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JPH06350215A - Aluminium nitride board having copper circuit - Google Patents

Aluminium nitride board having copper circuit

Info

Publication number
JPH06350215A
JPH06350215A JP5138253A JP13825393A JPH06350215A JP H06350215 A JPH06350215 A JP H06350215A JP 5138253 A JP5138253 A JP 5138253A JP 13825393 A JP13825393 A JP 13825393A JP H06350215 A JPH06350215 A JP H06350215A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
copper
copper plate
aluminum nitride
nitride substrate
circuit
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP5138253A
Other languages
Japanese (ja)
Inventor
Yoshihiko Tsujimura
好彦 辻村
Yoshiyuki Nakamura
美幸 中村
Katsunori Terano
克典 寺野
Koichi Uchino
紘一 内野
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Denka Co Ltd
Original Assignee
Denki Kagaku Kogyo KK
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Denki Kagaku Kogyo KK filed Critical Denki Kagaku Kogyo KK
Priority to JP5138253A priority Critical patent/JPH06350215A/en
Publication of JPH06350215A publication Critical patent/JPH06350215A/en
Pending legal-status Critical Current

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Landscapes

  • Parts Printed On Printed Circuit Boards (AREA)
  • Ceramic Products (AREA)
  • Manufacturing Of Printed Wiring (AREA)

Abstract

PURPOSE:To enhance resistance against thermal impact or thermal hysteresis without requiring significant modification of the aluminium nitride board, the bonding method, or the circuit structure by setting the Vickers hardness at the part of a copper circuit at a specified value or below. CONSTITUTION:A copper circuit is formed using a copper plate having Vickers hardness of 55 or less. The copper board is obtained by annealing and preferably held in an nonoxidative atmosphere of nitrogen, argon, vacuum, etc., for 2-4 hours, especially for 2-3 hours, at 300-600 deg.C, especially at 400-500 deg.C. Annealing effect can be achieved when the treating temperature is too low or the holding time is too short and the mechanical strength becomes unsuitably strong when the treating time is too high or the holding time is too long. An oxygen-free copper plate is generally employed but a tough pitch copper plate including some impurities may also be employed.

Description

【発明の詳細な説明】Detailed Description of the Invention

【0001】[0001]

【産業上の利用分野】本発明は、電子部品のパワーモジ
ュール等に使用される銅回路を有する窒化アルミニウム
基板に関する。
BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to an aluminum nitride substrate having a copper circuit used for a power module of electronic parts.

【0002】[0002]

【従来の技術】近年、ロボットやモーター等の産業機器
の高性能化に伴い、大電力・高能率インバーター等大電
力モジュールの変遷が進んでおり、半導体素子から発生
する熱も増加の一途をたどっている。この熱を効率よく
放散するため、大電力モジュール基板では従来より様々
な方法が取られてきた。特に最近では、良好な熱伝導を
有するセラミック基板を利用することができるようにな
ったため、基板上に銅板などの金属板を接合し、回路を
形成後、そのままあるいはメッキ等の処理を施してから
半導体素子を実装する構造も採用されつつある。
2. Description of the Related Art In recent years, with the high performance of industrial equipment such as robots and motors, the transition of high power modules such as high power and high efficiency inverters has progressed, and the heat generated from semiconductor elements has also continued to increase. ing. In order to efficiently dissipate this heat, various methods have been conventionally used in high power module substrates. Especially in recent years, since it has become possible to use a ceramic substrate having good heat conduction, after joining a metal plate such as a copper plate on the substrate and forming a circuit, as it is or after performing a plating treatment or the like. A structure for mounting a semiconductor element is also being adopted.

【0003】金属とセラミックスを接合する方法には種
々あるが、回路基板の製造という点からは、Mo-Mn 法、
活性金属ろう付け法、硫化銅法、DBC法、銅メタライ
ズ法などがあげられる。特に大電力モジュール基板で
は、従来のアルミナに変わって高熱伝導性の窒化アルミ
ニウム基板が注目されており、銅板の接合方法として
は、銅板と窒化アルミニウム基板との間に活性金属を含
むろう材(以下、単に「ろう材」という)を介在させ、
加熱処理して接合体とする活性金属ろう付け法(例えば
特開昭60-177634 号公報)や表面を酸化処理した窒化ア
ルミニウム基板と銅板を銅の融点以下でCu-Oの共晶温度
以上で加熱接合するDBC法(例えば特開昭56-163093
号公報)などが用いられている。
There are various methods for joining metal and ceramics, but from the viewpoint of manufacturing circuit boards, the Mo-Mn method,
The active metal brazing method, the copper sulfide method, the DBC method, the copper metallizing method and the like can be mentioned. Particularly in high-power module substrates, attention has been focused on aluminum nitride substrates having high thermal conductivity in place of conventional alumina. As a method for joining copper plates, a brazing filler metal containing an active metal (hereinafter , Simply called "wax material")
An active metal brazing method (for example, Japanese Patent Application Laid-Open No. 60-177634) in which heat treatment is performed to form a joined body, or an aluminum nitride substrate and a copper plate whose surfaces are oxidized are provided at a temperature lower than the melting point of copper and higher than the eutectic temperature of Cu-O DBC method of heat bonding (for example, JP-A-56-163093)
No. gazette) is used.

【0004】活性金属ろう付け法は、DBC法に比べて
以下の利点がある。 (1)上記接合体を得るための処理温度が低いので、窒
化アルミニウム基板と銅板の熱膨張差によって生じる残
留応力が小さい。 (2)ろう材が延性金属であるので、ヒートショックや
ヒートサイクルに対して耐久性が大である。
The active metal brazing method has the following advantages over the DBC method. (1) Since the processing temperature for obtaining the bonded body is low, the residual stress caused by the difference in thermal expansion between the aluminum nitride substrate and the copper plate is small. (2) Since the brazing material is a ductile metal, it is highly durable against heat shock and heat cycles.

【0005】しかしながら、活性金属ろう付け法を用い
ても、ヒートショックやヒートサイクルなどの熱衝撃や
熱履歴に対する耐久性が十分であるとはいえず新しい技
術の提案が待たれていた。そこで、熱衝撃による熱応力
の原因である銅とセラミックスとの熱膨張率の差を小さ
くするために、熱膨張率の大きい銅板のかわりにクラッ
ド材を用いる検討があるが、電気伝導度が低下してしま
い実用化までには至っていない。
However, even if the active metal brazing method is used, it cannot be said that the durability against heat shock and heat history such as heat shock and heat cycle is sufficient, and the proposal of a new technique has been awaited. Therefore, in order to reduce the difference in the coefficient of thermal expansion between copper and ceramics, which is the cause of thermal stress due to thermal shock, there is a study to use a clad material instead of a copper plate with a large coefficient of thermal expansion, but the electrical conductivity decreases. However, it has not been put to practical use.

【0006】本発明者らは、以上のような問題点を解決
するためにさらに検討を重ねた結果、銅板を窒化アルミ
ニウム基板に接合させる前に、銅板を400〜600℃
程度の温度で熱処理するなどして銅板の機械的性質すな
わちビッカース硬度(Hv)を55以下に変化させれば
熱衝撃や熱履歴に対する充分な耐久性を持った銅回路を
有する窒化アルミニウム基板を製造することができるこ
とを見いだし、本発明を完成させたものである。
As a result of further studies to solve the above problems, the present inventors have found that the copper plate is 400 to 600 ° C. before being joined to the aluminum nitride substrate.
If the mechanical property of the copper plate, that is, the Vickers hardness (Hv) is changed to 55 or less by heat treatment at a moderate temperature, an aluminum nitride substrate having a copper circuit with sufficient durability against thermal shock and thermal history is manufactured. The inventors have completed the present invention by finding out what can be done.

【0007】[0007]

【課題を解決するための手段】すなわち、本発明は、銅
回路部分のビッカース硬度(Hv)が55以下であるこ
とを特徴とする銅回路を有する窒化アルミニウム基板で
ある。
That is, the present invention is an aluminum nitride substrate having a copper circuit, characterized in that the Vickers hardness (Hv) of the copper circuit portion is 55 or less.

【0008】以下、さらに詳しく本発明について説明す
ると、本発明で使用される窒化アル窒化アルミニウム基
板は、ホットプレス法、常圧焼結法等の常法によって製
造されたもので十分であり、また、その際に使用される
窒化アルミニウム粉末についても特別なものである必要
はなく、金属Al直接窒化法、アルミナ還元窒化法、気
相法等で製造されたものが使用される。窒化アルミニウ
ム基板の焼結密度としては、機械的強度及び電気特性の
点から、相対密度95%以上であることが望ましい。
The present invention will be described in more detail below. It is sufficient that the aluminum nitride aluminum nitride substrate used in the present invention is manufactured by a conventional method such as a hot pressing method and an atmospheric pressure sintering method. The aluminum nitride powder used at this time does not have to be special, and those produced by the metal Al direct nitriding method, the alumina reduction nitriding method, the vapor phase method or the like are used. The sintered density of the aluminum nitride substrate is preferably 95% or more in relative density from the viewpoint of mechanical strength and electrical characteristics.

【0009】窒化アルミニウム基板に銅回路を形成させ
る方法としては、窒化アルミニウム基板と銅板との接合
体をエッチングして銅回路を形成させる方法、銅板から
打ち抜かれた銅回路パターンを窒化アルミニウム基板に
接合する方法等によって形成させることでき、これらの
際における銅板又は銅回路パターンと窒化アルミニウム
基板との接合方法としては、活性金属ろう付け法やDB
C法等を採用することができる。
As a method of forming a copper circuit on an aluminum nitride substrate, a method of etching a bonded body of an aluminum nitride substrate and a copper plate to form a copper circuit, or a copper circuit pattern punched from a copper plate is bonded to an aluminum nitride substrate. And the like. As the method for joining the copper plate or the copper circuit pattern to the aluminum nitride substrate, the active metal brazing method or DB
C method etc. can be adopted.

【0010】活性金属ろう付け法におけるろう材の金属
成分は、常法に従い、銀と銅を主成分とし、溶融時の窒
化アルミニウム基板との濡れ性を確保するために活性金
属を副成分とする。この活性金属成分は、窒化アルミニ
ウム基板と反応して酸化物や窒化物を生成させ、それら
の生成物がろう材と窒化アルミニウム基板との結合を強
固なものにする。活性金属の具体例をあげれば、チタ
ン、ジルコニウム、ハフニウム、ニオブ、タンタル、バ
ナジウムやこれらの化合物である。これらの活性金属の
酸化物は銅の酸化物よりも安定であることが多いため、
活性金属成分が銅板表面を還元することによってそれを
清浄化し、ろう材と銅板がよく濡れるようになる。それ
によって、ろう材と銅板は相互に拡散し強い接合層が形
成される。
The metal component of the brazing filler metal in the active metal brazing method contains silver and copper as main components in accordance with a conventional method, and the active metal as a sub component for ensuring wettability with the aluminum nitride substrate during melting. . This active metal component reacts with the aluminum nitride substrate to generate an oxide or a nitride, and these products strengthen the bond between the brazing material and the aluminum nitride substrate. Specific examples of the active metal include titanium, zirconium, hafnium, niobium, tantalum, vanadium and compounds thereof. Since these active metal oxides are often more stable than copper oxides,
The active metal component reduces the surface of the copper plate to clean it, so that the brazing material and the copper plate are well wetted. As a result, the brazing material and the copper plate diffuse into each other and a strong bonding layer is formed.

【0011】本発明は、このような銅回路を有する窒化
アルミニウム基板において、その銅回路をビッカース硬
度(Hv)55以下の銅板を用いて形成させたことが大
きな特徴である。ビッカース硬度(Hv)55以下の銅
板を得るための具体的な手段は焼なましであり、その条
件は、窒素、アルゴン、真空等の非酸化性雰囲気下、3
00〜600℃特に400〜500℃程度の温度で2〜
4時間特に2〜3時間程度保持することが望ましい。処
理温度が低すぎたり保持時間が短かったりすると焼なま
しの効果を得ることができず、また、処理温度が高すぎ
たり保持時間が長すぎると機械的性質が強くなってしま
い不適当となる。焼なましされる銅板としては、無酸素
銅板が一般的であるが、タフピッチ銅板等のようにある
程度不純物を含んだものであってもよい。
A major feature of the present invention is that in an aluminum nitride substrate having such a copper circuit, the copper circuit is formed using a copper plate having a Vickers hardness (Hv) of 55 or less. Annealing is a specific means for obtaining a copper plate having a Vickers hardness (Hv) of 55 or less under the conditions of non-oxidizing atmosphere such as nitrogen, argon and vacuum.
2 to 0 to 600 ° C., especially 400 to 500 ° C.
It is desirable to hold for 4 hours, especially for 2 to 3 hours. If the treatment temperature is too low or the holding time is too short, the effect of annealing cannot be obtained, and if the treatment temperature is too high or the holding time is too long, the mechanical properties become too strong, which is unsuitable. . As the copper plate to be annealed, an oxygen-free copper plate is generally used, but a copper plate containing a certain amount of impurities such as a tough pitch copper plate may be used.

【0012】[0012]

【作用】活性金属ろう付け法においては、銅板又は銅回
路パターンと窒化アルミニウム基板との接合温度は80
0〜1000℃程度であるが、比較的短時間で上記反応
が起こるので、銅の結晶粒子が焼なましによって成長す
るよりも、ろう材の金属成分と速く反応してしまうの
で、冷却後の銅には焼なましによる機械的性質の改善効
果は付与されず、ビッカース硬度(Hv)はかなり大き
いままの状態にある。このような状態の銅板又は銅回路
パターンが窒化アルミニウム基板と接合されると、常温
までの冷却時や熱衝撃試験時において、銅板又は銅回路
パターンと窒化アルミニウム基板との熱膨張率の差によ
る熱応力が大きくなるため、延性の小さい窒化アルミニ
ウム基板に大きなダメージを与えてしまう。
In the active metal brazing method, the joining temperature between the copper plate or the copper circuit pattern and the aluminum nitride substrate is 80.
Although the temperature is about 0 to 1000 ° C., since the above reaction occurs in a relatively short time, the copper crystal particles react with the metal component of the brazing material faster than they grow by annealing. Copper is not given the effect of improving mechanical properties by annealing, and the Vickers hardness (Hv) remains considerably large. When the copper plate or copper circuit pattern in such a state is bonded to the aluminum nitride substrate, the heat generated by the difference in the coefficient of thermal expansion between the copper plate or copper circuit pattern and the aluminum nitride substrate during cooling to room temperature or a thermal shock test. Since the stress increases, the aluminum nitride substrate having low ductility is greatly damaged.

【0013】一方、DBC法の場合は、その接合温度は
1000℃以上であり、活性金属ろう付け法よりも高温
となるので逆に銅の結晶粒子が成長しすぎてしまい、ビ
ッカース硬度(Hv)を55以下にする効果、すなわち
窒化アルミニウム基板との熱膨張率の差による熱応力を
緩和する効果は期待できなくなる。この傾向は、無酸素
銅板よりも、近年、好ましく使用されている酸素等を多
く含んだタフピッチ銅板に多く見受けられる。
On the other hand, in the case of the DBC method, the joining temperature is 1000 ° C. or higher, which is higher than that of the active metal brazing method, so that the crystal grains of copper grow excessively, which causes Vickers hardness (Hv). Cannot be expected, that is, the effect of relaxing the thermal stress due to the difference in thermal expansion coefficient from the aluminum nitride substrate cannot be expected. This tendency is more often seen in the tough pitch copper plate containing a large amount of oxygen and the like, which has been used preferably in recent years, than the oxygen-free copper plate.

【0014】これに対し、本発明のように、銅回路をあ
らかじめ焼なまし等の処理を行ってビッカース硬度(H
v)を55以下とした銅板を用いて形成させれば、上記
の熱応力を緩和することができるものである。
On the other hand, as in the present invention, the copper circuit is subjected to a treatment such as annealing in advance and the Vickers hardness (H
If the copper plate with v) of 55 or less is used, the above thermal stress can be relaxed.

【0015】[0015]

【実施例】以下、本発明を実施例と比較例をあげて具体
的に説明する。
EXAMPLES The present invention will be specifically described below with reference to Examples and Comparative Examples.

【0016】実施例1〜4 比較例1〜4 銀粉末72重量部、銅粉末28重量部、ジルコニウム粉末30
重量部及びテルピネオール15重量部と有機結合剤として
ポリイソブチルメタアクリレートのトルエン溶液を固形
分で1.5 重量部を混練してろう材ペーストを調整した。
このろう材ペーストを60mm×30mm×0.65mmt の窒化アル
ミニウム基板の両面にスクリーン印刷によって全面塗布
した。その際の塗布量(乾燥後)は 6〜8mg/cm2 であ
る。
Examples 1-4 Comparative Examples 1-4 Silver powder 72 parts by weight, copper powder 28 parts by weight, zirconium powder 30
1 part by weight and 15 parts by weight of terpineol and 1.5 parts by weight of solid content of a toluene solution of polyisobutyl methacrylate as an organic binder were kneaded to prepare a brazing paste.
This brazing paste was applied over the entire surface of a 60 mm × 30 mm × 0.65 mmt aluminum nitride substrate by screen printing. The coating amount (after drying) at that time is 6 to 8 mg / cm 2 .

【0017】ろう材ペーストの塗布された窒化アルミニ
ウム基板の両面に、あらかじめ種々の温度及び保持時間
で熱処理を行ってビッカース硬度(Hv)を変化させた
60mm×30mm×0.25mmt の銅板を接触配置してから炉に投
入し、 1×10-5Torrの高真空中、900 ℃で30分加熱した
後、2 ℃/分の降温速度で冷却して銅板と窒化アルミニ
ウム基板との接合体を製造した。
Both sides of the aluminum nitride substrate coated with the brazing material paste were previously heat-treated at various temperatures and holding times to change the Vickers hardness (Hv).
After placing 60mm x 30mm x 0.25mmt copper plate in contact, put it into the furnace, heat it in a high vacuum of 1 x 10 -5 Torr at 900 ℃ for 30 minutes, and then cool it at a cooling rate of 2 ℃ / min. A bonded body of a copper plate and an aluminum nitride substrate was manufactured.

【0018】次いで、この接合体の銅板上にUV硬化タ
イプのエッチングレジストをスクリーン印刷にて回路パ
ターンに塗布後、塩化第2銅溶液を用いてエッチング処
理を行って銅板不要部分を溶解除去し、さらにエッチン
グレジストを 5%苛性ソーダ溶液で剥離した。このエッ
チング処理後の接合体には、銅回路パターン間に残留不
要ろう材や活性金属成分と窒化アルミニウム基板との反
応物があるので、それらを60℃、10%フッ化アンモニウ
ム溶液に10分間浸漬して除去した。
Next, a UV-curing type etching resist is applied on the circuit board pattern by screen printing on the copper plate of this bonded body, and then an etching treatment is performed using a cupric chloride solution to dissolve and remove unnecessary portions of the copper plate. Further, the etching resist was stripped with a 5% caustic soda solution. In the bonded body after this etching treatment, there are residual unnecessary brazing filler metal and the reaction product of the active metal component and the aluminum nitride substrate between the copper circuit patterns, so soak them in 60% at 10% ammonium fluoride solution for 10 minutes Removed.

【0019】これら一連の処理を経て得られた銅回路を
有する窒化アルミニウム基板について、ヒートサイクル
(熱衝撃)試験を行った。ヒートサイクル試験条件は、
気中、 -40℃×30分保持後、25℃×10分間放置、さらに
125℃×30分保持後、25℃×10分間放置を 1サイクルと
して行った。そして、50サイクル毎に状態を観察し、銅
回路が剥離した回数を測定した。それらの結果を表1に
示す。
A heat cycle (thermal shock) test was conducted on an aluminum nitride substrate having a copper circuit obtained through the series of treatments. The heat cycle test conditions are
Hold in air at -40 ° C for 30 minutes, then leave at 25 ° C for 10 minutes.
After holding at 125 ℃ for 30 minutes, it was left at 25 ℃ for 10 minutes as one cycle. Then, the state was observed every 50 cycles, and the number of times the copper circuit was peeled off was measured. The results are shown in Table 1.

【0020】[0020]

【表1】 [Table 1]

【0021】[0021]

【発明の効果】本発明によれば、窒化アルミニウム基板
や接合法あるいは回路構造の大幅な変更をすることな
く、熱衝撃や熱履歴に対する耐久性を充分に向上させた
銅回路を有する窒化アルミニウム基板を製造することが
できる。
According to the present invention, an aluminum nitride substrate having a copper circuit having sufficiently improved durability against thermal shock and thermal history without making a great change in the aluminum nitride substrate, the bonding method, or the circuit structure. Can be manufactured.

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 内野 紘一 福岡県大牟田市新開町1 電気化学工業株 式会社大牟田工場内 ─────────────────────────────────────────────────── ─── Continuation of the front page (72) Inventor Koichi Uchino 1 Shinkai-cho, Omuta-shi, Fukuoka Prefecture Electro-chemical industry company Omuta factory

Claims (1)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項1】 銅回路部分のビッカース硬度(Hv)が
55以下であることを特徴とする銅回路を有する窒化ア
ルミニウム基板。
1. An aluminum nitride substrate having a copper circuit, wherein the Vickers hardness (Hv) of the copper circuit portion is 55 or less.
JP5138253A 1993-06-10 1993-06-10 Aluminium nitride board having copper circuit Pending JPH06350215A (en)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP5138253A JPH06350215A (en) 1993-06-10 1993-06-10 Aluminium nitride board having copper circuit

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP5138253A JPH06350215A (en) 1993-06-10 1993-06-10 Aluminium nitride board having copper circuit

Publications (1)

Publication Number Publication Date
JPH06350215A true JPH06350215A (en) 1994-12-22

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ID=15217639

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP5138253A Pending JPH06350215A (en) 1993-06-10 1993-06-10 Aluminium nitride board having copper circuit

Country Status (1)

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JP (1) JPH06350215A (en)

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2006282417A (en) * 2005-03-31 2006-10-19 Dowa Mining Co Ltd Metal-ceramic bonding substrate
JP2011199315A (en) * 2011-06-17 2011-10-06 Dowa Holdings Co Ltd Metal/ceramic bonding substrate

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2006282417A (en) * 2005-03-31 2006-10-19 Dowa Mining Co Ltd Metal-ceramic bonding substrate
JP2011199315A (en) * 2011-06-17 2011-10-06 Dowa Holdings Co Ltd Metal/ceramic bonding substrate

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