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JPH0634591B2 - Overcurrent protection circuit for inverter device - Google Patents

Overcurrent protection circuit for inverter device

Info

Publication number
JPH0634591B2
JPH0634591B2 JP61235012A JP23501286A JPH0634591B2 JP H0634591 B2 JPH0634591 B2 JP H0634591B2 JP 61235012 A JP61235012 A JP 61235012A JP 23501286 A JP23501286 A JP 23501286A JP H0634591 B2 JPH0634591 B2 JP H0634591B2
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
circuit
signal
transistor
electric valve
overcurrent
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Expired - Lifetime
Application number
JP61235012A
Other languages
Japanese (ja)
Other versions
JPS6392274A (en
Inventor
健二 広瀬
栄一 杉島
正勝 大上
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Mitsubishi Electric Corp
Original Assignee
Mitsubishi Electric Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Mitsubishi Electric Corp filed Critical Mitsubishi Electric Corp
Priority to JP61235012A priority Critical patent/JPH0634591B2/en
Priority to KR1019870010324A priority patent/KR900008393B1/en
Priority to GB8722869A priority patent/GB2197550B/en
Priority to CN87106643A priority patent/CN1006345B/en
Priority to US07/103,639 priority patent/US4819157A/en
Publication of JPS6392274A publication Critical patent/JPS6392274A/en
Publication of JPH0634591B2 publication Critical patent/JPH0634591B2/en
Anticipated expiration legal-status Critical
Expired - Lifetime legal-status Critical Current

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Description

【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 この発明はインバータ装置のインバータ部に用いられる
電気弁が出力短絡時等の過電流により破損することを防
ぐための過電流保護回路の改良に関するものである。
Description: TECHNICAL FIELD The present invention relates to an improvement of an overcurrent protection circuit for preventing an electric valve used in an inverter section of an inverter device from being damaged by an overcurrent at the time of output short circuit or the like. It is a thing.

〔従来の技術〕[Conventional technology]

第4図は従来の汎用インバータ(電圧形)に採用されて
いるインバータ装置の過電流保護回路及びそれの周辺回
路を示す構成図であり,本構成は現状のインバータ装置
の過電流保護回路としては極めて一般的なものである。
図において(1)は直流電源,(2−1)はトランジスタ
(2−4)と直列接続され中間点Uを負荷(5)へと接続
されるとともに両端を直流電源(1)に接続されたトラン
ジスタ,(2−3)はトランジスタ(2−6)と直列接
続され中間点Vを負荷(5)へと接続されるとともに両端
を直流電源(1)に接続されたトランジスタ,(2−5)
はトランジスタ(2−2)と直列接続され中間点Wを負
荷(5)へと接続されるとともに両端を直流電源(1)に接続
されたトランジスタ,(3−1)はトランジスタ(2−
1)の導通方向とその導通方向が逆となるよう逆パラレ
ルに接続されたダイオード,(3−2)はトランジスタ
(2−2)と逆パラレルに接続されたダイオード,(3
−3)はトランジスタ(2−3)と逆パラレルに接続さ
れたダイオード,(3−4)はトランジスタ(2−4)
と逆パラレルに接続されたダイオード,(3−5)はト
ランジスタ(2−5)と逆パラレルに接続されたダイオ
ード,(3−6)はトランジスタ(2−6)と逆パラレ
ルに接続したダイオード,(4−1)はトランジスタ
(2−1)とトランジスタ(2−4)の中間点Uと負荷
(5)の間に挿入された電流検出器,(4−2)はトラン
ジスタ(2−3)とトランジスタ(2−6)の中間点V
と負荷(5)の間に挿入された電流検出器,(4−3)は
トラジスタ(2−5)とトランジスタ(2−2)の中間
点Wと負荷(5)の間に挿入された電流検出器,(8)は電流
検出器(4−1),電流検出器(4−2),電流検出器
(4−3)の出力をそれぞれ入力とし,各出力値の絶対
値をとり最も大きい出力値を出力する大優先回路,(9)
は大優先回路(8)の出力を入力し,過電流を判定する過
電流判定回路,(10)はこの過電流判定回路(9)からの判
定出力に相当する遮断信号,(7)は短絡防止回路(11)の
出力と遮断信号(10)を入力とし,トランジスタ(2−
1),トランジスタ(2−2),トランジスタ(2−
3),トランジスタ(2−4),トラジスタ(2−
5),トランジスタ(2−6)のベースへの信号を出力
とする遮断回路,(6)は短絡防止回路(11)への入力とな
るベース信号発生器である。
FIG. 4 is a block diagram showing an overcurrent protection circuit of an inverter device and its peripheral circuits used in a conventional general-purpose inverter (voltage type). This configuration is used as an overcurrent protection circuit of the current inverter device. It is extremely common.
In the figure, (1) is a DC power supply, (2-1) is connected in series with the transistor (2-4), the intermediate point U is connected to the load (5), and both ends are connected to the DC power supply (1). The transistor (2-3) is connected in series with the transistor (2-6), the intermediate point V is connected to the load (5), and both ends are connected to the DC power supply (1), (2-5)
Is a transistor connected in series with the transistor (2-2), the intermediate point W is connected to the load (5), and both ends are connected to the DC power source (1), and (3-1) is a transistor (2-
The diode (3-2) is connected in antiparallel so that the conduction direction of (1) is opposite to that of the conduction direction, and the diode (3-2) is connected in antiparallel with the transistor (2-2).
-3) is a diode connected in antiparallel with the transistor (2-3), (3-4) is a transistor (2-4)
And (3-5) is a diode connected in antiparallel with the transistor (2-5), (3-6) is a diode connected in antiparallel with the transistor (2-6), (4-1) is the intermediate point U between the transistor (2-1) and the transistor (2-4) and the load
A current detector inserted between (5) and (4-2) is a midpoint V between the transistor (2-3) and the transistor (2-6).
And a current detector inserted between the load (5) and (4-3) is a current inserted between the intermediate point W between the transistor (2-5) and the transistor (2-2) and the load (5). The detector, (8), takes the output of the current detector (4-1), the current detector (4-2), and the current detector (4-3) as input, and takes the absolute value of each output value and has the largest value. High priority circuit that outputs the output value, (9)
Is an overcurrent determination circuit that inputs the output of the high priority circuit (8) and determines overcurrent, (10) is a cutoff signal corresponding to the determination output from this overcurrent determination circuit (9), and (7) is a short circuit The output of the prevention circuit (11) and the cutoff signal (10) are input, and the transistor (2-
1), transistor (2-2), transistor (2-
3), transistor (2-4), transistor (2-
5), a cut-off circuit that outputs a signal to the base of the transistor (2-6), and (6) is a base signal generator that is an input to the short-circuit prevention circuit (11).

次に第4図に示したものの動作について説明する。ま
ず,通常の運転時の動作について述べる。今,図示しな
い周波数設定器よりインバータの出力周波数が設定さ
れ,周波数指令信号としてベース信号発生器(6)に入力
されると,ベース信号発生器(6)では第5図に示すよう
ないわゆる180度通電形(6ステツプ)の各トランジ
スタへの制御信号を発生する。図中Tが周期を示し,I
/Tがその出力周波数となる。しかし実際にはトランジ
スタのスイツチング遅れがあるため各アームの上下のト
ランジスタ,例えばトランジスタ(2−1)と(2−
4),(2−3)と(2−6),又は(2−5)と(2
−2)が同時にオン状態となる短絡状態を防ぐためベー
ス信号発生器(6)の出力を短絡防止回路(11)を通し,上
下のトランジスタのベース信号(点弧信号)にデツドタ
イム(td)を設けている。第6図に短絡防止回路(11)の
1回路分の回路図を示す。実際にはトランジスタ6ケ分
の6回路が用意されるのは言うまでもない。また動作は
端なる遅延タイマーなので詳細は省略するが,第5図に
示すようなトランジスタ制御信号をベース信号発生器
(6)より入力し,抵抗RとコンデンサCで決定される時
定数分デイレーさせ,立上りをデツドタイム(td)分遅
らせ,トランジスタベース信号とし第7図のような波形
を遮断回路へと出力している。なお,第6図中,Dはダ
イオード,Bはそれぞれバツフアーである。遮断回路
(7)は遮断信号(10)が出力されていない時は,短絡防止
回路(11)の出力であるトランジスタベース信号を各トラ
ンジスタのベースに供給する。各トランジスタ(2−
1)〜(2−6)はこれに応動しスイツチングし,負荷
(5)に交流電力を供給する。ここでダイオード(3−
1)〜(3−6)は負荷(5)の無効分エネルギーの処理
に用いられる環流ダイオードの役割りをする。
Next, the operation of what is shown in FIG. 4 will be described. First, the operation during normal operation will be described. Now, when the output frequency of the inverter is set by a frequency setter (not shown) and is input to the base signal generator (6) as a frequency command signal, the base signal generator (6) outputs a so-called 180-degree signal as shown in FIG. A control signal is generated for each of the current-carrying type (6 steps) transistors. In the figure, T indicates the period, and I
/ T is the output frequency. However, in reality, since there is a switching delay of the transistors, transistors above and below each arm, for example, transistors (2-1) and (2-
4), (2-3) and (2-6), or (2-5) and (2
-2) passes the output of the base signal generator (6) through the short-circuit prevention circuit (11) to prevent a short-circuit condition in which both are simultaneously turned on, and the dead time (td) is added to the base signals (firing signals) of the upper and lower transistors. It is provided. FIG. 6 shows a circuit diagram of one circuit of the short circuit prevention circuit (11). Needless to say, six circuits for six transistors are actually prepared. Also, since the operation is a delay timer, the details are omitted, but the transistor control signal as shown in FIG.
Input from (6), delay by the time constant determined by resistor R and capacitor C, delay the rise by dead time (td), and output the waveform as shown in Fig. 7 to the cutoff circuit as the transistor base signal. There is. In FIG. 6, D is a diode and B is a buffer. Cutoff circuit
(7) supplies the transistor base signal, which is the output of the short circuit prevention circuit (11), to the base of each transistor when the cutoff signal (10) is not output. Each transistor (2-
1) to (2-6) responds to this and switches and loads
Supply AC power to (5). Here, the diode (3-
1) to (3-6) play the role of a freewheeling diode used for processing the reactive energy of the load (5).

さて,次に過電流保護回路動作時の動作について説明す
る。電流検出器(4−1)はU相の電流,電流検出器
(4−2)はV相の電流,電流検出器(4−3)はW相
の電流を検出し,電流に比例した電圧信号に変換し,大
優先回路(8)に送出する。大優先回路(8)はそれらの電圧
信号の絶対値をとり最も大きい電圧を出力する。この動
作を第8図に示す。過電流判別回路(9)はこの大優先回
路からの出力信号を受け,仮に負荷が何らかの理由で大
きくなり電流が増加すると,トランジスター(2−1)
〜(2−6),ダイオード(3−1)〜(3−6)の破
損に至る電流値より十分低いレベルで,負荷(5)への電
力の供給を遮断するために遮断信号(10)を遮断回路(7)
に送出する。遮断回路(7)はこの遮断信号(10)に応動
し,各トランジスタ(2−1)〜(2−6)へのベース
信号を遮断するため,各トランジスタ(2−1)〜(2
−6)はスイツチオフし出力は遮断される。
Now, the operation when the overcurrent protection circuit operates will be described. The current detector (4-1) detects the U-phase current, the current detector (4-2) detects the V-phase current, and the current detector (4-3) detects the W-phase current, and the voltage is proportional to the current. It is converted to a signal and sent to the high priority circuit (8). The high priority circuit (8) takes the absolute value of those voltage signals and outputs the largest voltage. This operation is shown in FIG. The overcurrent discrimination circuit (9) receives the output signal from this high priority circuit, and if the load increases for some reason and the current increases, the transistor (2-1)
~ (2-6), diode (3-1) ~ (3-6) at a level sufficiently lower than the current value leading to damage, the cutoff signal (10) to cut off the power supply to the load (5) Breaking circuit (7)
Send to. The cutoff circuit (7) responds to the cutoff signal (10) and cuts off the base signal to each of the transistors (2-1) to (2-6).
-6) switches off and the output is cut off.

以上のような動作で全トランジスタ(2−1)〜(2−
6)は過電流による破損から保護される。
All the transistors (2-1) to (2-
6) is protected from damage due to overcurrent.

次に過電流保護回路の動作の中で,最もトランジスタに
ストレスを与える出力短絡保護について説明する。ここ
で,出力短絡とは,U,V,W相のいずれか2つ,ある
いは3つ共が短絡状態になることである。ここでは、
U,V,W相の3つが共に短絡状態となつた時を考えて
みよう。先の第7図によれば、デツドタイムtd期間及び
トランジスタのスイツチングタイムを無視すれば各トラ
ンジスタに(2−1)〜(2−6)印加される点弧信号
は表1に示す通りの6モードに分類される。
Next, in the operation of the overcurrent protection circuit, the output short-circuit protection that most stresses the transistor will be described. Here, the output short circuit means that any two or three of the U, V, and W phases are in a short circuit state. here,
Consider the case where all three U, V, and W phases are short-circuited. According to FIG. 7 described above, if the dead time td period and the switching time of the transistors are ignored, the ignition signals applied to the transistors (2-1) to (2-6) are 6 as shown in Table 1. It is classified into modes.

ここで表1に於て,1はトランジスタがオンの状態,0
はトランジスタがオフの状態である。これをよく見ると
必ずトランジスタは,以下の2つの状態にあることが判
る。即ち, 上側トランジスタが2ケ(2相)オン 下側トランジスタが1ケ(1相)オン 上側トランジスタが1ケ(1相)オン 下側トランジスタが2ケ(2相)オン である。は相対であるので代表例としての中のモ
ード6,即ちトランジスタ(2−1),トランジスタ
(2−3),トランジスタ(2−2)がオンの状態の時
に出力U,V,W相が短絡状態になつた時を考えよう。
Here, in Table 1, 1 is a state in which the transistor is on, 0
Indicates that the transistor is off. If you look closely at this, you can see that the transistor is in the following two states. That is, the upper transistor is on (two phases) on, the lower transistor is on (one phase) on, the upper transistor is on (one phase) on, and the lower transistor is on (two phases) on. Are relative, mode 6 in the representative example, that is, outputs U, V and W phases are short-circuited when the transistor (2-1), transistor (2-3) and transistor (2-2) are on. Think about when you're in a state.

この状態を第9図に示す。また,短絡時の各トランジス
タに流れるコレクタ電流及びコレクタエミツタ間電圧を
第10図に示す。以下,第10図の説明を述べる。時刻
において短絡状態が生ずると,各々のトランジスタ
のコレクタ電流は出力インピーダンスが低下するため急
激に上昇する。トランジスタ(2−2)は与えられてい
るベース電流とそのトランジスタ個有の電流増幅率hFE
で制限される電流までコレクタ電流i(2−2)を上昇
させクランプする。一方,各トランジスタの電気的特性
がほぼ等しいと仮定すると,各トランジスタ(2−
1),(2−3)に流れる電流はキルヒホツフの法則に
より,概略下記のようになる。
This state is shown in FIG. Further, FIG. 10 shows the collector current and collector-emitter voltage that flow in each transistor when a short circuit occurs. The description of FIG. 10 will be given below. When a short circuit occurs at time t 1 , the collector current of each transistor rapidly rises because the output impedance decreases. Transistor (2-2) is given base current and current amplification factor hFE unique to that transistor.
The collector current i (2-2) is increased to the current limited by and clamped. On the other hand, assuming that the electrical characteristics of each transistor are almost the same, each transistor (2-
The currents flowing through 1) and (2-3) are roughly as follows according to Kirchhoff's law.

したがつて,トランジスタ(2−1),(2−3)と
(2−2)の各コレクタエミツタ間電圧はic−VCE(コ
レクタ電流−コレクタ・エミツタ電圧)特性の関係が非
線形であるが故に,一般に第10図に示すように,コレ
クタ電流の大きなトランジスタ(2−2)がほとんど電
圧を分担し,トランジスタ(2−1),トランジスタ
(2−3)は、あまり電圧を分担しない。いいかえれ
ば,トランジスタ(2−2)は,トランジスタ(2−
1),トランジスタ(2−3)に比べより能動領域で動
作しており厳しいストレスにさらされている。
Therefore, the collector-emitter voltage of the transistors (2-1), (2-3) and (2-2) has a non-linear relationship between the ic-V CE (collector current-collector-emitter voltage) characteristics. Therefore, generally, as shown in FIG. 10, the transistor (2-2) having a large collector current mostly shares the voltage, while the transistors (2-1) and (2-3) do not share much voltage. In other words, the transistor (2-2) is the transistor (2-
1), it operates in a more active area than the transistor (2-3) and is exposed to severe stress.

ここで,電流i(2−2)即ちW相電流が時刻tに於
いて過電流判定レベルを超えるが,図に示す如く,時刻
になり始めて遮断を開始している。これは電流検出
器(4−3),大優先回路(8),過電流判定回路(9),遮
断回路(7)などの応答遅れ,また図示しないベース駆動
回路の応答遅れ,及びトランジスタのストレージタイム
などによる応答遅れである。従つて,トランジスタは,
短絡時のこれらの電流,電圧に,この応答遅れの時間さ
らされても破損ないよう配慮されたものを用いる。
Here, the current i (2-2) i.e. W-phase current at a time t 2 exceeds the overcurrent determination level, as shown in FIG, it has started blocking starting to time t 3. This is the response delay of the current detector (4-3), the high priority circuit (8), the overcurrent determination circuit (9), the cutoff circuit (7), the response delay of the base drive circuit (not shown), and the storage of the transistor. It is a response delay due to time etc. Therefore, the transistor
Use those that have been designed so as not to be damaged even if exposed to these currents and voltages during a short circuit for this response delay time.

さて時刻tになると,電流は遮断を開始する。この遮
断は前述したようにトランジスタ(2−2)が最も深い
能動領域に居るため,ストレージタイムは最も短く,3
つのトラジスタの中では最も速く遮断を開始する。従つ
て時刻tに遮断を開始するのはトランジスタ(2−
2)であり,トランジスタ(2−1),トランジスタ
(2−3)は,トランジスタ(2−2)が遮断されるた
めに外的にコレクタ電流i(2−1),i(2−3)を
減少しているのである。今,時刻tからtまでのフ
オールタイムがかかり,電流衰率di/dtでトラジスタ
(2−2)は電流を0に減少し遮断を完了するが,この
際に配線インダクタンスLによるスパイク電圧V が,トランジスタのコレクタエミツタ間電圧VCE(2−
2)に生じ,トランジスタ(2−2)をきびしいストレ
スにさらすことになる。これをトランジスタのR.B.
S.O.A.(Reverse Bias Safety Operation Area)
内におさめるためスナバ回路等で抑制したり,R.B.
S.O.A.の大きなトランジスタを選定したりしてい
る。以上述べてきたようにいずれにしても,単独点孤し
ているトランジスタが,短絡時に最もきびしいストレス
にさらされることが判る。
Now, at time t 3 , the current starts to cut off. This interruption has the shortest storage time because the transistor (2-2) is in the deepest active area as described above,
It starts the cutoff fastest among the two transistors. The transistor to start the interrupted slave connexion time t 3 (2-
2), the transistor (2-1) and the transistor (2-3) are externally collector currents i (2-1), i (2-3) because the transistor (2-2) is cut off. Is decreasing. Now, it takes a fall time from time t 3 to time t 4 , the transistor (2-2) reduces the current to 0 at the current decay rate di / dt and completes the interruption, but at this time, the spike due to the wiring inductance L occurs. Voltage V p However, the voltage between the collector and emitter of the transistor V CE (2-
2), the transistor (2-2) is exposed to severe stress. This is the R. B.
S. O. A. (Reverse Bias Safety Operation Area)
In order to keep it inside, suppress it with a snubber circuit, etc. B.
S. O. A. I am choosing a large transistor. As described above, in any case, it can be seen that a transistor that is isolated is exposed to the most severe stress when a short circuit occurs.

〔発明が解決しようとする問題点〕[Problems to be solved by the invention]

従来のインバータ装置の過電流保護回路は以上のように
構成されているので,出力が短絡状態となつたとき単独
点呼しているトランジスタが極めて厳しいストレスにさ
らされる。第10図の時刻t1からt3の状態におけるスト
レスは先に述べたように,電流検出器(4−3),大優
先回路(8),過電流判定回路(9),遮断回路(7)などの応
答遅れ,また図示しないベース駆動回路の応答遅れを短
く改善することで,短絡状態におけるトランジスタのス
トレスを小さくすることができる。一方,時刻t3からt4
のターンオフ時の単独点孤しているトランジスタが受け
るストレスは,前述したように配線インダクタンスの影
響であるため,ストレス減少には配線インダクタンスを
小さくするか,スナバ回路の強化により,スパイク電圧
を抑制するなどの方法が考えられる。しかしながら,い
ずれも,構造的な配慮が必要であつたり,スナバ回路が
大形化するなど機器の小形化を阻害しており,小形化が
必要な場合はR.B.S.O.A.の大きい高価なトラ
ンジスタを使用する必要があつた。
Since the conventional overcurrent protection circuit of the inverter device is configured as described above, when the output is short-circuited, the transistor that is individually called is exposed to extremely severe stress. As described above, the stress in the state from time t 1 to t 3 in FIG. 10 is the current detector (4-3), the high priority circuit (8), the overcurrent determination circuit (9), and the cutoff circuit (7 ), Etc., and the response delay of a base drive circuit (not shown) can be shortened to reduce the stress of the transistor in a short-circuited state. On the other hand, from time t 3 to t 4
As described above, the stress applied to the isolated transistor at the time of turn-off is due to the wiring inductance. Therefore, to reduce the stress, either reduce the wiring inductance or suppress the spike voltage by strengthening the snubber circuit. The method such as is possible. However, all of them impede the miniaturization of equipment, such as structural considerations and the snubber circuit becoming larger, and when miniaturization is required, the R.V. B. S. O. A. It was necessary to use a large and expensive transistor.

この発明は上記のような問題点を解消するためになされ
たもので,出力が短絡状態となり過電流保護回路の動作
によりトランジスタをターンオフさせる時の単独点孤し
ているトランジスタのストレスを著しく低減し,従来ト
ランジスタをこの際の破損から防ぐために必要であつ
た。機器の大形化を伴うスナバ回路の強化や,R.B.
S.O.A.の大きい高価なトランジスタの使用をする
ことなく,トランジスタを保護できるインバータ装置の
過電流保護回路を得ることを目的とする。
The present invention has been made in order to solve the above problems, and significantly reduces the stress of the isolated transistor when the output is short-circuited and the transistor is turned off by the operation of the overcurrent protection circuit. , It was necessary to prevent the conventional transistor from being damaged at this time. Strengthening the snubber circuit that accompanies the enlargement of equipment, B.
S. O. A. It is an object of the present invention to obtain an overcurrent protection circuit of an inverter device capable of protecting a transistor without using a large and expensive transistor.

〔問題点を解決するための手段〕[Means for solving problems]

この発明に係るインバータ装置の過電流保護回路は,電
気弁の開閉信号を受け3アームの上側電気弁の閉信号と
3アームの下側電気弁の閉信号の多数決をとる多数決回
路を設け,過電流保護動作時多数決回路の判定により多
数と判定された側の電気弁の閉信号をまず開信号とし、
ある時限後,少数と判定された側の電気弁の閉信号を開
とするようにしたものである。
The overcurrent protection circuit of the inverter device according to the present invention is provided with a majority circuit for receiving the opening / closing signal of the electric valve and making a majority decision of the closing signal of the upper electric valve of the three arms and the closing signal of the lower electric valve of the three arms. At the time of current protection operation, the closing signal of the electric valve on the side judged to be majority by the judgment of the majority circuit is first set to the open signal
After a certain time limit, the closing signal of the electric valve on the side judged to be a small number is opened.

〔作用〕[Action]

この発明における過電流保護回路は出力短絡時等電気弁
に過大なストレスが加わり,その第1のストレスから電
気弁を解放すべく電気弁を開とする際の第2のストレス
を最も厳しくうける電気弁を検出し,その電気弁に与え
るストレスを少なくするよう電気弁の開順序を制御し,
出力短絡時等に電気弁がうける過大ストレスにより電気
弁が破損するのを保護する。
The overcurrent protection circuit according to the present invention is an electrical valve that is subjected to the second stress when opening the electric valve to release the electric valve from the first stress due to excessive stress applied to the electric valve when the output is short-circuited. Detects the valve and controls the opening sequence of the electric valve to reduce the stress on the electric valve,
Protects the electric valve from damage due to excessive stress applied to it when the output is short-circuited.

〔発明の実施例〕Example of Invention

以下,この発明の一実施例を図について説明する。第1
図において,(1)は直流電源,(2−1)はトランジス
タ(2−4)と直列接続され中間点Uを負荷(5)へと接
続されるとともに両端を直流電源(1)に接続されたトラ
ンジスタ,(2−3)はトランジスタ(2−6)と直列
接続され中間点Vを負荷(5)へと接続されるとともに両
端を直流電源(1)に接続されたトランジスタ,(2−
5)はトランジスタ(2−2)と直列接続され中間点W
を負荷(5)へと接続されるとともに両端を直流電源(1)に
接続されたトランジスタ,(3−1)はトランジスタ
(2−1)の導通方向とその導通方向が逆となるよう逆
パラレルに接続されたダイオード,(3−2)はトラン
ジスタ(2−2)と逆パラレルに接続されたダイオー
ド,(3−3)はトランジスタ(2−3)と逆パラレル
に接続されたダイオード,(3−4)はトランジスタ
(2−4)と逆パラレルに接続されたダイオード,(3
−5)はトランジスタ(2−5)と逆パラレルに接続さ
れたダイオード,(3−6)はトランジスタ(2−6)
と逆パラレルに接続されたダイオード,(4−1)はト
ランジスタ(2−1)とトランジスタ(2−4)の中間
点Uと負荷(5)の間に挿入された電流検出器,(4−
2)はトランジスタ(2−3)とトランジスタ(2−
6)の中間点Vと負荷(5)の間に挿入された電流検出
器,(4−3)はトランジスタ(2−5)とトランジス
タ(2−2)の中間点Wと負荷(5)の間に挿入された電
流検出器,(8)は電流検出器(4−1),電流検出器
(4−2),電流検出器(4−3)の出力をそれぞれ入
力し,各出力値の絶対値をとり最も大きい出力値を出力
する大優先回路,(9)は大優先回路(9)の出力を入力と
し,過電流を判定する過電流判定回路,(10)はこの過電
流判定回路(9)からの判定出力に相当する遮断信号,(6)
は短絡防止回路(10)への入力となるベース信号発生器,
(12)は短絡防止回路(11)の出力と遮断信号(10)を入力と
する多数決回路,(13)は多数決回路の出力である多数決
結果信号,(7)は多数決回路の出力と遮断信号(10)を入
力とし,トランジスタ(2−1),トランジスタ(2−
2),トランジスタ(2−3),トランジスタ(2−
4),トラジスタ(2−5),トランジスタ(2−6)
へベースへの信号を出力とする遮断回路である。
An embodiment of the present invention will be described below with reference to the drawings. First
In the figure, (1) is a DC power supply, (2-1) is connected in series with a transistor (2-4), the midpoint U is connected to a load (5), and both ends are connected to a DC power supply (1). The transistor (2-3) is connected in series with the transistor (2-6), the intermediate point V is connected to the load (5), and both ends are connected to the DC power supply (1), (2-
5) is connected in series with the transistor (2-2) and is connected to the intermediate point W.
Is connected to the load (5) and both ends are connected to the DC power supply (1). The transistor (3-1) is antiparallel so that the conduction direction of the transistor (2-1) is opposite to that of the conduction direction of the transistor (2-1). Is connected to the transistor (2-2) in antiparallel to the transistor (2-2), (3-3) is connected to the transistor (2-3) in antiparallel to the diode, (3 -4) is a diode (3) connected in antiparallel to the transistor (2-4).
-5) is a diode connected in antiparallel to the transistor (2-5), (3-6) is a transistor (2-6)
And a diode (4-1) connected in antiparallel with the current detector (4-) connected between the load (5) and the intermediate point U between the transistor (2-1) and the transistor (2-4).
2) is a transistor (2-3) and a transistor (2-
The current detector inserted between the intermediate point V of 6) and the load (5), (4-3) is the intermediate point W of the transistor (2-5) and the transistor (2-2) and the load (5). The current detector inserted between (8) inputs the output of the current detector (4-1), the current detector (4-2), and the current detector (4-3), respectively, and A large-priority circuit that takes the absolute value and outputs the largest output value, (9) is an overcurrent judgment circuit that judges the overcurrent by using the output of the large-priority circuit (9) as input, and (10) is this overcurrent judgment circuit Cutoff signal corresponding to the judgment output from (9), (6)
Is a base signal generator that is an input to the short-circuit prevention circuit (10),
(12) is the output of the short circuit prevention circuit (11) and the majority decision circuit which receives the cutoff signal (10) as input, (13) is the majority decision result signal which is the output of the majority decision circuit, (7) is the output of the majority decision circuit and the interruption signal With (10) as input, transistor (2-1), transistor (2-
2), transistor (2-3), transistor (2-
4), transistor (2-5), transistor (2-6)
It is a cutoff circuit that outputs a signal to the base.

以下,第1図に示したものの動作について説明を行う。
まず通常の動作時,即ち遮断信号(10)が出力されていな
い時は多数決回路(12)及び遮断回路(7)は、短絡防止回
路(11)の出力をそのまま,トランジスタ(2−1),ト
ランジスタ(2−2),トランジスタ(2−3),トラ
ンジスタ(2−4),トランジスタ(2−5),トラン
ジスタ(2−6)のベース信号とする回路となつている
ので,従来例と全く動作は同一となり,ここでは,その
説明は省略する。
The operation of what is shown in FIG. 1 will be described below.
First, during normal operation, that is, when the cutoff signal (10) is not output, the majority circuit (12) and the cutoff circuit (7) output the short circuit prevention circuit (11) as it is, the transistor (2-1), Since the circuit is used as the base signal of the transistor (2-2), the transistor (2-3), the transistor (2-4), the transistor (2-5), and the transistor (2-6), it is completely different from the conventional example. The operation is the same, and the description thereof is omitted here.

次に過電流動作時の説明を行うが,電流検出器(4−
1),電流検出器(4−2),電流検出器(4−3),
大優先回路(8),過電流判定回路(9),遮断信号(10)の動
作も従来例と同一なので,ここではその説明を省略す
る。ここでは遮断信号(10)が出力された場合の多数決回
路(12),多数決結果信号(13),遮断回路(7)の動作につ
いて詳細に説明する。
Next, the overcurrent operation will be described. The current detector (4-
1), current detector (4-2), current detector (4-3),
The operations of the high-priority circuit (8), the overcurrent determination circuit (9), and the cutoff signal (10) are also the same as those in the conventional example, and therefore the description thereof is omitted here. Here, the operations of the majority decision circuit (12), the majority decision result signal (13), and the interruption circuit (7) when the interruption signal (10) is output will be described in detail.

多数決回路(12)では,上側アームのトランジスタ(2−
1),(2−3),(2−5)へのベース信号(オン信
号)と,下側アームのトランジスタ(2−2),(2−
4),(2−6)へのベース信号(オン信号)の多数決
をとる。従来例で説明に用いた表1を用い、モード1か
らモード6までの各々の多数決の結果であるところの多
数決結果信号(13)を表2に示す。ここで,トランジスタ
欄の1は,ベース信号(オン信号)が出力されている状
態,0は出力されていない状態、多数決結果信号(13)欄
の1は、上側アームのトラジスタが多数,0は下側アー
ムのトランジスが多数を示す。また多数決結果信号(13)
は遮断信号(10)によりラツチされる。
In the majority circuit (12), the upper arm transistor (2-
1), (2-3) and (2-5) base signals (ON signals), and lower arm transistors (2-2) and (2-).
4), a majority decision of the base signal (ON signal) to (2-6) is taken. Using Table 1 used in the description of the conventional example, Table 2 shows the majority decision result signal (13) which is the result of each majority decision from mode 1 to mode 6. Here, 1 in the transistor column is a state where the base signal (ON signal) is output, 0 is not output, 1 in the majority decision result signal (13) column is a large number of upper arm transistors, 0 is The lower arm transitions are numerous. Also the majority result signal (13)
Is latched by the shut-off signal (10).

ここで出力短絡等の発生により遮断信号(10)が出力され
ると遮断回路(7)は,この多数決結果信号(13)と遮断信
号(10)を受け以下に説明するシーケンスでトランジスタ
(2−1)〜(2−6)のベース信号を遮断する。多数
決結果信号(13)より1が出力された時は,まず上側アー
ムのトランジスタのベース信号 (オン信号)を1から0へ即ち遮断(オフ)とし,ある
時限(tx)後に下側アームのトラン ジスタのベース信
号(オン信号)を1から0へ即ち遮断(オフ)とする。
逆に多数決結果信号(13)より0が出力された時は,まず
下側アームのトランジスタのベース信号(オン信号)を
1から0へ即ち遮断(オフ)とし,ある時限(tx)後に
上側アームのトランジスタのベース信号(オン信号)を
1から0へ即ち遮断(オフ)とする。一例としてモード
(6)にて遮断信号(10)が出力された時の各トランジスタ
のベース信号の遮断のタイムチヤートを第2図に示す。
When the cutoff signal (10) is output due to the occurrence of an output short circuit or the like, the cutoff circuit (7) receives the majority decision result signal (13) and the cutoff signal (10), and in the sequence described below, the transistor (2- The base signals 1) to (2-6) are cut off. When 1 is output from the majority result signal (13), first, the base signal of the upper arm transistor is output. (ON signal) is changed from 1 to 0, that is, cut off (OFF), and after a certain time (tx), the base signal (ON signal) of the transistor of the lower arm is changed from 1 to 0, that is, cut off (OFF).
On the contrary, when 0 is output from the majority result signal (13), the base signal (ON signal) of the transistor in the lower arm is changed from 1 to 0, that is, cut off (OFF), and after a certain time (tx), the upper arm is turned off. The base signal (ON signal) of the transistor is changed from 1 to 0, that is, cut off (OFF). Mode as an example
FIG. 2 shows the time chart for shutting off the base signal of each transistor when the shutoff signal (10) is output at (6).

また第3図にモード6に於いて短絡発生時の各トランジ
スタに流れるコレクタ電流及びコレクタエミツタ間電圧
を示す。(モード6の短絡状態図は第9図を参照された
い)時刻tにおいて短絡状態が生ずると各々のトラン
ジスタのコレクタ電流は出力インピーダンスが低下する
ため急激に上昇する。時刻tになり電流i(2−2)
が過電流判定レベルLを超えるが,応答遅れのため時
刻tになり始めて遮断信号(10)が出力され,先に説明
した第2図の通りの遮断シーケンス遮断動作を行う。従
つて,まず,コレクタ電流が少なく,飽和領域に近いト
ランジスタ(2−1),トランジタ(2−3)を遮断す
る。しかしながら,従来例の第10図に比べ,小さな電
流をゆつくりしたスピードで切るので(飽和状態に近い
ため,単独点孤して能動領域にあるトランジスタを遮断
する従来例より遅いスピードで切るので)サージ電圧は
スナバ回路にもよるがほとんど発生せず,従来例の第2
のストレスに比べ極めてストレス(第2のストレス)は
小さくなる。
Further, FIG. 3 shows the collector current and collector-emitter voltage which flow through each transistor when a short circuit occurs in mode 6. (See FIG. 9 for the short-circuit state diagram of mode 6) When a short-circuit state occurs at time t 1 , the collector current of each transistor sharply rises because the output impedance decreases. At time t 2 , current i (2-2)
Exceeds the overcurrent determination level L S , but due to the response delay, the cutoff signal (10) starts to be output at time t 3 and the cutoff sequence cutoff operation shown in FIG. 2 described above is performed. Therefore, first, the transistor (2-1) and the transistor (2-3) having a small collector current and close to the saturation region are shut off. However, compared with FIG. 10 of the conventional example, a small current is cut at a slow speed (since it is close to a saturation state, it is cut at a slower speed than the conventional example in which a transistor in an active region is cut off by a single firing). Surge voltage hardly occurs though it depends on the snubber circuit.
The stress (second stress) is extremely smaller than that of.

ここで,この発明の第1の実施例に示した多数決回路(1
2)の1例を第11図に示し説明する。第11図は,前述
した表2の2値化論理を単純にAND回路,OR回路を
複数組合せて構成したもので,各トランジスタ(2−
1)〜(2−6)の制御信号が1(Hlevel)で各トラン
ジスタがONし,0(Llevel)で各トランジスタがOF
Fし,多数決結果信号(13)は,表2に示す通り上側アー
ムのトランジスタ(2−1),(2−3),(2−5)
が2個ON状態の時に1(H level)を,下側アームの
トランジスタ(2−2),(2−4),(2−6)が2
個ON状態の時に0(L level)となるものである。
Here, the majority decision circuit (1
An example of 2) will be described with reference to FIG. FIG. 11 shows a configuration in which a plurality of AND circuits and OR circuits are simply combined with the binary logic of Table 2 described above, and each transistor (2-
When the control signal of 1) to (2-6) is 1 (Hlevel), each transistor is turned on, and when it is 0 (Llevel), each transistor is OF.
As shown in Table 2, the majority decision result signal (13) shows that the upper arm transistors (2-1), (2-3), (2-5)
When the two are in the ON state, 1 (H level) is set, and the transistors (2-2), (2-4) and (2-6) in the lower arm are set to 2
It becomes 0 (L level) in the individual ON state.

又,第12図は、この発明の第1の実施例に示した遮断
回路(7)の1例を示すもので,第2図に示した2値化論
理タイマチヤートが得られるよう,単純にAND回路,
NOR回路,時限(所定時間)tを生成する抵抗R
とコンデンサCからなる時限回路,並びに時限回路の
出力を波形整形するバツフアBとを複数組合せて構成し
たものである。
Further, FIG. 12 shows an example of the breaking circuit (7) shown in the first embodiment of the present invention. Simply, in order to obtain the binary logic timer chart shown in FIG. AND circuit,
NOR circuit, resistor R 0 for generating a time limit (predetermined time) t x
A timing circuit comprising a capacitor C 0, and is constructed by combining a plurality of the buffer B for shaping the waveform of the output of the timing circuit.

又,第13図は,この発明の第1の実施例の多決回路(1
2)と遮断回路(7)とをまとめて構成した1回路例を示す
もので,これらの回路(12)(7)はいずれにしても当業者
であれば容易に構成できるので,これらの回路構成は何
ら限定されるものではない。
Further, FIG. 13 shows a multi-decision circuit (1) of the first embodiment of the present invention.
2 shows an example of a circuit in which the circuit 2) and the cutoff circuit 7 are collectively configured. These circuits 12 and 7 can be easily configured by those skilled in the art in any case. The configuration is not limited at all.

なお,上記実施例では電気弁にトランジスタを用いた
が,FET等他の電気弁であつても同様の効果を奏する
ことは言うまでもない。
Although a transistor is used as the electric valve in the above-mentioned embodiment, it is needless to say that the same effect can be obtained even if the electric valve is another electric valve.

また,上記実施例ではインバータの電気弁の制御信号
(ベース信号)としていわゆる180度通電形(6ステ
ツプ)を例にあげたが,正弦波PWM等他の電気弁の制
御信号方式であつても,本発明の趣旨にそつた過電流保
護回路を構成し,同様の効果を奏することができる。
Further, in the above embodiment, the so-called 180-degree conduction type (6 steps) is taken as an example of the control signal (base signal) of the electric valve of the inverter, but other electric valve control signal systems such as sine wave PWM may be used. By configuring an overcurrent protection circuit according to the gist of the present invention, the same effect can be obtained.

また上記実施例では遮断信号発生とともにベース信号発
生器(6)の出力にラツチをかけていないため,まれには
遮断動作時にベース信号が,切替わり不都合が発生する
可能性もある。これを回避するには,ベース信号発生器
(6)あるいは短絡防止回路(11)に遮断信号(10)が第1図
の破線で示すように与えるとともに,この信号(10)によ
りラッチをかけベース信号の出力状態を固定するように
するとよい。
Further, in the above-described embodiment, since the output of the base signal generator (6) is not latched at the same time as the generation of the cutoff signal, the base signal may be switched during the cutoff operation, which may cause an inconvenience. To avoid this, the base signal generator
(6) Alternatively, the cutoff signal (10) should be given to the short circuit prevention circuit (11) as shown by the broken line in Fig. 1, and the output state of the base signal should be fixed by latching with this signal (10). .

〔発明の効果〕〔The invention's effect〕

以上のようにこの発明によれば,過電流保護動作時多数
決回路の判定により多数と判定された側の電気弁の閉信
号をまず開信号とし,ある時限後少数と判定された側の
電気弁の閉信号を開とするよう構成したので,過電流保
護回路の動作により電気弁をターンオフさせる時の単独
点孤している電気弁のストレスを著しく軽減し,スナバ
を小形化することができ,機器の小形化や価格を低廉に
することができる。また電気弁の有するターンオフ時の
耐量も小さくすることができ,価格低廉にすることがで
きる。
As described above, according to the present invention, the closing signal of the electric valve on the side judged to be majority by the judgment of the majority circuit during the overcurrent protection operation is first made the open signal, and the electric valve on the side judged to be the minority after a certain time limit. Since it is configured to open the closed signal of, the stress of the isolated electric valve when turning off the electric valve by the operation of the overcurrent protection circuit is remarkably reduced, and the snubber can be downsized, It is possible to reduce the size and cost of equipment. In addition, the withstand capability of the electric valve at turn-off can be reduced, and the price can be reduced.

【図面の簡単な説明】[Brief description of drawings]

第1図はこの発明の一実施例によるインバータ装置及び
その過電流保護回路,第2図は第1図の回路の遮断時の
タイムチヤート,第3図は第1図の回路を用いた場合の
出力短絡発生時の各トランジスタに流れるコレクタ電流
及びコレクタエミツタ電圧を示す図,第4図は従来のイ
ンバータ装置及びその過電流保護回路,第5図はベース
信号発生器(6)の出力である各トランジスタへの制御信
号を示す図、第6図は短絡防止回路の一回路分の回路
図,第7図は短絡防止回路の出力である各トランジスタ
のベース信号を示す図,第8図は大優先回路(8)の動作
説明図,第9図はモード6に於ける出力短絡を示す図,
第10図はモードSに於ける出力短絡時の各トランジス
タのコレクタ電流及びコレクタエミツタ間電圧を示す
図,第11図は多数決回路(12)の1例を示す回路図,第
12図は遮断回路(7)の1例を示す回路図,第13図は
多数決回路(12)と遮断回路(7)とをまとめて構成した1
例を示す回路図である。 尚,第1図〜第3図及び第11図〜第13図は,本発明
に関する図面,第4図〜第10図は一部本発明と関連部
もあるが,原則として従来例に関する図面である。 図において,(1)は直流電源,(2−1)はトランジス
タ,(2−2)はトランジスタ,(2−3)はトランジ
スタ,(2−4)はトランジスタ,(2−5)はトラン
ジスタ,(2−6)はトランジスタ,(4−1)は電流
検出器,(4−2)は電流検出器,(4−3)は電流検
出器,(6)はベース信号発生器,(7)は遮断回路,(9)は
過電流判定回路,(12)は多数決回路である。 尚,図中,同一符号は同一,又は相当部分を示す。
1 is an inverter device according to an embodiment of the present invention and its overcurrent protection circuit, FIG. 2 is a time chart when the circuit of FIG. 1 is cut off, and FIG. 3 is a case of using the circuit of FIG. The figure which shows the collector current and collector emitter voltage which flow into each transistor when the output short circuit occurs, FIG. 4 is the conventional inverter device and its overcurrent protection circuit, and FIG. 5 is the output of the base signal generator (6). FIG. 6 shows a control signal to each transistor, FIG. 6 is a circuit diagram of one circuit of a short circuit prevention circuit, FIG. 7 is a diagram showing a base signal of each transistor which is an output of the short circuit prevention circuit, and FIG. Operation explanatory diagram of the priority circuit (8), Fig. 9 is a diagram showing output short circuit in mode 6,
FIG. 10 is a diagram showing the collector current and collector-emitter voltage of each transistor when the output is short-circuited in mode S, FIG. 11 is a circuit diagram showing an example of the majority circuit (12), and FIG. 12 is a cutoff circuit. A circuit diagram showing an example of the circuit (7), FIG. 13 is a circuit diagram in which a majority circuit (12) and a cutoff circuit (7) are integrated.
It is a circuit diagram which shows an example. 1 to 3 and 11 to 13 are drawings relating to the present invention, and FIGS. 4 to 10 are partially related to the present invention, but in principle, they are drawings relating to a conventional example. is there. In the figure, (1) is a DC power supply, (2-1) is a transistor, (2-2) is a transistor, (2-3) is a transistor, (2-4) is a transistor, (2-5) is a transistor, (2-6) is a transistor, (4-1) is a current detector, (4-2) is a current detector, (4-3) is a current detector, (6) is a base signal generator, and (7). Is a cutoff circuit, (9) is an overcurrent determination circuit, and (12) is a majority decision circuit. In the drawings, the same reference numerals indicate the same or corresponding parts.

Claims (4)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項1】上下に直列接続され両端を直流電源に接続
され中間の接続点を負荷に接続された電気弁のアームを
3アーム有し,制御回路よりの電気弁の開閉信号に応動
し電気弁を順次開閉することにより負荷に三相交流電力
を供給するインバータ装置に於いて,電気弁に流れる電
流を直接あるいは間接的に監視する電流検出器と,電流
検出器の出力に応動し,一定電流以上の電流が流れたと
きに過電流信号を出力する過電流検出回路,電気弁の開
閉信号を受け3アームの上側電気弁の閉信号と3アーム
の下側電気弁の閉信号の多数決をとる多数決回路を有
し,過電流信号発生時多数決回路の判定により多数と判
定された側の電気弁の閉信号をまず開信号とし,ある時
限後,少数と判定された側の電気弁の閉信号を開とする
ことを特徴とするインバータ装置の過電流保護回路。
1. An electric valve arm having three arms vertically connected in series and having both ends connected to a DC power source and an intermediate connection point connected to a load, which is operated in response to an electric valve opening / closing signal from a control circuit. In an inverter device that supplies three-phase AC power to a load by sequentially opening and closing the valves, a current detector that directly or indirectly monitors the current flowing through the electric valve and a constant current that responds to the output of the current detector An overcurrent detection circuit that outputs an overcurrent signal when a current more than the current flows, a majority signal of the closing signal of the upper arm electric valve of 3 arms and the closing signal of the lower arm 3 arm in response to the opening and closing signals of the electric valve. Has a majority circuit, and the closing signal of the electric valve on the side judged to be majority by the judgment of the majority circuit when an overcurrent signal is generated is first set to an open signal, and after a certain period of time, the electric valve on the side judged to be minor is closed. A feature characterized by opening the signal Overcurrent protection circuit of the inverter device.
【請求項2】多数決回路は,3アームの上側電気弁の開
信号と3アームの下側電気弁の開信号の多数決をとる回
路とし,過電流発生時多数決回路の判定により少数と判
定された側の電気弁の閉信号をまず開信号とし,ある時
限後,多数と判定された側の電気弁の閉信号を開とする
ことを特徴とする特許請求の範囲第1項記載のインバー
タ装置の過電流保護回路。
2. A majority decision circuit is a circuit for taking a majority decision of an open signal of an upper electric valve of three arms and an open signal of a lower electric valve of three arms, and it is judged as a small number by the judgment of the majority circuit when an overcurrent occurs. 3. The inverter device according to claim 1, wherein the closing signal of the electric valve on the side is first set to an opening signal, and after a certain time period, the closing signal of the electric valve on the side determined to be a large number is opened. Overcurrent protection circuit.
【請求項3】多数決回路は,過電流信号発生によりラツ
チされることを特徴とする特許請求の範囲第1項,第2
項いずれかに記載のインバータ装置の過電流保護回路。
3. The majority decision circuit is latched by the generation of an overcurrent signal.
An overcurrent protection circuit for an inverter device according to any one of the items.
【請求項4】制御回路よりの電気弁開閉信号は過電流信
号発生によりラツチされることを特徴とする特許請求の
範囲第1項,第2項,第3項いずれかに記載のインバー
タ装置の過電流保護回路。
4. An inverter device according to claim 1, wherein the electric valve opening / closing signal from the control circuit is latched by the generation of an overcurrent signal. Overcurrent protection circuit.
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