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JPH0632332B2 - 半導体レ−ザ装置 - Google Patents

半導体レ−ザ装置

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Publication number
JPH0632332B2
JPH0632332B2 JP59176220A JP17622084A JPH0632332B2 JP H0632332 B2 JPH0632332 B2 JP H0632332B2 JP 59176220 A JP59176220 A JP 59176220A JP 17622084 A JP17622084 A JP 17622084A JP H0632332 B2 JPH0632332 B2 JP H0632332B2
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JP
Japan
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wavelength
control
active
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semiconductor laser
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JP59176220A
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昌幸 山口
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Nippon Electric Co Ltd
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Publication date
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    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
    • H01S5/00—Semiconductor lasers
    • H01S5/06—Arrangements for controlling the laser output parameters, e.g. by operating on the active medium
    • H01S5/062—Arrangements for controlling the laser output parameters, e.g. by operating on the active medium by varying the potential of the electrodes
    • H01S5/0625—Arrangements for controlling the laser output parameters, e.g. by operating on the active medium by varying the potential of the electrodes in multi-section lasers
    • H01S5/06255—Controlling the frequency of the radiation
    • H01S5/06256—Controlling the frequency of the radiation with DBR-structure

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  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Electromagnetism (AREA)
  • Optics & Photonics (AREA)
  • Semiconductor Lasers (AREA)

Description

【発明の詳細な説明】 （発明の分野） 本発明は、単一波長で発振し、且つ連続的な波長制御可
能な半導体レーザ装置に関する。
（従来技術と問題点） 半導体結晶内部に回折格子を有し、その波長選択性を利
用して単一波長で発振する分布帰還型（ＤＦＢ）あるい
は分布反射型（ＤＢＲ）半導体レーザは、高速変調時に
も安定な単一波長で発振するため、長距離大容量の光フ
アイバ通信や将来の光コヒーレント伝送用の光源として
期待されている。ところで、光コヒーレント伝送の一つ
である光ヘテロダインシステムでは、受信側において、
局部発振光源の発振光と、伝送してきた信号光との干渉
により一定周波数のビード信号を得る必要がある。その
ためには、局部発振光源は常に信号光の波長をある一定
の周波数差を保ちながら追従しなくてはならない。従っ
て、局部発振光源に用いるレーザとしては、単一波長発
振で、且つ発振波長の制御性、特に連続した波長の制御
性が要求される。
波長制御可能な単一波長半導体レーザの１つに、昭和５
９年春の電子通信学会総合全国大会講演論文集、分冊４
の第１０２２番で本発明者らが「ブラッグ波長制御型Ｄ
ＢＲ-ＤＣ-ＰＢＨ ＬＤ」と題して報告したＤＢＲレー
ザがある。この波長制御型ＤＢＲレーザの簡単な構造図
を第２図に示す。n-InP基板１上に波長組成1.3μｍの活
性層３、波長組成1.2μｍのP-InGaAsP光ガイド層２を順
次成長させた後、波長制御領域となる領域１５の光ガイ
ド層２表面にのみ周期約4000Åの回折格子１０を形成
し、活性領域となる領域１６の光ガイド層表面は平坦な
ままとしている。その後、全面にP-InPクラッド層４、P
+-InGaAsPキヤップ層５を成長させている。波長制御領
域１５及び活性領域１６の上にはそれぞれ波長制御電極
６、活性電極７を形成し、両電極間には電気的アイソレ
ーシヨンをよくするために、キヤップ層５を除去した溝
１１を形成している。又、ｎ側にはｎ側電極９を形成し
ている。この構造のＤＢＲ ＬＤは活性領域１６に駆動
電流Idを注入することにより単一波長で発振し、波長制
御領域１５に注入する波長制御電流Itにより波長制御が
可能である。その原理は、波長制御領域１５にItを注入
すると、波長制御領域１５側のキヤリア密度が上昇し、
プラズマ効果によ屈折率が低下し、その結果回折格子１
０の周期によって定まるブラッグ波長が短波長側シフト
する効果を利用したものである。従って、Itの注入によ
り発振波長は短波長側に変化する。ところが、この構造
の波長制御型のＤＢＲレーザでは、制御電流Itによるブ
ラッグ波長の制御はできても、活性領域１６側の端面位
相の制御ができないため、連続的な波長制御は不可能で
あり、モードジヤンプを伴った波長制御特性となってい
た。
（発明の目的） 本発明の目的は、単一波長で発振し、且つ連続的な波長
制御が可能な半導体レーザ装置を提供することにある。
（発明の構成） 本発明による半導体レーザ装置の構成は、活性層を含む
活性領域と、平坦な光ガイド層を含む第１の制御領域
と、回折格子が形成された光ガイド層を含む第２の制御
領域とが共振軸方向に一列に配置され、且つ前記活性領
域及び前記第１，第２の制御領域のそれぞれに電流注入
するための活性電極及び第１，第２の制御電極を備えた
半導体レーザと、前記活性電極に駆動電流を加える電気
回路及び前記第１，第２の制御電極に制御電流を一定の
割合で分割して同時に加える電気回路とを含んだことを
特徴とする。
（発明の原理） 従来例として示した波長制御型ＤＢＲレーザのモードジ
ヤンプを伴った波長制御特性について、簡単な動作原理
をまず述べる。第３はその動作原理を示す図で、第３図
(a)は波長制御領域１５側の位相θと活性領域１６側を
光が往復した時の位相２βＬ（βは伝搬定数、Ｌは活性
領域１６の長さ）の波長依存性、第３図(b)は波長制御
領域１５側を見た時の回折格子１０によるブラッグ反射
率の波長依存性を示した。ＤＢＲレーザにおいて発振す
るモードは、第３図(a)において、θと２βＬの位相曲
線の交点で現わされる複数個のＤＢＲモードのうち、第
３図(b)で示したブラッグ反射率が最も高くなるモード
である。従って、波長制御電流Itを流さない状態では、
第３図中のＡのモードが単一波長で発振することにな
る。Itを注入すると、プラズマ効果によりブラッグ波長
が短波長側にシフトするため、第３図中のθ及びブラッ
グ反射率の曲線は短波長側に平行移動する。このとき、
活性領域１６側の位相２βＬは変化しないため、モード
Ａより短波長側のモードＢの方がブラッグ反射率が高く
なるため、モードＡからモードＢへのジャンプが生じて
しまう。このようにして、従来例で示した構造の波長制
御型のＤＢＲレーザでは、Itの増加に伴って、モードＡ
→Ｂ→Ｃの順でモードジヤンプを繰り返しながら短波長
側へのシフトが生じてしまう。
そこで、このようなモードジヤンプを伴うことなく、連
続した波長制御を実現させるために、本発明は、活性領
域１６側の位相２βＬを制御する構造とした。つまり、
本発明では、第３図(a)において、交点Ａで現わされる
モードが常に最も高いブラッグ反射率となるように、２
βＬの位相曲線をθの位相曲線と同様に平行移動できる
ように従来例で示した波長制御型のＤＢＲレーザの活性
領域16に、プラズマ効果による屈折率変動を利用した位
相制御領域を付加した構造を採用した。この位相制御領
域に位相制御電流を注入すれば、この領域の屈折率が低
下し、第３図(a)の２βＬの位相曲線はやはり短波長側
にシフトすることになる。従って、この位相制御領域、
及び波長制御領域に同時に電流注入し、θ及び２βＬの
位相曲線を同じ量だけ平行移動させれば、連続的な波長
制御が可能となる。
（実施例） 第１図に本発明による半導体レーザ装置の構成図を示
す。n-InP基板１上の波長制御領域１５に相当する部分
に周期2400Åの回析格子１０を部分的に形成する。全面
に波長組成1.3μｍのn-InGaAsP光ガイド層２、波長組成
1.55μｍのInGaAsP活性層３を順次エピタキシヤル成長
させた後、波長制御領域１５の隣りの活性領域１６とな
る部分にのみ活性層３を残すように他の活性層３を除去
する。位相制御領域１７は波長制御領域１５と反対の端
面側に設ける。その後、全面にP-InPクラッド層４、P+-
InGaAsPキヤップ層５を順にエピタキシヤル成長させた
後、波長制御電極６、活性電極７、位相制御電極８はそ
れぞれの領域の上に形成し、各電極間は電気的アイソレ
ーシヨンを十分にするためにキヤップ層５より深い溝１
１，１２によって分離する。ｎ側電極９はn-InP基板１
の下に形成する。このような構造の半導体レーザの活性
電極７には、レーザ駆動用の駆動電流Idを注入する電気
回路１３が、波長制御電極６及び位相制御電極８には、
波長制御電流It1及び位相制御電流It2をIt1／It2の比が
一定となるように同時に注入する電気回路１４が接続さ
れた構成となっている。
以上の構成からなる半導体レーザ装置においては、活性
領域１６に駆動電流Idを注入することにより、波長1.55
μｍ付近で単一波長で発振する。また、発振波長を連続
的に制御するためには、It1及びIt2の注入により、第３
図(a)におけるθ及び２βＬの位相曲線を同じ量だけ横
方向にシフトさせ、常に交点Ａで現わされるモードがブ
ラック反射率の最も高いモードとなるようにする必要が
ある。θの位相曲線の横方向へのシフト量Δλ1はブラ
ック波長のシフト量に等しく、波長制御領域１５の等価
屈折率n1、屈折率変化分Δn1を用いて次式で現わされ
る。
但し、λ0はIt1を注入しない状態での発振波長である。
また、２βＬの位相曲線のシフト量Δλ2は、位相制御
領域１７の長さL2、等価屈折率n2、屈折率変化分Δn2、
及び活性領域１６の長さLa、等価屈折率naを用いて次式
で与えられる。
従って、Δλ1とΔλ2が等しくなる条件は次の様にな
る。
ここで、各領域の等価屈折率がほぼ同じであると仮定
（n1＝n2＝na）とすると、(3)式は次式に変形される。
更に、電流注入による屈折率変化分は注入電流密度の平
方根に比例するため、(4)式は次の様に変形される。
但し、L1は波長制御領域１５の長さである。
従って、連続した波長制御を実現するためには、次式で
示すような条件を満足するようにIt1及びIt2を注入する
必要があることが判る。
このように、本発明による連続的な波長制御可能な半導
体レーザ装置においては、波長制御領域１５及び位相制
御領域１７に注入する制御電流It1及びIt2を(6)式を満
足するように注入することにより、連続した波長制御が
可能である。
本発明による波長制御可能な半導体レーザ装置を作製し
たところ、波長1.55μｍ帯において、約４０Åの連続し
た波長制御が実現できた。また、光出力も約５ｍＷ程度
であり、光ヘテロダインシステムの局部発振光源への応
用が可能である。
尚、本実施例においては、波長1.55μｍで発振する半導
体レーザ装置について述べたが、発振波長はこれに限ら
ず、例えば光ガイド層２の波長組成を1.2μｍ、活性層
３の波長組成を1.3μｍ、回折格子１０の周期を２００
０Åとすれば、発振波長1.3μｍの波長制御型の半導体
レーザ装置が得られる。また、本実施例では光ガイド層
２を活性層３の下に設けたが、光ガイド層２は活性層３
の上でもよく、その場合、回折格子１０は光ガイド層２
とクラッド層４の間に形成する。また、光ガイド層２と
活性層３の間には、薄いInP層を設けてもよい。本実施
例では、活性領域１６を中央に設けた構成としたが、各
領域の配置はこれに限られるものではなく、例えば、位
相制御領域１７が中央になってもよい。本実施例では、
波長制御領域15及び位相制御領域１７の活性層３を除去
した構造としたが、活性層３は各領域に残っていてもよ
い。本実施例においては、各電極間の電気的アイソレー
シヨンをよくするために、電極間にキヤップ層５より深
い溝１１，１２を形成したが、電気的アイソレーシヨン
をよくするための手段としてはこれに限らず、例えば電
極間にプロトンを照射する方法でもよい。本実施例では
半導体材料として、InGaAsP／InPを用いたが、他の半導
体材料でもよく、例えばAlGaAs／GaAs等でもよい。ま
た、制御電流It1，It2の比は必ずしも(3)式を満足する
必要はなく、(6)式を満足する条件の近くであればよ
い。
（発明の効果） 本発明によれば、連続的な波長制御が可能な半導体レー
ザ装置が得られる。この結果、光ヘテロダイン用局発光
源の他に、その波長制御性を利用して、ＦＭ変調用光源
や、光ヘテロダイン方式のひとつであるＦＳＫ（２値周
波数変調）ヘテロダイン方式用の送信用光源、更に、波
長多重伝送用光源等、多方面にわたって優れた光源を提
供することが可能となった。
【図面の簡単な説明】
第１図は本発明の実施例である半導体レーザ装置の構成
図であり、１はn-InP基板、２はn-InGaAsP光ガイド層、
３はInGaAsP活性層、４はP-InPクラッド層、５はP+-InG
aAsPキヤップ層、６は波長制御電極、７は活性電極、８
は位相制御電極、９はｎ側電極、１０は回折格子、１
１，１２は電極を分離する溝、１３は駆動用電気回路、
１４は制御用電気回路、１５は波長制御領域、１６は活
性領域、１７は位相制御領域、Idは駆動電流、It1は波
長制御電流、It2は位相制御電流である。第２図は従来
の波長制御型ＤＢＲレーザの構造図であり、符号及び名
称は第１図と同じである。第３図は従来の波長制御型Ｄ
ＢＲレーザの波長制御の動作原理を説明する図であり、
(a)は波長制御領域１５の位相θ及び活性領域１６の位
相２βＬの波長依存性、(b)はブラッグ反射率の波長依
存性を示した図である。

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項１】活性層を含む活性領域と、平坦な光ガイド
    層を含む第１の制御領域と、回折格子が形成された光ガ
    イド層を含む第２の制御領域とが共振軸方向に一列に配
    置され、且つ前記活性領域及び前記第１，第２の制御領
    域のそれぞれに電流を注入するための活性電極及び第
    １，第２の制御電極を備えた半導体レーザと、前記活性
    電極に駆動電流を加える電気回路及び前記第１，第２の
    制御電極に制御電流を一定の割合で分割して同時に加え
    る電気回路とを含むことを特徴とする半導体レーザ装
    置。
JP59176220A 1984-08-24 1984-08-24 半導体レ−ザ装置 Expired - Lifetime JPH0632332B2 (ja)

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CA000489295A CA1284371C (en) 1984-08-24 1985-08-23 Semiconductor laser device
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Families Citing this family (62)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
GB8612956D0 (en) * 1986-05-28 1986-07-02 British Telecomm Optical signal regenerator
GB2197531B (en) * 1986-11-08 1991-02-06 Stc Plc Distributed feedback laser
JPH0719928B2 (ja) * 1986-11-26 1995-03-06 日本電気株式会社 光フイルタ素子
DE3809440C2 (de) * 1987-03-20 1995-10-26 Mitsubishi Electric Corp Bistabiler Halbleiterlaser
JPH0656908B2 (ja) * 1987-03-31 1994-07-27 日本電信電話株式会社 波長変換素子
JPH0831653B2 (ja) * 1987-07-21 1996-03-27 国際電信電話株式会社 半導体レ−ザ
JP2749038B2 (ja) * 1987-07-31 1998-05-13 株式会社日立製作所 波長可変半導体レーザ
JPH073909B2 (ja) * 1987-09-08 1995-01-18 三菱電機株式会社 半導体レーザの製造方法
JP2666297B2 (ja) * 1987-09-11 1997-10-22 富士通株式会社 波長可変型半導体レーザ
EP0309744A3 (de) * 1987-09-29 1989-06-28 Siemens Aktiengesellschaft Anordnung mit einem flächig sich erstreckenden Dünnfilmwellenleiter
JP2825508B2 (ja) * 1987-10-09 1998-11-18 株式会社日立製作所 半導体レーザ装置および光通信システム
JPH084186B2 (ja) * 1987-10-28 1996-01-17 国際電信電話株式会社 半導体レーザ
JP2659199B2 (ja) * 1987-11-11 1997-09-30 日本電気株式会社 可変波長フィルタ
US4878222A (en) * 1988-08-05 1989-10-31 Eastman Kodak Company Diode laser with improved means for electrically modulating the emitted light beam intensity including turn-on and turn-off and electrically controlling the position of the emitted laser beam spot
US4972352A (en) * 1988-08-10 1990-11-20 Shildon Limited Semiconductors lasers
FR2636177B1 (fr) * 1988-09-08 1990-11-16 Comp Generale Electricite Source laser a semi-conducteur modulee a frequence elevee
EP0360011B1 (de) * 1988-09-22 1994-02-16 Siemens Aktiengesellschaft Abstimmbarer DFB-Laser
FR2639773B1 (fr) * 1988-11-25 1994-05-13 Alcatel Nv Laser a semi-conducteur accordable
US4987576A (en) * 1988-11-30 1991-01-22 Siemens Aktiengesellschaft Electrically tunable semiconductor laser with ridge waveguide
NL8803080A (nl) * 1988-12-16 1990-07-16 Philips Nv Verstembare halfgeleiderdiodelaser met verdeelde reflectie en vervaardigingswijze van een dergelijke halfgeleiderdiodelaser.
US4908833A (en) * 1989-01-27 1990-03-13 American Telephone And Telegraph Company Distributed feedback laser for frequency modulated communication systems
US4905253A (en) * 1989-01-27 1990-02-27 American Telephone And Telegraph Company Distributed Bragg reflector laser for frequency modulated communication systems
US5020153A (en) * 1989-02-08 1991-05-28 At&T Bell Laboratories Tunable narrowband receiver utilizing distributed Bragg reflector laser structure
DE58904573D1 (de) * 1989-02-15 1993-07-08 Siemens Ag Abstimmbarer halbleiterlaser.
DE69011921T2 (de) * 1989-04-04 1995-03-02 Canon Kk Halbleiterlaser mit veränderbarer Emissionswellenlänge und selektives Wellenlängenfitter und Verfahren zum Betrieb derselben.
US4916705A (en) * 1989-05-04 1990-04-10 At&T Bell Laboratories Random-access digitally-tuned coherent optical receiver
US4914666A (en) * 1989-05-04 1990-04-03 At&T Bell Laboratories Random-access digitally -tuned optical frequency synthesizer
DE3915625A1 (de) * 1989-05-12 1990-11-15 Standard Elektrik Lorenz Ag Halbleiterlaser
US5177758A (en) * 1989-06-14 1993-01-05 Hitachi, Ltd. Semiconductor laser device with plural active layers and changing optical properties
JPH0357288A (ja) * 1989-07-17 1991-03-12 Siemens Ag 半導体レーザーを有するデバイスおよびその使用方法
US5023878A (en) * 1989-09-15 1991-06-11 At&T Bell Laboratories Apparatus comprising a quantum well device and method of operating the apparatus
JPH0457384A (ja) * 1990-06-27 1992-02-25 Mitsubishi Electric Corp 半導体レーザ
US5070509A (en) * 1990-08-09 1991-12-03 Eastman Kodak Company Surface emitting, low threshold (SELTH) laser diode
US5091916A (en) * 1990-09-28 1992-02-25 At&T Bell Laboratories Distributed reflector laser having improved side mode suppression
NL9100103A (nl) * 1991-01-23 1992-08-17 Philips Nv Halfgeleiderdiodelaser met monitordiode.
US5319659A (en) * 1992-05-14 1994-06-07 The United States Of America As Represented By The United States Department Of Energy Semiconductor diode laser having an intracavity spatial phase controller for beam control and switching
JPH06204454A (ja) * 1992-12-28 1994-07-22 Mitsubishi Electric Corp 光変調器付半導体レーザ及びその製造方法
FR2700643B1 (fr) * 1993-01-19 1995-02-24 Alcatel Nv Source semi-conductrice d'impulsions optiques à commutation de gain et système de transmission à solitons.
CA2153909C (en) * 1994-07-15 1999-11-16 Mitsuhiro Kitamura Wavelength-tunable semiconductor laser and fabrication process thereof
US5835650A (en) * 1995-11-16 1998-11-10 Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. Optical apparatus and method for producing the same
US5832014A (en) * 1997-02-11 1998-11-03 Lucent Technologies Inc. Wavelength stabilization in tunable semiconductor lasers
JP3404242B2 (ja) * 1997-02-14 2003-05-06 日本電気株式会社 波長可変半導体レーザの駆動方法及び波長可変光源装置
JP2001036192A (ja) * 1999-07-22 2001-02-09 Nec Corp 分布帰還型半導体レーザおよびその製造方法
JP2002043698A (ja) * 1999-12-22 2002-02-08 Yokogawa Electric Corp Ｓｈｇレーザ光源及びｓｈｇレーザ光源の変調方法
US6697388B1 (en) * 2000-05-05 2004-02-24 Agere Systems, Inc. Control system for use with DBR lasers
US6678301B1 (en) * 2000-07-14 2004-01-13 Triquint Technology Holding Co. Apparatus and method for minimizing wavelength chirp of laser devices
US6829262B1 (en) * 2000-09-22 2004-12-07 Tri Quint Technology Holding Co. Aging in tunable semiconductor lasers
US6717964B2 (en) * 2001-07-02 2004-04-06 E20 Communications, Inc. Method and apparatus for wavelength tuning of optically pumped vertical cavity surface emitting lasers
US6891870B2 (en) 2001-11-09 2005-05-10 Corning Lasertron, Inc. Distributed feedback laser for isolator-free operation
US6650675B2 (en) 2001-11-09 2003-11-18 Corning Lasertron, Incorporated Tunable laser device for avoiding optical mode hops
JP3801073B2 (ja) * 2002-03-11 2006-07-26 日本電気株式会社 外部共振器型波長可変パルス光源
JP4104925B2 (ja) * 2002-07-10 2008-06-18 三菱電機株式会社 波長可変半導体レーザの波長制御装置
EP1720224A4 (en) * 2004-02-27 2008-08-27 Matsushita Electric Ind Co Ltd COHERENT LIGHT SOURCE AND METHOD FOR CONTROLLING THE SAME, AND DISPLAY UNIT AND LASER DISPLAY USING SAME
US7436871B2 (en) * 2004-12-03 2008-10-14 Corning Incorporated Method and device for performing wavelength modulation with Distributed Bragg Reflector (DBR) laser
KR100620391B1 (ko) * 2004-12-14 2006-09-12 한국전자통신연구원 집적형 반도체 광원
JP5303124B2 (ja) * 2007-07-19 2013-10-02 住友電工デバイス・イノベーション株式会社 半導体レーザ装置の制御方法
JP2009231316A (ja) * 2008-03-19 2009-10-08 Nec Corp Ｌｄモジュール
KR101190862B1 (ko) * 2008-12-18 2012-10-15 한국전자통신연구원 단일 종모드 발진 광원 기반의 씨앗광 모듈
FR2986379B1 (fr) * 2012-01-30 2017-03-17 Agilent Tech Inc (A Delaware Corporation) "laser accordable en phase continue"
JP6730868B2 (ja) * 2016-07-15 2020-07-29 日本電信電話株式会社 波長可変半導体レーザ
US10320152B2 (en) 2017-03-28 2019-06-11 Freedom Photonics Llc Tunable laser
US10355451B2 (en) 2017-03-28 2019-07-16 Freedom Photonics Llc Laser with sampled grating distributed bragg reflector

Family Cites Families (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
GB1543405A (en) * 1975-03-29 1979-04-04 Licentia Gmbh Method of and arrangement for producing coherent mode radiation
JPS5844785A (ja) * 1981-08-27 1983-03-15 Kokusai Denshin Denwa Co Ltd <Kdd> 半導体レ−ザ
JPS5878488A (ja) * 1981-11-05 1983-05-12 Kokusai Denshin Denwa Co Ltd <Kdd> 分布帰還形半導体レーザの駆動方法
JPS5885585A (ja) * 1981-11-16 1983-05-21 Nec Corp 半導体レ−ザ素子
US4608697A (en) * 1983-04-11 1986-08-26 At&T Bell Laboratories Spectral control arrangement for coupled cavity laser
US4558449A (en) * 1983-07-08 1985-12-10 At&T Bell Laboratories Semiconductor laser with coupled loss modulator for optical telecommunications

Also Published As

Publication number Publication date
EP0173269B1 (en) 1991-11-21
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JPS6154690A (ja) 1986-03-18

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