JPH0638441Y2

JPH0638441Y2 - 面実装用ハイブリッドｉｃの実装構造

Info

Publication number: JPH0638441Y2
Application number: JP1987198506U
Authority: JP
Inventors: 和明北賀
Original assignee: Rohm Co Ltd
Current assignee: Rohm Co Ltd
Priority date: 1987-12-25
Filing date: 1987-12-25
Publication date: 1994-10-05
Anticipated expiration: 2002-12-25
Also published as: JPH01104069U

Description

【考案の詳細な説明】（イ）産業上の利用分野この考案は、面実装型のハイブリッドICの実装構造に関
する。

（ロ）従来の技術従来、アルミナセラミックやガラス布基材エポキシ樹脂
等のハイブリッドICの基板に搭載するコンデンサ，ダイ
オード,IC等の電子部品の超小型化に伴い、ハイブリッ
ドIC自体の小型化，高密度化にも要求されている。この
高密度化を達成するため、その高さ方向を高密度化する
実装形態として例えば実開昭57-10760号に開示される平
面実装形態が知られている。

前記従来の面実装形態のハイブリッドICでは、その第３
図および第４図に示されるように、ハイブリッド基板の
外周縁に切欠状のスルーホールを複数形成し、この各ス
ルーホールに前記基板表面に実装した電子部品の配線を
延在し、前記基板裏面をメイン基板の表面に直接配置し
たのち、前記スルーホール箇所でハイブリッドICの配線
とメイン基板の接続ランドとを半田で接続するものであ
った。

（ハ）考案が解決しようとする問題点上記従来の面実装用ハイブリッドICでは、スルーホール
を利用してメイン基板と接続するものであったため、以
下に詳述するようにハイブリッドICの表面のみにしか電
子部品を実装できないことから十分な高密度化が達成で
きない問題があった。

例えば実開昭59-20645号の第１図および第２図には、ハ
イブリッドICの基板の表裏両面に複数の電子部品を高密
度実装することが開示されているが、このものは、前記
基板の周縁から下方に外部導出用リードを複数設け、前
記リードをメイン基板等の他の回路基板に実装する構造
であるから、前記基板と回路基板との間に不必要な間隔
が形成されるばかりか、自動実装の場合、前記リードを
メイン基板の実装孔に装入する関係上、リードが複数に
なればなるほどリード曲がり等の問題から実装困難とな
る。したがって、現在では平面実装が主流となりつつあ
る。

しかしながら、上記従来の面実装用ハイブリットICで
は、スルーホールを利用して回路基板に直接にハイブリ
ッドICの基板を実装するものであるから、前記回路基板
と基板との間に他の電子部品を実装し得るスペースを確
保できない問題があった。

また、たとえ基板裏面に電子部品を適宜埋設するなどし
て裏面実装したとしても、回路基板と基板とのスペース
が極めて小さいか、接触状態となるため、長期使用や多
湿雰囲気中で使用する場合、回路基板と基板との間に露
結等により水分が侵入して裏面配線や電子部品がシヨー
トしたり、腐食、酸化などして製品不良となる問題があ
った。

本考案は上記問題を解消し、ハイブリットIC基板の表裏
両面に電子部品を実装し高密度化を達成し得る面実装ハ
イブリットICの実装構造を提供することを目的とする。

（ニ）課題を解決するための手段上記問題点を解決するため、この考案は、複数の電子部
品が実装される絶縁基板と、この絶縁基板の側縁部に電
極を設け、該電極をメイン基板上の第１導体パターンに
接続する面実装用ハイブリッドICの実装構造であって、
前記絶縁基板の表裏両面には、それぞれ第２導体パター
ンを形成するとともに、この表裏両面の第２導体パター
ンにそれぞれ電子部品を実装し、少なくとも前記絶縁基
板の裏面の電子部品および第２導体パターンを絶縁保護
膜で被覆する一方、前記第２導体パターンと接続する電
極を少なくとも絶縁基板の裏面に膜状形成し、この裏面
電極の厚みＨと第１導体パターンの厚みｈとの和が前記
絶縁基板の裏面と絶縁保護膜の表面とでなす厚みＳ以上
の構成とするものである。

（ホ）作用および効果この考案の面実装用ハイブリッドICの実装構造によれ
ば、電極である第２導体パターンを少なくとも絶縁基板
の裏面に膜状形成し、この裏面に形成した前記第２導体
パターンの厚みＨと第１導体パターンの厚みｈとの和が
前記絶縁基板の裏面と絶縁保護膜の表面とでなす厚みＳ
以上としてあるから、メイン基板と絶縁基板裏面との間
に電子部品を実装するスペースを確保できる。

また、裏面に実装する電子部品および第２導体パターン
を絶縁保護膜で被覆する構成を採用しているから、長期
使用や多湿雰囲気中で使用して、例え絶縁基板裏面とメ
イン基板との間に水分が結露した場合でも裏面の第２導
体パターンや電子部品がシヨートするなどの虞を回避で
きる。

（ヘ）実施例〈第１実施例〉この考案の第１実施例を第１図および第２図に基づいて
以下に説明する。

第１図は、この実施例に係わるハイブリッドICの中央縦
断面図、第２図は、同ハイブリッドICの外観斜視図であ
る。

２は、アルミナセラミックよりなる長方形形状の絶縁基
板である。この絶縁基板２の両面2a、2bには、それぞれ
印刷により第２導体パターン，（図示せず）が形成され
ている。絶縁基板２の表面2aには、チップ状の電子部品
3a、3b、3c等が実装される。一方、絶縁基板２の裏面2b
には、印刷抵抗3d、3eが形成されている。絶縁基板２の
裏面2bに、印刷抵抗3d、3eを電子部品として形成するの
は、もし、通常のチップ部品を実装したならば、メイン
基板７に装着した時に、電極４の裏面電極4a厚みＨとと
メイン基板７上の第１導体パターンのパッド８厚みとの
和が、前記絶縁基板２の裏面2bと絶縁保護膜とでなす厚
みＳより小さくなり、パッド８と裏面電極4aを半田付け
することが困難となるからである。

絶縁基板２の側縁部2cには、電極４が列設されている。
各電極４は、内側がパラジウム−銀系厚膜、外側が半田
めっき膜よりなる二重構造であり、前記図示しない第１
導体パターンが接続している。なお、第２図に示す2d
は、方向指示用の切欠部である。

絶縁基板２の表面2aは、ディップによりモールド層（絶
縁保護膜）５が形成され、絶縁基板２表面2aの第２導体
パターンと電子部品3a、3b、3c等が被覆される。モール
ド層５の表面5aは平坦とされ、自動実装機によるチャッ
キングを容易としている。

一方、絶縁基板２の裏面2bは、ガラスパッシベーシヨン
によりガラス層（絶縁保護膜）６が形成され、絶縁基板
２裏面2bの第２導体パターンと印刷抵抗3d、3eが被覆さ
れる。これは、絶縁基板２の裏面2bの第２導体パターン
と、メイン基板７上の第１導体パターンを絶縁するため
のものである。

この実施例ハイブリッドICのメイン基板７への装着を説
明する。メイン基板７上には、ハイブリッドIC1の各裏
面電極4aに対応する第２導体パターンの適宜位置に、パ
ッド８が形成されている。（第１図参照）ハイブリッドIC1は、自動実装機（図示せず）により、
メイン基板７上へ実装される。この時、各パッド８上に
裏面電極4aが接する。そして裏面電極4aとパッド８は、
リフローにより半田付けされて、ハイブリッドIC1がメ
イン基板７上の回路と接続される。

〈第２実施例〉この考案の第２の実施例を第３図および第４図に基づい
て以下に説明する。

第３図は、この実施例ハイブリッドIC11の中央縦断面
図、第４図は、同ハイブリッドIC11の外観斜視図であ
る。

12は、アルミナセラミックよりなる絶縁基板である。こ
の絶縁基板12表面12a及び裏面12bには、図示しない第２
導体パターンがそれぞれ印刷により形成されている。

絶縁基板12の表面12aには、電子部品13a、13b、13c、13
d等が実装される。但し表面12aの中央部には、電子部品
は実装しない。一方、絶縁基板12の裏面12bには、印刷
抵抗13e、13fが形成されている。絶縁基板12の側縁部12
cには、第１の実施例と同様の電極14が前記絶縁基板12
の表裏なわたり列設されている。14aは裏面電極であ
る。また、12dは、方向指示用の切欠きである。

絶縁基板12の表面12aには、モールド層15が形成され、
第２導体パターン及び電子部品13a、13b、13c、13dが被
覆される。絶縁基板12の表面12a中央部には電子部品が
実装されていないので、モールド層15の中央部は平坦な
チャッキングエリア15aとされる。これに対して、絶縁
基板12の裏面12bは、第１の実施例と同様ガラス層16で
被覆される。

この実施例ハイブリッドIC11は、チャッキングエリア15
aをチャックされて、メイン基板上に実装される。その
他の点は、第１の実施例と全く同様である。

【図面の簡単な説明】

第１図は、この考案の第１実施例に係るハイブリッドIC
の中央縦断面図、第２図は、同ハイブリッドICの外観斜
視図、第３図は、この考案の第１実施例に係るハイブリ
ッドICの中央縦断面図、第４図は、同ハイブリッドICの
外観斜視図同サーマルヘッドの縦断面図である。１・11:ハイブリッドIC、２・12:絶縁基板、 3a・3b・3c・13a・13b・13c・13d:電子部品、 3d・3e・13e・13f:印刷抵抗、４・14:電極、６・16:ガラス層、 H:電極厚み h:第１導体パターンの厚み S:絶縁基板の裏面と絶縁保護膜と表面とでなす厚み。

Claims

【実用新案登録請求の範囲】

【請求項１】複数の電子部品が実装される絶縁基板と、
この絶縁基板の側縁部に電極を設け、該電極をメイン基
板上の第１導体パターンに接続する面実装用ハイブリッ
ドICの実装構造であって、前記絶縁基板の表裏両面には、それぞれ第２導体パター
ンを形成するとともに、この表裏両面の第２導体パター
ンにそれぞれ電子部品を実装し、少なくとも前記絶縁基
板の裏面の電子部品および第２導体パターンを絶縁保護
膜で被覆する一方、前記第２導体パターンと接続する電
極を少なくとも絶縁基板の裏面に膜状形成し、この裏面
電極の厚みＨと第１導体パターンの厚みｈとの和が前記
絶縁基板の裏面と絶縁保護膜の表面とでなす厚みＳ以上
とすることを特徴とする面実装用ハイブリッドICの実装
構造。