JPH06313878A

JPH06313878A - 液晶素子

Info

Publication number: JPH06313878A
Application number: JP10275393A
Authority: JP
Inventors: Shuzo Kaneko; 修三金子; Katsuhiko Shinjo; 克彦新庄; Hirokatsu Miyata; 浩克宮田; Masaaki Shibata; 雅章柴田; Shinjiro Okada; 伸二郎岡田
Original assignee: Canon Inc
Current assignee: Canon Inc
Priority date: 1993-04-28
Filing date: 1993-04-28
Publication date: 1994-11-08

Abstract

(57)【要約】【目的】制御しやすい階調駆動を行えるようにする。【構成】一対の電極１４、１９０３間に液晶ＦＬＣを
挟持した液晶素子であって、該電極の少なくとも一方の
電極上には、他方の電極との交差部で形成される画素内
において、異なるスペースをなして形成された複数のス
トライプ状凸部１２を有し、該凸部間のスペースの変化
は画素内で勾配をなすように形成しかつ上記スペースの
変化の勾配に沿って、上記液晶に作用する電界強度の分
布勾配が形成される手段１０、１１を構成したことを特
徴とする。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【産業上の利用分野】本発明は表示装置や液晶プリンタ
に用いられる液晶素子に関し、特に、自発分極を有する
強誘電性液晶を用いて良好な表示特性を付与するための
液晶素子に関する。

【０００２】

【従来の技術】強誘電性液晶（ＦＬＣ）はその高速性、
メモリ性などの利点に注目され、表示素子、ライトバル
ブなどのために積極的に利用されている。

【０００３】上記利点を生かしたターゲットとして、光
シャッタアレイ、単純マトリクス駆動による高精細表示
装置、光導電体と組み合わせた高密度記録のライトバル
ブなどが挙げられる。さらに薄膜トランジスタ（ＴＦ
Ｔ）などを用いたアクティブマトリクス駆動による動画
像表示にも期待がよせられている。

【０００４】さらにＦＬＣの表示能力を高めるために不
可欠な課題として、良好な中間調を得るための多大な努
力がなされている。

【０００５】例えば、ひとつの画素内に、白黒のドメイ
ンの混在状態を作り出すものとして、特開昭５９−１９
３４２７号公報明細書中に記載のように電極基板の自然
発生的なムラあるいは意図的に微小モザイクパターンを
付与することによる方法、または特開昭６１−１６６５
９０号公報記載の絶縁層厚みに階段状分布をつけること
により諧調を得る方法などが挙げられる。さらには特開
昭６４−７７０２３号公報に欠陥の多い配向状態を得る
ことによる方法が開示されている。さらに上記以外に
も、パターン化した凹凸に周期構造をもたせたりするな
どの工夫が多くなされている。

【０００６】上記のような方法により、中間調状態を作
り出すことは確認されているが、さらに画素内で均一化
された中間調あるいは制御された諧調特性が望まれてい
る。

【０００７】さらにコントラストを良好に保つには、な
るべく欠陥の観察されない配向状態が望ましい。

【０００８】本出願人はさらに特開昭６２−１１９５２
１号公報において、画素内に電位伝達の遅延を生じさせ
て階調性をもたせるもの、また特開昭６２−１２５３３
０号公報その他において画素内に強制的な電位勾配を形
成して階調性をもたせるもの、あるいは特開昭６２−１
４５２１６号公報においては電極間距離（セル厚）に勾
配をもたせて階調性をもたせるものなどの提案をしてい
る。これらはいずれも、内部の液晶に印加される電界強
度の画素内勾配を利用して、液晶の反転面積を制御する
ものであり、以下に示す様なものである。

【０００９】上記特開昭６２−１１９５２１号公報また
は特開昭６２−１２５３３０号公報で代表されるもの
は、基本構成として低抵抗の電極ラインとこれを結合さ
れた比較的高抵抗の膜により構成され、前者は電極ライ
ンに給電された電位が高抵抗膜内では遅延伝達される結
果として、また後者は高抵抗膜を面内で挟持する少なく
とも２本の上記低抵抗電極に異なった電位を給電するこ
とにより、強制的に上記高抵抗膜中に電位勾配が形成さ
れるものである。

【００１０】

【解決すべき技術課題】これらの電位勾配を付与するも
のの解決すべき技術課題としては、上記低抵抗電極ライ
ンにも通常無視できない抵抗があり、該電極ラインに外
部電源から電位を付与する場合、給電部と給電部から離
れた部分とで電極ライン中にも遅延や電位のドロップに
よる液晶への印加電圧の不均一が起きてしまい、たとえ
ば１０００×１０００画素程度のマトリクスパネルを構
成するにあたっては場所的に無視できない階調表示ムラ
を与える可能性があることなどである。

【００１１】また前記特開昭６２−１４５２１６号公報
で代表される電極間距離に勾配をもたせるものは階調特
性として大きなガンマ特性（代表的には飽和電圧÷閾値
電圧の値）を得るためにはセル厚差として相当大きなも
のを必要とする場合があり、この時に、セル厚差により
リターデーションに大きな差が出来、光学的に色づいた
りするため、カラー表示などに困難を伴なうことなどが
ある。

【００１２】

【課題を解決するための手段】本発明は上述した技術課
題に鑑みてなされたものであり、良好な配向性と均一で
安定した中間調を得、かつ制御のしやすい階調駆動が実
現される液晶素子を提供することを目的とするものであ
る。

【００１３】即ち本発明は一対の電極間に液晶を挟持し
た液晶素子であって、該電極の少なくとも一方の電極上
には、他方の電極との交差部で形成される画素内におい
て、異なるスペースをなして形成された複数のストライ
プ状凸部を有し、該凸部間のスペースの変化は画素内で
勾配をなすように形成し、かつ上記スペースの変化の勾
配に沿って、上記液晶に作用する電界強度の分布勾配が
形成される手段を構成したことを特徴とし、また、さら
には上記スペースの変化は一画素にわたって勾配をなす
ことを特徴とするものである。

【００１４】又、本発明の液晶素子は一対の電極間に液
晶を挟持した液晶素子であって、該電極の少なくとも一
方は、給電される第１の低抵抗のストライプ状電極と他
方の電極との交差部で形成される一画素内において、互
いにその間隔が異なる様に複数独立形成された第２のス
トライプ状電極とを有し、かつ上記第１および第２のス
トライプ状の電極間は１０⁴ Ω／□以上１０⁸ Ω／□以
下のシート抵抗を有する膜とからなることを特徴とする
ものである。

【００１５】更に、本発明の液晶素子は、一対の電極間
に液晶を挟持した液晶素子であって、該電極の少なくと
も一方の電極上には、他方の電極との交差部で形成され
る画素内において異なるスペースをなして形成された複
数のストライプ状凸部を有し、該凸部間のスペースの変
化は画素内で勾配をなすように形成し、かつ上記スペー
スの変化の勾配に沿って、上記一対の電極基体の電極間
距離に勾配を設けたことを特徴とするものである。

【００１６】

【実施例】図１はマトリクス型に形成した本発明による
液晶素子を説明する為の模式図であり、セルを構成する
上基板の平面、および断面、また下基板の平面を示して
いる。

【００１７】図１における上基板で１９０１はガラス、
石英、プラスチック等の透明基体、１９０２はＩＴＯ、
ＳｎＯ₂ 、Ｉｎ₂ Ｏ₃ 等の透明電極、また１９０３はポ
リイミド、ナイロン、その他の樹脂、またはポリアニリ
ン、ポリピロール等の一般に導電性高分子材料として知
られる膜をラビングしたもの、またはＳｉＯ、ＳｉＯ₂
等の斜方蒸着により得られた配向膜である。

【００１８】一方、下基板側には、構成要素としてスト
ライプ状の突起部１２を設ける。該突起部はたとえば４
μｍ巾の凸部で、２μｍから１０μｍ程度の範囲におい
て０．５μｍステップで画素幅内で連続的に間隔（スペ
ース）を変化させた形で１例として約１５００Åの高さ
で形成し、上基板とクロスマトリクスでセル化した場合
に、上基板の透明電極と下基板の凸部形成部位との交差
部で画素が形成される。

【００１９】上記凸部を形成する材質としては、特にＡ
ｌ、Ｔｉ、Ａｕ、Ｐｔ、Ｃｒなどの金属又はＳｎＯ₂ 、
Ｉｎ₂ Ｏ₃ 、ＩＴＯなどの透明導電酸化物などが最も好
ましいが、別の突起体の形成要素としては、ＳｉＯ₂ そ
の他の無機物、さらには、ポリイミド、ポリアミド、そ
の他の樹脂が、公知のパターニング、あるいは、デポ技
術により形成される。

【００２０】上記突起部上に必要に応じて設ける配向膜
としては、上記１９０３と同様のラビング膜または斜方
蒸着膜により内部の液晶に一軸配向性を与えるものであ
っても良いし、またはシランカップリング剤の皮膜や無
機の単純蒸着膜で形成した非一軸配向処理膜であっても
良い。

【００２１】なお上記上下の基板の配向処理による一軸
性付与方向は上記ストライプ凸部長手方向に近い様にし
た方が配向性の面では良好であるがこれ以外の方向を選
んでも本発明効果は充分認められる。上下基板外側には
クロスニコルに配置した偏光板を設けている。

【００２２】図２に示す（ａ）、（ｂ）、（ｃ）３つの
素子（セル）の断面図により本発明の実施態様による液
晶素子の構成についてさらに詳しく説明する。

【００２３】本発明は上記の突起間隔スペースの変化勾
配をつけたことによる連続的な階調性の傾向に着目し、
さらに上記勾配に沿って液晶に印加される電界強度に勾
配を付加することで、階調性に対して、さらに良好な制
御効果を与え、また従来例で示した様な電界強度に勾配
を印加する階調方式の課題を同時に解決するものであ
る。

【００２４】図２の（ａ）は、上記突起間隔の変化の勾
配とともに下基板に強制的な電位勾配を形成し、対向す
る上基板電位との差により挟持される液晶に上記突起間
隔変化勾配に沿った電界強度の分布勾配が形成される様
にしたものである。

【００２５】図において１０および１１は外部より給電
される電極であり、Ａｌ、Ｃｒ、Ａｕ等の低抵抗の金属
で形成する。

【００２６】また１４はＳｎＯ₂ 、Ｔａ₂ Ｏ ₃等の金属
酸化物により、そのシート抵抗が１０⁴ Ω／□ないし１
０⁸ Ω／□程度に調整された透明な膜であり、これは製
膜時に酸素濃度等の制御により形成可能である。本例に
おいては該高抵抗膜上に前記のストライプ状突起部１２
を設けるが該突起は金属やＩＴＯ等の低抵抗なものが望
ましい。ここで膜１４は突起部１２の金属やＩＴＯより
高抵抗である為、高抵抗膜と便宜上呼ぶこともある。

【００２７】なお、配向膜の図示は省略した。

【００２８】なお、本発明においては上記高抵抗膜とス
トライプ状電極は基板１５上の配置として先にストライ
プ状電極１２または低抵抗電極１０、１１を形成した後
に膜１４が形成されても良い。

【００２９】この場合はポリアニリン、ポリピロール、
ポリアセチレン等の導電性高分子からなる皮膜、あるい
はＳｎＯ₂ 、ＩＴＯまたはその他金属や金属酸化物の超
微粒子をポリイミド、ポリシロキサン、ナイロン、他の
樹脂母体に分散塗工した皮膜により、高抵抗膜１４が形
成されてもよく、場合によってはそれ自体にラビングを
施すなどして、配向膜としても兼用できる。

【００３０】ここで上記低抵抗電極１０および１１にそ
れぞれ異なった電位Ｖ₁ 、Ｖ₂ を与えると、図３に示す
様な電位勾配が形成される。この結果上基板の電極１９
０３の階調に応じて付与される電位に対して液晶部分に
は電界強度の分布勾配が形成される。

【００３１】上記した様に画素全体に電位勾配を形成
し、かつストライプ突起間にスペースの変化勾配をつけ
たことによる階調作用について以下に説明する。

【００３２】まず、凸部である突起部は階調ドメインの
発生ポイントを各画素で均一化する。突起電極部は他の
部分にくらべ液晶に対して直接強い電界が作用し、電界
印加時に明確に優先された応答をする。また突起部近傍
では微妙な分子配列の変化などが考えられ、特に電界を
トルクとして受け易いなどの効果が認められる。

【００３３】次にスペースに変化をつけたことによる階
調ガンマーの形成作用は上記突起部に優先された反転応
答のスペース部への伝播効果要因とともに画素全体に制
御されて印加される電界強度の勾配が重複した大きな要
因となる。すなわち電場印加によりスイングされた液晶
分子がドメインとしてラッチ（固定化）される過程にお
いて、上記突起部からの伝播効果の作用と、上記電界強
度の勾配の作用により前記突起電極間のスペースが小さ
い位置においては液晶分子はより反転作用を受け易く、
またスペースが大きい位置では、伝播作用の減少および
平均的な電界強度の低下により、反転作用が小さくな
る。この結果として、上記スペースの小さな部分が全体
として低電圧で反転ドメインとして固定化され、図４に
示す様に、画素内で面積的に制御された階調性のある反
転部分が形成される。

【００３４】さらに上記スペース変化および電界強度に
勾配をつけたことにより、与える駆動パルスの波高値、
パルス幅その他パルス波形を変調することによる階調制
御は、スムーズなガンマ特性を示す。これは、反転ドメ
イン面積の広がりがスペースの最も細かい部分からの伝
播効果を従属的に拾うことにより、段階的なスペースの
変化に対しても連続的な階調性を作り出しているからだ
と思われる。

【００３５】一方、前記従来例で説明した様な電位ドロ
ップによる電位勾配のムラに対しても、前記高抵抗膜上
に低抵抗のストライプ状突起を複数設けた構成により改
善される。

【００３６】図５点線は、従来の電位勾配構成で電位勾
配を与えるライン（例えば走査側）における給電部（端
部）付近と給電部から離れた部分（中心部）付近での電
位勾配値のムラを示すものである。このムラは図６で模
式的に示す様に低抵抗の給電ラインにも抵抗が存在し、
この抵抗と高抵抗膜中の抵抗の相互作用により電位の勾
配値が端部（図中Ａ−Ｄ間、Ｃ−Ｆ間）より中心部（Ｂ
−Ｅ間）で小さくなる現象であるが、本発明の上記スト
ライプ状突起１２を低抵抗なもので形成することによ
り、低抵抗の給電ラインからの距離ｘにおいても低抵抗
の複数独立したストライプ状突起が見かけの配線抵抗を
下げ、それぞれ等電位面を保持しようとする結果として
図５実線で示す様に電位勾配値のムラを改善するものと
考えられる。

【００３７】ここで表示素子として高速の駆動をするた
めの代表的なパルス巾をたとえば２０μｓｅｃ程度と考
えると、上記示した様な電位勾配とストライプ状突起に
よる階調作用が良好に発揮されるためには、前記高抵抗
膜の抵抗条件としては過大な電流が流れないためには１
０⁴ Ω／□程度以上、また、パルス巾内で所望の電位勾
配が達成されるために１０⁸ Ω／□程度以下が望まし
く、一方、低抵抗の給電電極としてはシート抵抗で１０
Ω／□以下、またストライプ状突起部の抵抗としても１
０⁴ Ω／□程度以下が望ましい。また上記ストライプ状
突起の高さとしては、配向の乱れを抑えるためには３０
００Å以下の高さで、好ましくは使用するセル厚の５％
ないし１５％程度であるのが良い。１例として約１．５
μｍの平均セル厚を有するもので１５００Å程度の突起
高さは特性が良好であった。

【００３８】またストライプ突起部の幅としては、使用
する液晶セル厚よりも大きい範囲が良く好ましくは、２
ｕｍ〜１０ｕｍである。また、突起ストライプ長さとし
ては、最大のスペース幅より長く、さらに好ましくは、
一画素長さ程度、或は、一画素長さ以上で、例えば走査
電極の電極長全域で連続したものであってよい。

【００３９】上記凸部間のスペース幅としては、やは
り、セル厚程度以上もたせたほうが配向性の面で好まし
く、上限として２０ｕｍ程度の範囲で変化させたもので
あることで、諧調性に良好な効果をもたらす。

【００４０】図７は、典型的なＶ−Ｔ（電圧−透過率）
特性を示す。図中点線および一点鎖線で示すものは比較
例を示し、それぞれストライプ突起および電位勾配手段
のないフラットセルのＶ−Ｔカーブ、ストライプ状突起
を通常のＩＴＯ電極上に設け、電位勾配をもたせなかっ
た場合のＶ−Ｔカーブを示す。

【００４１】これに対し、本例で給電電極１０、１１に
それぞれ２Ｖ、０Ｖ（接地）の電位を与え電位勾配を与
えたものは実線グラフの様になった。

【００４２】次に本発明の別の実施態様である図２の
（ｂ）について説明する。

【００４３】図２の（ｂ）に示すものは構成的には図２
の（ａ）において示した給電電極が符号２０で示すもの
のみとし、電界強度の形成原理としては、高抵抗膜２２
を利用した給電電位の遅延伝達効果を液晶に印加される
電界強度の分布勾配として作用させるものである。

【００４４】本例での階調性への作用効果は前記（ａ）
における強制的な電位勾配付与によるものとほぼ同様に
考えられ、階調性としての結果も図７と類似のものが得
られた。

【００４５】図２の（ｃ）はさらに別の実施態様を示す
ものであり、電界強度の分布勾配をもたせるために下基
板の形状に、セル厚の勾配を付与したものである。符号
３０は通常のＩＴＯ等の低抵抗の電極である。

【００４６】前記従来例において、本実施態様の様にス
ペースの変化勾配をもつストライプ状突起部を設けない
場合においては、もし仮に、ガンマ値として１．５程度
得るためには、セル厚の勾配としてセル厚の最も広い部
分と狭い部分とで電界強度の逆数、すなわち上記広い部
分に対し３０％程度のセル厚の差異を形成しなくてはな
らないのに対し、本例では前記ストライプ状の突起によ
るしきい値の変化即ち階調作用が既にあることから全体
的なセル厚の勾配によるセル厚差異を小さくすることが
出来る。１例としては、上記ストライプ突起部の高さと
して１５００Å設ける場合、約１５００Åのセル厚差異
を設けることでも充分な階調性が得られた。なお、この
時セル間に配置するスペーサビーズの径は約１．４μｍ
のものを用いた。なお、本例ではテーパをもたせた基板
と、ストライプ状突起を設ける基板は互いに異なる基板
上であっても良い。この場合は画素の位置合わせに注意
を払ってパターン化、セル化を行なう。

【００４７】なお図２の（ｃ）において付与するストラ
イプ状突起１２は、ＩＴＯやＣｒなどの導電性の材質で
あっても、ＳｉＯ₂ 等の絶縁性の材質であっても効果を
もつが、導電性のものであって透明電極３０と実質導通
がとられていれば図示した給電点３３は、上記ストライ
プ状突起１２のいずれか１本（たとえば点線で示す給電
ラインの給電点３４）、または複数のものに接続されて
よい。

【００４８】以上の説明により、良好な階調特性を示す
ことが理解されようが、本発明では特に１画素にわたっ
た勾配を形成し、階調としては１方向へのドメインの面
積制御を特に意図したものとする。

【００４９】以下、いくつかの実施例について説明す
る。

【００５０】（実施例１）厚さ１．１ｍｍのガラス上に
レジストパターンを形成したのちＳｎＯ₂ 膜を酸素零囲
気中でのリアクティブスパッタ法により製膜し、リフト
オフにより図２の（ａ）で示す高抵抗膜１４のパターン
を約２００Åの膜厚で形成した。なお同じロットとして
同様にガラス上に形成した上記膜に金電極を櫛歯状に蒸
着しシート抵抗を測定したところほぼ１０⁷ Ω／□のも
のが得られていた。

【００５１】次に図２の（ａ）の給電電極１０、１１を
通常のＡｌのエッチング工程で約１０μｍ巾で形成した
後、さらに上記と同様リフトオフの手法によりストライ
プ状突起パターン１２を形成した。この時給電電極およ
びＩＴＯパターンの突起高さは約１２００Åであり突起
巾４μｍ、突起間スペースは前述同様２μｍから１０μ
ｍまで０．５μｍステップで変化の勾配をもたせたもの
とした。

【００５２】次に配向膜としてポリイミドＬＱ１８０２
をスピンコート（スピン条件溶媒に対し濃度０．９ｗｔ
％、２２００ｒ．ｐ．ｍ．２０秒）した後、乾燥焼成し
て約１００Åの膜厚として形成した。

【００５３】一方、図１の上基板にも同様に配向膜とし
てＬＱ１８０２を用い、上下基板をラビングしたのち、
約１．４μｍのシリカスペーサビーズを介してセル化し
た。ラビング方向としてはストライプ突部形成側はスト
ライプ長手方向にほぼ平行にし、一方、他方基板側は、
上記ストライプ方向から約−１０°ずらせた方向にし
た。上記セルにはＰｓが約７ｎＣ／ｃｍ² の強誘電性液
晶を注入した。

【００５４】上記セルの上記給電電極１０、１１に階調
書込み時には約２Ｖの差異をもつ様な走査電圧を印加
し、かつ書込み巾としては約２０μｓｅｃのパネル巾を
含む情報電圧を対向電極に印加する様な駆動波形で階調
駆動させたところ、前記図７実線で示す様な良好な階調
特性を得た。

【００５５】（実施例２）前記実施例１と同様の作製方
法で、前記図２の（ｂ）に示すセルを形成し、給電電極
２０に走査電圧、対向電極１９０３に階調情報電圧を印
加し、良好な階調特性を得た。

【００５６】（実施例３）上記実施例１、または２の給
電電極およびストライプ状突起部パターンを通常のフォ
トリソ（エッチング）工程により、ガラス基板上に、Ｃ
ｒ（クロム）で直接形成した。この時ストライプ巾は３
μｍとした。

【００５７】この後、導電性高分子材料として公知のポ
リアニリンの溶液を印刷塗工した後、１規定の希硫酸に
浸漬し、導電化工程を行なったのち乾燥し、約１０⁶ Ω
／□の約１００Åの皮膜を得た。

【００５８】一方、他方基板（上基板）上にも上記と同
様のポリアニリンの導電化膜を形成し、上下双方ともポ
リアニリン膜をストライプ突起長手方向にほぼ平行にラ
ビングを行なった。

【００５９】こののちロッシュ製強誘電性液晶ＳＢＦ６
４３０を注入し、約３０℃の温度環境下でＡＣ印加処理
（１０Ｈｚ、±１０Ｖ、約３分）を行なったのち、それ
ぞれ具体例１、具体例２と同様階調駆動したところ、良
好な階調性が得られた。

【００６０】（実施例４）図２の（ｃ）に示す下基板
（勾配形状３０）を、アクリル系ＵＶ硬化樹脂の金型原
型からガラス基板上への転写工程により形成した。この
後通常のフォトリソ工程でＩＴＯパターン３０を形成し
た後、リフトオフによりさらにストライプ状突起パター
ン１２を形成した。本例の基板のテーパ形状の段差は約
１５００Å、また、上記ストライプ状突起の段差も約１
５００Åとした。配向膜、液晶は実施例１と同じものを
用いた。

【００６１】本例においても前述同様良好な階調特性を
示した。

【００６２】図８に本実施例による液晶表示素子を有す
る画像表示装置の構成を示す。装置は、液晶表示素子と
しての５００×５００のマトリクスのパネル１８０１、
クロック１８０２、同期回路１８０３、及びシフトレジ
スタ１８０４、アナログスイッチ１８０５などからなる
走査波形発生器１８０６、及び例えばフレームメモリ１
８０７などからの映像情報を駆動信号に変換出力する情
報信号発生器１８０８とからなる。これらは実装上、マ
トリクス基板の上下の片側もしくは両側、左右の片側な
いしは両側に振り分けられて結合されても良い。中間調
信号としての情報信号波形の印加方法としては、階調情
報を付与する方法として通常考えられる電圧変調がある
が、本実施例においては特にカイラルスメクチックＣ相
の層方向への弾性伝播的に結合されるドメインを利用す
るため、その伝播時間を制御する意味でパルス幅変調、
位相変調などの駆動方式も有効である。

【００６３】

【発明の効果】以上説明したように、本発明によれば、
中間調表示の再現性を良好に保ち、所望の印加信号−透
過率特性（γ特性）を持つ中間調表示を行うことができ
る。また、素子の構成をさほど複雑にすることなく、良
好な中間調表示を、より高速、高階調数、高精細なもの
として行うことができる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明による液晶素子の構成を説明する為の模
式図である。

【図２】本発明の代表的な３つの実施態様による液晶素
子の模式的断面図である。

【図３】電極上の位置とその電位との関係を示す線図で
ある。

【図４】本発明による液晶素子の諧調表示動作を説明す
る為のもので形成された反転ドメインを示す模式図であ
る。

【図５】従来の電位勾配法による電位変化を説明する為
の模式図である。

【図６】電位変化の原理を説明する為の電極の等価回路
図である。

【図７】液晶素子の印加電圧と透過率との関係を示す線
図である。

【図８】本発明による液晶素子を用いた表示装置のブロ
ック図である。

フロントページの続き (72)発明者柴田雅章東京都大田区下丸子３丁目30番２号キヤノン株式会社内 (72)発明者岡田伸二郎東京都大田区下丸子３丁目30番２号キヤノン株式会社内

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】一対の電極間に液晶を挟持した液晶素子
であって、該電極の少なくとも一方の電極上には、他方
の電極との交差部で形成される画素内において、異なる
スペースをなして形成された複数のストライプ状凸部を
有し、該凸部間のスペースの変化は画素内で勾配をなす
ように形成し、かつ上記スペースの変化の勾配に沿っ
て、上記液晶に作用する電界強度の分布勾配が形成され
る手段を構成したことを特徴とする液晶素子。
【請求項２】上記スペースの変化は、一画素にわたっ
て勾配をなすことを特徴とする請求項１に記載の液晶素
子。
【請求項３】上記ストライプ状凸部は使用するセル厚
の５ないし１５％の高さを有することを特徴とする請求
項１に記載の液晶素子。
【請求項４】一対の電極間に液晶を挟持した液晶素子
であって、該電極の少なくとも一方は、給電される第１
の低抵抗のストライプ状電極と他方の電極との交差部で
形成される一画素内において、互いにその間隔が異なる
様に複数独立形成された第２のストライプ状の電極とを
有し、かつ上記第１および第２のストライプ状の電極間
は１０⁴ Ω／□以上１０⁸ Ω／□以下のシート抵抗を有
する膜とからなることを特徴とする液晶素子。
【請求項５】上記間隔の変化は一画素にわたって勾配
をなすことを特徴とする請求項４に記載の液晶素子。
【請求項６】上記ストライプ状電極は使用するセル厚
の５ないし１５％の高さの凸部を形成することを特徴と
する請求項４に記載の液晶素子。
【請求項７】一対の電極間に液晶を挟持した液晶素子
であって、該電極の少なくとも一方の電極上には、他方
の電極との交差部で形成される画素内において異なるス
ペースをなして形成された複数のストライプ状凸部を有
し、該凸部間のスペースの変化は画素内で勾配をなすよ
うに形成し、かつ上記スペースの変化の勾配に沿って、
上記一対の電極基体の電極間距離に勾配を設けたことを
特徴とする液晶素子。
【請求項８】上記スペースの変化は一画素にわたって
勾配をなす様に形成したことを特徴とする請求項７に記
載の液晶素子。