JPH06243522A - 光磁気ディスク及びその再生方法 - Google Patents
光磁気ディスク及びその再生方法Info
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- JPH06243522A JPH06243522A JP5025902A JP2590293A JPH06243522A JP H06243522 A JPH06243522 A JP H06243522A JP 5025902 A JP5025902 A JP 5025902A JP 2590293 A JP2590293 A JP 2590293A JP H06243522 A JPH06243522 A JP H06243522A
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- 238000000034 method Methods 0.000 title description 17
- 230000005291 magnetic effect Effects 0.000 claims abstract description 170
- 230000005415 magnetization Effects 0.000 claims abstract description 101
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 13
- 238000012545 processing Methods 0.000 claims description 6
- 230000001678 irradiating effect Effects 0.000 claims description 2
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 163
- 150000003624 transition metals Chemical class 0.000 description 27
- 239000013598 vector Substances 0.000 description 27
- 239000010408 film Substances 0.000 description 26
- 229910052723 transition metal Inorganic materials 0.000 description 26
- 150000002910 rare earth metals Chemical class 0.000 description 24
- 229910052761 rare earth metal Inorganic materials 0.000 description 23
- 239000000956 alloy Substances 0.000 description 19
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 description 19
- 230000002441 reversible effect Effects 0.000 description 15
- 230000008878 coupling Effects 0.000 description 10
- 238000010168 coupling process Methods 0.000 description 10
- 238000005859 coupling reaction Methods 0.000 description 10
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 10
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 8
- 239000011241 protective layer Substances 0.000 description 8
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 7
- 239000007787 solid Substances 0.000 description 6
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 6
- 230000008901 benefit Effects 0.000 description 5
- 238000007781 pre-processing Methods 0.000 description 4
- 229910052581 Si3N4 Inorganic materials 0.000 description 3
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 3
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 3
- 230000010287 polarization Effects 0.000 description 3
- 230000008569 process Effects 0.000 description 3
- 238000005546 reactive sputtering Methods 0.000 description 3
- HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N silicon nitride Chemical compound N12[Si]34N5[Si]62N3[Si]51N64 HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 2
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 2
- 230000003247 decreasing effect Effects 0.000 description 2
- 238000011161 development Methods 0.000 description 2
- 230000018109 developmental process Effects 0.000 description 2
- 238000009826 distribution Methods 0.000 description 2
- 239000013067 intermediate product Substances 0.000 description 2
- 239000000696 magnetic material Substances 0.000 description 2
- 239000000463 material Substances 0.000 description 2
- 229920002120 photoresistant polymer Polymers 0.000 description 2
- 230000000630 rising effect Effects 0.000 description 2
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 2
- 230000007704 transition Effects 0.000 description 2
- 229910052692 Dysprosium Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052688 Gadolinium Inorganic materials 0.000 description 1
- 101150026303 HEX1 gene Proteins 0.000 description 1
- 229910052689 Holmium Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000005374 Kerr effect Effects 0.000 description 1
- 229910052771 Terbium Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000009825 accumulation Methods 0.000 description 1
- 230000009471 action Effects 0.000 description 1
- 238000004380 ashing Methods 0.000 description 1
- 230000008859 change Effects 0.000 description 1
- 230000008034 disappearance Effects 0.000 description 1
- 238000001312 dry etching Methods 0.000 description 1
- 230000005672 electromagnetic field Effects 0.000 description 1
- 238000010894 electron beam technology Methods 0.000 description 1
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 1
- 239000002902 ferrimagnetic material Substances 0.000 description 1
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 1
- 230000003993 interaction Effects 0.000 description 1
- 238000005468 ion implantation Methods 0.000 description 1
- 229910052742 iron Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000010330 laser marking Methods 0.000 description 1
- 238000001755 magnetron sputter deposition Methods 0.000 description 1
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 1
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 1
- 238000000059 patterning Methods 0.000 description 1
- 238000000206 photolithography Methods 0.000 description 1
- 238000010791 quenching Methods 0.000 description 1
- 230000008929 regeneration Effects 0.000 description 1
- 238000011069 regeneration method Methods 0.000 description 1
- 230000003252 repetitive effect Effects 0.000 description 1
- 238000011160 research Methods 0.000 description 1
- 239000011347 resin Substances 0.000 description 1
- 229920005989 resin Polymers 0.000 description 1
- 239000011265 semifinished product Substances 0.000 description 1
- 239000002356 single layer Substances 0.000 description 1
- 238000009751 slip forming Methods 0.000 description 1
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 1
- 238000001771 vacuum deposition Methods 0.000 description 1
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- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
- G11B11/00—Recording on or reproducing from the same record carrier wherein for these two operations the methods are covered by different main groups of groups G11B3/00 - G11B7/00 or by different subgroups of group G11B9/00; Record carriers therefor
- G11B11/10—Recording on or reproducing from the same record carrier wherein for these two operations the methods are covered by different main groups of groups G11B3/00 - G11B7/00 or by different subgroups of group G11B9/00; Record carriers therefor using recording by magnetic means or other means for magnetisation or demagnetisation of a record carrier, e.g. light induced spin magnetisation; Demagnetisation by thermal or stress means in the presence or not of an orienting magnetic field
- G11B11/105—Recording on or reproducing from the same record carrier wherein for these two operations the methods are covered by different main groups of groups G11B3/00 - G11B7/00 or by different subgroups of group G11B9/00; Record carriers therefor using recording by magnetic means or other means for magnetisation or demagnetisation of a record carrier, e.g. light induced spin magnetisation; Demagnetisation by thermal or stress means in the presence or not of an orienting magnetic field using a beam of light or a magnetic field for recording by change of magnetisation and a beam of light for reproducing, i.e. magneto-optical, e.g. light-induced thermomagnetic recording, spin magnetisation recording, Kerr or Faraday effect reproducing
- G11B11/10502—Recording on or reproducing from the same record carrier wherein for these two operations the methods are covered by different main groups of groups G11B3/00 - G11B7/00 or by different subgroups of group G11B9/00; Record carriers therefor using recording by magnetic means or other means for magnetisation or demagnetisation of a record carrier, e.g. light induced spin magnetisation; Demagnetisation by thermal or stress means in the presence or not of an orienting magnetic field using a beam of light or a magnetic field for recording by change of magnetisation and a beam of light for reproducing, i.e. magneto-optical, e.g. light-induced thermomagnetic recording, spin magnetisation recording, Kerr or Faraday effect reproducing characterised by the transducing operation to be executed
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- G11B11/00—Recording on or reproducing from the same record carrier wherein for these two operations the methods are covered by different main groups of groups G11B3/00 - G11B7/00 or by different subgroups of group G11B9/00; Record carriers therefor
- G11B11/10—Recording on or reproducing from the same record carrier wherein for these two operations the methods are covered by different main groups of groups G11B3/00 - G11B7/00 or by different subgroups of group G11B9/00; Record carriers therefor using recording by magnetic means or other means for magnetisation or demagnetisation of a record carrier, e.g. light induced spin magnetisation; Demagnetisation by thermal or stress means in the presence or not of an orienting magnetic field
- G11B11/105—Recording on or reproducing from the same record carrier wherein for these two operations the methods are covered by different main groups of groups G11B3/00 - G11B7/00 or by different subgroups of group G11B9/00; Record carriers therefor using recording by magnetic means or other means for magnetisation or demagnetisation of a record carrier, e.g. light induced spin magnetisation; Demagnetisation by thermal or stress means in the presence or not of an orienting magnetic field using a beam of light or a magnetic field for recording by change of magnetisation and a beam of light for reproducing, i.e. magneto-optical, e.g. light-induced thermomagnetic recording, spin magnetisation recording, Kerr or Faraday effect reproducing
- G11B11/10502—Recording on or reproducing from the same record carrier wherein for these two operations the methods are covered by different main groups of groups G11B3/00 - G11B7/00 or by different subgroups of group G11B9/00; Record carriers therefor using recording by magnetic means or other means for magnetisation or demagnetisation of a record carrier, e.g. light induced spin magnetisation; Demagnetisation by thermal or stress means in the presence or not of an orienting magnetic field using a beam of light or a magnetic field for recording by change of magnetisation and a beam of light for reproducing, i.e. magneto-optical, e.g. light-induced thermomagnetic recording, spin magnetisation recording, Kerr or Faraday effect reproducing characterised by the transducing operation to be executed
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- G11B11/00—Recording on or reproducing from the same record carrier wherein for these two operations the methods are covered by different main groups of groups G11B3/00 - G11B7/00 or by different subgroups of group G11B9/00; Record carriers therefor
- G11B11/10—Recording on or reproducing from the same record carrier wherein for these two operations the methods are covered by different main groups of groups G11B3/00 - G11B7/00 or by different subgroups of group G11B9/00; Record carriers therefor using recording by magnetic means or other means for magnetisation or demagnetisation of a record carrier, e.g. light induced spin magnetisation; Demagnetisation by thermal or stress means in the presence or not of an orienting magnetic field
- G11B11/105—Recording on or reproducing from the same record carrier wherein for these two operations the methods are covered by different main groups of groups G11B3/00 - G11B7/00 or by different subgroups of group G11B9/00; Record carriers therefor using recording by magnetic means or other means for magnetisation or demagnetisation of a record carrier, e.g. light induced spin magnetisation; Demagnetisation by thermal or stress means in the presence or not of an orienting magnetic field using a beam of light or a magnetic field for recording by change of magnetisation and a beam of light for reproducing, i.e. magneto-optical, e.g. light-induced thermomagnetic recording, spin magnetisation recording, Kerr or Faraday effect reproducing
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- G11B11/10515—Reproducing
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- G11B11/00—Recording on or reproducing from the same record carrier wherein for these two operations the methods are covered by different main groups of groups G11B3/00 - G11B7/00 or by different subgroups of group G11B9/00; Record carriers therefor
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- G11B11/10582—Record carriers characterised by the selection of the material or by the structure or form
- G11B11/10584—Record carriers characterised by the selection of the material or by the structure or form characterised by the form, e.g. comprising mechanical protection elements
Abstract
(57)【要約】
【目的】 誤って過大な磁場を受けたとき、または異常
に高い温度を受けたときに情報が消えてしまう問題点を
解決する。 【構成】 基板とこの上に積層された少なくとも２層の
磁性層からなり、両層は両方のキュリー点以下の温度で
交換結合している光磁気ディスクにおいて、第１磁性層
が磁化反転して両層間に生じた界面磁壁を解消する第１
微小領域α0と、第２磁性層が磁化反転して両層間に生
じた界面磁壁を解消する第２微小領域α1 とを設け、前
記領域の一方を情報単位とし、この情報単位の有無又は
長さによって、情報を表すことを特徴とする光磁気ディ
スク。
に高い温度を受けたときに情報が消えてしまう問題点を
解決する。 【構成】 基板とこの上に積層された少なくとも２層の
磁性層からなり、両層は両方のキュリー点以下の温度で
交換結合している光磁気ディスクにおいて、第１磁性層
が磁化反転して両層間に生じた界面磁壁を解消する第１
微小領域α0と、第２磁性層が磁化反転して両層間に生
じた界面磁壁を解消する第２微小領域α1 とを設け、前
記領域の一方を情報単位とし、この情報単位の有無又は
長さによって、情報を表すことを特徴とする光磁気ディ
スク。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、新規な光磁気ディスク
及びその再生方法に関する。
及びその再生方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】最近、高密度、大容量、高いアクセス速
度、並びに高い記録及び再生速度を含めた種々の要求を
満足する光学的記録再生方法、それに使用される記録装
置、再生装置及び記録媒体を開発しようとする努力が成
されている。広範囲な光学的記録再生方法の中で、光磁
気記録再生方法は、情報を記録した後、消去することが
でき、再び新たな情報を記録することが繰り返し何度も
可能であるというユニークな利点のために、最も大きな
魅力に満ちている。
度、並びに高い記録及び再生速度を含めた種々の要求を
満足する光学的記録再生方法、それに使用される記録装
置、再生装置及び記録媒体を開発しようとする努力が成
されている。広範囲な光学的記録再生方法の中で、光磁
気記録再生方法は、情報を記録した後、消去することが
でき、再び新たな情報を記録することが繰り返し何度も
可能であるというユニークな利点のために、最も大きな
魅力に満ちている。
【０００３】この光磁気記録再生方法で使用される光磁
気記録ディスク（媒体）は、記録を残す層として１層又
は多層からなる磁性膜を有する。磁性膜は、初期の頃
は、水平磁化膜（磁化の向きが膜面に平行）であった。
その後、記録密度が高く、また信号強度も高い垂直磁化
膜(perpendicular magnetic layer or layers) が開発
された。今日、後者がほぼ１００％使用されている。こ
のような磁化膜は、例えばアモルファスのGdFeやGdCo、
GdFeCo、TbFe、TbCo、TbFeCoなどからなる。ディスク
は、一般に同心円状又はらせん状のトラックを有してお
り、このトラックの上に情報が記録される。 〔マーク〕本明細書では、膜面に対し「上向き（upwar
d) 」又は「下向き(downward)」の何れか一方を、「Ａ
向き」、他方を「逆Ａ向き」と定義する。 記録すべき
情報は、予め２値化されており、この情報が「Ａ向き」
の磁化を有するマーク（Ｂ1)と、「逆Ａ向き」の磁化を
有するマーク（Ｂ0)の２つの信号で記録される。これら
のマークＢ1 ，Ｂ0 は、デジタル信号の１，０の何れか
一方と他方にそれぞれ相当する。しかし、一般には記録
されるトラックの磁化は、記録前に強力な外部磁場を印
加することによって「逆Ａ向き」に揃えられる。この磁
化の向きを揃える行為は、初期化（initialize）と呼ば
れる。その上でトラックに「Ａ向き」の磁化を有するマ
ーク（Ｂ1)を形成する。マーク（Ｂ0)又は（Ｂ1)の一方
を情報単位とし、情報単位−−−−通常はマーク（Ｂ1)
−−−−の有無及び／又は長さによって表現される。
尚、マークは、過去にピット又はビットと呼ばれたこと
があるが、最近はマークと呼ぶ。 〔マーク形成の原理〕マークの形成に於いては、レーザ
ーの特徴即ち空間的時間的に素晴らしい凝集性(coheren
ce) が有利に使用され、レーザー光の波長によって決定
される回折限界とほとんど同じ位に小さいスポットにビ
ームが絞り込まれる。絞り込まれた光はトラック表面に
照射され、垂直磁化膜に直径が１μｍ以下のマークを形
成することにより情報が記録される。光学的記録におい
ては、理論的に約108 マーク／cm2 での記録密度を達成
することができる。何故ならば、レーザビームはその波
長とほとんど同じ位に小さい直径を有するスポットにま
で凝縮(concentrate) することが出来るからである。
気記録ディスク（媒体）は、記録を残す層として１層又
は多層からなる磁性膜を有する。磁性膜は、初期の頃
は、水平磁化膜（磁化の向きが膜面に平行）であった。
その後、記録密度が高く、また信号強度も高い垂直磁化
膜(perpendicular magnetic layer or layers) が開発
された。今日、後者がほぼ１００％使用されている。こ
のような磁化膜は、例えばアモルファスのGdFeやGdCo、
GdFeCo、TbFe、TbCo、TbFeCoなどからなる。ディスク
は、一般に同心円状又はらせん状のトラックを有してお
り、このトラックの上に情報が記録される。 〔マーク〕本明細書では、膜面に対し「上向き（upwar
d) 」又は「下向き(downward)」の何れか一方を、「Ａ
向き」、他方を「逆Ａ向き」と定義する。 記録すべき
情報は、予め２値化されており、この情報が「Ａ向き」
の磁化を有するマーク（Ｂ1)と、「逆Ａ向き」の磁化を
有するマーク（Ｂ0)の２つの信号で記録される。これら
のマークＢ1 ，Ｂ0 は、デジタル信号の１，０の何れか
一方と他方にそれぞれ相当する。しかし、一般には記録
されるトラックの磁化は、記録前に強力な外部磁場を印
加することによって「逆Ａ向き」に揃えられる。この磁
化の向きを揃える行為は、初期化（initialize）と呼ば
れる。その上でトラックに「Ａ向き」の磁化を有するマ
ーク（Ｂ1)を形成する。マーク（Ｂ0)又は（Ｂ1)の一方
を情報単位とし、情報単位−−−−通常はマーク（Ｂ1)
−−−−の有無及び／又は長さによって表現される。
尚、マークは、過去にピット又はビットと呼ばれたこと
があるが、最近はマークと呼ぶ。 〔マーク形成の原理〕マークの形成に於いては、レーザ
ーの特徴即ち空間的時間的に素晴らしい凝集性(coheren
ce) が有利に使用され、レーザー光の波長によって決定
される回折限界とほとんど同じ位に小さいスポットにビ
ームが絞り込まれる。絞り込まれた光はトラック表面に
照射され、垂直磁化膜に直径が１μｍ以下のマークを形
成することにより情報が記録される。光学的記録におい
ては、理論的に約108 マーク／cm2 での記録密度を達成
することができる。何故ならば、レーザビームはその波
長とほとんど同じ位に小さい直径を有するスポットにま
で凝縮(concentrate) することが出来るからである。
【０００４】図２に示すように、光磁気記録において
は、レーザービーム（Ｌ）を垂直磁化膜（ＭＯ）の上に
絞りこみ、それを加熱する。その間、初期化された向き
とは反対の向きの記録磁界（Ｈb ) を加熱された部分に
外部から印加する。そうすると局部的に加熱された部分
の保磁力Ｈc(coersivity) は減少し記録磁界（Ｈb ) よ
り小さくなる。その結果、その部分の磁化は、記録磁界
（Ｈb ) の向きに並ぶ。こうして逆に磁化されたマーク
が形成される。 〔再生の原理〕図３は、光磁気効果に基づく情報再生の
原理を示す。光は、光路に垂直な平面上で全ての方向に
通常は発散している電磁場ベクトルを有する電磁波であ
る。光が直線偏光（Ｌp ) に変換され、そして垂直磁化
膜（ＭＯ）に照射されたとき、光はその表面で反射され
るか又は垂直磁化膜（ＭＯ）を透過する。このとき、偏
光面は磁化Ｍの向きに従って回転する。この回転する現
象は、磁気カー（Kerr)効果又は磁気ファラデー(Farada
y) 効果と呼ばれる。
は、レーザービーム（Ｌ）を垂直磁化膜（ＭＯ）の上に
絞りこみ、それを加熱する。その間、初期化された向き
とは反対の向きの記録磁界（Ｈb ) を加熱された部分に
外部から印加する。そうすると局部的に加熱された部分
の保磁力Ｈc(coersivity) は減少し記録磁界（Ｈb ) よ
り小さくなる。その結果、その部分の磁化は、記録磁界
（Ｈb ) の向きに並ぶ。こうして逆に磁化されたマーク
が形成される。 〔再生の原理〕図３は、光磁気効果に基づく情報再生の
原理を示す。光は、光路に垂直な平面上で全ての方向に
通常は発散している電磁場ベクトルを有する電磁波であ
る。光が直線偏光（Ｌp ) に変換され、そして垂直磁化
膜（ＭＯ）に照射されたとき、光はその表面で反射され
るか又は垂直磁化膜（ＭＯ）を透過する。このとき、偏
光面は磁化Ｍの向きに従って回転する。この回転する現
象は、磁気カー（Kerr)効果又は磁気ファラデー(Farada
y) 効果と呼ばれる。
【０００５】例えば、もし反射光の偏光面が「Ａ向き」
磁化に対してθK 度回転するとすると、「逆Ａ向き」磁
化に対しては−θK 度回転する。従って、光アナライザ
ー（偏光子）の軸を−θK 度傾けた面に垂直にセットし
ておくと、「逆Ａ向き」に磁化されたマーク（Ｂ0)から
反射された光はアナライザーを透過することができな
い。それに対して「Ａ向き」に磁化されたマーク（Ｂ1)
から反射された光は、(sin2θK )2を乗じた分がアナラ
イザーを透過し、 ディテクター（光電変換手段）に捕
獲される。その結果、「Ａ向き」に磁化されたマーク
（Ｂ1)は「逆Ａ向き」に磁化されたマーク（Ｂ0)よりも
明るく見え、ディテクターに於いて強い電気信号を発生
させる。従って、このディテクターからの電気信号は、
記録された情報に従って変調されるので、情報が再生さ
れるのである。 〔ＴＭとＲＥ〕磁性層（垂直磁化膜）は、遷移金属 tra
nsition metal(以下、ＴＭと略す）と重希土類金属 hea
vy rare earth metal ( 以下、ＲＥと略す）との合金か
らなる非晶質フェリ磁性体であることが好ましい。ＴＭ
の例にはFe、Coがあり、ＲＥの例にはGd、Tb、Dy、Hoが
ある。合金の外部に現れる磁化の向き及び大きさは、合
金内部のＴＭの副格子磁化の向き及び大きさと、ＲＥの
副格子磁化の向き及び大きさとの関係で決まる。例えば
ＴＭの副格子磁化の向き及び大きさを点線の矢印で示す
ベクトルで表わし、ＲＥの副格子磁化のそれを実線の矢
で示すベクトルで表し、合金全体の磁化の向き及び大き
さを白抜きの矢で示すベクトルで表す。このとき白抜き
の矢（ベクトル）は点線の矢（ベクトル）と実線の矢
（ベクトル）との和として表わされる。ただし、合金の
中ではＴＭの副格子磁化とＲＥ副格子磁化との相互作用
のために点線の矢（ベクトル）と実線の矢（ベクトル）
とは、向きが必ず逆になっている。従って、点線の矢
（ベクトル）と実線の矢（ベクトル）との和は、両者の
強度が等しいとき、合金のベクトルはゼロ（つまり、外
部に現れる磁化の大きさはゼロ）になる。このゼロにな
るときの合金組成は補償組成(compensation compositio
n ) と呼ばれる。それ以外の組成のときには、合金は両
方の副格子磁化の強度差に等しい強度を有し、いずれか
大きい方のベクトルの向きに等しい向きを有する白抜き
の矢（ベクトル）を持つ。
磁化に対してθK 度回転するとすると、「逆Ａ向き」磁
化に対しては−θK 度回転する。従って、光アナライザ
ー（偏光子）の軸を−θK 度傾けた面に垂直にセットし
ておくと、「逆Ａ向き」に磁化されたマーク（Ｂ0)から
反射された光はアナライザーを透過することができな
い。それに対して「Ａ向き」に磁化されたマーク（Ｂ1)
から反射された光は、(sin2θK )2を乗じた分がアナラ
イザーを透過し、 ディテクター（光電変換手段）に捕
獲される。その結果、「Ａ向き」に磁化されたマーク
（Ｂ1)は「逆Ａ向き」に磁化されたマーク（Ｂ0)よりも
明るく見え、ディテクターに於いて強い電気信号を発生
させる。従って、このディテクターからの電気信号は、
記録された情報に従って変調されるので、情報が再生さ
れるのである。 〔ＴＭとＲＥ〕磁性層（垂直磁化膜）は、遷移金属 tra
nsition metal(以下、ＴＭと略す）と重希土類金属 hea
vy rare earth metal ( 以下、ＲＥと略す）との合金か
らなる非晶質フェリ磁性体であることが好ましい。ＴＭ
の例にはFe、Coがあり、ＲＥの例にはGd、Tb、Dy、Hoが
ある。合金の外部に現れる磁化の向き及び大きさは、合
金内部のＴＭの副格子磁化の向き及び大きさと、ＲＥの
副格子磁化の向き及び大きさとの関係で決まる。例えば
ＴＭの副格子磁化の向き及び大きさを点線の矢印で示す
ベクトルで表わし、ＲＥの副格子磁化のそれを実線の矢
で示すベクトルで表し、合金全体の磁化の向き及び大き
さを白抜きの矢で示すベクトルで表す。このとき白抜き
の矢（ベクトル）は点線の矢（ベクトル）と実線の矢
（ベクトル）との和として表わされる。ただし、合金の
中ではＴＭの副格子磁化とＲＥ副格子磁化との相互作用
のために点線の矢（ベクトル）と実線の矢（ベクトル）
とは、向きが必ず逆になっている。従って、点線の矢
（ベクトル）と実線の矢（ベクトル）との和は、両者の
強度が等しいとき、合金のベクトルはゼロ（つまり、外
部に現れる磁化の大きさはゼロ）になる。このゼロにな
るときの合金組成は補償組成(compensation compositio
n ) と呼ばれる。それ以外の組成のときには、合金は両
方の副格子磁化の強度差に等しい強度を有し、いずれか
大きい方のベクトルの向きに等しい向きを有する白抜き
の矢（ベクトル）を持つ。
【０００６】そこで、合金の磁化ベクトルを点線のベク
トルと実線のベクトルを隣接して書き、例えば図４に示
すように書き表す。ＲＥ、ＴＭの副格子磁化の状態は大
別すると４通りあり、これらを図５の(1A)〜(4A)に示
す。そして、各状態における合金の磁化ベクトル（白抜
きの矢）を図５の(1B)〜(4B)に対応して示す。例えば、
ＲＥベクトルがＴＭベクトルに比べて大きい場合、副格
子磁化の状態は(1A)に示され、合金の磁化ベクトルは、
(1B)に示される。
トルと実線のベクトルを隣接して書き、例えば図４に示
すように書き表す。ＲＥ、ＴＭの副格子磁化の状態は大
別すると４通りあり、これらを図５の(1A)〜(4A)に示
す。そして、各状態における合金の磁化ベクトル（白抜
きの矢）を図５の(1B)〜(4B)に対応して示す。例えば、
ＲＥベクトルがＴＭベクトルに比べて大きい場合、副格
子磁化の状態は(1A)に示され、合金の磁化ベクトルは、
(1B)に示される。
【０００７】ある合金組成のＴＭベクトルとＲＥベクト
ルの強度が、どちらか一方が大きいとき、その合金組成
は、強度の大きい方の名をとってＴＭリッチ又はＲＥリ
ッチであると呼ばれる。合金全体の磁化の向きは、○○
リッチの○○の副格子磁化の向きと一致する。第１、第
２磁性層の両方について、ＴＭリッチな組成とＲＥリッ
チな組成とに分けられる。従って、縦軸座標に第１磁性
層の組成を横軸座標に第２磁性層の組成をとると、ディ
スク全体としては、種類を図６に示す４象限に分類する
ことができる。図６において、座標の交点は両層の補償
組成を表す。
ルの強度が、どちらか一方が大きいとき、その合金組成
は、強度の大きい方の名をとってＴＭリッチ又はＲＥリ
ッチであると呼ばれる。合金全体の磁化の向きは、○○
リッチの○○の副格子磁化の向きと一致する。第１、第
２磁性層の両方について、ＴＭリッチな組成とＲＥリッ
チな組成とに分けられる。従って、縦軸座標に第１磁性
層の組成を横軸座標に第２磁性層の組成をとると、ディ
スク全体としては、種類を図６に示す４象限に分類する
ことができる。図６において、座標の交点は両層の補償
組成を表す。
【０００８】両層が交換結合しているとき、両層の間に
交換結合力σW が働く。交換結合力σW は、ＴＭ、ＲＥ
それぞれについて副格子磁化の向きを同じ向きにする。
そのため、両層が交換結合しているとき、第１磁性層の
磁化の向きと第２磁性層の磁化の向きがパラレルのとき
に安定な２層膜と、両層の磁化の向きがアンチパラレル
のときに安定な２層膜との２種類がある。いずれにせ
よ、安定状態では、両層のＴＭ副格子磁化の向きは一致
している。当然に両層のＲＥ副格子磁化の向きも一致し
ている。前者はパラレル・タイプ略してＰタイプ、後者
はアンチパラレル・タイプ略してＡタイプと呼ばれる。
前者は両層の磁化の向きがアンチパラレルのときに不安
定で、そのとき、層間に界面磁壁ができている。後者は
両層の磁化の向きがパラレルのときに不安定で、そのと
き、層間に界面磁壁ができている。不安定状態では、両
層のＴＭ副格子磁化の向きは一致せず、両層のＲＥ副格
子磁化の向きも一致していない。但し、不安定と言って
も準安定で、数年〜数十年は、その状態で存在すること
ができる場合がある。Ｐタイプは、図６に示す１象限と
３象限に属し、Ａタイプは２象限と４象限に属す。
交換結合力σW が働く。交換結合力σW は、ＴＭ、ＲＥ
それぞれについて副格子磁化の向きを同じ向きにする。
そのため、両層が交換結合しているとき、第１磁性層の
磁化の向きと第２磁性層の磁化の向きがパラレルのとき
に安定な２層膜と、両層の磁化の向きがアンチパラレル
のときに安定な２層膜との２種類がある。いずれにせ
よ、安定状態では、両層のＴＭ副格子磁化の向きは一致
している。当然に両層のＲＥ副格子磁化の向きも一致し
ている。前者はパラレル・タイプ略してＰタイプ、後者
はアンチパラレル・タイプ略してＡタイプと呼ばれる。
前者は両層の磁化の向きがアンチパラレルのときに不安
定で、そのとき、層間に界面磁壁ができている。後者は
両層の磁化の向きがパラレルのときに不安定で、そのと
き、層間に界面磁壁ができている。不安定状態では、両
層のＴＭ副格子磁化の向きは一致せず、両層のＲＥ副格
子磁化の向きも一致していない。但し、不安定と言って
も準安定で、数年〜数十年は、その状態で存在すること
ができる場合がある。Ｐタイプは、図６に示す１象限と
３象限に属し、Ａタイプは２象限と４象限に属す。
【０００９】
【発明が解決しようとする課題】いずれにせよ、これま
での光磁気記録ディスクは、繰り返し記録再生可能であ
る利点を持つ。従って、逆に、ディスクは、誤って過大
な磁場を受けたとき、あるいは異常に高い温度になった
とき、情報が消えてしまう問題点があった。本発明の目
的は、光磁気記録ディスクが持つ前記問題点の解決にあ
る。
での光磁気記録ディスクは、繰り返し記録再生可能であ
る利点を持つ。従って、逆に、ディスクは、誤って過大
な磁場を受けたとき、あるいは異常に高い温度になった
とき、情報が消えてしまう問題点があった。本発明の目
的は、光磁気記録ディスクが持つ前記問題点の解決にあ
る。
【００１０】
【課題を解決するための手段】そこで、本発明者は、鋭
意研究の結果、「繰り返し記録再生可能であるという利
点」を放棄し、再生専用型に特化した新規な光磁気ディ
スク及びその再生方法を発明した。しかも、驚くべきこ
とに、このディスクは、従来の再生専用型光ディスク
（例えば、コンパクトディスクＣＤやレーザーディスク
ＬＤ）に比べて、情報密度を高くすることができる利点
を有する。
意研究の結果、「繰り返し記録再生可能であるという利
点」を放棄し、再生専用型に特化した新規な光磁気ディ
スク及びその再生方法を発明した。しかも、驚くべきこ
とに、このディスクは、従来の再生専用型光ディスク
（例えば、コンパクトディスクＣＤやレーザーディスク
ＬＤ）に比べて、情報密度を高くすることができる利点
を有する。
【００１１】本発明は、第１に、「基板とこの上に積層
された第１磁性層と第２磁性層との少なくとも２層膜か
らなり、両層が両方のキュリー点以下の温度で交換結合
している光磁気ディスクにおいて、両層の間で、両方の
キュリー点以下の温度で、第１磁性層が磁化反転して両
層間に生じた界面磁壁を解消する第１微小領域α0 と、
第２磁性層が磁化反転して両層間に生じた界面磁壁を解
消する第２微小領域α1 とを設け、前記領域の一方を情
報単位とし、この情報単位の有無又は長さによって、情
報を表すことを特徴とする光磁気ディスク（請求項
１）」を提供する。
された第１磁性層と第２磁性層との少なくとも２層膜か
らなり、両層が両方のキュリー点以下の温度で交換結合
している光磁気ディスクにおいて、両層の間で、両方の
キュリー点以下の温度で、第１磁性層が磁化反転して両
層間に生じた界面磁壁を解消する第１微小領域α0 と、
第２磁性層が磁化反転して両層間に生じた界面磁壁を解
消する第２微小領域α1 とを設け、前記領域の一方を情
報単位とし、この情報単位の有無又は長さによって、情
報を表すことを特徴とする光磁気ディスク（請求項
１）」を提供する。
【００１２】また、本発明は、「請求項１に記載した光
磁気ディスクにおいて、前記第１磁性層及び第２磁性層
が共に垂直磁気異方性を有することを特徴とする光磁気
ディスク（請求項２）」を提供する。また、本発明は、
「請求項１に記載した光磁気ディスクにおいて、前記第
１磁性層がレーザービームの照射方向からみて順に相対
的にキュリー点の高い層、キュリー点の低い層の少なく
とも２層からなることを特徴とする光磁気ディスク（請
求項３）」を提供する。 また、本発明は、「請求項１
に記載した光磁気ディスクにおいて、前記第２磁性層の
膜厚が前記第１微小領域と前記第２微小領域で異なるこ
とを特徴とする光磁気ディスク（請求項４）」を提供す
る。
磁気ディスクにおいて、前記第１磁性層及び第２磁性層
が共に垂直磁気異方性を有することを特徴とする光磁気
ディスク（請求項２）」を提供する。また、本発明は、
「請求項１に記載した光磁気ディスクにおいて、前記第
１磁性層がレーザービームの照射方向からみて順に相対
的にキュリー点の高い層、キュリー点の低い層の少なく
とも２層からなることを特徴とする光磁気ディスク（請
求項３）」を提供する。 また、本発明は、「請求項１
に記載した光磁気ディスクにおいて、前記第２磁性層の
膜厚が前記第１微小領域と前記第２微小領域で異なるこ
とを特徴とする光磁気ディスク（請求項４）」を提供す
る。
【００１３】また、本発明は、「請求項１に記載した光
磁気ディスクにおいて、前記第２磁性層の保磁力が前記
第１微小領域と前記第２微小領域で異なることを特徴と
する光磁気ディスク（請求項５）」を提供する。第６
に、本発明は、 第１工程：請求項１に記載したディスクを用意するこ
と； 第２工程：第１磁性層の磁化の向きが揃っており、か
つ、少なくともこれから再生する第１微小領域α0 にお
いて、両層間に界面磁壁が生じている状態に前処理する
こと； 第３工程：ディスクにレーザービームを照射することに
より、両磁性層の温度を「前記第１微小領域α0 におい
て両層間に存在する界面磁壁が消失する温度であって、
かつ両層の磁化が消失しない温度ＴR 」まで上昇させる
こと；並びに 第４工程：前記レーザービームが温度ＴR のディスクで
反射された反射光、又は前記レーザービームが温度ＴR
のディスクを透過した透過光を磁気光学的に処理して電
気信号に変換すること；からなる磁気光学的再生方法
（請求項６）を提供する。
磁気ディスクにおいて、前記第２磁性層の保磁力が前記
第１微小領域と前記第２微小領域で異なることを特徴と
する光磁気ディスク（請求項５）」を提供する。第６
に、本発明は、 第１工程：請求項１に記載したディスクを用意するこ
と； 第２工程：第１磁性層の磁化の向きが揃っており、か
つ、少なくともこれから再生する第１微小領域α0 にお
いて、両層間に界面磁壁が生じている状態に前処理する
こと； 第３工程：ディスクにレーザービームを照射することに
より、両磁性層の温度を「前記第１微小領域α0 におい
て両層間に存在する界面磁壁が消失する温度であって、
かつ両層の磁化が消失しない温度ＴR 」まで上昇させる
こと；並びに 第４工程：前記レーザービームが温度ＴR のディスクで
反射された反射光、又は前記レーザービームが温度ＴR
のディスクを透過した透過光を磁気光学的に処理して電
気信号に変換すること；からなる磁気光学的再生方法
（請求項６）を提供する。
【００１４】
〔本発明の原理〕次に図面を用いて本発明の原理を説明
する。ここでは、垂直磁化膜の例（請求項２のディス
ク）で説明する。図７の（１）は、本発明のディスクの
垂直断面を示す概念図である。ここでは磁化の向きはま
だバラバラであるので記入していない。室温での保磁力
及びキュリー点は、第１、第２磁性層でどちらが大きい
と言う限定はない。
する。ここでは、垂直磁化膜の例（請求項２のディス
ク）で説明する。図７の（１）は、本発明のディスクの
垂直断面を示す概念図である。ここでは磁化の向きはま
だバラバラであるので記入していない。室温での保磁力
及びキュリー点は、第１、第２磁性層でどちらが大きい
と言う限定はない。
【００１５】本発明のディスクは、両方のキュリー点以
下の温度で交換結合しており、両層の間で、両方のキュ
リー点以下の温度で、第１磁性層が磁化反転して両層間
に生じた界面磁壁を解消する第１微小領域α0 と、第２
磁性層が磁化反転して両層間に生じた界面磁壁を解消す
る第２微小領域α1 を有する。領域α0 、α1 の一方を
情報単位とし、この情報単位の有無又は長さによって、
情報が表わされる。つまり、この情報単位は、ピットや
マークと同じ機能を持つ。
下の温度で交換結合しており、両層の間で、両方のキュ
リー点以下の温度で、第１磁性層が磁化反転して両層間
に生じた界面磁壁を解消する第１微小領域α0 と、第２
磁性層が磁化反転して両層間に生じた界面磁壁を解消す
る第２微小領域α1 を有する。領域α0 、α1 の一方を
情報単位とし、この情報単位の有無又は長さによって、
情報が表わされる。つまり、この情報単位は、ピットや
マークと同じ機能を持つ。
【００１６】ここで、ディスクを前処理（請求項６の第
２工程に相当する）する。前処理の代表例を説明する。
ディスクがＰタイプの場合とＡタイプの場合に分けて説
明する。 ディスクがＰタイプのときには前工程と後工
程の２工程に分かれる。前工程では、ディスクに対し、
第１微小領域α0 の第２磁性層の保磁力Ｈc2より大きな
第１外部磁界Ｈex1 を「Ａ向き」に印加する。Ｈ
ex1 は、
２工程に相当する）する。前処理の代表例を説明する。
ディスクがＰタイプの場合とＡタイプの場合に分けて説
明する。 ディスクがＰタイプのときには前工程と後工
程の２工程に分かれる。前工程では、ディスクに対し、
第１微小領域α0 の第２磁性層の保磁力Ｈc2より大きな
第１外部磁界Ｈex1 を「Ａ向き」に印加する。Ｈ
ex1 は、
【００１７】
【数１】
【００１８】で示す式１を満足する。但し、ＭS2は第２
磁性層の第１微小領域の飽和磁化であり、ｔ2 は第２磁
性層の第１微小領域の膜厚である。そうすると第１、第
２磁性層の磁化は共に「Ａ向き」↑に揃えられる。この
状態が図７の（２Ｐ）である。このとき、磁性層の温度
を室温より高めておくと保磁力が低下する場合がある。
その場合には、小さな第１外部磁界Ｈex1 で済む。磁性
層の温度を高めるにはレーザービームを照射してもよ
い。 後工程では、ディスクに対し、第１磁性層の保磁
力ＨC1より大きく第１微小領域α0 の第２磁性層の保磁
力ＨC2より小さな第２外部磁界Ｈex2 を「逆Ａ向き」に
印加する。Ｈex2 は、
磁性層の第１微小領域の飽和磁化であり、ｔ2 は第２磁
性層の第１微小領域の膜厚である。そうすると第１、第
２磁性層の磁化は共に「Ａ向き」↑に揃えられる。この
状態が図７の（２Ｐ）である。このとき、磁性層の温度
を室温より高めておくと保磁力が低下する場合がある。
その場合には、小さな第１外部磁界Ｈex1 で済む。磁性
層の温度を高めるにはレーザービームを照射してもよ
い。 後工程では、ディスクに対し、第１磁性層の保磁
力ＨC1より大きく第１微小領域α0 の第２磁性層の保磁
力ＨC2より小さな第２外部磁界Ｈex2 を「逆Ａ向き」に
印加する。Ｈex2 は、
【００１９】
【数２】
【００２０】で示す式２を満足する。但し、ＭS1は第１
磁性層の飽和磁化であり、ｔ1 は第１磁性層の膜厚であ
る。このときも、磁性層の温度を室温より高めておいて
もよい場合がある。但し、両層のキュリー点以下の温度
である。この結果、第１磁性層の磁化が「逆Ａ向き」↓
に揃えられる。またこのとき、少なくとも、第１微小領
域α0 の部分の第２磁性層の揃えられた磁化は反転して
はならない。そのため、第１磁性層は、
磁性層の飽和磁化であり、ｔ1 は第１磁性層の膜厚であ
る。このときも、磁性層の温度を室温より高めておいて
もよい場合がある。但し、両層のキュリー点以下の温度
である。この結果、第１磁性層の磁化が「逆Ａ向き」↓
に揃えられる。またこのとき、少なくとも、第１微小領
域α0 の部分の第２磁性層の揃えられた磁化は反転して
はならない。そのため、第１磁性層は、
【００２１】
【数３】
【００２２】で示す式３を満足する。また、第１微小領
域α0 の第２磁性層は
域α0 の第２磁性層は
【００２３】
【数４】
【００２４】で示す式４を満足しなければならない。ま
たこの時、第２微小領域α1 の第２磁性層の磁化はＨ
ex2 によって反転しても良いし、また、後に述べるレー
ザー照射による昇温過程で反転しても良い。Ｐタイプ
は、両層の磁化の向きがパラレルのときに磁化の向きは
安定である。そうすると少なくとも第１微小領域α0 で
は、両層の磁化の向きがアンチパラレルであり、そこは
不安定（但し、準安定）である。そのため、領域α0 に
は両層の間に界面磁壁（太い実線で示すもの）が生じ
る。この状態が、図７の（３Ｐ）である。これで前処理
が完了する。 Ａタイプの場合には、媒体に対し、第１
外部磁界Ｈex1 を「Ａ向き」に印加する。但し、Ｈex1
は、
たこの時、第２微小領域α1 の第２磁性層の磁化はＨ
ex2 によって反転しても良いし、また、後に述べるレー
ザー照射による昇温過程で反転しても良い。Ｐタイプ
は、両層の磁化の向きがパラレルのときに磁化の向きは
安定である。そうすると少なくとも第１微小領域α0 で
は、両層の磁化の向きがアンチパラレルであり、そこは
不安定（但し、準安定）である。そのため、領域α0 に
は両層の間に界面磁壁（太い実線で示すもの）が生じ
る。この状態が、図７の（３Ｐ）である。これで前処理
が完了する。 Ａタイプの場合には、媒体に対し、第１
外部磁界Ｈex1 を「Ａ向き」に印加する。但し、Ｈex1
は、
【００２５】
【数５】
【００２６】で示す式５と、
【００２７】
【数６】
【００２８】で示す式６を満足しなければならない。ま
たこの時、第２微小領域α1 の第２磁性層の磁化はＨ
ex1 を外れたときに再反転しても良いし、後に述べるレ
ーザー照射による昇温過程で反転しても良い。Ａタイプ
は、両層の磁化の向きがアンチパラレルのときに磁化の
向きは安定である。そうすると少なくとも第１微小領域
α0 では、両層の磁化の向きがパラレルであり、そこは
不安定（但し、準安定）である。そのため、領域α0 に
は両層の間に界面磁壁（太い実線で示すもの）が生じ
る。この状態が、図７の（２Ａ）である。これで前処理
が完了する。
たこの時、第２微小領域α1 の第２磁性層の磁化はＨ
ex1 を外れたときに再反転しても良いし、後に述べるレ
ーザー照射による昇温過程で反転しても良い。Ａタイプ
は、両層の磁化の向きがアンチパラレルのときに磁化の
向きは安定である。そうすると少なくとも第１微小領域
α0 では、両層の磁化の向きがパラレルであり、そこは
不安定（但し、準安定）である。そのため、領域α0 に
は両層の間に界面磁壁（太い実線で示すもの）が生じ
る。この状態が、図７の（２Ａ）である。これで前処理
が完了する。
【００２９】次に再生工程（請求項６の第３、第４工程
に相当）を説明する。第１磁性層側から再生レベルのレ
ーザービームを照射する。 ディスクは当然に回転させ
ておく。レーザービームのディスク上でのスポット径
は、最小の領域α0 及びα1 の直径の３倍よりやや大き
いとする。そのため、スポット径内に最小の領域α0 又
はα1 が３個分含まれる。３個分は図８、図９で言う
と、２値化情報１０１である。従来のＣＤやＬＤでは、
この場合、１０１と１１０と０１１の３者を区別できな
い。それは、スポットからの反射光量にほとんど相違が
ないからである。同様に、両隣の２つのトラックで同じ
位置にある最小の領域α0 又はα1 を考えた場合も、１
０１と１１０と０１１の３者を区別できない。そのた
め、従来のＣＤやＬＤでは、最小の領域α0 又は最小の
領域α1 の径をスポット径より小さくできない。スポッ
ト径はレーザービームを対物レンズで絞ることによって
得られる。そのため、回折限界からスポット径はレーザ
ーの波長より小さくすることはできない。現在の半導体
レーザーを用いると、約１μｍ以下のスポット径は得ら
れない。そのため、従来のＣＤやＬＤでは、記録密度に
限界があった。
に相当）を説明する。第１磁性層側から再生レベルのレ
ーザービームを照射する。 ディスクは当然に回転させ
ておく。レーザービームのディスク上でのスポット径
は、最小の領域α0 及びα1 の直径の３倍よりやや大き
いとする。そのため、スポット径内に最小の領域α0 又
はα1 が３個分含まれる。３個分は図８、図９で言う
と、２値化情報１０１である。従来のＣＤやＬＤでは、
この場合、１０１と１１０と０１１の３者を区別できな
い。それは、スポットからの反射光量にほとんど相違が
ないからである。同様に、両隣の２つのトラックで同じ
位置にある最小の領域α0 又はα1 を考えた場合も、１
０１と１１０と０１１の３者を区別できない。そのた
め、従来のＣＤやＬＤでは、最小の領域α0 又は最小の
領域α1 の径をスポット径より小さくできない。スポッ
ト径はレーザービームを対物レンズで絞ることによって
得られる。そのため、回折限界からスポット径はレーザ
ーの波長より小さくすることはできない。現在の半導体
レーザーを用いると、約１μｍ以下のスポット径は得ら
れない。そのため、従来のＣＤやＬＤでは、記録密度に
限界があった。
【００３０】しかしながら、レーザービームの強度分布
は中心ほど高い。そのため、スポット内の温度分布は中
心ほど高い。また、ディスクは移動しているので、スポ
ット内の後の方の部分に相当する磁性層の温度は、熱蓄
積効果により、他の部分より温度が高くなる。そのた
め、図９の（２）に実線の○で示す領域α0 は、「第１
微小領域α0 において、両層間に存在する界面磁壁が消
失する温度であって、かつ両層の磁化が消失しない温度
ＴR 」に上昇する。これが請求項６の第３工程に当た
る。そのため、実線の○で示す領域α0 の第１磁性層の
磁化の向きは、第２磁性層からの交換結合力を受けて反
転する。この結果、界面磁壁が消える。このとき、スポ
ット位置に補助磁界を印加してもよい。これにより、第
１磁性層の磁化反転が容易になり、温度ＴR の最低温度
を下げることができる。
は中心ほど高い。そのため、スポット内の温度分布は中
心ほど高い。また、ディスクは移動しているので、スポ
ット内の後の方の部分に相当する磁性層の温度は、熱蓄
積効果により、他の部分より温度が高くなる。そのた
め、図９の（２）に実線の○で示す領域α0 は、「第１
微小領域α0 において、両層間に存在する界面磁壁が消
失する温度であって、かつ両層の磁化が消失しない温度
ＴR 」に上昇する。これが請求項６の第３工程に当た
る。そのため、実線の○で示す領域α0 の第１磁性層の
磁化の向きは、第２磁性層からの交換結合力を受けて反
転する。この結果、界面磁壁が消える。このとき、スポ
ット位置に補助磁界を印加してもよい。これにより、第
１磁性層の磁化反転が容易になり、温度ＴR の最低温度
を下げることができる。
【００３１】第１磁性層の磁化は、Ｐタイプでは第２磁
性層のそれと同じ「Ａ向き」↑（Ａタイプの場合は「逆
Ａ向き」↓）となる。 この状態が図９の（１）であ
る。他方、領域α1 では、仮に温度ＴR になっても、第
２磁性層の磁化が反転して既に界面磁壁が消失している
状態なので、第１磁性層の磁化の向きは反転しない。そ
れに対して、点線で示す領域α0 は、界面磁壁によって
交換結合力を受ける同じ領域α0 でありながら、温度が
ＴR に上昇していないので、第１磁性層の磁化の向きは
反転することはない。従って、図の位置では、実線の○
で示す領域α0 だけがスポット内でＰタイプでは「Ａ向
き」↑（Ａタイプの場合は「逆Ａ向き」↓）の磁化を示
し、 それ以外の領域はＰタイプでは「逆Ａ向き」↓
（Ａタイプの場合は「Ａ向き」↑）の磁化を示す。その
ため、前後左右に領域α0 があっても、実線の○で示す
領域α0 １個だけがスポット内に「あぶり出し」され、
領域α0 １個だけを検出できる。１個あれば、反射光又
は透過光を磁気光学的な処理をする（請求項６の第４工
程）と、減少または増加した光量が検知される。そこ
で、光を光電変換手段で電気信号に変換すれば、２値化
情報の「１」を１個だけ検出できる。
性層のそれと同じ「Ａ向き」↑（Ａタイプの場合は「逆
Ａ向き」↓）となる。 この状態が図９の（１）であ
る。他方、領域α1 では、仮に温度ＴR になっても、第
２磁性層の磁化が反転して既に界面磁壁が消失している
状態なので、第１磁性層の磁化の向きは反転しない。そ
れに対して、点線で示す領域α0 は、界面磁壁によって
交換結合力を受ける同じ領域α0 でありながら、温度が
ＴR に上昇していないので、第１磁性層の磁化の向きは
反転することはない。従って、図の位置では、実線の○
で示す領域α0 だけがスポット内でＰタイプでは「Ａ向
き」↑（Ａタイプの場合は「逆Ａ向き」↓）の磁化を示
し、 それ以外の領域はＰタイプでは「逆Ａ向き」↓
（Ａタイプの場合は「Ａ向き」↑）の磁化を示す。その
ため、前後左右に領域α0 があっても、実線の○で示す
領域α0 １個だけがスポット内に「あぶり出し」され、
領域α0 １個だけを検出できる。１個あれば、反射光又
は透過光を磁気光学的な処理をする（請求項６の第４工
程）と、減少または増加した光量が検知される。そこ
で、光を光電変換手段で電気信号に変換すれば、２値化
情報の「１」を１個だけ検出できる。
【００３２】次にディスクが最小の領域α0 又はα1 だ
け移動したとする。図９（２）の例では、今度は領域α
1 が温度ＴR になる。しかし、領域α1 は、第２磁性層
の磁化が反転して既に界面磁壁が消失している状態なの
で、第１磁性層の磁化の向きは反転しない。従って、ス
ポット内の領域は全部Ｐタイプでは「逆Ａ向き」↓（Ａ
タイプの場合は「Ａ向き」↑）の磁化を示し、減少また
は増加した光量は検知されない。つまり、領域α0 は検
出されない。
け移動したとする。図９（２）の例では、今度は領域α
1 が温度ＴR になる。しかし、領域α1 は、第２磁性層
の磁化が反転して既に界面磁壁が消失している状態なの
で、第１磁性層の磁化の向きは反転しない。従って、ス
ポット内の領域は全部Ｐタイプでは「逆Ａ向き」↓（Ａ
タイプの場合は「Ａ向き」↑）の磁化を示し、減少また
は増加した光量は検知されない。つまり、領域α0 は検
出されない。
【００３３】更にディスクが最小の領域α0 又はα1 だ
け移動したとする。図９（２）の例では、今度は点線の
○で示した領域α0 が「あぶり出し」を受け、点線の○
の領域α0 １個だけが検出されるのである。以上が再生
の原理である。１度、再生を受けると、界面磁壁が消失
するので、「あぶり出し」は不可能となる。しかし、デ
ィスクは繰り返し前述の前処理が可能であり、前処理後
に再生すればよい。この場合、第１外部磁界Ｈex1 の印
加を省略することができ、Ｐタイプの場合には、上述の
式２を満足する第２外部磁界Ｈex2 だけを印加すればよ
い。Ａタイプの場合には、第１外部磁界Ｈex1 に代え
て、下記式７を満足する第２外部磁界Ｈex2 だけを印加
すればよい。
け移動したとする。図９（２）の例では、今度は点線の
○で示した領域α0 が「あぶり出し」を受け、点線の○
の領域α0 １個だけが検出されるのである。以上が再生
の原理である。１度、再生を受けると、界面磁壁が消失
するので、「あぶり出し」は不可能となる。しかし、デ
ィスクは繰り返し前述の前処理が可能であり、前処理後
に再生すればよい。この場合、第１外部磁界Ｈex1 の印
加を省略することができ、Ｐタイプの場合には、上述の
式２を満足する第２外部磁界Ｈex2 だけを印加すればよ
い。Ａタイプの場合には、第１外部磁界Ｈex1 に代え
て、下記式７を満足する第２外部磁界Ｈex2 だけを印加
すればよい。
【００３４】
【数７】
【００３５】そうすれば、ＰタイプでもＡタイプでも第
２外部磁界Ｈex2 だけで、請求項６に言う第２工程が完
了する。 〔ディスクの構造〕磁性層は薄くて良いので、一般には
円板状の基板（例えば、ガラスやプラスチック基板）上
に成形される。基板は、トラッキングのためのガイドと
なる溝を有していてもよい。溝がなくとも、トラックに
は領域α0 又はα1 が形成されているので、これを頼り
にトラッキングすることはできる。
２外部磁界Ｈex2 だけで、請求項６に言う第２工程が完
了する。 〔ディスクの構造〕磁性層は薄くて良いので、一般には
円板状の基板（例えば、ガラスやプラスチック基板）上
に成形される。基板は、トラッキングのためのガイドと
なる溝を有していてもよい。溝がなくとも、トラックに
は領域α0 又はα1 が形成されているので、これを頼り
にトラッキングすることはできる。
【００３６】基板の上に真空蒸着、スパッタリング等の
真空薄膜成形技術により、第１磁性層及び第２磁性層を
連続して形成する。磁性層の材料としては、遷移金属−
重希土類合金が好ましいが、これに限られることはな
い。また、磁性層は垂直磁化膜が好ましいが水平磁化膜
でもよい。磁性層の膜厚は、各層とも一般に 100〜500
Å程度である。また、磁性層成膜後、磁性層保護のため
保護層を成膜する。
真空薄膜成形技術により、第１磁性層及び第２磁性層を
連続して形成する。磁性層の材料としては、遷移金属−
重希土類合金が好ましいが、これに限られることはな
い。また、磁性層は垂直磁化膜が好ましいが水平磁化膜
でもよい。磁性層の膜厚は、各層とも一般に 100〜500
Å程度である。また、磁性層成膜後、磁性層保護のため
保護層を成膜する。
【００３７】ここで、第２磁性層にトラックに沿って領
域α0 又はα1 を形成するために、所望の情報に従い所
定パターンにパターニングする必要がある。パターニン
グするには、フォトリソグラフィが使用される。均一に
形成された磁性層上の保護層の上にフォトレジストを塗
布し、このレジストにレーザービームを所定パターン又
はその反転パターンに従い照射する。最小の領域α0 又
はα1 をできるだけ小さくし、それにより記録密度を上
げたいときには、できるだけ、波長の短いビームを使用
する必要がある。ビームは可視光に限らず、電子線やＸ
線、紫外線などを用いてもよい。照射の後、現像する
と、レジストパターンが得られる。
域α0 又はα1 を形成するために、所望の情報に従い所
定パターンにパターニングする必要がある。パターニン
グするには、フォトリソグラフィが使用される。均一に
形成された磁性層上の保護層の上にフォトレジストを塗
布し、このレジストにレーザービームを所定パターン又
はその反転パターンに従い照射する。最小の領域α0 又
はα1 をできるだけ小さくし、それにより記録密度を上
げたいときには、できるだけ、波長の短いビームを使用
する必要がある。ビームは可視光に限らず、電子線やＸ
線、紫外線などを用いてもよい。照射の後、現像する
と、レジストパターンが得られる。
【００３８】次に第２磁性層のエッチングを行なう。レ
ジストに覆われていない部分はエッチングを受けて膜厚
が減少する。最後に、残ったレジストパターンをアッシ
ング等により除去する。 この結果、所定パターンをし
た第２磁性層が得られる。また、エッチングではなく、
イオン打ち込み等によって第２磁性層の磁気特性を変化
させても良い。
ジストに覆われていない部分はエッチングを受けて膜厚
が減少する。最後に、残ったレジストパターンをアッシ
ング等により除去する。 この結果、所定パターンをし
た第２磁性層が得られる。また、エッチングではなく、
イオン打ち込み等によって第２磁性層の磁気特性を変化
させても良い。
【００３９】場合により、第２磁性層を均一に形成した
後、レーザーマーキングの技術により直接にパターニン
グしてもよい。場合により、第１磁性層と第２磁性層の
間に交換結合力σW 調整層を成形してもよい。調整層は
全体に形成してもよいし、第１微小領域α0 にだけ形成
してもよいし、第２微小領域α1 にだけ形成しても良
い。σW 調整層の材料は磁性体から選択してもよいし、
非磁性体から選んでもよい。σW 調整層の厚さは一般に
１〜500 Åの範囲から選択される。しかし、σW調整層
は、交換結合力を消滅させてはならない。 第１、第２
磁性層はそれぞれ単層でなくとも複数の層から構成され
ていてもよい。また、第１、第２磁性層の境界が明確で
はなく、一方から他方に徐々に変わってもよい。 反射
光から情報を再生する場合には、第１磁性層にレーザー
（直線偏光）を照射する。この場合θK の大きい第３磁
性層を第１磁性層の読み出し側にに設けてもよい。第３
磁性層の磁化の向きは、室温〜ＴR において、第１磁性
層の磁化の向きに交換結合によってパラレル又はアンチ
パラレルに従う。
後、レーザーマーキングの技術により直接にパターニン
グしてもよい。場合により、第１磁性層と第２磁性層の
間に交換結合力σW 調整層を成形してもよい。調整層は
全体に形成してもよいし、第１微小領域α0 にだけ形成
してもよいし、第２微小領域α1 にだけ形成しても良
い。σW 調整層の材料は磁性体から選択してもよいし、
非磁性体から選んでもよい。σW 調整層の厚さは一般に
１〜500 Åの範囲から選択される。しかし、σW調整層
は、交換結合力を消滅させてはならない。 第１、第２
磁性層はそれぞれ単層でなくとも複数の層から構成され
ていてもよい。また、第１、第２磁性層の境界が明確で
はなく、一方から他方に徐々に変わってもよい。 反射
光から情報を再生する場合には、第１磁性層にレーザー
（直線偏光）を照射する。この場合θK の大きい第３磁
性層を第１磁性層の読み出し側にに設けてもよい。第３
磁性層の磁化の向きは、室温〜ＴR において、第１磁性
層の磁化の向きに交換結合によってパラレル又はアンチ
パラレルに従う。
【００４０】以下、本発明を実施例を引用して、より具
体的に説明するが、本発明はこれに限られるものではな
い。
体的に説明するが、本発明はこれに限られるものではな
い。
【００４１】
【実施例１・・・Ａタイプのディスク】 （１）ピッチが1.2 μｍで深さｈが 700Åの溝が同心円
状に多数本形成されている２Ｐ基板を用意する。２Ｐ基
板の直径は130mm である。 （２）ＲＦマグネクトロン・スパッタリング装置を用意
し、２Ｐ基板と各種ターゲットをこの装置のチャンバー
内にセットする。チャンバー内を一旦７×10-7Torr. 以
下の真空度に排気した後、Arガスを５×10-3Torr. 導入
する。
状に多数本形成されている２Ｐ基板を用意する。２Ｐ基
板の直径は130mm である。 （２）ＲＦマグネクトロン・スパッタリング装置を用意
し、２Ｐ基板と各種ターゲットをこの装置のチャンバー
内にセットする。チャンバー内を一旦７×10-7Torr. 以
下の真空度に排気した後、Arガスを５×10-3Torr. 導入
する。
【００４２】最初にSiターゲットを用い、Arガスに加え
てＮ2 ガスをチャンバー内に導入して反応性スパッタリ
ングを行い、樹脂層の上に窒化シリコン（第１の保護
層) を700 Åの厚さに形成した。次にＮ2 ガス導入を止
め、５×10-3Torr. のArガス中でGdFeCo系合金ターゲッ
トを用いて、スパッタリングを行なう。これにより、第
１保護層の上にGdFeCo系垂直磁化膜からなる第３磁性層
を形成した。第３磁性層は、膜厚ｔが 300Åで、ＴＭリ
ッチで、保磁力ＨC が 100エルステッドで、キュリー点
は 400℃以上である。
てＮ2 ガスをチャンバー内に導入して反応性スパッタリ
ングを行い、樹脂層の上に窒化シリコン（第１の保護
層) を700 Åの厚さに形成した。次にＮ2 ガス導入を止
め、５×10-3Torr. のArガス中でGdFeCo系合金ターゲッ
トを用いて、スパッタリングを行なう。これにより、第
１保護層の上にGdFeCo系垂直磁化膜からなる第３磁性層
を形成した。第３磁性層は、膜厚ｔが 300Åで、ＴＭリ
ッチで、保磁力ＨC が 100エルステッドで、キュリー点
は 400℃以上である。
【００４３】真空状態を保持したまま、DyFeCo系合金タ
ーゲットに取り替え、スパッタリングを行なう。これに
より、第３磁性層の上にDyFeCo系垂直磁化膜からなる第
１磁性層を形成した。第１磁性層は、膜厚ｔ1 が 250Å
で、ＴＭリッチで、 保磁力ＨC1が1500エルステッド
で、キュリー点は 180℃である。更に、TbDyFeCo系合金
ターゲットを用いて、スパッタリングを行なう。これに
より、第１磁性層の上にTbDyFeCo系垂直磁化膜からなる
第２磁性層を形成した。第２磁性層は、膜厚ｔ2 が 500
Åで、ＲＥリッチで、保磁力ＨC2が4000エルステッド
で、キュリー点は 320℃である。
ーゲットに取り替え、スパッタリングを行なう。これに
より、第３磁性層の上にDyFeCo系垂直磁化膜からなる第
１磁性層を形成した。第１磁性層は、膜厚ｔ1 が 250Å
で、ＴＭリッチで、 保磁力ＨC1が1500エルステッド
で、キュリー点は 180℃である。更に、TbDyFeCo系合金
ターゲットを用いて、スパッタリングを行なう。これに
より、第１磁性層の上にTbDyFeCo系垂直磁化膜からなる
第２磁性層を形成した。第２磁性層は、膜厚ｔ2 が 500
Åで、ＲＥリッチで、保磁力ＨC2が4000エルステッド
で、キュリー点は 320℃である。
【００４４】再び、Siターゲットを用い、Arガスに加え
てＮ2 ガスをチャンバー内に導入して反応性スパッタリ
ングを行い、第２磁性層の上に窒化シリコンの保護層を
300Åの厚さに形成する。得られた中間製品をスパッタ
リング装置から取り出した後、スピンコーターを用い
て、保護層の上にフォトレジストを塗布した。プリベー
キングした後、中間製品を回転させながら、Krレーザー
（λ＝ 351nm) を照射した。レーザーは所定の周波数
（標準情報）で変調した。現像及びポストベーキングす
ると、所定のレジストパターンが得られた。パターン
は、トラックに沿って島状のレジスト（ピットに類似）
が点々と並んでいるものである。１個の島は、幅が0.3
μｍで長さが 0.3μｍである。前後の島の間隔は 0.3μ
ｍである。次に、Arプラズマを用いたドライエッチング
を行なった。これにより、島以外の部分の保護層は除去
された。そして第２磁性層も350 Å エッチングされ
た。
てＮ2 ガスをチャンバー内に導入して反応性スパッタリ
ングを行い、第２磁性層の上に窒化シリコンの保護層を
300Åの厚さに形成する。得られた中間製品をスパッタ
リング装置から取り出した後、スピンコーターを用い
て、保護層の上にフォトレジストを塗布した。プリベー
キングした後、中間製品を回転させながら、Krレーザー
（λ＝ 351nm) を照射した。レーザーは所定の周波数
（標準情報）で変調した。現像及びポストベーキングす
ると、所定のレジストパターンが得られた。パターン
は、トラックに沿って島状のレジスト（ピットに類似）
が点々と並んでいるものである。１個の島は、幅が0.3
μｍで長さが 0.3μｍである。前後の島の間隔は 0.3μ
ｍである。次に、Arプラズマを用いたドライエッチング
を行なった。これにより、島以外の部分の保護層は除去
された。そして第２磁性層も350 Å エッチングされ
た。
【００４５】こうして得られた半製品を、再び、スパッ
タリング装置にセットした。同時に各種ターゲットもセ
ットした。チャンバー内を一旦７×10-7Torr. 以下の真
空度に排気した後、Arガスを５×10-3Torr. 導入する。
最後に再びSiターゲットを用い、Arガスに加えてＮ2 ガ
スをチャンバー内に導入して反応性スパッタリングを行
い、窒化シリコンの保護層を 700Åの厚さに形成した。
タリング装置にセットした。同時に各種ターゲットもセ
ットした。チャンバー内を一旦７×10-7Torr. 以下の真
空度に排気した後、Arガスを５×10-3Torr. 導入する。
最後に再びSiターゲットを用い、Arガスに加えてＮ2 ガ
スをチャンバー内に導入して反応性スパッタリングを行
い、窒化シリコンの保護層を 700Åの厚さに形成した。
【００４６】
【実施例２・・・再生装置】この装置は、Ａタイプ用で
あり、主として、ディスクの回転手段、第１外部磁界Ｈ
ex1 印加手段、Ｈex1 印加手段の川下に位置するレーザ
ービーム光源、光源と反対側に位置する補助磁界印加手
段、及び光源と同じ側に位置する磁気光学的処理手段か
らなる。 第１外部磁界Ｈex1 印加手段は、「Ａ向き」
↑の10ＫＯe（ディスク面で）の磁界を出力する永久磁
石からなる。補助磁界印加手段は「逆Ａ向き」↓の 300
Ｏe （ディスク面で）の磁界を出力する永久磁石からな
る。光源は、λ＝780nm 、開口率（ＮＡ）＝0.55の半導
体レーザーである。磁気光学的処理手段は、光源とディ
スクとの間に置かれた（偏光又は非偏光）ビームスプリ
ッター、アナライザー及びディテクターからなる。
あり、主として、ディスクの回転手段、第１外部磁界Ｈ
ex1 印加手段、Ｈex1 印加手段の川下に位置するレーザ
ービーム光源、光源と反対側に位置する補助磁界印加手
段、及び光源と同じ側に位置する磁気光学的処理手段か
らなる。 第１外部磁界Ｈex1 印加手段は、「Ａ向き」
↑の10ＫＯe（ディスク面で）の磁界を出力する永久磁
石からなる。補助磁界印加手段は「逆Ａ向き」↓の 300
Ｏe （ディスク面で）の磁界を出力する永久磁石からな
る。光源は、λ＝780nm 、開口率（ＮＡ）＝0.55の半導
体レーザーである。磁気光学的処理手段は、光源とディ
スクとの間に置かれた（偏光又は非偏光）ビームスプリ
ッター、アナライザー及びディテクターからなる。
【００４７】ディスクは、回転手段により回転され、先
ず、Ｈex1 を印加される。これにより、前処理が済む。
そこで、次にレーザービームが照射される。光源から出
射したビームは、ビームスプリッターを透過（又は反
射）してディスクに入射し、ディスクで反射される。こ
の反射光はビームスプリッターで反射（又は透過）さ
れ、アナライザー及びディテクターに向かう。アナライ
ザーは、偏光ビームスプリッターでもよく、その場合に
は、情報を含む光は２つに分割して出射する。出射した
光はそれぞれに用意したディテクターで電気信号に変換
する。変換された電気信号から差を取ることにより、Ｃ
／Ｎ比の高い信号が得られる。
ず、Ｈex1 を印加される。これにより、前処理が済む。
そこで、次にレーザービームが照射される。光源から出
射したビームは、ビームスプリッターを透過（又は反
射）してディスクに入射し、ディスクで反射される。こ
の反射光はビームスプリッターで反射（又は透過）さ
れ、アナライザー及びディテクターに向かう。アナライ
ザーは、偏光ビームスプリッターでもよく、その場合に
は、情報を含む光は２つに分割して出射する。出射した
光はそれぞれに用意したディテクターで電気信号に変換
する。変換された電気信号から差を取ることにより、Ｃ
／Ｎ比の高い信号が得られる。
【００４８】Ｐタイプ用の装置では、Ｈex1 印加手段と
光源との間に、第２外部磁界Ｈex2印加手段が追加さ
れ、補助磁界印加手段の向きを「Ａ向き」↑にする。
光源との間に、第２外部磁界Ｈex2印加手段が追加さ
れ、補助磁界印加手段の向きを「Ａ向き」↑にする。
【００４９】
【実施例３・・・再生方法】実施例１のディスクを実施
例２の装置にセットし、ディスクを 1800rpmで回転させ
る。ディスクがＨex1 印加手段の近くを通ったとき、第
３、第１、第２磁性層の磁化は10ＫＯe の磁界を受けて
「Ａ向き」↑に揃えられる。微小領域α0 について、こ
の状態を図１０に示す。
例２の装置にセットし、ディスクを 1800rpmで回転させ
る。ディスクがＨex1 印加手段の近くを通ったとき、第
３、第１、第２磁性層の磁化は10ＫＯe の磁界を受けて
「Ａ向き」↑に揃えられる。微小領域α0 について、こ
の状態を図１０に示す。
【００５０】この時、第３、第１磁性層は共にＴＭリッ
チのため、ＴＭ副格子磁化は共に「Ａ向き」↑になる。
逆に、ＲＥ副格子磁化は共に「逆Ａ向き」↓になる。
両層のＴＭ副格子磁化の向きが一致する（パラレル）の
で交換結合力が働く領域α0においても、界面磁壁は生
じない。他方、第２磁性層はＲＥリッチのため、ＲＥの
副格子磁化は「Ａ向き」↑となるが、ＴＭ副格子磁化は
「逆Ａ向き」↓になる。そのため第１、第２磁性層のＴ
Ｍ副格子磁化の向きが一致しない（アンチパラレル）の
で、界面磁壁が生じる。
チのため、ＴＭ副格子磁化は共に「Ａ向き」↑になる。
逆に、ＲＥ副格子磁化は共に「逆Ａ向き」↓になる。
両層のＴＭ副格子磁化の向きが一致する（パラレル）の
で交換結合力が働く領域α0においても、界面磁壁は生
じない。他方、第２磁性層はＲＥリッチのため、ＲＥの
副格子磁化は「Ａ向き」↑となるが、ＴＭ副格子磁化は
「逆Ａ向き」↓になる。そのため第１、第２磁性層のＴ
Ｍ副格子磁化の向きが一致しない（アンチパラレル）の
で、界面磁壁が生じる。
【００５１】Ｈex1 印加手段から遠ざかり、磁性層が磁
界を受けなくなると、第２磁性層がエッチングされて薄
くなったα1 では、界面磁壁エネルギーを解放するよう
に、第２磁性層の磁化が反転する。こうして前処理され
たディスクはやがてレーザービーム（直線偏光）の照射
位置に来る。照射位置では、第３磁性層からビームが照
射される。ディスクの温度は急激に上昇し、第１磁性層
の保磁力は小さくなる。そして、スポット（直径1.3 μ
ｍ）内の後半の方では、磁性層の温度はＴR に達する。
その結果、界面磁壁のある領域α0 においては、第１磁
性層は第２磁性層からの交換結合力を強く受ける。交換
結合力は、第１磁性層のＴＭ副格子磁化を第２磁性層の
それ（「逆Ａ向き」↓）と一致するように作用する。そ
れで、領域α0 の第１磁性層のＴＭ副格子磁化は反転
し、界面磁壁は消滅する。第１磁性層はＴＭリッチなの
で全体の磁化も「逆Ａ向き」↓へと反転する。このと
き、第１磁性層は「逆Ａ向き」↓の補助磁界も受ける。
これによって、より容易に、第１磁性層の磁化反転及び
界面磁壁の消滅が起きる。もちろん、これらの現象は、
界面磁壁の無い安定した領域α1 においては、起きな
い。
界を受けなくなると、第２磁性層がエッチングされて薄
くなったα1 では、界面磁壁エネルギーを解放するよう
に、第２磁性層の磁化が反転する。こうして前処理され
たディスクはやがてレーザービーム（直線偏光）の照射
位置に来る。照射位置では、第３磁性層からビームが照
射される。ディスクの温度は急激に上昇し、第１磁性層
の保磁力は小さくなる。そして、スポット（直径1.3 μ
ｍ）内の後半の方では、磁性層の温度はＴR に達する。
その結果、界面磁壁のある領域α0 においては、第１磁
性層は第２磁性層からの交換結合力を強く受ける。交換
結合力は、第１磁性層のＴＭ副格子磁化を第２磁性層の
それ（「逆Ａ向き」↓）と一致するように作用する。そ
れで、領域α0 の第１磁性層のＴＭ副格子磁化は反転
し、界面磁壁は消滅する。第１磁性層はＴＭリッチなの
で全体の磁化も「逆Ａ向き」↓へと反転する。このと
き、第１磁性層は「逆Ａ向き」↓の補助磁界も受ける。
これによって、より容易に、第１磁性層の磁化反転及び
界面磁壁の消滅が起きる。もちろん、これらの現象は、
界面磁壁の無い安定した領域α1 においては、起きな
い。
【００５２】他方、第３磁性層は第１磁性層に交換結合
している。そのため、領域α0 において、第１磁性層の
磁化が「逆Ａ向き」↓へと反転すると、第３磁性層のそ
れも反転する。第３磁性層から反射されたビームを磁気
光学的手段で処理することにより、情報を再生し、Ｃ／
Ｎ比を測定した。この場合、スポット内には、実施例１
のディスクの領域α0 が２個入ることになる。
している。そのため、領域α0 において、第１磁性層の
磁化が「逆Ａ向き」↓へと反転すると、第３磁性層のそ
れも反転する。第３磁性層から反射されたビームを磁気
光学的手段で処理することにより、情報を再生し、Ｃ／
Ｎ比を測定した。この場合、スポット内には、実施例１
のディスクの領域α0 が２個入ることになる。
【００５３】以上のＣ／Ｎ比測定をレーザービームの強
度ＰR を変えて繰り返した。これらの結果を図１１に示
す。 この結果、ＰR ＝2.0 mW以上で初めて再生信号が
得られ、ＰR ＝3.0 mW以上では、Ｃ／Ｎ比は低下した。
このことは、以下のことを推定させる。つまり、ＰR が
2.0 mW以上3.0 mW未満では、領域α0 の１個に於いての
み、第３、第１磁性層の磁化反転が起きること。ＰR が
3.0 mW以上では、スポット内の磁性層の大部分が温度Ｔ
R に達し、そのため、スポット内の領域α0 ２個全部に
おいて、磁化反転が起きること。
度ＰR を変えて繰り返した。これらの結果を図１１に示
す。 この結果、ＰR ＝2.0 mW以上で初めて再生信号が
得られ、ＰR ＝3.0 mW以上では、Ｃ／Ｎ比は低下した。
このことは、以下のことを推定させる。つまり、ＰR が
2.0 mW以上3.0 mW未満では、領域α0 の１個に於いての
み、第３、第１磁性層の磁化反転が起きること。ＰR が
3.0 mW以上では、スポット内の磁性層の大部分が温度Ｔ
R に達し、そのため、スポット内の領域α0 ２個全部に
おいて、磁化反転が起きること。
【００５４】
【発明の効果】以上の通り、本発明は、再生専用型の光
磁気ディスクを提供する。本発明のディスクは、誤って
過大な磁場を受け、又は異常に高い温度を受け、そのた
め、磁性層の磁化の向きが乱れてしまっても、問題がな
い。つまり、前述の前処理をすれば、情報の再生は可能
となる。
磁気ディスクを提供する。本発明のディスクは、誤って
過大な磁場を受け、又は異常に高い温度を受け、そのた
め、磁性層の磁化の向きが乱れてしまっても、問題がな
い。つまり、前述の前処理をすれば、情報の再生は可能
となる。
【００５５】また、従来の再生専用型光ディスク（例え
ば、ＣＤやＬＤ）に比べて、情報密度を高くすることが
できる利点を有する。
ば、ＣＤやＬＤ）に比べて、情報密度を高くすることが
できる利点を有する。
【図１】は、本発明のディスクの垂直断面を示す概念図
である。
である。
【図２】は、光磁気記録方式の記録原理を説明する概念
図である。
図である。
【図３】は、光磁気記録方式の再生原理を説明する概念
図である。
図である。
【図４】は、希土類（ＲＥ）原子の副格子磁化を示すベ
クトル（実線の矢）と遷移金属（ＴＭ）原子の副格子磁
化を示すベクトル（点線の矢）とを比較するための説明
図である。
クトル（実線の矢）と遷移金属（ＴＭ）原子の副格子磁
化を示すベクトル（点線の矢）とを比較するための説明
図である。
【図５】は、副格子磁化のベクトル（実線の矢及び点線
の矢）と合金の磁化の向きを示すベクトル（白抜き矢）
との関係を示す説明図である。
の矢）と合金の磁化の向きを示すベクトル（白抜き矢）
との関係を示す説明図である。
【図６】は、第１、第２磁性層について、それぞれＲＥ
リッチ、ＴＭリッチに分けた場合、２層膜が４つの分類
（１象限〜４象限）に分けられることを説明する説明図
である。
リッチ、ＴＭリッチに分けた場合、２層膜が４つの分類
（１象限〜４象限）に分けられることを説明する説明図
である。
【図７】は、本発明のディスクの垂直断面を示し、
（１），（２Ｐ），（３Ｐ），（２Ａ）は状態を説明す
る概念図である。
（１），（２Ｐ），（３Ｐ），（２Ａ）は状態を説明す
る概念図である。
【図８】は、本発明のディスクの垂直断面を示し、レー
ザービームを照射した様子を説明する概念図である。
ザービームを照射した様子を説明する概念図である。
【図９】の（１）は、本発明のディスクの垂直断面を示
し、同（２）は、上面を示し、いずれもレーザービーム
を照射した様子を説明する概念図である。
し、同（２）は、上面を示し、いずれもレーザービーム
を照射した様子を説明する概念図である。
【図10】は、本発明の実施例１のディスクの微小領域α
0 の垂直断面を示し、実施例３での磁性層の磁化状態の
遷移を示す概念図である。
0 の垂直断面を示し、実施例３での磁性層の磁化状態の
遷移を示す概念図である。
【図11】実施例３で測定したＣ／Ｎ比を示すグラフであ
る。
る。
Ｌ………レーザービーム Ｌp ……直線偏光 Ｂ1 ……「Ａ向き」↑の磁化を有するマーク（又はマー
ク） Ｂ0 ……「逆Ａ向き」↓の磁化を有するマーク（又はマ
ーク） Ｓ………基板 ＭＯ……磁性膜（光磁気記録層） α0 ……第１微小領域 α1 ……第２微小領域 以上
ク） Ｂ0 ……「逆Ａ向き」↓の磁化を有するマーク（又はマ
ーク） Ｓ………基板 ＭＯ……磁性膜（光磁気記録層） α0 ……第１微小領域 α1 ……第２微小領域 以上
Claims (6)
- 【請求項１】 基板とこの上に積層された第１磁性層と
第２磁性層との少なくとも２層膜からなり、両層が両方
のキュリー点以下の温度で交換結合している光磁気ディ
スクにおいて、 両層の間で、両方のキュリー点以下の温度で、第１磁性
層が磁化反転して両層間に生じた界面磁壁を解消する第
１微小領域α0 と、第２磁性層が磁化反転して両層間に
生じた界面磁壁を解消する第２微小領域α1 とを設け、
前記領域の一方を情報単位とし、この情報単位の有無又
は長さによって、情報を表すことを特徴とする光磁気デ
ィスク。 - 【請求項２】 請求項１に記載した光磁気ディスクにお
いて、前記第１磁性層及び第２磁性層が共に垂直磁気異
方性を有することを特徴とする光磁気ディスク。 - 【請求項３】 請求項１に記載した光磁気ディスクにお
いて、前記第１磁性層がレーザービームの照射方向から
みて順に相対的にキュリー点の高い層、キュリー点の低
い層の少なくとも２層からなることを特徴とする光磁気
ディスク。 - 【請求項４】 請求項１に記載した光磁気ディスクにお
いて、前記第２磁性層の膜厚が前記第１微小領域と前記
第２微小領域で異なることを特徴とする光磁気ディス
ク。 - 【請求項５】 請求項１に記載した光磁気ディスクにお
いて、前記第２磁性層の保磁力が前記第１微小領域と前
記第２微小領域で異なることを特徴とする光磁気ディス
ク。 - 【請求項６】第１工程：請求項１に記載したディスクを
用意すること； 第２工程：第１磁性層の磁化の向きが揃っており、か
つ、少なくともこれから再生する第１微小領域α0 にお
いて、両層間に界面磁壁が生じている状態に前処理する
こと； 第３工程：ディスクにレーザービームを照射することに
より、両磁性層の温度を「前記第１微小領域α0 におい
て両層間に存在する界面磁壁が消失する温度であって、
かつ両層の磁化が消失しない温度ＴR 」まで上昇させる
こと；並びに 第４工程：前記レーザービームが温度ＴR のディスクで
反射された反射光、又は前記レーザービームが温度ＴR
のディスクを透過した透過光を磁気光学的に処理して電
気信号に変換すること；からなる磁気光学的再生方法。
Priority Applications (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5025902A JPH06243522A (ja) | 1993-02-16 | 1993-02-16 | 光磁気ディスク及びその再生方法 |
| EP94301101A EP0612066A1 (en) | 1993-02-16 | 1994-02-16 | A magneto-optical disk and a playback method thereof |
| US08/197,196 US5430695A (en) | 1993-02-16 | 1994-02-16 | Magneto-optical disk having a magnetic film with two layers and a playback method thereof |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5025902A JPH06243522A (ja) | 1993-02-16 | 1993-02-16 | 光磁気ディスク及びその再生方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH06243522A true JPH06243522A (ja) | 1994-09-02 |
Family
ID=12178724
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP5025902A Pending JPH06243522A (ja) | 1993-02-16 | 1993-02-16 | 光磁気ディスク及びその再生方法 |
Country Status (3)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US5430695A (ja) |
| EP (1) | EP0612066A1 (ja) |
| JP (1) | JPH06243522A (ja) |
Families Citing this family (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH06236587A (ja) * | 1992-05-19 | 1994-08-23 | Nikon Corp | 再生専用型の光磁気ディスク、その再生方法 及び再生装置 |
| WO1998027553A1 (fr) * | 1996-12-19 | 1998-06-25 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Disque optique, procede d'enregistrement et lecture sur disque optique d'information non effaçable, dispositif de lecture de disque optique, dispositif d'enregistrement et lecture de disque optique, dispositif d'enregistrement d'information non effaçable sur disque optique et dispositif d'enregistrement de disque optique |
| JP3853512B2 (ja) * | 1997-04-21 | 2006-12-06 | 株式会社リコー | 磁気光学素子 |
| DE19852368A1 (de) * | 1998-11-13 | 2000-05-25 | Forschungszentrum Juelich Gmbh | Markierungseinrichtung |
Family Cites Families (13)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5239524A (en) * | 1985-06-11 | 1993-08-24 | Nikon Corporation | Over write capable magnetooptical recording method, and magnetooptical recording apparatus and medium used therefor |
| ATE172047T1 (de) * | 1986-07-08 | 1998-10-15 | Canon Kk | Magnetoptisches aufzeichnungsmedium mit der möglichkeit des überschreibens mit zwei oder mehr magnetschichten und dieses medium verwendende aufzeichnungsmethode |
| DE3852329T2 (de) * | 1987-03-13 | 1995-08-03 | Canon Kk | Magneto-optisches Aufzeichnungsmedium und Verfahren. |
| EP0318925B1 (en) * | 1987-11-30 | 1994-04-20 | Sony Corporation | Method for optically reproducing a signal from magneto-optical recording medium |
| EP0330394B1 (en) * | 1988-02-22 | 1996-07-17 | Canon Kabushiki Kaisha | Two-layered type opto-magnetic recording medium having low-coercive force layer containing Gd and at least one of Tb and Dy |
| JP2556563B2 (ja) * | 1988-10-11 | 1996-11-20 | キヤノン株式会社 | 光磁気記録媒体 |
| GB2234623B (en) * | 1988-11-04 | 1993-04-14 | Ricoh Kk | Magneto-optical recording method and magneto-optical recording medium for use in the same |
| US5163031A (en) * | 1988-12-07 | 1992-11-10 | Canon Kabushiki Kaisha | Method of recording tetra-value signal on magneto-optical recording medium with plural magnetic layers |
| JP2703587B2 (ja) * | 1988-12-13 | 1998-01-26 | キヤノン株式会社 | 光磁気記録媒体および記録方法 |
| US5235569A (en) * | 1990-06-13 | 1993-08-10 | Nikon Corporation | Magnetooptical recording method, and apparatus used in the method |
| JP3185932B2 (ja) * | 1990-06-21 | 2001-07-11 | セイコーエプソン株式会社 | 光磁気記録再生方法ならびに光磁気記録再生装置 |
| US5100772A (en) * | 1990-12-24 | 1992-03-31 | Eastman Kodak Company | Magenta dye forming coupler for photographic material |
| JP2910250B2 (ja) * | 1990-12-27 | 1999-06-23 | ソニー株式会社 | 光磁気記録媒体 |
-
1993
- 1993-02-16 JP JP5025902A patent/JPH06243522A/ja active Pending
-
1994
- 1994-02-16 EP EP94301101A patent/EP0612066A1/en not_active Withdrawn
- 1994-02-16 US US08/197,196 patent/US5430695A/en not_active Expired - Fee Related
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| US5430695A (en) | 1995-07-04 |
| EP0612066A1 (en) | 1994-08-24 |
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