃ線に沿った
断面図である。
【図１０】図９のマスク板８０を用いて感光層７３を成
膜している様子を示す部分断面図である。
膜している様子を示す部分断面図である。
【図１１】従来のイメージセンサ７０の課題を示す部分
断面図である。
断面図である。
【図１２】従来のイメージセンサ７０の課題を示す部分
断面図である。
断面図である。
【図１３】従来のイメージセンサ７０の課題を示す部分
平面図である。
平面図である。
１０ イメージセンサ １１ 基板 １２ 共通電極 １３ 感光層 １４ 透明導電層 １５，１６ 導電層 １７ 個別電極 １８ 導光窓 １９ 受光部 ２０ 端部 ３０ マスク板 ４０ プラズマＣＶＤ装置 ４１ 真空容器 ４２ 基板ホルダ ４３ 電極 ４４ 噴出口
Claims (2)
- 【請求項１】 電気絶縁性の基板の上に、順次、共通電
極、感光層が形成され、その上に透明導電層を含む個別
電極が複数形成されたイメージセンサにおいて、 前記感光層の端部の断面形状が傾斜していることを特徴
とするイメージセンサ。 - 【請求項２】 （ａ）電気絶縁性の基板の上に、共通電
極を形成する工程と、 （ｂ）当該基板側の開口領域が、当該基板の反対側の開
口領域より広いマスク板を用いて、感光層を成膜する工
程と、 （ｃ）前記感光層および前記基板の上に、透明導電層を
含む個別電極を複数形成する工程と、 を含むことを特徴とするイメージセンサの製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4202720A JPH0653469A (ja) | 1992-07-29 | 1992-07-29 | イメージセンサおよびその製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4202720A JPH0653469A (ja) | 1992-07-29 | 1992-07-29 | イメージセンサおよびその製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0653469A true JPH0653469A (ja) | 1994-02-25 |
Family
ID=16462048
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP4202720A Pending JPH0653469A (ja) | 1992-07-29 | 1992-07-29 | イメージセンサおよびその製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0653469A (ja) |
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US7181098B2 (en) | 2003-06-09 | 2007-02-20 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Optical hybrid module and manufacturing method thereof |
| KR20100113610A (ko) | 2008-02-08 | 2010-10-21 | 유겐가이샤 월하쇼카이 | 스퀴징 장치 및 점조성 액체용 포장 주머니 |
| US10773433B2 (en) | 2016-07-01 | 2020-09-15 | Sulzer Mixpac Ag | Cartridge, core, mold and method of manufacturing a cartridge |
| US10870127B2 (en) | 2018-10-02 | 2020-12-22 | Sulzer Mixpac Ag | Cartridge for a mixing and dispensing system |
| US10906702B2 (en) | 2018-10-02 | 2021-02-02 | Sulzer Mixpac Ag | Cartridge, method of manufacturing a cartridge, dispensing assembly and method of assembling a dispensing assembly |
| US11053064B2 (en) | 2016-07-01 | 2021-07-06 | Sulzer Mixpac Ag | Cartridge, core, mold and method of manufacturing a cartridge |
-
1992
- 1992-07-29 JP JP4202720A patent/JPH0653469A/ja active Pending
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US7181098B2 (en) | 2003-06-09 | 2007-02-20 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Optical hybrid module and manufacturing method thereof |
| KR20100113610A (ko) | 2008-02-08 | 2010-10-21 | 유겐가이샤 월하쇼카이 | 스퀴징 장치 및 점조성 액체용 포장 주머니 |
| US10773433B2 (en) | 2016-07-01 | 2020-09-15 | Sulzer Mixpac Ag | Cartridge, core, mold and method of manufacturing a cartridge |
| US11053064B2 (en) | 2016-07-01 | 2021-07-06 | Sulzer Mixpac Ag | Cartridge, core, mold and method of manufacturing a cartridge |
| US10870127B2 (en) | 2018-10-02 | 2020-12-22 | Sulzer Mixpac Ag | Cartridge for a mixing and dispensing system |
| US10906702B2 (en) | 2018-10-02 | 2021-02-02 | Sulzer Mixpac Ag | Cartridge, method of manufacturing a cartridge, dispensing assembly and method of assembling a dispensing assembly |
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