JPH0632601A - 臭化水素の精製法 - Google Patents
臭化水素の精製法Info
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- CPELXLSAUQHCOX-UHFFFAOYSA-N Hydrogen bromide Chemical compound Br CPELXLSAUQHCOX-UHFFFAOYSA-N 0.000 title claims abstract description 71
- 229910000042 hydrogen bromide Inorganic materials 0.000 title claims abstract description 35
- 238000000746 purification Methods 0.000 title abstract description 11
- 239000010457 zeolite Substances 0.000 claims abstract description 16
- 229910021536 Zeolite Inorganic materials 0.000 claims abstract description 15
- HNPSIPDUKPIQMN-UHFFFAOYSA-N dioxosilane;oxo(oxoalumanyloxy)alumane Chemical compound O=[Si]=O.O=[Al]O[Al]=O HNPSIPDUKPIQMN-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 15
- 239000007789 gas Substances 0.000 claims abstract description 15
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 12
- 239000011261 inert gas Substances 0.000 abstract description 7
- 238000005070 sampling Methods 0.000 abstract description 5
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 abstract description 4
- 239000002808 molecular sieve Substances 0.000 abstract description 4
- URGAHOPLAPQHLN-UHFFFAOYSA-N sodium aluminosilicate Chemical compound [Na+].[Al+3].[O-][Si]([O-])=O.[O-][Si]([O-])=O URGAHOPLAPQHLN-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract description 4
- 238000012544 monitoring process Methods 0.000 abstract description 2
- 238000012856 packing Methods 0.000 abstract description 2
- 239000012808 vapor phase Substances 0.000 abstract 1
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 28
- CURLTUGMZLYLDI-UHFFFAOYSA-N Carbon dioxide Chemical compound O=C=O CURLTUGMZLYLDI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 26
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 description 14
- VEXZGXHMUGYJMC-UHFFFAOYSA-N Hydrochloric acid Chemical compound Cl VEXZGXHMUGYJMC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 13
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 13
- 229910002092 carbon dioxide Inorganic materials 0.000 description 13
- 239000001569 carbon dioxide Substances 0.000 description 13
- IXCSERBJSXMMFS-UHFFFAOYSA-N hydrogen chloride Substances Cl.Cl IXCSERBJSXMMFS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 13
- 229910000041 hydrogen chloride Inorganic materials 0.000 description 13
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 description 13
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 description 13
- 239000012535 impurity Substances 0.000 description 7
- UNYSKUBLZGJSLV-UHFFFAOYSA-L calcium;1,3,5,2,4,6$l^{2}-trioxadisilaluminane 2,4-dioxide;dihydroxide;hexahydrate Chemical compound O.O.O.O.O.O.[OH-].[OH-].[Ca+2].O=[Si]1O[Al]O[Si](=O)O1.O=[Si]1O[Al]O[Si](=O)O1 UNYSKUBLZGJSLV-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 3
- 229910052676 chabazite Inorganic materials 0.000 description 3
- 238000001816 cooling Methods 0.000 description 3
- 229910052680 mordenite Inorganic materials 0.000 description 3
- 238000010926 purge Methods 0.000 description 3
- 230000008929 regeneration Effects 0.000 description 3
- 238000011069 regeneration method Methods 0.000 description 3
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 3
- XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N Argon Chemical compound [Ar] XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- WKBOTKDWSSQWDR-UHFFFAOYSA-N Bromine atom Chemical compound [Br] WKBOTKDWSSQWDR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N Hydrogen Chemical compound [H][H] UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- GDTBXPJZTBHREO-UHFFFAOYSA-N bromine Substances BrBr GDTBXPJZTBHREO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052794 bromium Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 2
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- 239000001257 hydrogen Substances 0.000 description 2
- 229910052739 hydrogen Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 2
- 239000000047 product Substances 0.000 description 2
- 238000007670 refining Methods 0.000 description 2
- 238000001179 sorption measurement Methods 0.000 description 2
- CPELXLSAUQHCOX-UHFFFAOYSA-M Bromide Chemical class [Br-] CPELXLSAUQHCOX-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- 230000002411 adverse Effects 0.000 description 1
- 229910052786 argon Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000031709 bromination Effects 0.000 description 1
- 238000005893 bromination reaction Methods 0.000 description 1
- 239000003795 chemical substances by application Substances 0.000 description 1
- 238000002485 combustion reaction Methods 0.000 description 1
- 239000013065 commercial product Substances 0.000 description 1
- 239000012043 crude product Substances 0.000 description 1
- 239000003814 drug Substances 0.000 description 1
- 238000001312 dry etching Methods 0.000 description 1
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 1
- 229910052734 helium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000001307 helium Substances 0.000 description 1
- SWQJXJOGLNCZEY-UHFFFAOYSA-N helium atom Chemical compound [He] SWQJXJOGLNCZEY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000001771 impaired effect Effects 0.000 description 1
- 229910001503 inorganic bromide Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000002500 ions Chemical class 0.000 description 1
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 1
- 150000002894 organic compounds Chemical class 0.000 description 1
- 239000012264 purified product Substances 0.000 description 1
- 239000002994 raw material Substances 0.000 description 1
- 230000001172 regenerating effect Effects 0.000 description 1
- 229940125723 sedative agent Drugs 0.000 description 1
- 239000000932 sedative agent Substances 0.000 description 1
- 238000003892 spreading Methods 0.000 description 1
- 229910001220 stainless steel Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010935 stainless steel Substances 0.000 description 1
- 150000003464 sulfur compounds Chemical class 0.000 description 1
- 230000002194 synthesizing effect Effects 0.000 description 1
- 239000011782 vitamin Substances 0.000 description 1
- 229940088594 vitamin Drugs 0.000 description 1
- 229930003231 vitamin Natural products 0.000 description 1
- 235000013343 vitamin Nutrition 0.000 description 1
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910001868 water Inorganic materials 0.000 description 1
Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C01—INORGANIC CHEMISTRY
- C01B—NON-METALLIC ELEMENTS; COMPOUNDS THEREOF; METALLOIDS OR COMPOUNDS THEREOF NOT COVERED BY SUBCLASS C01C
- C01B7/00—Halogens; Halogen acids
- C01B7/09—Bromine; Hydrogen bromide
- C01B7/093—Hydrogen bromide
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
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- Inorganic Chemistry (AREA)
- Solid-Sorbent Or Filter-Aiding Compositions (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】 本発明の目的は、上記の問題点を解決し、半
導体分野に使用できる高純度臭化水素を得るための簡便
な精製法を提供することにある。 【構成】 本発明に係る臭化水素の精製法は、粗臭化水
素を気相でゼオライトに接触させることを特徴とする。
導体分野に使用できる高純度臭化水素を得るための簡便
な精製法を提供することにある。 【構成】 本発明に係る臭化水素の精製法は、粗臭化水
素を気相でゼオライトに接触させることを特徴とする。
Description
【0001】
【産業上の利用分野】本発明は、臭化水素の精製法に関
する。
する。
【0002】
【従来の技術・問題点】臭化水素は、従来より各種の有
機、無機ブロマイド、及びビタミン、鎮静剤など医薬品
合成の原料として用途が確立されているが、近年、半導
体分野においてもドライエッチング剤としてその特性が
認められ、フロン代替候補にも挙げられるなど、急速に
その用途は広まりつつある。臭化水素は、工業的に水素
と臭素の燃焼反応により製造されているが、粗生成物に
は製造工程から混入、溶解した二酸化炭素、塩化水素、
窒素、酸素が少量含まれている。しかし、これら不純物
の存在はエッチング特性に悪影響を及ぼすため、半導体
用としてはこれらを極力除去した高品質のものが要求さ
れている。従来より粗臭化水素の精製方法として知られ
ているものは、不純物が臭素、水分、硫黄化合物、有機
化合物の場合に限られており、二酸化炭素、塩化水素、
窒素、酸素の除去法は知られていなかった。
機、無機ブロマイド、及びビタミン、鎮静剤など医薬品
合成の原料として用途が確立されているが、近年、半導
体分野においてもドライエッチング剤としてその特性が
認められ、フロン代替候補にも挙げられるなど、急速に
その用途は広まりつつある。臭化水素は、工業的に水素
と臭素の燃焼反応により製造されているが、粗生成物に
は製造工程から混入、溶解した二酸化炭素、塩化水素、
窒素、酸素が少量含まれている。しかし、これら不純物
の存在はエッチング特性に悪影響を及ぼすため、半導体
用としてはこれらを極力除去した高品質のものが要求さ
れている。従来より粗臭化水素の精製方法として知られ
ているものは、不純物が臭素、水分、硫黄化合物、有機
化合物の場合に限られており、二酸化炭素、塩化水素、
窒素、酸素の除去法は知られていなかった。
【0003】
【発明が解決しようとする課題】従って、本発明の目的
は、上記の問題点を解決し、半導体分野に使用できる高
純度臭化水素を得るための簡便な精製法を提供すること
にある。
は、上記の問題点を解決し、半導体分野に使用できる高
純度臭化水素を得るための簡便な精製法を提供すること
にある。
【0004】
【課題を解決するための手段】即ち、本発明に係る臭化
水素の精製法は、粗臭化水素をゼオライトに接触させる
ことを特徴とするものである。
水素の精製法は、粗臭化水素をゼオライトに接触させる
ことを特徴とするものである。
【0005】以下に、本発明を更に詳しく説明する。本
発明に使用できるゼオライトは、A型、モルデナイト
型、チャバザイト型などが挙げられる。これらはモレキ
ュラーシーブスとして各種市販されており、例えば米国
のユニオンカーバイド社からA型として3A、4A、5
A、モルデナイト型としてAW−300、チャバザイト
型としてAW−500などが商品化されており、同じく
ノートン社からモルデナイト型としてゼオロン100、
200、300、900、チャバザイト型としてゼオロ
ン500が商品化されている。
発明に使用できるゼオライトは、A型、モルデナイト
型、チャバザイト型などが挙げられる。これらはモレキ
ュラーシーブスとして各種市販されており、例えば米国
のユニオンカーバイド社からA型として3A、4A、5
A、モルデナイト型としてAW−300、チャバザイト
型としてAW−500などが商品化されており、同じく
ノートン社からモルデナイト型としてゼオロン100、
200、300、900、チャバザイト型としてゼオロ
ン500が商品化されている。
【0006】これらは使用する前に300〜400℃で
加熱処理を行って活性化することが必要である。ただ
し、加熱処理後、冷却中に大気と接触させないようにす
ることが肝要である。湿気を吸着すると本発明の効果は
著しく損なわれるため、取り扱いは乾燥した不活性ガス
中で行わねばならない。
加熱処理を行って活性化することが必要である。ただ
し、加熱処理後、冷却中に大気と接触させないようにす
ることが肝要である。湿気を吸着すると本発明の効果は
著しく損なわれるため、取り扱いは乾燥した不活性ガス
中で行わねばならない。
【0007】以下、添付図面に基づいて本発明方法を更
に説明する。図1は本発明の実施例で使用する精製テス
トラインのブロック図である。操作はまず粗臭化水素容
器バルブ(2)、ガスクロマトグラフサンプリングバルブ
(6)、排気口バルブ(11)を閉止し、バルブ(10)から真空
に引いてラインの脱気を行う。必要に応じてゼオライト
充填塔(4)は冷却器(5)により所定温度に調節する。ゼオ
ライト充填塔(4)の温度は不純物として二酸化炭素、塩
化水素の除去の場合には常温で充分効果があるが、それ
に加えて更に窒素あるいは酸素の除去を目的とする場合
は、−50〜0℃の低温下、好ましくは−15〜−50
℃に設定するのが効果的である。もちろん、この温度範
囲では二酸化炭素、塩化水素も充分除去できるため、も
とより低温設定すれば良いが、酸素及び窒素の除去を目
的としない場合には特別な温度設定を必要とせず、すな
わち通常は15〜25℃の常温を目安にするものの、こ
の範囲に温度を限定する必要はない。
に説明する。図1は本発明の実施例で使用する精製テス
トラインのブロック図である。操作はまず粗臭化水素容
器バルブ(2)、ガスクロマトグラフサンプリングバルブ
(6)、排気口バルブ(11)を閉止し、バルブ(10)から真空
に引いてラインの脱気を行う。必要に応じてゼオライト
充填塔(4)は冷却器(5)により所定温度に調節する。ゼオ
ライト充填塔(4)の温度は不純物として二酸化炭素、塩
化水素の除去の場合には常温で充分効果があるが、それ
に加えて更に窒素あるいは酸素の除去を目的とする場合
は、−50〜0℃の低温下、好ましくは−15〜−50
℃に設定するのが効果的である。もちろん、この温度範
囲では二酸化炭素、塩化水素も充分除去できるため、も
とより低温設定すれば良いが、酸素及び窒素の除去を目
的としない場合には特別な温度設定を必要とせず、すな
わち通常は15〜25℃の常温を目安にするものの、こ
の範囲に温度を限定する必要はない。
【0008】ただし、ライン内の臭化水素圧は30気圧
を越えると精製効果が落ちてくる傾向があるため、圧力
計(3)にて監視する。ゼオライト充填塔(4)の設定温度及
びライン周囲の気温上昇等により内圧が高くならないよ
うに注意しなければならない。
を越えると精製効果が落ちてくる傾向があるため、圧力
計(3)にて監視する。ゼオライト充填塔(4)の設定温度及
びライン周囲の気温上昇等により内圧が高くならないよ
うに注意しなければならない。
【0009】脱気後はバルブ(10)を閉止し、粗臭化水素
容器バルブ(2)を開けて粗臭化水素をライン内に満た
し、一旦流量調整用バルブ(8)を閉止する。その後、排
気口バルブ(11)を開けてバルブ(10)より不活性ガスをパ
ージしながら流量調整用バルブ(8)により粗臭化水素を
所定流量にして流す。
容器バルブ(2)を開けて粗臭化水素をライン内に満た
し、一旦流量調整用バルブ(8)を閉止する。その後、排
気口バルブ(11)を開けてバルブ(10)より不活性ガスをパ
ージしながら流量調整用バルブ(8)により粗臭化水素を
所定流量にして流す。
【0010】不活性ガスのパージは大気の逆流を防ぐ意
味で重要な操作であり、窒素、アルゴンあるいはヘリウ
ムなどを精製操作中は常時流しておくのが良い。なお、
図1は精製テストラインで、ガスクロマトグラフサンプ
リングバルブ(6)で精製された臭化水素を分析・評価す
ることを目的としているため、排気口バルブ(11)から排
出されるガスが不活性ガスと臭化水素の混合物となって
も特に問題はない。
味で重要な操作であり、窒素、アルゴンあるいはヘリウ
ムなどを精製操作中は常時流しておくのが良い。なお、
図1は精製テストラインで、ガスクロマトグラフサンプ
リングバルブ(6)で精製された臭化水素を分析・評価す
ることを目的としているため、排気口バルブ(11)から排
出されるガスが不活性ガスと臭化水素の混合物となって
も特に問題はない。
【0011】臭化水素の流量は不純物の吸着速度、精製
物の生産性を考慮して本発明の場合、空間速度(SV)を
800〜1000時間-1にするのが適当であり、また、
800〜880時間-1がより好適である。
物の生産性を考慮して本発明の場合、空間速度(SV)を
800〜1000時間-1にするのが適当であり、また、
800〜880時間-1がより好適である。
【0012】上述の操作により、ゼオライト処理した臭
化水素中の二酸化炭素、塩化水素、酸素及び窒素の濃度
をそれぞれ1ppm以下にすることが可能となる。分析
チェックは二酸化炭素、酸素及び窒素の場合、ガスクロ
マトグラフサンプリングバルブ(6)よりガスクロマトグ
ラフ(7)に必要量分取して行い、塩化水素は排気口バル
ブ(11)よりサンプリングしてイオンクロマトグラフを用
いて行った。これら分析を精製中適時行うことにより、
不純物の破過点を求めることができる。
化水素中の二酸化炭素、塩化水素、酸素及び窒素の濃度
をそれぞれ1ppm以下にすることが可能となる。分析
チェックは二酸化炭素、酸素及び窒素の場合、ガスクロ
マトグラフサンプリングバルブ(6)よりガスクロマトグ
ラフ(7)に必要量分取して行い、塩化水素は排気口バル
ブ(11)よりサンプリングしてイオンクロマトグラフを用
いて行った。これら分析を精製中適時行うことにより、
不純物の破過点を求めることができる。
【0013】破過した後のゼオライトの再生法は、一般
に良く知られている圧力スイングサイクルの方法が適用
できる。即ち、ライン内の臭化水素圧をパージした後、
100mmHg以下の減圧処理を施せば、効率よく吸着
不純物を脱着することができる。この方法だと、再生の
ための加熱と再生後の冷却が不必要であるためゼオライ
トの吸着能力保持の寿命も長くなり、また、非常に短い
サイクルで再生を完了することが可能となる。
に良く知られている圧力スイングサイクルの方法が適用
できる。即ち、ライン内の臭化水素圧をパージした後、
100mmHg以下の減圧処理を施せば、効率よく吸着
不純物を脱着することができる。この方法だと、再生の
ための加熱と再生後の冷却が不必要であるためゼオライ
トの吸着能力保持の寿命も長くなり、また、非常に短い
サイクルで再生を完了することが可能となる。
【0014】
実施例1 充分乾燥した市販品「モレキュラーシーブス3A」1k
gを冷却装置付内径50mmのステンレスカラムに充填
した。この充填塔に二酸化炭素180ppm、塩化水素
460ppm、酸素140ppm、窒素550ppmを
含む粗臭化水素を充填塔の温度を−26℃に設定し、S
V820時間-1で流した。以後、不純物濃度を経時的に
測定した。なお、ライン内のガス圧は16気圧であっ
た。その結果、二酸化炭素、塩化水素、酸素及び窒素濃
度が1ppm以上となるまでの臭化水素の精製量は、そ
れぞれ320kg、290kg、210kg及び195
kgであった。
gを冷却装置付内径50mmのステンレスカラムに充填
した。この充填塔に二酸化炭素180ppm、塩化水素
460ppm、酸素140ppm、窒素550ppmを
含む粗臭化水素を充填塔の温度を−26℃に設定し、S
V820時間-1で流した。以後、不純物濃度を経時的に
測定した。なお、ライン内のガス圧は16気圧であっ
た。その結果、二酸化炭素、塩化水素、酸素及び窒素濃
度が1ppm以上となるまでの臭化水素の精製量は、そ
れぞれ320kg、290kg、210kg及び195
kgであった。
【0015】実施例2 ゼオライトに市販品「ゼオロン500」を用いた以外は
実施例1と同様の操作を行ったところ、二酸化炭素、塩
化水素、酸素及び窒素濃度が1ppm以上となるまでの
臭化水素の精製量は、それぞれ285kg、280k
g、190kg及び165kgであった。
実施例1と同様の操作を行ったところ、二酸化炭素、塩
化水素、酸素及び窒素濃度が1ppm以上となるまでの
臭化水素の精製量は、それぞれ285kg、280k
g、190kg及び165kgであった。
【0016】実施例3 ゼオライトに市販品「AW−300」を用い、充填塔の
温度を22℃に設定し、ライン内のガス圧が23気圧で
実施例1と同様の操作を行ったところ、二酸化炭素、塩
化水素、酸素及び窒素濃度が1ppm以上となるまでの
臭化水素の精製量は、それぞれ295kg、280k
g、18kg及び11kgであった。
温度を22℃に設定し、ライン内のガス圧が23気圧で
実施例1と同様の操作を行ったところ、二酸化炭素、塩
化水素、酸素及び窒素濃度が1ppm以上となるまでの
臭化水素の精製量は、それぞれ295kg、280k
g、18kg及び11kgであった。
【0017】実施例4 ゼオライトに市販品「モレキュラーシーブス3A」を用
い、充填塔の温度を42℃、ライン内のガス圧を34気
圧に設定して実施例1と同様の操作を行ったところ、二
酸化炭素、塩化水素、酸素及び窒素濃度が1ppm以上
となるまでの臭化水素の精製量は、それぞれ185k
g、174kg、5.5kg及び4kgであった。
い、充填塔の温度を42℃、ライン内のガス圧を34気
圧に設定して実施例1と同様の操作を行ったところ、二
酸化炭素、塩化水素、酸素及び窒素濃度が1ppm以上
となるまでの臭化水素の精製量は、それぞれ185k
g、174kg、5.5kg及び4kgであった。
【0018】実施例5 実施例1において、粗臭化水素を320kg処理して破
過した後、粗臭化水素容器バルブを閉止してライン内の
残留ガスを排気口バルブより抜き取り、常圧に戻した後
更に60mmHgの減圧処理を1時間施し、ゼオライト
を再生した。その後、実施例1と同様の操作を行ったと
ころ、二酸化炭素、塩化水素、酸素及び窒素濃度が1p
pm以上となるまでの臭化水素の精製量は、それぞれ3
15kg、275kg、210kg及び190kgであ
った。
過した後、粗臭化水素容器バルブを閉止してライン内の
残留ガスを排気口バルブより抜き取り、常圧に戻した後
更に60mmHgの減圧処理を1時間施し、ゼオライト
を再生した。その後、実施例1と同様の操作を行ったと
ころ、二酸化炭素、塩化水素、酸素及び窒素濃度が1p
pm以上となるまでの臭化水素の精製量は、それぞれ3
15kg、275kg、210kg及び190kgであ
った。
【0019】
【発明の効果】本発明方法により、臭化水素中に含まれ
る二酸化炭素、塩化水素、酸素及び窒素を、簡便な方法
で1ppm以下の濃度にまで除去することができ、LS
I製造に利用し得る高純度臭化水素を得ることが可能で
ある。
る二酸化炭素、塩化水素、酸素及び窒素を、簡便な方法
で1ppm以下の濃度にまで除去することができ、LS
I製造に利用し得る高純度臭化水素を得ることが可能で
ある。
【図1】本発明の実施例で使用する精製テストラインの
ブロック図である。
ブロック図である。
1 粗臭化水素容器 2 粗臭化水素容器バルブ 3 圧力計 4 ゼオライト充填塔 5 冷却器 6 ガスクロマトグラフサンプリングバルブ 7 ガスクロマトグラフ 8 流量調節用バルブ 9 流量計 10 真空用及び不活性ガス導入用バルブ 11 排気口バルブ
Claims (1)
- 【請求項1】 粗臭化水素を気相でゼオライトに接触さ
せることを特徴とする臭化水素の精製法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP4190488A JPH0632601A (ja) | 1992-07-17 | 1992-07-17 | 臭化水素の精製法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP4190488A JPH0632601A (ja) | 1992-07-17 | 1992-07-17 | 臭化水素の精製法 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH0632601A true JPH0632601A (ja) | 1994-02-08 |
Family
ID=16258931
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP4190488A Pending JPH0632601A (ja) | 1992-07-17 | 1992-07-17 | 臭化水素の精製法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH0632601A (ja) |
Cited By (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO1996008442A1 (en) * | 1994-09-14 | 1996-03-21 | Teisan Kabushiki Kaisha | Method and apparatus for preparing high purity hydrogen bromide |
EP0714849A1 (en) | 1994-11-28 | 1996-06-05 | Mitsui Toatsu Chemicals, Incorporated | Production process for refined hydrogen iodide |
FR2772368A1 (fr) * | 1997-12-12 | 1999-06-18 | Atochem Elf Sa | Procede de production de bromure d'hydrogene gazeux pur et dispositif pour sa mise en oeuvre |
EP1236680A2 (de) * | 2001-02-28 | 2002-09-04 | Degussa AG | Verfahren zur adsorptiven Trennung von Halogenwasserstoffen |
KR20250019559A (ko) * | 2023-11-20 | 2025-02-10 | 주식회사 솔 머티리얼즈 | 브롬화수소 분석 방법 |
-
1992
- 1992-07-17 JP JP4190488A patent/JPH0632601A/ja active Pending
Cited By (8)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO1996008442A1 (en) * | 1994-09-14 | 1996-03-21 | Teisan Kabushiki Kaisha | Method and apparatus for preparing high purity hydrogen bromide |
EP0714849A1 (en) | 1994-11-28 | 1996-06-05 | Mitsui Toatsu Chemicals, Incorporated | Production process for refined hydrogen iodide |
US5693306A (en) * | 1994-11-28 | 1997-12-02 | Mitsui Toatsu Chemicals, Inc. | Production process for refined hydrogen iodide |
FR2772368A1 (fr) * | 1997-12-12 | 1999-06-18 | Atochem Elf Sa | Procede de production de bromure d'hydrogene gazeux pur et dispositif pour sa mise en oeuvre |
US6355222B2 (en) * | 1997-12-12 | 2002-03-12 | Elf Atochem S.A. | Manufacture of hydrogen bromide gas |
EP1236680A2 (de) * | 2001-02-28 | 2002-09-04 | Degussa AG | Verfahren zur adsorptiven Trennung von Halogenwasserstoffen |
EP1236680A3 (de) * | 2001-02-28 | 2003-05-28 | Degussa AG | Verfahren zur adsorptiven Trennung von Halogenwasserstoffen |
KR20250019559A (ko) * | 2023-11-20 | 2025-02-10 | 주식회사 솔 머티리얼즈 | 브롬화수소 분석 방법 |
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