JPH06334075A - 回路モジュール冷却用放熱スペーサー - Google Patents
回路モジュール冷却用放熱スペーサーInfo
- Publication number
- JPH06334075A JPH06334075A JP13991693A JP13991693A JPH06334075A JP H06334075 A JPH06334075 A JP H06334075A JP 13991693 A JP13991693 A JP 13991693A JP 13991693 A JP13991693 A JP 13991693A JP H06334075 A JPH06334075 A JP H06334075A
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- JP
- Japan
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- boron nitride
- powder
- silver powder
- heat dissipation
- platinum
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- Compositions Of Macromolecular Compounds (AREA)
- Cooling Or The Like Of Semiconductors Or Solid State Devices (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】 回路モジュールの冷却促進用に使用する放熱
スペーサーについて、熱膨張・収縮を吸収するに必要な
可撓性と、高い熱伝導率及び難燃性とを付与する。 【構成】 銀粉末、窒化ホウ素粉末及び白金系難燃化剤
が添加され、かつ金属網が介在されたシリコンゴムシー
トで放熱スペーサーを構成する。 【効果】 窒化ホウ素の存在により、銀粉末が入ってい
ても白金系難燃化剤の機能が損なわれず、良好な難燃性
が得られると共に、銀粉末と金属網による高い熱伝導率
が得られる。また、金属網によって、可撓性を維持した
状態で必要な強度が得られる。
スペーサーについて、熱膨張・収縮を吸収するに必要な
可撓性と、高い熱伝導率及び難燃性とを付与する。 【構成】 銀粉末、窒化ホウ素粉末及び白金系難燃化剤
が添加され、かつ金属網が介在されたシリコンゴムシー
トで放熱スペーサーを構成する。 【効果】 窒化ホウ素の存在により、銀粉末が入ってい
ても白金系難燃化剤の機能が損なわれず、良好な難燃性
が得られると共に、銀粉末と金属網による高い熱伝導率
が得られる。また、金属網によって、可撓性を維持した
状態で必要な強度が得られる。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、コンピューターの演算
回路を構成する回路モジュールの冷却促進用に使用する
放熱スペーサーに関する。更に詳しくは、カード冷却モ
ジュールや熱伝導モジュール（ＴＣＭ：Ｔｈｅｒｍａｌ
Ｃｏｎｄｕｃｔｉｖｅ Ｍｏｄｕｌｅ）において、半
導体チップで発生した熱を冷却部材に効率よく伝達する
ために、半導体チップと冷却部材間のインターフェース
として使用する放熱スペーサーに関する。
回路を構成する回路モジュールの冷却促進用に使用する
放熱スペーサーに関する。更に詳しくは、カード冷却モ
ジュールや熱伝導モジュール（ＴＣＭ：Ｔｈｅｒｍａｌ
Ｃｏｎｄｕｃｔｉｖｅ Ｍｏｄｕｌｅ）において、半
導体チップで発生した熱を冷却部材に効率よく伝達する
ために、半導体チップと冷却部材間のインターフェース
として使用する放熱スペーサーに関する。
【０００２】
【従来の技術】従来、熱伝導モジュールにおいては、発
熱・冷却に伴う熱膨張・収縮を吸収しつつ、半導体チッ
プで発生した熱を冷却部材に伝達できるよう、高精度に
加工したピストン状部材をスプリングによって半導体チ
ップに圧接し、このピストン状部材からそのベースを介
して熱を冷却部材に伝えている。従って、構造が複雑で
熱伝導抵抗も大きい。
熱・冷却に伴う熱膨張・収縮を吸収しつつ、半導体チッ
プで発生した熱を冷却部材に伝達できるよう、高精度に
加工したピストン状部材をスプリングによって半導体チ
ップに圧接し、このピストン状部材からそのベースを介
して熱を冷却部材に伝えている。従って、構造が複雑で
熱伝導抵抗も大きい。
【０００３】一方、近年では大型コンピューターの演算
速度を高めるために、その回路は高集積化している。従
って、半導体チップの発熱量も増加しており、これに伴
って冷却効率を高めるために、熱伝導構造を簡略化する
と共に半導体チップと冷却部材間の熱伝導抵抗を最小限
に抑える必要性が高まっている。
速度を高めるために、その回路は高集積化している。従
って、半導体チップの発熱量も増加しており、これに伴
って冷却効率を高めるために、熱伝導構造を簡略化する
と共に半導体チップと冷却部材間の熱伝導抵抗を最小限
に抑える必要性が高まっている。
【０００４】熱伝導構造を簡略化し熱伝導抵抗を最小限
にするには、上記ピストン状部材に代えて、発熱・冷却
に伴う熱膨張・収縮を吸収できる可撓性を有し、しかも
熱伝導率が高く難燃性の材料で構成した単純な放熱スペ
ーサーを介在させることが考えられる。
にするには、上記ピストン状部材に代えて、発熱・冷却
に伴う熱膨張・収縮を吸収できる可撓性を有し、しかも
熱伝導率が高く難燃性の材料で構成した単純な放熱スペ
ーサーを介在させることが考えられる。
【０００５】熱伝導性及び難燃性を有する組成物として
は、エポキシ樹脂にダイアモンドや銀粉末を充填した組
成物が知られている（特開平２−２０２９７５号）。ま
た、白金系難燃化剤を加えたシリコーンゴムに銀粉末を
高充填することで、可撓性、熱伝導性及び難燃性を得る
ことも考えられる。
は、エポキシ樹脂にダイアモンドや銀粉末を充填した組
成物が知られている（特開平２−２０２９７５号）。ま
た、白金系難燃化剤を加えたシリコーンゴムに銀粉末を
高充填することで、可撓性、熱伝導性及び難燃性を得る
ことも考えられる。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、エポキ
シ樹脂にダイアモンドや銀粉末を充填したものでは、可
撓性が乏しいばかりか、実装時の熱伝導率が５Ｗ／ｍ・
Ｋ未満であって不十分であり、しかも高温下における難
燃性も不十分である。また、白金系難燃化剤を加えたシ
リコーンゴムに銀粉末を充填すると、難燃性付与のため
に添加されている白金系難燃化剤の機能が阻害され、高
温下における十分な難燃性が得られなくなる。
シ樹脂にダイアモンドや銀粉末を充填したものでは、可
撓性が乏しいばかりか、実装時の熱伝導率が５Ｗ／ｍ・
Ｋ未満であって不十分であり、しかも高温下における難
燃性も不十分である。また、白金系難燃化剤を加えたシ
リコーンゴムに銀粉末を充填すると、難燃性付与のため
に添加されている白金系難燃化剤の機能が阻害され、高
温下における十分な難燃性が得られなくなる。
【０００７】本発明は、このような問題点に鑑みてなさ
れたもので、回路モジュールの冷却促進用に使用する放
熱スペーサーについて、熱膨張・収縮を吸収するに必要
な可撓性と、高い熱伝導率及び難燃性とを付与すること
を目的とする。
れたもので、回路モジュールの冷却促進用に使用する放
熱スペーサーについて、熱膨張・収縮を吸収するに必要
な可撓性と、高い熱伝導率及び難燃性とを付与すること
を目的とする。
【０００８】
【課題を解決するための手段及び作用】このために本発
明では、銀粉末、窒化ホウ素粉末及び白金系難燃化剤が
分散され、金属網が介在されたシリコーンゴムシートで
構成され、シリコーンゴム１００体積部に対し、銀粉末
と窒化ホウ素粉末の合計量が６５〜２００体積部で、窒
化ホウ素粉末が７〜６０体積部である放熱スペーサーと
しているものである。
明では、銀粉末、窒化ホウ素粉末及び白金系難燃化剤が
分散され、金属網が介在されたシリコーンゴムシートで
構成され、シリコーンゴム１００体積部に対し、銀粉末
と窒化ホウ素粉末の合計量が６５〜２００体積部で、窒
化ホウ素粉末が７〜６０体積部である放熱スペーサーと
しているものである。
【０００９】シリコーンゴム、銀粉末及び窒化ホウ素粉
末の配合割合は、シリコーンゴム１００体積部に対し
て、銀粉末と窒化ホウ素粉末の合計が６５〜２００体積
部であることが必要であり、好ましくは８０〜１４０体
積部である。また、この中において、窒化ホウ素粉末は
７〜６０体積部であることが必要であり、好ましくは１
０〜３０体積部である。
末の配合割合は、シリコーンゴム１００体積部に対し
て、銀粉末と窒化ホウ素粉末の合計が６５〜２００体積
部であることが必要であり、好ましくは８０〜１４０体
積部である。また、この中において、窒化ホウ素粉末は
７〜６０体積部であることが必要であり、好ましくは１
０〜３０体積部である。
【００１０】銀粉末及び窒化ホウ素粉末の合計量が６５
体積部未満では熱伝導率が低く、半導体チップで発生し
た熱を冷却部材に十分伝達することができなくなる。ま
た、銀粉末及び窒化ホウ素の合計量が２００体積部を越
えると、得られる放熱スペーサーの強度が低下すると共
に可撓性が乏しくなり、取り扱い時に損傷しやすくなっ
て実用性が失われたり、熱膨張・収縮を吸収できなくな
る。更に、窒化ホウ素が７体積部未満では銀粉末の添加
による白金系難燃化剤の機能阻害を十分防止できなくな
って高い難燃性が得られず、逆に窒化ホウ素が６０体積
部を越えると銀粉末の添加量が少なくなって高い熱伝導
率が得られなくなる。
体積部未満では熱伝導率が低く、半導体チップで発生し
た熱を冷却部材に十分伝達することができなくなる。ま
た、銀粉末及び窒化ホウ素の合計量が２００体積部を越
えると、得られる放熱スペーサーの強度が低下すると共
に可撓性が乏しくなり、取り扱い時に損傷しやすくなっ
て実用性が失われたり、熱膨張・収縮を吸収できなくな
る。更に、窒化ホウ素が７体積部未満では銀粉末の添加
による白金系難燃化剤の機能阻害を十分防止できなくな
って高い難燃性が得られず、逆に窒化ホウ素が６０体積
部を越えると銀粉末の添加量が少なくなって高い熱伝導
率が得られなくなる。
【００１１】本発明で使用する銀粉末としては、樹枝状
粉と箔片状粉のいずれか一方又は両者併用であることが
好ましい。樹枝状粉としては、−１００メッシュ以下の
粒度のものが好ましく、箔片状粉としては、粒子厚さが
１μｍ以下でしかも−１５０メッシュ以下の粒度のもの
が９０容積％以上であることが好ましい。
粉と箔片状粉のいずれか一方又は両者併用であることが
好ましい。樹枝状粉としては、−１００メッシュ以下の
粒度のものが好ましく、箔片状粉としては、粒子厚さが
１μｍ以下でしかも−１５０メッシュ以下の粒度のもの
が９０容積％以上であることが好ましい。
【００１２】−１００メッシュを越える大きな粒度の樹
枝状粉を用いたり、粒子厚さが１μｍを越えるものや−
１５０メッシュを越える粒度のものが１０％を越えて含
まれる箔片状粉を用いると、シリコーンゴムに充填した
際の銀粉末同志の接触面積が小さくなり、高い熱伝導率
が得にくくなる。
枝状粉を用いたり、粒子厚さが１μｍを越えるものや−
１５０メッシュを越える粒度のものが１０％を越えて含
まれる箔片状粉を用いると、シリコーンゴムに充填した
際の銀粉末同志の接触面積が小さくなり、高い熱伝導率
が得にくくなる。
【００１３】本発明で用いる窒化ホウ素粉末としては、
黒鉛化指数が１０以下であるか、又は結晶子の大きさが
１５０Å以上のものが好ましい。
黒鉛化指数が１０以下であるか、又は結晶子の大きさが
１５０Å以上のものが好ましい。
【００１４】黒鉛化指数が１０未満又は結晶子の大きさ
が１５０Å未満の窒化ホウ素を用いると、窒化ホウ素の
結晶化が未発達のために必要な高熱伝導率が得にくくな
る。
が１５０Å未満の窒化ホウ素を用いると、窒化ホウ素の
結晶化が未発達のために必要な高熱伝導率が得にくくな
る。
【００１５】本発明に係る放熱スペーサーは、上記銀粉
末と窒化ホウ素粉末が分散され、しかも金属網が介在さ
れたシリコーンゴムシートで構成されているものであ
る。即ち、金属網を間に挟んで、上下が銀粉末と窒化ホ
ウ素粉末が分散されたシリコーンゴムで構成されたサン
ドイッチ構造を有するものである。
末と窒化ホウ素粉末が分散され、しかも金属網が介在さ
れたシリコーンゴムシートで構成されているものであ
る。即ち、金属網を間に挟んで、上下が銀粉末と窒化ホ
ウ素粉末が分散されたシリコーンゴムで構成されたサン
ドイッチ構造を有するものである。
【００１６】金属網は、熱伝導率を下げることなく、取
り扱い時及び一定の圧力下での実装時における破れ等の
損傷を生じない程度の強度をもたらす補強材として作用
するもので、材質としては、例えばステンレス、ニッケ
ル、アルミニウム、金、銀等が使用される。
り扱い時及び一定の圧力下での実装時における破れ等の
損傷を生じない程度の強度をもたらす補強材として作用
するもので、材質としては、例えばステンレス、ニッケ
ル、アルミニウム、金、銀等が使用される。
【００１７】金属網は、厚さが１００μｍ以下で、空隙
率が４０％以上のものが好ましい。
率が４０％以上のものが好ましい。
【００１８】金属網の厚さが１００μｍを越えると、こ
の金属網を介在させたシリコーンゴムシートを裁断又は
打ち抜いて本発明に係る放熱スペーサーを得る際に変形
を生じやすく、この変形を生じた場合、半導体チップ及
び冷却部材との密着性が悪くなる。同時に、得られる放
熱スペーサーの可撓性も乏しくなるので、発熱・冷却に
伴う膨張・収縮を吸収しにくくなりやすい。膨張・収縮
を十分に吸収できないと、半導体チップで発生した熱を
冷却部材に十分伝達できなくなる。
の金属網を介在させたシリコーンゴムシートを裁断又は
打ち抜いて本発明に係る放熱スペーサーを得る際に変形
を生じやすく、この変形を生じた場合、半導体チップ及
び冷却部材との密着性が悪くなる。同時に、得られる放
熱スペーサーの可撓性も乏しくなるので、発熱・冷却に
伴う膨張・収縮を吸収しにくくなりやすい。膨張・収縮
を十分に吸収できないと、半導体チップで発生した熱を
冷却部材に十分伝達できなくなる。
【００１９】金属網の空隙率が４０％未満では、金属膜
の上下に位置する、銀粉末及び窒化ホウ素粉末が分散さ
れたシリコーンゴム同志の接触面積が小さくなって、熱
伝導率が低下しやすい。
の上下に位置する、銀粉末及び窒化ホウ素粉末が分散さ
れたシリコーンゴム同志の接触面積が小さくなって、熱
伝導率が低下しやすい。
【００２０】銀粉末及び窒化ホウ素粉末と共にシリコー
ンゴムに添加分散される白金系難燃化剤は、難燃性をも
たらすもので、例えば塩化白金酸塩を用いることができ
る。この白金系難燃化剤のシリコーンゴムへの添加量
は、その種類によっても相違するが、０．５〜２重量％
であることが好ましい。
ンゴムに添加分散される白金系難燃化剤は、難燃性をも
たらすもので、例えば塩化白金酸塩を用いることができ
る。この白金系難燃化剤のシリコーンゴムへの添加量
は、その種類によっても相違するが、０．５〜２重量％
であることが好ましい。
【００２１】白金系難燃化剤によるシリコーンゴムの難
燃化機構については完全に解明されていないが、銀粉末
を分散させたシリコーンゴムに白金系難燃化剤を添加し
ても、白金系難燃化剤の機能が損なわれ、難燃性を付与
できない。
燃化機構については完全に解明されていないが、銀粉末
を分散させたシリコーンゴムに白金系難燃化剤を添加し
ても、白金系難燃化剤の機能が損なわれ、難燃性を付与
できない。
【００２２】本発明では、銀粉末と窒化ホウ素粉末を併
用することで、銀粉末と共に白金系難燃化剤を添加した
場合に、白金系難燃化剤の難燃化機能が阻害されるのを
防止しているものである。即ち、本発明における窒化ホ
ウ素の併用は、白金系難燃化剤の難燃化機能が銀粉末に
よって阻害されるのを防止する作用をなすものである。
用することで、銀粉末と共に白金系難燃化剤を添加した
場合に、白金系難燃化剤の難燃化機能が阻害されるのを
防止しているものである。即ち、本発明における窒化ホ
ウ素の併用は、白金系難燃化剤の難燃化機能が銀粉末に
よって阻害されるのを防止する作用をなすものである。
【００２３】本発明に係る放熱スペーサーの製造は、次
のようにすることによって行うことができる。
のようにすることによって行うことができる。
【００２４】まず、シリコーンゴム、銀粉末、窒化ホウ
素粉末、白金系難燃化剤及び有機過酸化物等の加硫剤を
混合した後、この混合物を例えばドクターブレード法等
でシート化し、金網を挟んだ積層体とする。
素粉末、白金系難燃化剤及び有機過酸化物等の加硫剤を
混合した後、この混合物を例えばドクターブレード法等
でシート化し、金網を挟んだ積層体とする。
【００２５】次いで、この積層体を、温度１４０〜１７
０℃、圧力５０〜１００ｋｇ／ｃｍ2 で１０〜５０分間
加熱・加圧プレスし、一体化する。
０℃、圧力５０〜１００ｋｇ／ｃｍ2 で１０〜５０分間
加熱・加圧プレスし、一体化する。
【００２６】これによって、シリコーンゴムをマトリッ
クスとした一体のシート得られるので、これを切断又は
トムソン刃による打ち抜き加工で実装部品形状に加工す
ることで、本発明に係る放熱スペーサーを得ることがで
きる。
クスとした一体のシート得られるので、これを切断又は
トムソン刃による打ち抜き加工で実装部品形状に加工す
ることで、本発明に係る放熱スペーサーを得ることがで
きる。
【００２７】尚、加熱・加圧プレスで得られる一体のシ
ートの厚さ、即ち本発明に係る放熱スペーサーの厚さは
０．２〜０．４ｍｍが好ましい。
ートの厚さ、即ち本発明に係る放熱スペーサーの厚さは
０．２〜０．４ｍｍが好ましい。
【００２８】図１は、上記のようにして得られた本発明
に係る放熱スペーサーの使用状態を示すもので、基板１
上に設けられた半導体チップ２と冷却部材３の間に本放
熱スペーサー４が挟み込まれていおり、熱伝導構造が格
段に簡略化されている。
に係る放熱スペーサーの使用状態を示すもので、基板１
上に設けられた半導体チップ２と冷却部材３の間に本放
熱スペーサー４が挟み込まれていおり、熱伝導構造が格
段に簡略化されている。
【００２９】
【実施例】まず、実施例及び比較例で行った評価の方法
について説明する。
について説明する。
【００３０】（１）熱伝導率 伝熱面積６ｃｍ2 のヒーターの直下に試料を敷き、更に
その下にアルミニウム製の放熱フィンを配置して、試料
の上下の温度を測定するための熱電対を配置した。
その下にアルミニウム製の放熱フィンを配置して、試料
の上下の温度を測定するための熱電対を配置した。
【００３１】ヒーターにより、１５Ｗの電力を試料側に
向かって流し、試料の上下の温度が上昇しなくなった時
点（定常状態に達した時点）で試料の上下の温度を測定
し、下式によって熱伝導率を算出した。
向かって流し、試料の上下の温度が上昇しなくなった時
点（定常状態に達した時点）で試料の上下の温度を測定
し、下式によって熱伝導率を算出した。
【００３２】 λ＝Ｗ・ｔ／｛Ｓ・（Ｔ1 −Ｔ2 ）｝ λ（Ｗ／ｍ・Ｋ）：熱伝導率 ｔ（ｍ）：試料の厚さ Ｓ（ｍ2 ）：伝熱面積 Ｔ1 （℃）：試料上部（ヒーター側）温度 Ｔ2 （℃）：試料下部（放熱フィン側）温度 Ｗ（Ｗ）：伝熱量
【００３３】（２）難燃性 ＵＬ−９４に規定の燃焼試験に従って評価した。
【００３４】（３）強度 丸棒を挟んで試料を１８０度屈曲させることを、半径Ｒ
＝１５ｍｍの丸棒から徐々に丸棒の半径Ｒを小さくしな
がら行い、試料の屈曲部でのクラックの発生を目視で観
察し、クラックが観察された丸棒の最大半径Ｒで評価し
た。
＝１５ｍｍの丸棒から徐々に丸棒の半径Ｒを小さくしな
がら行い、試料の屈曲部でのクラックの発生を目視で観
察し、クラックが観察された丸棒の最大半径Ｒで評価し
た。
【００３５】即ち、この値が小さいほど強度が高く、熱
膨張・収縮を吸収する可撓性に優れる。
膨張・収縮を吸収する可撓性に優れる。
【００３６】実施例１〜１０及び比較例１〜５ 市販のシリコーンゴム（東芝シリコーン社製「ＳＲＨ−
３２」）と、以下に示す市販の銀粉末、窒化ホウ素粉末
を表１及び表２に示す割合で混合し、更に加硫剤として
０．８重量％の２，５ジメチル２，５（ターシャリブチ
ルパーオキシ）ヘキサン及び１重量％の市販の白金系難
燃化剤（東芝シリコーン社製「ＳＦＧ−３２」）を添加
混合した後、ドクターブレード法でシート成形を行っ
た。
３２」）と、以下に示す市販の銀粉末、窒化ホウ素粉末
を表１及び表２に示す割合で混合し、更に加硫剤として
０．８重量％の２，５ジメチル２，５（ターシャリブチ
ルパーオキシ）ヘキサン及び１重量％の市販の白金系難
燃化剤（東芝シリコーン社製「ＳＦＧ−３２」）を添加
混合した後、ドクターブレード法でシート成形を行っ
た。
【００３７】得られたシートの間に以下に示す金属網も
しくはガラスクロスを補強材として挟んで積層し、温度
１６５℃、圧力１００ｋｇ／ｃｍ2 で３０分間加熱・加
圧し、厚さ０．３ｍｍの試料を作製した。尚、比較例４
においては、補強材を使用せずに試料を作製した。
しくはガラスクロスを補強材として挟んで積層し、温度
１６５℃、圧力１００ｋｇ／ｃｍ2 で３０分間加熱・加
圧し、厚さ０．３ｍｍの試料を作製した。尚、比較例４
においては、補強材を使用せずに試料を作製した。
【００３８】得られた各試料についての熱伝導率、難燃
性及び強度を測定した結果を表１及び表２に示す。
性及び強度を測定した結果を表１及び表２に示す。
【００３９】（１）銀粉末 イ）樹枝状粉 −３５０メッシュ：福田金属箔粉工業社製電解銀粉「Ａ
ｇ−Ｅ−３５０］ −１００メッシュ：福田金属箔粉工業社製電解銀粉「Ａ
ｇ−Ｅ−１００］ −５０メッシュ ：福田金属箔粉工業社製電解銀粉「Ａ
ｇ−Ｅ−５０］ ロ）箔片状粉 福田金属箔粉工業社製高性能導電性銀粉「ＰＵＦＦ−Ｓ
ＩＬＶＥＲ−Ｘ８００」（粒子厚さ０．４μｍ、−１５
０メッシュ≧９０体積％）
ｇ−Ｅ−３５０］ −１００メッシュ：福田金属箔粉工業社製電解銀粉「Ａ
ｇ−Ｅ−１００］ −５０メッシュ ：福田金属箔粉工業社製電解銀粉「Ａ
ｇ−Ｅ−５０］ ロ）箔片状粉 福田金属箔粉工業社製高性能導電性銀粉「ＰＵＦＦ−Ｓ
ＩＬＶＥＲ−Ｘ８００」（粒子厚さ０．４μｍ、−１５
０メッシュ≧９０体積％）
【００４０】（２）窒化ホウ素粉末 イ）電気化学工業社製窒化ホウ素粉末「ＧＰ」（黒鉛化
指数＝１．２、Ｌｃ＝３５０Å） ロ）電気化学工業社製窒化ホウ素粉末「ＳＰ−２」（黒
鉛化指数＝５、Ｌｃ＝２００Å） ハ）電気化学工業社製窒化ホウ素粉末「ＳＰ−１」（Ｌ
ｃ＝１４０Å）
指数＝１．２、Ｌｃ＝３５０Å） ロ）電気化学工業社製窒化ホウ素粉末「ＳＰ−２」（黒
鉛化指数＝５、Ｌｃ＝２００Å） ハ）電気化学工業社製窒化ホウ素粉末「ＳＰ−１」（Ｌ
ｃ＝１４０Å）
【００４１】（３）補強材 イ）関西金網社製ステンレス織金網（１６５メッシュ、
厚さ９０μｍ、目開き１０９μｍ、空隙率５０％） ロ）関西金網社製ステンレス織金網（２５０メッシュ、
厚さ７０μｍ、目開き６７μｍ、空隙率４３％） ハ）鐘紡社製ガラスクロス「テキストグラスＫＳ１０９
０」（厚さ０．０５ｍｍ、質量４６ｇ／ｍ2 、ＪＩＳ・
Ｒ３４１４・ＥＰ０５Ｂ相当）
厚さ９０μｍ、目開き１０９μｍ、空隙率５０％） ロ）関西金網社製ステンレス織金網（２５０メッシュ、
厚さ７０μｍ、目開き６７μｍ、空隙率４３％） ハ）鐘紡社製ガラスクロス「テキストグラスＫＳ１０９
０」（厚さ０．０５ｍｍ、質量４６ｇ／ｍ2 、ＪＩＳ・
Ｒ３４１４・ＥＰ０５Ｂ相当）
【００４２】
【表１】
【００４３】
【表２】
【００４４】
【発明の効果】本発明は、以上説明した通りのものであ
り、６Ｗ／ｍ／Ｋ以上の大きな熱伝導率が得られ、しか
も可撓性と難燃性を有しているため、半導体チップと水
冷ジャケットやヒートシンク間のインターフェースとし
て使用することにより、従来の複雑な熱伝導機構を単純
化し、当該機構内の熱伝導抵抗を少なくさせ、熱伝導モ
ジュール、回路モジュールのコスト及び信頼性の向上を
図ることができるものである。また、冷却効率を高める
ことができるので、半導体チップの更なる高集積化を可
能とするものである。
り、６Ｗ／ｍ／Ｋ以上の大きな熱伝導率が得られ、しか
も可撓性と難燃性を有しているため、半導体チップと水
冷ジャケットやヒートシンク間のインターフェースとし
て使用することにより、従来の複雑な熱伝導機構を単純
化し、当該機構内の熱伝導抵抗を少なくさせ、熱伝導モ
ジュール、回路モジュールのコスト及び信頼性の向上を
図ることができるものである。また、冷却効率を高める
ことができるので、半導体チップの更なる高集積化を可
能とするものである。
【図１】本発明に係る回路モジュール冷却用放熱スペー
サーの使用状態の説明図である。
サーの使用状態の説明図である。
１ 基板 ２ 半導体チップ ３ 冷却部材 ４ 本放熱スペーサー
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 田中 勝志 滋賀県野洲郡野洲町大字市三宅800番地 日本アイ・ビー・エム株式会社野洲事業所 内
Claims (1)
- 【請求項１】 銀粉末、窒化ホウ素粉末及び白金系難燃
化剤が分散され、金属網が介在されたシリコーンゴムシ
ートで構成され、シリコーンゴム１００体積部に対し、
銀粉末と窒化ホウ素粉末の合計量が６５〜２００体積部
で、窒化ホウ素粉末が７〜６０体積部であることを特徴
とする回路モジュール冷却用放熱スペーサー。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP13991693A JPH06334075A (ja) | 1993-05-20 | 1993-05-20 | 回路モジュール冷却用放熱スペーサー |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP13991693A JPH06334075A (ja) | 1993-05-20 | 1993-05-20 | 回路モジュール冷却用放熱スペーサー |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH06334075A true JPH06334075A (ja) | 1994-12-02 |
Family
ID=15256638
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP13991693A Withdrawn JPH06334075A (ja) | 1993-05-20 | 1993-05-20 | 回路モジュール冷却用放熱スペーサー |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH06334075A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH1126661A (ja) * | 1997-07-01 | 1999-01-29 | Denki Kagaku Kogyo Kk | 放熱スペーサー |
| US6936919B2 (en) * | 2002-08-21 | 2005-08-30 | Texas Instruments Incorporated | Heatsink-substrate-spacer structure for an integrated-circuit package |
| WO2017159252A1 (ja) * | 2016-03-18 | 2017-09-21 | 信越化学工業株式会社 | 熱伝導性シリコーン組成物及び半導体装置 |
-
1993
- 1993-05-20 JP JP13991693A patent/JPH06334075A/ja not_active Withdrawn
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH1126661A (ja) * | 1997-07-01 | 1999-01-29 | Denki Kagaku Kogyo Kk | 放熱スペーサー |
| US6936919B2 (en) * | 2002-08-21 | 2005-08-30 | Texas Instruments Incorporated | Heatsink-substrate-spacer structure for an integrated-circuit package |
| WO2017159252A1 (ja) * | 2016-03-18 | 2017-09-21 | 信越化学工業株式会社 | 熱伝導性シリコーン組成物及び半導体装置 |
| JPWO2017159252A1 (ja) * | 2016-03-18 | 2018-09-20 | 信越化学工業株式会社 | 熱伝導性シリコーン組成物及び半導体装置 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
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