JPH06302500A - 投影露光装置及びそれを用いた半導体素子の製造方法 - Google Patents
投影露光装置及びそれを用いた半導体素子の製造方法Info
- Publication number
- JPH06302500A JPH06302500A JP5111055A JP11105593A JPH06302500A JP H06302500 A JPH06302500 A JP H06302500A JP 5111055 A JP5111055 A JP 5111055A JP 11105593 A JP11105593 A JP 11105593A JP H06302500 A JPH06302500 A JP H06302500A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- exposed
- original plate
- wafer
- pattern
- rotation
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
Landscapes
- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
Abstract
(57)【要約】 （修正有）
【目的】 半導体素子製造においてレチクルとウエハー
との相対的な位置合わせを高精度に行うことができる投
影露光装置及びそれを用いた半導体素子の製造方法を得
ること。 【構成】 露光転写すべきパターンを有する原板と、該
原板のパターンを被露光体に投影する投影レンズ８と、
該原板と該被露光体とを相互に位置合わせする位置決め
手段と、該原板又は該被露光体を搭載したＸＹテーブル
４と、ＸＹ平面に平行な面内で回転可能な回転テーブル
５と、該原板又は該被露光体のＸＹ各方向の位置を検出
する位置検出手段と、該回転テーブルの回転変動成分を
Ｘ方向又は／及びＹ方向について計測する回転計測手段
と、該回転テーブル上と該ＸＹテーブル上に各々設けた
位置検出マークθＭ，ＸＹＭを検出するマーク検出手段
と、該マーク検出手段からの信号を用いて回転方向基準
原点を設定する原点設定手段とを有していること。
との相対的な位置合わせを高精度に行うことができる投
影露光装置及びそれを用いた半導体素子の製造方法を得
ること。 【構成】 露光転写すべきパターンを有する原板と、該
原板のパターンを被露光体に投影する投影レンズ８と、
該原板と該被露光体とを相互に位置合わせする位置決め
手段と、該原板又は該被露光体を搭載したＸＹテーブル
４と、ＸＹ平面に平行な面内で回転可能な回転テーブル
５と、該原板又は該被露光体のＸＹ各方向の位置を検出
する位置検出手段と、該回転テーブルの回転変動成分を
Ｘ方向又は／及びＹ方向について計測する回転計測手段
と、該回転テーブル上と該ＸＹテーブル上に各々設けた
位置検出マークθＭ，ＸＹＭを検出するマーク検出手段
と、該マーク検出手段からの信号を用いて回転方向基準
原点を設定する原点設定手段とを有していること。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は半導体素子製造用のウエ
ハ又は液晶表示パネル等の平板状物体にパターンを形成
する為の投影露光装置及びそれを用いた半導体素子の製
造方法に関し、特に半導体メモリや演算装置等の高密度
集積回路チップの製造の際に回路パターンの焼付を行う
べきウエハ等の被露光体の姿勢を適確に保持して高精度
な投影露光を行うことができるものである。又回路パタ
ーンが形成されているレチクルとウエハとの位置合わせ
を高精度に行うことができるようにしたものである。
ハ又は液晶表示パネル等の平板状物体にパターンを形成
する為の投影露光装置及びそれを用いた半導体素子の製
造方法に関し、特に半導体メモリや演算装置等の高密度
集積回路チップの製造の際に回路パターンの焼付を行う
べきウエハ等の被露光体の姿勢を適確に保持して高精度
な投影露光を行うことができるものである。又回路パタ
ーンが形成されているレチクルとウエハとの位置合わせ
を高精度に行うことができるようにしたものである。
【０００２】
【従来の技術】従来この種の投影露光装置、例えばレチ
クル上に描かれたパターンをウエハ上に投影するステッ
パ等の投影露光装置では、レチクルとウエハとの位置合
わせを行う機能が備えられており、それにより位置合わ
せを行った後に露光を行っていた。
クル上に描かれたパターンをウエハ上に投影するステッ
パ等の投影露光装置では、レチクルとウエハとの位置合
わせを行う機能が備えられており、それにより位置合わ
せを行った後に露光を行っていた。
【０００３】そしてこのような位置合わせは、一般的に
は投影すべきパターンが描かれたレチクル等の原板とウ
エハ等の被露光体とのズレ量を計測し、その結果に基づ
いて被露光体をレーザ干渉計による波長制御により移動
したり、又は原板と被露光体とを移動したりすることに
より行われていた。
は投影すべきパターンが描かれたレチクル等の原板とウ
エハ等の被露光体とのズレ量を計測し、その結果に基づ
いて被露光体をレーザ干渉計による波長制御により移動
したり、又は原板と被露光体とを移動したりすることに
より行われていた。
【０００４】そしてその装置（ウエハステージ）の位置
決めにはＸ，Ｙ軸に関してそれぞれレーザ光を利用して
測長を行うレーザ干渉計により位置決めを行い、又ヨー
イング（回転）変動成分検出用としてテーブルの１軸側
に平行に２本のレーザを２つのレーザ干渉計より入射し
ていた。この１組（２本）のレーザ光に基づく測定値に
よってＸＹ平面移動時のヨーイング変動成分検出と制御
を行っていた。
決めにはＸ，Ｙ軸に関してそれぞれレーザ光を利用して
測長を行うレーザ干渉計により位置決めを行い、又ヨー
イング（回転）変動成分検出用としてテーブルの１軸側
に平行に２本のレーザを２つのレーザ干渉計より入射し
ていた。この１組（２本）のレーザ光に基づく測定値に
よってＸＹ平面移動時のヨーイング変動成分検出と制御
を行っていた。
【０００５】しかしながら、このようなレーザ干渉計を
用いてＸＹθの位置決め制御を行う装置においてはレー
ザ干渉計をリセットした際に原点位置に復帰させる手段
がフォトＳＷや差動トランス等である為その再現精度
（特に回転方向）に問題があった。
用いてＸＹθの位置決め制御を行う装置においてはレー
ザ干渉計をリセットした際に原点位置に復帰させる手段
がフォトＳＷや差動トランス等である為その再現精度
（特に回転方向）に問題があった。
【０００６】その為リセット時や長期的な参照ミラー面
の変動分の補正として、レチクルとウエハステージ上に
設けられた基準マークの相対位置を計測して行ってい
た。その計測の手段としては公知の種々の方法、例えば
レチクルと基準マークを焼付光で直接計測する方法、又
はレチクルとウエハを第３の目（検出器）でそれぞれ計
測して行う方法、更にはレチクルのマークをウエハステ
ージ上に直接焼付けてその焼付パターンを第３の目で計
測する方法等を用いていた。
の変動分の補正として、レチクルとウエハステージ上に
設けられた基準マークの相対位置を計測して行ってい
た。その計測の手段としては公知の種々の方法、例えば
レチクルと基準マークを焼付光で直接計測する方法、又
はレチクルとウエハを第３の目（検出器）でそれぞれ計
測して行う方法、更にはレチクルのマークをウエハステ
ージ上に直接焼付けてその焼付パターンを第３の目で計
測する方法等を用いていた。
【０００７】特に露光光としてエキシマレーザからの光
を利用した、所謂エキシマステッパーのように投影レン
ズを通してマークを検出することが困難な装置ではレチ
クルを直接焼付けて計測・補正をしている。
を利用した、所謂エキシマステッパーのように投影レン
ズを通してマークを検出することが困難な装置ではレチ
クルを直接焼付けて計測・補正をしている。
【０００８】この他レーザ干渉計による位置検出・制御
を行う場合、周知のようにその光路上の温度・気圧変化
によって空気の屈折率（ＩＮＤＥＸ）が変化し、レーザ
干渉計の検出値に誤差が発生するという問題がある。そ
の為に従来の装置では温度・気圧をモニターしたり、基
準干渉計を設けてその変動をレーザ干渉計にフィードバ
ックするという手法を用いている。
を行う場合、周知のようにその光路上の温度・気圧変化
によって空気の屈折率（ＩＮＤＥＸ）が変化し、レーザ
干渉計の検出値に誤差が発生するという問題がある。そ
の為に従来の装置では温度・気圧をモニターしたり、基
準干渉計を設けてその変動をレーザ干渉計にフィードバ
ックするという手法を用いている。
【０００９】
【発明が解決しようとする課題】従来のレーザ干渉計を
利用して位置決めを行う装置ではレチクルパターンを直
接ウエハ面上に焼付けて計測・補正する際に、レーザ干
渉計のリセットと共に必ず補正用マークの入ったレチク
ルが必要であった。
利用して位置決めを行う装置ではレチクルパターンを直
接ウエハ面上に焼付けて計測・補正する際に、レーザ干
渉計のリセットと共に必ず補正用マークの入ったレチク
ルが必要であった。
【００１０】特にレチクルがセットされていない時等は
その回転原点補正に非常に時間を要してしまう等の問題
点があった。
その回転原点補正に非常に時間を要してしまう等の問題
点があった。
【００１１】本発明の第１の目的はレーザ干渉計のリセ
ット時の回転原点補正を自己診断により容易に行え、極
めて高い精度の安定した位置合わせ（アライメント）を
可能とし、レチクル面上のパターンをウエハ面上に高精
度に投影することができる投影露光装置及びそれを用い
た半導体素子の製造方法の提供にある。
ット時の回転原点補正を自己診断により容易に行え、極
めて高い精度の安定した位置合わせ（アライメント）を
可能とし、レチクル面上のパターンをウエハ面上に高精
度に投影することができる投影露光装置及びそれを用い
た半導体素子の製造方法の提供にある。
【００１２】又レーザ干渉計の設置位置や温度計の設置
位置に対しても現実的に光路上の全ての温度分布が常に
一定であることが難しくなっている。
位置に対しても現実的に光路上の全ての温度分布が常に
一定であることが難しくなっている。
【００１３】特にステップ方向がレーザ干渉計と離れる
シーケンスにおいてはレーザ干渉計の倍率変化がより顕
著に位置決め誤差となってくる。又ステッパーの１つの
要求要素として、その生産性が掲げられている。この生
産性を上げる為にウエハーステージ（ＸＹステージ）と
しては、ステージのステップ時間短縮を図ってきてい
る。
シーケンスにおいてはレーザ干渉計の倍率変化がより顕
著に位置決め誤差となってくる。又ステッパーの１つの
要求要素として、その生産性が掲げられている。この生
産性を上げる為にウエハーステージ（ＸＹステージ）と
しては、ステージのステップ時間短縮を図ってきてい
る。
【００１４】しかしながらステージの位置決め時間の短
縮も限られており、更には今後も機能追加による重量増
加も考えられ、生産性を上げることも位置合わせ精度の
向上と共に大きな問題点となってきている。
縮も限られており、更には今後も機能追加による重量増
加も考えられ、生産性を上げることも位置合わせ精度の
向上と共に大きな問題点となってきている。
【００１５】本発明の第２の目的は生産性が高く、かつ
温度や気圧等が短時間に変化しても、位置合わせ精度に
あまり影響されずにステージを高精度に移動させて、レ
チクルとウエハとの位置合わせを高精度に行い、レチク
ル面上のパターンをウエハ面上に高い解像力で投影する
ことのできる投影露光装置及びそれを用いた半導体素子
の製造方法の提供にある。
温度や気圧等が短時間に変化しても、位置合わせ精度に
あまり影響されずにステージを高精度に移動させて、レ
チクルとウエハとの位置合わせを高精度に行い、レチク
ル面上のパターンをウエハ面上に高い解像力で投影する
ことのできる投影露光装置及びそれを用いた半導体素子
の製造方法の提供にある。
【００１６】
【課題を解決するための手段】本発明の投影露光装置
は、 （１−１）露光転写すべきパターンを有する原板と、該
原板のパターンを被露光体に投影する投影レンズと、該
原板と該被露光体とを相互に位置合わせする位置決め手
段と、該原板又は該被露光体を搭載したＸＹテーブル
と、ＸＹ平面に平行な面内で回転可能な回転テーブル
と、該原板又は該被露光体のＸＹ各方向の位置を検出す
る位置検出手段と、該回転テーブルの回転変動成分をＸ
方向又は／及びＹ方向について計測する回転計測手段
と、該回転テーブル上と該ＸＹテーブル上に各々設けた
位置検出マークを検出するマーク検出手段と、該マーク
検出手段からの信号を用いて回転方向基準原点を設定す
る原点設定手段とを有していることを特徴としている。
は、 （１−１）露光転写すべきパターンを有する原板と、該
原板のパターンを被露光体に投影する投影レンズと、該
原板と該被露光体とを相互に位置合わせする位置決め手
段と、該原板又は該被露光体を搭載したＸＹテーブル
と、ＸＹ平面に平行な面内で回転可能な回転テーブル
と、該原板又は該被露光体のＸＹ各方向の位置を検出す
る位置検出手段と、該回転テーブルの回転変動成分をＸ
方向又は／及びＹ方向について計測する回転計測手段
と、該回転テーブル上と該ＸＹテーブル上に各々設けた
位置検出マークを検出するマーク検出手段と、該マーク
検出手段からの信号を用いて回転方向基準原点を設定す
る原点設定手段とを有していることを特徴としている。
【００１７】特に、前記ＸＹテーブルには複数の位置検
出マークが設けられていることや、前記マーク検出手段
が光学的顕微鏡又はレーザ走査型センサー又は肉眼観察
用顕微鏡観察装置、又は撮像手段とＴＶモニターを用い
た顕微鏡であること等を特徴としている。
出マークが設けられていることや、前記マーク検出手段
が光学的顕微鏡又はレーザ走査型センサー又は肉眼観察
用顕微鏡観察装置、又は撮像手段とＴＶモニターを用い
た顕微鏡であること等を特徴としている。
【００１８】（１−２）露光転写すべきパターンを有す
る原板と、該原板のパターンを被露光体に投影する投影
レンズと、該原板と該被露光体とを相互に位置合わせす
る位置決め手段と、該原板又は該被露光体を搭載したＸ
Ｙテーブルと、ＸＹ平面に平行な面内で回転可能な回転
テーブルと、該原板又は該被露光体のＸＹ各方向の位置
をレーザ干渉計を用いて検出する位置検出手段と、該被
露光体に該原板のパターンをステップ的に逐次露光して
いく際の該ＸＹテーブルのステップ移動をステップ時間
を短縮させる方向又は／及び該レーザ干渉計に対して遠
方から近方へと移動させる方向に制御する制御手段とを
有していることを特徴としている。
る原板と、該原板のパターンを被露光体に投影する投影
レンズと、該原板と該被露光体とを相互に位置合わせす
る位置決め手段と、該原板又は該被露光体を搭載したＸ
Ｙテーブルと、ＸＹ平面に平行な面内で回転可能な回転
テーブルと、該原板又は該被露光体のＸＹ各方向の位置
をレーザ干渉計を用いて検出する位置検出手段と、該被
露光体に該原板のパターンをステップ的に逐次露光して
いく際の該ＸＹテーブルのステップ移動をステップ時間
を短縮させる方向又は／及び該レーザ干渉計に対して遠
方から近方へと移動させる方向に制御する制御手段とを
有していることを特徴としている。
【００１９】特に、前記原板のＸ軸と前記ＸＹテーブル
のＸ軸とをＸＹ平面内の回転方向について所定角度のオ
フセットを持たせたことを特徴としている。
のＸ軸とをＸＹ平面内の回転方向について所定角度のオ
フセットを持たせたことを特徴としている。
【００２０】又本発明の半導体素子の製造方法として
は、 （１−３）レチクルとウエハとの相対的な位置検出を行
った後に該レチクル面上のパターンを投影レンズにより
該ウエハ面上に投影露光し、該ウエハを現像処理工程を
介して半導体素子を製造する際、該ウエハを載置するＸ
Ｙ平面内で回動する回転テーブルとＸＹテーブルに各々
設けた位置検出マークの位置情報を利用して該回転テー
ブルの回転方向基準原点を設定する工程を利用している
ことを特徴としている。
は、 （１−３）レチクルとウエハとの相対的な位置検出を行
った後に該レチクル面上のパターンを投影レンズにより
該ウエハ面上に投影露光し、該ウエハを現像処理工程を
介して半導体素子を製造する際、該ウエハを載置するＸ
Ｙ平面内で回動する回転テーブルとＸＹテーブルに各々
設けた位置検出マークの位置情報を利用して該回転テー
ブルの回転方向基準原点を設定する工程を利用している
ことを特徴としている。
【００２１】（１−４）レチクルとウエハとの相対的な
位置検出を行った後に該レチクル面上のパターンを投影
レンズにより該ウエハ面上にステップ的に逐次投影露光
し、その後、該ウエハを現像処理工程を介して半導体素
子を製造する際、該ウエハを載置しているＸＹテーブル
のステップ移動をステップ時間を短縮させる方向に移動
又は／及び該ＸＹテーブルの位置情報を検出するレーザ
干渉計に対して遠方から近方へと移動させるようにした
工程を利用していることを特徴としている。
位置検出を行った後に該レチクル面上のパターンを投影
レンズにより該ウエハ面上にステップ的に逐次投影露光
し、その後、該ウエハを現像処理工程を介して半導体素
子を製造する際、該ウエハを載置しているＸＹテーブル
のステップ移動をステップ時間を短縮させる方向に移動
又は／及び該ＸＹテーブルの位置情報を検出するレーザ
干渉計に対して遠方から近方へと移動させるようにした
工程を利用していることを特徴としている。
【００２２】
【実施例】図１は本発明の実施例１の要部概略図であ
る。図２〜図５は図１のテーブル（ＸＹテーブル，θ回
転テーブル）を上方から見た時の概略図である。
る。図２〜図５は図１のテーブル（ＸＹテーブル，θ回
転テーブル）を上方から見た時の概略図である。
【００２３】図中、９は露光転写すべきパターンを有す
る原板（レチクル）であり、露光照明系（不図示）から
の光束で照明されている。８は投影レンズであり、レチ
クル９面上のパターンをウエハーチャック１１上に載置
した被露光体としてのレジストが塗布されているウエハ
ーＷに投影露光している。そしてウエハーＷ面上のレジ
ストを公知の現像処理工程を介して、これにより半導体
素子を製造している。
る原板（レチクル）であり、露光照明系（不図示）から
の光束で照明されている。８は投影レンズであり、レチ
クル９面上のパターンをウエハーチャック１１上に載置
した被露光体としてのレジストが塗布されているウエハ
ーＷに投影露光している。そしてウエハーＷ面上のレジ
ストを公知の現像処理工程を介して、これにより半導体
素子を製造している。
【００２４】１ＸはＸ方向の測長を行うレーザ干渉計、
１ＹはＹ方向の測長を行うレーザ干渉計、２Ｙθはヨー
イング計測を行う為のレーザ干渉計である。３はミラー
（被測定面ＸＹ）でありθ回転テーブル５上に載置して
いる。
１ＹはＹ方向の測長を行うレーザ干渉計、２Ｙθはヨー
イング計測を行う為のレーザ干渉計である。３はミラー
（被測定面ＸＹ）でありθ回転テーブル５上に載置して
いる。
【００２５】θ回転テーブル５はＸＹテーブル（Ｘ，Ｙ
ステージ）４上に設置されている。６は回転駆動機構で
あり、圧電素子から成り、θ回転テーブル５を回動させ
ている。７ａ，７ｂは各々Ｘ，Ｙ駆動部（モーター）で
あり、ＸＹテーブル４を駆動している。
ステージ）４上に設置されている。６は回転駆動機構で
あり、圧電素子から成り、θ回転テーブル５を回動させ
ている。７ａ，７ｂは各々Ｘ，Ｙ駆動部（モーター）で
あり、ＸＹテーブル４を駆動している。
【００２６】１０は制御ボックスであり、駆動回路等を
含んでいる。θＭは回転テーブル５上の検出マーク、Ｘ
ＹＭはＸＹテーブル４上の検出マーク、１６はオフアク
シス顕微鏡である。
含んでいる。θＭは回転テーブル５上の検出マーク、Ｘ
ＹＭはＸＹテーブル４上の検出マーク、１６はオフアク
シス顕微鏡である。
【００２７】本実施例においてレーザ干渉計１，２ａ，
２ｂがリセットされると、回転駆動機構６が初期位置駆
動を行う。この状態でレーザ干渉計１，２ａ，２ｂの回
転方向についても初期化される為、その再現精度が問題
となってくる。
２ｂがリセットされると、回転駆動機構６が初期位置駆
動を行う。この状態でレーザ干渉計１，２ａ，２ｂの回
転方向についても初期化される為、その再現精度が問題
となってくる。
【００２８】本実施例ではＸＹテーブル４上に検出マー
クＸＹＭをθ回転テーブル５に検出マークθＭを設け、
これらの検出マークＸＹＭ，θＭをオフアクシス顕微鏡
１６で観察してＸＹテーブル４に対するθ回転テーブル
５の位置合わせを行うことで回転方向の正確な基準出し
（設定）を行っている。
クＸＹＭをθ回転テーブル５に検出マークθＭを設け、
これらの検出マークＸＹＭ，θＭをオフアクシス顕微鏡
１６で観察してＸＹテーブル４に対するθ回転テーブル
５の位置合わせを行うことで回転方向の正確な基準出し
（設定）を行っている。
【００２９】これらの各要素６，１０，１６等は原点設
定手段の一要素を構成している。
定手段の一要素を構成している。
【００３０】次に原点設定手段を用いてθ回転テーブル
５の回転方向の基準原点の設定（補正）について説明す
る。
５の回転方向の基準原点の設定（補正）について説明す
る。
【００３１】まず、図２及び図３がθ回転テーブル５の
Ｘ軸（Ｙ参照ミラー）とレチクル９のＸ軸とが合致した
状態であるとする。
Ｘ軸（Ｙ参照ミラー）とレチクル９のＸ軸とが合致した
状態であるとする。
【００３２】次にレーザ干渉計がリセットされて図４の
ようにθ回転機構内の原点スイッチによって角度θ1 の
誤差で復帰されたとする。
ようにθ回転機構内の原点スイッチによって角度θ1 の
誤差で復帰されたとする。
【００３３】図５は図４の拡大概略図であり、以後図５
を使用して原点補正について説明する。
を使用して原点補正について説明する。
【００３４】図５で原点復帰前がＡ点で角度θ1 の復帰
誤差が発生し、Ｂ点にきたとする。そうすると実際の回
転機構の回転中心による誤差でＸ方向の誤差ΔＸは、Δ
Ｘ＝ΔＸ1 ＋ΔＸ3 となる。
誤差が発生し、Ｂ点にきたとする。そうすると実際の回
転機構の回転中心による誤差でＸ方向の誤差ΔＸは、Δ
Ｘ＝ΔＸ1 ＋ΔＸ3 となる。
【００３５】又、ＸＹステージの４上の検出マークＸＹ
ＭはＸＹステージ４上で固定であるがミラー３の回転誤
差θ1 がのっている為、オフアクシス顕微鏡１６の位置
までＹ方向（Ｌ２）に移動するとＸ方向に新たにΔＸ2
という誤差が生じる。
ＭはＸＹステージ４上で固定であるがミラー３の回転誤
差θ1 がのっている為、オフアクシス顕微鏡１６の位置
までＹ方向（Ｌ２）に移動するとＸ方向に新たにΔＸ2
という誤差が生じる。
【００３６】これらのＸ方向の値をオフアクシス顕微鏡
１６による検出マークＸＹＭのズレ計測値及びそれぞれ
の検出マークを読んだＸＹステージ４のポジションの値
から算出する。実際の計測値として誤差ΔＸ3 はＸＹテ
ーブル４上の検出マークＸＹＭを読む際のΔＸ2 に含ま
れる。
１６による検出マークＸＹＭのズレ計測値及びそれぞれ
の検出マークを読んだＸＹステージ４のポジションの値
から算出する。実際の計測値として誤差ΔＸ3 はＸＹテ
ーブル４上の検出マークＸＹＭを読む際のΔＸ2 に含ま
れる。
【００３７】この誤差ΔＸ＝ΔＸ1 ＋ΔＸ2＋ΔＸ3 を
図５の寸法Ｌ４で除して角度θ1 を算出するのだが、こ
こで寸法Ｌについて説明する。
図５の寸法Ｌ４で除して角度θ1 を算出するのだが、こ
こで寸法Ｌについて説明する。
【００３８】ここで寸法Ｌ２についてはＸＹステージ４
のポジション及びオフアクシス計測値から算出する。寸
法Ｌ１＋Ｌ３については、予め測定しておくことが必要
となる。具体的にはオフアクシス顕微鏡１６下でウエハ
ーＷ上の任意のマーク（今回の検出マークでも良い）を
読んでおき、θ回転機構によりある角度（例えば２″）
回転させ、この時のオフアクシス計測値のＸ方向の変化
分から寸法Ｌ１＋Ｌ３を算出する。
のポジション及びオフアクシス計測値から算出する。寸
法Ｌ１＋Ｌ３については、予め測定しておくことが必要
となる。具体的にはオフアクシス顕微鏡１６下でウエハ
ーＷ上の任意のマーク（今回の検出マークでも良い）を
読んでおき、θ回転機構によりある角度（例えば２″）
回転させ、この時のオフアクシス計測値のＸ方向の変化
分から寸法Ｌ１＋Ｌ３を算出する。
【００３９】ここでＡ点とＢ点でのＹ方向（Ｌ方向）の
計測値については、原点誤差の角度θ1 が５″程度であ
り、十分無視できる値である。よって、 θ1 ＝tan （ΔＸ／Ｌ４） で算出できる。
計測値については、原点誤差の角度θ1 が５″程度であ
り、十分無視できる値である。よって、 θ1 ＝tan （ΔＸ／Ｌ４） で算出できる。
【００４０】次に図２（図３）のようにθ回転テーブル
５が正しくセットされた状態での角度θ0 （θ0 ＝tan
（ΔＸ0／Ｌ４））分を差し引いてθ回転テーブル５を
（θ1−θ0 ）だけ回転すれば容易に回転方向の基準出
しを行うことができる。
５が正しくセットされた状態での角度θ0 （θ0 ＝tan
（ΔＸ0／Ｌ４））分を差し引いてθ回転テーブル５を
（θ1−θ0 ）だけ回転すれば容易に回転方向の基準出
しを行うことができる。
【００４１】今回はＹ方向に検出マークを入れた場合に
ついて説明したが、Ｘ方向に検出マークを入れても良い
し、更にはＸＹ両方向に入れて平均しても良い。
ついて説明したが、Ｘ方向に検出マークを入れても良い
し、更にはＸＹ両方向に入れて平均しても良い。
【００４２】又この計測についてヨーイング制御をＯＦ
ＦかＯＮかはどちらでも良いが、ヨーイング制御をＯＮ
にすればガイドの精度の影響を受けずに測定することが
可能となる。
ＦかＯＮかはどちらでも良いが、ヨーイング制御をＯＮ
にすればガイドの精度の影響を受けずに測定することが
可能となる。
【００４３】図６は本発明の実施例２の要部概略図であ
る。図７は図６のステージを上方から見た時の概略図で
ある。
る。図７は図６のステージを上方から見た時の概略図で
ある。
【００４４】本実施例は図１の実施例１に比べてＸＹテ
ーブル４上に２つの検出マークＸＹＭ１，ＸＹＭ２を設
け、Ｘ方向の測長にレーザ干渉計１Ｘ、ヨーイング計測
を行う為のレーザ干渉計２Ｘθを設けている点が異なっ
ており、その他の構成は同じである。図６において図１
で示した要素と同一要素には同符番を付している。
ーブル４上に２つの検出マークＸＹＭ１，ＸＹＭ２を設
け、Ｘ方向の測長にレーザ干渉計１Ｘ、ヨーイング計測
を行う為のレーザ干渉計２Ｘθを設けている点が異なっ
ており、その他の構成は同じである。図６において図１
で示した要素と同一要素には同符番を付している。
【００４５】本実施例においては先の実施例１と同様に
レーザ干渉計のリセット後、ＸＹテーブル４とθ回転テ
ーブル５とが図７に示す状態になったとする。ここで仮
に検出マークθＭ１と検出マークθＭ２をオフアクシス
顕微鏡１６で読みにいったとする。検出マークθＭ１，
θＭ２と被測定用のミラー３との関係は角度θをいくら
廻しても変化しない為、常に同じ計測値を示すことにな
ってしまい、θ回転テーブル５上の検出マークθＭ１，
θＭ２だけでは意味がない。
レーザ干渉計のリセット後、ＸＹテーブル４とθ回転テ
ーブル５とが図７に示す状態になったとする。ここで仮
に検出マークθＭ１と検出マークθＭ２をオフアクシス
顕微鏡１６で読みにいったとする。検出マークθＭ１，
θＭ２と被測定用のミラー３との関係は角度θをいくら
廻しても変化しない為、常に同じ計測値を示すことにな
ってしまい、θ回転テーブル５上の検出マークθＭ１，
θＭ２だけでは意味がない。
【００４６】そこで図７の下段に示すようにＸＹテーブ
ル４上の検出マークＸＹＭ１と検出マークＸＹＭ２とを
ＸＹステージ４を駆動してオフアクシス顕微鏡１６下に
読みに行かせるとＸＹテーブル１４上の検出マークθＭ
１，θＭ２はミラー３との位置関係が変わっているため
にオフアクシス顕微鏡１６のＸＹマークθＭ１，θＭ２
の読み値に
ル４上の検出マークＸＹＭ１と検出マークＸＹＭ２とを
ＸＹステージ４を駆動してオフアクシス顕微鏡１６下に
読みに行かせるとＸＹテーブル１４上の検出マークθＭ
１，θＭ２はミラー３との位置関係が変わっているため
にオフアクシス顕微鏡１６のＸＹマークθＭ１，θＭ２
の読み値に
【００４７】
【数１】 この値ΔＹをＸＹステージ４のＸ方向の移動量で除して
あげれば角度θ１を求めることができる。
あげれば角度θ１を求めることができる。
【００４８】次にθ回転テーブル５が正しくセットされ
た状態の時に同様に計測した角度θ0 （θ0 ＝tan ΔＹ
0 ／Ｌ）差し引いて回転テーブル５を（θ1 −θ0 ）だ
け回転すれば容易に回転方向基準出しを行うことができ
る。
た状態の時に同様に計測した角度θ0 （θ0 ＝tan ΔＹ
0 ／Ｌ）差し引いて回転テーブル５を（θ1 −θ0 ）だ
け回転すれば容易に回転方向基準出しを行うことができ
る。
【００４９】これらの検出マークを計測している時にヨ
ーイング計測・制御をしていればガイド精度の影響を受
けずに測定することが可能となる。
ーイング計測・制御をしていればガイド精度の影響を受
けずに測定することが可能となる。
【００５０】今回はＸ方向に検出マークを入れた場合に
ついて説明したが、Ｙ方向に検出マークを入れても良い
し、更にはＸＹ両方向に入れても良い。
ついて説明したが、Ｙ方向に検出マークを入れても良い
し、更にはＸＹ両方向に入れても良い。
【００５１】以上説明したように実施例１，２によれば
レーザ干渉計のリセット時の回転原点の再現性誤差を焼
付光による直接露光等の手段でなく、自分自身の自動計
測により容易に補正することができる。
レーザ干渉計のリセット時の回転原点の再現性誤差を焼
付光による直接露光等の手段でなく、自分自身の自動計
測により容易に補正することができる。
【００５２】又計測時にヨーイング制御をＯＮにしてお
けば、ガイド部のヨーイング成分も加わることなく、計
測可能となる為極めて高い精度の回転補正が可能とな
る。
けば、ガイド部のヨーイング成分も加わることなく、計
測可能となる為極めて高い精度の回転補正が可能とな
る。
【００５３】図８は本発明の実施例３の要部概略図であ
る。同図において図１で示した要素と同一要素には同符
番を付している。
る。同図において図１で示した要素と同一要素には同符
番を付している。
【００５４】本実施例はレーザ干渉計を用いてステージ
の位置検出・制御を行う際にレーザ干渉計１Ｘ，１Ｙ，
２Ｙθの検出誤差の補正と並行してレチクル９とＸＹス
テージ４のＺ軸回りの回転方向位置関係を故意にオフセ
ットを持たせてセットし、ショットレイアウト及びステ
ップ移動する方向を規定してステップ時間の短縮（高生
産性）及び温度（気圧）変化の影響を少なくして精度の
向上を図っている。
の位置検出・制御を行う際にレーザ干渉計１Ｘ，１Ｙ，
２Ｙθの検出誤差の補正と並行してレチクル９とＸＹス
テージ４のＺ軸回りの回転方向位置関係を故意にオフセ
ットを持たせてセットし、ショットレイアウト及びステ
ップ移動する方向を規定してステップ時間の短縮（高生
産性）及び温度（気圧）変化の影響を少なくして精度の
向上を図っている。
【００５５】本実施例では各要素７ａ，７ｂ，１０等は
制御手段の一要素を構成している。
制御手段の一要素を構成している。
【００５６】次に本実施例の特徴について説明する。
【００５７】図９は従来のレチクルを転写するウエハー
面上のショット配列の一例の概略図である。図１０は本
発明に係るレチクルステージとＸＹステージのＸＹ平面
内のθ角度オフセットによるショット配列の一例の概略
図である。図１１と図１２は本発明に係るレーザ干渉計
の誤差低減の為のレーザ干渉計及びショット配列の説明
図である。
面上のショット配列の一例の概略図である。図１０は本
発明に係るレチクルステージとＸＹステージのＸＹ平面
内のθ角度オフセットによるショット配列の一例の概略
図である。図１１と図１２は本発明に係るレーザ干渉計
の誤差低減の為のレーザ干渉計及びショット配列の説明
図である。
【００５８】まず図８において、ステージの位置決め時
間の短縮化（高生産性）について述べる。
間の短縮化（高生産性）について述べる。
【００５９】ＸＹステージ４のＸ軸（及びＹ軸）に対し
てレチクル９のＸ軸（及びＹ軸）を角度θ1 というオフ
セットを持たせた構成とする。ここでは、仮に４５°の
オフセットを持たせた場合について説明する。
てレチクル９のＸ軸（及びＹ軸）を角度θ1 というオフ
セットを持たせた構成とする。ここでは、仮に４５°の
オフセットを持たせた場合について説明する。
【００６０】従来の投影露光装置では図９に示すように
ＸＹステージ４の走り（Ｘ軸及びＹ軸）とレチクル９の
Ｘ軸（及びＹ軸）を合致させて矢印の如くウエハーＷに
ステップ的にパターンを転写させていた。
ＸＹステージ４の走り（Ｘ軸及びＹ軸）とレチクル９の
Ｘ軸（及びＹ軸）を合致させて矢印の如くウエハーＷに
ステップ的にパターンを転写させていた。
【００６１】ここでは図に示すような配列及び順序でス
テップ露光していたとするとＸＹステージは各ショット
で少なくとも最低２０mmステップする位置決め時間が必
要となってくる。
テップ露光していたとするとＸＹステージは各ショット
で少なくとも最低２０mmステップする位置決め時間が必
要となってくる。
【００６２】これに対して本実施例では図１０に示すよ
うにレチクルとＸＹステージの軸にオフセット（ここで
は４５°）を持たせ図に示すようにショット配列もウエ
ハーＷのセット状態もオリフラ部Ｗ0 を４５度オフセッ
トを持たせて配置させている。
うにレチクルとＸＹステージの軸にオフセット（ここで
は４５°）を持たせ図に示すようにショット配列もウエ
ハーＷのセット状態もオリフラ部Ｗ0 を４５度オフセッ
トを持たせて配置させている。
【００６３】これによりＸＹステージのステップは例え
ば
ば
【００６４】
【数２】 のステップ量でよくなり、従来の隣接ショットのステッ
プ量の２０mm駆動と同様の目的が達せられ、位置決め時
間の大幅な短縮を図っている。
プ量の２０mm駆動と同様の目的が達せられ、位置決め時
間の大幅な短縮を図っている。
【００６５】次に本実施例においてレーザ干渉計の誤差
影響を低減させるステップ規定について述べる。
影響を低減させるステップ規定について述べる。
【００６６】図１１，図１２においてＸ方向は各行ごと
に方向が変わり、Ｙ方向については必ず一方向にステッ
プさせた場合のＹ方向の誤差について、Ａのショットか
らステップした場合（レーザ干渉計１Ｙ，２Ｙθに近づ
く方向）とＢのショットからステップした場合について
説明する。
に方向が変わり、Ｙ方向については必ず一方向にステッ
プさせた場合のＹ方向の誤差について、Ａのショットか
らステップした場合（レーザ干渉計１Ｙ，２Ｙθに近づ
く方向）とＢのショットからステップした場合について
説明する。
【００６７】今ステップ開始時の変動を０として、Ｙ方
向にステップすると共にレーザ干渉計の誤差が生じると
考える。そうすると倍率誤差ΔβはΔβ＝ＡＹ（Ａは係
数）となりレーザ干渉計の誤差もＹの関数として考えら
れる。
向にステップすると共にレーザ干渉計の誤差が生じると
考える。そうすると倍率誤差ΔβはΔβ＝ＡＹ（Ａは係
数）となりレーザ干渉計の誤差もＹの関数として考えら
れる。
【００６８】図１１及び図１２で初期位置をＡの場合Ｌ
＋１００、Ｂの場合Ｌとすると、Ａのショットから始ま
る場合の誤差δは概略δ＝（Ｌ＋１００−Ｙ）ＡＹと考
えられる。又Ｂの場合はδ＝（Ｌ＋Ｙ）ＡＹとなる。
＋１００、Ｂの場合Ｌとすると、Ａのショットから始ま
る場合の誤差δは概略δ＝（Ｌ＋１００−Ｙ）ＡＹと考
えられる。又Ｂの場合はδ＝（Ｌ＋Ｙ）ＡＹとなる。
【００６９】ここでＬを仮に１００mmとし、Ｙ方向が０
から１００mm変位したとすると、誤差の累積はＡの場合
は
から１００mm変位したとすると、誤差の累積はＡの場合
は
【００７０】
【数３】 となり、計算するとＡから出発した場合の方が誤差が小
さくなることが分かる。
さくなることが分かる。
【００７１】もっと単純な考え方として説明するとＹ方
向の移動量を１００mmとした際に０．１ppm のレーザ干
渉計の誤差が発生したとする（ここでもＬ＝１００mmと
する）。
向の移動量を１００mmとした際に０．１ppm のレーザ干
渉計の誤差が発生したとする（ここでもＬ＝１００mmと
する）。
【００７２】Ａが始点の場合、レーザ干渉計の光路が２
００mmの時が始点でこのときを０としレーザ干渉計の光
路が１００mmになった位置で０．１ppm の誤差であるか
らその誤差量は１００mm×０．１×１０-6で０．０１μ
ｍの位置誤差となる。
００mmの時が始点でこのときを０としレーザ干渉計の光
路が１００mmになった位置で０．１ppm の誤差であるか
らその誤差量は１００mm×０．１×１０-6で０．０１μ
ｍの位置誤差となる。
【００７３】ところが、Ｂが視点の場合はレーザ干渉計
の光路１００mmが０で２００mmの時に０．１ppm の誤差
となるので２００mm×０．１×１０-6で０．０２μｍの
位置誤差が発生することになってしまう。
の光路１００mmが０で２００mmの時に０．１ppm の誤差
となるので２００mm×０．１×１０-6で０．０２μｍの
位置誤差が発生することになってしまう。
【００７４】以上のことから本実施例ではステップする
方向はレーザ干渉計に近づく方向に規定されるほど有利
である為、図９ではＳ１から図１０ではＳ１（もしくは
（Ｓ１））からステップしている。
方向はレーザ干渉計に近づく方向に規定されるほど有利
である為、図９ではＳ１から図１０ではＳ１（もしくは
（Ｓ１））からステップしている。
【００７５】次に本実施例において位置決め時間の短縮
の他の方法について説明する。レチクルとＸＹステージ
のＺ軸廻り回転オフセットについて実施例３では４５°
で説明したが、これはＸステップ及びＹステップの移動
時間が同一の場合に有効である。
の他の方法について説明する。レチクルとＸＹステージ
のＺ軸廻り回転オフセットについて実施例３では４５°
で説明したが、これはＸステップ及びＹステップの移動
時間が同一の場合に有効である。
【００７６】例えばＸ方向とＹ方向のステップ位置決め
時間に差がある場合は位置決め時間の差に応じてθ回転
オフセットの値を決定させればよいことになる。
時間に差がある場合は位置決め時間の差に応じてθ回転
オフセットの値を決定させればよいことになる。
【００７７】つまりレチクルセットを１５°，３０°と
いった具合にし、ショット配列及びウエハーもその値に
応じて決定するのがよい。
いった具合にし、ショット配列及びウエハーもその値に
応じて決定するのがよい。
【００７８】又レーザ干渉計の誤差の影響を小さくする
他の方法として、図９の場合にはＸ方向についてはショ
ットＳ６からショットＳ７に移動するのではなく、ショ
ットＳ６からショットＳ１２へ行き、ショットＳ６に戻
ってくるステップ動作を行ってもよく、これによればス
ループット（生産性）を多少割り引けばレーザ干渉計の
誤差には有利となる。
他の方法として、図９の場合にはＸ方向についてはショ
ットＳ６からショットＳ７に移動するのではなく、ショ
ットＳ６からショットＳ１２へ行き、ショットＳ６に戻
ってくるステップ動作を行ってもよく、これによればス
ループット（生産性）を多少割り引けばレーザ干渉計の
誤差には有利となる。
【００７９】以上説明したように、本実施例３によれば
レチクルとＸＹステージのＺ軸廻りの回転方向位置にオ
フセットを持たせてショットレイアウト及びステップ移
動する方向を規定することによりステップ時間の短縮に
よる装置の高生産性及び温度（気圧）変化の影響を少な
くして位置合わせ精度を向上を図っている。
レチクルとＸＹステージのＺ軸廻りの回転方向位置にオ
フセットを持たせてショットレイアウト及びステップ移
動する方向を規定することによりステップ時間の短縮に
よる装置の高生産性及び温度（気圧）変化の影響を少な
くして位置合わせ精度を向上を図っている。
【００８０】次に上記説明した露光装置を利用した半導
体デバイスの製造方法の実施例を説明する。
体デバイスの製造方法の実施例を説明する。
【００８１】図１３は半導体デバイス（ＩＣやＬＳＩ等
の半導体チップ、或は液晶パネルやＣＣＤ等）の製造の
フローを示す。
の半導体チップ、或は液晶パネルやＣＣＤ等）の製造の
フローを示す。
【００８２】ステップ１（回路設計）では半導体デバイ
スの回路設計を行う。ステップ２（マスク製作）では設
計した回路パターンを形成したマスクを製作する。
スの回路設計を行う。ステップ２（マスク製作）では設
計した回路パターンを形成したマスクを製作する。
【００８３】一方ステップ３（ウエハー製造）ではシリ
コン等の材料を用いてウエハーを製造する。ステップ４
（ウエハープロセス）は前工程と呼ばれ、上記用意した
マスクとウエハーを用いてリソグラフィ技術によってウ
エハー上に実際の回路を形成する。
コン等の材料を用いてウエハーを製造する。ステップ４
（ウエハープロセス）は前工程と呼ばれ、上記用意した
マスクとウエハーを用いてリソグラフィ技術によってウ
エハー上に実際の回路を形成する。
【００８４】次のステップ５（組み立て）は後工程と呼
ばれ、ステップ４によって作製されたウエハーを用いて
半導体チップ化する工程であり、アッセンブリ工程（ダ
イシング、ボンディング）、パッケージング工程（チッ
プ封入）等の工程を含む。
ばれ、ステップ４によって作製されたウエハーを用いて
半導体チップ化する工程であり、アッセンブリ工程（ダ
イシング、ボンディング）、パッケージング工程（チッ
プ封入）等の工程を含む。
【００８５】ステップ６（検査）ではステップ５で作製
された半導体デバイスの動作確認テスト、耐久性テスト
等の検査を行う。こうした工程を経て半導体デバイスが
完成し、これが出荷（ステップ７）される。
された半導体デバイスの動作確認テスト、耐久性テスト
等の検査を行う。こうした工程を経て半導体デバイスが
完成し、これが出荷（ステップ７）される。
【００８６】図１４は上記ウエハープロセスの詳細なフ
ローを示す。ステップ１１（酸化）ではウエハーの表面
を酸化させる。ステップ１２（ＣＶＤ）ではウエハー表
面に絶縁膜を形成する。ステップ１３（電極形成）では
ウエハー上に電極を蒸着によって形成する。ステップ１
４（イオン打込み）ではウエハーにイオンを打ち込む。
ステップ１５（レジスト処理）ではウエハーに感光剤を
塗布する。
ローを示す。ステップ１１（酸化）ではウエハーの表面
を酸化させる。ステップ１２（ＣＶＤ）ではウエハー表
面に絶縁膜を形成する。ステップ１３（電極形成）では
ウエハー上に電極を蒸着によって形成する。ステップ１
４（イオン打込み）ではウエハーにイオンを打ち込む。
ステップ１５（レジスト処理）ではウエハーに感光剤を
塗布する。
【００８７】ステップ１６（露光）では上記説明した露
光装置によってマスクの回路パターンをウエハーに焼付
露光する。ステップ１７（現像）では露光したウエハー
を現像する。ステップ１８（エッチング）では現像した
レジスト像以外の部分を削り取る。ステップ１９（レジ
スト剥離）ではエッチングが済んで不要となったレジス
トを取り除く。
光装置によってマスクの回路パターンをウエハーに焼付
露光する。ステップ１７（現像）では露光したウエハー
を現像する。ステップ１８（エッチング）では現像した
レジスト像以外の部分を削り取る。ステップ１９（レジ
スト剥離）ではエッチングが済んで不要となったレジス
トを取り除く。
【００８８】これらのステップを繰り返し行うことによ
ってウエハー上に多重に回路パターンが形成される。
ってウエハー上に多重に回路パターンが形成される。
【００８９】本実施例の製造方法を用いれば、従来は製
造が難しかった高集積度の半導体デバイスを製造するこ
とができる。
造が難しかった高集積度の半導体デバイスを製造するこ
とができる。
【００９０】
【発明の効果】本発明によれば以上のように各要素を設
定することにより、 （２−１）レーザ干渉計のリセット時の回転原点補正を
自己診断により容易に行え、極めて高い精度の安定した
位置合わせ（アライメント）を可能とし、レチクル面上
のパターンをウエハ面上に高精度に投影することができ
る投影露光装置及びそれを用いた半導体素子の製造方法
を達成することができる。
定することにより、 （２−１）レーザ干渉計のリセット時の回転原点補正を
自己診断により容易に行え、極めて高い精度の安定した
位置合わせ（アライメント）を可能とし、レチクル面上
のパターンをウエハ面上に高精度に投影することができ
る投影露光装置及びそれを用いた半導体素子の製造方法
を達成することができる。
【００９１】（２−２）生産性が高く、かつ温度や気圧
等が短時間に変化しても、位置合わせ精度にあまり影響
されずにステージを高精度に移動させて、レチクルとウ
エハとの位置合わせを高精度に行い、レチクル面上のパ
ターンをウエハ面上に高い解像力で投影することのでき
る投影露光装置及びそれを用いた半導体素子の製造方法
を達成することができる。
等が短時間に変化しても、位置合わせ精度にあまり影響
されずにステージを高精度に移動させて、レチクルとウ
エハとの位置合わせを高精度に行い、レチクル面上のパ
ターンをウエハ面上に高い解像力で投影することのでき
る投影露光装置及びそれを用いた半導体素子の製造方法
を達成することができる。
【図１】 本発明の実施例１の要部概略図
【図２】 図１のテーブルを上方から見たときの概略
図
図
【図３】 図１のテーブルを上方から見たときの概略
図
図
【図４】 図１のテーブルを上方から見たときの概略
図
図
【図５】 図４の拡大説明図
【図６】 本発明の実施例２の要部概略図
【図７】 図６のテーブルを上方から見たときの概略
図
図
【図８】 本発明の実施例３の要部概略図
【図９】 従来のウエハー面上のショットレイアウト
の説明図
の説明図
【図１０】 本発明に係るウエハー面上のショットレイ
アウトの説明図
アウトの説明図
【図１１】 図８の一部分の説明図
【図１２】 図８の一部分の説明図
【図１３】 本発明の半導体デバイスの製造のフローチ
ャート
ャート
【図１４】 本発明の半導体デバイスの製造のフローチ
ャート
ャート
１Ｘ，１Ｙ，２Ｙθ レーザ干渉計 ３ ミラー ４ ＸＹテーブル ５ θ回転テーブル ６ 回転駆動機構 ７ａ，７ｂ ＸＹ駆動部 ８ 投影レンズ ９ レチクル Ｗ ウエハー １０ 制御部 θＭ，ＸＹＭ 検出マーク
Claims (7)
- 【請求項１】 露光転写すべきパターンを有する原板
と、該原板のパターンを被露光体に投影する投影レンズ
と、該原板と該被露光体とを相互に位置合わせする位置
決め手段と、該原板又は該被露光体を搭載したＸＹテー
ブルと、ＸＹ平面に平行な面内で回転可能な回転テーブ
ルと、該原板又は該被露光体のＸＹ各方向の位置を検出
する位置検出手段と、該回転テーブルの回転変動成分を
Ｘ方向又は／及びＹ方向について計測する回転計測手段
と、該回転テーブル上と該ＸＹテーブル上に各々設けた
位置検出マークを検出するマーク検出手段と、該マーク
検出手段からの信号を用いて回転方向基準原点を設定す
る原点設定手段とを有していることを特徴とする投影露
光装置。 - 【請求項２】 前記ＸＹテーブルには複数の位置検出マ
ークが設けられていることを特徴とする請求項１の投影
露光装置。 - 【請求項３】 前記マーク検出手段が光学的顕微鏡又は
レーザ走査型センサー又は肉眼観察用顕微鏡観察装置、
又は撮像手段とＴＶモニターを用いた顕微鏡であること
を特徴とする請求項１又は２の投影露光装置。 - 【請求項４】 露光転写すべきパターンを有する原板
と、該原板のパターンを被露光体に投影する投影レンズ
と、該原板と該被露光体とを相互に位置合わせする位置
決め手段と、該原板又は該被露光体を搭載したＸＹテー
ブルと、ＸＹ平面に平行な面内で回転可能な回転テーブ
ルと、該原板又は該被露光体のＸＹ各方向の位置をレー
ザ干渉計を用いて検出する位置検出手段と、該被露光体
に該原板のパターンをステップ的に逐次露光していく際
の該ＸＹテーブルのステップ移動をステップ時間を短縮
させる方向又は／及び該レーザ干渉計に対して遠方から
近方へと移動させる方向に制御する制御手段とを有して
いることを特徴とする投影露光装置。 - 【請求項５】 前記原板のＸ軸と前記ＸＹテーブルのＸ
軸とをＸＹ平面内の回転方向について所定角度のオフセ
ットを持たせたことを特徴とする請求項４の投影露光装
置。 - 【請求項６】 レチクルとウエハとの相対的な位置検出
を行った後に該レチクル面上のパターンを投影レンズに
より該ウエハ面上に投影露光し、該ウエハを現像処理工
程を介して半導体素子を製造する際、該ウエハを載置す
るＸＹ平面内で回動する回転テーブルとＸＹテーブルに
各々設けた位置検出マークの位置情報を利用して該回転
テーブルの回転方向基準原点を設定する工程を利用して
いることを特徴とする半導体素子の製造方法。 - 【請求項７】 レチクルとウエハとの相対的な位置検出
を行った後に該レチクル面上のパターンを投影レンズに
より該ウエハ面上にステップ的に逐次投影露光し、その
後、該ウエハを現像処理工程を介して半導体素子を製造
する際、該ウエハを載置しているＸＹテーブルのステッ
プ移動をステップ時間を短縮させる方向に移動又は／及
び該ＸＹテーブルの位置情報を検出するレーザ干渉計に
対して遠方から近方へと移動させるようにした工程を利
用していることを特徴とする半導体素子の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP11105593A JP3198718B2 (ja) | 1993-04-14 | 1993-04-14 | 投影露光装置及びそれを用いた半導体素子の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP11105593A JP3198718B2 (ja) | 1993-04-14 | 1993-04-14 | 投影露光装置及びそれを用いた半導体素子の製造方法 |
Related Child Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2000383587A Division JP2001203161A (ja) | 2000-12-18 | 2000-12-18 | 投影露光装置及びそれを用いた半導体素子の製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH06302500A true JPH06302500A (ja) | 1994-10-28 |
| JP3198718B2 JP3198718B2 (ja) | 2001-08-13 |
Family
ID=14551267
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP11105593A Expired - Fee Related JP3198718B2 (ja) | 1993-04-14 | 1993-04-14 | 投影露光装置及びそれを用いた半導体素子の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3198718B2 (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2002110531A (ja) * | 2000-10-03 | 2002-04-12 | Advantest Corp | 電子ビーム露光装置、露光方法、及び半導体素子製造方法 |
| KR100610651B1 (ko) * | 2000-02-10 | 2006-08-09 | 에이에스엠엘 네델란즈 비.브이. | 리소그래피 투영장치용 물체 위치결정방법 |
| JP2009074931A (ja) * | 2007-09-20 | 2009-04-09 | Sokkia Topcon Co Ltd | 二次元座標測定機 |
| CN102566286A (zh) * | 2010-12-16 | 2012-07-11 | 上海微电子装备有限公司 | 提高旋转台精度的方法 |
-
1993
- 1993-04-14 JP JP11105593A patent/JP3198718B2/ja not_active Expired - Fee Related
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100610651B1 (ko) * | 2000-02-10 | 2006-08-09 | 에이에스엠엘 네델란즈 비.브이. | 리소그래피 투영장치용 물체 위치결정방법 |
| JP2002110531A (ja) * | 2000-10-03 | 2002-04-12 | Advantest Corp | 電子ビーム露光装置、露光方法、及び半導体素子製造方法 |
| JP2009074931A (ja) * | 2007-09-20 | 2009-04-09 | Sokkia Topcon Co Ltd | 二次元座標測定機 |
| CN102566286A (zh) * | 2010-12-16 | 2012-07-11 | 上海微电子装备有限公司 | 提高旋转台精度的方法 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP3198718B2 (ja) | 2001-08-13 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US5751404A (en) | Exposure apparatus and method wherein alignment is carried out by comparing marks which are incident on both reticle stage and wafer stage reference plates | |
| JP4434372B2 (ja) | 投影露光装置およびデバイス製造方法 | |
| JP2002050560A (ja) | ステージ装置、計測装置及び計測方法、露光装置及び露光方法 | |
| US6124922A (en) | Exposure device and method for producing a mask for use in the device | |
| US8149385B2 (en) | Alignment unit and exposure apparatus | |
| US5440397A (en) | Apparatus and method for exposure | |
| JP2610815B2 (ja) | 露光方法 | |
| US6268902B1 (en) | Exposure apparatus, and manufacturing method for devices using same | |
| JP3466893B2 (ja) | 位置合わせ装置及びそれを用いた投影露光装置 | |
| JP3530692B2 (ja) | 走査型露光装置及びそれを用いたデバイスの製造方法 | |
| JP3335126B2 (ja) | 面位置検出装置及びそれを用いた走査型投影露光装置 | |
| JP2000187338A (ja) | 露光装置およびデバイス製造方法 | |
| JP3441930B2 (ja) | 走査型露光装置およびデバイス製造方法 | |
| JP3198718B2 (ja) | 投影露光装置及びそれを用いた半導体素子の製造方法 | |
| JP3507205B2 (ja) | 走査型露光装置及び該装置を用いてデバイスを製造する方法 | |
| JPH0353770B2 (ja) | ||
| JP3658142B2 (ja) | 計測方法およびデバイス製造方法 | |
| JPH1083954A (ja) | 露光装置 | |
| JPH1050600A (ja) | 投影露光方法及び投影露光装置 | |
| JP3352280B2 (ja) | 投影露光装置の調整方法及び露光方法 | |
| JP2001203161A (ja) | 投影露光装置及びそれを用いた半導体素子の製造方法 | |
| JPH10125589A (ja) | 走査型露光装置及びそれを用いたデバイス製造方法 | |
| JPH08191045A (ja) | 位置合わせ装置及びそれを用いた半導体デバイスの製造方法 | |
| TW202503440A (zh) | 曝光方法、曝光裝置、計測方法及物品之製造方法 | |
| JP4521912B2 (ja) | 露光装置 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20080615 Year of fee payment: 7 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20090615 Year of fee payment: 8 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20090615 Year of fee payment: 8 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20100615 Year of fee payment: 9 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20110615 Year of fee payment: 10 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20120615 Year of fee payment: 11 |
|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |