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JPH06349761A - 半導体製造装置用ガス供給ノズル及び半導体製造装置 - Google Patents

半導体製造装置用ガス供給ノズル及び半導体製造装置

Info

Publication number
JPH06349761A
JPH06349761A JP5133277A JP13327793A JPH06349761A JP H06349761 A JPH06349761 A JP H06349761A JP 5133277 A JP5133277 A JP 5133277A JP 13327793 A JP13327793 A JP 13327793A JP H06349761 A JPH06349761 A JP H06349761A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
gas
gas supply
semiconductor manufacturing
nozzle
hole
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP5133277A
Other languages
English (en)
Inventor
Michio Sato
道夫 佐藤
Hironobu Miya
博信 宮
Akihiko Hongo
章彦 本郷
Kazumi Nikaido
和巳 二階堂
Giichi Kushima
義一 久島
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Kokusai Denki Electric Inc
Original Assignee
Kokusai Electric Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Kokusai Electric Co Ltd filed Critical Kokusai Electric Co Ltd
Priority to JP5133277A priority Critical patent/JPH06349761A/ja
Publication of JPH06349761A publication Critical patent/JPH06349761A/ja
Pending legal-status Critical Current

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Abstract

(57)【要約】 【目的】 全ての半導体基板を均一に加工処理する半導
体製造装置用ガス供給ノズル及び半導体製造装置を提供
する。 【構成】 一端にガス導入口１Ａを有し、他端を閉塞し
たノズル管１Ｂに設けられる多数のガス供給孔２を，一
端のガス導入口１Ａ側より他端に行くに従って徐々に孔
径が大きくなるガス供給孔又は孔間隔が狭くなるガス供
給孔とすることを特徴とする。

Description

【発明の詳細な説明】
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、半導体製造前処理工程
における，各種反応ガスを用いて半導体基板を加工処理
する半導体製造に係り、特に反応ガスを放出するガス供
給ノズル及び該ガス供給ノズルを備えた半導体製造装置
に関する。
【０００２】
【従来の技術】図３は従来のガス供給ノズルを用いた拡
散半導体製造装置の簡略断面図、図４は同じく従来のガ
ス供給ノズルを用いたＣＶＤ半導体製造装置の簡略断面
図である。図３，図４において１はガス供給ノズルで、
一端にガス導入口１Ａを有し、他端を閉塞したノズル管
１Ｂに、孔径が等径で孔間隔が等間隔の多数のガス供給
孔２を有している。３は反応管で、ガス供給ノズル１が
挿設され、多数枚のウェーハ５を載置した基板支持具４
が搬入出される。５Ａ，５Ｂはそれぞれ基板支持具４の
最上流位置及び最下流位置に載置された最上流，最下流
位置のウェーハ、６はガス排気口、７は反応管３の内側
に同心状に設置された内管である。
【０００３】上記のような構成の拡散・ＣＶＤ半導体製
造装置において、ガス供給ノズル１のガス導入口１Ａよ
り反応ガスを導入し、ノズル管１Ｂの多数のガス供給孔
２より反応ガスを反応管３内に放出し、基板支持具４に
載置された多数枚のウェーハ５を加工処理する。余分な
反応ガスは反応管３内より或いは反応管３と内管７間を
通ってガス排気口６より排気される。この加工処理にお
いては１回のバッチ処理で、反応管３内のウェーハ５は
全て均一に加工処理されることが必要である。ウェーハ
５の加工処理の度合いは、拡散の場合、ＣＶＤフラット
ポリシリコン膜、反応管３内全ゾーン同一温度制御の場
合、共にウェーハ近傍の雰囲気中の反応ガス濃度に左右
され、一般に反応ガス濃度が高い程、拡散・膜堆積処理
の進行は早くなる。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】従来のガス供給ノズル
は、ガス供給孔２の孔径が等径で孔間隔が等間隔である
ため、この供給ノズルを用いた半導体製造装置におい
て、ガス導入口１Ａ側におけるウェーハは、反応ガスの
流量が多くなり、雰囲気も短時間で高濃度となるため、
加工処理の進行が早く、ガス導入口１Ａから離れるに従
ってガス供給孔２から流出される反応ガスの流量が少な
くなるため、ウェーハ加工処理の進行が遅くなり、最上
流位置のウェーハ５Ａと最下流位置のウェーハ５Ｂの間
で、均一なウェーハ加工処理ができないという課題があ
った。
【０００５】
【課題を解決するための手段】本発明のガス供給ノズル
は、上記の課題を解決するため、一端にガス導入口１Ａ
を有し、他端を閉塞したノズル管１Ｂに設けられる多数
のガス供給孔２を，一端のガス導入口１Ａ側より他端に
行くに従って徐々に孔径が大きくなるガス供給孔又は孔
間隔が狭くなるガス供給孔とすることを特徴とする。本
発明の半導体製造装置は、同じ課題を解決するため、上
記ガス供給ノズル１を用い、該ガス供給ノズル１の各ガ
ス供給孔２より放出する反応ガスにより半導体基板５を
加工処理することを特徴とする。
【０００６】
【作用】本発明は上記のような構成であるから、ガス導
入口１Ａより導入された反応ガスはノズル管１Ｂの各ガ
ス供給孔２より放出されて多数枚の半導体基板５の加工
処理に供されるが、ガス導入口１Ａ側のガス供給孔２よ
り放出されるガス流量は少なくなり、閉塞他端に行くに
従ってガス供給孔２より放出されるガス流量は多くなる
ため、最上流位置の半導体基板５Ａと最下流位置の半導
体基板５Ｂ間で、単位長さ当り一定流量の反応ガスを放
出することになり、均一なガス濃度の雰囲気となって全
ての半導体基板５を均一に加工処理することができるこ
とになる。
【０００７】
【実施例】図１は本発明のガス供給ノズルの第１実施例
の構成を示す説明図である。この第１実施例は、一端に
ガス導入口１Ａを有し、他端を閉塞したノズル管１Ｂ
に、一端のガス導入口１Ａ側より他端に行くに従って徐
々に孔径が大きくなる多数のガス供給孔２を設けてな
る。図２は第２実施例の構成を示す説明図である。この
第２実施例は、一端にガス導入口１Ａを有し、他端を閉
塞したノズル管１Ｂに、一端のガス導入口１Ａ側より他
端に行くに従って徐々に孔間隔が狭くなる多数のガス供
給孔２を設けてなる。
【０００８】上記構成の第１実施例，第２実施例による
ガス供給ノズル及びこれらのガス供給ノズルを、図３に
示す拡散半導体製造装置及び図４に示すＣＶＤ半導体製
造装置に適用した場合の作用を説明する。ガス導入口１
Ａより導入された反応ガスはノズル管１Ｂの各ガス供給
孔２より放出されて多数枚の半導体基板５の加工処理に
供されるが、ガス導入口１Ａ側のガス供給孔２より放出
されるガス流量は、第１実施例の場合、ガス供給孔２の
孔径が小さいため、又、第２実施例の場合、孔間隔が長
いため少なくなり、閉塞他端に行くに従ってガス供給孔
２の孔径が大きくなるため、又は孔間隔が狭くなるため
ガス供給孔２より放出されるガス流量は徐々に多くなる
ため、最上流位置のウェーハ５Ａと最下流位置のウェー
ハ５Ｂ間で、単位長さ当り一定流量の反応ガスを放出す
ることになり、均一なガス濃度の雰囲気となって全ての
ウェーハ５を均一に加工処理することができることにな
る。
【０００９】
【発明の効果】上述のように本発明によれば、一端にガ
ス導入口１Ａを有し、他端を閉塞したノズル管１Ｂに設
けられる多数のガス供給孔２を，一端のガス導入口１Ａ
側より他端に行くに従って徐々に孔径が大きくなるガス
供給孔又は孔間隔が狭くなるガス供給孔とすることによ
り半導体製造装置において全ての半導体基板を均一に加
工処理することができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明のガス供給ノズルの第１実施例の構成を
示す説明図である。
【図２】第２実施例の構成を示す説明図である。
【図３】従来のガス供給ノズルを用いた拡散半導体製造
装置の簡略断面図である。
【図４】同じく従来のガス供給ノズルを用いたＣＶＤ半
導体製造装置の簡略断面図である。
【符号の説明】
１ ガス供給ノズル １Ａ ガス導入口 １Ｂ ノズル管 ２ ガス供給孔 ５ 半導体基板（ウェーハ）
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 二階堂 和巳 東京都港区虎ノ門二丁目３番13号 国際電 気株式会社内 (72)発明者 久島 義一 東京都港区虎ノ門二丁目３番13号 国際電 気株式会社内

Claims (3)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項１】 一端にガス導入口（１Ａ）を有し、他端
    を閉塞したノズル管（１Ｂ）に、多数のガス供給孔
    （２）を有する半導体製造装置用ガスノズルにおいて、
    多数のガス供給孔（２）を，一端のガス導入口（１Ａ）
    側より他端へ行くに従って徐々に孔径が大きくなるガス
    供給孔とすることを特徴とする半導体製造装置用ガス供
    給ノズル。
  2. 【請求項２】 一端にガス導入口（１Ａ）を有し、他端
    を閉塞したノズル管（１Ｂ）に、多数のガス供給孔
    （２）を有する半導体製造装置用ガスノズルにおいて、
    多数のガス供給孔（２）を，一端のガス導入口（１Ａ）
    側より他端へ行くに従って徐々に孔間隔が狭くなるガス
    供給孔とすることを特徴とする半導体製造装置用ガス供
    給ノズル。
  3. 【請求項３】 一端のガス導入口（１Ａ）側より他端へ
    行くに従って徐々に孔径が大きくなる多数のガス供給孔
    （２）又は孔間隔が狭くなる多数のガス供給孔（２）を
    有するガス供給ノズル（１）を用い、該ガス供給ノズル
    （１）の各ガス供給孔（２）より放出する反応ガスによ
    り半導体基板（５）を加工処理することを特徴とする半
    導体製造装置。
JP5133277A 1993-06-03 1993-06-03 半導体製造装置用ガス供給ノズル及び半導体製造装置 Pending JPH06349761A (ja)

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Cited By (19)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH1012559A (ja) * 1996-06-07 1998-01-16 Samsung Electron Co Ltd 半導体製造用化学気相蒸着装置
US6074486A (en) * 1997-04-22 2000-06-13 Samsung Electronics Co., Ltd. Apparatus and method for manufacturing a semiconductor device having hemispherical grains
JP2002009065A (ja) * 2000-06-22 2002-01-11 Mitsubishi Heavy Ind Ltd プラズマｃｖｄ装置
US6953739B2 (en) 1997-04-22 2005-10-11 Samsung Electronics Co., Ltd. Method for manufacturing a semiconductor device having hemispherical grains at very low atmospheric pressure using first, second, and third vacuum pumps
EP1830392A2 (en) * 2006-03-01 2007-09-05 Aviza Technology, Inc. Thermal processing system with accross-flow liner
JP2009203533A (ja) * 2008-02-28 2009-09-10 Nec Electronics Corp 原子層成長装置
US20100276084A1 (en) * 2008-01-14 2010-11-04 Liqiang Yao Plasma processing equipment and gas distribution apparatus thereof
US7900580B2 (en) 2002-04-05 2011-03-08 Hitachi Kokusai Electric Inc. Substrate processing apparatus and reaction container
JP2012104720A (ja) * 2010-11-11 2012-05-31 Hitachi Kokusai Electric Inc 基板処理装置、半導体装置の製造方法及び半導体装置
JP2012519237A (ja) * 2009-02-27 2012-08-23 サンドビック サーマル プロセス，インコーポレイティド ソーラー電池の製造装置
US20130171832A1 (en) * 2011-12-28 2013-07-04 Intermolecular Inc. Enhanced Isolation For Combinatorial Atomic Layer Deposition (ALD)
KR101324207B1 (ko) * 2006-10-19 2013-11-06 주성엔지니어링(주) 가스 분사 장치 및 이를 포함하는 기판 처리 장치
JP2014063959A (ja) * 2012-09-24 2014-04-10 Tokyo Electron Ltd 縦型熱処理装置
JP2015523717A (ja) * 2012-06-20 2015-08-13 ユ−ジーン テクノロジー カンパニー．リミテッド 基板処理装置
JP2015160747A (ja) * 2014-02-25 2015-09-07 ヤマハ株式会社 カーボンナノチューブの製造装置
CN107086189A (zh) * 2016-02-15 2017-08-22 株式会社日立国际电气 衬底处理装置
CN112410518A (zh) * 2019-08-23 2021-02-26 盛美半导体设备(上海)股份有限公司 退火腔进气装置
KR20210127743A (ko) * 2019-03-25 2021-10-22 가부시키가이샤 코쿠사이 엘렉트릭 반도체 장치의 제조 방법, 기판 처리 장치 및 프로그램
EP4060077A2 (en) 2021-03-16 2022-09-21 Kokusai Electric Corp. Substrate processing apparatus, method of manufacturing semiconductor device and program

Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH021116A (ja) * 1988-03-09 1990-01-05 Tel Sagami Ltd 熱処理装置
JPH0653154A (ja) * 1992-07-30 1994-02-25 Matsushita Electron Corp 半導体製造装置における不純物拡散炉

Patent Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH021116A (ja) * 1988-03-09 1990-01-05 Tel Sagami Ltd 熱処理装置
JPH0653154A (ja) * 1992-07-30 1994-02-25 Matsushita Electron Corp 半導体製造装置における不純物拡散炉

Cited By (29)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH1012559A (ja) * 1996-06-07 1998-01-16 Samsung Electron Co Ltd 半導体製造用化学気相蒸着装置
US6074486A (en) * 1997-04-22 2000-06-13 Samsung Electronics Co., Ltd. Apparatus and method for manufacturing a semiconductor device having hemispherical grains
US6953739B2 (en) 1997-04-22 2005-10-11 Samsung Electronics Co., Ltd. Method for manufacturing a semiconductor device having hemispherical grains at very low atmospheric pressure using first, second, and third vacuum pumps
JP2002009065A (ja) * 2000-06-22 2002-01-11 Mitsubishi Heavy Ind Ltd プラズマｃｖｄ装置
US8261692B2 (en) 2002-04-05 2012-09-11 Hitachi Kokusai Electric Inc. Substrate processing apparatus and reaction container
US7900580B2 (en) 2002-04-05 2011-03-08 Hitachi Kokusai Electric Inc. Substrate processing apparatus and reaction container
US8047158B2 (en) 2002-04-05 2011-11-01 Hitachi Kokusai Electric Inc. Substrate processing apparatus and reaction container
EP1830392A2 (en) * 2006-03-01 2007-09-05 Aviza Technology, Inc. Thermal processing system with accross-flow liner
EP1830392A3 (en) * 2006-03-01 2008-05-28 Aviza Technology, Inc. Thermal processing system with accross-flow liner
KR101324207B1 (ko) * 2006-10-19 2013-11-06 주성엔지니어링(주) 가스 분사 장치 및 이를 포함하는 기판 처리 장치
US20100276084A1 (en) * 2008-01-14 2010-11-04 Liqiang Yao Plasma processing equipment and gas distribution apparatus thereof
US9540732B2 (en) 2008-01-14 2017-01-10 Beijing Nmc Co., Ltd. Plasma processing equipment and gas distribution apparatus thereof
US8888949B2 (en) * 2008-01-14 2014-11-18 Beijing Nmc Co., Ltd. Plasma processing equipment and gas distribution apparatus thereof
JP2009203533A (ja) * 2008-02-28 2009-09-10 Nec Electronics Corp 原子層成長装置
US9068263B2 (en) 2009-02-27 2015-06-30 Sandvik Thermal Process, Inc. Apparatus for manufacture of solar cells
JP2012519237A (ja) * 2009-02-27 2012-08-23 サンドビック サーマル プロセス，インコーポレイティド ソーラー電池の製造装置
JP2012104720A (ja) * 2010-11-11 2012-05-31 Hitachi Kokusai Electric Inc 基板処理装置、半導体装置の製造方法及び半導体装置
US20130171832A1 (en) * 2011-12-28 2013-07-04 Intermolecular Inc. Enhanced Isolation For Combinatorial Atomic Layer Deposition (ALD)
JP2015523717A (ja) * 2012-06-20 2015-08-13 ユ−ジーン テクノロジー カンパニー．リミテッド 基板処理装置
JP2014063959A (ja) * 2012-09-24 2014-04-10 Tokyo Electron Ltd 縦型熱処理装置
JP2015160747A (ja) * 2014-02-25 2015-09-07 ヤマハ株式会社 カーボンナノチューブの製造装置
CN107086189A (zh) * 2016-02-15 2017-08-22 株式会社日立国际电气 衬底处理装置
JP2017147262A (ja) * 2016-02-15 2017-08-24 株式会社日立国際電気 基板処理装置、半導体装置の製造方法およびプログラム
CN107086189B (zh) * 2016-02-15 2020-08-18 株式会社国际电气 衬底处理装置
US11020760B2 (en) 2016-02-15 2021-06-01 Kokusai Electric Corporation Substrate processing apparatus and precursor gas nozzle
KR20210127743A (ko) * 2019-03-25 2021-10-22 가부시키가이샤 코쿠사이 엘렉트릭 반도체 장치의 제조 방법, 기판 처리 장치 및 프로그램
CN112410518A (zh) * 2019-08-23 2021-02-26 盛美半导体设备(上海)股份有限公司 退火腔进气装置
EP4060077A2 (en) 2021-03-16 2022-09-21 Kokusai Electric Corp. Substrate processing apparatus, method of manufacturing semiconductor device and program
JP2022142267A (ja) * 2021-03-16 2022-09-30 株式会社Kokusai Electric 基板処理装置及び半導体装置の製造方法

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