JPH0652517A - 薄膜磁気ヘッド及びその製造方法 - Google Patents
薄膜磁気ヘッド及びその製造方法Info
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- JPH0652517A JPH0652517A JP22223392A JP22223392A JPH0652517A JP H0652517 A JPH0652517 A JP H0652517A JP 22223392 A JP22223392 A JP 22223392A JP 22223392 A JP22223392 A JP 22223392A JP H0652517 A JPH0652517 A JP H0652517A
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 良好な絶縁性を維持しつつシールド層間の間
隔をより低減できる薄膜磁気ヘッド及びその製造方法を
提供する。 【構成】 下部シールド層３０と上部シールド層３４と
の間に、下部ギャップ絶縁層３２ａ、３２ｂとＭＲ膜３
１とリード２６と上部ギャップ絶縁層３３ａ、３３ｂと
が積層されており、下部ギャップ絶縁層及び上部ギャッ
プ絶縁層の各々が、複数の層３２ａ、３２ｂ又は３３
ａ、３３ｂで形成されている。下部シールド層３０上に
下部ギャップ絶縁層３２ａ、３２ｂを介してＭＲ膜３１
とリード２６とを形成し、その上に上部ギャップ絶縁層
３３ａ、３３ｂを介して上部シールド層３４を形成する
場合に、下部ギャップ絶縁層及び上部ギャップ絶縁層の
各々が、複数回の成膜工程で形成される。
隔をより低減できる薄膜磁気ヘッド及びその製造方法を
提供する。 【構成】 下部シールド層３０と上部シールド層３４と
の間に、下部ギャップ絶縁層３２ａ、３２ｂとＭＲ膜３
１とリード２６と上部ギャップ絶縁層３３ａ、３３ｂと
が積層されており、下部ギャップ絶縁層及び上部ギャッ
プ絶縁層の各々が、複数の層３２ａ、３２ｂ又は３３
ａ、３３ｂで形成されている。下部シールド層３０上に
下部ギャップ絶縁層３２ａ、３２ｂを介してＭＲ膜３１
とリード２６とを形成し、その上に上部ギャップ絶縁層
３３ａ、３３ｂを介して上部シールド層３４を形成する
場合に、下部ギャップ絶縁層及び上部ギャップ絶縁層の
各々が、複数回の成膜工程で形成される。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、磁気ディスク等の磁気
媒体からの再生を行う磁気抵抗ヘッド（Ｍａｇｎｅｔｏ
Ｒｅｓｉｓｔｉｖｅ ｈｅａｄ、以下ＭＲヘッドと称
する）を少なくとも有する薄膜磁気ヘッド及びその製造
方法に関する。
媒体からの再生を行う磁気抵抗ヘッド（Ｍａｇｎｅｔｏ
Ｒｅｓｉｓｔｉｖｅ ｈｅａｄ、以下ＭＲヘッドと称
する）を少なくとも有する薄膜磁気ヘッド及びその製造
方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】近年、磁気ディスク等の磁気媒体用の薄
膜磁気ヘッドとして、ＭＲヘッドが実用化され始めてい
る。ＭＲヘッドは、磁化に依存して電気抵抗が変化する
という磁気抵抗効果を利用しており、その性質上、不要
な磁界を遮断するためのシールド層をＭＲ膜の両側に必
ず設ける必要がある。
膜磁気ヘッドとして、ＭＲヘッドが実用化され始めてい
る。ＭＲヘッドは、磁化に依存して電気抵抗が変化する
という磁気抵抗効果を利用しており、その性質上、不要
な磁界を遮断するためのシールド層をＭＲ膜の両側に必
ず設ける必要がある。
【０００３】図４は、従来のＭＲヘッドの一部構成を、
磁気媒体に対向する底面側から概略的に表したものであ
る。
磁気媒体に対向する底面側から概略的に表したものであ
る。
【０００４】同図において、４０は浮上用のスライダの
後端面側に、図示しない絶縁性の下地膜を介して形成さ
れた下部シールド層であり、この下部シールド層４０と
上部シールド層４４との間には、単一の成膜工程で形成
された下部ギャップ絶縁層４２、ＭＲ素子４１、リード
４６、及び単一の成膜工程で形成された上部ギャップ絶
縁層４３が積層されている。
後端面側に、図示しない絶縁性の下地膜を介して形成さ
れた下部シールド層であり、この下部シールド層４０と
上部シールド層４４との間には、単一の成膜工程で形成
された下部ギャップ絶縁層４２、ＭＲ素子４１、リード
４６、及び単一の成膜工程で形成された上部ギャップ絶
縁層４３が積層されている。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】ＭＲヘッドの分解能を
高めるためには、下部シールド層４０と上部シールド層
４４との間隔を磁気媒体上の記録磁化のビット間隔（磁
化反転距離）よりやや小さい値以下に保つことが必要で
ある。高密度記録においてはこの磁化反転距離が数千Å
となり、ＭＲ素子４１の膜厚が約２０００Å程度である
とすると、下部ギャップ絶縁層４２及び上部ギャップ絶
縁層４３各々の膜厚は１０００Å程度であることが要求
される。
高めるためには、下部シールド層４０と上部シールド層
４４との間隔を磁気媒体上の記録磁化のビット間隔（磁
化反転距離）よりやや小さい値以下に保つことが必要で
ある。高密度記録においてはこの磁化反転距離が数千Å
となり、ＭＲ素子４１の膜厚が約２０００Å程度である
とすると、下部ギャップ絶縁層４２及び上部ギャップ絶
縁層４３各々の膜厚は１０００Å程度であることが要求
される。
【０００６】しかしながら従来技術によると、これらギ
ャップ絶縁層は絶縁性の関係から最低でも２０００Å程
度の膜厚を必要としている。ギャップ絶縁層を１０００
Å程度に薄くすると、ＭＲ素子４１やリード４６が下部
シールド層４０や上部シールド層４４に短絡したり電流
漏れを引き起こしてヘッド特性が大幅に悪化するという
問題が生じる。
ャップ絶縁層は絶縁性の関係から最低でも２０００Å程
度の膜厚を必要としている。ギャップ絶縁層を１０００
Å程度に薄くすると、ＭＲ素子４１やリード４６が下部
シールド層４０や上部シールド層４４に短絡したり電流
漏れを引き起こしてヘッド特性が大幅に悪化するという
問題が生じる。
【０００７】従って本発明は、良好な絶縁性を維持しつ
つシールド層間の間隔をより低減できる薄膜磁気ヘッド
及びその製造方法を提供するものである。
つシールド層間の間隔をより低減できる薄膜磁気ヘッド
及びその製造方法を提供するものである。
【０００８】
【課題を解決するための手段】本発明によれば、下部シ
ールド層と上部シールド層との間に、下部ギャップ絶縁
層とＭＲ膜とリードと上部ギャップ絶縁層とが積層され
ており、下部ギャップ絶縁層及び上部ギャップ絶縁層の
各々が、複数の層で形成されている薄膜磁気ヘッドが提
供される。
ールド層と上部シールド層との間に、下部ギャップ絶縁
層とＭＲ膜とリードと上部ギャップ絶縁層とが積層され
ており、下部ギャップ絶縁層及び上部ギャップ絶縁層の
各々が、複数の層で形成されている薄膜磁気ヘッドが提
供される。
【０００９】上述の複数の層が、ＣＶＤ法によって形成
された層とスパッタ法によって形成された層とを有する
かもしれない。
された層とスパッタ法によって形成された層とを有する
かもしれない。
【００１０】上述の複数の層が、同一材料の層からなっ
てもよい。
てもよい。
【００１１】上述の複数の層が、互いに異なる材料の層
からなることが好ましい。
からなることが好ましい。
【００１２】これらの層は、ＳｉＯ2 層とＳｉＮ4 層と
を含んでいるかもしれない。
を含んでいるかもしれない。
【００１３】また、本発明によれば、下部シールド層上
に下部ギャップ絶縁層を介してＭＲ膜とリードとを形成
し、その上に上部ギャップ絶縁層を介して上部シールド
層を形成する場合に、下部ギャップ絶縁層及び上部ギャ
ップ絶縁層の各々が、複数回の成膜工程で形成される薄
膜磁気ヘッドの製造方法が提供される。
に下部ギャップ絶縁層を介してＭＲ膜とリードとを形成
し、その上に上部ギャップ絶縁層を介して上部シールド
層を形成する場合に、下部ギャップ絶縁層及び上部ギャ
ップ絶縁層の各々が、複数回の成膜工程で形成される薄
膜磁気ヘッドの製造方法が提供される。
【００１４】上述の複数回の成膜工程が、ＣＶＤ法によ
る成膜工程とスパッタ法による成膜工程とを含んでいる
かもしれない。
る成膜工程とスパッタ法による成膜工程とを含んでいる
かもしれない。
【００１５】上述の複数回の成膜工程が、同一材料によ
る層を形成するものであってもよい。
る層を形成するものであってもよい。
【００１６】上述の複数回の成膜工程が、互いに異なる
材料による層を形成するものであることが好ましい。
材料による層を形成するものであることが好ましい。
【００１７】これらの成膜工程が、ＳｉＯ2 層を形成す
る工程と、ＳｉＮ4 層を形成する工程とを含んでいるか
もしれない。
る工程と、ＳｉＮ4 層を形成する工程とを含んでいるか
もしれない。
【００１８】
【作用】下部ギャップ絶縁層及び上部ギャップ絶縁層の
各々が、複数回の成膜工程で形成されるので、絶縁層形
成過程で生じるピンホールが各膜で遮断された形とな
り、その結果、膜厚を小さくしても絶縁性の劣化を引き
起こさない。
各々が、複数回の成膜工程で形成されるので、絶縁層形
成過程で生じるピンホールが各膜で遮断された形とな
り、その結果、膜厚を小さくしても絶縁性の劣化を引き
起こさない。
【００１９】
【実施例】以下実施例により本発明を詳細に説明する。
【００２０】図２は、本発明の一実施例として、複合型
の薄膜磁気ヘッドを備えた浮上型磁気ヘッドユニットを
示す斜視図である。
の薄膜磁気ヘッドを備えた浮上型磁気ヘッドユニットを
示す斜視図である。
【００２１】同図に示すように、本実施例の浮上型磁気
ヘッドユニットは、スライダ２０とその（磁気媒体に対
するヘッドユニットの相対的走行方向に関して）後端面
上に設けられた２つの薄膜磁気ヘッド２１とその保護膜
２２とから主として構成されている。スライダ２０は、
例えばＡｌ2 Ｏ3 −ＴｉＣ等のセラミック材料によるセ
ラミック構造体２３とそのセラミック構造体２３の後端
面にＡｌ2 Ｏ3 又はＳｉＯ2 等の電気絶縁材料をスパッ
タして形成される下地膜２４とから構成されている。
ヘッドユニットは、スライダ２０とその（磁気媒体に対
するヘッドユニットの相対的走行方向に関して）後端面
上に設けられた２つの薄膜磁気ヘッド２１とその保護膜
２２とから主として構成されている。スライダ２０は、
例えばＡｌ2 Ｏ3 −ＴｉＣ等のセラミック材料によるセ
ラミック構造体２３とそのセラミック構造体２３の後端
面にＡｌ2 Ｏ3 又はＳｉＯ2 等の電気絶縁材料をスパッ
タして形成される下地膜２４とから構成されている。
【００２２】薄膜磁気ヘッド２１は下地膜２４上に形成
される薄膜素子であり、これらヘッド２１には保護膜２
２の表面に露出するように形成された４つの電極２５が
４つのリード２６をそれぞれ介して接続されている。
される薄膜素子であり、これらヘッド２１には保護膜２
２の表面に露出するように形成された４つの電極２５が
４つのリード２６をそれぞれ介して接続されている。
【００２３】保護膜２２はＡｌ2 Ｏ3 又はＳｉＯ2 等を
スパッタして形成されており、薄膜磁気ヘッド２１、下
地膜２４、及びリード２６の全面を覆うように形成され
ている。
スパッタして形成されており、薄膜磁気ヘッド２１、下
地膜２４、及びリード２６の全面を覆うように形成され
ている。
【００２４】図３は、薄膜磁気ヘッド２１の構造をより
詳細に示すために図２のＡＡ線で切断した部分断面図で
ある。
詳細に示すために図２のＡＡ線で切断した部分断面図で
ある。
【００２５】上述したセラミック構造体２３の後端面上
に形成された下地膜２４上には、パーマロイ等の軟磁性
膜をめっき等することにより下部シールド層３０が形成
されている。
に形成された下地膜２４上には、パーマロイ等の軟磁性
膜をめっき等することにより下部シールド層３０が形成
されている。
【００２６】この下部シールド層３０上には、下部ギャ
ップ絶縁層３２が後述するごとく２回の成膜工程で形成
され、その上にパーマロイ等をスパッタしてＭＲ膜を形
成しこれをパターニングすることによってＭＲ素子３１
が形成される。ＭＲ素子３１には、Ｃｕ等によるリード
２６（図２）がめっき等によって形成される。このＭＲ
素子３１には、シャント層、ソフト・フィルム・バイア
ス層等がスパッタ等によって併設される。ＭＲ素子３
１、リード２６、及び下部ギャップ絶縁層３２上にはこ
れも２回の成膜工程で上部ギャップ絶縁層３３が形成さ
れる。
ップ絶縁層３２が後述するごとく２回の成膜工程で形成
され、その上にパーマロイ等をスパッタしてＭＲ膜を形
成しこれをパターニングすることによってＭＲ素子３１
が形成される。ＭＲ素子３１には、Ｃｕ等によるリード
２６（図２）がめっき等によって形成される。このＭＲ
素子３１には、シャント層、ソフト・フィルム・バイア
ス層等がスパッタ等によって併設される。ＭＲ素子３
１、リード２６、及び下部ギャップ絶縁層３２上にはこ
れも２回の成膜工程で上部ギャップ絶縁層３３が形成さ
れる。
【００２７】上部ギャップ絶縁層３３の上には、パーマ
ロイ等の軟磁性膜をめっき等することにより上部シール
ド層３４が形成されている。
ロイ等の軟磁性膜をめっき等することにより上部シール
ド層３４が形成されている。
【００２８】これら下部シールド層３０、下部ギャップ
絶縁層３２、ＭＲ素子３１、リード２６、上部ギャップ
絶縁層３３、及び上部シールド層３４が再生用のＭＲヘ
ッド部を構成している。上部シールド層３４上には、Ａ
ｌ2 Ｏ3 等をスパッタすることにより絶縁膜３５が形成
されている。
絶縁層３２、ＭＲ素子３１、リード２６、上部ギャップ
絶縁層３３、及び上部シールド層３４が再生用のＭＲヘ
ッド部を構成している。上部シールド層３４上には、Ａ
ｌ2 Ｏ3 等をスパッタすることにより絶縁膜３５が形成
されている。
【００２９】絶縁膜３５上には、パーマロイ等の軟磁性
膜をめっきすることにより下部磁性層３６が形成されて
おり、その上にＡｌ2 Ｏ3 又はＳｉＯ2 等の絶縁膜３７
に挟まれてＣｕ又はＡｕ等によるコイル導体３８が設け
られており、さらにその上にパーマロイ等のＮｉ−Ｆｅ
合金をめっきすることにより上部磁性層３９が形成され
ている。
膜をめっきすることにより下部磁性層３６が形成されて
おり、その上にＡｌ2 Ｏ3 又はＳｉＯ2 等の絶縁膜３７
に挟まれてＣｕ又はＡｕ等によるコイル導体３８が設け
られており、さらにその上にパーマロイ等のＮｉ−Ｆｅ
合金をめっきすることにより上部磁性層３９が形成され
ている。
【００３０】下部磁性層３６及び上部磁性層３９は、磁
気媒体に対向する面Ｂとは反対側の部分３９ａで互いに
結合されており、これにより記録用のインダクティブヘ
ッド部のコアを構成している。コイル導体３８は、下部
磁性層３６及び上部磁性層３９の結合部３９ａの回りを
うず巻き状に巻回するように形成されている。
気媒体に対向する面Ｂとは反対側の部分３９ａで互いに
結合されており、これにより記録用のインダクティブヘ
ッド部のコアを構成している。コイル導体３８は、下部
磁性層３６及び上部磁性層３９の結合部３９ａの回りを
うず巻き状に巻回するように形成されている。
【００３１】上部磁性層３９の上には、前述した保護膜
２２が形成されている。
２２が形成されている。
【００３２】なお、下部磁性層３６が上部シールド層３
４の機能をも果たすように兼用する構成としてもよいこ
とは明らかである。この場合、当然のことながら絶縁膜
３５は省略される。
４の機能をも果たすように兼用する構成としてもよいこ
とは明らかである。この場合、当然のことながら絶縁膜
３５は省略される。
【００３３】図１は、本実施例における薄膜磁気ヘッド
２１のＭＲヘッド部を磁気媒体に対向する底面側（図３
の面Ｂ側）から概略的に表したものである。
２１のＭＲヘッド部を磁気媒体に対向する底面側（図３
の面Ｂ側）から概略的に表したものである。
【００３４】同図において、３０は少なくともＭＲ素子
３１の領域を覆うように設けられた下部シールド層であ
り、パーマロイ等の軟磁性膜をめっき等して１〜２μｍ
程度の膜厚で形成されている。この下部シールド層３０
上には、２回の成膜工程により第１の下部ギャップ絶縁
層３２ａと第２の下部ギャップ絶縁層３２ｂとが積層形
成されている。
３１の領域を覆うように設けられた下部シールド層であ
り、パーマロイ等の軟磁性膜をめっき等して１〜２μｍ
程度の膜厚で形成されている。この下部シールド層３０
上には、２回の成膜工程により第１の下部ギャップ絶縁
層３２ａと第２の下部ギャップ絶縁層３２ｂとが積層形
成されている。
【００３５】第１の下部ギャップ絶縁層３２ａはＳｉＯ
2 をスパッタ法により約５００Åの膜厚に形成してな
り、第２の下部ギャップ絶縁層３２ｂは第１の下部ギャ
ップ絶縁層３２ａ上にＳｉＮ4 をＣＶＤ法（化学蒸着
法）により約５００Åの膜厚に形成してなる。
2 をスパッタ法により約５００Åの膜厚に形成してな
り、第２の下部ギャップ絶縁層３２ｂは第１の下部ギャ
ップ絶縁層３２ａ上にＳｉＮ4 をＣＶＤ法（化学蒸着
法）により約５００Åの膜厚に形成してなる。
【００３６】第２の下部ギャップ絶縁層３２ｂ上には、
パーマロイ等をスパッタして約３００〜６００Åの膜厚
のＭＲ膜を形成しさらにＴｉをスパッタしてバイアスを
与えるための約５００〜１５００Åの膜厚のシャント層
を形成した後、これらをパターニングしてＭＲ素子３１
が形成される。前述のごとく、シャント層の代わりにソ
フト・フィルム・バイアス層等を形成してもよい。ま
た、成膜順序が上述のものと逆であってもよい。
パーマロイ等をスパッタして約３００〜６００Åの膜厚
のＭＲ膜を形成しさらにＴｉをスパッタしてバイアスを
与えるための約５００〜１５００Åの膜厚のシャント層
を形成した後、これらをパターニングしてＭＲ素子３１
が形成される。前述のごとく、シャント層の代わりにソ
フト・フィルム・バイアス層等を形成してもよい。ま
た、成膜順序が上述のものと逆であってもよい。
【００３７】ＭＲ素子３１上には、リード２６がＣｕ等
を約０．５μｍ程度の膜厚にめっきしてパターニングす
ることによって形成される。
を約０．５μｍ程度の膜厚にめっきしてパターニングす
ることによって形成される。
【００３８】ＭＲ素子３１、リード２６、及び第２の下
部ギャップ絶縁層３２ｂ上には、２回の成膜工程により
第１の上部ギャップ絶縁層３３ａと第２の上部ギャップ
絶縁層３３ｂとが積層形成されている。
部ギャップ絶縁層３２ｂ上には、２回の成膜工程により
第１の上部ギャップ絶縁層３３ａと第２の上部ギャップ
絶縁層３３ｂとが積層形成されている。
【００３９】第１の上部ギャップ絶縁層３３ａはＳｉＯ
2 をスパッタ法により約５００Åの膜厚に形成してな
り、第２の上部ギャップ絶縁層３３ｂは第１の上部ギャ
ップ絶縁層３３ａ上にＳｉＮ4 をＣＶＤ法（化学蒸着
法）により約５００Åの膜厚に形成してなる。
2 をスパッタ法により約５００Åの膜厚に形成してな
り、第２の上部ギャップ絶縁層３３ｂは第１の上部ギャ
ップ絶縁層３３ａ上にＳｉＮ4 をＣＶＤ法（化学蒸着
法）により約５００Åの膜厚に形成してなる。
【００４０】この第２の上部ギャップ絶縁層３３ｂ上の
少なくともＭＲ素子３１を覆う部分には、パーマロイ等
のＮｉ−Ｆｅ合金をめっき等することにより１．５〜３
μｍ程度の膜厚の上部シールド層３４が形成されてい
る。
少なくともＭＲ素子３１を覆う部分には、パーマロイ等
のＮｉ−Ｆｅ合金をめっき等することにより１．５〜３
μｍ程度の膜厚の上部シールド層３４が形成されてい
る。
【００４１】このように本実施例によれば、下部ギャッ
プ絶縁層３２及び上部ギャップ絶縁層３３の各々が、２
回の成膜工程で形成されたＳｉＯ2 及びＳｉＮ4 の２つ
の層から構成されている。このため、各ギャップ絶縁層
の膜厚を約１０００Å程度に薄くしても良好な絶縁性を
保つことができる。その結果、より優れた分解能を有し
つつ絶縁性が良好なＭＲヘッドを提供することができ
る。
プ絶縁層３２及び上部ギャップ絶縁層３３の各々が、２
回の成膜工程で形成されたＳｉＯ2 及びＳｉＮ4 の２つ
の層から構成されている。このため、各ギャップ絶縁層
の膜厚を約１０００Å程度に薄くしても良好な絶縁性を
保つことができる。その結果、より優れた分解能を有し
つつ絶縁性が良好なＭＲヘッドを提供することができ
る。
【００４２】表１は、ギャップ絶縁層をＡｌ2 Ｏ3 を用
いてノンバイアススパッタ法により１回の成膜工程で形
成した場合と、ギャップ絶縁層をＡｌ2 Ｏ3 を用いてバ
イアススパッタ法により１回の成膜工程で形成した場合
と、ギャップ絶縁層を本実施例のごとくＳｉＯ2 を用い
たスパッタ法及びＳｉＮ4 を用いたＣＶＤ法という２回
の成膜工程で形成した場合との絶縁性を膜厚毎に比較し
たものである。
いてノンバイアススパッタ法により１回の成膜工程で形
成した場合と、ギャップ絶縁層をＡｌ2 Ｏ3 を用いてバ
イアススパッタ法により１回の成膜工程で形成した場合
と、ギャップ絶縁層を本実施例のごとくＳｉＯ2 を用い
たスパッタ法及びＳｉＮ4 を用いたＣＶＤ法という２回
の成膜工程で形成した場合との絶縁性を膜厚毎に比較し
たものである。
【００４３】
【表１】
【００４４】同表からも明らかのように、１回の成膜工
程によると１５００Å程度の膜厚以下で絶縁性が悪化す
るが、２回の成膜工程によると約１０００Åの膜厚とな
っても絶縁性が良好に維持される。これは、２回の成膜
工程によって絶縁層形成過程で生じるピンホールが各膜
で遮断された形となり、その結果、膜厚を薄くしても絶
縁性の劣化を引き起こさないためであると考えられる。
程によると１５００Å程度の膜厚以下で絶縁性が悪化す
るが、２回の成膜工程によると約１０００Åの膜厚とな
っても絶縁性が良好に維持される。これは、２回の成膜
工程によって絶縁層形成過程で生じるピンホールが各膜
で遮断された形となり、その結果、膜厚を薄くしても絶
縁性の劣化を引き起こさないためであると考えられる。
【００４５】上述の実施例では２回の成膜工程でギャッ
プ絶縁層を形成しているが、これは３回以上の成膜工程
で形成してもよいことは明らかである。
プ絶縁層を形成しているが、これは３回以上の成膜工程
で形成してもよいことは明らかである。
【００４６】また、これら成膜工程で用いる絶縁材料
は、前述したＳｉＯ2 やＳｉＮ4 と異なる他の絶縁材料
であってもよい。しかも各成膜工程で用いる絶縁材料
が、互いに異なっていてもよいし、同じ材料であっても
よい。
は、前述したＳｉＯ2 やＳｉＮ4 と異なる他の絶縁材料
であってもよい。しかも各成膜工程で用いる絶縁材料
が、互いに異なっていてもよいし、同じ材料であっても
よい。
【００４７】さらに、成膜方法として、スパッタ法及び
ＣＶＤ法を組み合わせてもよいし、スパッタ法又はＣＶ
Ｄ法のどちらか一方を用いてもよい。これらスパッタ法
及びＣＶＤ法と異なる他の成膜方法を用いることもあり
得る。
ＣＶＤ法を組み合わせてもよいし、スパッタ法又はＣＶ
Ｄ法のどちらか一方を用いてもよい。これらスパッタ法
及びＣＶＤ法と異なる他の成膜方法を用いることもあり
得る。
【００４８】
【発明の効果】以上詳細に説明したように本発明の薄膜
磁気ヘッドは、下部シールド層と上部シールド層との間
に、下部ギャップ絶縁層とＭＲ膜とリードと上部ギャッ
プ絶縁層とが積層されており、下部ギャップ絶縁層及び
上部ギャップ絶縁層の各々が、複数の層で形成されてお
り、本発明の製造方法は、下部シールド層上に下部ギャ
ップ絶縁層を介してＭＲ膜とリードとを形成し、その上
に上部ギャップ絶縁層を介して上部シールド層を形成す
る場合に、下部ギャップ絶縁層及び上部ギャップ絶縁層
の各々が、複数回の成膜工程で形成される。従って、良
好な絶縁性を維持しつつシールド層間の間隔をより低減
でき、その結果、絶縁性を悪化することなくより優れた
分解能を得ることができる。
磁気ヘッドは、下部シールド層と上部シールド層との間
に、下部ギャップ絶縁層とＭＲ膜とリードと上部ギャッ
プ絶縁層とが積層されており、下部ギャップ絶縁層及び
上部ギャップ絶縁層の各々が、複数の層で形成されてお
り、本発明の製造方法は、下部シールド層上に下部ギャ
ップ絶縁層を介してＭＲ膜とリードとを形成し、その上
に上部ギャップ絶縁層を介して上部シールド層を形成す
る場合に、下部ギャップ絶縁層及び上部ギャップ絶縁層
の各々が、複数回の成膜工程で形成される。従って、良
好な絶縁性を維持しつつシールド層間の間隔をより低減
でき、その結果、絶縁性を悪化することなくより優れた
分解能を得ることができる。
【図１】図２の実施例における薄膜磁気ヘッドのＭＲヘ
ッド部の一部構成を磁気媒体に対向する底面側から概略
的に示す底面図である。
ッド部の一部構成を磁気媒体に対向する底面側から概略
的に示す底面図である。
【図２】本発明の一実施例として、複合型薄膜磁気ヘッ
ドを備えた浮上型磁気ヘッドユニットを示す斜視図であ
る。
ドを備えた浮上型磁気ヘッドユニットを示す斜視図であ
る。
【図３】図２のＡＡ線による部分断面図である。
【図４】従来のＭＲヘッドの一部構成を磁気媒体に対向
する底面側から概略的に示す底面図である。
する底面側から概略的に示す底面図である。
２３ セラミック構造体 ２６ リード ３０ 下部シールド層 ３１ ＭＲ膜 ３２ａ、３２ｂ 下部ギャップ絶縁層 ３３ａ、３３ｂ 上部ギャップ絶縁層 ３４ 上部シールド層
Claims (10)
- 【請求項１】 下部シールド層と上部シールド層との間
に、下部ギャップ絶縁層と磁気抵抗膜とリードと上部ギ
ャップ絶縁層とが積層されている薄膜磁気ヘッドであっ
て、前記下部ギャップ絶縁層及び前記上部ギャップ絶縁
層の各々が、複数の層で形成されていることを特徴とす
る薄膜磁気ヘッド。 - 【請求項２】 前記複数の層が、ＣＶＤ法によって形成
された層とスパッタ法によって形成された層とを有する
ことを特徴とする請求項１に記載の薄膜磁気ヘッド。 - 【請求項３】 前記複数の層が、同一材料の層からなる
ことを特徴とする請求項１又は２に記載の薄膜磁気ヘッ
ド。 - 【請求項４】 前記複数の層が、互いに異なる材料の層
からなることを特徴とする請求項１又は２に記載の薄膜
磁気ヘッド。 - 【請求項５】 前記複数の層が、ＳｉＯ2 層とＳｉＮ4
層とを含んでいることを特徴とする請求項４に記載の薄
膜磁気ヘッド。 - 【請求項６】 下部シールド層上に下部ギャップ絶縁層
を介して磁気抵抗膜とリードとを形成し、その上に上部
ギャップ絶縁層を介して上部シールド層を形成する薄膜
磁気ヘッドの製造方法であって、前記下部ギャップ絶縁
層及び前記上部ギャップ絶縁層の各々が、複数回の成膜
工程で形成されることを特徴とする薄膜磁気ヘッドの製
造方法。 - 【請求項７】 前記複数回の成膜工程が、ＣＶＤ法によ
る成膜工程とスパッタ法による成膜工程とを含んでいる
ことを特徴とする請求項６に記載の薄膜磁気ヘッドの製
造方法。 - 【請求項８】 前記複数回の成膜工程が、同一材料によ
る層を形成するものであることを特徴とする請求項６に
記載の薄膜磁気ヘッドの製造方法。 - 【請求項９】 前記複数回の成膜工程が、互いに異なる
材料による層を形成するものであることを特徴とする請
求項６に記載の薄膜磁気ヘッドの製造方法。 - 【請求項１０】 前記複数回の成膜工程が、ＳｉＯ2 層
を形成する工程と、ＳｉＮ4 層を形成する工程とを含ん
でいることを特徴とする請求項９に記載の薄膜磁気ヘッ
ドの製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP22223392A JPH0652517A (ja) | 1992-07-30 | 1992-07-30 | 薄膜磁気ヘッド及びその製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP22223392A JPH0652517A (ja) | 1992-07-30 | 1992-07-30 | 薄膜磁気ヘッド及びその製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0652517A true JPH0652517A (ja) | 1994-02-25 |
Family
ID=16779204
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP22223392A Pending JPH0652517A (ja) | 1992-07-30 | 1992-07-30 | 薄膜磁気ヘッド及びその製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0652517A (ja) |
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100295935B1 (ko) * | 1997-09-17 | 2001-08-07 | 가타오카 마사타카 | 박막자기헤드 |
| US6501626B1 (en) | 2000-05-03 | 2002-12-31 | International Business Machines Corporation | Read head with a combined second read gap and pinning layer for a top spin valve sensor |
| US6563677B2 (en) * | 1997-07-18 | 2003-05-13 | Hitachi, Ltd. | Magnetoresistive effect type reproducing head and magnetic disk apparatus equipped with the reproducing head |
| US7061727B2 (en) | 2000-12-28 | 2006-06-13 | Hitachi, Ltd. | Magnetoresistive head using multilayered varistor material |
| JP2019527476A (ja) * | 2016-07-14 | 2019-09-26 | インターナショナル・ビジネス・マシーンズ・コーポレーションＩｎｔｅｒｎａｔｉｏｎａｌ Ｂｕｓｉｎｅｓｓ Ｍａｃｈｉｎｅｓ Ｃｏｒｐｏｒａｔｉｏｎ | インダクタ構造体およびインダクタ構造体を形成する方法 |
-
1992
- 1992-07-30 JP JP22223392A patent/JPH0652517A/ja active Pending
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
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| KR100295935B1 (ko) * | 1997-09-17 | 2001-08-07 | 가타오카 마사타카 | 박막자기헤드 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 20010123 |