JPH0640541B2 - 真空処理装置 - Google Patents
真空処理装置Info
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- JPH0640541B2 JPH0640541B2 JP59050985A JP5098584A JPH0640541B2 JP H0640541 B2 JPH0640541 B2 JP H0640541B2 JP 59050985 A JP59050985 A JP 59050985A JP 5098584 A JP5098584 A JP 5098584A JP H0640541 B2 JPH0640541 B2 JP H0640541B2
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- Japan
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- vacuum processing
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- 230000003028 elevating effect Effects 0.000 claims description 2
- 238000000034 method Methods 0.000 description 8
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
- H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
- H01L21/302—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26 to change their surface-physical characteristics or shape, e.g. etching, polishing, cutting
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- Drying Of Semiconductors (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】 〔発明の利用分野〕 本発明は真空処理装置に係り、特に高速かつ安定なプラ
ズマ処理を行うのに好適な真空処理装置に関するもので
ある。
ズマ処理を行うのに好適な真空処理装置に関するもので
ある。
従来の真空処理装置は、試料を下部電極表面に載せて、
試料の自重のみによって試料と電極とを密着させて、試
料を電極を介して冷却または加熱するようにしていた。
また、一部の装置では、試料の周辺数個所をつめで押え
ることによって温度制御部材となる下部電極に密着させ
るようにしていた。しかし、前者の方法では、試料と電
極との密着度が悪いため、試料の温度制御効率が悪く、
試料のプラズマ処理時等の温度を十分に制御できず、例
えば、試料のドライエッチングにおいては、フォトレジ
ストの劣化等の悪影響が発生し、微細加工が困難になる
という欠点を生ずる。また、後者の場合は、下部電極の
構造が複雑になるばかりでなく、電極に設けたつめが汚
れた場合の洗浄が困難になるという問題がある。
試料の自重のみによって試料と電極とを密着させて、試
料を電極を介して冷却または加熱するようにしていた。
また、一部の装置では、試料の周辺数個所をつめで押え
ることによって温度制御部材となる下部電極に密着させ
るようにしていた。しかし、前者の方法では、試料と電
極との密着度が悪いため、試料の温度制御効率が悪く、
試料のプラズマ処理時等の温度を十分に制御できず、例
えば、試料のドライエッチングにおいては、フォトレジ
ストの劣化等の悪影響が発生し、微細加工が困難になる
という欠点を生ずる。また、後者の場合は、下部電極の
構造が複雑になるばかりでなく、電極に設けたつめが汚
れた場合の洗浄が困難になるという問題がある。
本発明は上記に鑑みてなされたもので、その目的とする
ところは、試料台から試料への熱伝導を良好にすること
ができ、試料に対して高速かつ安定なプラズマ処理等の
所定処理を行うことができる真空処理装置を提供するこ
とにある。
ところは、試料台から試料への熱伝導を良好にすること
ができ、試料に対して高速かつ安定なプラズマ処理等の
所定処理を行うことができる真空処理装置を提供するこ
とにある。
本発明は、真空容器内で温度制御された試料台上に試料
を配置し試料裏面にガスを供給して、試料を処理する真
空処理装置において、真空容器内に設けられた支え部材
によって支え部材上に載置・保持された試料押え部材
と、試料台を上下動させる昇降手段とを備え、試料台の
上昇によって試料が試料押え部材に当接し試料押え部材
が支え部材から持ち上げられ、試料押え部材の重量によ
って試料を試料台上面に保持させる構成とし、試料押え
部材の重量を試料面積に対し０．１ｇ／cm2以上とする
ことにより、試料台から試料への熱伝導を良好にさせ
て、試料に対して高速かつ安定なプラズマ処理等の所定
の真空処理が行えるようにしたものである。
を配置し試料裏面にガスを供給して、試料を処理する真
空処理装置において、真空容器内に設けられた支え部材
によって支え部材上に載置・保持された試料押え部材
と、試料台を上下動させる昇降手段とを備え、試料台の
上昇によって試料が試料押え部材に当接し試料押え部材
が支え部材から持ち上げられ、試料押え部材の重量によ
って試料を試料台上面に保持させる構成とし、試料押え
部材の重量を試料面積に対し０．１ｇ／cm2以上とする
ことにより、試料台から試料への熱伝導を良好にさせ
て、試料に対して高速かつ安定なプラズマ処理等の所定
の真空処理が行えるようにしたものである。
以下本発明を第１図，第４図〜第６図に示した実施例お
よび第２図，第３図を用いて詳細に説明する。
よび第２図，第３図を用いて詳細に説明する。
第１図は本発明の真空処理装置の試料押し付け機構の一
実施例を示す縦断面図である。第１図において、１は真
空容器、２は上部接地電極、３は試料台である下部電極
で、試料台である下部電極３は上下移動できるようにな
っており、また、冷却水や加熱水を出し入れする水通路
４およびガスを出し入れするガス通路５が設けられてあ
り、下部電極３上に設置した試料６に冷却水または加熱
水による熱がガスを介して伝わるようにしてあり、か
つ、高周波電源装置７から高周波電圧が印加されるよう
にしてある。８は、真空容器１の側壁に固定した一対か
らなる支え、９は試料押え、10はベローフランジであ
る。
実施例を示す縦断面図である。第１図において、１は真
空容器、２は上部接地電極、３は試料台である下部電極
で、試料台である下部電極３は上下移動できるようにな
っており、また、冷却水や加熱水を出し入れする水通路
４およびガスを出し入れするガス通路５が設けられてあ
り、下部電極３上に設置した試料６に冷却水または加熱
水による熱がガスを介して伝わるようにしてあり、か
つ、高周波電源装置７から高周波電圧が印加されるよう
にしてある。８は、真空容器１の側壁に固定した一対か
らなる支え、９は試料押え、10はベローフランジであ
る。
いま、下部電極３上に試料６を設置し、下部電極３を図
示しない下部電極上下機構によって図示１点鎖線位置か
ら実線位置に上昇させると、その過程で最初に試料６が
試料押え９の下部に接触し、その後は試料押え９を図示
１点鎖線位置から実線位置に押し上げ、試料押え９を支
え８から自由にする。この状態においては、試料６は下
部電極３の上面に自重と試料押え９の重量とによって押
しつけられ、下部電極３によく密着し、冷却水または加
熱水の熱はガスを介して試料６に十分に伝わり、試料６
の表面温度が良好に制御されるようになる。
示しない下部電極上下機構によって図示１点鎖線位置か
ら実線位置に上昇させると、その過程で最初に試料６が
試料押え９の下部に接触し、その後は試料押え９を図示
１点鎖線位置から実線位置に押し上げ、試料押え９を支
え８から自由にする。この状態においては、試料６は下
部電極３の上面に自重と試料押え９の重量とによって押
しつけられ、下部電極３によく密着し、冷却水または加
熱水の熱はガスを介して試料６に十分に伝わり、試料６
の表面温度が良好に制御されるようになる。
第２図は試料押え９の重量を変化させた場合の放電１０
分後の試料温度の実験結果を示す線図で、実線ａは試料
温度、１点鎖線ｂは温度制御部温度を示す。第２図に示
すように（試料押えの重量÷試料面積）の値が0.1ｇ／c
m2以上になると試料６と下部電極３との密着の効果が現
れる。
分後の試料温度の実験結果を示す線図で、実線ａは試料
温度、１点鎖線ｂは温度制御部温度を示す。第２図に示
すように（試料押えの重量÷試料面積）の値が0.1ｇ／c
m2以上になると試料６と下部電極３との密着の効果が現
れる。
第３図は試料冷却時の場合のＲＦパワー（高周波電力）
と試料表面温度との関係の実験結果を示す線図で、実線
ｃは従来装置の場合、点線ｄは第１図に示す本発明に係
る装置の場合で、第３図に示すように、冷却水温度が２
点鎖線ｅに示すようになっているとき、本発明に係る場
合は、従来の場合に比較して試料表面温度が低くなり、
マスク材料であるフォトレジスト等の劣化を防止するこ
とができ、高速かつ安定なドライエッチング処理が可能
になる。
と試料表面温度との関係の実験結果を示す線図で、実線
ｃは従来装置の場合、点線ｄは第１図に示す本発明に係
る装置の場合で、第３図に示すように、冷却水温度が２
点鎖線ｅに示すようになっているとき、本発明に係る場
合は、従来の場合に比較して試料表面温度が低くなり、
マスク材料であるフォトレジスト等の劣化を防止するこ
とができ、高速かつ安定なドライエッチング処理が可能
になる。
第４図は本発明の真空処理装置の試料押し付け機構の他
の実施例を示す縦断面図である。第１図に示す実施例の
場合は、 (1)試料押え９の径方向変位に対して拘束がないため、
試料６と試料押え９の中心が合わないことがある。
の実施例を示す縦断面図である。第１図に示す実施例の
場合は、 (1)試料押え９の径方向変位に対して拘束がないため、
試料６と試料押え９の中心が合わないことがある。
(2)(1)の結果、押し付け力が不均等になり、試料６と下
部電極３間にガス圧による隙間が生じて伝熱効果を悪く
する。
部電極３間にガス圧による隙間が生じて伝熱効果を悪く
する。
(3)試料６上に、例えば、エッチングするパターンの一
部を試料押え９がかくしてしまうことがあり、チップ製
作の歩留りを悪くする。
部を試料押え９がかくしてしまうことがあり、チップ製
作の歩留りを悪くする。
などの欠点がある。第４図はこれらの欠点を解消できる
構造としてある。なお、第５図は第４図のＡ矢視図、第
６図は第４図のＢ矢視図である。第４図においては、下
部電極３の外周に、図示の構造の弾性部材よりなる芯出
し板11を複数個取り付け、この芯出し板11の外側部材に
は段差をつけ、その部分の上方をローラー12を介してベ
ローフランジ10に固定したガイド13で内側へ押しつける
ようにしてある。一方、試料押え９には、第５図に示す
ように、下部電極３が上昇してきたときに芯出し板11が
入る溝14を設け、溝14に芯出し板11が入ると、芯出し板
11の弾性によって芯出し板11の外側部材が拡って自動的
に下部電極３と試料押え９との中心が一致し、それにと
もない試料６と試料押え９の中心が一致するようにして
ある。なお、試料押え９は、試料６の外周の数個所を１
〜1.5mmの範囲で押えるように構成してある。
構造としてある。なお、第５図は第４図のＡ矢視図、第
６図は第４図のＢ矢視図である。第４図においては、下
部電極３の外周に、図示の構造の弾性部材よりなる芯出
し板11を複数個取り付け、この芯出し板11の外側部材に
は段差をつけ、その部分の上方をローラー12を介してベ
ローフランジ10に固定したガイド13で内側へ押しつける
ようにしてある。一方、試料押え９には、第５図に示す
ように、下部電極３が上昇してきたときに芯出し板11が
入る溝14を設け、溝14に芯出し板11が入ると、芯出し板
11の弾性によって芯出し板11の外側部材が拡って自動的
に下部電極３と試料押え９との中心が一致し、それにと
もない試料６と試料押え９の中心が一致するようにして
ある。なお、試料押え９は、試料６の外周の数個所を１
〜1.5mmの範囲で押えるように構成してある。
第４図に示す実施例によれば、下部電極３が上昇して実
線の位置から１点鎖線の位置にくると、芯出し板11の段
差部がローラー12を通過するため、試料押え９の溝14に
入った芯出し板11の外側部材が弾性力で拡がるから、自
動的に調芯を行うことができ、試料６と下部電極３の面
とが均一に密着し、第１図の場合以上に試料６への伝熱
効果を向上することができる。
線の位置から１点鎖線の位置にくると、芯出し板11の段
差部がローラー12を通過するため、試料押え９の溝14に
入った芯出し板11の外側部材が弾性力で拡がるから、自
動的に調芯を行うことができ、試料６と下部電極３の面
とが均一に密着し、第１図の場合以上に試料６への伝熱
効果を向上することができる。
以上説明したように、本発明によれば、下部電極から試
料への伝熱を良好にすることができ、試料に対して高速
かつ安定なプラズマ処理等の所定処理を行うことができ
るという効果がある。
料への伝熱を良好にすることができ、試料に対して高速
かつ安定なプラズマ処理等の所定処理を行うことができ
るという効果がある。
【図面の簡単な説明】 第１図は本発明の真空処理装置の試料押し付け機構の一
実施例を示す縦断面図、第２図は試料押えの重量と試料
温度との関供の実験結果を示す線図、第３図はＲＦパワ
ーと試料表面温度との関係の実験結果を示す線図、第４
図は試料押し付け機構の他の実施例を示す縦断面図、第
５図は第４図のＡ矢視図、第６図は第４図のＢ矢視図で
ある。 １……真空容器、２……上部接地電極、３……下部電
極、６……試料、８……支え、９……試料押え、10……
ベローフランジ、11……芯出し板、12……ローラー、13
……ガイド、14……溝
実施例を示す縦断面図、第２図は試料押えの重量と試料
温度との関供の実験結果を示す線図、第３図はＲＦパワ
ーと試料表面温度との関係の実験結果を示す線図、第４
図は試料押し付け機構の他の実施例を示す縦断面図、第
５図は第４図のＡ矢視図、第６図は第４図のＢ矢視図で
ある。 １……真空容器、２……上部接地電極、３……下部電
極、６……試料、８……支え、９……試料押え、10……
ベローフランジ、11……芯出し板、12……ローラー、13
……ガイド、14……溝
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 山本 則明 山口県下松市大字東豊井794番地 株式会 社日立製作所笠戸工場内 (72)発明者 坪根 恒彦 山口県下松市大字東豊井794番地 株式会 社日立製作所笠戸工場内 (72)発明者 小川 芳文 山口県下松市大字東豊井794番地 株式会 社日立製作所笠戸工場内 (72)発明者 吉開 元彦 山口県下松市大字東豊井794番地 日立産 機エンジニアリング株式会社笠戸事業所内 (56)参考文献 実開 昭56−78457（ＪＰ，Ｕ)
Claims (1)
- 【請求項１】真空容器内で温度制御された試料台上に試
料を配置し前記試料裏面にガスを供給して、前記試料を
処理する真空処理装置において、 前記真空容器内に設けられた支え部材によって前記支え
部材上に載置・保持された試料押え部材と、前記試料台
を上下動させる昇降手段とを備え、前記試料台の上昇に
よって前記試料が前記試料押え部材に当接し前記試料押
え部材が前記支え部材から持ち上げられ、前記試料押え
部材の重量によって前記試料を前記試料台上面に保持さ
せる構成とし、前記試料押え部材の重量を前記試料面積
に対し０．１ｇ／cm2以上としたことを特徴とする真空
処理装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59050985A JPH0640541B2 (ja) | 1984-03-19 | 1984-03-19 | 真空処理装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59050985A JPH0640541B2 (ja) | 1984-03-19 | 1984-03-19 | 真空処理装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS60195938A JPS60195938A (ja) | 1985-10-04 |
| JPH0640541B2 true JPH0640541B2 (ja) | 1994-05-25 |
Family
ID=12874087
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP59050985A Expired - Lifetime JPH0640541B2 (ja) | 1984-03-19 | 1984-03-19 | 真空処理装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0640541B2 (ja) |
Families Citing this family (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4861563A (en) * | 1987-05-14 | 1989-08-29 | Spectrum Cvd, Inc. | Vacuum load lock |
| US5228940A (en) * | 1990-10-03 | 1993-07-20 | Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha | Fine pattern forming apparatus |
Family Cites Families (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4457359A (en) * | 1982-05-25 | 1984-07-03 | Varian Associates, Inc. | Apparatus for gas-assisted, solid-to-solid thermal transfer with a semiconductor wafer |
-
1984
- 1984-03-19 JP JP59050985A patent/JPH0640541B2/ja not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS60195938A (ja) | 1985-10-04 |
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