JPH06102485A - 強誘電性液晶表示素子 - Google Patents
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Abstract
(57)【要約】
【構成】 １画素内にセル厚勾配を設け、且つ該セル厚
勾配の方向に画素を分割して複数の副画素で１画素を構
成し、１副画素を除いて他の副画素においては、ドメイ
ンウォール間の距離をある一定値を下回らないように制
御して階調表示を行う強誘電性液晶表示素子。 【効果】 ドメインウォールの結合等による階調表示の
乱れが抑えられ、精度の高い階調表示を行なうことがで
きる。
勾配の方向に画素を分割して複数の副画素で１画素を構
成し、１副画素を除いて他の副画素においては、ドメイ
ンウォール間の距離をある一定値を下回らないように制
御して階調表示を行う強誘電性液晶表示素子。 【効果】 ドメインウォールの結合等による階調表示の
乱れが抑えられ、精度の高い階調表示を行なうことがで
きる。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、強誘電性液晶（ＦＬ
Ｃ）を用いた表示素子に関し、特にマトリクス駆動方式
で階調表示を行う液晶表示素子に関する。
Ｃ）を用いた表示素子に関し、特にマトリクス駆動方式
で階調表示を行う液晶表示素子に関する。
【０００２】
【従来の技術】強誘電性液晶（ＦＬＣ）を用いた表示素
子に関しては特開昭６１−９４０２３号公報等に記載さ
れているように、透明電極を形成し配向処理を施した２
枚のガラス基板を、透明電極が内面になるように１〜３
μｍ程度のセルギャップを保って構成した液晶セルに、
強誘電性液晶を注入したものが知られている。
子に関しては特開昭６１−９４０２３号公報等に記載さ
れているように、透明電極を形成し配向処理を施した２
枚のガラス基板を、透明電極が内面になるように１〜３
μｍ程度のセルギャップを保って構成した液晶セルに、
強誘電性液晶を注入したものが知られている。
【０００３】強誘電性液晶を用いた上記表示素子の特徴
は、２つ有る。１つは、強誘電性液晶が自発分極を持つ
ことにより外部電界と自発分極の結合力とをスイッチン
グに利用できることであり、もう１つは、強誘電性液晶
分子の長軸方向が自発分極の向きと１対１に対応してい
るため外部電極の極性によってスイッチングできること
である。
は、２つ有る。１つは、強誘電性液晶が自発分極を持つ
ことにより外部電界と自発分極の結合力とをスイッチン
グに利用できることであり、もう１つは、強誘電性液晶
分子の長軸方向が自発分極の向きと１対１に対応してい
るため外部電極の極性によってスイッチングできること
である。
【０００４】強誘電性液晶は、一般にカイラル・スメク
ティック液晶（ＳｍＣ* ＳｍＨ*）を用いているので
バルク状態では液晶分子長軸がねじれた配向を示すが、
上述の１〜３μｍ程度のセルギャップを有するセル内に
注入した状態にすることにより、液晶分子長軸のねじれ
を解消できる。この現象については、ｐ２１３〜ｐ２３
４ Ｎ．Ａ．ＣＬＡＲＫ ｅｔ ａｌ．，ＭＣＬＣ，１
９８３，Ｖｏｌ ９４．等に記載されている。
ティック液晶（ＳｍＣ* ＳｍＨ*）を用いているので
バルク状態では液晶分子長軸がねじれた配向を示すが、
上述の１〜３μｍ程度のセルギャップを有するセル内に
注入した状態にすることにより、液晶分子長軸のねじれ
を解消できる。この現象については、ｐ２１３〜ｐ２３
４ Ｎ．Ａ．ＣＬＡＲＫ ｅｔ ａｌ．，ＭＣＬＣ，１
９８３，Ｖｏｌ ９４．等に記載されている。
【０００５】強誘電性液晶は、２つの安定状態を光透過
状態及び光遮断状態とし、主として２値（明・暗）の表
示素子として利用されているが、多値表示、即ち中間調
表示も可能である。中間調表示法の１つは、画素内の双
安定状態（光透過状態又は光遮断状態）の面積比を制御
することにより中間的な光透過状態を実現するものであ
る。上記のような階調表示方法（以下、面積変調法とい
う）について詳しく説明する。
状態及び光遮断状態とし、主として２値（明・暗）の表
示素子として利用されているが、多値表示、即ち中間調
表示も可能である。中間調表示法の１つは、画素内の双
安定状態（光透過状態又は光遮断状態）の面積比を制御
することにより中間的な光透過状態を実現するものであ
る。上記のような階調表示方法（以下、面積変調法とい
う）について詳しく説明する。
【０００６】図９は強誘電性液晶素子のスイッチングパ
ルス電圧Ｖと透過光量Ｉの関係を模式的に示した図であ
り、初め完全な光遮断（暗）状態にあった画素に一方極
性の単発パルスを印加した後の透過光量Ｉを、単発パル
スの電圧Ｖの関数としてプロットしたグラフである。パ
ルス電圧Ｖが閾値Ｖth以下の時（Ｖ＜Ｖth）透過光量は
変化せず、パルス印加後の透過状態は図１０（ｂ）のよ
うに印加前の状態を示す図１０（ａ）と変わらない。パ
ルス電圧Ｖが閾値を越えると（Ｖth＜Ｖ）画素内の一部
分が他方の安定状態、即ち図１０（ｃ）に示す光透過状
態に遷移し、全体として中間的な透過光量を示す。更に
パルス電圧Ｖが大きくなり、飽和値Ｖsat 以上（Ｖsat
＜Ｖ）になると、図１０（ｄ）に示すように画素全部が
光透過状態になるので光量は一定値に達する（飽和す
る）。
ルス電圧Ｖと透過光量Ｉの関係を模式的に示した図であ
り、初め完全な光遮断（暗）状態にあった画素に一方極
性の単発パルスを印加した後の透過光量Ｉを、単発パル
スの電圧Ｖの関数としてプロットしたグラフである。パ
ルス電圧Ｖが閾値Ｖth以下の時（Ｖ＜Ｖth）透過光量は
変化せず、パルス印加後の透過状態は図１０（ｂ）のよ
うに印加前の状態を示す図１０（ａ）と変わらない。パ
ルス電圧Ｖが閾値を越えると（Ｖth＜Ｖ）画素内の一部
分が他方の安定状態、即ち図１０（ｃ）に示す光透過状
態に遷移し、全体として中間的な透過光量を示す。更に
パルス電圧Ｖが大きくなり、飽和値Ｖsat 以上（Ｖsat
＜Ｖ）になると、図１０（ｄ）に示すように画素全部が
光透過状態になるので光量は一定値に達する（飽和す
る）。
【０００７】即ち、面積階調法は画素に印加する電圧
を、パルス電圧ＶがＶth＜Ｖ＜Ｖsatを満たすように制
御して、そのパルス電圧Ｖに対応した中間調を表示する
ものである。
を、パルス電圧ＶがＶth＜Ｖ＜Ｖsatを満たすように制
御して、そのパルス電圧Ｖに対応した中間調を表示する
ものである。
【０００８】しかし、上述のような単純な駆動方式を用
いると以下に述べるような問題を生じる場合がある。即
ち、図９に示した電圧−透過光量の関係がセル厚と温度
に依存するため、表示パネル内にセル厚分布や温度分布
があると、一定の電圧を持つパルス電圧の印加に対し
て、表示パネルの場所によって異なる階調が表示されて
しまう問題が生じる場合がある。
いると以下に述べるような問題を生じる場合がある。即
ち、図９に示した電圧−透過光量の関係がセル厚と温度
に依存するため、表示パネル内にセル厚分布や温度分布
があると、一定の電圧を持つパルス電圧の印加に対し
て、表示パネルの場所によって異なる階調が表示されて
しまう問題が生じる場合がある。
【０００９】図１１は、このことを説明するための図で
あり、図９と同じく、パルス電圧Ｖと透過光量Ｉとの関
係を示したグラフであるが、異なった温度における両者
の関係、即ち高温での関係を示す曲線Ｈと低温での関係
を示す曲線Ｌを示している。一般に、表示サイズが大き
いディスプレイでは同一パネル内に温度分布が生じてく
ることは珍しくない。従って、ある駆動電圧Ｖapによっ
て中間調を表示しようとしても、図１１に示すようにＩ
1 からＩ2 までの範囲にわたって同一パネル内での中間
調レベルがばらついてしまい、均一な階調表示状態を得
ることができなくなる場合がある。
あり、図９と同じく、パルス電圧Ｖと透過光量Ｉとの関
係を示したグラフであるが、異なった温度における両者
の関係、即ち高温での関係を示す曲線Ｈと低温での関係
を示す曲線Ｌを示している。一般に、表示サイズが大き
いディスプレイでは同一パネル内に温度分布が生じてく
ることは珍しくない。従って、ある駆動電圧Ｖapによっ
て中間調を表示しようとしても、図１１に示すようにＩ
1 からＩ2 までの範囲にわたって同一パネル内での中間
調レベルがばらついてしまい、均一な階調表示状態を得
ることができなくなる場合がある。
【００１０】以上のような問題を解決するために、本出
願人が先に提案した駆動法（以下４パルス法という）が
既に考え出されている。「４パルス法」は、本願図１
２，１３に示されている通り、１つのパネル内の同一走
査線上にあり、互いに異なる閾値を有する複数の画素す
べてに対して、複数のパルス（図１２パルスＡ、Ｂ、
Ｃ、Ｄ）を印加することにより、図１３に示すように最
終的には等しい光透過量を得るようにしたものである。
尚、図１２中Ｔ1 、Ｔ2 、Ｔ3 はパルス（Ｂ）、
（Ｃ）、（Ｄ）に同期して設定された選択時間である。
また、図１３中Ｑ0 、Ｑ0'、Ｑ1 、Ｑ2 、Ｑ3 は画素の
階調レベルを示し、Ｑ0 は黒（０％）、Ｑ0'は白（１０
０％）である。図１３中の画素は画素内に閾値分布を持
ち、図中左側から右側へ向かって（ＶthからＶsat へ向
かって）閾値が高くなっている。
願人が先に提案した駆動法（以下４パルス法という）が
既に考え出されている。「４パルス法」は、本願図１
２，１３に示されている通り、１つのパネル内の同一走
査線上にあり、互いに異なる閾値を有する複数の画素す
べてに対して、複数のパルス（図１２パルスＡ、Ｂ、
Ｃ、Ｄ）を印加することにより、図１３に示すように最
終的には等しい光透過量を得るようにしたものである。
尚、図１２中Ｔ1 、Ｔ2 、Ｔ3 はパルス（Ｂ）、
（Ｃ）、（Ｄ）に同期して設定された選択時間である。
また、図１３中Ｑ0 、Ｑ0'、Ｑ1 、Ｑ2 、Ｑ3 は画素の
階調レベルを示し、Ｑ0 は黒（０％）、Ｑ0'は白（１０
０％）である。図１３中の画素は画素内に閾値分布を持
ち、図中左側から右側へ向かって（ＶthからＶsat へ向
かって）閾値が高くなっている。
【００１１】さらに、本出願人は本発明に先立ち、画素
シフト法という駆動法を提案している。画素シフト法は
複数の走査信号線に同時に異なる走査信号を入力して、
選択することにより、複数の走査線にまたがった電界強
度の分布を作り、階調表示をする方式である。
シフト法という駆動法を提案している。画素シフト法は
複数の走査信号線に同時に異なる走査信号を入力して、
選択することにより、複数の走査線にまたがった電界強
度の分布を作り、階調表示をする方式である。
【００１２】この方法によれば、温度変化による閾値の
変動を、複数の走査線に渡って書き込み領域をシフトさ
せることによって吸収できる。
変動を、複数の走査線に渡って書き込み領域をシフトさ
せることによって吸収できる。
【００１３】このような駆動法（４パルス法、画素シフ
ト法）は、画素内で一様なしきい値分布があるときに有
効で、図４に示したようなセル厚勾配をもったセルにお
ける駆動に適したものであった。
ト法）は、画素内で一様なしきい値分布があるときに有
効で、図４に示したようなセル厚勾配をもったセルにお
ける駆動に適したものであった。
【００１４】
【発明が解決しようとする課題】画素内で、複数のドメ
インを形成して透過光量を制御することにより階調表示
を行う場合における問題点は、図２に示すように２つの
ドメインウォールがある距離ｄより接近すると、結合し
てしまうという現象があることである。図２（ａ）は、
画素内の特異な２点Ａ，Ｂで核が発生し、後ドメインウ
ォールが拡大してゆくプロセスの途中で、Ａ，Ｂより発
した２つのドメイン２１，２２のドメインウォール間の
距離がある値ｄより短くなると結合して（ａ２）のよう
になることを示している。この距離ｄは、配向膜の種類
（ポリイミド，ＳｉＯ斜方蒸着など）によっても異なる
し、セル厚によっても異なり、更には強誘電性液晶のＳ
ｍＣ* 相での層構造によっても異なる（例えば、シェブ
ロン型もしくはブックシェルフ型、クワジーブックシェ
ルフ型など）。しかしながら、およそドメインウォール
である限り、その配向に固有な距離である最小近接ドメ
イン距離ｄというものが存在する。そして、その距離未
満にあるドメインウォールの存在は非常に不安定で、配
向膜表面の微少な変化や、印加電圧ＯＦＦ時の反電場の
量によりその存在の有無が左右され、更に確率的なゆら
ぎも大きい。
インを形成して透過光量を制御することにより階調表示
を行う場合における問題点は、図２に示すように２つの
ドメインウォールがある距離ｄより接近すると、結合し
てしまうという現象があることである。図２（ａ）は、
画素内の特異な２点Ａ，Ｂで核が発生し、後ドメインウ
ォールが拡大してゆくプロセスの途中で、Ａ，Ｂより発
した２つのドメイン２１，２２のドメインウォール間の
距離がある値ｄより短くなると結合して（ａ２）のよう
になることを示している。この距離ｄは、配向膜の種類
（ポリイミド，ＳｉＯ斜方蒸着など）によっても異なる
し、セル厚によっても異なり、更には強誘電性液晶のＳ
ｍＣ* 相での層構造によっても異なる（例えば、シェブ
ロン型もしくはブックシェルフ型、クワジーブックシェ
ルフ型など）。しかしながら、およそドメインウォール
である限り、その配向に固有な距離である最小近接ドメ
イン距離ｄというものが存在する。そして、その距離未
満にあるドメインウォールの存在は非常に不安定で、配
向膜表面の微少な変化や、印加電圧ＯＦＦ時の反電場の
量によりその存在の有無が左右され、更に確率的なゆら
ぎも大きい。
【００１５】図２（ｂ）にはセル厚に勾配を設けたセル
において一次元的に成長したドメインウォールが、既存
のドメインウォールと結合する状況を示す。セル厚勾配
の場合には、画素内で、印加電界強度が分布を持ってい
るが、やはり、最小近接ドメイン距離ｄというものが定
義できる。従来例の説明の項で述べたように、階調駆動
方法として、４パルス法や、画素シフト法を用いる場合
においては画素内で、複数のドメインウォールが存在し
なくてはならない。
において一次元的に成長したドメインウォールが、既存
のドメインウォールと結合する状況を示す。セル厚勾配
の場合には、画素内で、印加電界強度が分布を持ってい
るが、やはり、最小近接ドメイン距離ｄというものが定
義できる。従来例の説明の項で述べたように、階調駆動
方法として、４パルス法や、画素シフト法を用いる場合
においては画素内で、複数のドメインウォールが存在し
なくてはならない。
【００１６】更に、その最小近接距離ｄが有限の大きさ
を持つと、その距離未満のドメインウォールの接近はで
きないために、階調表示の精度が悪くなってしまう。
を持つと、その距離未満のドメインウォールの接近はで
きないために、階調表示の精度が悪くなってしまう。
【００１７】図３を用いてこの点を説明する。図３にお
いて（ａ）は画素の断面図であり、セル厚が図中下から
上へと増大している。電圧Ｖを印加するとセル厚ｄ１の
部分が最も電界強度が弱くｄ２の部分が最も電界強度が
強い。このような画素に、例えば画素シフト法等で書き
込むと（ｂ）のように、同一画素内に２本のドメインウ
ォールを生じることがある。セル厚勾配を持つ方向の画
素の長さをｌとするとき、図３（ｂ）における画素の白
ドメインと黒ドメインの比率は、白ドメインのセル厚勾
配方向の幅をｘとする時ｘ／ｌ×１００（％）と表わさ
れる。
いて（ａ）は画素の断面図であり、セル厚が図中下から
上へと増大している。電圧Ｖを印加するとセル厚ｄ１の
部分が最も電界強度が弱くｄ２の部分が最も電界強度が
強い。このような画素に、例えば画素シフト法等で書き
込むと（ｂ）のように、同一画素内に２本のドメインウ
ォールを生じることがある。セル厚勾配を持つ方向の画
素の長さをｌとするとき、図３（ｂ）における画素の白
ドメインと黒ドメインの比率は、白ドメインのセル厚勾
配方向の幅をｘとする時ｘ／ｌ×１００（％）と表わさ
れる。
【００１８】この画素内反転比率（白ドメインと黒ドメ
インの比率）で階調表示を行うとすると、（ｂ）におけ
る２つのドメインウォール２１と２２を電圧により制御
しようとすれば、２つのドメインウォール間隔が、不安
定であってはならない。しかしながら、（ｃ）に示した
ように、２つのドメインウォールがある距離ｄ以下に近
づくと、その存在は非常に不安定になり安定的な階調駆
動ができない。（ｃ）の限界距離をｄとするとこの画素
における階調表示の最小単位は、このｄによって制約さ
れ、階調段数としてはｌ／ｄ階調しか表示できない。強
誘電性液晶のドメインウォールの混在による階調表示に
はこのような問題点があった。
インの比率）で階調表示を行うとすると、（ｂ）におけ
る２つのドメインウォール２１と２２を電圧により制御
しようとすれば、２つのドメインウォール間隔が、不安
定であってはならない。しかしながら、（ｃ）に示した
ように、２つのドメインウォールがある距離ｄ以下に近
づくと、その存在は非常に不安定になり安定的な階調駆
動ができない。（ｃ）の限界距離をｄとするとこの画素
における階調表示の最小単位は、このｄによって制約さ
れ、階調段数としてはｌ／ｄ階調しか表示できない。強
誘電性液晶のドメインウォールの混在による階調表示に
はこのような問題点があった。
【００１９】
【課題を解決するための手段】上記のような問題点を解
決するために、１つの画素を構成する電極を分割して駆
動する方式を提案した。
決するために、１つの画素を構成する電極を分割して駆
動する方式を提案した。
【００２０】本願第１の発明は、対向配置した１対の電
極基板間に強誘電性液晶を挟持し、上下電極の交差部で
各画素を構成する液晶表示素子であって、各画素内に閾
値勾配を設け、且つ各画素の周囲に少なくとも一部に遮
光した電極部を設け該遮光電極部とそれにつながる画素
部との境界部にドメインウォールを形成しないことを特
徴とする強誘電性液晶表示素子であり、本願第２の発明
は、対向配置した１対の電極基板間に強誘電性液晶を挟
持し、上下電極の交差部で各画素を構成する液晶表示素
子であって、１画素が複数の副画素から構成され、１副
画素を除く他の副画素においてはドメインウォール間の
間隔が一定以上になるように電圧を印加することを特徴
とする強誘電性液晶表示素子であり、第３の発明は、対
向配置した１対の電極基板間に強誘電性液晶を挟持し、
上下電極の交差部で各画素を構成する液晶表示素子であ
って、各画素毎に凹凸を設けて１画素内に閾値勾配を設
け、該閾値勾配の方向に平行に１画素を複数の副画素に
分割し、電極幅が最小の副画素を除く他の副画素におい
てはドメインウォール間の間隔が一定以上になるように
電圧を印加することを特徴とする強誘電性液晶表示素子
である。上記第２及び第３の発明において、画素の周囲
の少なくとも一部に遮光した電極部を設け該遮光電極部
とそれにつながる画素部との境界にドメインウォールを
形成しないことが望ましい。また、第１及び第３の発明
においては、閾値勾配がセル厚勾配により設けられてい
ることが好ましい。また、第２の発明において、閾値勾
配の方向と平行な方向の電極幅が、閾値勾配の方向に垂
直な方向の電極幅よりも長いことが望ましい。
極基板間に強誘電性液晶を挟持し、上下電極の交差部で
各画素を構成する液晶表示素子であって、各画素内に閾
値勾配を設け、且つ各画素の周囲に少なくとも一部に遮
光した電極部を設け該遮光電極部とそれにつながる画素
部との境界部にドメインウォールを形成しないことを特
徴とする強誘電性液晶表示素子であり、本願第２の発明
は、対向配置した１対の電極基板間に強誘電性液晶を挟
持し、上下電極の交差部で各画素を構成する液晶表示素
子であって、１画素が複数の副画素から構成され、１副
画素を除く他の副画素においてはドメインウォール間の
間隔が一定以上になるように電圧を印加することを特徴
とする強誘電性液晶表示素子であり、第３の発明は、対
向配置した１対の電極基板間に強誘電性液晶を挟持し、
上下電極の交差部で各画素を構成する液晶表示素子であ
って、各画素毎に凹凸を設けて１画素内に閾値勾配を設
け、該閾値勾配の方向に平行に１画素を複数の副画素に
分割し、電極幅が最小の副画素を除く他の副画素におい
てはドメインウォール間の間隔が一定以上になるように
電圧を印加することを特徴とする強誘電性液晶表示素子
である。上記第２及び第３の発明において、画素の周囲
の少なくとも一部に遮光した電極部を設け該遮光電極部
とそれにつながる画素部との境界にドメインウォールを
形成しないことが望ましい。また、第１及び第３の発明
においては、閾値勾配がセル厚勾配により設けられてい
ることが好ましい。また、第２の発明において、閾値勾
配の方向と平行な方向の電極幅が、閾値勾配の方向に垂
直な方向の電極幅よりも長いことが望ましい。
【００２１】本発明は一次元的な閾値分布ないしは電界
強度の分布を、少なくとも局所的に持つものには応用で
きるが、以下の説明はセル厚分布を画素内に作る方式を
例に取って説明する。
強度の分布を、少なくとも局所的に持つものには応用で
きるが、以下の説明はセル厚分布を画素内に作る方式を
例に取って説明する。
【００２２】図４に画素電極の構成を示した。図４
（ｂ）は画素の平面図であり、図４（ａ）に、画素内の
セル厚分布を示してある。画素面積は勾配方向の長さを
ｌ，それと直交した方向の長さをｍとすると、ｌ×ｍで
ある。また、図中（ｄ）はドメインウォールが接近でき
る最近接距離である。このような画素を（ｄ）に示した
ような分割した電極で構成する。（ｃ）には画素内での
セル厚分布を示している。セル厚勾配方向の電極長さは
ｌであり、その直交方向の電極部分の和はｍ（ｏ＋ｎ＝
ｍ）である。従って、全電極面積としては（ｂ）も
（ｄ）も等しい。
（ｂ）は画素の平面図であり、図４（ａ）に、画素内の
セル厚分布を示してある。画素面積は勾配方向の長さを
ｌ，それと直交した方向の長さをｍとすると、ｌ×ｍで
ある。また、図中（ｄ）はドメインウォールが接近でき
る最近接距離である。このような画素を（ｄ）に示した
ような分割した電極で構成する。（ｃ）には画素内での
セル厚分布を示している。セル厚勾配方向の電極長さは
ｌであり、その直交方向の電極部分の和はｍ（ｏ＋ｎ＝
ｍ）である。従って、全電極面積としては（ｂ）も
（ｄ）も等しい。
【００２３】図４（ｄ）に示すように、１画素を２つの
副画素Ｓ１，Ｓ２で構成する。この副画素のセル厚勾配
方向とは直交方向の電極幅ｎとｍの関係はｎ×ｌ＝ｍ×
ｄという関係が望ましいが配向等によってはｄが非常に
小さな値を取るので、ｎ×ｌ＞ｍ×ｄという関係に取る
方が、プロセス上無理なく実現できるので好ましい。ま
た、ｎ×ｌ＜ｍ×ｄという関係の画素電極を複数個設け
ることも可能であるが、分割した画素電極の面積の和
は、ｍ×ｄ以上でなくてはならない。それは、図４にお
けるＳ１のように面積の大きい副画素上に、幅ｄ以下の
ドメインを形成しないためである。
副画素Ｓ１，Ｓ２で構成する。この副画素のセル厚勾配
方向とは直交方向の電極幅ｎとｍの関係はｎ×ｌ＝ｍ×
ｄという関係が望ましいが配向等によってはｄが非常に
小さな値を取るので、ｎ×ｌ＞ｍ×ｄという関係に取る
方が、プロセス上無理なく実現できるので好ましい。ま
た、ｎ×ｌ＜ｍ×ｄという関係の画素電極を複数個設け
ることも可能であるが、分割した画素電極の面積の和
は、ｍ×ｄ以上でなくてはならない。それは、図４にお
けるＳ１のように面積の大きい副画素上に、幅ｄ以下の
ドメインを形成しないためである。
【００２４】
【作用】次に図５を用いて、本発明の作用を説明する。
図５において（ａ１）〜（ａ４）は図４（ｂ）に相当す
る、従来の画素構成であり、（ｂ１）〜（ｂ４）は図４
（ｄ）に相当する。（ａ１）〜（ａ４）、（ｂ１）〜
（ｂ４）は、温度Ｔ１℃のときの画素の状態であり、
（ａ１）、（ｂ１）は８０％の透過率を表わし、（ａ
２）、（ｂ２）は５０％の透過率を表わし、（ａ３）、
（ｂ３）は３０％の透過率を表わす。（ａ４）、（ｂ
４）はｄ／ｌ×１００％以下の透過率を表わしている。
本図においては（ａ１）〜（ａ４）の画素に次走査ライ
ン上の画素が０％の時、画素シフト法で書き込んだ場合
の温度変動時（Ｔ１〜Ｔ２）のドメインの動きを示した
（Ｔ１℃＜Ｔ２℃）。
図５において（ａ１）〜（ａ４）は図４（ｂ）に相当す
る、従来の画素構成であり、（ｂ１）〜（ｂ４）は図４
（ｄ）に相当する。（ａ１）〜（ａ４）、（ｂ１）〜
（ｂ４）は、温度Ｔ１℃のときの画素の状態であり、
（ａ１）、（ｂ１）は８０％の透過率を表わし、（ａ
２）、（ｂ２）は５０％の透過率を表わし、（ａ３）、
（ｂ３）は３０％の透過率を表わす。（ａ４）、（ｂ
４）はｄ／ｌ×１００％以下の透過率を表わしている。
本図においては（ａ１）〜（ａ４）の画素に次走査ライ
ン上の画素が０％の時、画素シフト法で書き込んだ場合
の温度変動時（Ｔ１〜Ｔ２）のドメインの動きを示した
（Ｔ１℃＜Ｔ２℃）。
【００２５】（ａ４）の画素は、画素内ではドメインウ
ォールの最近接距離以下の幅のドメインを持っている。
しかし後述の実施例２に示すように、画素外の液晶分子
も反転できるような電極構成にすれば、上述のドメイン
の不安定性はない。しかし、このようなセルにおいて
も、セル全体ないしは当該画素の温度がＴ１℃からＴ２
℃に上昇した場合には次のような問題が起こる。
ォールの最近接距離以下の幅のドメインを持っている。
しかし後述の実施例２に示すように、画素外の液晶分子
も反転できるような電極構成にすれば、上述のドメイン
の不安定性はない。しかし、このようなセルにおいて
も、セル全体ないしは当該画素の温度がＴ１℃からＴ２
℃に上昇した場合には次のような問題が起こる。
【００２６】図５（ｃ１）〜（ｃ４）は図４の（ｂ）の
構成の画素で従来構成の画素を示す。（ｄ１）〜（ｄ
４）は本発明にかかる、図４（ｄ）に相当する画素であ
る。また（ｃ１）〜（ｃ４）、（ｄ１）〜（ｄ４）は、
前述した画素シフト法を用いて階調表示を行った時の温
度Ｔ２℃の時の画素の様子である。
構成の画素で従来構成の画素を示す。（ｄ１）〜（ｄ
４）は本発明にかかる、図４（ｄ）に相当する画素であ
る。また（ｃ１）〜（ｃ４）、（ｄ１）〜（ｄ４）は、
前述した画素シフト法を用いて階調表示を行った時の温
度Ｔ２℃の時の画素の様子である。
【００２７】図５（ｃ１）、（ｃ２）、（ｃ３）ではド
メインウォールの間隔は十分に離れているため、ドメイ
ンウォールの結合を生じないが、（ｃ４）に示すように
ドメインウォール間の距離が最近接距離ｄ未満の場合に
は画素によっては不確実なドメインウォールの結合を生
じる場合がある。このようなドメインウォールの不安定
性が階調表示にとって、望ましくないことは既に述べ
た。これを改善したのが（ｂ１）〜（ｂ４）（Ｔ１
℃），（ｄ１）〜（ｄ４）（Ｔ２℃）である。（ｂ１）
〜（ｂ４），（ｄ１）〜（ｄ４）のうち、（ｂ２），
（ｂ３），（ｄ２），（ｄ３）の階調表示においては、
従来例と比べて、画素が分割されている以上に特徴はな
いが、（ｂ１），（ｂ４），（ｄ１），（ｄ４）におい
ては各々の画素への書き込み方法が異なっている。
メインウォールの間隔は十分に離れているため、ドメイ
ンウォールの結合を生じないが、（ｃ４）に示すように
ドメインウォール間の距離が最近接距離ｄ未満の場合に
は画素によっては不確実なドメインウォールの結合を生
じる場合がある。このようなドメインウォールの不安定
性が階調表示にとって、望ましくないことは既に述べ
た。これを改善したのが（ｂ１）〜（ｂ４）（Ｔ１
℃），（ｄ１）〜（ｄ４）（Ｔ２℃）である。（ｂ１）
〜（ｂ４），（ｄ１）〜（ｄ４）のうち、（ｂ２），
（ｂ３），（ｄ２），（ｄ３）の階調表示においては、
従来例と比べて、画素が分割されている以上に特徴はな
いが、（ｂ１），（ｂ４），（ｄ１），（ｄ４）におい
ては各々の画素への書き込み方法が異なっている。
【００２８】図５において（ａ１）は黒ドメインが、
（ａ４）においては白ドメインが、最近接距離ｄ以下に
なっている。このような、階調表示をする場合において
は、（ｂ１），（ｂ４）に示すように図４（ｄ）で示し
た、Ｓ１画素を全部黒もしくは白にして、面積の小さな
Ｓ２画素を逆に白もしくは黒にする。これは、同一電極
内で、ドメイン間隔がｄを下回る状態を回避するためで
あり、副画素Ｓ２内に順次書き込んでゆくことによっ
て、ｄ／ｌ×１００％以下の階調表示も可能となる。最
後には、Ｓ２画素内に、最近接距離ｄ以下のドメインが
形成されるが、その部分の不安定性が画素全体の階調表
示に及ぼす影響は従来例に比べて著しく減少している。
そのことを、Ｔ２℃のときの画素状態である（ｃ１）〜
（ｃ４），（ｄ１）〜（ｄ４）を用いて説明する。
（ａ４）においては白ドメインが、最近接距離ｄ以下に
なっている。このような、階調表示をする場合において
は、（ｂ１），（ｂ４）に示すように図４（ｄ）で示し
た、Ｓ１画素を全部黒もしくは白にして、面積の小さな
Ｓ２画素を逆に白もしくは黒にする。これは、同一電極
内で、ドメイン間隔がｄを下回る状態を回避するためで
あり、副画素Ｓ２内に順次書き込んでゆくことによっ
て、ｄ／ｌ×１００％以下の階調表示も可能となる。最
後には、Ｓ２画素内に、最近接距離ｄ以下のドメインが
形成されるが、その部分の不安定性が画素全体の階調表
示に及ぼす影響は従来例に比べて著しく減少している。
そのことを、Ｔ２℃のときの画素状態である（ｃ１）〜
（ｃ４），（ｄ１）〜（ｄ４）を用いて説明する。
【００２９】画素シフト法により駆動すると、温度上昇
に伴い、画素電極上をドメインウォールが移動する事態
が起こる。この時、従来例によると（ｃ４）に示したよ
うに、ドメインウォールの結合が生じてしまう。しかる
に本発明によれば、Ｔ１℃で、ｂ１，ｂ４のように書き
込んでおく（Ｓ１電極上に最近接距離ｄ以下のドメイン
幅を作らない）ことにより、温度変動によっても、（ｄ
１），（ｄ４）に示したように、Ｓ１電極上にドメイン
ウォールがなくなり、Ｓ２電極上に最近接距離ｄ以上の
幅のドメインウォールができるのでドメインウォールの
結合は発生しない。
に伴い、画素電極上をドメインウォールが移動する事態
が起こる。この時、従来例によると（ｃ４）に示したよ
うに、ドメインウォールの結合が生じてしまう。しかる
に本発明によれば、Ｔ１℃で、ｂ１，ｂ４のように書き
込んでおく（Ｓ１電極上に最近接距離ｄ以下のドメイン
幅を作らない）ことにより、温度変動によっても、（ｄ
１），（ｄ４）に示したように、Ｓ１電極上にドメイン
ウォールがなくなり、Ｓ２電極上に最近接距離ｄ以上の
幅のドメインウォールができるのでドメインウォールの
結合は発生しない。
【００３０】しかしながら、Ｓ２電極上へ書き込み濃度
を増していくとついには、最近接距離ｄ以下のドメイン
が形成されてしまい、それが階調表示の精度を決定す
る。しかしこの時の精度は従来例に比べて大巾に改善さ
れている。
を増していくとついには、最近接距離ｄ以下のドメイン
が形成されてしまい、それが階調表示の精度を決定す
る。しかしこの時の精度は従来例に比べて大巾に改善さ
れている。
【００３１】従来例によれば、最近接距離をｄ、セル厚
勾配方向の電極長さをｌとすると、ｄ／ｌ×１００％が
最小階調単位となる。
勾配方向の電極長さをｌとすると、ｄ／ｌ×１００％が
最小階調単位となる。
【００３２】しかし、本発明によれば、図４（ｄ）を参
照して画素電極Ｓ２上に、できた幅ｄのドメインの面積
の全体に占める割合は ｄ・ｎ／（（ｏ＋ｒ）・ｌ）＝（ｄ・ｎ）／（ｍ・ｌ） であり、階調表示の最小単位はｄｎ／ｍｌ×１００％と
なる。これは従来例のｄ／ｌ×１００％に比べると、ｎ
／ｍになっている。
照して画素電極Ｓ２上に、できた幅ｄのドメインの面積
の全体に占める割合は ｄ・ｎ／（（ｏ＋ｒ）・ｌ）＝（ｄ・ｎ）／（ｍ・ｌ） であり、階調表示の最小単位はｄｎ／ｍｌ×１００％と
なる。これは従来例のｄ／ｌ×１００％に比べると、ｎ
／ｍになっている。
【００３３】次に実施例によって、具体的な効果を検証
する。
する。
【００３４】
（実施例１）第１の実施例としては、図１に示したよう
に、１画素を６つの電極によって構成し、画素の長手方
向に、セル厚勾配を形成して液晶セルを作成した。図１
において６つの電極部は２０μｍ幅電極と、５０μｍ幅
電極を１組として、カラーフィルターを併設したもの
で、Ｒはカラーフィルタが赤のもの、Ｇは緑、Ｂは青を
示している。画素間は約１５μｍで、ＩＴＯ電極に接触
して、金属配線（Ｍｏ：１５００Å）がなされている。
このようにパターニング形成された電極基板上に、Ｔａ
2 Ｏ5 を約５００Å形成して、その上に、日立化成社製
のポリイミド系配向膜ＬＱ−１８０２を約２５０Åの厚
さで塗布焼成（２７０℃／１ｈｒ）した。この基板を、
図６（ａ）の情報信号側電極基板として用い、図７に示
した凹凸状の電極基板を図６（ｂ）の走査信号側電極基
板として図６中の点線のように、電極面を対向させて組
み合わせた。（ｄ１＝１．１μｍ，ｄ２＝１．６５μ
ｍ） 図７に示した凹凸基板は、ガラス基板上に、アクリル系
ＵＶ硬化樹脂を用いて図のような凹凸形状を金型からガ
ラス基板上に転写し、その上に、ＩＴＯ膜をスパッタリ
ングにより形成し、さらにＩＴＯを、畝に沿ってパター
ニングして後、図６（ａ）の基板同様に、ＬＱ−１８０
２の約２５０Å薄膜を形成した。ラビング方向は上下基
板で同一方向で且つ畝の法線に対し図６基板（ａ），
（ｂ）共に右側に８°傾けて行った。こうすることによ
り、上下基板間（どちらを上に見ても同じ）で、上基板
から下基板へ、右ネジ方向に１６°回転したラビング方
向を持たせた。使用した液晶は、表１に示したものを用
いた。
に、１画素を６つの電極によって構成し、画素の長手方
向に、セル厚勾配を形成して液晶セルを作成した。図１
において６つの電極部は２０μｍ幅電極と、５０μｍ幅
電極を１組として、カラーフィルターを併設したもの
で、Ｒはカラーフィルタが赤のもの、Ｇは緑、Ｂは青を
示している。画素間は約１５μｍで、ＩＴＯ電極に接触
して、金属配線（Ｍｏ：１５００Å）がなされている。
このようにパターニング形成された電極基板上に、Ｔａ
2 Ｏ5 を約５００Å形成して、その上に、日立化成社製
のポリイミド系配向膜ＬＱ−１８０２を約２５０Åの厚
さで塗布焼成（２７０℃／１ｈｒ）した。この基板を、
図６（ａ）の情報信号側電極基板として用い、図７に示
した凹凸状の電極基板を図６（ｂ）の走査信号側電極基
板として図６中の点線のように、電極面を対向させて組
み合わせた。（ｄ１＝１．１μｍ，ｄ２＝１．６５μ
ｍ） 図７に示した凹凸基板は、ガラス基板上に、アクリル系
ＵＶ硬化樹脂を用いて図のような凹凸形状を金型からガ
ラス基板上に転写し、その上に、ＩＴＯ膜をスパッタリ
ングにより形成し、さらにＩＴＯを、畝に沿ってパター
ニングして後、図６（ａ）の基板同様に、ＬＱ−１８０
２の約２５０Å薄膜を形成した。ラビング方向は上下基
板で同一方向で且つ畝の法線に対し図６基板（ａ），
（ｂ）共に右側に８°傾けて行った。こうすることによ
り、上下基板間（どちらを上に見ても同じ）で、上基板
から下基板へ、右ネジ方向に１６°回転したラビング方
向を持たせた。使用した液晶は、表１に示したものを用
いた。
【００３５】
【表１】 本実施例における構成においては最近接ドメイン間隔ｄ
は約２０μｍであり、従来例図５（ａ１）〜（ａ４）の
ような画素構成の場合には、階調表示の最小単位は （ｄ／ｌ）×１００＝（２０／３００）×１００＝６．
７％ であったのに比べ、本発明によると ｛（ｄ・ｎ）／（ｍ・ｌ）｝×１００＝｛（２０μｍ・
２０μｍ）／（２１０μｍ・３００μｍ）｝×１００＝
０．６３％ となって大巾に階調精度が改善されている。
は約２０μｍであり、従来例図５（ａ１）〜（ａ４）の
ような画素構成の場合には、階調表示の最小単位は （ｄ／ｌ）×１００＝（２０／３００）×１００＝６．
７％ であったのに比べ、本発明によると ｛（ｄ・ｎ）／（ｍ・ｌ）｝×１００＝｛（２０μｍ・
２０μｍ）／（２１０μｍ・３００μｍ）｝×１００＝
０．６３％ となって大巾に階調精度が改善されている。
【００３６】（実施例２）実施例１において説明した通
り、強誘電性液晶のドメイン間には、そのセル構成ない
しは配向状態に起因した、最小近接距離ｄというものが
存在する。図５（ｃ４）に示したような、同一電極上
に、２つのドメインウォールが存在し、且つその距離が
ｄ未満の場合にはドメインウォールの結合が顕著である
が、図５（ａ１）や（ａ４）に相当する場合でも図５
（ｃ４）のようなドメインウォールの結合（縮少）が生
じることがある。これは、画素外のドメインウォールが
図５（ａ１）の場合には白に、図５（ａ４）の場合には
黒になっているような場合である。このように画素内
に、ドメインウォールが１本しか存在しない場合でも画
素端からのドメインウォールの結合を防ぐために、図８
に示すように、画素外も反転する領域を設けることが本
実施例の趣旨である。
り、強誘電性液晶のドメイン間には、そのセル構成ない
しは配向状態に起因した、最小近接距離ｄというものが
存在する。図５（ｃ４）に示したような、同一電極上
に、２つのドメインウォールが存在し、且つその距離が
ｄ未満の場合にはドメインウォールの結合が顕著である
が、図５（ａ１）や（ａ４）に相当する場合でも図５
（ｃ４）のようなドメインウォールの結合（縮少）が生
じることがある。これは、画素外のドメインウォールが
図５（ａ１）の場合には白に、図５（ａ４）の場合には
黒になっているような場合である。このように画素内
に、ドメインウォールが１本しか存在しない場合でも画
素端からのドメインウォールの結合を防ぐために、図８
に示すように、画素外も反転する領域を設けることが本
実施例の趣旨である。
【００３７】図８において、８１は、基板に対して凹凸
な形状を有するＩＴＯ電極で、８２は８１に対向して設
けられたＩＴＯ電極である。８４はセル厚の厚い部分の
勾配方向の電極マージンであり、８３はセル厚の薄い部
分の電極８１のマージンである。このマージン部分も、
導体で形成されている（電極８１と８３，８４は、電気
的に結合されていて同電位）がＩＴＯ電極８３，８４は
遮光されていて、画像情報の表示には寄与しない。８５
のドメインウォールを形成する場合には、図中Ｘの幅に
渡って書き込みを行い、実際に表示されるのはＹ−Ｘの
部分である。ドメインの結合を完全に防ぐためには、Ｙ
の幅がドメインウォールの最近接距離ｄ以上であること
が望ましいが、ＩＴＯ電極８３，８４にはセル厚の勾配
が無い場合などはＹがｄ未満であっても効果があること
が確認できた。また、ＩＴＯ電極８３，８４にセル厚勾
配がある場合でも、Ｙがない場合に比べれば、Ｙ＜ｄで
あってもドメインウォールの安定性は大いに改善され
る。
な形状を有するＩＴＯ電極で、８２は８１に対向して設
けられたＩＴＯ電極である。８４はセル厚の厚い部分の
勾配方向の電極マージンであり、８３はセル厚の薄い部
分の電極８１のマージンである。このマージン部分も、
導体で形成されている（電極８１と８３，８４は、電気
的に結合されていて同電位）がＩＴＯ電極８３，８４は
遮光されていて、画像情報の表示には寄与しない。８５
のドメインウォールを形成する場合には、図中Ｘの幅に
渡って書き込みを行い、実際に表示されるのはＹ−Ｘの
部分である。ドメインの結合を完全に防ぐためには、Ｙ
の幅がドメインウォールの最近接距離ｄ以上であること
が望ましいが、ＩＴＯ電極８３，８４にはセル厚の勾配
が無い場合などはＹがｄ未満であっても効果があること
が確認できた。また、ＩＴＯ電極８３，８４にセル厚勾
配がある場合でも、Ｙがない場合に比べれば、Ｙ＜ｄで
あってもドメインウォールの安定性は大いに改善され
る。
【００３８】図８において、９０は、ガラス基板上にＣ
ｒ膜を蒸着して作った光遮光膜であり、ＩＴＯ電極８
３，８４の透過光を遮断する役割を持つ。ＩＴＯ電極８
３，８４は、ＩＴＯ電極８５上の画素内のドメインウォ
ールを安定化させるために設けられたもので、画像情報
の表示には寄与しないからである。図８において、Ｙ＝
２０μｍ，Ｌ＝３００μｍ、として遮光層９０の厚みは
約１０００Åとした。８９は、ＵＶ硬化性樹脂を用いて
金型による型取り方式で作形し、その上に、ＩＴＯ膜
（１４００Å）をスパッタリング法により形成、ＩＴＯ
膜上には、日立化成社製配向膜ＬＱ−１８０２を約６０
Åの膜厚で形成し、ラビングは、上下同一方向に行いそ
の方向は、セル厚の勾配方向と同一とした。セル厚はｄ
１＝１．６５μｍ，ｄ２＝１．１μｍとして使用した。
強誘電性液晶は、表１に示したものを使用した。
ｒ膜を蒸着して作った光遮光膜であり、ＩＴＯ電極８
３，８４の透過光を遮断する役割を持つ。ＩＴＯ電極８
３，８４は、ＩＴＯ電極８５上の画素内のドメインウォ
ールを安定化させるために設けられたもので、画像情報
の表示には寄与しないからである。図８において、Ｙ＝
２０μｍ，Ｌ＝３００μｍ、として遮光層９０の厚みは
約１０００Åとした。８９は、ＵＶ硬化性樹脂を用いて
金型による型取り方式で作形し、その上に、ＩＴＯ膜
（１４００Å）をスパッタリング法により形成、ＩＴＯ
膜上には、日立化成社製配向膜ＬＱ−１８０２を約６０
Åの膜厚で形成し、ラビングは、上下同一方向に行いそ
の方向は、セル厚の勾配方向と同一とした。セル厚はｄ
１＝１．６５μｍ，ｄ２＝１．１μｍとして使用した。
強誘電性液晶は、表１に示したものを使用した。
【００３９】（実施例３）第３の実施例において、図１
４に示したセル構成を実現した。図１４において、１４
１はガラス基板、１４２は金属配線であり、１４３はＩ
ＴＯ電極、１４４は配向膜である。１４５はＵＶ硬化樹
脂であり、１４６は金属配線である。１４７は表１に示
した、強誘電性液晶である。ラビング方向は、上下基板
とも同一方向で、その方向は図１４で右側から左側に向
けで行った。
４に示したセル構成を実現した。図１４において、１４
１はガラス基板、１４２は金属配線であり、１４３はＩ
ＴＯ電極、１４４は配向膜である。１４５はＵＶ硬化樹
脂であり、１４６は金属配線である。１４７は表１に示
した、強誘電性液晶である。ラビング方向は、上下基板
とも同一方向で、その方向は図１４で右側から左側に向
けで行った。
【００４０】本実施例では、セル厚勾配を持つ画素の勾
配側に金属配線を兼ねた遮光層を設けた。金属配線１４
２は、約５０００Åの膜厚を持ち、ＵＶ硬化樹脂１４６
は３０００Åの膜厚を持ち、金属はＭｏをスパッタによ
り形成、パターンエッチングして形成した。
配側に金属配線を兼ねた遮光層を設けた。金属配線１４
２は、約５０００Åの膜厚を持ち、ＵＶ硬化樹脂１４６
は３０００Åの膜厚を持ち、金属はＭｏをスパッタによ
り形成、パターンエッチングして形成した。
【００４１】金属配線１４２はその厚みに差を付けるこ
とで、配向を均一に行うことができる。金属配線１４６
は３０００Å程度以下が望ましく、金属配線１４２はＵ
Ｖ硬化樹脂１４５との段差が３０００Å以下になる厚さ
に形成することが、配向制御上望ましい。（ラビング処
理上のムラを防止できる）
とで、配向を均一に行うことができる。金属配線１４６
は３０００Å程度以下が望ましく、金属配線１４２はＵ
Ｖ硬化樹脂１４５との段差が３０００Å以下になる厚さ
に形成することが、配向制御上望ましい。（ラビング処
理上のムラを防止できる）
【００４２】
【発明の効果】以上説明してきたように、画素内に複数
のドメインウォールを形成して階調表示を行う場合にお
いて、ドメインウォール間隔がドメインウォールの結合
等の不安定性を生じる距離未満にならないように、副画
素を用いて、階調表示をすることで、良好な階調表示が
得られた。尚これはセル厚勾配法に限定されるものでは
ない。
のドメインウォールを形成して階調表示を行う場合にお
いて、ドメインウォール間隔がドメインウォールの結合
等の不安定性を生じる距離未満にならないように、副画
素を用いて、階調表示をすることで、良好な階調表示が
得られた。尚これはセル厚勾配法に限定されるものでは
ない。
【図１】本発明の実施例の画素構成を示す図である。
【図２】ドメインウォールの結合の説明図である。
【図３】画素シフト法等におけるドメインウォールの結
合の説明図である。
合の説明図である。
【図４】本発明の画素構成を示す図である。
【図５】本発明の作用の説明図である。
【図６】本発明の実施例の電極構成を示す図である。
【図７】本発明の実施例のセル厚勾配を示す図である。
【図８】本発明のその他の実施例を示す図である。
【図９】強誘電性液晶素子のスイッチングパルス電圧と
透過光量の関係を模式的に示した図である。
透過光量の関係を模式的に示した図である。
【図１０】パルス電圧による透過状態を示す図である。
【図１１】温度分布による閾値特性のズレの説明図であ
る。
る。
【図１２】４パルス法の説明図である。
【図１３】４パルス法の説明図である。
【図１４】本実施例のセル厚勾配を示す図である。
Claims (8)
- 【請求項１】 対向配置した１対の電極基板間に強誘電
性液晶を挟持し、上下電極の交差部で各画素を構成する
液晶表示素子であって、各画素内に閾値勾配を設け、且
つ各画素の周囲に少なくとも一部に遮光した電極部を設
け該遮光電極部とそれにつながる画素部との境界部にド
メインウォールを形成しないことを特徴とする強誘電性
液晶表示素子。 - 【請求項２】 閾値勾配がセル厚勾配により設けられて
いることを特徴とする請求項１記載の強誘電性液晶表示
素子。 - 【請求項３】 対向配置した１対の電極基板間に強誘電
性液晶を挟持し、上下電極の交差部で各画素を構成する
液晶表示素子であって、各画素が複数の副画素から構成
され、各画素において、１副画素を除く他の副画素にお
いてはドメインウォール間の間隔が一定以上になるよう
に電圧を印加することを特徴とする強誘電性液晶表示素
子。 - 【請求項４】 各画素の周囲の少なくとも一部に遮光し
た電極部を設け該遮光電極部とそれにつながる画素部と
の境界にドメインウォールを形成しないことを特徴とす
る請求項３記載の強誘電性液晶表示素子。 - 【請求項５】 対向配置した１対の電極基板間に強誘電
性液晶を挟持し、上下電極の交差部で各画素を構成する
液晶表示素子であって、各画素内に閾値勾配を設け、該
閾値勾配の方向に平行に各画素を複数の副画素に分割
し、電極幅が最小の副画素を除く他の副画素においては
ドメインウォール間の間隔が一定以上になるように電圧
を印加することを特徴とする強誘電性液晶表示素子。 - 【請求項６】 閾値勾配がセル厚勾配により設けられて
いることを特徴とする請求項５記載の強誘電性液晶表示
素子。 - 【請求項７】 各画素の周囲の少なくとも一部に遮光し
た電極部を設け該遮光電極部とそれにつながる画素部と
の境界にドメインウォールを形成しないことを特徴とす
る請求項５記載の強誘電性液晶表示素子。 - 【請求項８】 閾値勾配の方向と平行な方向の電極幅
が、閾値勾配の方向に垂直な方向の電極幅よりも長いこ
とを特徴とする請求項５記載の強誘電性液晶表示素子。
Priority Applications (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4274876A JPH06102485A (ja) | 1992-09-21 | 1992-09-21 | 強誘電性液晶表示素子 |
| US08/837,213 US5719651A (en) | 1992-09-21 | 1997-04-22 | Liquid crystal display device in which one subpixel has a dimension smaller than the minimum separation distance between domains |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4274876A JPH06102485A (ja) | 1992-09-21 | 1992-09-21 | 強誘電性液晶表示素子 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH06102485A true JPH06102485A (ja) | 1994-04-15 |
Family
ID=17547784
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP4274876A Withdrawn JPH06102485A (ja) | 1992-09-21 | 1992-09-21 | 強誘電性液晶表示素子 |
Country Status (2)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US5719651A (ja) |
| JP (1) | JPH06102485A (ja) |
Families Citing this family (10)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH07152017A (ja) * | 1993-11-30 | 1995-06-16 | Sony Corp | 液晶素子の駆動方法及びその液晶素子 |
| JP5061403B2 (ja) * | 1999-02-24 | 2012-10-31 | 株式会社デンソー | マトリクス型表示装置 |
| US6188457B1 (en) * | 1999-04-26 | 2001-02-13 | Industrial Technology Research Institute | Multi-domain liquid crystal display having bump structures which uneven height overlaid by a vertically aligned orientation layer |
| JP2001242828A (ja) * | 2000-02-25 | 2001-09-07 | Internatl Business Mach Corp <Ibm> | 多階調表現のための画像表示装置、液晶表示装置、および画像表示方法 |
| JP2001291594A (ja) | 2000-04-07 | 2001-10-19 | Canon Inc | 導電性液晶素子 |
| KR100840308B1 (ko) * | 2000-06-13 | 2008-06-20 | 삼성전자주식회사 | 도메인 크기가 최적화된 수직 배향 액정 표시 장치 |
| JP2003131615A (ja) * | 2001-10-30 | 2003-05-09 | Sharp Corp | プラズマディスプレイ装置及びその駆動方法 |
| US20050253789A1 (en) * | 2002-06-20 | 2005-11-17 | Hiroshi Ikeda | Display |
| US9318053B2 (en) * | 2005-07-04 | 2016-04-19 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device and driving method thereof |
| US20080018576A1 (en) * | 2006-07-23 | 2008-01-24 | Peter James Fricke | Display element having groups of individually turned-on steps |
Family Cites Families (10)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6194023A (ja) * | 1984-10-15 | 1986-05-12 | Canon Inc | 液晶素子 |
| US4712877A (en) * | 1985-01-18 | 1987-12-15 | Canon Kabushiki Kaisha | Ferroelectric display panel of varying thickness and driving method therefor |
| US5212575A (en) * | 1988-08-30 | 1993-05-18 | Canon Kabushiki Kaisha | Functional substrate for controlling pixels |
| JP2700903B2 (ja) * | 1988-09-30 | 1998-01-21 | シャープ株式会社 | 液晶表示装置 |
| NL9002011A (nl) * | 1990-09-13 | 1992-04-01 | Philips Nv | Weergeefinrichting. |
| JPH05150244A (ja) * | 1991-02-20 | 1993-06-18 | Canon Inc | 強誘電液晶素子 |
| US5103329A (en) * | 1991-04-19 | 1992-04-07 | University Of Colorado Foundation, Inc. | Surface stabilized ferroelectric liquid crystal switching using proximity effects |
| JP3029489B2 (ja) * | 1991-07-25 | 2000-04-04 | キヤノン株式会社 | 表示装置 |
| DE69225869T2 (de) * | 1991-11-19 | 1998-12-24 | Philips Electronics N.V., Eindhoven | Anzeigevorrichtung |
| US5309264A (en) * | 1992-04-30 | 1994-05-03 | International Business Machines Corporation | Liquid crystal displays having multi-domain cells |
-
1992
- 1992-09-21 JP JP4274876A patent/JPH06102485A/ja not_active Withdrawn
-
1997
- 1997-04-22 US US08/837,213 patent/US5719651A/en not_active Expired - Fee Related
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| US5719651A (en) | 1998-02-17 |
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|---|---|---|---|
| A300 | Application deemed to be withdrawn because no request for examination was validly filed |
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