JPH06232440A - 光センサ - Google Patents
光センサInfo
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- JPH06232440A JPH06232440A JP5014746A JP1474693A JPH06232440A JP H06232440 A JPH06232440 A JP H06232440A JP 5014746 A JP5014746 A JP 5014746A JP 1474693 A JP1474693 A JP 1474693A JP H06232440 A JPH06232440 A JP H06232440A
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Classifications
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
- Y02E—REDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
- Y02E10/00—Energy generation through renewable energy sources
- Y02E10/50—Photovoltaic [PV] energy
Landscapes
- Light Receiving Elements (AREA)
- Photovoltaic Devices (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】 静電気に対する耐圧の大きな光センサを提供
することにある。 【構成】 ｐｉｎ型の光電変換膜(3)を備えた光センサ
に、そのｐ型層(3p)とｉ型層(3i)の間に，膜厚が８００
Å以上の非晶質シリコンカーボン膜(3c)を介挿せしめ
る。
することにある。 【構成】 ｐｉｎ型の光電変換膜(3)を備えた光センサ
に、そのｐ型層(3p)とｉ型層(3i)の間に，膜厚が８００
Å以上の非晶質シリコンカーボン膜(3c)を介挿せしめ
る。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、光電変換機能を有する
薄膜状半導体を使用した光センサに関する。
薄膜状半導体を使用した光センサに関する。
【０００２】
【従来の技術】光センサ用光電変換材料として用いられ
ているものの多くは半導体で、とりわけ近年にあって
は、薄膜状の半導体材料が広く用いられている。その薄
膜状半導体の代表的なものとしては、非晶質シリコン膜
やＣｄＳ膜等の非晶質材料などが挙げられ、これらから
成る光センサに関しては例えば特開昭５６−１３５９８
０号等の文献がある。
ているものの多くは半導体で、とりわけ近年にあって
は、薄膜状の半導体材料が広く用いられている。その薄
膜状半導体の代表的なものとしては、非晶質シリコン膜
やＣｄＳ膜等の非晶質材料などが挙げられ、これらから
成る光センサに関しては例えば特開昭５６−１３５９８
０号等の文献がある。
【０００３】図６は、この薄膜状半導体のうち非晶質シ
リコン膜を光電変換材料として利用した、従来例光セン
サの素子構造図で、（ａ）は平面図、（ｂ）は平面図
（ａ）のＡ−Ａ’に於ける断面図である。図中の(61)は
ガラスなどからなる透光性絶縁基板、(62)は光入射側電
極となる酸化錫や、酸化インジューム錫等からなる透明
導電膜、(63)は透明導電膜(62)上に形成された、光電変
換機能を有する非晶質シリコン膜からなる半導体膜で、
膜面に平行なｐｉｎの各導電型半導体膜を積層形成され
て成り、(64)はこの光センサの背面電極となるアルミニ
ュームや銀等からなる金属膜である。
リコン膜を光電変換材料として利用した、従来例光セン
サの素子構造図で、（ａ）は平面図、（ｂ）は平面図
（ａ）のＡ−Ａ’に於ける断面図である。図中の(61)は
ガラスなどからなる透光性絶縁基板、(62)は光入射側電
極となる酸化錫や、酸化インジューム錫等からなる透明
導電膜、(63)は透明導電膜(62)上に形成された、光電変
換機能を有する非晶質シリコン膜からなる半導体膜で、
膜面に平行なｐｉｎの各導電型半導体膜を積層形成され
て成り、(64)はこの光センサの背面電極となるアルミニ
ュームや銀等からなる金属膜である。
【０００４】斯る光センサにあっては、透光性絶縁基板
(61)から入射した光をその半導体膜(63)で吸収し、正孔
と電子とから成る光生成キャリアとして、これらを透明
導電膜(62)と金属膜(64)とからそれぞれ外部に取り出し
信号とする。
(61)から入射した光をその半導体膜(63)で吸収し、正孔
と電子とから成る光生成キャリアとして、これらを透明
導電膜(62)と金属膜(64)とからそれぞれ外部に取り出し
信号とする。
【０００５】この様な光センサの場合、通常使用される
半導体膜の膜厚は、ｐ型半導体層（(63p)としては約２
００Å、ｉ型半導体層(63i)は約３０００Å、そしてｎ
型半導体層(63n)は約５００Åであり、全膜厚としても
１μｍにも満たない極めて薄い、所謂薄膜である。
半導体膜の膜厚は、ｐ型半導体層（(63p)としては約２
００Å、ｉ型半導体層(63i)は約３０００Å、そしてｎ
型半導体層(63n)は約５００Åであり、全膜厚としても
１μｍにも満たない極めて薄い、所謂薄膜である。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】光電変換機能を果たす
半導体膜が斯様なまでの薄膜であることは、使用する原
材料が極めて僅かで済むというコスト面での有利さを有
する半面、その製造及び取扱には多くの注意が必要とな
る。
半導体膜が斯様なまでの薄膜であることは、使用する原
材料が極めて僅かで済むというコスト面での有利さを有
する半面、その製造及び取扱には多くの注意が必要とな
る。
【０００７】とりわけ、この薄膜であるが故の問題とし
て重要なものに、静電気に対する強度、所謂耐圧があ
る。斯る静電気による不良発生は、特に背面電極を形成
した最終工程以降における取扱で生じ易く、一旦静電気
による事故が発生すると、素子は光入射側電極(62)と背
面電極(64)との間がほぼ短絡状態となり素子として使用
に耐えないものとなってしまう。
て重要なものに、静電気に対する強度、所謂耐圧があ
る。斯る静電気による不良発生は、特に背面電極を形成
した最終工程以降における取扱で生じ易く、一旦静電気
による事故が発生すると、素子は光入射側電極(62)と背
面電極(64)との間がほぼ短絡状態となり素子として使用
に耐えないものとなってしまう。
【０００８】斯る問題の対策としては、従来、使用する
半導体膜の膜厚を大きくしたり、光入射側電極である金
属膜をより均質に形成することにより、たとえばこの金
属膜の突起に起因する静電気による破壊を低減しようと
する試みがなされていた。
半導体膜の膜厚を大きくしたり、光入射側電極である金
属膜をより均質に形成することにより、たとえばこの金
属膜の突起に起因する静電気による破壊を低減しようと
する試みがなされていた。
【０００９】然し乍ら、この半導体膜の厚膜化による方
法にあっては、本来光センサとして重要な光感度特性の
変動をもたらすものであることから、安易に実施するこ
とはできない。
法にあっては、本来光センサとして重要な光感度特性の
変動をもたらすものであることから、安易に実施するこ
とはできない。
【００１０】又、金属膜の均質化による方法にあって
は、その形成条件を常に厳密に制御する必要があり、素
子の量産性及び再現性の面でやはり実施が困難である。
は、その形成条件を常に厳密に制御する必要があり、素
子の量産性及び再現性の面でやはり実施が困難である。
【００１１】
【課題を解決するための手段】本発明光センサの特徴と
するところは、ｐ，ｉ，ｎ各層の積層体から成る光電変
換膜の、ｐ層とｉ層との間に膜厚が８００Å以上の非晶
質シリコンカーボン膜を介挿せしめたことにあり、また
この非晶質シリコンカーボン膜を介挿せしめたことによ
り、光電変換膜に被着形成されている第１電極膜と第２
電極膜との間の抵抗値が１０００ｌｕｘの光照射下３．
７×１０4Ω／ｍｍ2 以上となるようにしたことにあ
り、更には、電極膜から延在してなる端子部と、その電
極膜との間に３．７×１０4Ω／ｍｍ2以上の抵抗値を有
する抵抗部材を設けたことにある。
するところは、ｐ，ｉ，ｎ各層の積層体から成る光電変
換膜の、ｐ層とｉ層との間に膜厚が８００Å以上の非晶
質シリコンカーボン膜を介挿せしめたことにあり、また
この非晶質シリコンカーボン膜を介挿せしめたことによ
り、光電変換膜に被着形成されている第１電極膜と第２
電極膜との間の抵抗値が１０００ｌｕｘの光照射下３．
７×１０4Ω／ｍｍ2 以上となるようにしたことにあ
り、更には、電極膜から延在してなる端子部と、その電
極膜との間に３．７×１０4Ω／ｍｍ2以上の抵抗値を有
する抵抗部材を設けたことにある。
【００１２】
【作用】本発明光センサは、ｐ型層とｉ型層との間に膜
厚８００Å以上の非晶質シリコンカーボン膜を介挿させ
ることにより、光センサ自体の抵抗値を高くすることが
可能となり、耐圧の向上を図ることができる。
厚８００Å以上の非晶質シリコンカーボン膜を介挿させ
ることにより、光センサ自体の抵抗値を高くすることが
可能となり、耐圧の向上を図ることができる。
【００１３】また、この非晶質シリコンカーボン膜を介
挿し、光センサの第１電極膜と第２電極膜との間の抵抗
値を１０００ｌｕｘの光照射下で３．７×１０4Ω／ｍ
ｍ2以上となるように構成させることで、同じく耐圧の
向上を図ることが可能となる。
挿し、光センサの第１電極膜と第２電極膜との間の抵抗
値を１０００ｌｕｘの光照射下で３．７×１０4Ω／ｍ
ｍ2以上となるように構成させることで、同じく耐圧の
向上を図ることが可能となる。
【００１４】尚、ここでいう３．７×１０4Ω／ｍｍ2と
は、光電変換膜の第１電極膜と第２電極とで挟まれた部
分における抵抗値、即ち、光センサの有効受光面積に対
する抵抗値を意味しており、以下でも同様の意味で上記
単位を使用する。
は、光電変換膜の第１電極膜と第２電極とで挟まれた部
分における抵抗値、即ち、光センサの有効受光面積に対
する抵抗値を意味しており、以下でも同様の意味で上記
単位を使用する。
【００１５】更に又、第１電極膜と、この第１電極膜か
らこの光電変換部外に延在した端子部との間に、３．７
×１０4Ω／ｍｍ2以上の抵抗値を示す抵抗部材を具備せ
しめても、耐圧の向上を図ることができる。このこと
は、第２電極膜から延在した端子部との間にも抵抗部材
を備えても同様である。
らこの光電変換部外に延在した端子部との間に、３．７
×１０4Ω／ｍｍ2以上の抵抗値を示す抵抗部材を具備せ
しめても、耐圧の向上を図ることができる。このこと
は、第２電極膜から延在した端子部との間にも抵抗部材
を備えても同様である。
【００１６】
【実施例】図１は、本発明光センサの第１の実施例を説
明するための素子構造図である。同図中の(1)は光セン
サの支持基板となるガラスや石英等からなる基板、(2)
は光入射側電極となる酸化インジューム錫や酸化錫等か
ら成る第１電極膜、(3)は薄膜状半導体から成る光電変
換膜である。この光電変換膜(3)における(3p)はｐ型
層、(3c)は本願発明の特徴である非晶質シリコンカーボ
ン膜、(3i)はｉ型層、(3n)はｎ型層である。従って、非
晶質シリコンカーボン膜(3c)はｐ型層(3p)とｉ型層(3i)
との間に介挿されるように配置されている。(4)はアル
ミニューム等から成る第２電極膜、(2a)及び(4a)は第１
電極膜(2)、第２電極膜(4)夫々の電流取り出し用の端子
部である。実施例では、本発明の特徴である非晶質シリ
コンカーボン膜(3c)以外の薄膜状半導体としては、非晶
質シリコンを使用し、斯る非晶質シリコンは従来周知の
ものである。
明するための素子構造図である。同図中の(1)は光セン
サの支持基板となるガラスや石英等からなる基板、(2)
は光入射側電極となる酸化インジューム錫や酸化錫等か
ら成る第１電極膜、(3)は薄膜状半導体から成る光電変
換膜である。この光電変換膜(3)における(3p)はｐ型
層、(3c)は本願発明の特徴である非晶質シリコンカーボ
ン膜、(3i)はｉ型層、(3n)はｎ型層である。従って、非
晶質シリコンカーボン膜(3c)はｐ型層(3p)とｉ型層(3i)
との間に介挿されるように配置されている。(4)はアル
ミニューム等から成る第２電極膜、(2a)及び(4a)は第１
電極膜(2)、第２電極膜(4)夫々の電流取り出し用の端子
部である。実施例では、本発明の特徴である非晶質シリ
コンカーボン膜(3c)以外の薄膜状半導体としては、非晶
質シリコンを使用し、斯る非晶質シリコンは従来周知の
ものである。
【００１７】本発明光センサでは、非晶質シリコンカー
ボン膜の膜厚が重要である。図２は光センサにおける非
晶質シリコンカーボン膜(3c)の膜厚を種々変化させた場
合の耐圧特性図である。同図には各膜厚に於ける、光照
射下（１０００ｌｕｘ）での光センサ自体の抵抗値をも
同時に示している。通常、実用的な光センサの耐圧とし
ては１５０Ｖ以上が必要であることから、本願発明でも
斯る値を評価基準とした。
ボン膜の膜厚が重要である。図２は光センサにおける非
晶質シリコンカーボン膜(3c)の膜厚を種々変化させた場
合の耐圧特性図である。同図には各膜厚に於ける、光照
射下（１０００ｌｕｘ）での光センサ自体の抵抗値をも
同時に示している。通常、実用的な光センサの耐圧とし
ては１５０Ｖ以上が必要であることから、本願発明でも
斯る値を評価基準とした。
【００１８】尚、図２に示した耐圧は、図３に示す静電
耐圧試験回路によって測定したもので、その具体的な方
法としては、まず直流電源(31)を充電用のコンデンサ(3
2)と直列接続となるようにスイッチ(33)を接続し(イ)、
これによりこのコンデンサ(32)を所望の電圧にまで充電
する。次に、スイッチ(33)を測定試料である光センサ(3
4)側に接続する(ロ)ことによりコンデンサ(32)を放電さ
せ、所望の電圧を光センサに瞬時に印加する。本実験に
際しては、各膜厚を備えた光センサをそれぞれ１００個
用意し、静電破壊が全く生じなかった電圧値をその膜厚
における耐圧値とした。
耐圧試験回路によって測定したもので、その具体的な方
法としては、まず直流電源(31)を充電用のコンデンサ(3
2)と直列接続となるようにスイッチ(33)を接続し(イ)、
これによりこのコンデンサ(32)を所望の電圧にまで充電
する。次に、スイッチ(33)を測定試料である光センサ(3
4)側に接続する(ロ)ことによりコンデンサ(32)を放電さ
せ、所望の電圧を光センサに瞬時に印加する。本実験に
際しては、各膜厚を備えた光センサをそれぞれ１００個
用意し、静電破壊が全く生じなかった電圧値をその膜厚
における耐圧値とした。
【００１９】図２によれば、非晶質シリコンカーボン膜
(3c)の膜厚が８００Å以上に厚くなると、光センサの耐
圧が１５０Ｖ以上に急峻に大きくなることが分かる。ま
た、この場合の光照射下における光センサ自体の抵抗値
についても８００Åを境に急激に増加することが観察さ
れる。
(3c)の膜厚が８００Å以上に厚くなると、光センサの耐
圧が１５０Ｖ以上に急峻に大きくなることが分かる。ま
た、この場合の光照射下における光センサ自体の抵抗値
についても８００Åを境に急激に増加することが観察さ
れる。
【００２０】従って、センサ自体の抵抗値を上記光照射
条件下３．７×１０4Ω／ｍｍ2以上となるようにｐ型層
とｉ型層との間に非晶質シリコンカーボン膜を介挿せし
めることで、十分な耐圧を得ることが可能となる。ある
いは又、その非晶質シリコンカーボン膜の膜厚を８００
Å以上とすることで十分な耐圧を得ることが可能とな
る。
条件下３．７×１０4Ω／ｍｍ2以上となるようにｐ型層
とｉ型層との間に非晶質シリコンカーボン膜を介挿せし
めることで、十分な耐圧を得ることが可能となる。ある
いは又、その非晶質シリコンカーボン膜の膜厚を８００
Å以上とすることで十分な耐圧を得ることが可能とな
る。
【００２１】尚、本願発明では光センサの耐圧向上のた
めの材料として非晶質シリコンカーボン膜を採用した
が、他の絶縁性材料としては、非晶質シリコン窒化膜や
非晶質シリコン酸化膜等が考えられる。しかしながら、
本発明者等の実験によれば、非晶質シリコン窒化膜の場
合にあっては、通常この膜は物性的にややｎ型を示すこ
とから、本願発明のようなｐ型層とｉ型層の間にこれを
介挿すると、光センサとしてのダイオード特性が劣化
し、また非晶質シリコン酸化膜にあっては、構成元素で
ある酸素がｐ型層やｉ型層に拡散してしまうことに因
る、光センサの光電特性劣化が生じてしまうといった問
題が生ずることを確認している。このことから、本発明
者等は斯る問題を生ずる虞のない非晶質シリコンカーボ
ン膜を採用することとしたものである。
めの材料として非晶質シリコンカーボン膜を採用した
が、他の絶縁性材料としては、非晶質シリコン窒化膜や
非晶質シリコン酸化膜等が考えられる。しかしながら、
本発明者等の実験によれば、非晶質シリコン窒化膜の場
合にあっては、通常この膜は物性的にややｎ型を示すこ
とから、本願発明のようなｐ型層とｉ型層の間にこれを
介挿すると、光センサとしてのダイオード特性が劣化
し、また非晶質シリコン酸化膜にあっては、構成元素で
ある酸素がｐ型層やｉ型層に拡散してしまうことに因
る、光センサの光電特性劣化が生じてしまうといった問
題が生ずることを確認している。このことから、本発明
者等は斯る問題を生ずる虞のない非晶質シリコンカーボ
ン膜を採用することとしたものである。
【００２２】次に、本発明光センサの第２の実施例につ
いて説明する。図４は、前記光センサの素子構造図で、
(ａ）は平面図、(ｂ）は平面図(ａ)に於けるＡ−Ａ’間
の素子構造断面図である。図中の符号は、図１と同一の
材料とするものについては同符号を付している。
いて説明する。図４は、前記光センサの素子構造図で、
(ａ）は平面図、(ｂ）は平面図(ａ)に於けるＡ−Ａ’間
の素子構造断面図である。図中の符号は、図１と同一の
材料とするものについては同符号を付している。
【００２３】本発明光センサの特徴とするところは、酸
化インジューム錫から成る第１電極(2)と、この電極の
電流取り出し端子部(2a)との間に、抵抗部材(5)を備え
たことである。本発明実施例では、この抵抗部材(5)と
して酸化錫のみからなる透明導電膜を使用することで、
第１電極(2)と、アルミニュームからなる端子部(2a)と
の間は、３．７×１０4Ω／ｍｍ2 以上となるように設
計した。この具体的な設計方法としては、第１電極膜
(2)と端子部(2a)との間に膜厚１０００Åの酸化錫を抵
抗部材とする場合、通常酸化錫の抵抗率が５×１０-4Ω
・ｃｍ程度であることから、その抵抗体のパターン幅
（Ｗ）と長さ（Ｌ）の比（Ｌ／Ｗ）が７．４／有効面積
（ｍｍ2）となるようにすればよい。 この抵抗部材とし
ては、この酸化錫の他には、ＩＴＯ膜やチタニュウム膜
などを使用してもよい。
化インジューム錫から成る第１電極(2)と、この電極の
電流取り出し端子部(2a)との間に、抵抗部材(5)を備え
たことである。本発明実施例では、この抵抗部材(5)と
して酸化錫のみからなる透明導電膜を使用することで、
第１電極(2)と、アルミニュームからなる端子部(2a)と
の間は、３．７×１０4Ω／ｍｍ2 以上となるように設
計した。この具体的な設計方法としては、第１電極膜
(2)と端子部(2a)との間に膜厚１０００Åの酸化錫を抵
抗部材とする場合、通常酸化錫の抵抗率が５×１０-4Ω
・ｃｍ程度であることから、その抵抗体のパターン幅
（Ｗ）と長さ（Ｌ）の比（Ｌ／Ｗ）が７．４／有効面積
（ｍｍ2）となるようにすればよい。 この抵抗部材とし
ては、この酸化錫の他には、ＩＴＯ膜やチタニュウム膜
などを使用してもよい。
【００２４】実施例では、第１電極(2)と接続するよう
に抵抗部材を配置したが、本願発明はこれに限らず、第
２電極(4)とその端子部(4a)との間に抵抗部材を設けて
もよいことは言うまでもない。
に抵抗部材を配置したが、本願発明はこれに限らず、第
２電極(4)とその端子部(4a)との間に抵抗部材を設けて
もよいことは言うまでもない。
【００２５】図５は、本発明光センサの第３の実施例を
示す素子構造図で、図中の符号は図１と同様のものを使
用している。本発明の特徴とするところは、光電変換部
の第１電極膜(2)から端子部(2a)に至るパターンを、そ
の第１電極膜(2)と同一の材料から成る抵抗部材(5)で構
成したことにある。この抵抗部材(5)のパターン形状
は、その面抵抗に応じて、パターン幅と長さとの比を変
化させることで容易に所望の抵抗値を得ることが可能と
なる。
示す素子構造図で、図中の符号は図１と同様のものを使
用している。本発明の特徴とするところは、光電変換部
の第１電極膜(2)から端子部(2a)に至るパターンを、そ
の第１電極膜(2)と同一の材料から成る抵抗部材(5)で構
成したことにある。この抵抗部材(5)のパターン形状
は、その面抵抗に応じて、パターン幅と長さとの比を変
化させることで容易に所望の抵抗値を得ることが可能と
なる。
【００２６】
【発明の効果】本発明光センサは、ｐ型層とｉ型層との
間に膜厚８００Å以上の非晶質シリコンカーボンを介挿
せしめることにより光センサ自体の抵抗値を高くするこ
とができることから、静電気に対する耐圧を高めること
ができる。
間に膜厚８００Å以上の非晶質シリコンカーボンを介挿
せしめることにより光センサ自体の抵抗値を高くするこ
とができることから、静電気に対する耐圧を高めること
ができる。
【００２７】また、この非晶質シリコンカーボン膜を介
挿することにより、光センサの電流取り出し端子である
第１電極と第２電極との間の抵抗値を、１０００ｌｕｘ
の光照射下で３．７×１０4Ω／ｍｍ2以上とすること
で、同じく耐圧の向上を図ることができる。
挿することにより、光センサの電流取り出し端子である
第１電極と第２電極との間の抵抗値を、１０００ｌｕｘ
の光照射下で３．７×１０4Ω／ｍｍ2以上とすること
で、同じく耐圧の向上を図ることができる。
【００２８】更に、本発明光センサによれば、光センサ
としての光電変換部から延在した端子部と、それぞれの
電極膜との間に３．７×１０4Ω／ｍｍ2以上の抵抗体を
設けることによって、耐圧の向上を図ることができる。
としての光電変換部から延在した端子部と、それぞれの
電極膜との間に３．７×１０4Ω／ｍｍ2以上の抵抗体を
設けることによって、耐圧の向上を図ることができる。
【００２９】これにより、従来問題となっていた静電破
壊による歩留まりの低下を抑圧することができることと
なる。
壊による歩留まりの低下を抑圧することができることと
なる。
【図１】本発明光センサの素子構造図である。
【図２】本発明光センサの非晶質シリコンカーボン膜の
膜厚と、耐圧及び抵抗値との関係を示す特性図である。
膜厚と、耐圧及び抵抗値との関係を示す特性図である。
【図３】光センサの耐圧を評価する際に使用した静電耐
圧試験回路である。
圧試験回路である。
【図４】本発明光センサの第２の実施例を示す素子構造
図である。
図である。
【図５】本発明光センサの第３の実施例を示す素子構造
図である。
図である。
【図６】従来例光センサの素子構造図である。
(1)…基板 (2)…第１電
極膜 (3)…光電変換膜 (3p)…ｐ型
層 (3c)…非晶質シリコンカーボン膜 (3i)…ｉ型
層 (3n)…ｎ型層 (4)…第２電
極膜 (2a)…端子部 (4a)…端子
部 (5)…抵抗部材
極膜 (3)…光電変換膜 (3p)…ｐ型
層 (3c)…非晶質シリコンカーボン膜 (3i)…ｉ型
層 (3n)…ｎ型層 (4)…第２電
極膜 (2a)…端子部 (4a)…端子
部 (5)…抵抗部材
Claims (3)
- 【請求項１】 基板の一主面上に、第１電極膜と、薄膜
状半導体から成る光電変換膜と、第２電極膜とを順次被
着形成されて成る光センサに於いて、上記光電変換膜は
ｐ型層とｉ型層とｎ型層との積層体から成るとともに、
上記ｐ型層とｉ型層との間に膜厚が８００Å以上の非晶
質シリコンカーボン膜を介挿せしめたことを特徴とする
光センサ。 - 【請求項２】 基板の一主面上に、第１電極膜と、薄膜
半導体から成る光電変換膜と、第２電極膜とを順次被着
形成されて成る光センサに於いて、上記光電変換膜はｐ
型層とｉ型層とｎ型層との積層体から成るとともに、上
記ｐ型層とｉ型層との間に非晶質シリコンカーボン膜を
介挿せしめたことにより、上記第１電極膜と上記第２電
極膜間の抵抗値が１０００ｌｕｘの光照射下３．７×１
０4Ω／ｍｍ2 以上としたことを特徴とする光センサ。 - 【請求項３】 基板の一主面上に、第１電極膜と、薄膜
状半導体から成る光電変換膜と、第２電極膜とを順次被
着形成されてなる光電変換部と、上記第１電極膜及び第
２電極膜から夫々延在してなる端子部と、を備えた光セ
ンサに於いて、上記電極膜から上記端子部との間に、
３．７×１０4Ω／ｍｍ2以上の抵抗値を有する抵抗部材
を備えたことを特徴とする光センサ。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP01474693A JP3407917B2 (ja) | 1993-02-01 | 1993-02-01 | 光センサ |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP01474693A JP3407917B2 (ja) | 1993-02-01 | 1993-02-01 | 光センサ |
Related Child Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2002342804A Division JP3773894B2 (ja) | 2002-11-26 | 2002-11-26 | 光センサ |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH06232440A true JPH06232440A (ja) | 1994-08-19 |
| JP3407917B2 JP3407917B2 (ja) | 2003-05-19 |
Family
ID=11869683
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP01474693A Expired - Fee Related JP3407917B2 (ja) | 1993-02-01 | 1993-02-01 | 光センサ |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3407917B2 (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2007317686A (ja) * | 2006-05-23 | 2007-12-06 | Seiko Epson Corp | 光素子チップ、並びに、光モジュールおよびその製造方法 |
-
1993
- 1993-02-01 JP JP01474693A patent/JP3407917B2/ja not_active Expired - Fee Related
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2007317686A (ja) * | 2006-05-23 | 2007-12-06 | Seiko Epson Corp | 光素子チップ、並びに、光モジュールおよびその製造方法 |
| US7466733B2 (en) | 2006-05-23 | 2008-12-16 | Seiko Epson Corporation | Optical device chip, and optical module and method for manufacturing the same |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP3407917B2 (ja) | 2003-05-19 |
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