JPH064831A - 薄膜磁気ヘッド - Google Patents
薄膜磁気ヘッドInfo
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- JPH064831A JPH064831A JP18863792A JP18863792A JPH064831A JP H064831 A JPH064831 A JP H064831A JP 18863792 A JP18863792 A JP 18863792A JP 18863792 A JP18863792 A JP 18863792A JP H064831 A JPH064831 A JP H064831A
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- 239000010409 thin film Substances 0.000 title claims abstract description 33
- 230000000694 effects Effects 0.000 claims abstract description 27
- 239000000758 substrate Substances 0.000 abstract description 7
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 44
- 239000002131 composite material Substances 0.000 description 12
- 238000000034 method Methods 0.000 description 7
- 229910018072 Al 2 O 3 Inorganic materials 0.000 description 4
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 239000010408 film Substances 0.000 description 4
- 239000000463 material Substances 0.000 description 4
- 239000002356 single layer Substances 0.000 description 4
- 229910003271 Ni-Fe Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000011241 protective layer Substances 0.000 description 3
- 229910000531 Co alloy Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910004298 SiO 2 Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000000956 alloy Substances 0.000 description 2
- PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N aluminium oxide Inorganic materials [O-2].[O-2].[O-2].[Al+3].[Al+3] PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000001771 impaired effect Effects 0.000 description 2
- 230000006698 induction Effects 0.000 description 2
- 230000001939 inductive effect Effects 0.000 description 2
- 239000011810 insulating material Substances 0.000 description 2
- 239000000696 magnetic material Substances 0.000 description 2
- 238000007747 plating Methods 0.000 description 2
- 235000012239 silicon dioxide Nutrition 0.000 description 2
- 239000000377 silicon dioxide Substances 0.000 description 2
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 2
- 229910001030 Iron–nickel alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000010030 laminating Methods 0.000 description 1
- 239000012811 non-conductive material Substances 0.000 description 1
- 229910000889 permalloy Inorganic materials 0.000 description 1
Landscapes
- Magnetic Heads (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】 磁気抵抗効果素子の短絡の可能性が低減し、
信頼性に優れた薄膜磁気ヘッドを提供する。 【構成】 非磁性基板１上に絶縁層2aを形成し、厚み0.
3 μm , 幅 100μm ,長さ50μm の先導磁気シールド層1
3, 磁気抵抗効果素子４及び厚み１μm ，幅 100μm ,
長さ50μm の後続磁気シールド層５からなる磁気抵抗効
果型の薄膜磁気ヘッドを形成する。
信頼性に優れた薄膜磁気ヘッドを提供する。 【構成】 非磁性基板１上に絶縁層2aを形成し、厚み0.
3 μm , 幅 100μm ,長さ50μm の先導磁気シールド層1
3, 磁気抵抗効果素子４及び厚み１μm ，幅 100μm ,
長さ50μm の後続磁気シールド層５からなる磁気抵抗効
果型の薄膜磁気ヘッドを形成する。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は磁気記録装置に用いられ
る磁気抵抗効果型の薄膜磁気ヘッドに関する。
る磁気抵抗効果型の薄膜磁気ヘッドに関する。
【０００２】
【従来の技術】高密度記録に対応するため記録及び再生
のそれぞれの特性の最適化が可能な２つの専用ヘッドを
有する複合型薄膜磁気ヘッドが提案されている。一般的
な複合型薄膜磁気ヘッドは記録専用である誘導型の薄膜
磁気ヘッド及び再生専用である磁気抵抗効果型の薄膜磁
気ヘッドが積層形成されて構成されている。
のそれぞれの特性の最適化が可能な２つの専用ヘッドを
有する複合型薄膜磁気ヘッドが提案されている。一般的
な複合型薄膜磁気ヘッドは記録専用である誘導型の薄膜
磁気ヘッド及び再生専用である磁気抵抗効果型の薄膜磁
気ヘッドが積層形成されて構成されている。
【０００３】図３は従来の複合型薄膜磁気ヘッドの構造
を示す模式的断面図である。図中１は例えばアルチック
(Al2 Ｏ3 ・TiＣ）からなる非磁性基板であり、スライ
ダを構成する。
を示す模式的断面図である。図中１は例えばアルチック
(Al2 Ｏ3 ・TiＣ）からなる非磁性基板であり、スライ
ダを構成する。
【０００４】この非磁性基板１上面にアルミナ（Al2 Ｏ
3 ），二酸化珪素（SiＯ2 ）等の絶縁材料からなる下部
絶縁層2aが形成され、そして磁気抵抗効果型の薄膜磁気
ヘッドを構成する先導磁気シールド層３，磁気抵抗効果
素子４及び後続磁気シールド層５が順次形成される。先
導磁気シールド層３及び後続磁気シールド層５はNi−Fe
合金, コバルト系合金等の軟磁性材料の単層又は積層か
らなり、めっき法又はスパッタ蒸着法等の方法により形
成される。そして上面全体に上部絶縁層2bが形成され
る。さらにその上部に誘導型ヘッド６が形成され、上部
全体は保護層７で覆われる。
3 ），二酸化珪素（SiＯ2 ）等の絶縁材料からなる下部
絶縁層2aが形成され、そして磁気抵抗効果型の薄膜磁気
ヘッドを構成する先導磁気シールド層３，磁気抵抗効果
素子４及び後続磁気シールド層５が順次形成される。先
導磁気シールド層３及び後続磁気シールド層５はNi−Fe
合金, コバルト系合金等の軟磁性材料の単層又は積層か
らなり、めっき法又はスパッタ蒸着法等の方法により形
成される。そして上面全体に上部絶縁層2bが形成され
る。さらにその上部に誘導型ヘッド６が形成され、上部
全体は保護層７で覆われる。
【０００５】磁気抵抗効果型の薄膜磁気ヘッドを構成す
る各層は非磁性基板１の一端側によせて所定の寸法で設
けられており、他の部分は絶縁層２で覆われている。前
記一端側の端面は磁気記録ディスクＤに臨む空気ベアリ
ング面(ABS) である。
る各層は非磁性基板１の一端側によせて所定の寸法で設
けられており、他の部分は絶縁層２で覆われている。前
記一端側の端面は磁気記録ディスクＤに臨む空気ベアリ
ング面(ABS) である。
【０００６】図４は図３に示す複合型薄膜磁気ヘッドを
ABS 側から見た場合の構造を示す模式的断面図である。
磁気抵抗効果素子４はNiFe膜等の磁気抵抗効果がある薄
膜の単層又は複層からなる磁気抵抗効果薄膜層41上に電
極層42,42 が形成され、絶縁層2cで覆われた構成となっ
ている。
ABS 側から見た場合の構造を示す模式的断面図である。
磁気抵抗効果素子４はNiFe膜等の磁気抵抗効果がある薄
膜の単層又は複層からなる磁気抵抗効果薄膜層41上に電
極層42,42 が形成され、絶縁層2cで覆われた構成となっ
ている。
【０００７】以上の如き構成の複合型薄膜磁気ヘッドに
おいて先導，後続磁気シールド層３，５は磁気抵抗効果
素子４を隣接トラック及び隣接記録ビットからの漏洩磁
界から遮蔽するために用いられており、いずれも膜厚は
１μm である。記録・再生時には磁気記録ディスクＤが
図３に示す矢符の方向に回転する。
おいて先導，後続磁気シールド層３，５は磁気抵抗効果
素子４を隣接トラック及び隣接記録ビットからの漏洩磁
界から遮蔽するために用いられており、いずれも膜厚は
１μm である。記録・再生時には磁気記録ディスクＤが
図３に示す矢符の方向に回転する。
【０００８】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、この場
合、磁気記録ディスクＤ上の突起物に当たってABS が損
傷を受けることがある。特に先導磁気シールド層３が摩
擦されて、この先導磁気シールド層の材料が磁気抵抗効
果素子４に付着し、磁気抵抗効果素子４が電気的に短絡
するという問題がある。
合、磁気記録ディスクＤ上の突起物に当たってABS が損
傷を受けることがある。特に先導磁気シールド層３が摩
擦されて、この先導磁気シールド層の材料が磁気抵抗効
果素子４に付着し、磁気抵抗効果素子４が電気的に短絡
するという問題がある。
【０００９】そこで先導磁気シールド層材料として耐摩
耗性に優れた材料又は非導電性材料を使用すれば短絡の
可能性は低減し得るが、十分な軟磁性特性を得ることは
困難である。また、先導磁気シールド層３を省略する方
法も考えられるが、この場合、片シールドの効果しか得
られない。本発明は斯かる事情に鑑みてなされたもので
あり、磁気抵抗効果素子における短絡の可能性が少なく
信頼性に優れた薄膜磁気ヘッドを提供することを目的と
する。
耗性に優れた材料又は非導電性材料を使用すれば短絡の
可能性は低減し得るが、十分な軟磁性特性を得ることは
困難である。また、先導磁気シールド層３を省略する方
法も考えられるが、この場合、片シールドの効果しか得
られない。本発明は斯かる事情に鑑みてなされたもので
あり、磁気抵抗効果素子における短絡の可能性が少なく
信頼性に優れた薄膜磁気ヘッドを提供することを目的と
する。
【００１０】
【課題を解決するための手段】本発明に係る薄膜磁気ヘ
ッドは、先導磁気シールド層，磁気抵抗効果素子及び後
続磁気シールド層を備えてなる薄膜磁気ヘッドにおい
て、前記先導磁気シールド層の厚みが前記後続磁気シー
ルド層の厚みより小さく、かつ前記先導磁気シールド層
の厚みが 0.3μm 乃至 0.7μm であることを特徴とす
る。
ッドは、先導磁気シールド層，磁気抵抗効果素子及び後
続磁気シールド層を備えてなる薄膜磁気ヘッドにおい
て、前記先導磁気シールド層の厚みが前記後続磁気シー
ルド層の厚みより小さく、かつ前記先導磁気シールド層
の厚みが 0.3μm 乃至 0.7μm であることを特徴とす
る。
【００１１】
【作用】本発明にあっては先導磁気シールド層の厚みを
0.3μm 乃至 0.7μm としている。 0.3μm を下まわる
と十分なシールド効果が得られない。また、 0.7μm を
超えると摩擦された先導磁気シールド層の材料が磁気抵
抗効果素子に付着して起こる磁気抵抗効果素子の短絡の
可能性が増大する。よって、 0.3μm 乃至 0.7μm の範
囲では、この短絡の可能性が低減し、またシールド効果
も損なわれない。
0.3μm 乃至 0.7μm としている。 0.3μm を下まわる
と十分なシールド効果が得られない。また、 0.7μm を
超えると摩擦された先導磁気シールド層の材料が磁気抵
抗効果素子に付着して起こる磁気抵抗効果素子の短絡の
可能性が増大する。よって、 0.3μm 乃至 0.7μm の範
囲では、この短絡の可能性が低減し、またシールド効果
も損なわれない。
【００１２】
【実施例】以下本発明をその実施例を示す図面に基づい
て説明する。図１は本発明に係る薄膜磁気ヘッドを備え
た複合型薄膜磁気ヘッドの構造を示す模式的断面図であ
る。図中１は例えばアルチック (Al2 Ｏ3 ・TiＣ）から
なる非磁性基板であり、スライダを構成する。
て説明する。図１は本発明に係る薄膜磁気ヘッドを備え
た複合型薄膜磁気ヘッドの構造を示す模式的断面図であ
る。図中１は例えばアルチック (Al2 Ｏ3 ・TiＣ）から
なる非磁性基板であり、スライダを構成する。
【００１３】この非磁性基板１上面にアルミナ（Al2 Ｏ
3 ），二酸化珪素（SiＯ2 ）等の絶縁材料からなる下部
絶縁層2aが形成され、そして磁気抵抗効果型の薄膜磁気
ヘッドを構成する厚み 0.3μm , 幅 100μm , 長さ50μ
m の先導磁気シールド層13、磁気抵抗効果素子４及び厚
み１μm ，幅 100μm , 長さ50μm の後続磁気シールド
層５が順次形成される。先導磁気シールド層13及び後続
磁気シールド層５はNi−Fe合金, コバルト系合金等の軟
磁性材料の単層又は積層からなり、めっき法又はスパッ
タ蒸着法等の方法により形成される。そして上面全体に
上部絶縁層2bが形成される。
3 ），二酸化珪素（SiＯ2 ）等の絶縁材料からなる下部
絶縁層2aが形成され、そして磁気抵抗効果型の薄膜磁気
ヘッドを構成する厚み 0.3μm , 幅 100μm , 長さ50μ
m の先導磁気シールド層13、磁気抵抗効果素子４及び厚
み１μm ，幅 100μm , 長さ50μm の後続磁気シールド
層５が順次形成される。先導磁気シールド層13及び後続
磁気シールド層５はNi−Fe合金, コバルト系合金等の軟
磁性材料の単層又は積層からなり、めっき法又はスパッ
タ蒸着法等の方法により形成される。そして上面全体に
上部絶縁層2bが形成される。
【００１４】さらにその上部に誘導型ヘッド６が形成さ
れ、上部全体は保護層７で覆われる。磁気抵抗効果型の
薄膜磁気ヘッドを構成する各層は非磁性基板１の一端側
によせて設けられており、他の部分は絶縁層２で覆われ
ている。
れ、上部全体は保護層７で覆われる。磁気抵抗効果型の
薄膜磁気ヘッドを構成する各層は非磁性基板１の一端側
によせて設けられており、他の部分は絶縁層２で覆われ
ている。
【００１５】図２は図１に示す複合型薄膜磁気ヘッドを
ABS 側から見た場合の構造を示す模式的断面図である。
磁気抵抗効果素子４はNi−Fe膜等の磁気抵抗効果がある
薄膜の単層又は複層からなり、幅40μm , 長さ５μm の
磁気抵抗効果薄膜層41上に幅10μm の電極層42,42 がト
ラック幅となる10μm の距離を隔てて形成され、絶縁層
2cで覆われた構成となっている。
ABS 側から見た場合の構造を示す模式的断面図である。
磁気抵抗効果素子４はNi−Fe膜等の磁気抵抗効果がある
薄膜の単層又は複層からなり、幅40μm , 長さ５μm の
磁気抵抗効果薄膜層41上に幅10μm の電極層42,42 がト
ラック幅となる10μm の距離を隔てて形成され、絶縁層
2cで覆われた構成となっている。
【００１６】以上の如く構成の本発明装置においては磁
気抵抗効果素子の短絡が起こる頻度が、先導，後続磁気
シールド層が共に厚さ１μm の従来装置の場合に比べ、
ほぼ50％に低減された。また、シールド効果は損なわれ
なかった。なお、先導磁気シールド層の厚みは 0.3〜0.
7 μm であることが必要であり、後続磁気シールド層の
厚みは１〜４μm が好ましい理由は以下の通りである。
気抵抗効果素子の短絡が起こる頻度が、先導，後続磁気
シールド層が共に厚さ１μm の従来装置の場合に比べ、
ほぼ50％に低減された。また、シールド効果は損なわれ
なかった。なお、先導磁気シールド層の厚みは 0.3〜0.
7 μm であることが必要であり、後続磁気シールド層の
厚みは１〜４μm が好ましい理由は以下の通りである。
【００１７】先導磁気シールド層の厚みが 0.3μm を下
まわると十分なシールド効果が得られず、また膜厚のば
らつきが大きくなり歩留りが低下する。逆に 0.7μm を
超えると短絡発生頻度が大幅に上昇する。また後続磁気
シールド層は十分なシールド効果を得るためにビット長
と同等かそれ以上が望まれる。パーマロイを用いた場
合、ビット長の２倍程度が好ましいが、今後の高密度記
録においてはビット長は 0.5μm 程度であるため１μm
は必要である。そしてスペース的な面から上限は４μm
程度が好ましい。
まわると十分なシールド効果が得られず、また膜厚のば
らつきが大きくなり歩留りが低下する。逆に 0.7μm を
超えると短絡発生頻度が大幅に上昇する。また後続磁気
シールド層は十分なシールド効果を得るためにビット長
と同等かそれ以上が望まれる。パーマロイを用いた場
合、ビット長の２倍程度が好ましいが、今後の高密度記
録においてはビット長は 0.5μm 程度であるため１μm
は必要である。そしてスペース的な面から上限は４μm
程度が好ましい。
【００１８】
【発明の効果】以上の如く本発明に係る複合型薄膜磁気
ヘッドでは先導磁気シールド層の厚みが 0.3μm 乃至
0.7μm であるので、磁気抵抗効果素子の短絡の可能性
が低減し、又、シールド効果も得られて信頼性が向上す
る等優れた効果を奏する。
ヘッドでは先導磁気シールド層の厚みが 0.3μm 乃至
0.7μm であるので、磁気抵抗効果素子の短絡の可能性
が低減し、又、シールド効果も得られて信頼性が向上す
る等優れた効果を奏する。
【図１】本発明に係る薄膜磁気ヘッドを備えた複合型薄
膜磁気ヘッドの模式的断面図である。
膜磁気ヘッドの模式的断面図である。
【図２】図１に示す複合型薄膜磁気ヘッドをABS 側から
見た場合の構造を示す模式的断面図である。
見た場合の構造を示す模式的断面図である。
【図３】従来の複合型薄膜磁気ヘッドの構造を示す模式
的断面図である。
的断面図である。
【図４】図３に示す複合型薄膜磁気ヘッドをABS 側から
見た場合の構造を示す模式的断面図である。
見た場合の構造を示す模式的断面図である。
１ 非磁性基板 ２ 絶縁層 ３，13 先導磁気シールド層 ４ 磁気抵抗効果素子 ５ 後続磁気シールド層 ６ 誘導型ヘッド ７ 保護層 41 磁気抵抗効果薄膜層 42 電極層
Claims (1)
- 【請求項１】 先導磁気シールド層，磁気抵抗効果素子
及び後続磁気シールド層を備えてなる薄膜磁気ヘッドに
おいて、前記先導磁気シールド層の厚みが前記後続磁気
シールド層の厚みより小さく、かつ前記先導磁気シール
ド層の厚みが0.3μm 乃至 0.7μm であることを特徴と
する薄膜磁気ヘッド。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP18863792A JPH064831A (ja) | 1992-06-22 | 1992-06-22 | 薄膜磁気ヘッド |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP18863792A JPH064831A (ja) | 1992-06-22 | 1992-06-22 | 薄膜磁気ヘッド |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH064831A true JPH064831A (ja) | 1994-01-14 |
Family
ID=16227198
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP18863792A Pending JPH064831A (ja) | 1992-06-22 | 1992-06-22 | 薄膜磁気ヘッド |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH064831A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5661620A (en) * | 1994-06-13 | 1997-08-26 | Sony Corporation | Magneto-resistance effect magnetic head |
| US5771141A (en) * | 1996-04-26 | 1998-06-23 | Fujitsu Limited | Magnetoresistive head and magnetic recording/reproducing apparatus |
-
1992
- 1992-06-22 JP JP18863792A patent/JPH064831A/ja active Pending
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5661620A (en) * | 1994-06-13 | 1997-08-26 | Sony Corporation | Magneto-resistance effect magnetic head |
| US5786965A (en) * | 1994-06-13 | 1998-07-28 | Sony Corporation | Magneto-resistance effect magnetic head |
| US5771141A (en) * | 1996-04-26 | 1998-06-23 | Fujitsu Limited | Magnetoresistive head and magnetic recording/reproducing apparatus |
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