JPS59204267A - 薄膜読取り装置 - Google Patents
薄膜読取り装置Info
- Publication number
- JPS59204267A JPS59204267A JP58079021A JP7902183A JPS59204267A JP S59204267 A JPS59204267 A JP S59204267A JP 58079021 A JP58079021 A JP 58079021A JP 7902183 A JP7902183 A JP 7902183A JP S59204267 A JPS59204267 A JP S59204267A
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- electrode
- layer
- thin film
- substrate
- chromium
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 239000010409 thin film Substances 0.000 title 1
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10F—INORGANIC SEMICONDUCTOR DEVICES SENSITIVE TO INFRARED RADIATION, LIGHT, ELECTROMAGNETIC RADIATION OF SHORTER WAVELENGTH OR CORPUSCULAR RADIATION
- H10F30/00—Individual radiation-sensitive semiconductor devices in which radiation controls the flow of current through the devices, e.g. photodetectors
- H10F30/10—Individual radiation-sensitive semiconductor devices in which radiation controls the flow of current through the devices, e.g. photodetectors the devices being sensitive to infrared radiation, visible or ultraviolet radiation, and having no potential barriers, e.g. photoresistors
- H10F30/15—Individual radiation-sensitive semiconductor devices in which radiation controls the flow of current through the devices, e.g. photodetectors the devices being sensitive to infrared radiation, visible or ultraviolet radiation, and having no potential barriers, e.g. photoresistors comprising amorphous semiconductors
Landscapes
- Solid State Image Pick-Up Elements (AREA)
- Light Receiving Elements (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〈産業上の利用分野〉
本発明は薄膜読取シ装置にかかシ、特に、イメージセン
サ等に用いられるサンドイッチ構造の長尺薄膜読取り装
置に関する。
サ等に用いられるサンドイッチ構造の長尺薄膜読取り装
置に関する。
〈従来技術〉
従来、ファクシミリ等の入力部に用いられる原稿読取シ
装置としては、Ｃ０Ｄ１ フォトダイオードアレイ等の
半導体イメージセンサが主であったが、これらの装置に
おいては、通常絹小光学系を用いる為、光路長が長くな
シ、これは装装置の小型化をはばむ理由となっていた。
装置としては、Ｃ０Ｄ１ フォトダイオードアレイ等の
半導体イメージセンサが主であったが、これらの装置に
おいては、通常絹小光学系を用いる為、光路長が長くな
シ、これは装装置の小型化をはばむ理由となっていた。
最近、装置の小型化をはかるために、光導電体としての
非晶質シリコンを、金属電極及び透明電極で挾持したサ
ンドイッチ構造の長尺薄膜読取り装置が提案されている
。
非晶質シリコンを、金属電極及び透明電極で挾持したサ
ンドイッチ構造の長尺薄膜読取り装置が提案されている
。
この長尺薄膜読取シ装置は、第１図に平面図、第２図に
第１図のＡ−Ａ断面図を示す如く、絶縁基板１上に、ビ
ットに対応して、１列に形成された金属・電極２と、こ
れらの金属電極２を曖うように形成された非晶質シリコ
ン層３と、この非晶質シリコン層３上に全面にわたって
一体的に形成された透明電極５とよシ構成されるもので
ある。
第１図のＡ−Ａ断面図を示す如く、絶縁基板１上に、ビ
ットに対応して、１列に形成された金属・電極２と、こ
れらの金属電極２を曖うように形成された非晶質シリコ
ン層３と、この非晶質シリコン層３上に全面にわたって
一体的に形成された透明電極５とよシ構成されるもので
ある。
この長尺薄膜読取シ装置においては、通常、絶縁基板１
上に、アルミニウム（Ａ／ ） 、クロム（Ｃｒ）、金
（Ａｕ ）等の薄膜を着膜したのち、フォトリソグラフ
ィ等を用いて、数１００〜数１０００オングストローム
（Ｘ）の膜厚の金属電極２を形成し、次いで蒸着、プラ
ズマ熱分解成長法（プラズマＣＶＤ）、ス・ぐツタ法等
により、非晶質シリコン層が着膜される。
上に、アルミニウム（Ａ／ ） 、クロム（Ｃｒ）、金
（Ａｕ ）等の薄膜を着膜したのち、フォトリソグラフ
ィ等を用いて、数１００〜数１０００オングストローム
（Ｘ）の膜厚の金属電極２を形成し、次いで蒸着、プラ
ズマ熱分解成長法（プラズマＣＶＤ）、ス・ぐツタ法等
により、非晶質シリコン層が着膜される。
しかしながら、この非晶質シリコン層は下部の金属電極
２の端部段差部分において、部分的に薄くなったり、膜
質か弱くなったりする為、金属電極と上部の透明電極と
の間に電圧を印加した時、ピンホール等によるリークに
起因して、この段差部分で、絶縁破壊が生じ、欠陥ビッ
トを生じ易いという欠点があった。また、これを防ぐた
めに、金属電極２の膜厚を小さくして段差を小さくする
という方法も考えられているが、この方法では、金属電
極自体に、断線、ピンホール等の欠陥が発生し易いとい
う欠点があった。
２の端部段差部分において、部分的に薄くなったり、膜
質か弱くなったりする為、金属電極と上部の透明電極と
の間に電圧を印加した時、ピンホール等によるリークに
起因して、この段差部分で、絶縁破壊が生じ、欠陥ビッ
トを生じ易いという欠点があった。また、これを防ぐた
めに、金属電極２の膜厚を小さくして段差を小さくする
という方法も考えられているが、この方法では、金属電
極自体に、断線、ピンホール等の欠陥が発生し易いとい
う欠点があった。
〈発明の目的〉
本発明は、前記実情に鑑みてなされたもので、欠陥ビッ
トの発生率が小さく、信頼性の高い薄膜読取シ装置を提
供することを目的とする。
トの発生率が小さく、信頼性の高い薄膜読取シ装置を提
供することを目的とする。
〈発明の構成〉
本発明は、基板上に所定のパターンで形成された第１電
極と第２電極とによって光導電体層か挟持されてなるサ
ンドイワナ構造の薄ｈｒ ｔｊ／ｎ取り装置において、
前記光導電体層を前記第１電極の先端よシもやや退いて
形成し、前方の残余部には絶縁層を形成すると共に、前
記第２屯極をｌ−１ＩＪ記ぶも１准極の電極幅よシも小
さい幅をもつように・セターニングすることによシ、セ
／す部すなわち、前記第１電極と第２電極とで囲まれた
部分においては、光導電体層が前記第１電極の段差忙横
切ることのないようにし、光導電体層のピンホール等に
よるリークの発生を抑制しようとするものである、。
極と第２電極とによって光導電体層か挟持されてなるサ
ンドイワナ構造の薄ｈｒ ｔｊ／ｎ取り装置において、
前記光導電体層を前記第１電極の先端よシもやや退いて
形成し、前方の残余部には絶縁層を形成すると共に、前
記第２屯極をｌ−１ＩＪ記ぶも１准極の電極幅よシも小
さい幅をもつように・セターニングすることによシ、セ
／す部すなわち、前記第１電極と第２電極とで囲まれた
部分においては、光導電体層が前記第１電極の段差忙横
切ることのないようにし、光導電体層のピンホール等に
よるリークの発生を抑制しようとするものである、。
基板上に最初に形成される第１電極としてケユＩ用常、
金属電極が用いられ、次いで形成さ・れる光導電体層を
介して、この上に形成される第２′屯＋Ｔｈとしては透
明電極が用いられる。
金属電極が用いられ、次いで形成さ・れる光導電体層を
介して、この上に形成される第２′屯＋Ｔｈとしては透
明電極が用いられる。
また、基板側から光照射がなされるような特殊な場合は
、第１電極としては透明電極か用いられ、第２電極とし
ては金属電極等が用いられる。いずれの場合も、基板上
に形成される第１電極の形状に対応して、光導・屯体層
、及び第２電極の形状を決定することにより、第１電極
の形状による段差に起因して、この上に形成される光導
電体層上に表われる膜の不均一部が、センサ部に含まれ
るのを避けようとするものである。
、第１電極としては透明電極か用いられ、第２電極とし
ては金属電極等が用いられる。いずれの場合も、基板上
に形成される第１電極の形状に対応して、光導・屯体層
、及び第２電極の形状を決定することにより、第１電極
の形状による段差に起因して、この上に形成される光導
電体層上に表われる膜の不均一部が、センサ部に含まれ
るのを避けようとするものである。
〈実施例〉
次に、本発明実施例の長尺薄膜読取シ装置について、図
面を参照しつつ説明する。
面を参照しつつ説明する。
本発明実施例の長尺薄膜読取り装置は、第３図に平面図
、第４図にそのＢ−Ｂ断面図を示すように、絶縁性のガ
ラス基板ｌの表面の一長辺側から、所定形状に形成され
た被数個のクロム（Ｃｒ ）電極２と、このクロム電極
２の先端かられずかに退いた位置で、クロム電極２を横
切るように形成された非晶質水素化シリコン層３と、こ
の非晶質水素化シリコン層３上にわずかな重なシ部を形
成しつつ、前記基板上にかけて形成された酸化シリコン
層４と、前記クロム電極の形成された長辺と対向する一
長辺側から、前記クロム電極の１つ１つに、非晶質水素
化シリコン層３を介して対向するように櫛状に形成され
た酸化インジウム錫＋１＆１ （ＩＴＯＨ’Ａ）からな
る共通の透明電極５とより構成されている。
、第４図にそのＢ−Ｂ断面図を示すように、絶縁性のガ
ラス基板ｌの表面の一長辺側から、所定形状に形成され
た被数個のクロム（Ｃｒ ）電極２と、このクロム電極
２の先端かられずかに退いた位置で、クロム電極２を横
切るように形成された非晶質水素化シリコン層３と、こ
の非晶質水素化シリコン層３上にわずかな重なシ部を形
成しつつ、前記基板上にかけて形成された酸化シリコン
層４と、前記クロム電極の形成された長辺と対向する一
長辺側から、前記クロム電極の１つ１つに、非晶質水素
化シリコン層３を介して対向するように櫛状に形成され
た酸化インジウム錫＋１＆１ （ＩＴＯＨ’Ａ）からな
る共通の透明電極５とより構成されている。
この透明電極の電極幅はクロム電極の幅よシも小さく形
成される。
成される。
次に、本発明実施例の長尺薄膜読取り装置の製造方法を
説明する。
説明する。
まず、絶縁性のガラス基板１上に、電子ビーム蒸着法に
よって膜厚３０００オングストローム（Ｘ）のクロム薄
膜を着膜し、フォトリングラフィによって、ビットに対
応するセンサ部を有する複数個のクロム電極を形成する
。
よって膜厚３０００オングストローム（Ｘ）のクロム薄
膜を着膜し、フォトリングラフィによって、ビットに対
応するセンサ部を有する複数個のクロム電極を形成する
。
次いで、所定形状に形成された金属製の治具を基板表面
の所定位置に密着して配置し、これをマスクとしてプラ
ズマ熱分解法によって、非晶質水素化シリコン層３を前
記クロム電極２の先端よりわずかに退くように、帯状に
倉膜する。このとき使用するガスはモノシラン（ＳｉＨ
４）、でメリ、基板温度２５０℃、放電圧力０．４トー
ル（Ｔｏｏｒ ）、′籠極一基板間距離４０覇、高周波
電力２０Ｗ１ガス流量２０標準ｃｃ分（ＳＣＣＭ）の条
件で約１μｍの非晶質水素化シリコン層３を形成する。
の所定位置に密着して配置し、これをマスクとしてプラ
ズマ熱分解法によって、非晶質水素化シリコン層３を前
記クロム電極２の先端よりわずかに退くように、帯状に
倉膜する。このとき使用するガスはモノシラン（ＳｉＨ
４）、でメリ、基板温度２５０℃、放電圧力０．４トー
ル（Ｔｏｏｒ ）、′籠極一基板間距離４０覇、高周波
電力２０Ｗ１ガス流量２０標準ｃｃ分（ＳＣＣＭ）の条
件で約１μｍの非晶質水素化シリコン層３を形成する。
更に、所定形状に形成された金４ｙの治具を基板表面の
所定位置に密着して配置し、これをマスクとして、プラ
ズマ熱分解法によシ、酸化シリコン（ＳｉＯ２’）膜４
を、前記非晶質水素化シリコン層３にわずかに重なるよ
うに形成する。このとき使用するガスは、モノシラ／（
５ｘＨ４）十酸化窒素（Ｎ２０）の混合ガスであシ、基
板温度２５０℃、放電圧力Ｉ Ｔｏｏｒ、電極一基板間
距離４０調、高周波電力１００Ｗ、ガス流量としては５
ｉＨ４５ＳＣＣＭ、Ｎ２０２５０ ＳＣＣＭの条件で５
０００Ｘの厚さに着膜する。
所定位置に密着して配置し、これをマスクとして、プラ
ズマ熱分解法によシ、酸化シリコン（ＳｉＯ２’）膜４
を、前記非晶質水素化シリコン層３にわずかに重なるよ
うに形成する。このとき使用するガスは、モノシラ／（
５ｘＨ４）十酸化窒素（Ｎ２０）の混合ガスであシ、基
板温度２５０℃、放電圧力Ｉ Ｔｏｏｒ、電極一基板間
距離４０調、高周波電力１００Ｗ、ガス流量としては５
ｉＨ４５ＳＣＣＭ、Ｎ２０２５０ ＳＣＣＭの条件で５
０００Ｘの厚さに着膜する。
最後に、透明電極５としてＩ Ｔｏ薄膜をＤＣスパッタ
リング法により全面に８００Ｘ着膜する。そしてフォト
リングラフィによって、櫛状の透明電極５を形成する。
リング法により全面に８００Ｘ着膜する。そしてフォト
リングラフィによって、櫛状の透明電極５を形成する。
このようにして形成された長尺薄膜読取り装置の直流電
圧−電流特性ｆ、第５図に示す。ここで縦軸を電流（Ａ
／ｃｔｎ２）、横軸をバイアス電圧（Ｖ）とする。Ａは
１００ルクス（１ｌｕｘ ）の光照射を行ったときの光
電流の特性曲線、Ｂｉ”ｌ：暗電流の特性曲線である。
圧−電流特性ｆ、第５図に示す。ここで縦軸を電流（Ａ
／ｃｔｎ２）、横軸をバイアス電圧（Ｖ）とする。Ａは
１００ルクス（１ｌｕｘ ）の光照射を行ったときの光
電流の特性曲線、Ｂｉ”ｌ：暗電流の特性曲線である。
図から明らかなように、光［（＋、流は暗電流の１０５
倍であシ、良好な特性を有している。
倍であシ、良好な特性を有している。
また、非晶質水素化シリコン層はセンサ部すなわち、ク
ロム電極と透明電極とで挾まれた部分においては、段差
を有することなく平坦でありかつクロム電極の先端段差
部においては絶縁層が介在している為、との長尺薄膜読
取り４＝１においては段差の上で層が薄くなったり、ピ
ンホールか発生したりすることによるリークの発生によ
って、欠陥ビットを生じることなく、信頼性が旨い。
ロム電極と透明電極とで挾まれた部分においては、段差
を有することなく平坦でありかつクロム電極の先端段差
部においては絶縁層が介在している為、との長尺薄膜読
取り４＝１においては段差の上で層が薄くなったり、ピ
ンホールか発生したりすることによるリークの発生によ
って、欠陥ビットを生じることなく、信頼性が旨い。
実施例においては、絶縁膜としての版化シリコン膜４を
非晶質水素化シリコン層３−Ｈにわずかに重なるよう、
に形成したが、境界部における断面が互いに密着するよ
うに形成すれば、車な９部分を形成しなくても良いこと
は言うまでもない。
非晶質水素化シリコン層３−Ｈにわずかに重なるよう、
に形成したが、境界部における断面が互いに密着するよ
うに形成すれば、車な９部分を形成しなくても良いこと
は言うまでもない。
甘た、絶縁膜としては、実施例の数比シリコン膜の他、
窒化シリコンｆｆ’Ａ、ＰＳＧ 腰（ｐｈｏｓｐｈ。
窒化シリコンｆｆ’Ａ、ＰＳＧ 腰（ｐｈｏｓｐｈ。
５ｉｌｉｃａｔｅ ｇｌａｓｓ ）ポリイミド樹脂等の
使用もロエ能である。
使用もロエ能である。
更に、実施例においては、上方から光が照射される場合
における構成を説明したが、下方の基板側から光が照射
される場合は透光性の絶縁基板を用いると共に、第１電
極を透明電極とし、第２′尾極を金属′電極とすればよ
い。
における構成を説明したが、下方の基板側から光が照射
される場合は透光性の絶縁基板を用いると共に、第１電
極を透明電極とし、第２′尾極を金属′電極とすればよ
い。
〈効果〉
以上Ａ説明してきたよう、に、本発明によれば、センサ
部すなわぢ、第１電極と第２電極とで囲まれた光導′心
体層の実効部分においては、光導電体層が平坦に形成さ
れるため、均質で良好な層構造となし侍、欠陥ピットの
発生が抑制され、信頼性の高い薄ｊ換読取シ装置ρが提
供される。
部すなわぢ、第１電極と第２電極とで囲まれた光導′心
体層の実効部分においては、光導電体層が平坦に形成さ
れるため、均質で良好な層構造となし侍、欠陥ピットの
発生が抑制され、信頼性の高い薄ｊ換読取シ装置ρが提
供される。
第１財１は、従来の長尺薄膜読取シ装置の平面図、第２
図は、第１図のＡ−Ａ断面図、 第３図は、本発明実施例の長尺薄膜読取シ装置の平面図
、 第４図は、第３図のＢ−Ｂ断面図、 第５図は、本発明実施例の長尺薄膜読取り装置の電流−
電圧特性を示す図である。 ｌ・・・絶縁基板、２・・・金属電極、３・・・光碑屯
体層、４・・・絶縁体層、５・・・透明電極、Ａ・・・
光′ｒＩ−５流の特性曲線、Ｂ・・・暗電流の特性曲線
。 第３図 第４図 （Ｖ）
図は、第１図のＡ−Ａ断面図、 第３図は、本発明実施例の長尺薄膜読取シ装置の平面図
、 第４図は、第３図のＢ−Ｂ断面図、 第５図は、本発明実施例の長尺薄膜読取り装置の電流−
電圧特性を示す図である。 ｌ・・・絶縁基板、２・・・金属電極、３・・・光碑屯
体層、４・・・絶縁体層、５・・・透明電極、Ａ・・・
光′ｒＩ−５流の特性曲線、Ｂ・・・暗電流の特性曲線
。 第３図 第４図 （Ｖ）
Claims (2)
- （１）絶縁基板上に形成された複数個の第１電極と、こ
の第１電極上に、この第１電極の先端よシもわずかに退
いて形成された光導電体層と、この光導電体層に隣接し
て形成され、少なくともこの第１電極の先端部を覆う絶
縁層と、前記第１電極に対向し、前記光導電体層上に延
びて形成され、前記第１電極の幅よりも小さい電極幅を
有する櫛状の第２電極とを具えだことを特徴とする薄膜
読取シ装置。 - （２）前記絶縁層は、前記光導電体層の先端部に
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58079021A JPS59204267A (ja) | 1983-05-06 | 1983-05-06 | 薄膜読取り装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58079021A JPS59204267A (ja) | 1983-05-06 | 1983-05-06 | 薄膜読取り装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS59204267A true JPS59204267A (ja) | 1984-11-19 |
Family
ID=13678283
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP58079021A Pending JPS59204267A (ja) | 1983-05-06 | 1983-05-06 | 薄膜読取り装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS59204267A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS63199458A (ja) * | 1987-02-16 | 1988-08-17 | Hitachi Ltd | 受光素子とその製造方法 |
Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS56135979A (en) * | 1980-03-28 | 1981-10-23 | Canon Inc | Photosensing element |
| JPS5738062A (en) * | 1980-08-18 | 1982-03-02 | Ricoh Co Ltd | Input and output device |
| JPS57197855A (en) * | 1981-05-29 | 1982-12-04 | Hitachi Ltd | Thin-film diode array |
-
1983
- 1983-05-06 JP JP58079021A patent/JPS59204267A/ja active Pending
Patent Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS56135979A (en) * | 1980-03-28 | 1981-10-23 | Canon Inc | Photosensing element |
| JPS5738062A (en) * | 1980-08-18 | 1982-03-02 | Ricoh Co Ltd | Input and output device |
| JPS57197855A (en) * | 1981-05-29 | 1982-12-04 | Hitachi Ltd | Thin-film diode array |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS63199458A (ja) * | 1987-02-16 | 1988-08-17 | Hitachi Ltd | 受光素子とその製造方法 |
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