JPH06252420A - 容量性表面微細加工絶対圧力センサー - Google Patents
容量性表面微細加工絶対圧力センサーInfo
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- JPH06252420A JPH06252420A JP5336757A JP33675793A JPH06252420A JP H06252420 A JPH06252420 A JP H06252420A JP 5336757 A JP5336757 A JP 5336757A JP 33675793 A JP33675793 A JP 33675793A JP H06252420 A JPH06252420 A JP H06252420A
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Classifications
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01L—MEASURING FORCE, STRESS, TORQUE, WORK, MECHANICAL POWER, MECHANICAL EFFICIENCY, OR FLUID PRESSURE
- G01L9/00—Measuring steady of quasi-steady pressure of fluid or fluent solid material by electric or magnetic pressure-sensitive elements; Transmitting or indicating the displacement of mechanical pressure-sensitive elements, used to measure the steady or quasi-steady pressure of a fluid or fluent solid material, by electric or magnetic means
- G01L9/0041—Transmitting or indicating the displacement of flexible diaphragms
- G01L9/0042—Constructional details associated with semiconductive diaphragm sensors, e.g. etching, or constructional details of non-semiconductive diaphragms
-
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- G01L9/0073—Transmitting or indicating the displacement of flexible diaphragms using variations in capacitance using a semiconductive diaphragm
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- Physics & Mathematics (AREA)
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- Analytical Chemistry (AREA)
- Measuring Fluid Pressure (AREA)
- Pressure Sensors (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】 ダイアフラムキャビティ中の封入圧力と雰囲
気圧力との変動に応答するダイアフラム層の変曲がコン
デンサー電極間にそれに対応する容量変化を引き起こす
ようになった圧力センサーを得る。 【構成】 容量性表面微細加工絶対圧力センサーを製造
するための本方法は、半導体基板上へ第１電極を形成す
る工程、犠牲層を堆積する工程、多結晶シリコンダイア
フラム層を堆積する工程、第２電極を形成する工程、ダ
イアフラムを貫通してアクセス開口部を形成する工程、
アクセス開口部中へエッチャント液を導入して犠牲層を
除去しダイアフラムキャビティを定義する工程、ダイア
フラムキャビティ中のエッチャントを凍結乾燥させ、ア
クセス開口部を通して昇華によって除去する工程、アク
セス開口部を封止するプラグを形成する工程を含む。こ
の方法に従って作製される絶対圧力センサーもまた開示
されている。
気圧力との変動に応答するダイアフラム層の変曲がコン
デンサー電極間にそれに対応する容量変化を引き起こす
ようになった圧力センサーを得る。 【構成】 容量性表面微細加工絶対圧力センサーを製造
するための本方法は、半導体基板上へ第１電極を形成す
る工程、犠牲層を堆積する工程、多結晶シリコンダイア
フラム層を堆積する工程、第２電極を形成する工程、ダ
イアフラムを貫通してアクセス開口部を形成する工程、
アクセス開口部中へエッチャント液を導入して犠牲層を
除去しダイアフラムキャビティを定義する工程、ダイア
フラムキャビティ中のエッチャントを凍結乾燥させ、ア
クセス開口部を通して昇華によって除去する工程、アク
セス開口部を封止するプラグを形成する工程を含む。こ
の方法に従って作製される絶対圧力センサーもまた開示
されている。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は微細加工処理技術および
半導体デバイス分野に関するものであり、更に詳細には
半導体基板上に形成された多結晶シリコンの柔軟なダイ
アフラムで構成される絶対圧力センサーに関するもので
ある。
半導体デバイス分野に関するものであり、更に詳細には
半導体基板上に形成された多結晶シリコンの柔軟なダイ
アフラムで構成される絶対圧力センサーに関するもので
ある。
【０００２】
【従来の技術】耐久性があり、低価格で高精度の絶対圧
力測定用のセンサーを提供するためには、従来技術に従
って部品を個別に製造するよりも、センサーの重要な部
品を加工するために近代的な半導体処理技術を利用する
ことが望ましい。
力測定用のセンサーを提供するためには、従来技術に従
って部品を個別に製造するよりも、センサーの重要な部
品を加工するために近代的な半導体処理技術を利用する
ことが望ましい。
【０００３】ギュッケル（Ｇｕｃｋｅｌ）等は米国特許
第４，７４４，８６３号の中で、半導体基板上の犠牲酸
化物の柱を覆って形成された柔軟な多結晶シリコンの可
撓性ダイアフラムを採用した密封キャビティ半導体圧力
変換器の使用について開示している。この犠牲的な柱は
その周囲の外側に基板の縁に沿って広がるウエブ状の付
加物を複数個含んでいる。ダイアフラム材料を柱上に一
体として堆積させた後に、ダイアフラム材料の縁をエッ
チして除去し、犠牲酸化物を露出させる。この犠牲酸化
物を、次に、柔軟なダイアフラムの下からエッチして除
去し、ダイアフラムキャビティを定義する。ウエブ付加
物からエッチングによって除去されてダイアフラムの周
囲に形成された孔は、次に、封じ込められてダイアフラ
ムキャビティが形成される。
第４，７４４，８６３号の中で、半導体基板上の犠牲酸
化物の柱を覆って形成された柔軟な多結晶シリコンの可
撓性ダイアフラムを採用した密封キャビティ半導体圧力
変換器の使用について開示している。この犠牲的な柱は
その周囲の外側に基板の縁に沿って広がるウエブ状の付
加物を複数個含んでいる。ダイアフラム材料を柱上に一
体として堆積させた後に、ダイアフラム材料の縁をエッ
チして除去し、犠牲酸化物を露出させる。この犠牲酸化
物を、次に、柔軟なダイアフラムの下からエッチして除
去し、ダイアフラムキャビティを定義する。ウエブ付加
物からエッチングによって除去されてダイアフラムの周
囲に形成された孔は、次に、封じ込められてダイアフラ
ムキャビティが形成される。
【０００４】好適実施例は、柔軟なダイアフラム上に堆
積させる部品としてピエゾ抵抗性の導電性部品を使用し
ている。これらの堆積された材料の抵抗値は、柔軟なダ
イアフラムが変形するにつれて、ダイアフラムキャビテ
ィ内に封じ込められた圧力に対して雰囲気の圧力が変化
することによって生ずる変形量に比例して変化する。第
６コラムの４７−６３行には、容量値がダイアフラムの
曲がりに応じて変化するようになった容量性センサーの
２枚の電極を備えた構造の使用について言及されている
が、容量性センサーの実施例や具体的な内容については
述べられていない。
積させる部品としてピエゾ抵抗性の導電性部品を使用し
ている。これらの堆積された材料の抵抗値は、柔軟なダ
イアフラムが変形するにつれて、ダイアフラムキャビテ
ィ内に封じ込められた圧力に対して雰囲気の圧力が変化
することによって生ずる変形量に比例して変化する。第
６コラムの４７−６３行には、容量値がダイアフラムの
曲がりに応じて変化するようになった容量性センサーの
２枚の電極を備えた構造の使用について言及されている
が、容量性センサーの実施例や具体的な内容については
述べられていない。
【０００５】従来技術と比べて、本発明はシリコン基板
上に予め堆積された犠牲酸化物の最上部に形成される多
結晶シリコンダイアフラムを使用しており、この犠牲酸
化物層の厚さは一般的に形成されるべきダイアフラムキ
ャビティの厚さに等しくされている。高度に制御性の高
い二酸化シリコン犠牲層をシリコンウエハ上に使用する
ことは、非常に小さい容量値を有し、最小の寄生容量を
有するコンデンサーを実現する。このための製造工程で
は、ダイアフラムのためにパターン化された構造を接着
するような工程は必要でない。製造工程は、校正工程な
しに非常に低価格のセンサーを製造するように制御可能
である。
上に予め堆積された犠牲酸化物の最上部に形成される多
結晶シリコンダイアフラムを使用しており、この犠牲酸
化物層の厚さは一般的に形成されるべきダイアフラムキ
ャビティの厚さに等しくされている。高度に制御性の高
い二酸化シリコン犠牲層をシリコンウエハ上に使用する
ことは、非常に小さい容量値を有し、最小の寄生容量を
有するコンデンサーを実現する。このための製造工程で
は、ダイアフラムのためにパターン化された構造を接着
するような工程は必要でない。製造工程は、校正工程な
しに非常に低価格のセンサーを製造するように制御可能
である。
【０００６】
【発明の概要】本発明の主たる目的は、絶対圧力を比率
測定するのに適したセンサー対を提供することである。
本センサーは、コンデンサー電極やダイアフラム等の重
要な要素を正確に位置決めおよび寸法出しすることを通
して、校正および調整が不要となっている。第２の目的
は、１つはガス浸透性の、もう１つは非浸透性の、セン
サー対のための効率的で長時間継続する封止プラグを提
供することである。
測定するのに適したセンサー対を提供することである。
本センサーは、コンデンサー電極やダイアフラム等の重
要な要素を正確に位置決めおよび寸法出しすることを通
して、校正および調整が不要となっている。第２の目的
は、１つはガス浸透性の、もう１つは非浸透性の、セン
サー対のための効率的で長時間継続する封止プラグを提
供することである。
【０００７】容量性表面微細加工絶対圧力センサーの可
撓性多結晶シリコンダイアフラムについて、それの加工
方法とともに、本発明に従って説明する。本方法は半導
体基板表面を、それの選ばれたエリアを露出させながら
マスクする工程を含んでいる。基板の前記露出エリアは
選択的にドーピングされて、容量性センサーの第１導体
を定義する第１の導電性ウエルが定義される。次に、少
なくとも基板の第１の導電性区分と前記選ばれたエリア
を定義するマスクの周辺区分とを覆って第１の犠牲層が
一体として堆積される。次に、第１の犠牲層を覆って多
結晶シリコンダイアフラム層が一体として堆積され、前
記マスク層との間で封止構造を形成する。多結晶シリコ
ンダイアフラム層が、少なくとも基板中の前記第１の導
電性区分と一般的に同一場所のエリア中で選択的にドー
ピングされ、その多結晶シリコンダイアフラムを導電性
とされることによって、容量性センサーの第２の導電性
区分が形成される。
撓性多結晶シリコンダイアフラムについて、それの加工
方法とともに、本発明に従って説明する。本方法は半導
体基板表面を、それの選ばれたエリアを露出させながら
マスクする工程を含んでいる。基板の前記露出エリアは
選択的にドーピングされて、容量性センサーの第１導体
を定義する第１の導電性ウエルが定義される。次に、少
なくとも基板の第１の導電性区分と前記選ばれたエリア
を定義するマスクの周辺区分とを覆って第１の犠牲層が
一体として堆積される。次に、第１の犠牲層を覆って多
結晶シリコンダイアフラム層が一体として堆積され、前
記マスク層との間で封止構造を形成する。多結晶シリコ
ンダイアフラム層が、少なくとも基板中の前記第１の導
電性区分と一般的に同一場所のエリア中で選択的にドー
ピングされ、その多結晶シリコンダイアフラムを導電性
とされることによって、容量性センサーの第２の導電性
区分が形成される。
【０００８】多結晶シリコンダイアフラムを貫通して犠
牲層に達するアクセス用の開口部が選択的にエッチされ
る。このアクセス開口部中へウエットエッチング液が導
入されて、多結晶シリコンダイアフラム下の第１の犠牲
層が除去され、それによって前記第１の犠牲層の除去さ
れた部分と同一場所を占めるダイアフラムキャビティが
定義される。多結晶シリコンダイアフラムキャビティ中
のウエットエッチング液は、次に、凍結乾燥させること
によってダイアフラムキャビティからアクセス開口部を
通して昇華作用で排除され、これによってウエットエッ
チング液の除去に伴って多結晶シリコンダイアフラムが
毛管変曲することが回避される。ダイアフラムキャビテ
ィをコーティングすることなく、またキャビティの体積
を本質的に減少させることなしに、アクセス開口部を密
封するためのプラグがアクセス開口部中に選択的に堆積
される。以上の工程によって、ダイアフラムキャビティ
内に封じ込まれた圧力と雰囲気圧力との間の変動に応答
する多結晶シリコンダイアフラムの変曲がそれに応じた
容量値の変化をコンデンサーの第１と第２の導電性区分
間に引き起こすようになったデバイスが作製される。
牲層に達するアクセス用の開口部が選択的にエッチされ
る。このアクセス開口部中へウエットエッチング液が導
入されて、多結晶シリコンダイアフラム下の第１の犠牲
層が除去され、それによって前記第１の犠牲層の除去さ
れた部分と同一場所を占めるダイアフラムキャビティが
定義される。多結晶シリコンダイアフラムキャビティ中
のウエットエッチング液は、次に、凍結乾燥させること
によってダイアフラムキャビティからアクセス開口部を
通して昇華作用で排除され、これによってウエットエッ
チング液の除去に伴って多結晶シリコンダイアフラムが
毛管変曲することが回避される。ダイアフラムキャビテ
ィをコーティングすることなく、またキャビティの体積
を本質的に減少させることなしに、アクセス開口部を密
封するためのプラグがアクセス開口部中に選択的に堆積
される。以上の工程によって、ダイアフラムキャビティ
内に封じ込まれた圧力と雰囲気圧力との間の変動に応答
する多結晶シリコンダイアフラムの変曲がそれに応じた
容量値の変化をコンデンサーの第１と第２の導電性区分
間に引き起こすようになったデバイスが作製される。
【０００９】本発明のこれ以外の目的や、特徴、および
利点については以下の図面を参照した詳細な説明から明
らかになるであろう。
利点については以下の図面を参照した詳細な説明から明
らかになるであろう。
【００１０】
【実施例】本発明は絶対ガス圧を測定するために適した
容量性表面微細加工センサーに関する。本構造は、シリ
コン基板の上方、約０．２マイクロメートルに支持され
た多結晶シリコンダイアフラムで構成される。本センサ
ーは１０5 Ｐａ（１４ｐｓｉ）の圧力範囲を有し、フル
スケールスパン０．３５ｐＦ、公称値１．５ｐＦの容量
値を有する。各デバイスは、マッチした容量の基準コン
デンサーを含み、０．１９ｍｍ2 の面積を占める。
容量性表面微細加工センサーに関する。本構造は、シリ
コン基板の上方、約０．２マイクロメートルに支持され
た多結晶シリコンダイアフラムで構成される。本センサ
ーは１０5 Ｐａ（１４ｐｓｉ）の圧力範囲を有し、フル
スケールスパン０．３５ｐＦ、公称値１．５ｐＦの容量
値を有する。各デバイスは、マッチした容量の基準コン
デンサーを含み、０．１９ｍｍ2 の面積を占める。
【００１１】図１および図２は吸い込みマニホールドの
気圧（ＭＡＰ）や大気圧（ＢＡＰ）等のガス圧を測定す
るのに適した絶対圧力センサー１００を示す。このセン
サーは２電極の空気ギャップコンデンサーを２個含んで
いる。移動可能なダイアフラム電極２０は多結晶シリコ
ンでできており、固定された電極は基板３０中に形成さ
れている。上部電極２０は固定された圧力においてハー
メチックシールされたダイアフラムキャビティ２８を構
成している。ダイアフラムキャビティ２８とセンサー外
部との間の圧力差が上部電極２０を変曲させる。この設
計は、多くのバルクシリコン微細加工圧力センサーにお
いて用いられているような（１１１）面の伝搬のために
必要とされるエリアを使用していない。その結果、エリ
アは極端に狭いものとなっている。同様な構成の、非密
封のマッチした基準コンデンサー２００が比率測定のた
めに含まれている。それは浸透性のポリイミド封止２７
６を含んでいる。
気圧（ＭＡＰ）や大気圧（ＢＡＰ）等のガス圧を測定す
るのに適した絶対圧力センサー１００を示す。このセン
サーは２電極の空気ギャップコンデンサーを２個含んで
いる。移動可能なダイアフラム電極２０は多結晶シリコ
ンでできており、固定された電極は基板３０中に形成さ
れている。上部電極２０は固定された圧力においてハー
メチックシールされたダイアフラムキャビティ２８を構
成している。ダイアフラムキャビティ２８とセンサー外
部との間の圧力差が上部電極２０を変曲させる。この設
計は、多くのバルクシリコン微細加工圧力センサーにお
いて用いられているような（１１１）面の伝搬のために
必要とされるエリアを使用していない。その結果、エリ
アは極端に狭いものとなっている。同様な構成の、非密
封のマッチした基準コンデンサー２００が比率測定のた
めに含まれている。それは浸透性のポリイミド封止２７
６を含んでいる。
【００１２】ダイアフラム２０のための材料として多結
晶シリコンが選ばれたのは、それが最も広く研究された
薄膜材料の１つであるからである。基板３０とダイアフ
ラム２０との間に定義された電極ギャップは縦方向高さ
が数百ナノメートルの程度であり、それによってデバイ
ス容量は１−２ｐＦ程度に許容される。この容量はチッ
プ外部の回路によって十分検出できる程度に大きい。図
２に示されたように、このチップの４個のボンディング
パッドａ、ｂ、ｃ、およびｄは、チップ外部の検出回路
へ容易に接続できるようにダイの同じ側に位置してい
る。これらのセンサーは、校正なしで圧力伝達特性に関
してそれらの容量公称値の±１０％という誤差仕様を満
たすように製造できる。これによってセンサーの全コス
トが大幅に削減できる。
晶シリコンが選ばれたのは、それが最も広く研究された
薄膜材料の１つであるからである。基板３０とダイアフ
ラム２０との間に定義された電極ギャップは縦方向高さ
が数百ナノメートルの程度であり、それによってデバイ
ス容量は１−２ｐＦ程度に許容される。この容量はチッ
プ外部の回路によって十分検出できる程度に大きい。図
２に示されたように、このチップの４個のボンディング
パッドａ、ｂ、ｃ、およびｄは、チップ外部の検出回路
へ容易に接続できるようにダイの同じ側に位置してい
る。これらのセンサーは、校正なしで圧力伝達特性に関
してそれらの容量公称値の±１０％という誤差仕様を満
たすように製造できる。これによってセンサーの全コス
トが大幅に削減できる。
【００１３】
【設計例】以下の例は、０−１０5 Ｐａ（０−１４ｐｓ
ｉ）の範囲の空気圧を測定する空気吸い込みマニホール
ド圧力センサー（ＭＡＰ）用として提供されたものであ
る。この設計において、３つの設計変数が存在する。す
なわち、ダイアフラム幅ｗ、それの厚さｔ、および電極
間隔ｄである。
ｉ）の範囲の空気圧を測定する空気吸い込みマニホール
ド圧力センサー（ＭＡＰ）用として提供されたものであ
る。この設計において、３つの設計変数が存在する。す
なわち、ダイアフラム幅ｗ、それの厚さｔ、および電極
間隔ｄである。
【００１４】このセンサーはいくつかの設計基準を満た
さなければならない：ａ）センサーの容量は最小値Ｃmi
n より大きくなければならない；ｂ）本デバイスは全圧
力範囲Ｐr を持ち、超過圧力Ｐovに耐えなければならな
い；ｃ）ダイアフラムの引き入れ電圧はＶpminより大き
くなければならない；および、ｄ）プロセス変化に曝さ
れた場合の負荷変曲曲線の可変性はしきい値ε0 よりも
小さくなければならない。更に、デバイス面積およびコ
ストは最小化されなければならない。
さなければならない：ａ）センサーの容量は最小値Ｃmi
n より大きくなければならない；ｂ）本デバイスは全圧
力範囲Ｐr を持ち、超過圧力Ｐovに耐えなければならな
い；ｃ）ダイアフラムの引き入れ電圧はＶpminより大き
くなければならない；および、ｄ）プロセス変化に曝さ
れた場合の負荷変曲曲線の可変性はしきい値ε0 よりも
小さくなければならない。更に、デバイス面積およびコ
ストは最小化されなければならない。
【００１５】圧力設計問題は同等性および非同等性によ
る束縛の最適化問題として取り扱われる。ダイアフラム
残留ストレスを無視すれば、それの中心負荷変曲曲線を
決定する式は次で与えられる。
る束縛の最適化問題として取り扱われる。ダイアフラム
残留ストレスを無視すれば、それの中心負荷変曲曲線を
決定する式は次で与えられる。
【数１】 電極ギャップはｄ＝ｚm （Ｐr ）という基準で設計され
る。
る。
【数２】 このダイアフラムの破壊条件はそれの幅ｗに依存しな
い。その代わり、ダイアフラムはそれの最大ストレスが
破壊ストレスσf に等しく、それの変曲がｄに等しくな
った時に破壊する。電極破壊を阻止するために、次の条
件が満たされなければならない。
い。その代わり、ダイアフラムはそれの最大ストレスが
破壊ストレスσf に等しく、それの変曲がｄに等しくな
った時に破壊する。電極破壊を阻止するために、次の条
件が満たされなければならない。
【数３】 式（２）、（３）を用い、Ｐr ＝Ｐovを用いれば、ｗが
消去され次のようになる。
消去され次のようになる。
【数４】 この式を式（２）と組み合わせて、次を得る。
【数５】 センサーの容量は次のようになり、
【数６】 この式を式（２）と組み合わせて、次の条件を得る。
【数７】
【００１６】この設計において、変曲するダイアフラム
は上部電極である。従って、引き入れ電圧はそれの厚さ
に依存しない。
は上部電極である。従って、引き入れ電圧はそれの厚さ
に依存しない。
【数８】 ここで、この式を式（２）と組み合わせて、次の新しい
条件を得る。
条件を得る。
【数９】 式（１６）ないし（１９）（後出）を用いて、最大変曲
の全相対誤差は次のようになる。
の全相対誤差は次のようになる。
【数１０】 最新のシリコン処理によれば、多結晶シリコンのヤング
率は５％以内に制御される。堆積膜について、Δｔ／ｔ
とΔｄ／ｄは一定であることに注意されたい。
率は５％以内に制御される。堆積膜について、Δｔ／ｔ
とΔｄ／ｄは一定であることに注意されたい。
【数１１】 という幅変化はリソグラフィ工程によって固定、限定さ
れる。このように、式（１０）は最小幅限界を設定する
のと同等である。付加的な制限はダイアフラムの最大厚
にある。ほとんどの実際的な目的のためには、ｔ≦４μ
ｍである。更に、電極ギャップ距離の最小値の限界は２
００ｎｍであると仮定される。この結果、次の条件が得
られる。
れる。このように、式（１０）は最小幅限界を設定する
のと同等である。付加的な制限はダイアフラムの最大厚
にある。ほとんどの実際的な目的のためには、ｔ≦４μ
ｍである。更に、電極ギャップ距離の最小値の限界は２
００ｎｍであると仮定される。この結果、次の条件が得
られる。
【数１２】 デバイスと基準コンデンサーとの合計面積は次のように
なる。
なる。
【数１３】 ここで、ｒはチップの外縁であり、ｐはボンディングパ
ッドの幅である
ッドの幅である
【外１】 。すべての条件を満たし、最小のコスト（面積）を与え
るデバイスを発見するために、ここで最適化プログラム
を使用することができる。図示の目的で、この手順は図
３にグラフとして示した。曲線Ａは破壊条件によって与
えられる。曲線ＢおよびＣはＣmin およびＶpmin条件に
よって与えられる。曲線ＤおよびＥは可変性および電極
ギャップ条件によって与えられる。最後に、曲線Ｆは電
極厚条件である。実現可能性のある設計領域は図３の斜
線を施した領域である。点Ｐは最小のデバイス面積で、
すべての条件を満たす。
るデバイスを発見するために、ここで最適化プログラム
を使用することができる。図示の目的で、この手順は図
３にグラフとして示した。曲線Ａは破壊条件によって与
えられる。曲線ＢおよびＣはＣmin およびＶpmin条件に
よって与えられる。曲線ＤおよびＥは可変性および電極
ギャップ条件によって与えられる。最後に、曲線Ｆは電
極厚条件である。実現可能性のある設計領域は図３の斜
線を施した領域である。点Ｐは最小のデバイス面積で、
すべての条件を満たす。
【００１７】多くの実際的な目的には、最小の幅はＣmi
n 条件および引き入れ条件によって決定される。式
（７）と（９）を等しいとおいて、次を得る。
n 条件および引き入れ条件によって決定される。式
（７）と（９）を等しいとおいて、次を得る。
【数１４】
【００１８】このように、ダイアフラム幅はＣmin とＶ
pminの相乗平均に比例する。これから、式（１３）はＣ
min またはＶpminのどちらかが増加すればｗが増加しな
ければならないことを表している。
pminの相乗平均に比例する。これから、式（１３）はＣ
min またはＶpminのどちらかが増加すればｗが増加しな
ければならないことを表している。
【００１９】最適化された例では、各デバイスは１．５
ｐＦの容量を有し、３５０ｆＦのフルスケールスパンと
１１Ｖの引き入れ電圧を有する。各ダイは、それ自身と
マッチした基準コンデンサーを含んで、０．１９ｍｍ2
の面積を占める。
ｐＦの容量を有し、３５０ｆＦのフルスケールスパンと
１１Ｖの引き入れ電圧を有する。各ダイは、それ自身と
マッチした基準コンデンサーを含んで、０．１９ｍｍ2
の面積を占める。
【００２０】
【製造プロセス】図４は微細加工製造手順を示す。基板
３０は抵抗率１０−３０Ωｃｍのｐ形シリコン（１０
０）ウエハである。最初に、基板はピラニア液（過酸化
水素等の酸化剤と硫酸との混合液）中で洗浄され、ウエ
ハ上へ薄い１００ｎｍのパッド酸化物３１が成長され
る。次にウエルのリソグラフィが実行され、酸化物が１
０：１のＨＦ中でエッチされる。ウエハは次に、１５０
ｋｅＶのエネルギー、４×１０ 12ｃｍ-2のドーズのリン
をイオン打ち込みされ、その結果、図４Ａに示されたデ
バイス断面が得られる。フォトレジストを除去し、試料
はピラニア洗浄される。ウエハは高温アニールを、まず
乾燥酸素雰囲気中、１１５０℃で、約４時間、次にＮ2
雰囲気中で４時間施されて、ウエルのドーパントがドラ
イブインされ、図４Ｂの構造を得る。ウエル３２の接合
深さは
３０は抵抗率１０−３０Ωｃｍのｐ形シリコン（１０
０）ウエハである。最初に、基板はピラニア液（過酸化
水素等の酸化剤と硫酸との混合液）中で洗浄され、ウエ
ハ上へ薄い１００ｎｍのパッド酸化物３１が成長され
る。次にウエルのリソグラフィが実行され、酸化物が１
０：１のＨＦ中でエッチされる。ウエハは次に、１５０
ｋｅＶのエネルギー、４×１０ 12ｃｍ-2のドーズのリン
をイオン打ち込みされ、その結果、図４Ａに示されたデ
バイス断面が得られる。フォトレジストを除去し、試料
はピラニア洗浄される。ウエハは高温アニールを、まず
乾燥酸素雰囲気中、１１５０℃で、約４時間、次にＮ2
雰囲気中で４時間施されて、ウエルのドーパントがドラ
イブインされ、図４Ｂの構造を得る。ウエル３２の接合
深さは
【数１５】 である。
【００２１】この拡散中に形成される酸化物３３が次に
５：１のＢＨＦエッチャント中で剥離される。ピラニア
洗浄後、１００ｎｍのパッド酸化物３４が、乾燥酸素
中、１０００℃、２０分間で成長される。酸化物の成長
に続いて、ウエハ上には化学量論的組成比のＬＰＣＶＤ
シリコン窒化物３６の薄い１００ｎｍの層が成長され
る。能動領域のリソグラフィが次に実行される。
５：１のＢＨＦエッチャント中で剥離される。ピラニア
洗浄後、１００ｎｍのパッド酸化物３４が、乾燥酸素
中、１０００℃、２０分間で成長される。酸化物の成長
に続いて、ウエハ上には化学量論的組成比のＬＰＣＶＤ
シリコン窒化物３６の薄い１００ｎｍの層が成長され
る。能動領域のリソグラフィが次に実行される。
【００２２】次にＳＦ6 プラズマ反応炉中でパッド酸化
物のところまで窒化物がエッチされる。次にフィールド
打ち込み領域３８のリソグラフィが実行され、ウエハに
は図４Ｃに示すように、１００ｋｅＶのエネルギー、１
０13ｃｍ-2のドーズでホウ素のブランケット打ち込みが
施される。試料は次に、ピラニア液中で洗浄され、パッ
ド酸化物３１が１０：１のＨＦ中で剥離される。試料に
対してウエット酸化が行われて、露出領域中に約１μｍ
の熱酸化膜が成長される。この層は図４Ｄに示すように
局部的な保護膜４０を構成する。残りの窒化物が次に１
５０℃に加熱された熱Ｈ3 ＰＯ4 浴中で剥離される。試
料は次に洗浄され、１８０ｋｅＶのエネルギーで、砒素
の５×１０15ｃｍ-2の高ドーズ打ち込みが施される。こ
の打ち込みによってコンデンサーの底部電極５０とコン
タクトパッド５１が形成される。
物のところまで窒化物がエッチされる。次にフィールド
打ち込み領域３８のリソグラフィが実行され、ウエハに
は図４Ｃに示すように、１００ｋｅＶのエネルギー、１
０13ｃｍ-2のドーズでホウ素のブランケット打ち込みが
施される。試料は次に、ピラニア液中で洗浄され、パッ
ド酸化物３１が１０：１のＨＦ中で剥離される。試料に
対してウエット酸化が行われて、露出領域中に約１μｍ
の熱酸化膜が成長される。この層は図４Ｄに示すように
局部的な保護膜４０を構成する。残りの窒化物が次に１
５０℃に加熱された熱Ｈ3 ＰＯ4 浴中で剥離される。試
料は次に洗浄され、１８０ｋｅＶのエネルギーで、砒素
の５×１０15ｃｍ-2の高ドーズ打ち込みが施される。こ
の打ち込みによってコンデンサーの底部電極５０とコン
タクトパッド５１が形成される。
【００２３】ピラニア中での試料の洗浄の後、乾燥酸素
中、９００℃で２５分間の熱酸化によって薄い２０ｎｍ
の厚さのパッド酸化物が成長される。ウエハは直ちにＬ
ＰＣＶＤの窒化反応炉へ送られ、低ストレスのシリコン
窒化物５６を付加的に５０ｎｍ成長される。次にウエハ
上には電極間間隙を形成するために０．２μｍのＬＴＯ
層６０が成長される。層６０は次に図４Ｅに示すよう
に、電極アンカーエリアがパターン化され、５：１のＢ
ＨＦ液中でエッチされる。
中、９００℃で２５分間の熱酸化によって薄い２０ｎｍ
の厚さのパッド酸化物が成長される。ウエハは直ちにＬ
ＰＣＶＤの窒化反応炉へ送られ、低ストレスのシリコン
窒化物５６を付加的に５０ｎｍ成長される。次にウエハ
上には電極間間隙を形成するために０．２μｍのＬＴＯ
層６０が成長される。層６０は次に図４Ｅに示すよう
に、電極アンカーエリアがパターン化され、５：１のＢ
ＨＦ液中でエッチされる。
【００２４】次に、試料は完全に洗浄される。多結晶シ
リコンダイアフラム２０が３段階に成長される。まず
１．５μｍの多結晶シリコンが堆積され、次に試料に対
して、材料のドープのために、１００ｋｅＶで、１０16
ｃｍ-2の高ドーズのリンイオン打ち込みが施される。こ
の段階に続いて、試料は洗浄され、残る１．５μｍの多
結晶シリコンが堆積される。次にウエハには、打ち込み
領域の活性化と多結晶シリコンダイアフラムのストレス
緩和のために、１０００℃、１時間のＮ2 アニールが施
される。次にダイアフラムのリソグラフィが実行され
る。試料は１０：１のＨＦ中へ短時間浸けられ、リンス
される。ダイアフラム多結晶シリコン２０は次に、図４
Ｆに示されたように、３：３３：６４のＮＨ4 Ｆ：Ｈ2
Ｏ：ＨＮＯ3液中で薄いＬＴＯ層（または窒化物層５
６）のところまでウエットエッチで掘り下げられる。
リコンダイアフラム２０が３段階に成長される。まず
１．５μｍの多結晶シリコンが堆積され、次に試料に対
して、材料のドープのために、１００ｋｅＶで、１０16
ｃｍ-2の高ドーズのリンイオン打ち込みが施される。こ
の段階に続いて、試料は洗浄され、残る１．５μｍの多
結晶シリコンが堆積される。次にウエハには、打ち込み
領域の活性化と多結晶シリコンダイアフラムのストレス
緩和のために、１０００℃、１時間のＮ2 アニールが施
される。次にダイアフラムのリソグラフィが実行され
る。試料は１０：１のＨＦ中へ短時間浸けられ、リンス
される。ダイアフラム多結晶シリコン２０は次に、図４
Ｆに示されたように、３：３３：６４のＮＨ4 Ｆ：Ｈ2
Ｏ：ＨＮＯ3液中で薄いＬＴＯ層（または窒化物層５
６）のところまでウエットエッチで掘り下げられる。
【００２５】フォトレジスト除去とピラニア洗浄の後、
試料は濃いＨＦ中へ浸され、０．２μｍ厚の犠牲酸化物
６０が除去される。このアンダーカットのエッチング速
度は１時間当たり約５０−８０μｍである。試料は次
に、ＤＩ水中で１０分間注意深くリンスされ、２０分間
ピラニア洗浄される。試料は１０：１のＨＦ水溶液中に
１０分間浸され、そしてＤＩ水中で２０分間の最後のリ
ンスをされる。ウエハは次にＤＩ水とシクロヘキサンの
混合液を収容するタンクへ移送される。試料はすばやく
冷凍機へ送られ、ウエハに結びついている溶質が冷凍さ
れる。液が凍結した後、試料は圧力５０ｍＴの真空シス
テムへ移送される。真空排気の後、真空室は１００℃に
加熱されて、氷を昇華させ、試料の上に付着している凝
結水が排除される。この手順は、新たに形成されたダイ
アフラムキャビティ２８の内部から液を除去する間に、
多結晶シリコンダイアフラム２０上の毛管力を最小化す
る。この段階のデバイスが図５Ａに示されている。
試料は濃いＨＦ中へ浸され、０．２μｍ厚の犠牲酸化物
６０が除去される。このアンダーカットのエッチング速
度は１時間当たり約５０−８０μｍである。試料は次
に、ＤＩ水中で１０分間注意深くリンスされ、２０分間
ピラニア洗浄される。試料は１０：１のＨＦ水溶液中に
１０分間浸され、そしてＤＩ水中で２０分間の最後のリ
ンスをされる。ウエハは次にＤＩ水とシクロヘキサンの
混合液を収容するタンクへ移送される。試料はすばやく
冷凍機へ送られ、ウエハに結びついている溶質が冷凍さ
れる。液が凍結した後、試料は圧力５０ｍＴの真空シス
テムへ移送される。真空排気の後、真空室は１００℃に
加熱されて、氷を昇華させ、試料の上に付着している凝
結水が排除される。この手順は、新たに形成されたダイ
アフラムキャビティ２８の内部から液を除去する間に、
多結晶シリコンダイアフラム２０上の毛管力を最小化す
る。この段階のデバイスが図５Ａに示されている。
【００２６】昇華が完了した後、試料はＰＥＣＶＤのＳ
ｉＯ2 反応炉中へ置かれ、試料上へ２５０ｎｍの酸化物
７６が堆積される。この酸化物７６は、ダイアフラムキ
ャビティ２８の底部電極５０のエリアへ進入することな
く、エッチング孔７８を封じ込める。ＰＥＣＶＤ酸化物
７６はパターン化され、ダイアフラムの上部から除去さ
れる。ピラニア洗浄の後、エッチング孔７８は図５Ｂに
示されたように、低ストレスのシリコン窒化物８０の薄
い１００ｎｍ厚の皮膜で以て永久的に封止される。
ｉＯ2 反応炉中へ置かれ、試料上へ２５０ｎｍの酸化物
７６が堆積される。この酸化物７６は、ダイアフラムキ
ャビティ２８の底部電極５０のエリアへ進入することな
く、エッチング孔７８を封じ込める。ＰＥＣＶＤ酸化物
７６はパターン化され、ダイアフラムの上部から除去さ
れる。ピラニア洗浄の後、エッチング孔７８は図５Ｂに
示されたように、低ストレスのシリコン窒化物８０の薄
い１００ｎｍ厚の皮膜で以て永久的に封止される。
【００２７】次に薄い２００ｎｍのＬＴＯ層が試料上に
堆積され、それが窒化物除去のためのマスクとして役立
つ。ＬＴＯは次にパターン化され、５：１のＢＨＦ中で
エッチされ、フォトレジストは除去される。試料は次
に、熱Ｈ3 ＰＯ4 中に浸され、ダイアフラムおよび底部
電極コンタクトパッド５１からシリコン窒化物層８０が
除去される。リンスの後、試料は５：１のＢＨＦ中へ浸
されてマスクＬＴＯが剥離される。この段階の後、試料
は洗浄され、５：１のＢＨＦ中に短時間浸される。試料
上へ１μｍのＡｌＳｉ層８２がスパッタ堆積される。次
に金属のリソグラフィが実行されて、金属がアルミニウ
ムエッチャントでエッチされる。試料は次にアセトン中
で洗浄され、４００℃、１時間、化成ガス中で燒結処理
される。このようにして、２個の同一の容量性要素が、
図５Ｃに示すように形成される。
堆積され、それが窒化物除去のためのマスクとして役立
つ。ＬＴＯは次にパターン化され、５：１のＢＨＦ中で
エッチされ、フォトレジストは除去される。試料は次
に、熱Ｈ3 ＰＯ4 中に浸され、ダイアフラムおよび底部
電極コンタクトパッド５１からシリコン窒化物層８０が
除去される。リンスの後、試料は５：１のＢＨＦ中へ浸
されてマスクＬＴＯが剥離される。この段階の後、試料
は洗浄され、５：１のＢＨＦ中に短時間浸される。試料
上へ１μｍのＡｌＳｉ層８２がスパッタ堆積される。次
に金属のリソグラフィが実行されて、金属がアルミニウ
ムエッチャントでエッチされる。試料は次にアセトン中
で洗浄され、４００℃、１時間、化成ガス中で燒結処理
される。このようにして、２個の同一の容量性要素が、
図５Ｃに示すように形成される。
【００２８】次に基準コンデンサー２００のためのアク
セス孔のリソグラフィが実行される。ＳＦ6 プラズマに
よって窒化物８０が除去され、ＰＥＣＶＤ酸化物７６が
５：１のＢＨＦで以て除去される。次にフォトレジスト
がＯ2 プラズマで以て除去され、試料は、図５Ｄに示さ
れたように凍結乾燥される。
セス孔のリソグラフィが実行される。ＳＦ6 プラズマに
よって窒化物８０が除去され、ＰＥＣＶＤ酸化物７６が
５：１のＢＨＦで以て除去される。次にフォトレジスト
がＯ2 プラズマで以て除去され、試料は、図５Ｄに示さ
れたように凍結乾燥される。
【００２９】次にウエハ上をポリイミドの薄い層２７６
で覆い、それによってアクセス孔２７８はガスの出入り
を許容されながら封止される。短時間のベーキングの
後、ポリイミドのリソグラフィが実行される。現像液は
露出した領域のポリイミドを溶かす。次にポリイミドプ
ラグ２７６を残して、フォトレジストはアセトンで以て
除去される。この膜は次に３００℃で１時間焼鈍され、
図５Ｅに示すように完成デバイスが得られる。ポリイミ
ドプラグ２７６は大気ガスに対して浸透性があり、基準
コンデンサーのダイアフラムキャビティ２２８の外部と
の空気の出入りを許容し、それによってコンデンサー電
極２２０、２５０の位置は一般的に大気圧の変化に依存
しないようになる。
で覆い、それによってアクセス孔２７８はガスの出入り
を許容されながら封止される。短時間のベーキングの
後、ポリイミドのリソグラフィが実行される。現像液は
露出した領域のポリイミドを溶かす。次にポリイミドプ
ラグ２７６を残して、フォトレジストはアセトンで以て
除去される。この膜は次に３００℃で１時間焼鈍され、
図５Ｅに示すように完成デバイスが得られる。ポリイミ
ドプラグ２７６は大気ガスに対して浸透性があり、基準
コンデンサーのダイアフラムキャビティ２２８の外部と
の空気の出入りを許容し、それによってコンデンサー電
極２２０、２５０の位置は一般的に大気圧の変化に依存
しないようになる。
【００３０】フォトレジストの厚い層が次にウエハ上へ
取り付けられる。次に試料は３３０マイクロメートル
（１３ミル）の深さにスクライブされ、柔らかい保護レ
ジストがアセトンで以て除去される。試料を２０分間リ
ンスした後、試料は個々のパッケージへボンディングで
きる状態になる。検出コンデンサー１００および基準コ
ンデンサー２００を示す最終的な構造が図５Ｆに示され
ている。
取り付けられる。次に試料は３３０マイクロメートル
（１３ミル）の深さにスクライブされ、柔らかい保護レ
ジストがアセトンで以て除去される。試料を２０分間リ
ンスした後、試料は個々のパッケージへボンディングで
きる状態になる。検出コンデンサー１００および基準コ
ンデンサー２００を示す最終的な構造が図５Ｆに示され
ている。
【００３１】この絶対圧力センサー／変換器はＭＯＳＦ
ＥＴに見られる数多くの特徴的構造を含み、それらの内
には局所酸化、チャンネルストップ打ち込み、および基
板拡散等が含まれる。ＣＭＯＳ回路を含む全変換器の実
現のために必要なものは、数個（１０−２０）の付加的
なプロセス工程だけである。この変換器は完全に集積化
可能である。
ＥＴに見られる数多くの特徴的構造を含み、それらの内
には局所酸化、チャンネルストップ打ち込み、および基
板拡散等が含まれる。ＣＭＯＳ回路を含む全変換器の実
現のために必要なものは、数個（１０−２０）の付加的
なプロセス工程だけである。この変換器は完全に集積化
可能である。
【００３２】以上、好適実施例およびプロセス例につい
て図示し、説明してきたが、そのような実施例およびプ
ロセス例は単なる例でしかないことは理解されよう。本
発明の本質から離れることなしに、数多くの修正、変
更、および置換が当業者に思いつかれよう。従って、本
発明の特許請求の範囲は、本発明の範囲および本質に含
まれるそのような変形をすべて包含すると理解されるべ
きである。
て図示し、説明してきたが、そのような実施例およびプ
ロセス例は単なる例でしかないことは理解されよう。本
発明の本質から離れることなしに、数多くの修正、変
更、および置換が当業者に思いつかれよう。従って、本
発明の特許請求の範囲は、本発明の範囲および本質に含
まれるそのような変形をすべて包含すると理解されるべ
きである。
【図１】本発明に従う容量性絶対圧力センサーおよび基
準センサーの前面断面図。
準センサーの前面断面図。
【図２】図１に一般的に示された実施例の、２つのセン
サーからの電気信号をつなぐためのパッドを含めた、上
部透視図。
サーからの電気信号をつなぐためのパッドを含めた、上
部透視図。
【図３】本発明に従うセンサーを最適化するについて考
察された設計上の制約条件を示すグラフ。
察された設計上の制約条件を示すグラフ。
【図４】ＡないしＦはシリコンウエハ上に形成された容
量性センサーの各製造段階における断面図。
量性センサーの各製造段階における断面図。
【図５】ＡないしＦはシリコンウエハ上に形成された容
量性センサーの各製造段階における断面図。
量性センサーの各製造段階における断面図。
２０ 上部電極 ２８ ダイアフラムキャビティ ３０ 下部電極（基板） ３１ パッド酸化物 ３２ ウエル ３３ 酸化物 ３４ パッド酸化物 ３６ シリコン窒化物 ３８ フィールドイオン打ち込み領域 ４０ 局所保護膜 ５０ 底部電極 ５１ コンタクトパッド ５６ 低ストレスシリコン窒化物 ６０ ＬＴＯ層 ７６ 酸化物 ７８ 孔 ８０ 低ストレスシリコン窒化物 ８２ ＡｌＳｉ層 １００ 絶対圧力センサー ２００ 基準センサー ２２０ コンデンサー電極 ２２８ ダイアフラムキャビティ ２５０ コンデンサー電極 ２７６ 浸透性ポリイミド封止 ２７８ アクセス開口部
Claims (8)
- 【請求項１】 表面微細加工容量性絶対圧力センサーを
製造するための方法であって、次の工程： ａ．半導体基板の表面を、それの選ばれたエリアを露出
させながらマスクすること、 ｂ．基板の前記選ばれたエリアを選択的にドーピングし
て、容量性センサーの第１の導電性電極区分を定義する
こと、 ｃ．少なくとも基板の前記第１の電極区分と前記選ばれ
たエリアを定義する前記マスクの周辺区分とを覆って、
第１の犠牲層を一体として堆積すること、 ｄ．前記第１の犠牲層を覆って、多結晶シリコンダイア
フラム層を一体として堆積すること、 ｅ．少なくとも基板中の前記第１の電極区分と一般的に
同一場所を占めるエリアにおいて、ダイアフラム層を選
択的にドーピングしてダイアフラムを導電性化し、それ
によって容量性センサーの第２の電極区分を形成するこ
と、 ｆ．前記ダイアフラム層を貫通して前記犠牲層中へアク
セス用の開口部を選択的にエッチングすること、 ｇ．前記アクセス開口部を通して選択的にウエットエッ
チングを行って、前記第１および第２の電極区分と並置
されたエリア中で前記第１の犠牲層を除去して、それに
よって前記第１の犠牲層の除去された部分と一般的に同
一場所を占めるダイアフラムキャビティを定義するこ
と、 ｈ．前記ダイアフラムキャビティ中のウエットエッチャ
ントを凍結乾燥させること、 ｉ．前記ウエットエッチャントを前記ダイアラムキャビ
ティから前記アクセス開口部を通して昇華によって排除
し、それによってウエットエッチャントが除去される時
に多結晶シリコンが毛管変曲を起こさないようにするこ
と、および ｊ．前記第１の電極区分に隣接するダイアフラムキャビ
ティの体積を本質的に減らすことなく、またダイアフラ
ムをコーティングすることなしに、前記アクセス開口部
中にそれを封止するためのプラグを選択的に堆積させ、
それによって、前記封じ込められたダイアフラムキャビ
ティ中の封入圧力と雰囲気圧力との変動に応答するダイ
アフラム層の変曲がそれに対応する容量変化を前記第１
と第２の電極間に引き起こすようにすること、を含む方
法。 - 【請求項２】 請求項第１項記載の方法であって、工程
ｅが更に、前記ダイアフラムを覆って第２の多結晶シリ
コンの一体層を形成する後続の工程を含んでいる方法。 - 【請求項３】 請求項第１項記載の方法であって、工程
ｃが、第１の犠牲層の厚さが０．１ないし１．０マイク
ロメートルの厚さになるまで続けられる方法。 - 【請求項４】 請求項第３項記載の方法であって、工程
ｄが、前記犠牲層を覆って、多結晶シリコンの固体層が
形成されるような温度と圧力の条件下で、シランガスか
ら多結晶シリコンの堆積が行われる方法。 - 【請求項５】 請求項第１項記載の方法であって、工程
ｊが更に、ダイアフラムの隣接エリアと前記プラグとを
覆って、ＳｉＮの層を一体として堆積させてダイアフラ
ムキャビティを封止する後続の工程を含んでいる方法。 - 【請求項６】 請求項第１項記載の方法であって、工程
ｊが以下の先行工程：共通のプロセスによって処理され
た隣接するセンサー対を指定し、各対のうち基準センサ
ーとなるべき１つを指定すること、および前記基準セン
サーのアクセス開口部を選択的にマスクして、その中へ
ダイアフラムキャビティを封止するためのプラグを受け
入れないようにすること、 を含んでおり、更に次の工程： （ｋ）前記基準センサー中のアクセス開口部を覆ってい
るマスクを選択的に除去すること、および （ｌ）前記第１の電極のエリア中のダイアフラムキャビ
ティの体積を本質的に減らすことなく、またダイアフラ
ムをコーティングすることなしに、前記基準センサー中
のアクセス開口部中へガス浸透性のプラグを選択的に堆
積させ、これによって前記基準センサーの容量を絶対圧
力センサーと比較して比率測定ができるようにするこ
と、 を含む方法。 - 【請求項７】 表面微細加工容量性絶対圧力センサーで
あって：前記容量性センサーの第１の導電性電極区分を
定義するようにドープされた選ばれたエリアを有する半
導体基板、 少なくとも前記基板の前記第１電極区分を覆って、一体
として堆積された第１の犠牲層、 前記第１の犠牲層を覆って一体として堆積された多結晶
シリコンダイアフラムであって、前記基板中の前記第１
電極区分と一般的に同一場所を占めるエリア中に、前記
ダイアフラムを導電性にするための選択的ドーピングを
施されており、それによって前記容量性センサーの第２
電極区分を形成される多結晶シリコンダイアフラム、 前記基板の反対側の面上に前記多結晶シリコンダイアフ
ラムを貫通して選択的にエッチされ、それを通して前記
第１の犠牲層を選択的に除去するためのアクセス開口部
であって、前記第１の犠牲層が前記ダイアフラムの前記
第１電極区分と並置されたエリア中から除去されて、そ
れによってダイアフラムキャビティが定義されるように
なったアクセス開口部、 前記第１電極区分に隣接する前記ダイアフラムキャビテ
ィの体積を本質的に減らすことなく、またダイアフラム
をコーティングすることなしに、前記アクセス開口部中
にあってそれを封止するためのプラグ、 を含み、 これによって、前記封じ込められたダイアフラムキャビ
ティ中の封入圧力と雰囲気圧力との変動に応答する前記
ダイアフラム層の変曲がそれに対応する容量変化を前記
第１と第２の電極間に引き起こすようになった、 圧力センサー。 - 【請求項８】 請求項第７項記載のセンサーであって、
更に前記基板上に基準センサーとして使用するための隣
接する１つのセンサーを含み、前記基準センサーが、前
記アクセス開口部中にあって前記ダイアフラムキャビテ
ィを固体材料からは封止するが、それを浸透するガスの
移動を封止しないガス浸透性のプラグを含んでおり、そ
れによって前記基準センサーの容量を絶対圧力センサー
と比較して、比率測定ができるようになったセンサー。
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| US013919 | 1987-02-12 | ||
| US08/013,919 US5316619A (en) | 1993-02-05 | 1993-02-05 | Capacitive surface micromachine absolute pressure sensor and method for processing |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH06252420A true JPH06252420A (ja) | 1994-09-09 |
Family
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Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP5336757A Pending JPH06252420A (ja) | 1993-02-05 | 1993-12-28 | 容量性表面微細加工絶対圧力センサー |
Country Status (4)
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|---|---|
| US (1) | US5316619A (ja) |
| JP (1) | JPH06252420A (ja) |
| DE (1) | DE4401999C3 (ja) |
| GB (1) | GB2276978B (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6541833B2 (en) | 1998-08-27 | 2003-04-01 | Infineon Technologies Ag | Micromechanical component with sealed membrane openings and method of fabricating a micromechanical component |
| US6877383B2 (en) | 1998-03-31 | 2005-04-12 | Hitachi, Ltd. | Capacitive type pressure sensor |
| CN106744651A (zh) * | 2017-01-11 | 2017-05-31 | 河海大学常州校区 | 一种电容式微电子气压传感器及其制备方法 |
| US10566414B2 (en) | 2016-09-01 | 2020-02-18 | International Business Machines Corporation | BEOL capacitor through airgap metallization |
Families Citing this family (41)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5589810A (en) * | 1991-03-28 | 1996-12-31 | The Foxboro Company | Semiconductor pressure sensor and related methodology with polysilicon diaphragm and single-crystal gage elements |
| FR2700003B1 (fr) * | 1992-12-28 | 1995-02-10 | Commissariat Energie Atomique | Procédé de fabrication d'un capteur de pression utilisant la technologie silicium sur isolant et capteur obtenu. |
| US5369544A (en) * | 1993-04-05 | 1994-11-29 | Ford Motor Company | Silicon-on-insulator capacitive surface micromachined absolute pressure sensor |
| DE4333099A1 (de) * | 1993-09-29 | 1995-03-30 | Bosch Gmbh Robert | Kraftsensor und Verfahren zur Herstellung eines Kraftsensors |
| US5851851A (en) * | 1994-03-07 | 1998-12-22 | Nippondenso Co., Ltd. | Method for fabricating a semiconductor acceleration sensor |
| DE4418207C1 (de) * | 1994-05-25 | 1995-06-22 | Siemens Ag | Thermischer Sensor/Aktuator in Halbleitermaterial |
| US5731229A (en) * | 1994-06-28 | 1998-03-24 | Nissan Motor Co., Ltd. | Method of producing device having minute structure |
| US5578843A (en) * | 1994-10-06 | 1996-11-26 | Kavlico Corporation | Semiconductor sensor with a fusion bonded flexible structure |
| US5658636A (en) * | 1995-01-27 | 1997-08-19 | Carnegie Mellon University | Method to prevent adhesion of micromechanical structures |
| FI100918B (fi) * | 1995-02-17 | 1998-03-13 | Vaisala Oy | Pintamikromekaaninen, symmetrinen paine-eroanturi |
| US5573679A (en) * | 1995-06-19 | 1996-11-12 | Alberta Microelectronic Centre | Fabrication of a surface micromachined capacitive microphone using a dry-etch process |
| FR2736205B1 (fr) * | 1995-06-30 | 1997-09-19 | Motorola Semiconducteurs | Dispositif detecteur a semiconducteur et son procede de formation |
| DE19608370A1 (de) * | 1996-03-05 | 1996-07-25 | Josef Dr Lechner | Verfahren zur Herstellung mikromechanischer Kanäle mit Anschluß an die Umgebungsatmosphäre |
| US5888845A (en) * | 1996-05-02 | 1999-03-30 | National Semiconductor Corporation | Method of making high sensitivity micro-machined pressure sensors and acoustic transducers |
| DE19625666C1 (de) * | 1996-06-26 | 1998-01-15 | Siemens Ag | Ausleseschaftung und kapazitiv messender Senser |
| US5966617A (en) * | 1996-09-20 | 1999-10-12 | Kavlico Corporation | Multiple local oxidation for surface micromachining |
| EP0943076B1 (de) * | 1996-12-03 | 2000-05-10 | Fraunhofer-Gesellschaft Zur Förderung Der Angewandten Forschung E.V. | Mikromechanisch gefertigte flussrestriktionsvorrichtung |
| FR2762389B1 (fr) * | 1997-04-17 | 1999-05-21 | Commissariat Energie Atomique | Microsysteme a membrane souple pour capteur de pression et procede de realisation |
| DE19743288A1 (de) * | 1997-09-30 | 1999-04-22 | Siemens Ag | Mikromechanischer Sensor |
| US6470754B1 (en) | 1998-08-19 | 2002-10-29 | Wisconsin Alumni Research Foundation | Sealed capacitive pressure sensors |
| US6352874B1 (en) * | 1999-05-24 | 2002-03-05 | Motorola Inc. | Method of manufacturing a sensor |
| US6694822B1 (en) * | 1999-07-20 | 2004-02-24 | Fidelica Microsystems, Inc. | Use of multi-layer thin films as stress sensor |
| US6889555B1 (en) * | 1999-07-20 | 2005-05-10 | Fidelica Microsystems, Inc. | Magnetoresistive semiconductor pressure sensors and fingerprint identification/verification sensors using same |
| US6506313B1 (en) * | 2000-02-01 | 2003-01-14 | Pacific Wave Industries, Inc. | Ultraminiature fiber optic pressure transducer and method of fabrication |
| JP3507978B2 (ja) * | 2000-02-23 | 2004-03-15 | 株式会社日立製作所 | 静電容量式圧力センサー |
| US6431003B1 (en) | 2000-03-22 | 2002-08-13 | Rosemount Aerospace Inc. | Capacitive differential pressure sensor with coupled diaphragms |
| US6521965B1 (en) * | 2000-09-12 | 2003-02-18 | Robert Bosch Gmbh | Integrated pressure sensor |
| US6448604B1 (en) * | 2000-09-12 | 2002-09-10 | Robert Bosch Gmbh | Integrated adjustable capacitor |
| US6741709B2 (en) * | 2000-12-20 | 2004-05-25 | Shure Incorporated | Condenser microphone assembly |
| DE10123627B4 (de) * | 2001-05-15 | 2004-11-04 | Robert Bosch Gmbh | Sensorvorrichtung zum Erfassen einer mechanischen Deformation eines Bauelementes im Kraftfahrzeugbereich |
| US7146014B2 (en) | 2002-06-11 | 2006-12-05 | Intel Corporation | MEMS directional sensor system |
| US6575026B1 (en) | 2002-06-28 | 2003-06-10 | Eastman Kodak Company | Measuring absolute static pressure at one or more positions along a microfluidic device |
| US6915592B2 (en) * | 2002-07-29 | 2005-07-12 | Applied Materials, Inc. | Method and apparatus for generating gas to a processing chamber |
| DE10324960B4 (de) * | 2003-06-03 | 2011-08-11 | Robert Bosch GmbH, 70469 | Kapazitiver Drucksensor |
| US6843121B1 (en) | 2003-08-25 | 2005-01-18 | Eastman Kodak Company | Measuring absolute static pressure at one or more positions along a microfluidic device |
| US7028551B2 (en) * | 2004-06-18 | 2006-04-18 | Kavlico Corporation | Linearity semi-conductive pressure sensor |
| US7231832B2 (en) * | 2004-09-13 | 2007-06-19 | United States Of America As Represented By The Administrator Of The National Aeronautics And Space Administration | System and method for detecting cracks and their location |
| CN104142206B (zh) * | 2013-05-07 | 2018-07-20 | 上海丽恒光微电子科技有限公司 | 一种mems电容式压力传感器及其制作方法 |
| CN104848982B (zh) * | 2015-05-29 | 2018-01-19 | 歌尔股份有限公司 | 准差分电容式mems压力传感器及其制造方法 |
| US10197462B2 (en) * | 2016-05-25 | 2019-02-05 | Honeywell International Inc. | Differential pressure sensor full overpressure protection device |
| US11346698B2 (en) * | 2019-06-21 | 2022-05-31 | Sporian Microsystems, Inc. | Compact pressure and flow sensors for very high temperature and corrosive fluids |
Family Cites Families (14)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US3539705A (en) * | 1968-05-31 | 1970-11-10 | Westinghouse Electric Corp | Microelectronic conductor configurations and method of making the same |
| JPS5144871B2 (ja) * | 1971-09-25 | 1976-12-01 | ||
| US4861420A (en) * | 1984-06-04 | 1989-08-29 | Tactile Perceptions, Inc. | Method of making a semiconductor transducer |
| US4665610A (en) * | 1985-04-22 | 1987-05-19 | Stanford University | Method of making a semiconductor transducer having multiple level diaphragm structure |
| US4744863A (en) * | 1985-04-26 | 1988-05-17 | Wisconsin Alumni Research Foundation | Sealed cavity semiconductor pressure transducers and method of producing the same |
| JPH0750789B2 (ja) * | 1986-07-18 | 1995-05-31 | 日産自動車株式会社 | 半導体圧力変換装置の製造方法 |
| US4975390A (en) * | 1986-12-18 | 1990-12-04 | Nippondenso Co. Ltd. | Method of fabricating a semiconductor pressure sensor |
| US4740410A (en) * | 1987-05-28 | 1988-04-26 | The Regents Of The University Of California | Micromechanical elements and methods for their fabrication |
| US4895616A (en) * | 1987-12-07 | 1990-01-23 | Honeywell Inc. | Method for making thin film orthogonal microsensor for air flow |
| US4808549A (en) * | 1988-05-27 | 1989-02-28 | Ford Motor Company | Method for fabricating a silicon force transducer |
| US4849070A (en) * | 1988-09-14 | 1989-07-18 | The United States Of America As Represented By The Secretary Of The Army | Process for fabricating three-dimensional, free-standing microstructures |
| US5095401A (en) * | 1989-01-13 | 1992-03-10 | Kopin Corporation | SOI diaphragm sensor |
| US5013693A (en) * | 1989-02-16 | 1991-05-07 | Wisconsin Alumni Research Foundation | Formation of microstructures with removal of liquid by freezing and sublimation |
| DE4042336A1 (de) * | 1990-02-12 | 1991-08-14 | Fraunhofer Ges Forschung | Drucksensoranordnung mit einem drucksensor und einem referenzelement |
-
1993
- 1993-02-05 US US08/013,919 patent/US5316619A/en not_active Expired - Fee Related
- 1993-12-28 JP JP5336757A patent/JPH06252420A/ja active Pending
-
1994
- 1994-01-25 GB GB9401409A patent/GB2276978B/en not_active Expired - Fee Related
- 1994-01-25 DE DE4401999A patent/DE4401999C3/de not_active Expired - Fee Related
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6877383B2 (en) | 1998-03-31 | 2005-04-12 | Hitachi, Ltd. | Capacitive type pressure sensor |
| US6541833B2 (en) | 1998-08-27 | 2003-04-01 | Infineon Technologies Ag | Micromechanical component with sealed membrane openings and method of fabricating a micromechanical component |
| US10566414B2 (en) | 2016-09-01 | 2020-02-18 | International Business Machines Corporation | BEOL capacitor through airgap metallization |
| CN106744651A (zh) * | 2017-01-11 | 2017-05-31 | 河海大学常州校区 | 一种电容式微电子气压传感器及其制备方法 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| DE4401999A1 (de) | 1994-08-11 |
| GB2276978B (en) | 1996-07-31 |
| US5316619A (en) | 1994-05-31 |
| DE4401999C3 (de) | 2002-01-10 |
| GB2276978A (en) | 1994-10-12 |
| DE4401999C2 (de) | 1996-04-25 |
| GB9401409D0 (en) | 1994-03-23 |
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