[go: up one dir, main page]

JPH06230350A - Liquid crystal display device - Google Patents

Liquid crystal display device

Info

Publication number
JPH06230350A
JPH06230350A JP3395893A JP3395893A JPH06230350A JP H06230350 A JPH06230350 A JP H06230350A JP 3395893 A JP3395893 A JP 3395893A JP 3395893 A JP3395893 A JP 3395893A JP H06230350 A JPH06230350 A JP H06230350A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
liquid crystal
sealing
circuit board
potting material
substrate
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Withdrawn
Application number
JP3395893A
Other languages
Japanese (ja)
Inventor
Shunsuke Inoue
俊輔 井上
Mamoru Miyawaki
守 宮脇
Yoshihiko Fukumoto
嘉彦 福元
Yutaka Genji
裕 玄地
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Canon Inc
Original Assignee
Canon Inc
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Canon Inc filed Critical Canon Inc
Priority to JP3395893A priority Critical patent/JPH06230350A/en
Priority to EP94101398A priority patent/EP0609809B8/en
Priority to DE69427882T priority patent/DE69427882T2/en
Priority to US08/189,169 priority patent/US5691794A/en
Publication of JPH06230350A publication Critical patent/JPH06230350A/en
Withdrawn legal-status Critical Current

Links

Landscapes

  • Liquid Crystal (AREA)

Abstract

PURPOSE:To make up the degradation in the strength of a bored part without fluctuation in image display by a temp. change. CONSTITUTION:The liquid crystal display device which is constituted by sealing a liquid crystal 3 between a non-light transparent circuit board 1 provided with light transparency by forming the bored part 4 in a display part region and a light transparent counter substrate 2 is provided with a light transparent sealing substrate 6 via a sealing material 5 on the bored part 4 side existing on the counter liquid crystal sealing side. A flowable and light transparent potting material 7 is sealed between the circuit board 1 and the sealing substrate 6. The volumetric change of the potting material 7 by a temp. change and the volumetric change between the circuit board 1 and the sealing substrate 6 according to the volumetric change of the sealing material 7 by the temp. change are made nearly equal to each other. As a result, a membrane part 10 left by the formation of the bored part 4 is pressed by the pressure generated by the expansion of the potting material 7. This membrane part 10 is thus reinforced by the potting material 7 while the change in the thickness of the liquid crystal 3 is prevented.

Description

【発明の詳細な説明】Detailed Description of the Invention

【0001】[0001]

【産業上の利用分野】本発明は、液晶表示装置に関す
る。
BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a liquid crystal display device.

【0002】[0002]

【従来の技術】従来、駆動回路が形成された透光性の回
路基板と、透光性の対向基板との間に液晶を封入し、こ
の封入された液晶を駆動することで画像を表示する液晶
表示装置が広く普及している。
2. Description of the Related Art Conventionally, liquid crystal is sealed between a translucent circuit board on which a drive circuit is formed and a translucent counter substrate, and an image is displayed by driving the sealed liquid crystal. Liquid crystal display devices are widely used.

【0003】このような液晶表示装置を現状より高画質
化するためには、現状で数十ミクロン平方ある1画素の
面積を縮小し、より多数の画素を配置することが必要と
なる。
In order to improve the image quality of such a liquid crystal display device, it is necessary to reduce the area of one pixel, which is several tens of microns square, and arrange a larger number of pixels.

【0004】従って、表示領域に配置される画素電極や
トランジスタの数が増大すると共に、大画面化を伴う
と、垂直及び水平シフトレジスタ駆動配線1本当りの配
線長が長くなり、垂直及び水平シフトレジスタにはより
大きな駆動力が必要となる。また、表示領域に用いられ
るトランジスタは、画素電極の電位をより長時間保持す
ることが必要となるため、リーク電流が少ないことが必
要となる。
Therefore, as the number of pixel electrodes and transistors arranged in the display area increases and the screen becomes larger, the wiring length per vertical and horizontal shift register drive wiring becomes longer, resulting in vertical and horizontal shift. The register requires a larger driving force. In addition, since the transistor used in the display region needs to hold the potential of the pixel electrode for a longer time, it is necessary that the leakage current be small.

【0005】上記要求に応じる技術として、回路基板上
の駆動回路の形成に単結晶Siを用いることが考えられ
る。
As a technique meeting the above requirements, it is conceivable to use single crystal Si for forming a drive circuit on a circuit board.

【0006】絶縁物上の単結晶Siの形成は、シリコン
オンインシュレータ(SOI)技術として広く知られ、
SOI技術を利用したデバイスが、通常のSi集積回路
を作製するバルクSi基体では到達しえない数々の優位
点を有することから多くの研究がなされている。
The formation of single crystal Si on an insulator is widely known as the Silicon on Insulator (SOI) technology,
Much research has been done because devices utilizing SOI technology have a number of advantages that cannot be reached with bulk Si substrates for producing ordinary Si integrated circuits.

【0007】即ちSOI技術を利用することで、 1.誘電体分離が容易で高集積化が可能、 2.対放射線耐性に優れている、 3.浮游容量が低減され高速化が可能、 4.ウエル工程が省略できる、 5.ラッチアップを防止できる、 6.薄膜化による完全空乏型電界効果トランジスタが可
能、等の優位点が得られる。
That is, by using the SOI technology, 1. 1. Dielectric isolation is easy and high integration is possible. 2. It has excellent radiation resistance. 3. The floating capacity is reduced and the speed can be increased. 4. The well process can be omitted, Latch-up can be prevented, 6. Advantages such as a fully depleted field effect transistor can be obtained by thinning the film.

【0008】また、比較的近年には、サファイア基体を
使用せずにSOI構造を実現しようという試みが行なわ
れている。これには、(1)表面酸化した単結晶Si基
体に、表面酸化後に窓を開けて単結晶Siを部分的に表
出させ、その部分をシードとして横方向へエピタキシャ
ル成長させ、SiO2 上へ単結晶Si層を形成する技術
と、(2)単結晶Si基体そのものの表面を活性層とし
て使用し、その下部にSiO2 を形成する技術とがあ
る。
Further, in recent years, attempts have been made to realize an SOI structure without using a sapphire substrate. To this end, (1) a surface is oxidized on the surface of a single crystal Si substrate, a window is opened after the surface oxidation to partially expose the single crystal Si, and the portion is used as a seed for lateral epitaxial growth to form a single crystal on the SiO 2 . There are a technique of forming a crystalline Si layer and (2) a technique of using the surface of the single crystal Si substrate itself as an active layer and forming SiO 2 under the active layer.

【0009】ところで、投射型の液晶表示装置を構成す
る上においては、可視光に対して透光性の回路基体と
し、その上に高性能の半導体素子等を形成することが重
要となる。
In the meantime, in constructing a projection type liquid crystal display device, it is important to form a high performance semiconductor element or the like on a circuit substrate transparent to visible light.

【0010】この点に関し、前述したSi単結晶基体を
用いる方法では、回路基板が非透光性となってしまい、
透光性回路基板上に良質な単結晶Si層を得るという目
的に適合しない。また、ガラスに代表される透光性回路
基板上には、一般には、その結晶構造の無秩序性を反映
して、非晶性か良くて多結晶しか形成されず、その欠陥
の多い結晶構造故に、所望の性能を持った駆動素子を作
成することは困難である。
In this regard, in the method using the Si single crystal substrate described above, the circuit board becomes non-translucent,
It does not meet the purpose of obtaining a good quality single crystal Si layer on a transparent circuit board. In general, on a transparent circuit board typified by glass, the disorder of the crystal structure is reflected, and only amorphous or good polycrystal is formed. However, it is difficult to create a driving element having desired performance.

【0011】このようなことから、従来の液晶表示装置
は、ガラスの回路基板上にアモルファス又は多結晶のS
i半導体層を形成して、これを用いてトランジスタ(T
ET)等の駆動回路を形成したものを用いている。
For this reason, the conventional liquid crystal display device has amorphous or polycrystalline S on the glass circuit board.
An i semiconductor layer is formed and is used to form a transistor (T
A drive circuit such as ET) is used.

【0012】[0012]

【発明が解決しようとする課題】一方、上記背景の下
で、本発明者等は、先に、表面を多孔質化した単結晶S
i基体の表面に単結晶Siをエピタキシャル成長させた
後、この表面に、表面を酸化させて絶縁層を形成した別
の単結晶Si基体を張り合せ、前記表面を多孔質化した
単結晶Si基体を除去することで、単結晶Si基体上に
絶縁層を介して単結晶Si層を形成する技術を開発し
た。
On the other hand, in view of the above background, the present inventors have previously made the single crystal S whose surface is made porous.
After epitaxially growing single crystal Si on the surface of the i substrate, another single crystal Si substrate having an insulating layer formed by oxidizing the surface is bonded to this surface to form a single crystal Si substrate having the surface made porous. By removing it, a technique of forming a single crystal Si layer on a single crystal Si substrate with an insulating layer interposed was developed.

【0013】ところで、上記技術も、前記従来のSOI
技術と同様に、単結晶Si基体を用いているため、これ
を液晶表示装置に用いると、回路基板が非透光性とな
る。
By the way, the above-mentioned technique is also applicable to the conventional SOI.
Similar to the technique, since a single crystal Si substrate is used, when this is used in a liquid crystal display device, the circuit board becomes non-translucent.

【0014】そこで本発明者等は、これらの単結晶Si
基体を用いたSOI構造を液晶表示装置に利用するべ
く、表示部となる領域で、液晶封入側とは反対側の単結
晶Si基体部分にくり抜き部を形成し、これによって透
光性を得ることを案出した。
Therefore, the inventors of the present invention have proposed that these single crystal Si
In order to use the SOI structure using a substrate in a liquid crystal display device, a hollow portion is formed in a single crystal Si substrate portion on the side opposite to the liquid crystal enclosing side in a region to be a display portion, thereby obtaining translucency. Devised.

【0015】しかしながら、上記単結晶Si基体部分に
くり抜き部を形成した場合、当該くり抜き部には、絶縁
層及びその上に形成された駆動回路からなるメンブレン
部が残され、強度が低下する問題がある。また、実使用
状態における温度、湿度、気圧の変化に対してメンブレ
ン部が力学的、化学的ストレスを受け、表示状態を悪化
させる問題がある。
However, when the hollow portion is formed in the single crystal Si substrate portion, there is a problem that the hollow portion has a membrane portion including the insulating layer and the drive circuit formed thereon, resulting in a decrease in strength. is there. In addition, there is a problem that the membrane portion is subjected to mechanical and chemical stress with respect to changes in temperature, humidity and atmospheric pressure in the actual use state, and the display state is deteriorated.

【0016】本発明は、このような問題点に鑑みてなさ
れたもので、表示部となる領域にくり抜き部を形成して
透光性を持たせた非透光性の回路基板と透光性の対向基
板間に液晶を封入した液晶表示装置において、温度変化
等による画像表示変動をきたすことなく、くり抜き部の
強度低下を補うことができるようにすることを目的とす
る。
The present invention has been made in view of the above problems, and a non-translucent circuit board having a translucent property by forming a cutout portion in a region serving as a display portion and a translucent material. It is an object of the present invention to make it possible to compensate for the decrease in strength of the cutout portion in a liquid crystal display device in which liquid crystal is sealed between opposed substrates, without causing image display fluctuations due to temperature changes and the like.

【0017】[0017]

【課題を解決するための手段】このために本発明におい
て講じられた手段を、一実施例に対応する図1で説明す
ると、本発明では、駆動回路が形成された非透光性の回
路基板1と透光性の対向基板2との間に液晶3が封入さ
れていると共に、回路基板1の反液晶封入側にくり抜き
部4が形成されて透光性が付与されており、この回路基
板1のくり抜き部4側には、シール材5を介して取り付
けられた透光性の封止基板6との間に流動性かつ透光性
のポッティング材7が封入されており、しかも温度変化
によるポッティング材7の体積変化と、温度変化による
シール材5の伸縮に伴う回路基板1と封止基板6間の体
積変化とがほぼ等しく調整されている液晶表示装置とし
ているものである。
Means for solving the problems will be described with reference to FIG. 1 corresponding to one embodiment. In the present invention, a non-translucent circuit board having a drive circuit is formed. 1, a liquid crystal 3 is sealed between the transparent substrate 1 and a transparent substrate 2, and a hollow portion 4 is formed on the side opposite to the liquid crystal sealed side of the circuit board 1 to provide a light-transmitting property. On the side of the hollowed-out portion 4 of No. 1, a fluid and translucent potting material 7 is sealed between the translucent sealing substrate 6 attached via a seal material 5, and the temperature-dependent potting material 7 This is a liquid crystal display device in which the volume change of the potting material 7 and the volume change between the circuit board 1 and the sealing substrate 6 due to the expansion and contraction of the sealing material 5 due to the temperature change are adjusted to be substantially equal.

【0018】[0018]

【実施例及び作用】図1は第1の実施例を示す断面図
で、回路基板1は非透光性で、その表面には、絶縁層を
介して、TFTその他の駆動回路が形成されている。ま
た、この回路基板1の駆動回路の形成側には、シール材
8によってガラス等の透光性の対向基板2が取り付けら
れており、両者の間に液晶3が封入されている。
DESCRIPTION OF THE PREFERRED EMBODIMENTS FIG. 1 is a cross-sectional view showing a first embodiment, in which a circuit board 1 is non-translucent, and TFTs and other driving circuits are formed on its surface through an insulating layer. There is. On the side of the circuit board 1 on which the drive circuit is formed, a translucent counter substrate 2 such as glass is attached by a sealing material 8 and a liquid crystal 3 is sealed between the two.

【0019】尚、本明細書において透光性とは、可視光
線を透過させることをいう。
The term "translucency" as used herein means that visible light is transmitted.

【0020】一方、回路基板1の反液晶封入側にはくり
抜き部4が形成されており、これによって、表示領域に
対応する回路基板1の領域に透光性が付与されている。
On the other hand, a cut-out portion 4 is formed on the side opposite to the liquid crystal sealed side of the circuit board 1, so that the area of the circuit board 1 corresponding to the display area is provided with translucency.

【0021】くり抜き部4側には、シール材5を介し
て、ガラス等の透光性の封止基板6が取り付けられてお
り、回路基板1と封止基板6の間にポッティング材7が
封入されている。このポッティング材7は、本液晶表示
装置を実使用する温度範囲において固化しない流動性を
有し、しかも透光性の材料となっている。
A translucent sealing substrate 6 such as glass is attached to the hollowed-out portion 4 side through a sealing material 5, and a potting material 7 is enclosed between the circuit board 1 and the sealing substrate 6. Has been done. The potting material 7 has a fluidity that does not solidify in the temperature range where the liquid crystal display device is actually used and is a translucent material.

【0022】シール材5としては、例えばシリコーン樹
脂、エポキシ樹脂等を用いることができ、ポッティング
材7としては、例えばポリエチレングリコール、透明液
晶材料、シリコーン系のゲル等を用いることができる。
As the sealing material 5, for example, silicone resin, epoxy resin or the like can be used, and as the potting material 7, for example, polyethylene glycol, transparent liquid crystal material, silicone gel or the like can be used.

【0023】図2は、封止基板6を取り外した、ポッテ
ィング材7封入前の状態を示す斜視図である。
FIG. 2 is a perspective view showing a state in which the sealing substrate 6 is removed and the potting material 7 is not enclosed.

【0024】図に示されるように、封止基板6と回路基
板1とを接着するシール材5は、くり抜き部4の外側を
囲むように付設されている。また、シール材5で囲む領
域の一側には、ポッティング材7を注入するための注入
口9が形成されている。
As shown in the figure, a sealing material 5 for adhering the sealing substrate 6 and the circuit board 1 is provided so as to surround the outside of the hollow portion 4. An injection port 9 for injecting the potting material 7 is formed on one side of the area surrounded by the sealing material 5.

【0025】ポッティング材7は、後述するように、シ
ール材5を介して回路基板1に封止基板6を接着した
後、上記注入口9から回路基板1と封止基板6間に注入
され、その後注入口9を封口材で封止することで密閉封
入されるものである。
As will be described later, the potting material 7 is injected between the circuit board 1 and the sealing board 6 through the injection port 9 after the sealing board 6 is bonded to the circuit board 1 via the sealing material 5. After that, the injection port 9 is sealed with a sealing material.

【0026】そして、上記ポッティング材7を封入する
ことで、くり抜き部4の形成によって残されるメンブレ
ン部10は、ポッティング材7と封止基板6で覆われ、
湿度や気圧の変化から保護される。
By encapsulating the potting material 7, the membrane portion 10 left by the formation of the hollow portion 4 is covered with the potting material 7 and the sealing substrate 6,
Protected from changes in humidity and atmospheric pressure.

【0027】ところで、液晶表示装置の実使用は、通常
−20〜+60℃程度の温度範囲で行われる。従って、
この温度範囲において、くり抜き部4の形成によって残
されるメンブレン部10へ加わる圧力が過度に大きくな
らないことが必要となる。
By the way, the actual use of the liquid crystal display device is usually carried out in a temperature range of about -20 to + 60 ° C. Therefore,
In this temperature range, it is necessary that the pressure applied to the membrane portion 10 left by the formation of the hollow portion 4 does not become excessively large.

【0028】このために本発明では、温度変化によるポ
ッティング材7の体積変化が、シール材5の体積変化し
て回路基板1と封止基板6間の間隔が変化することによ
る、回路基板1と封止基板6間の体積変化とほぼ等しく
なるように設定しているものである。
For this reason, according to the present invention, the volume change of the potting material 7 due to the temperature change changes the volume of the seal material 5 and the space between the circuit board 1 and the sealing board 6 changes. The volume change between the sealing substrates 6 is set to be almost equal.

【0029】即ち、図1に示されるようにd1 とd2
定め、くり抜き部4の幅に対応する表示領域の一辺長さ
をL、くり抜き部4の側縁からシール材5までの間隔を
lとし、シール材5の縦方向の線膨張係数をρ
(K-1)、ポッティング材7の体膨張率をα(K-1)、
温度変化をT(K)として、l≪Lとすると、 d1 ρL2 T≒(d1 +d2 )αL2 T……(A) となる。
That is, as shown in FIG. 1, d 1 and d 2 are determined, the length of one side of the display area corresponding to the width of the cutout portion 4 is L, and the distance from the side edge of the cutout portion 4 to the sealing material 5 is set. Is defined as 1 and the coefficient of linear expansion of the sealing material 5 in the longitudinal direction is
(K −1 ), the body expansion coefficient of the potting material 7 is α (K −1 ),
Assuming that the temperature change is T (K) and l << L, d 1 ρL 2 T ≈ (d 1 + d 2 ) αL 2 T (A).

【0030】上記式(A)において、左辺はシール材5
の膨らみ(縮み)によるポッティング材7封入領域の体
積変化であり、右辺はポッティング材7の体積変化であ
る。
In the above formula (A), the left side is the sealing material 5.
Is the volume change of the potting material 7 enclosed area due to the bulge (contraction), and the right side is the volume change of the potting material 7.

【0031】上記(A)式は、 d1 ρ≒(d1 +d2 )α ……(B) となる。The above equation (A) becomes d 1 ρ≈ (d 1 + d 2 ) α (B).

【0032】上記(B)式を満たす例として、ポッティ
ング材7にエチレングリコール、シール材5にシリコー
ン樹脂を用いる場合が挙げられる。
An example of satisfying the above expression (B) is a case where ethylene glycol is used for the potting material 7 and a silicone resin is used for the sealing material 5.

【0033】例えばd2 =600μm、d1 =5mmと
する。エチレングリコールの体膨張率αは0.64×1
-3(K-1)である。シリコーン樹脂は種々のものが作
られており、その縦方向線膨張率ρは0.1〜10×1
-3(K-1)の範囲で選択することができる。ここでは
ρ=0.7×10-3(K-1)のものを選択することで上
記(B)式を成立させることができる。
For example, d 2 = 600 μm and d 1 = 5 mm. Body expansion coefficient α of ethylene glycol is 0.64 × 1
It is 0 -3 (K -1 ). Various types of silicone resin are made, and the linear expansion coefficient ρ in the longitudinal direction is 0.1 to 10 × 1.
It can be selected in the range of 0 -3 (K -1 ). Here, the above expression (B) can be established by selecting the one having ρ = 0.7 × 10 −3 (K −1 ).

【0034】実際にはρ及びαは温度により多少異なる
が、設計値としては、実使用における温度範囲での平均
値を採用すればよい。
Actually, ρ and α are slightly different depending on the temperature, but as the design value, the average value in the temperature range in actual use may be adopted.

【0035】次に本液晶表示装置の製造方法を説明す
る。
Next, a method for manufacturing the present liquid crystal display device will be described.

【0036】まず、対向基板2と回路基板1をシール材
8を介して貼り合わせ、両者の間に液晶3を注入して封
止した後、回路基板1にくり抜き部4を形成してメンブ
レン部10を残す。
First, the counter substrate 2 and the circuit board 1 are bonded together via the sealing material 8, the liquid crystal 3 is injected between them to seal them, and then the hollow portion 4 is formed on the circuit board 1 to form the membrane portion. Leave 10

【0037】次に、ポッティング材7の注入封止を行う
が、これはシール材5の付設工程、ポッティング材7注
入工程、注入口9(図2参照)の封止工程の3つの工程
に分けられる。
Next, the potting material 7 is injected and sealed. This is divided into three steps, that is, the step of attaching the sealing material 5, the step of injecting the potting material 7, and the step of sealing the injection port 9 (see FIG. 2). To be

【0038】(1)シール材5の付設工程 まず、くり抜き部4の回りにシール材5を塗布する。こ
の塗布は、ディスペンサーにより注射針先端から吐出さ
せた形をトレースしたり、スキージ印刷等で行うことが
できる。この塗布時に、図2に示される注入口9を形成
しておく。
(1) Attaching Step of Sealing Material 5 First, the sealing material 5 is applied around the hollow portion 4. This application can be performed by tracing the shape discharged from the tip of the injection needle with a dispenser or by squeegee printing. At the time of this application, the injection port 9 shown in FIG. 2 is formed.

【0039】塗布したシール材5の上にガラス等の封止
基板6を載せ、所望のギャップをもって回路基板1と封
止基板6が重なるよう加圧し、焼成して(例えば80℃
のオーブン中で2時間)、ポッティング材7の充填領域
を形成する。
A sealing substrate 6 made of glass or the like is placed on the applied sealing material 5, and the circuit substrate 1 and the sealing substrate 6 are pressed with a desired gap so as to overlap each other and baked (for example, 80 ° C.).
(2 hours in the oven) to form the filling area of the potting material 7.

【0040】回路基板1と封止基板6間のギャップは、
所望の厚さのギャップ材、例えばガラスや注射針等を回
路基板1と封止基板2の間に挟むことで制御することが
できる。また、非常に狭いギャップ(例えば10μm程
度)が必要な時には、シール材5中にこのギャップに対
応する程度の直径のビーズを混ぜて塗布することで所望
のギャップを得ることができる。
The gap between the circuit board 1 and the sealing substrate 6 is
It can be controlled by sandwiching a gap material having a desired thickness such as glass or an injection needle between the circuit board 1 and the sealing board 2. Further, when a very narrow gap (for example, about 10 μm) is required, a desired gap can be obtained by mixing and applying beads having a diameter corresponding to this gap into the sealing material 5.

【0041】(2)ポッティング材7注入工程 ポッティング材7の充填は、従来公知の真空注入法で行
うことができる。
(2) Potting material 7 injecting step The potting material 7 can be filled by a conventionally known vacuum injecting method.

【0042】ポッティング材7は、注入前に真空脱泡
(例えば10-3Torrで12時間)を行い、気泡の混
入がない状態にしておく。
The potting material 7 is vacuum degassed (for example, at 10 −3 Torr for 12 hours) before injection so that no air bubbles are mixed.

【0043】回路基板1と封止基板2の間にポッティン
グ材7の充填領域を形成した液晶表示装置(液晶セル)
と、シャーレ等に入れたポッティング材7を真空装置内
にセットし、10-3程度の真空度まで真空引きする。真
空引きの時間は、10-3Torrに到達した後1〜24
時間程度である。
Liquid crystal display device (liquid crystal cell) in which a potting material 7 filling region is formed between the circuit board 1 and the sealing substrate 2.
Then, the potting material 7 placed in a petri dish or the like is set in a vacuum device, and vacuumed to a vacuum degree of about 10 −3 . The evacuation time is 1 to 24 after reaching 10 -3 Torr
It's about time.

【0044】その後、真空状態のまま、液晶表示装置を
ポッティング材7の入ったシャーレ等の中に浸漬する。
すると、毛細管現象によって、ポッティング材7はその
充填領域にある程度浸入する。
After that, the liquid crystal display device is immersed in a petri dish or the like containing the potting material 7 in a vacuum state.
Then, due to the capillary phenomenon, the potting material 7 penetrates into the filling area to some extent.

【0045】毛細管現象による注入が平衡状態に達した
後、20分〜1時間かけてゆっくりと真空装置のリーク
を行うと、ポッティング材7を十分その充填領域に注入
することができる。
After the equilibrium state of the injection due to the capillary phenomenon is reached, the potting material 7 can be sufficiently injected into the filling region by slowly leaking the vacuum device over 20 minutes to 1 hour.

【0046】ポッティング材7の注入は、このような真
空注入法で行うのが容易であるので、ポッティング材7
は蒸気圧の低い材料であることが好ましい。
Since it is easy to inject the potting material 7 by such a vacuum injection method, the potting material 7
Is preferably a material having a low vapor pressure.

【0047】(3)注入口9の封止工程 真空装置から液晶表示装置を取り出し、注入口9をアセ
トン等で良く拭いて脱脂した後、注入口9に封口材を盛
って封口を行う。封口材としては、ポッティング材7と
してポリエチレングリコールを用いた時にはエポキシ樹
脂を用いることができる。
(3) Sealing Step for Filling Port 9 The liquid crystal display device is taken out from the vacuum device, and after thoroughly filling the filling port 9 with acetone or the like to degrease it, a filling material is put on the filling port 9 for sealing. As the sealing material, an epoxy resin can be used when polyethylene glycol is used as the potting material 7.

【0048】その後、封口材を十分硬化させることでポ
ッティング材7の注入封止を完了する。
After that, the injection sealing of the potting material 7 is completed by sufficiently curing the sealing material.

【0049】図3は第2の実施例を示す断面図で、回路
基板1へのシール材5の付設位置に溝11が形成されて
おり、この溝11を満たしてシール材5が付設されてい
て、回路基板1と封止基板6間の間隔を増大させること
なく、実質的にシール材5の厚塗りができるようになっ
ている点を除いて第1の実施例と同様である。
FIG. 3 is a sectional view showing the second embodiment, in which a groove 11 is formed at a position where the sealing material 5 is attached to the circuit board 1, and the sealing material 5 is attached to fill the groove 11. The sealing material 5 is substantially thickly coated without increasing the distance between the circuit board 1 and the sealing substrate 6, and is similar to the first embodiment.

【0050】即ち、シール材5の体積変化を第1の実施
例より大きくすることができ、ポッティング材7の体積
変化が大きい場合にも追従できるようになっている。
That is, the volume change of the sealing material 5 can be made larger than that of the first embodiment, and can be followed even when the volume change of the potting material 7 is large.

【0051】また、上記溝11の形成は、くり抜き部4
の形成(通常エッチングによって行われる)と同時に行
うと、工程数の増大を防止することができる。
Further, the groove 11 is formed by the cutout portion 4
If it is performed at the same time as the formation (usually performed by etching), an increase in the number of steps can be prevented.

【0052】尚、本実施例における溝11の深さは、く
り抜き部4の深さと等しい深さとなっているが、この溝
11の深さは、使用するポッティング材7の材質、シー
ル材5の材質等に応じて選択すればよい。
The depth of the groove 11 in this embodiment is equal to the depth of the hollow portion 4, but the depth of the groove 11 depends on the material of the potting material 7 and the sealing material 5. It may be selected according to the material and the like.

【0053】本実施例において、温度変化によるポッテ
ィング材7の体積変化と、温度変化によるシール材5の
体積変化に伴う回路基板1と封止基板6間の体積変化と
がほぼ等しくなるための条件は、l≪Lとして、 (d1 +d2 )ρL2 T≒(d1 +d2 )αL2 T……(C) より ρ≒α ……(D) となる。
In the present embodiment, the conditions under which the volume change of the potting material 7 due to the temperature change and the volume change between the circuit board 1 and the sealing substrate 6 due to the volume change of the sealing material 5 due to the temperature change are substantially equal to each other. Is set to l << L, and then (d 1 + d 2 ) ρL 2 T≈ (d 1 + d 2 ) αL 2 T ... (C), then ρ≈α ... (D).

【0054】図4は第3の実施例を示す断面図で、シー
ル材5を付設する範囲をも含む広い領域をくり抜き部4
とすることで、第2の実施例と同様な効果が得られるよ
うにしたものである。
FIG. 4 is a cross-sectional view showing a third embodiment, in which a wide region including the range where the sealing material 5 is attached is cut out.
By so doing, it is possible to obtain the same effect as that of the second embodiment.

【0055】この場合、表示領域の外側も、回路基板1
が透光性となるので光(可視光線)を透過してしまう
が、これによる弊害は回路基板1に遮光層12を設ける
ことで防止することができる。この遮光層12は、図示
される位置とは反対側の回路基板1の面や、封止基板6
に設けることもできる。
In this case, the outside of the display area also includes the circuit board 1.
Since it has a light-transmitting property, it transmits light (visible light), but the adverse effect of this can be prevented by providing the light-shielding layer 12 on the circuit board 1. The light-shielding layer 12 is provided on the surface of the circuit board 1 on the side opposite to the illustrated position and the sealing substrate 6.
Can also be provided.

【0056】尚、本実施例において、温度変化によるポ
ッティング材7の体積変化と、温度変化によるシール材
5の体積変化に伴う回路基板1と封止基板6間の体積変
化とがほぼ等しくなるための条件は、lの値がLに対し
て無視できない値だとしても、前記(D)式で示される
条件となる。
In the present embodiment, the volume change of the potting material 7 due to the temperature change and the volume change between the circuit board 1 and the sealing substrate 6 due to the volume change of the sealing material 5 due to the temperature change are substantially equal. Even if the value of l is a value that cannot be ignored with respect to L, the condition of is the condition represented by the equation (D).

【0057】図5は第4の実施例を示す断面図で、封止
基板6の断面形状を、その中央部がくり抜き部4方向へ
突出した凸型とし、表示領域で厚く、その周辺のシール
領域で薄くしたものとなっている点を除いて第3の実施
例と同様である。
FIG. 5 is a sectional view showing a fourth embodiment. The sealing substrate 6 has a sectional shape of a convex shape with its central portion projecting in the direction of the hollow portion 4 and is thick in the display area, and a seal around it. The third embodiment is similar to the third embodiment except that the area is thin.

【0058】本実施例の場合、封止基板6が表示領域で
厚くなっているので、ポッティング材7の体積を小さく
することができ、シール材5の選択幅を広げることがで
きる。
In the case of the present embodiment, since the sealing substrate 6 is thick in the display area, the volume of the potting material 7 can be reduced and the selection range of the sealing material 5 can be widened.

【0059】本実施例において、温度変化によるポッテ
ィング材7の体積変化と、温度変化によるシール材5の
体積変化に伴う回路基板1と封止基板6間の体積変化と
がほぼ等しくなるための条件は、図5に示されるd1
びd2 を用い、l≪Lとして、 (d1 +d2 )ρ≒(d1 −d2 )α であり、同じαに対して第1〜第3の実施例よりρを小
さく設定できる。
In the present embodiment, the conditions under which the volume change of the potting material 7 due to the temperature change and the volume change between the circuit board 1 and the sealing substrate 6 due to the volume change of the sealing material 5 due to the temperature change are substantially equal to each other. Is (d 1 + d 2 ) ρ≈ (d 1 −d 2 ) α with l << L using d 1 and d 2 shown in FIG. Ρ can be set smaller than that in the embodiment.

【0060】図6は第5の実施例を示す断面図で、第1
の実施例における封止基板6として、第4の実施例に示
される、断面凸型の封止基板6を用いたものとなってい
る。
FIG. 6 is a cross-sectional view showing the fifth embodiment.
As the sealing substrate 6 in this embodiment, the sealing substrate 6 having a convex cross section shown in the fourth embodiment is used.

【0061】本実施例の場合、ポッティング材7の体膨
張率は第4の実施例より小さいことが必要となるが、シ
ール材5の取り付け状態が第4の実施例より安定させや
すい利点がある。
In the case of this embodiment, the body expansion coefficient of the potting material 7 needs to be smaller than that of the fourth embodiment, but there is an advantage that the attachment state of the sealing material 5 is easier to stabilize than in the fourth embodiment. .

【0062】本実施例において、温度変化によるポッテ
ィング材7の体積変化と、温度変化によるシール材5の
体積変化に伴う回路基板1と封止基板6間の体積変化と
がほぼ等しくなるための条件は、図6に示されるd1
びd2 を用い、l≪Lとして、 d2 ρ≒d1 α である。
In the present embodiment, the conditions under which the volume change of the potting material 7 due to the temperature change and the volume change between the circuit board 1 and the sealing substrate 6 due to the volume change of the sealing material 5 due to the temperature change are substantially equal to each other. uses the d 1 and d 2 shown in Figure 6, as L«L, a d 2 [rho ≒ d 1 alpha.

【0063】[0063]

【発明の効果】本発明は、以上説明した通りのものであ
り、表示部となる領域にくり抜き部4を形成して透光性
を持たせた非透光性の回路基板1と透光性の対向基板2
間に液晶3を封入した液晶表示装置において、温度変化
等による画像表示変動をきたすことなく、くり抜き部4
の強度低下を補うことができるものである。
The present invention is as described above, and the non-translucent circuit board 1 having the translucent property by forming the cutout portion 4 in the region serving as the display portion and the translucent material. Counter substrate 2
In the liquid crystal display device in which the liquid crystal 3 is sealed in between, the cutout portion 4 is provided without causing image display fluctuation due to temperature change or the like.
It is possible to make up for the decrease in strength.

【図面の簡単な説明】[Brief description of drawings]

【図1】本発明の第1の実施例を示す断面図である。FIG. 1 is a sectional view showing a first embodiment of the present invention.

【図2】封止基板を取り外した、ポッティング材7封入
前の状態を示す斜視図である。
FIG. 2 is a perspective view showing a state before the potting material 7 is enclosed, with the sealing substrate removed.

【図3】本発明の第2の実施例を示す断面図である。FIG. 3 is a sectional view showing a second embodiment of the present invention.

【図4】本発明の第3の実施例を示す断面図である。FIG. 4 is a sectional view showing a third embodiment of the present invention.

【図5】本発明の第4の実施例を示す断面図である。FIG. 5 is a sectional view showing a fourth embodiment of the present invention.

【図6】本発明の第5の実施例を示す断面図である。FIG. 6 is a sectional view showing a fifth embodiment of the present invention.

【符号の説明】[Explanation of symbols]

1 回路基板 2 対向基板 3 液晶 4 くり抜き部 5 シール材 6 封止基板 7 ポッティング材 8 シール材 9 注入口 10 メンブレン部 11 溝 12 遮光層 1 Circuit board 2 Counter substrate 3 Liquid crystal 4 Cutout part 5 Sealing material 6 Sealing board 7 Potting material 8 Sealing material 9 Injection port 10 Membrane part 11 Groove 12 Light-shielding layer

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 玄地 裕 東京都大田区下丸子3丁目30番2号 キヤ ノン株式会社内 ─────────────────────────────────────────────────── ─── Continuation of the front page (72) Inventor Hiroshi Genji 3-30-2 Shimomaruko, Ota-ku, Tokyo Canon Inc.

Claims (4)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項1】 駆動回路が形成された非透光性の回路基
板と透光性の対向基板との間に液晶が封入されていると
共に、回路基板の反液晶封入側にくり抜き部が形成され
て透光性が付与されており、この回路基板のくり抜き部
側には、シール材を介して取り付けられた透光性の封止
基板との間に流動性かつ透光性のポッティング材が封入
されており、しかも温度変化によるポッティング材の体
積変化と、温度変化によるシール材の体積変化に伴う回
路基板と封止基板間の体積変化とがほぼ等しく調整され
ていることを特徴とする液晶表示装置。
1. A liquid crystal is sealed between a non-translucent circuit board on which a drive circuit is formed and a translucent counter substrate, and a hollow portion is formed on the side opposite to the liquid crystal sealed side of the circuit board. Translucency is imparted to the circuit board, and a fluid and translucent potting material is enclosed between the hollowed-out side of this circuit board and the translucent sealing board that is attached via a sealing material. The liquid crystal display is characterized in that the volume change of the potting material due to temperature change and the volume change between the circuit board and the sealing substrate due to the volume change of the seal material due to temperature change are adjusted to be substantially equal. apparatus.
【請求項2】 シール材が、回路基板に設けられた溝を
満たして付設されていることを特徴とする請求項1の液
晶表示装置。
2. The liquid crystal display device according to claim 1, wherein the sealing material is provided so as to fill a groove provided in the circuit board.
【請求項3】 シール材が、くり抜き部内に付設されて
いることを特徴とする請求項1の液晶表示装置。
3. The liquid crystal display device according to claim 1, wherein a sealing material is provided in the hollow portion.
【請求項4】 封止基板が、その中央部がくり抜き部方
向へ突出した凸型断面形状であることを特徴とする請求
項1の液晶表示装置。
4. The liquid crystal display device according to claim 1, wherein the sealing substrate has a convex cross-sectional shape in which a central portion thereof projects toward the hollow portion.
JP3395893A 1993-02-01 1993-02-01 Liquid crystal display device Withdrawn JPH06230350A (en)

Priority Applications (4)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP3395893A JPH06230350A (en) 1993-02-01 1993-02-01 Liquid crystal display device
EP94101398A EP0609809B8 (en) 1993-02-01 1994-01-31 Liquid crystal display device
DE69427882T DE69427882T2 (en) 1993-02-01 1994-01-31 liquid-crystal display
US08/189,169 US5691794A (en) 1993-02-01 1994-01-31 Liquid crystal display device

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP3395893A JPH06230350A (en) 1993-02-01 1993-02-01 Liquid crystal display device

Publications (1)

Publication Number Publication Date
JPH06230350A true JPH06230350A (en) 1994-08-19

Family

ID=12401005

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP3395893A Withdrawn JPH06230350A (en) 1993-02-01 1993-02-01 Liquid crystal display device

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JPH06230350A (en)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6703643B2 (en) 1995-02-15 2004-03-09 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Active matrix display device with an integrated circuit covered with a sealing material

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6703643B2 (en) 1995-02-15 2004-03-09 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Active matrix display device with an integrated circuit covered with a sealing material
US7538849B2 (en) 1995-02-15 2009-05-26 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Active matrix display and forming method thereof

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US5691794A (en) Liquid crystal display device
US7924393B2 (en) Liquid crystal display device
US5434433A (en) Semiconductor device for a light wave
US5702963A (en) Method of forming high density electronic circuit modules
US6414783B2 (en) Method of transferring semiconductors
CN100465708C (en) Liquid crystal display device and manufacturing method thereof
JPS63101829A (en) Active matrix liquid crystal display device and its production
US5644370A (en) Liquid crystal display apparatus with a plural layer connection between the TFT drains and the pixel electrodes
TW588178B (en) Manufacturing method for liquid crystal panel
WO1994017439A1 (en) Liquid crystal display including electrodes and driver devices integrally formed in monochrystalline semiconductor layer and method of fabricating the display
CN110082964A (en) A kind of liquid crystal display panel and preparation method thereof and liquid crystal display device
KR100293980B1 (en) Liquid crystal display with drive circuits separated from the pixel area by the room
US11316129B2 (en) Display panel with packaging layer in a notch of non-display area and manufacturing method thereof
JPH06230350A (en) Liquid crystal display device
US5633176A (en) Method of producing a semiconductor device for a light valve
JP4564472B2 (en) Liquid crystal display device and manufacturing method thereof
JPH06230351A (en) Liquid crystal display device
JP3054898B2 (en) Liquid crystal display
JP2004317983A (en) Glass substrate body for multiple formation of display element, and manufacturing method of glass substrate body for multiple formation of display element
JPH07181464A (en) Liquid crystal display device
JPH06230366A (en) Liquid crystal display device
US20240045300A1 (en) Touch display device and manufacturing method thereof
JPH06230345A (en) Liquid crystal display device
JP3108835B2 (en) Manufacturing method of liquid crystal element
JP2001249345A (en) Liquid crystal display device and its manufacturing method

Legal Events

Date Code Title Description
A300 Withdrawal of application because of no request for examination

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A300

Effective date: 20000404