JPH0635633B2 - 電気および電子部品用銅合金及びその製造方法 - Google Patents
電気および電子部品用銅合金及びその製造方法Info
- Publication number
- JPH0635633B2 JPH0635633B2 JP61259337A JP25933786A JPH0635633B2 JP H0635633 B2 JPH0635633 B2 JP H0635633B2 JP 61259337 A JP61259337 A JP 61259337A JP 25933786 A JP25933786 A JP 25933786A JP H0635633 B2 JPH0635633 B2 JP H0635633B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- copper alloy
- copper
- electric
- electronic parts
- same
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Lifetime
Links
- 229910000881 Cu alloy Inorganic materials 0.000 title claims description 52
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims description 7
- 229910052698 phosphorus Inorganic materials 0.000 claims description 22
- 239000010949 copper Substances 0.000 claims description 17
- 238000000137 annealing Methods 0.000 claims description 7
- 238000001816 cooling Methods 0.000 claims description 7
- 230000009467 reduction Effects 0.000 claims description 5
- 238000005482 strain hardening Methods 0.000 claims description 5
- 239000012535 impurity Substances 0.000 claims description 4
- 238000000151 deposition Methods 0.000 claims 1
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 12
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 12
- 239000000956 alloy Substances 0.000 description 11
- BHEPBYXIRTUNPN-UHFFFAOYSA-N hydridophosphorus(.) (triplet) Chemical compound [PH] BHEPBYXIRTUNPN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 239000000463 material Substances 0.000 description 5
- 239000002244 precipitate Substances 0.000 description 5
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 4
- 239000006104 solid solution Substances 0.000 description 4
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 description 3
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 3
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 3
- 238000005098 hot rolling Methods 0.000 description 3
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 3
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 3
- 230000008859 change Effects 0.000 description 2
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 2
- 230000006872 improvement Effects 0.000 description 2
- 238000000034 method Methods 0.000 description 2
- 230000008569 process Effects 0.000 description 2
- 238000005096 rolling process Methods 0.000 description 2
- ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N Tin Chemical compound [Sn] ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910021538 borax Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000003245 coal Substances 0.000 description 1
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 1
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 1
- 238000005097 cold rolling Methods 0.000 description 1
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 description 1
- 230000007797 corrosion Effects 0.000 description 1
- 238000005260 corrosion Methods 0.000 description 1
- 238000005336 cracking Methods 0.000 description 1
- 230000006866 deterioration Effects 0.000 description 1
- 239000011159 matrix material Substances 0.000 description 1
- 150000003018 phosphorus compounds Chemical class 0.000 description 1
- 230000000704 physical effect Effects 0.000 description 1
- 238000007747 plating Methods 0.000 description 1
- 238000001556 precipitation Methods 0.000 description 1
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 1
- 238000007493 shaping process Methods 0.000 description 1
- 239000004328 sodium tetraborate Substances 0.000 description 1
- 235000010339 sodium tetraborate Nutrition 0.000 description 1
- 238000005728 strengthening Methods 0.000 description 1
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000013585 weight reducing agent Substances 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/44—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors prior to the connecting process
- H01L2224/45—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors prior to the connecting process of an individual wire connector
- H01L2224/45001—Core members of the connector
- H01L2224/45099—Material
- H01L2224/451—Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron (B), silicon (Si), germanium (Ge), arsenic (As), antimony (Sb), tellurium (Te) and polonium (Po), and alloys thereof
- H01L2224/45138—Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron (B), silicon (Si), germanium (Ge), arsenic (As), antimony (Sb), tellurium (Te) and polonium (Po), and alloys thereof the principal constituent melting at a temperature of greater than or equal to 950°C and less than 1550°C
- H01L2224/45147—Copper (Cu) as principal constituent
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/44—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors prior to the connecting process
- H01L2224/45—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors prior to the connecting process of an individual wire connector
- H01L2224/4554—Coating
- H01L2224/45565—Single coating layer
Landscapes
- Conductive Materials (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】 [産業上の利用分野] 本発明は、電気および電子部品用銅合金及びその製造方
法に関する。さらに詳しくは、端子、コネクター、ブス
バー等の電気部品用の銅合金材料およびトランジスタ
ー、リードフレーム、ICリードフレーム、抵抗器リー
ド等の電子部品用の銅合金及びその製造方法に関するも
のである。
法に関する。さらに詳しくは、端子、コネクター、ブス
バー等の電気部品用の銅合金材料およびトランジスタ
ー、リードフレーム、ICリードフレーム、抵抗器リー
ド等の電子部品用の銅合金及びその製造方法に関するも
のである。
[従来の技術] 電気および電子部品は、それらの部品を使用する装置が
小型、軽量化されるのに伴ない小型、軽量化されること
が要望されている。
小型、軽量化されるのに伴ない小型、軽量化されること
が要望されている。
電気および電子部品用中の銅合金材料の小型軽量化は銅
合金材料を薄板化、細線化することにより対応されてい
る。
合金材料を薄板化、細線化することにより対応されてい
る。
このように銅合金材料を薄板化、細線化すると、銅合金
材料には今まで以上に導電性に優れ、耐熱性がありかつ
機械的強度に優れた性質が望まれる。
材料には今まで以上に導電性に優れ、耐熱性がありかつ
機械的強度に優れた性質が望まれる。
これに対応した、銅合金材料にはCu−0.1wt%F
e−0.03wt%PからなるKFCあるいはCu−
0.12wt%Sn−0.01wt%Pからなる錫入り
銅が知られている。
e−0.03wt%PからなるKFCあるいはCu−
0.12wt%Sn−0.01wt%Pからなる錫入り
銅が知られている。
これらの銅合金はリン脱酸銅と同等な価格であり、リン
脱酸銅と同一の製造プロセスで製造でき、機械的性質は
リン脱酸銅より高く、耐熱性にも優れている。
脱酸銅と同一の製造プロセスで製造でき、機械的性質は
リン脱酸銅より高く、耐熱性にも優れている。
特に、KFCは焼鈍材の引張強度が30kgf/mm2、
耐力が15kgf/mm2、伸びが38%、導電率が92
%IACSで、これらの物性値が伸びを除いて錫入り銅
を450℃で2時間焼鈍した時の引張強度:25kgf
/mm2、耐力:64kgf/mm2、伸び:48.5%、
導電率:90%IACSより優れている。
耐力が15kgf/mm2、伸びが38%、導電率が92
%IACSで、これらの物性値が伸びを除いて錫入り銅
を450℃で2時間焼鈍した時の引張強度:25kgf
/mm2、耐力:64kgf/mm2、伸び:48.5%、
導電率:90%IACSより優れている。
[発明が解決しようとする問題点] 電気および電子部品は小型、軽量化のほかに電流容量を
向上させることが要求され始めている。
向上させることが要求され始めている。
電流容量を向上させると、銅合金材料の薄板化及び細線
化により、銅合金材料は今迄以上に発熱しやすくなる。
例えばパワートランジスタリードフレーム材料および端
子及びコネクタ用の材料がこれに当る。
化により、銅合金材料は今迄以上に発熱しやすくなる。
例えばパワートランジスタリードフレーム材料および端
子及びコネクタ用の材料がこれに当る。
このような部品に用いる銅合金は耐熱性が今迄以上に必
要となってくる。
要となってくる。
従来からあるKFCは250〜550℃の間の所定の温
度で5分間加熱し、ビッカース硬さを測定した時の硬さ
の変化で軟化特性を求めると約400℃で硬さが低下し
始め上記のような部品に用いるには耐熱性が良くないと
いう問題点がある。
度で5分間加熱し、ビッカース硬さを測定した時の硬さ
の変化で軟化特性を求めると約400℃で硬さが低下し
始め上記のような部品に用いるには耐熱性が良くないと
いう問題点がある。
本発明はKFCと同等以上の機械的性質を有し、しかも
同等の導電率を備え、KFCよりも耐熱性が優れた銅合
金をリン脱酸銅と同一の工程で製造し供給することに特
徴がある。
同等の導電率を備え、KFCよりも耐熱性が優れた銅合
金をリン脱酸銅と同一の工程で製造し供給することに特
徴がある。
[問題点を解決するための手段] 本願発明の第1の要旨は、重量%で、Fe:0.05〜
0.15%、P:0.04〜0.08%(但しP:0.
04%は含まず)、Mg:0.02〜0.12%を含
み、残部がCu及び不可避的不純物からなる銅合金中に
少なくともFe2PとMg3P2とを導電率が85%I
ACS以上となるように均一かつ微細に析出させたこと
を特徴とする電気および電子部品用銅合金に存在する。
0.15%、P:0.04〜0.08%(但しP:0.
04%は含まず)、Mg:0.02〜0.12%を含
み、残部がCu及び不可避的不純物からなる銅合金中に
少なくともFe2PとMg3P2とを導電率が85%I
ACS以上となるように均一かつ微細に析出させたこと
を特徴とする電気および電子部品用銅合金に存在する。
本願発明の第2の要旨は、重量%で、Fe:0.05〜
0.15%、P:0.04〜0.08%(但しP:0.
04%は含まず)、Mg:0.02〜0.12%を含
み、残部がCu及び不可避的不純物からなる銅合金を溶
製し鋳塊にした後に該銅合金を熱間加工により所定の形
状にした後、600℃以上の温度の状態から200℃以
下まで5℃/sec以上の速度で冷却し、その後65%
以上の圧下率で冷間加工を行ない、その後400〜60
0℃に昇温し、30分以上の焼鈍を行うことにより該銅
合金中にFe2PおよびMg3P2を析出させることを
特徴とする電気および電子部品用銅合金の製造方法に存
在する。
0.15%、P:0.04〜0.08%(但しP:0.
04%は含まず)、Mg:0.02〜0.12%を含
み、残部がCu及び不可避的不純物からなる銅合金を溶
製し鋳塊にした後に該銅合金を熱間加工により所定の形
状にした後、600℃以上の温度の状態から200℃以
下まで5℃/sec以上の速度で冷却し、その後65%
以上の圧下率で冷間加工を行ない、その後400〜60
0℃に昇温し、30分以上の焼鈍を行うことにより該銅
合金中にFe2PおよびMg3P2を析出させることを
特徴とする電気および電子部品用銅合金の製造方法に存
在する。
以下、本発明に係る電気及び電子部品用銅合金の含有成
分及び成分割合について説明する。
分及び成分割合について説明する。
Fe,P,MgをCuに添加するのは、Cu中にFe2
PとMg3P2とを析出させるためで、このときFe2
PとMg3P2を析出するためにはFe,P,MgをC
uに共添させなければならない。
PとMg3P2とを析出させるためで、このときFe2
PとMg3P2を析出するためにはFe,P,MgをC
uに共添させなければならない。
Fe添加量が0.05%未満ではPが添加されても銅合
金の強度が望まれず、また0.15%を超えると加工硬
化が激しくなり、リン脱酸銅と同一工程では製造できな
くなる等の問題点が生じる。
金の強度が望まれず、また0.15%を超えると加工硬
化が激しくなり、リン脱酸銅と同一工程では製造できな
くなる等の問題点が生じる。
Mgにより銅合金の強度を上昇させるには、0.02%
以上必要であるが、0.12%を超えて添加すると造塊
時の湯流れ性の低下、導電率の低下及びめっき性に問題
が生じてくる。
以上必要であるが、0.12%を超えて添加すると造塊
時の湯流れ性の低下、導電率の低下及びめっき性に問題
が生じてくる。
PはFe及びMgとそれぞれリン化合物(Fe2P,M
g3P2)を形成して、強度及び耐熱性を向上する効果
がある。
g3P2)を形成して、強度及び耐熱性を向上する効果
がある。
Feを0.05〜0.15%添加されている銅合金中に
Fe2Pの化合物を析出するためには、Pは0.02〜
0.04%必要である。
Fe2Pの化合物を析出するためには、Pは0.02〜
0.04%必要である。
同時にMgを0.02〜0.12%添加されている銅合
金中にMg3P2を形成するためにはPは0.02〜
0.10%必要である。
金中にMg3P2を形成するためにはPは0.02〜
0.10%必要である。
従ってFe2P,Mg3P2を同一銅合金中に析出させ
るにはPは総量で0.40〜0.14%必要となる。
るにはPは総量で0.40〜0.14%必要となる。
しかし、Pを多量に添加し、母相に固溶して残留するよ
うになると、銅合金の銅電率の低下及び応力腐食割れを
生じやすくなり、かつ0.08%を越えて添加すると鋳
造及び熱間圧延時に割れを生じやすくなる。
うになると、銅合金の銅電率の低下及び応力腐食割れを
生じやすくなり、かつ0.08%を越えて添加すると鋳
造及び熱間圧延時に割れを生じやすくなる。
ここでMgは母相中に固溶して残留させても銅合金の機
械的性質等の特性の低下はPほど大きくない。
械的性質等の特性の低下はPほど大きくない。
したがって、Pの添加量は0.04%より多く0.08
%以下とした。
%以下とした。
上記のように規定された元素を含む銅合金中にFe2P
およびMg3P2を析出させるには、溶製された銅合金
を熱間加工した後、600℃以上の温度から200℃以
下まで5℃/sec以上の冷却速度で冷却した後、その
後65%以上の圧下率の冷間加工を行い、400〜60
0℃で30分以上の焼鈍を行うことにより可能となる。
およびMg3P2を析出させるには、溶製された銅合金
を熱間加工した後、600℃以上の温度から200℃以
下まで5℃/sec以上の冷却速度で冷却した後、その
後65%以上の圧下率の冷間加工を行い、400〜60
0℃で30分以上の焼鈍を行うことにより可能となる。
熱間加工後、600℃以上の温度から銅合金を冷却する
理由は、Fe,P及びMgを母相中に強制的に固溶させ
るためである。
理由は、Fe,P及びMgを母相中に強制的に固溶させ
るためである。
冷却最終温度を200℃以下としたのは、200℃以下
の温度では、銅合金中にFe2P又はMg3P2を析出
物を生じないためである。
の温度では、銅合金中にFe2P又はMg3P2を析出
物を生じないためである。
このとき、冷却速度を5℃/sec以上としてのは、冷
却速度が5℃/sec未満だと、冷却中にFe2P又は
Mg3P2が析出し、冷却中に生じたこの析出物は銅合
金の耐熱性等の機械的性質の強化に寄与しないためであ
る。
却速度が5℃/sec未満だと、冷却中にFe2P又は
Mg3P2が析出し、冷却中に生じたこの析出物は銅合
金の耐熱性等の機械的性質の強化に寄与しないためであ
る。
最後に、400〜600℃で30分以上の焼鈍を行なう
のは、焼鈍温度が400℃未満だとFe2P又はMg3
P2の析出物が銅合金中に均一かつ微細には生じないた
めである。
のは、焼鈍温度が400℃未満だとFe2P又はMg3
P2の析出物が銅合金中に均一かつ微細には生じないた
めである。
また、600℃を超えるとFe,P,Mgの固溶領域と
なるため、銅合金中にFe2P又はMg3P2の析出量
が少なく、強度向上に寄与しないためである。
なるため、銅合金中にFe2P又はMg3P2の析出量
が少なく、強度向上に寄与しないためである。
ここで、本発明の銅合金において、強度を向上させる目
的で適度の冷間加工を加えても析出物の効果は何ら失な
われない。
的で適度の冷間加工を加えても析出物の効果は何ら失な
われない。
また、半導体リードフレーム材料等の用途に対して行な
われている250〜400℃の歪除去焼鈍を本発明の銅
合金に対して行っても析出物の効果は何ら失なわれな
い。
われている250〜400℃の歪除去焼鈍を本発明の銅
合金に対して行っても析出物の効果は何ら失なわれな
い。
なお、本発明合金にFeの代りにCoを、0.10%を
越えない範囲で添加しても機械的性質、導電率及び耐熱
性には何ら差し支えることはない。すなわち、CoはF
eと置換されて(Fe1-x Cox)2Pを生じ、Fe2
Pと同様の効果をもたらす。
越えない範囲で添加しても機械的性質、導電率及び耐熱
性には何ら差し支えることはない。すなわち、CoはF
eと置換されて(Fe1-x Cox)2Pを生じ、Fe2
Pと同様の効果をもたらす。
[実施例] 第1表に示す組成の銅合金を下記のように溶製した。
電解銅をクリプトル電気炉中で本炭被覆下で約120
0℃で溶解する。
0℃で溶解する。
金型へ装入する銅の約2割を残しておき、約8割を炉
中へ装入し第1表の組成に応じた重量のFeチップを同
じ炉中へ装入する。
中へ装入し第1表の組成に応じた重量のFeチップを同
じ炉中へ装入する。
Feチップの溶け落ちを確認した後、残部の銅を炉中
へ装入して溶湯温度を1180〜1190℃まで低下さ
せる。
へ装入して溶湯温度を1180〜1190℃まで低下さ
せる。
Cu−15%Pを所定量るつぼへ装入し、その後硼砂
で溶湯の表面を覆う。
で溶湯の表面を覆う。
次に、Cu−50%Mgを所定定量添加し、撹拌、沈静
後金型に鋳込む。
後金型に鋳込む。
ここで金型はサイブ60mmt×60mmw×120m
mLの物を用いた。
mLの物を用いた。
圧延は、本発明の実施例及び比較例に示す組成の合金の
鋳塊をスカルピング後、850〜900℃で熱間圧延し
て、厚さ15mmとして。圧下率は75%である。
鋳塊をスカルピング後、850〜900℃で熱間圧延し
て、厚さ15mmとして。圧下率は75%である。
熱処理は、第1表に示す各合金とも熱間圧延の終了温度
700〜720℃から100℃以下まで1分以内で約1
0℃/secの速度で水中冷却した。その後、冷間圧延
を行ない、厚さ0.45〜0.90mmとした後、50
0℃2時間の焼鈍を行った。
700〜720℃から100℃以下まで1分以内で約1
0℃/secの速度で水中冷却した。その後、冷間圧延
を行ない、厚さ0.45〜0.90mmとした後、50
0℃2時間の焼鈍を行った。
第1表に示す組成の銅合金の機械的性質及び導電率の測
定には厚さ0.45mmの銅合金を用い、添付図に示す
軟化特性を測定した銅合金は、実施例では0.64mm
比較例では0.9mmの厚さのものを用いた。
定には厚さ0.45mmの銅合金を用い、添付図に示す
軟化特性を測定した銅合金は、実施例では0.64mm
比較例では0.9mmの厚さのものを用いた。
第1表から本発明の実施例にかかわる銅合金の機械的性
質及び導電率を従来例であるKFCと比較すると、機械
的性質については引張強さ、耐力、硬さの3項目ともK
FCより優れていることが分る。
質及び導電率を従来例であるKFCと比較すると、機械
的性質については引張強さ、耐力、硬さの3項目ともK
FCより優れていることが分る。
伸びについては、KFCの38.5%に対し最低の伸び
がNo4の実施例において32.0%であるがこの差は
機械的性質には何ら影響を与えない程度の値である。
がNo4の実施例において32.0%であるがこの差は
機械的性質には何ら影響を与えない程度の値である。
一方、導電率は%IACSで評価したが、KFCの9
2.0%IACSに対し、実施例の銅合金は87.1〜
90.2%IACSでKFCより低い値となっているが
この値は導電率としてはほぼ同等であると判断できる値
である。
2.0%IACSに対し、実施例の銅合金は87.1〜
90.2%IACSでKFCより低い値となっているが
この値は導電率としてはほぼ同等であると判断できる値
である。
次に添付図に示す軟化特性は、銅合金を250〜550
℃の間の所定の温度に5分間加熱後ビッカース硬度を荷
重0.5kgとして測定し、硬度変化により軟化特性を
求めたものである。
℃の間の所定の温度に5分間加熱後ビッカース硬度を荷
重0.5kgとして測定し、硬度変化により軟化特性を
求めたものである。
実施例No3と従来例であるKFCとを比較するとKF
Cが約400℃で軟化し始めるのに対し、実施例No3
は約450℃から軟化が始まり、全体として硬度の低下
がKFCより約50℃高い温度であることが分る。この
結果から実施例はKFCより耐熱性に優れていると判断
できる。
Cが約400℃で軟化し始めるのに対し、実施例No3
は約450℃から軟化が始まり、全体として硬度の低下
がKFCより約50℃高い温度であることが分る。この
結果から実施例はKFCより耐熱性に優れていると判断
できる。
[発明の効果] 本発明により、従来から行われている安価な製造方法で
あるリン脱酸銅と同一の工程で製造でき、KFCの導電
率を殆んど低下させることなく、KFCと同等以上の機
械的性質を持ち、特に耐熱性に優れる銅合金を提供する
ことができる。
あるリン脱酸銅と同一の工程で製造でき、KFCの導電
率を殆んど低下させることなく、KFCと同等以上の機
械的性質を持ち、特に耐熱性に優れる銅合金を提供する
ことができる。
今日のように軽薄短小の技術動向の中で、しかも電流、
容流の向上に伴ない耐熱性をより必要とする電気・電子
部品材料として本発明がその特性を発揮し得ることは明
らかである。
容流の向上に伴ない耐熱性をより必要とする電気・電子
部品材料として本発明がその特性を発揮し得ることは明
らかである。
【図面の簡単な説明】 第1図は銅合金の耐熱性を示すグラフである。
Claims (2)
- 【請求項1】重量%で、Fe:0.05〜0.15%、
P:0.04〜0.08%(但しP:0.04%は含ま
ず)、Mg:0.02〜0.12%を含み、残部がCu
及び不可避的不純物からなる銅合金中に少なくともFe
2PとMg3P2とを導電率が85%IACS以上とな
るように均一かつ微細に析出させたことを特徴とする電
気および電子部品用銅合金。 - 【請求項2】重量%で、Fe:0.05〜0.15%、
P:0.04〜0.08%(但しP:0.04%は含ま
ず)、Mg:0.02〜0.12%を含み、残部がCu
及び不可避的不純物からなる銅合金を溶製し鋳塊にした
後に該銅合金を熱間加工により所定の形状にした後、6
00℃以上の温度の状態から200℃以下まで5℃/s
ec以上の速度で冷却し、その後65%以上の圧下率で
冷間加工を行ない、その後400〜600℃に昇温し、
30分以上の焼鈍を行うことにより該銅合金中にFe2
PおよびMg3P2を析出させることを特徴とする電気
および電子部品用銅合金の製造方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP61259337A JPH0635633B2 (ja) | 1986-10-29 | 1986-10-29 | 電気および電子部品用銅合金及びその製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP61259337A JPH0635633B2 (ja) | 1986-10-29 | 1986-10-29 | 電気および電子部品用銅合金及びその製造方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS63111151A JPS63111151A (ja) | 1988-05-16 |
JPH0635633B2 true JPH0635633B2 (ja) | 1994-05-11 |
Family
ID=17332701
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP61259337A Expired - Lifetime JPH0635633B2 (ja) | 1986-10-29 | 1986-10-29 | 電気および電子部品用銅合金及びその製造方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH0635633B2 (ja) |
Families Citing this family (8)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2525232B2 (ja) * | 1988-11-28 | 1996-08-14 | 株式会社住友金属セラミックス | セラミックパッケ―ジおよびその製造方法 |
KR940010455B1 (ko) * | 1992-09-24 | 1994-10-22 | 김영길 | 고강도, 우수한 전기전도도 및 열적안정성을 갖는 동(Cu)합금 및 그 제조방법 |
JP3550233B2 (ja) * | 1995-10-09 | 2004-08-04 | 同和鉱業株式会社 | 高強度高導電性銅基合金の製造法 |
JP4330517B2 (ja) * | 2004-11-02 | 2009-09-16 | 株式会社神戸製鋼所 | Cu合金薄膜およびCu合金スパッタリングターゲット並びにフラットパネルディスプレイ |
JP5075447B2 (ja) * | 2006-03-30 | 2012-11-21 | Dowaメタルテック株式会社 | Cu−Fe−P−Mg系銅合金および製造法並びに通電部品 |
JP6140032B2 (ja) * | 2013-08-30 | 2017-05-31 | Dowaメタルテック株式会社 | 銅合金板材およびその製造方法並びに通電部品 |
JP6031576B2 (ja) * | 2015-03-23 | 2016-11-24 | 株式会社神戸製鋼所 | 放熱部品用銅合金板 |
WO2016152648A1 (ja) * | 2015-03-23 | 2016-09-29 | 株式会社神戸製鋼所 | 放熱部品用銅合金板及び放熱部品 |
Family Cites Families (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS59232244A (ja) * | 1983-06-16 | 1984-12-27 | Mitsui Mining & Smelting Co Ltd | 耐軟化高伝導性銅合金 |
JPS6075541A (ja) * | 1983-09-30 | 1985-04-27 | Tatsuta Electric Wire & Cable Co Ltd | 耐熱性、機械的特性及び導電性に優れた銅合金 |
JPS6092439A (ja) * | 1983-10-25 | 1985-05-24 | Nippon Mining Co Ltd | 耐熱高力高導電性銅合金 |
JPS6152333A (ja) * | 1984-08-21 | 1986-03-15 | Toshiba Corp | ボンデイングワイヤ− |
-
1986
- 1986-10-29 JP JP61259337A patent/JPH0635633B2/ja not_active Expired - Lifetime
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JPS63111151A (ja) | 1988-05-16 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP3273613B2 (ja) | 高い強さおよび導電率を有する銅合金の製造方法 | |
JP2006009137A (ja) | 銅合金 | |
US4466939A (en) | Process of producing copper-alloy and copper alloy plate used for making electrical or electronic parts | |
JP3383615B2 (ja) | 電子材料用銅合金及びその製造方法 | |
JP2004315940A (ja) | Cu−Ni−Si合金およびその製造方法 | |
JP2593107B2 (ja) | 高強度高導電性銅基合金の製造法 | |
CN115652134A (zh) | 一种高强度高折弯性铜镍硅合金及其制备方法 | |
JPH0635633B2 (ja) | 電気および電子部品用銅合金及びその製造方法 | |
JP3376840B2 (ja) | 銅合金材の製造方法 | |
JP3049137B2 (ja) | 曲げ加工性が優れた高力銅合金及びその製造方法 | |
JP3772319B2 (ja) | リードフレーム用銅合金およびその製造方法 | |
JPS63307232A (ja) | 銅合金 | |
JP2732355B2 (ja) | 電子機器用高力高導電性銅合金材の製造方法 | |
JP3900733B2 (ja) | 高強度・高導電性銅合金材の製造方法 | |
JP4175920B2 (ja) | 高力銅合金 | |
JP4132451B2 (ja) | 耐熱性に優れた高強度高導電性銅合金 | |
JPS60114556A (ja) | 銅基合金の製造方法 | |
JP3325641B2 (ja) | 高強度高導電率銅合金の製造方法 | |
JPH034612B2 (ja) | ||
JP2945208B2 (ja) | 電気電子機器用銅合金の製造方法 | |
JPS6146534B2 (ja) | ||
JPS6142772B2 (ja) | ||
JP3407527B2 (ja) | 電子機器用銅合金材 | |
JPH10152736A (ja) | 銅合金材及びその製造方法 | |
JPH01165733A (ja) | 高強度高導電性銅合金 |