JPH0635325B2 - 高純度黒鉛材の製造方法 - Google Patents
高純度黒鉛材の製造方法Info
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- JPH0635325B2 JPH0635325B2 JP61224131A JP22413186A JPH0635325B2 JP H0635325 B2 JPH0635325 B2 JP H0635325B2 JP 61224131 A JP61224131 A JP 61224131A JP 22413186 A JP22413186 A JP 22413186A JP H0635325 B2 JPH0635325 B2 JP H0635325B2
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- C—CHEMISTRY; METALLURGY
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- C01B—NON-METALLIC ELEMENTS; COMPOUNDS THEREOF; METALLOIDS OR COMPOUNDS THEREOF NOT COVERED BY SUBCLASS C01C
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- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C01—INORGANIC CHEMISTRY
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Description
【発明の詳細な説明】 [産業上の利用分野] 本発明は高純度黒鉛材の製造方法に関する。
[従来の技術及びその問題点] 従来、炭素製品の黒鉛化は以下のようにして行われてい
た。即ち、先ず炭素製品を焼成炉内に於いて800乃至
1000℃に加熱し、バインダー等に含まれる易揮発成
分を、分散、蒸散させて焼成する工程(工程A)、 次に焼成体を取り出し、黒鉛化炉、例えばアチエソン式
炉、カストナー式炉又は誘導加熱炉(例えば特開昭57
−166305号、166306号、166307号、
166308号)にて3000℃に加熱して黒鉛化する
工程(工程B)、 更に、このようにして得られた黒鉛化材料を、別の反応
器中でハロゲンを含むガス雰囲気中で加熱し、黒鉛材料
中の不純物を蒸気圧の高い物質に変化せしめて母材から
揮散させ、黒鉛材料の高純度化を行工程(工程C) から成る方法が一般的に行われていた。
た。即ち、先ず炭素製品を焼成炉内に於いて800乃至
1000℃に加熱し、バインダー等に含まれる易揮発成
分を、分散、蒸散させて焼成する工程(工程A)、 次に焼成体を取り出し、黒鉛化炉、例えばアチエソン式
炉、カストナー式炉又は誘導加熱炉(例えば特開昭57
−166305号、166306号、166307号、
166308号)にて3000℃に加熱して黒鉛化する
工程(工程B)、 更に、このようにして得られた黒鉛化材料を、別の反応
器中でハロゲンを含むガス雰囲気中で加熱し、黒鉛材料
中の不純物を蒸気圧の高い物質に変化せしめて母材から
揮散させ、黒鉛材料の高純度化を行工程(工程C) から成る方法が一般的に行われていた。
このように従来の黒鉛化、高純度化技術では焼成から黒
鉛化、更に高純度化の各工程毎に炉から炉へと炭素材を
移動させなければならず、このための運搬の手間と、材
料の破損並びに汚染が伴なった。
鉛化、更に高純度化の各工程毎に炉から炉へと炭素材を
移動させなければならず、このための運搬の手間と、材
料の破損並びに汚染が伴なった。
またその都度、夫々の炉について昇、降温をしなければ
ならず、熱エネルギー的に、また装置の稼働効率、装置
寿命等の点で甚だ不経済であった。
ならず、熱エネルギー的に、また装置の稼働効率、装置
寿命等の点で甚だ不経済であった。
一方高純度化法を見てみると、従来の高純度化の具体例
としては、例えば特開昭58−84181号の方法があ
る。この方法では、高純度化を三つの工程に分け、第一
工程で常圧下でHClガスに接触させて不純物の塩素化
を行い、これを減圧下に保ち昇温して炭素母材深部の金
属ハロゲン化物を離脱し易しく、最後の第三工程で常圧
下H2ガスを用い、残る不純物を水素化物として除くも
のである。尚この例では、石英管内に設置された炭素材
を管外部から電熱方式で加熱している。
としては、例えば特開昭58−84181号の方法があ
る。この方法では、高純度化を三つの工程に分け、第一
工程で常圧下でHClガスに接触させて不純物の塩素化
を行い、これを減圧下に保ち昇温して炭素母材深部の金
属ハロゲン化物を離脱し易しく、最後の第三工程で常圧
下H2ガスを用い、残る不純物を水素化物として除くも
のである。尚この例では、石英管内に設置された炭素材
を管外部から電熱方式で加熱している。
しかし乍らこの純化方法では、温度範囲が950〜12
00゜とされ、このため反応容器には耐用限界1200
℃まで(これ以上は軟化)の石英管が使用され、外部か
らの電熱線加熱で加熱されている。
00゜とされ、このため反応容器には耐用限界1200
℃まで(これ以上は軟化)の石英管が使用され、外部か
らの電熱線加熱で加熱されている。
即ちこの方法では、黒鉛化を行うことは全く意図してい
ないものであり、高純度化だけを行うものである。しか
も加えてこの方法に於いては、高純度化工程に於いて減
圧下で行うのは、金属ハロゲン化物の脱離工程だけであ
る。
ないものであり、高純度化だけを行うものである。しか
も加えてこの方法に於いては、高純度化工程に於いて減
圧下で行うのは、金属ハロゲン化物の脱離工程だけであ
る。
次に高純度化用の炉としては、アチエソン式炉、カスト
ナ式炉及び誘導加熱方式があるが、いずれも常圧下で行
うものであり、また前二者は平面的に設置されるので、
大きな敷地面積が必要であり、且つ炉の表面積も大きい
ので熱効率の点で後者に劣る欠点があった。
ナ式炉及び誘導加熱方式があるが、いずれも常圧下で行
うものであり、また前二者は平面的に設置されるので、
大きな敷地面積が必要であり、且つ炉の表面積も大きい
ので熱効率の点で後者に劣る欠点があった。
最近、若干進んだ方法として焼成(工程A)は別の炉で
行ったあと、黒鉛化(工程B)と高純度化(工程C)と
をアチエソン炉を用い常圧で一連して行う方法が開発さ
れた。しかしこの方法では次な様な難点があった。
行ったあと、黒鉛化(工程B)と高純度化(工程C)と
をアチエソン炉を用い常圧で一連して行う方法が開発さ
れた。しかしこの方法では次な様な難点があった。
先ず前記した様な敷地面積が大きいこと、電力効率の低
い欠点の他、炉の構造上の制約からハロゲンガスと炭素
材との接触が悪いうえ、常圧下で高純度化を行う関係か
ら、ハロゲン化された不純物の脱着が悪く、操作時間が
長くかかり、ハロゲンの消費量も多い欠点があった。
い欠点の他、炉の構造上の制約からハロゲンガスと炭素
材との接触が悪いうえ、常圧下で高純度化を行う関係か
ら、ハロゲン化された不純物の脱着が悪く、操作時間が
長くかかり、ハロゲンの消費量も多い欠点があった。
また高純度黒鉛の製造方法の他の例では、特公昭35−
5737号に見られる如く、アチエソン式炉を用い、常
圧下、ハロゲンとしては塩素のみならず弗素化炭化水素
を用いる例も知られている。
5737号に見られる如く、アチエソン式炉を用い、常
圧下、ハロゲンとしては塩素のみならず弗素化炭化水素
を用いる例も知られている。
しかし乍らこれ等従来の高純度化工程では、たしかに純
度をある程度上げることの出来るものではあるが、近時
益々高い純度の黒鉛材が強く要望される現状に於いて
は、尚不充分となって来ている。
度をある程度上げることの出来るものではあるが、近時
益々高い純度の黒鉛材が強く要望される現状に於いて
は、尚不充分となって来ている。
また、真空形式の炉を用いた例としては、前記特開昭5
8−84181号の他に、抵抗式発熱体を内装した例が
あるが、この方式では構造上から来る若干の加熱ムラが
あり、また黒鉛ヒーター(以下サセプターという)内外
の雰囲気絶縁性が低く、超高純度黒鉛材を製造する場合
には信頼性に乏しい。特に高純度黒鉛材を製造しようと
しても、抵抗式電熱線加熱手段では、黒鉛化反応を進め
るに足る2400℃以上の高温を達成することが出来な
いものである。即ちこの方法では黒鉛化を同時に行うこ
とは出来ないものである。
8−84181号の他に、抵抗式発熱体を内装した例が
あるが、この方式では構造上から来る若干の加熱ムラが
あり、また黒鉛ヒーター(以下サセプターという)内外
の雰囲気絶縁性が低く、超高純度黒鉛材を製造する場合
には信頼性に乏しい。特に高純度黒鉛材を製造しようと
しても、抵抗式電熱線加熱手段では、黒鉛化反応を進め
るに足る2400℃以上の高温を達成することが出来な
いものである。即ちこの方法では黒鉛化を同時に行うこ
とは出来ないものである。
[本発明が解決しようとする問題点] 本発明が解決しようとする問題点は、従来の方法では達
成出来なかった、より高純度の黒鉛材料を、より経済的
に製造する方法を開発することであり、更に加えて一つ
の炉で、黒鉛化及び高純度化を少なくとも一部並行して
行わしめることにより、物品移動の経費、半製炭素材の
破損、装置の冷却・加熱サイクルに伴なうエネルギー損
失の低減、装置稼働率の向上、高純度化に伴うハロゲン
消費量の節減、間接的には排気、排水処理費の節減等を
計りながら、品質的には従来の高純度化の方法ではなし
得なかった超高純度の黒鉛製品を得る、画期的な黒鉛化
及び高純度方法を提供しようとするものである。
成出来なかった、より高純度の黒鉛材料を、より経済的
に製造する方法を開発することであり、更に加えて一つ
の炉で、黒鉛化及び高純度化を少なくとも一部並行して
行わしめることにより、物品移動の経費、半製炭素材の
破損、装置の冷却・加熱サイクルに伴なうエネルギー損
失の低減、装置稼働率の向上、高純度化に伴うハロゲン
消費量の節減、間接的には排気、排水処理費の節減等を
計りながら、品質的には従来の高純度化の方法ではなし
得なかった超高純度の黒鉛製品を得る、画期的な黒鉛化
及び高純度方法を提供しようとするものである。
[発明の構成並びに作用] 本発明を以下に詳述するが、説明の便宜上先ず本発明方
法の実施に使用する装置について主に図面を用いて説明
し、次いで製法を説明することとする。尚第1図は本発
明法に於いて使用する真空式・高周波加熱方式の高純度
炭素材の製造装置の側断面を模式的に示したものであ
る。
法の実施に使用する装置について主に図面を用いて説明
し、次いで製法を説明することとする。尚第1図は本発
明法に於いて使用する真空式・高周波加熱方式の高純度
炭素材の製造装置の側断面を模式的に示したものであ
る。
本発明を構成する第一の要因は、原料炭素材の加熱に、
床面積が小さく、エネルギー効率の高い高周波加熱炉を
採用したことである。
床面積が小さく、エネルギー効率の高い高周波加熱炉を
採用したことである。
第二の構成要因として誘導加熱炉の高周波コイル(5)
と被加熱炭素材(4)の中間に黒鉛ヒーター即ちサブセ
プター(6)を設けたことである。
と被加熱炭素材(4)の中間に黒鉛ヒーター即ちサブセ
プター(6)を設けたことである。
第三の構成要因として、上記の要因、即ち高周波コイル
(5)、サセプター(6)、被加熱炭素材(4)を減圧
若しくは真空特に10-2〜10-4Torrという高減圧に耐
える密閉容器に収納することである。
(5)、サセプター(6)、被加熱炭素材(4)を減圧
若しくは真空特に10-2〜10-4Torrという高減圧に耐
える密閉容器に収納することである。
尚被加熱炭素材(4)、高周波コイル(5)、サセプタ
ー(6)を真空容器内に収納することは、本発明に於い
て次項に記すガス供給管(8)、ガス排出管(1)の設
置と共に最も重要な構成要因であり、これにより被加熱
炭素材(4)を効率よく、黒鉛化及び高純度化を少なく
とも一部並行して進めることが可能になるものである。
ー(6)を真空容器内に収納することは、本発明に於い
て次項に記すガス供給管(8)、ガス排出管(1)の設
置と共に最も重要な構成要因であり、これにより被加熱
炭素材(4)を効率よく、黒鉛化及び高純度化を少なく
とも一部並行して進めることが可能になるものである。
第四の請求要因として該真空容器内に、ガス供給管
(8)、ガス排出管(1)を黒鉛ヒーター(6)と直結
形態で設けることである。
(8)、ガス排出管(1)を黒鉛ヒーター(6)と直結
形態で設けることである。
ガス排出管(1)は容器内部を減圧又は真空にする際、
及び黒鉛化工程、高純度化工程に際し発生するガスの排
気に必要不可欠である。特に、高純度化工程に於いて、
黒鉛材から蒸散された金属ハロゲン化物、金属水素化化
合物等を反応系外に引き出す目的にも使用される。
及び黒鉛化工程、高純度化工程に際し発生するガスの排
気に必要不可欠である。特に、高純度化工程に於いて、
黒鉛材から蒸散された金属ハロゲン化物、金属水素化化
合物等を反応系外に引き出す目的にも使用される。
また、これ等ガス供給管(8)及びガス排出管(1)を
開閉して、炉内圧をパルス的に変動させて後記するよう
に高純度化反応時間を短縮、かつ完全に進めることがで
きる。
開閉して、炉内圧をパルス的に変動させて後記するよう
に高純度化反応時間を短縮、かつ完全に進めることがで
きる。
ガス供給管(8)は、高純度化工程に於いて使用される
ハロゲン含有ガス、又は/及びH2ガスを供給する目的
に使用される。
ハロゲン含有ガス、又は/及びH2ガスを供給する目的
に使用される。
これ等ガスの供給用と排出用の管は、黒鉛ヒーター
(6)と直結形態で真空容器の適宜の場所に、必要に応
じ複数箇所に設けることが出来るが、容器内のガスの流
通と炭素材との接触効率を考えて、以下、又は左右と対
称側に設けることが望ましい。この直結形態にすること
により、他の部分におけるハロゲンガスの望ましくない
悪影響を大きく緩和することが出来る。
(6)と直結形態で真空容器の適宜の場所に、必要に応
じ複数箇所に設けることが出来るが、容器内のガスの流
通と炭素材との接触効率を考えて、以下、又は左右と対
称側に設けることが望ましい。この直結形態にすること
により、他の部分におけるハロゲンガスの望ましくない
悪影響を大きく緩和することが出来る。
第1図には縦型高周波炉を用い、ガス排出管(1)及び
ガス供給管(8)を夫々上、下に設けた例を記したが、
高周波炉を横型にした場合には、これ等各管を夫々左、
右に設けることも出来る。
ガス供給管(8)を夫々上、下に設けた例を記したが、
高周波炉を横型にした場合には、これ等各管を夫々左、
右に設けることも出来る。
第五の要因として高周波コイルとサセプターの間に断熱
材(2)、(3)を用いることが出来る。断熱材として
は、セラミックファイバー、カーボンファイバー、カー
ボンブラック等公知の材料を使用する。
材(2)、(3)を用いることが出来る。断熱材として
は、セラミックファイバー、カーボンファイバー、カー
ボンブラック等公知の材料を使用する。
第六の要因として、必要により真空容器の外部に水冷ジ
ャケット(9)を設けることが出来る。
ャケット(9)を設けることが出来る。
高周波コイルには250〜300Hzの高周波電圧が印
加され、真空容器の壁を貫いて内装されたコイルに電力
が供給され、電磁波は断熱材を透過して、サセプターを
加熱する。
加され、真空容器の壁を貫いて内装されたコイルに電力
が供給され、電磁波は断熱材を透過して、サセプターを
加熱する。
次に上述の装置を用いた本発明の高純度黒鉛材の製造方
法について記す。
法について記す。
本発明の方法は、原則として次の三つの要件から成って
いる。即ち、 (イ)黒鉛化を高周波加熱手段で行うこと。
いる。即ち、 (イ)黒鉛化を高周波加熱手段で行うこと。
(ロ)高純度化をハロゲンまたはその化合物を利用する手
段で行うこと。
段で行うこと。
(ハ)上記(イ)及び(ロ)の工程を減圧乃至真空下で少なくと
も一部並行して行うこと。
も一部並行して行うこと。
である。
そして上記(イ)〜(ハ)の三つの要件を同時に満足するよう
に、これを行うことである。
に、これを行うことである。
更にこれを換言すれば、本発明法の最大の特徴は、減圧
乃至真空下で、ハロゲン又はその化合物を利用する高純
度化工程と、高周波加熱による黒鉛化工程とを同一装置
内で少なくとも一部並行して行うことである。
乃至真空下で、ハロゲン又はその化合物を利用する高純
度化工程と、高周波加熱による黒鉛化工程とを同一装置
内で少なくとも一部並行して行うことである。
このような手段の併用により、はじめて極めて優れた高
純度黒鉛材を製造することが出来る。
純度黒鉛材を製造することが出来る。
この際、たとえ(イ)の黒鉛化工程と(ロ)の高純度化工程と
少なくとも一部並行して行っても、これ等を減圧乃至真
空下(10〜100Torr)で行われないときは、後記実
施例でも示す通り、高純度化の程度は低くなる。また上
記(ロ)の高純度化を(ハ)の減圧乃至真空下で行っても、黒
鉛化と少なくとも一部並行して行わない場合は(即ち黒
鉛化が進行するような3000℃近くの高温下に行わな
ければ)、やはり後記実施例で示す通り、高純度の程度
は低い。
少なくとも一部並行して行っても、これ等を減圧乃至真
空下(10〜100Torr)で行われないときは、後記実
施例でも示す通り、高純度化の程度は低くなる。また上
記(ロ)の高純度化を(ハ)の減圧乃至真空下で行っても、黒
鉛化と少なくとも一部並行して行わない場合は(即ち黒
鉛化が進行するような3000℃近くの高温下に行わな
ければ)、やはり後記実施例で示す通り、高純度の程度
は低い。
また、(イ)と(ハ)とを併用しても、(ロ)の高純度化を行わ
ないと、高純度黒鉛が収得出来ないことは勿論である。
ないと、高純度黒鉛が収得出来ないことは勿論である。
以下に順を追って本発明を説明する。
先ずガス供給管(8)からN2ガスを送気して、容器内
部の空気をN2ガスで置換したのち、ガス排出管(1)
から減圧、又は真空に引き、雰囲気を非酸化性とする。
部の空気をN2ガスで置換したのち、ガス排出管(1)
から減圧、又は真空に引き、雰囲気を非酸化性とする。
次に誘導コイル(5)に徐々に電圧を印加してサセプタ
ー(6)を加熱し、その輻射熱により被加熱炭素材
(4)を800〜1000℃に通常1〜10時間好まし
くは3〜5時間保ったのち(焼成工程)、徐々に昇温を
続け、2450〜2500℃に調節しながら5〜24時
間好ましくは7〜15時間保持する(黒鉛化工程)。
ー(6)を加熱し、その輻射熱により被加熱炭素材
(4)を800〜1000℃に通常1〜10時間好まし
くは3〜5時間保ったのち(焼成工程)、徐々に昇温を
続け、2450〜2500℃に調節しながら5〜24時
間好ましくは7〜15時間保持する(黒鉛化工程)。
容器内は加熱を始めた時点から1〜100Torr好ましく
は5〜50Torr程度に保たれているので、この段階で僅
かに揮散してくる脱ガスの排出には好都合である。
は5〜50Torr程度に保たれているので、この段階で僅
かに揮散してくる脱ガスの排出には好都合である。
黒鉛化の際、最初から或いは、黒鉛化が若干進んだ段階
で、減圧状態のままガス供給管(8)からハロゲン又は
その化合物のガス例えばジクロルジフルオルメタンを
(流量は容器内に充填する被加熱炭素材の量により増減
されるが、例えば1〜7lNTP/Kg程度で)3〜8時間程
度供給する。
で、減圧状態のままガス供給管(8)からハロゲン又は
その化合物のガス例えばジクロルジフルオルメタンを
(流量は容器内に充填する被加熱炭素材の量により増減
されるが、例えば1〜7lNTP/Kg程度で)3〜8時間程
度供給する。
高純度化に用いるハロゲン又はその化合物のガスは、炭
素材中に含まれる不純物、特に金属不純物をハロゲン塩
として蒸気圧を高め、これの蒸発、揮散によって母材で
ある炭素材の純度を高めるために必要であるが、このハ
ロゲン又はその化合物(以下ハロゲンということがあ
る)としては従来から使用されて来たものがいずれも使
用出来、例えば塩素や塩素化合物ばかりでなく弗素や弗
素化合物も使用出来、また更には塩素系或いは弗素系ガ
スを同時に併用してもよい。また同一分子内に弗素と塩
素とを含む化合物、例えばモノクロロトリフルオルメタ
ン、トリクロロモノフルオルメタン、ジクロルジフルオ
ルエタン、トリクロロモノフルオルエタン等を使用する
ことも出来る。
素材中に含まれる不純物、特に金属不純物をハロゲン塩
として蒸気圧を高め、これの蒸発、揮散によって母材で
ある炭素材の純度を高めるために必要であるが、このハ
ロゲン又はその化合物(以下ハロゲンということがあ
る)としては従来から使用されて来たものがいずれも使
用出来、例えば塩素や塩素化合物ばかりでなく弗素や弗
素化合物も使用出来、また更には塩素系或いは弗素系ガ
スを同時に併用してもよい。また同一分子内に弗素と塩
素とを含む化合物、例えばモノクロロトリフルオルメタ
ン、トリクロロモノフルオルメタン、ジクロルジフルオ
ルエタン、トリクロロモノフルオルエタン等を使用する
ことも出来る。
また不純物の種類、例えば硫黄分等については、H2が
高い精製効果を示すので、特に低硫黄グレード品につい
ては、ジクロルジフルオルメタンの供給を停止したの
ち、必要に応じ引続いてH2ガスを供給することも出来
る(高純度化工程)。
高い精製効果を示すので、特に低硫黄グレード品につい
ては、ジクロルジフルオルメタンの供給を停止したの
ち、必要に応じ引続いてH2ガスを供給することも出来
る(高純度化工程)。
高純度化操作が完了した時点で、炉内の温度を更に上
げ、3000℃にて10〜30時間程度保って工程を完
了する。
げ、3000℃にて10〜30時間程度保って工程を完
了する。
上記方法によって黒鉛化、高純度化工程を完了したあ
と、反応炉を冷却する工程の途中、約2000℃に於い
て容器内圧力を10-2乃至10-4Torrに強減圧したま
ま、冷却することにより、アウトガスの少ない高純度炭
素材を得ることが出来る。これは本発明方法の実施に関
連して、高純度、高品位の黒鉛材を得るための重要な操
作手段である。この操作は高純度化と黒鉛化反応を行っ
た後の操作として重要である。
と、反応炉を冷却する工程の途中、約2000℃に於い
て容器内圧力を10-2乃至10-4Torrに強減圧したま
ま、冷却することにより、アウトガスの少ない高純度炭
素材を得ることが出来る。これは本発明方法の実施に関
連して、高純度、高品位の黒鉛材を得るための重要な操
作手段である。この操作は高純度化と黒鉛化反応を行っ
た後の操作として重要である。
通電を停止、容器内にN2ガスを充填、置換し乍ら常
圧、常温に戻す。
圧、常温に戻す。
尚不純物除去即ち高純度化工程に於いて、本発明にかか
る真空式高周波加熱炉は甚だ好都合である。即ち、被加
熱炭素材を真空乃至減圧条件下でハロゲンと接触させる
と、その消費量が非常に少量ですむ利点が先ず挙げられ
る。真空乃至減圧条件下ではハロゲンガスが膨張して用
いられるため利用効率が高く、また炭素材との接触も良
いので、本発明者の実施した試験結果では、通電床式炉
の場合(10NTP/Kg)に比べ本発明方法では(3NT
P/Kg)とジクロルジフルオルメタン消費量が1/3に節
減された例がある。
る真空式高周波加熱炉は甚だ好都合である。即ち、被加
熱炭素材を真空乃至減圧条件下でハロゲンと接触させる
と、その消費量が非常に少量ですむ利点が先ず挙げられ
る。真空乃至減圧条件下ではハロゲンガスが膨張して用
いられるため利用効率が高く、また炭素材との接触も良
いので、本発明者の実施した試験結果では、通電床式炉
の場合(10NTP/Kg)に比べ本発明方法では(3NT
P/Kg)とジクロルジフルオルメタン消費量が1/3に節
減された例がある。
第2の利点としては、ハロゲン化又は/及び水素化され
た炭素材中の不純物が、雰囲気が減圧下であり、かつ反
応温度が高いため、外部に揮発、離脱し易くなるため、
少量のハロゲンガスの使用にも拘らず速く、より高い純
度の黒鉛材が得られることにある。
た炭素材中の不純物が、雰囲気が減圧下であり、かつ反
応温度が高いため、外部に揮発、離脱し易くなるため、
少量のハロゲンガスの使用にも拘らず速く、より高い純
度の黒鉛材が得られることにある。
尚特開昭58−84181号と本発明との差異について
重ねて説明すると、上記公知手段に於いては、その明細
書からも明らかな如く、塩素化(HCl使用)は常圧で
行い(第1工程)、このハロゲン化された不純物を真空
条件下にて脱離させ(第2工程)、次にH2を流通させ
他の不純物を除去(第3工程、圧力不明)しており、塩
素化を常圧で行っていること、塩素化工程と塩素化され
た不純物離脱工程とを別々に行っていることに特徴があ
り、また高周波加熱手段も採用していない(即ち黒鉛化
を同時に行っていない)ものである。
重ねて説明すると、上記公知手段に於いては、その明細
書からも明らかな如く、塩素化(HCl使用)は常圧で
行い(第1工程)、このハロゲン化された不純物を真空
条件下にて脱離させ(第2工程)、次にH2を流通させ
他の不純物を除去(第3工程、圧力不明)しており、塩
素化を常圧で行っていること、塩素化工程と塩素化され
た不純物離脱工程とを別々に行っていることに特徴があ
り、また高周波加熱手段も採用していない(即ち黒鉛化
を同時に行っていない)ものである。
これに対して本発明は不純物除去工程をハロゲン、必要
に応じH2を流通しながら、ハロゲン化反応とハロゲン
化物離脱反応を、何れも減圧乃至真空条件下に於いて、
しかも黒鉛化反応が進行する極めて高温度で、少なくと
も一部並行して実施している点に大きな差異がある。尚
すでにのべた通り黒鉛化と高純度化とを並行的に進める
方法については上記公知例は全くこれを開示していな
い。
に応じH2を流通しながら、ハロゲン化反応とハロゲン
化物離脱反応を、何れも減圧乃至真空条件下に於いて、
しかも黒鉛化反応が進行する極めて高温度で、少なくと
も一部並行して実施している点に大きな差異がある。尚
すでにのべた通り黒鉛化と高純度化とを並行的に進める
方法については上記公知例は全くこれを開示していな
い。
本発明により高純度化又はこれと黒鉛化を実施する際の
容器内の圧力は、100Torr乃至1Torrの範囲内に保つ
ことが望ましい。容器内の圧力は、ハロゲン化物、塩素
化又は/及び弗素化された不純物、又は置換時の残存N
2ガス等の種々の化合物の蒸気圧(分圧)の総和(全
圧)として圧力計に示されるが、これが100Torrより
高い場合は減圧効果が低くなり、従って高純度化に要す
る時間は長くなり、品質的にも従来の常圧法と変りな
く、また1Torrに達しない場合ではハロゲン供給絶対量
が少なくなり、炭素材深部の高純度化が不充分になった
り、また生成ガスの排除に多大のポンプ動力を要し、得
策ではない。
容器内の圧力は、100Torr乃至1Torrの範囲内に保つ
ことが望ましい。容器内の圧力は、ハロゲン化物、塩素
化又は/及び弗素化された不純物、又は置換時の残存N
2ガス等の種々の化合物の蒸気圧(分圧)の総和(全
圧)として圧力計に示されるが、これが100Torrより
高い場合は減圧効果が低くなり、従って高純度化に要す
る時間は長くなり、品質的にも従来の常圧法と変りな
く、また1Torrに達しない場合ではハロゲン供給絶対量
が少なくなり、炭素材深部の高純度化が不充分になった
り、また生成ガスの排除に多大のポンプ動力を要し、得
策ではない。
発明者等は実装置によって種々最適値を求めた結果10
0〜1Torr、特に好ましくは50〜5Torrが最も良好な
製品が得られることを確認した。
0〜1Torr、特に好ましくは50〜5Torrが最も良好な
製品が得られることを確認した。
本発明実施の一つの応用的態様として、高純度操作中、
反応容器内の圧力をパルス的に増減せしめる場合には、
炭素材の深層部へのハロゲンガスの拡散、置換及び深層
部からのハロゲン化生成物の離脱、置換が完全になり、
より効果的である。
反応容器内の圧力をパルス的に増減せしめる場合には、
炭素材の深層部へのハロゲンガスの拡散、置換及び深層
部からのハロゲン化生成物の離脱、置換が完全になり、
より効果的である。
[発明の効果] 以上説明した如く、本発明にかかる真空式高周波加熱方
式による高純度黒鉛の製造装置及び方法によれば、 (イ)真空式容器内で、高純度化反応を行うので、ハロ
ゲンガス消費量も少なく、高純度化工程の時間の短縮化
が可能となり且つより純度の高い黒鉛を得ることが出来
る。
式による高純度黒鉛の製造装置及び方法によれば、 (イ)真空式容器内で、高純度化反応を行うので、ハロ
ゲンガス消費量も少なく、高純度化工程の時間の短縮化
が可能となり且つより純度の高い黒鉛を得ることが出来
る。
(ロ)1つの炉で黒鉛化から高純度化工程を一貫して、
少なくとも一部並行して行えるので、途中で半製品を取
り出し、入れることもなく、連続昇温して行えば良く、
熱効率、装置稼働効率共に従来法に比べ著しく向上す
る。
少なくとも一部並行して行えるので、途中で半製品を取
り出し、入れることもなく、連続昇温して行えば良く、
熱効率、装置稼働効率共に従来法に比べ著しく向上す
る。
以下に本発明の特徴とする所を、より明瞭となすための
実験例を示す。
実験例を示す。
実験例−1 下記試料A〜Gについて、その不純物を分析した。この
結果を第1表に示す。
結果を第1表に示す。
試料A:本発明法による製品 試料となる炭素材料は東洋炭素(株)製「IG−11」
で、これを第1図の誘導加熱装置を使用し、容器内圧力
を5〜50Torrの減圧状態にし、ジクロルジフルオ
ルメトン3NTP/Kgを流しながら、3000℃で黒鉛化
し、その後引き続いて2450〜2500℃で10時間
加熱を行ったもの。
で、これを第1図の誘導加熱装置を使用し、容器内圧力
を5〜50Torrの減圧状態にし、ジクロルジフルオ
ルメトン3NTP/Kgを流しながら、3000℃で黒鉛化
し、その後引き続いて2450〜2500℃で10時間
加熱を行ったもの。
試料B:試料Fをジクロルジフルオルメタン3NTP/Kg
を流しながら(従来方法)、常圧で高純度化処理のみ行
ったもの。
を流しながら(従来方法)、常圧で高純度化処理のみ行
ったもの。
試料C:試料Fを第1図の装置で3000℃で黒鉛化処
理のみを行った市販品(見掛け密度1.77の等方性黒
鉛材料、高純度化する前のもの)東洋炭素(株)製「I
G−11」。
理のみを行った市販品(見掛け密度1.77の等方性黒
鉛材料、高純度化する前のもの)東洋炭素(株)製「I
G−11」。
試料D:試料Fを3000℃、150Torrで黒鉛化及び
高純度化すること以外は、試料Aの製造方法に従ったも
の。
高純度化すること以外は、試料Aの製造方法に従ったも
の。
試料E:試料Fを黒鉛化および高純度化する時に、ハロ
ゲンを含まないガスとして窒素ガスを使用したこと以外
は試料Aの製造方法に従ったもの。
ゲンを含まないガスとして窒素ガスを使用したこと以外
は試料Aの製造方法に従ったもの。
試料F:炭素材料(高純度化及び黒鉛化していない材
料:東洋炭素(株)製「IG−11」 試料G:試料Aを高純度化後さらに2000℃で誘導加
熱装置内部の圧力を1.0…10-4Torrにまで強減圧に
したもの。
料:東洋炭素(株)製「IG−11」 試料G:試料Aを高純度化後さらに2000℃で誘導加
熱装置内部の圧力を1.0…10-4Torrにまで強減圧に
したもの。
また分析方法は発光分光分析法及び原子吸光分析によっ
た。数字の単位はppm、(−)は「検出されず」を現わ
す。
た。数字の単位はppm、(−)は「検出されず」を現わ
す。
実験例−2 上記試料Aと試料Gについて、アウトガスを測定した。
測定方法は、試料Aと試料Gを10×10×1(mm)の
板状にし、四重極質量計で300℃における放出される
気体の質量スペクトルを測定した。試料Aのアウトガス
量については第2図に、試料Gのアウトガスについては
第3図に示した。
測定方法は、試料Aと試料Gを10×10×1(mm)の
板状にし、四重極質量計で300℃における放出される
気体の質量スペクトルを測定した。試料Aのアウトガス
量については第2図に、試料Gのアウトガスについては
第3図に示した。
第1図は本発明にかかる真空式・高周波加熱方式の高純
度炭素材の製造装置の一例の側断面を模式的に示したも
のである。 (1)……ガス排出管 (2)……保温材 (3)……保温材 (4)……被加熱炭素材 (5)……高周波コイル (6)……サセプター (7)……受皿 (8)……ガス供給管 (9)……ジャケット 第2図及び第3図はアウトガスを質量スペクトルで測定
した結果を示すグラフである。
度炭素材の製造装置の一例の側断面を模式的に示したも
のである。 (1)……ガス排出管 (2)……保温材 (3)……保温材 (4)……被加熱炭素材 (5)……高周波コイル (6)……サセプター (7)……受皿 (8)……ガス供給管 (9)……ジャケット 第2図及び第3図はアウトガスを質量スペクトルで測定
した結果を示すグラフである。
Claims (4)
- 【請求項1】炭素材を、焼成、黒鉛化、及びハロゲン化
合物のガスによる高純度化を施して高純度黒鉛材を製造
する方法に於いて、黒鉛化と高純度化とを同一装置で真
空乃至減圧下に、ハロゲン化合物のガスを流量1〜7
NTP/kgで供給しつつ、高周波加熱手段により、少
なくとも一部並行して行うことを特徴とする高純度黒鉛
材の製造方法。 - 【請求項2】特許請求の範囲第1項記載の高純度黒鉛材
の製造方法に於いて、黒鉛化及び高純度化を100To
rr乃至1Torrの圧力下で行うことを特徴とする高
純度黒鉛材の製造方法。 - 【請求項3】特許請求の範囲第1項又は第2項記載の高
純度黒鉛材の製造方法に於いて、装置内の圧力をパルス
的に昇降を繰り返しながら行うことを特徴とする高純度
黒鉛材の製造方法。 - 【請求項4】炭素材を、焼成、黒鉛化、及びハロゲン化
合物のガスによる高純度化を施して高純度黒鉛材を製造
する方法に於いて、黒鉛化と高純度化とを同一装置で真
空乃至減圧下に、ハロゲン化合物のガスを流量1〜7
NTP/kgで供給しつつ、高周波加熱手段により、少
なくとも一部並行して行い、ついで高純度化終了後、2
000℃以下の温度下、10-2〜10-4Torrの減圧
下で冷却することを特徴とする高純度黒鉛材の製造方
法。
Priority Applications (4)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP61224131A JPH0635325B2 (ja) | 1986-09-22 | 1986-09-22 | 高純度黒鉛材の製造方法 |
JP4143118A JP2567784B2 (ja) | 1986-09-22 | 1992-04-17 | 高純度黒鉛材の製造装置 |
US08/227,687 US5419889A (en) | 1986-09-21 | 1994-04-14 | Method for manufacturing high purity graphite material |
US08/365,410 US5505929A (en) | 1986-09-22 | 1994-12-28 | Method for manufacturing high purity graphite material and manufacturing apparatus for use thereof |
Applications Claiming Priority (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP61224131A JPH0635325B2 (ja) | 1986-09-22 | 1986-09-22 | 高純度黒鉛材の製造方法 |
JP4143118A JP2567784B2 (ja) | 1986-09-22 | 1992-04-17 | 高純度黒鉛材の製造装置 |
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JP4143118A Division JP2567784B2 (ja) | 1986-09-21 | 1992-04-17 | 高純度黒鉛材の製造装置 |
JP8143644A Division JPH09100162A (ja) | 1996-05-13 | 1996-05-13 | 高純度黒鉛材の製造方法及びその製造装置 |
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Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS6379759A JPS6379759A (ja) | 1988-04-09 |
JPH0635325B2 true JPH0635325B2 (ja) | 1994-05-11 |
Family
ID=26474913
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---|---|---|---|
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---|---|---|---|
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---|---|
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JPH10279376A (ja) | 1997-03-31 | 1998-10-20 | Toyo Tanso Kk | 炭素−炭化ケイ素複合材料を用いた連続鋳造用部材 |
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US6396080B2 (en) | 1999-05-18 | 2002-05-28 | Cree, Inc | Semi-insulating silicon carbide without vanadium domination |
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1986
- 1986-09-22 JP JP61224131A patent/JPH0635325B2/ja not_active Expired - Fee Related
-
1992
- 1992-04-17 JP JP4143118A patent/JP2567784B2/ja not_active Expired - Lifetime
-
1994
- 1994-04-14 US US08/227,687 patent/US5419889A/en not_active Expired - Lifetime
- 1994-12-28 US US08/365,410 patent/US5505929A/en not_active Expired - Lifetime
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