JPH06223399A - 半導体レーザダイオード及び光ヘッド及びレーザ雑音低減手段 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【目的】半導体レーザを有する光源ユニットにおいて、
光ヘッドの小型化及びコストダウンを図る。 【構成】光源ユニット外部からの光信号を検出する信号
検出手段及びレーザ雑音低減手段及び前置増幅器を同一
ウエハ上に一体成形し、半導体レーザのケースに内蔵す
る。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【産業上の利用分野】本発明は、光学式記録再生装置の
光ヘッドの構造に関する。

【０００２】

【従来の技術】従来の半導体レーザダイオードは、図１
７に示した様に、レーザチップ及びレーザ出力検出手段
のみを一体化してケース内におさめていた。

【０００３】

【発明が解決しようとする課題】しかし、かかる従来の
技術では、光ヘッド内に独立に光源ユニット外部からの
光信号を検出する信号検出手段及びレーザ雑音低減手段
及び前置増幅器及び信号処理手段を設けなければならな
いため、光ヘッドの小型化及び簡略化に限界があるとい
う問題点を有していた。

【０００４】

【課題を解決するための手段】本発明の半導体レーザダ
イオードは、 （１）半導体レーザを有する光源ユニットにおいて、レ
ーザダイオード駆動電流に高周波を重畳し、レーザ光の
可干渉性を低下させることによりレーザ雑音を低減させ
るレーザ雑音低減手段及び光源ユニット外部からの光信
号を検出する信号検出手段を同一基板上に構成したこと
を特徴とする。

【０００５】（２）半導体レーザを有する光源ユニット
において、レーザダイオード駆動電流に高周波を重畳
し、レーザ光の可干渉性を低下させることによりレーザ
雑音を低減させるレーザ雑音低減手段及び光源ユニット
外部からの光信号を検出する信号検出手段及びレーザチ
ップから出射するレーザ光の光量を監視するレーザ出力
検出手段を同一基板上に構成したことを特徴とする半導
体レーザダイオード。

【０００６】（３）半導体レーザを有する光源ユニット
において、レーザダイオード駆動電流に高周波を重畳
し、レーザ光の可干渉性を低下させることによりレーザ
雑音を低減させるレーザ雑音低減手段及び光源ユニット
外部からの光信号を検出する信号検出手段及び前記信号
検出手段の出力を電流−電圧変換し、十分な信号レベル
まで増幅すると共に、必要があれば複数の前記信号検出
手段の出力を演算処理して所望の信号を生成する前置増
幅器を同一基板上に構成したことを特徴とする。

【０００７】（４）半導体レーザを有する光源ユニット
において、レーザダイオード駆動電流に高周波を重畳
し、レーザ光の可干渉性を低下させることによりレーザ
雑音を低減させるレーザ雑音低減手段及び光源ユニット
外部からの光信号を検出する信号検出手段及びレーザチ
ップから出射するレーザ光の光量を監視するレーザ出力
検出手段及び前記信号検出手段とレーザ出力検出手段の
出力を電流−電圧変換し、十分な信号レベルまで増幅す
ると共に、必要があれば複数の前記信号検出手段の出力
を演算処理して所望の信号を生成する前置増幅器を同一
基板上に構成したことを特徴とする。

【０００８】（５）半導体レーザを有する光源ユニット
において、レーザダイオード駆動電流に高周波を重畳
し、レーザ光の可干渉性を低下させることによりレーザ
雑音を低減させるレーザ雑音低減手段及び光源ユニット
外部からの光信号を検出する信号検出手段及びレーザチ
ップから出射するレーザ光の光量を監視するレーザ出力
検出手段及び前記信号検出手段とレーザ出力検出手段の
出力を電流−電圧変換し、十分な信号レベルまで増幅す
ると共に、必要があれば複数の前記信号検出手段の出力
を演算処理して所望の信号を生成する前置増幅器の内、
少なくとも２つ以上を同一基板上に構成し、さらにレー
ザチップより発せられるレーザ光の進行方向を所望の方
向に転換する光路転換手段を有することを特徴とする。

【０００９】（６）半導体レーザを有する光源ユニット
において、ケース内部に、レーザダイオード駆動電流に
高周波を重畳し、レーザ光の可干渉性を低下させること
によりレーザ雑音を低減させるレーザ雑音低減手段を内
蔵し、前記レーザ雑音低減手段は、レーザチップ近傍の
放熱器側面に配置されていることを特徴とする。

【００１０】また、本発明の光ヘッドは、 （７）第１項記載の半導体レーザダイオードを光源に用
いたことを特徴とする。

【００１１】（８）第２項記載の半導体レーザダイオー
ドを光源に用いたことを特徴とする。

【００１２】（９）第３項記載の半導体レーザダイオー
ドを光源に用いたことを特徴とする。

【００１３】（１０）第４項記載の半導体レーザダイオ
ードを光源に用いたことを特徴とする。

【００１４】（１１）第５項記載の半導体レーザダイオ
ードを光源に用いたことを特徴とする。

【００１５】（１２）第６項記載の半導体レーザダイオ
ードを光源に用いたことを特徴とする。

【００１６】また、本発明のレーザ雑音低減手段は、 （１３）半導体レーザを有する光源ユニットにおいて、
レーザダイオード駆動電流に高周波を重畳し、レーザ光
の可干渉性を低下させることによりレーザ雑音を低減さ
せるレーザ雑音低減回路であり、第１及び第２の２つの
増幅器を用いて構成され、前記第１の増幅器及び前記第
１の増幅器の出力を入力端子に正帰還する１つのコンデ
ンサからなる発振器、前記発振器の出力を増幅する前記
第２の増幅器及び低域通過手段からなることを特徴とす
る。

【００１７】（１４）半導体レーザを有する光源ユニッ
トにおいて、レーザダイオード駆動電流に高周波を重畳
し、レーザ光の可干渉性を低下させることによりレーザ
雑音を低減させるレーザ雑音低減回路であり、１つの増
幅器及び前記増幅器の出力を入力端子に正帰還する１つ
のコンデンサからなる発振器と、低域通過手段からなる
ことを特徴とする。

【００１８】

【実施例】

（実施例１）以下に、本発明の実施例を図面に基づいて
説明する。尚、図面上で内容の同じものについは同じ番
号で示してある。以下、図に従って本発明の半導体レー
ザダイオードの作用を説明する。

【００１９】図１と図２は、本発明の一実施例に於ける
半導体レーザダイオード構造を示す説明図である。図１
及び図２において、半導体レーザダイオードは、レーザ
チップ１、前記レーザチップ１の発熱による破壊を防止
するための放熱器２、記録媒体からの反射光から記録情
報や位置誤差信号を再生する信号検出用フォトダイオー
ド９及び前記レーザチップ１からの出射光量を検出する
ためのレーザ出力検出用フォトダイオード３及びレーザ
雑音低減回路１７及び前置増幅器を一体化して同一基板
上に構成したウエハ８、前記ウエハ８を電気的に外部回
路と接続する導線７、前記ウエハ８と前記導線７、また
は前記レーザチップ１と前記ウエハ８を接続するボンデ
ィングワイヤ１６、全体を固定する土台となるステム
４、内部の部品を物理的に保護すると同時にレーザ光を
取り出すためのキャップ５及び出射窓６から成る。

【００２０】前記レーザチップ１より出射したレーザ光
の一部は内部の前記レーザ出力検出用フォトダイオード
３に入射する。前記レーザ出力検出用フォトダイオード
３は、入射光の光エネルギーを電流に変換するので、前
記レーザ出力検出用フォトダイオード３により前記レー
ザチップ１の出射光出力を検出することができる。

【００２１】また、記録媒体からの反射光は、信号検出
用フォトダイオード９に入射し、前記レーザ出力検出用
フォトダイオード３同様に光エネルギーが電流に変換さ
れ、前置増幅器１４に入力される。前記前置増幅器１４
は、前記電流を電圧に変換し、信号を伝送に十分なレベ
ルまで増幅するとともに、信号の出力インピーダンスを
下げ、ノイズの混入や帯域の低下を防ぐものである。さ
らに、前記前置増幅器１４において、信号を演算処理
し、記録情報や位置誤差信号を生成する機能を持たせて
も良い。

【００２２】レーザ雑音低減回路１７は、レーザダイオ
ード駆動電流１５に高周波を重畳し、レーザチップ１よ
り発せられるレーザ光の可干渉性を低下させ、もどり光
によるレーザ雑音を低減させるものである。前記レーザ
雑音低減回路１７は、高周波発振器と緩衝増幅器から成
り、その出力はレーザチップのホット側に接続されてい
る。前記レーザ雑音低減回路１７の働きにより、レーザ
ダイオード駆動電流１５は短い周期をもってレベルが変
動し、それに伴って前記レーザ光の波長も変動する。

【００２３】ウエハ８は、前記信号検出用フォトダイオ
ード９及び前記レーザ出力検出用フォトダイオード３及
び前記レーザ雑音低減回路１７及び前置増幅器１４を一
体化して、同一基板上に構成したものである。図２は、
図１に於けるウエハ８の構成を拡大して示した説明図で
ある。図に示したように、前記信号検出用フォトダイオ
ード９及び前記レーザ出力検出用フォトダイオード３及
び前記レーザ雑音低減回路１７及び前置増幅器を別々に
製造する場合に比べ、はるかに小型かつ簡単な構造にな
る。また、本構成では、前記信号検出用フォトダイオー
ド９及び前記レーザ出力検出用フォトダイオード３を全
て同一ウエハ上に一体形成するため、各フォトダイオー
ドの相対位置や形状寸法は、半導体集積回路と同程度の
精度にすることが可能であり、容易に高い位置精度を実
現することができる。レーザダイオード及び信号検出用
フォトダイオードを一体化した場合、相対位置精度の管
理が重要であるが、本構成では量産時も安定した品質を
維持する事が容易である。さらに、信号検出用フォトダ
イオード９及びレーザ出力検出用フォトダイオード３に
十分近い位置に前置増幅器１４を配置することができる
ため、外来ノイズに対して強い検出系を実現することが
できる。

【００２４】図３は、図１の半導体レーザダイオードに
於ける回路構成を示すブロック図である。図３におい
て、半導体レーザダイオードは、信号検出手段９及びレ
ーザ出力検出手段３及びレーザ雑音低減手段１７及び前
置増幅器１４及びレーザチップ１から成る。信号検出手
段９及びレーザ出力検出手段３の出力は、前置増幅器１
４で増幅され、出力される。レーザ雑音低減手段１７
は、レーザダイオード駆動電流１５に高周波を重畳し、
レーザ雑音を低減させる。これらの回路は、図２に示し
たウエハ８上に形成される。

【００２５】図４は、図１の前記半導体レーザダイオー
ドに於ける回路を示す説明図である。前記回路は、前置
増幅器１４及びレーザ雑音低減手段１７及び信号検出手
段９及びレーザチップ１より成る。

【００２６】始めに、前記前置増幅器１４の構成につい
て説明する。４つの前記信号検出手段９の出力は、演算
増幅器２１でそれぞれ電流−電圧変換される。その後、
各電圧出力は、演算処理されることによってフォーカス
位置誤差信号２３、トラック位置誤差信号２４、光磁気
信号２５、全和信号２６となる。これらの信号は、光ヘ
ッドの位置制御や、光ディスクからの情報の読み取りに
用いられる。また、前記レーザ出力検出手段３の出力
は、同じ様に電流−電圧変換され、レーザ出力検出手段
出力２７となる。前記レーザ出力検出手段出力２７は、
レーザ出力を一定にするための誤差信号として用いられ
る。

【００２７】次に、前記レーザ雑音低減手段１７につい
て説明する。図４の実施例では、前記レーザ雑音低減手
段１７は、２つの広帯域増幅器２２ａ及び２２ｂ、帰還
コンデンサ２９、カップリングコンデンサ３０ａ、３０
ｂ、ローパスフィルタ３１を用いて構成される。第１の
前記広帯域増幅器２２ａは、前記帰還コンデンサ２９と
共に高周波発振器として働く。即ち、第１の前記広帯域
増幅器２２ａは非反転増幅器であり、前記広帯域増幅器
２２ａの入力端子と出力端子の位相は同じである。両端
子間に前記帰還コンデンサ２９を接続することにより、
極めて単純な回路構成で高周波発振器を作る事ができ
る。尚、発振周波数は、前記広帯域増幅器２２ａ自体が
持つ時定数と、前記帰還コンデンサ２９の値により決定
されるため、目的の周波数を得るためには、前記帰還コ
ンデンサ２９の値を適当な値に選べば良い。ここで発生
した高周波信号は、前記カップリングコンデンサ３０ａ
を介して第２の前記広帯域増幅器２２ｂに入力される。
第２の前記広帯域増幅器２２ｂは、緩衝増幅器であり、
入力された前記高周波信号を増幅すると同時に、出力イ
ンピーダンスを下げることにより、第１の前記広帯域増
幅器２２ａを安定に動作させ、また効率よくレーザダイ
オード駆動電流に高周波を重畳する働きをする。第２の
前記広帯域増幅器２２ｂの出力はカップリングコンデン
サ３０ｂを介してレーザチップ１のアノード端子に印加
される。これによりレーザダイオード駆動電流は短い周
期で増減を繰り返し、前記レーザチップ１より発するレ
ーザ光の波長もそれに応じて変化するため、前記レーザ
光のコヒーレンスが適度に低下し、戻り光によるレーザ
ノイズを低減することができる。

【００２８】ところで、主にレーザ雑音が問題になるの
は、前記レーザチップ１が低出力で動作している場合で
ある。即ち、前記レーザダイオード駆動電流１５に重畳
される高周波信号は、前記レーザチップ１の光出力の大
きさに応じて、ＯＮ／ＯＦＦされなければならない。図
４の実施例では、高周波信号のＯＮ／ＯＦＦは、第２の
前記広帯域増幅器２２ｂの電源をＯＮ／ＯＦＦすること
により行うことができる。この場合、高周波発振器であ
る前段の前記広帯域増幅器２２ａは常時動作しているた
め、立ち上がり／立ち下がりも高速であり、光ディスク
装置の記録／再生の切り替え等にも対応可能である。

【００２９】上記の回路により、レーザ発振及びレーザ
出力検出及び信号検出及びレーザ雑音低減の機能をあわ
せもった半導体レーザダイオードを実現することができ
る。

【００３０】図５は、図１の実施例に於ける前記レーザ
雑音低減手段１７の他の回路例を示す説明図である。図
に示した様に、広帯域増幅器２２ａが十分な出力を有し
ていれば、前記レーザ雑音低減手段１７は、さらに簡単
な構成とすることもできる。図５の実施例において、前
記レーザ雑音低減手段１７は、１つの広帯域増幅器２２
ａ、帰還コンデンサ２９、カップリングコンデンサ３０
ｂ、ローパスフィルタ３１を用いて構成される。前記広
帯域増幅器２２ａは、図４の実施例同様、前記帰還コン
デンサ２９と共に高周波発振器として働く。前記広帯域
増幅器２２ｂの出力はカップリングコンデンサ３０ｂを
介してレーザチップ１のアノード端子に印加される。こ
れによりレーザダイオード駆動電流に高周波が重畳さ
れ、戻り光によるレーザノイズが低減される。本実施例
では、高周波信号のＯＮ／ＯＦＦは、前記広帯域増幅器
２２ａの電源をＯＮ／ＯＦＦすることにより行われる。
本構成によれば、前記レーザ雑音低減手段１７をより小
規模な回路構成とすることができるため、光ヘッドを一
層小型化・低消費電力化することが可能になる。

【００３１】（実施例２）図６は、本発明の他の一実施
例に於ける半導体レーザダイオードの構造を示す説明図
である。半導体レーザダイオードは、レーザチップ１、
前記レーザチップ１の発熱による破壊を防止するための
放熱器２、記録媒体からの反射光から記録情報や位置誤
差信号を再生する信号検出用フォトダイオード９及び前
記レーザチップ１からの出射光量を検出するためのレー
ザ出力検出用フォトダイオード３及びレーザ雑音低減回
路１７及び前置増幅器を一体化して同一基板上に構成し
たウエハ８、前記ウエハ８を電気的に外部回路と接続す
る導線７、前記ウエハ８と前記導線７、または前記レー
ザチップ１と前記ウエハ８を接続するボンディングワイ
ヤ１６、全体を固定する土台となるステム４、内部の部
品を物理的に保護すると同時にレーザ光を取り出すため
のキャップ５及び出射窓６、レーザチップ１から出射し
たレーザ光を前記ウエハ８の法線方向へ光路変換するプ
リズム１９、レーザチップ１から出射したレーザ光を前
記レーザ出力検出用フォトダイオード３へ導くためのプ
リズム２０から成る。

【００３２】レーザチップ１から出射したレーザ光のほ
とんどは、プリズム１９で進行方向を変え、前記出射窓
６へ導かれる。一方、レーザチップ１から出射したレー
ザ光の一部は、プリズム２０により前記レーザ出力検出
用フォトダイオード３に入射する。また、記録媒体から
の反射光は、信号検出用フォトダイオード９に入射し、
その出力は前置増幅器１４に入力される。レーザ雑音低
減回路１７は、レーザダイオード駆動電流１５に高周波
を重畳し、レーザ雑音を低減させるものである。これら
のフォトダイオード及び回路は、ウエハ８上に一体化し
て形成されている。また、プリズム１９、プリズム２０
及び放熱器２はウエハ８上に接着して取り付けてある。
図１では、レーザチップ１を出射窓６の中心に位置させ
る関係上、ステム４上でのスペースを有効に使う事が難
しいが、図６の構成によれば、より大きな前記ウエハ８
を実装可能となるため、図１に比べ製作が容易である。

【００３３】（実施例３）図６の半導体レーザダイオー
ドは、ＣＡＮ構造を有するものであるが、同様の内容の
半導体レーザダイオードを、モールドパッケージ構造を
用いて構成してもよい。

【００３４】図７は、本発明の他の一実施例に於ける半
導体レーザダイオードの構造を示す説明図であり。半導
体レーザダイオードは、レーザチップ１、前記レーザチ
ップ１の発熱による破壊を防止するための放熱器２、記
録媒体からの反射光から記録情報や位置誤差信号を再生
する信号検出用フォトダイオード９及び前記レーザチッ
プ１からの出射光量を検出するためのレーザ出力検出用
フォトダイオード３及びレーザ雑音低減回路１７及び前
置増幅器を一体化して同一基板上に構成したウエハ８、
前記ウエハ８を電気的に外部回路と接続する導線７、前
記ウエハ８と前記導線７、または前記レーザチップ１と
前記ウエハ８を接続するボンディングワイヤ１６、前記
ウエハ８を封入し、前記導線７を機械的に固定するセラ
ミックモールドパッケージ２８、レーザチップ１から出
射したレーザ光を光ディスク１３へ導くためのプリズム
１９、レーザチップ１から出射したレーザ光を前記レー
ザ出力検出用フォトダイオード３へ導くためのプリズム
２０、出射窓６から成る。

【００３５】図６の構成によれば、光ヘッドの軽量・薄
型化を容易に実現できる。また、プリント基板との整合
性が良いため、外部回路との配線・接続が簡単になり、
回路基板上に直接実装することも可能となる。

【００３６】（実施例４）半導体レーザダイオードに、
レーザ雑音低減手段及び信号検出手段のみを内蔵しても
よい。図８と図９は、本発明の一実施例に於ける半導体
レーザダイオード構造を示す説明図である。半導体レー
ザダイオードは、レーザチップ１、前記レーザチップ１
の発熱による破壊を防止するための放熱器２、記録媒体
からの反射光から記録情報や位置誤差信号を再生する信
号検出用フォトダイオード９及びレーザ雑音低減回路１
７を一体化して同一基板上に構成したウエハ８、前記ウ
エハ８を電気的に外部回路と接続する導線７、前記ウエ
ハ８と前記導線７、または前記レーザチップ１と前記ウ
エハ８を接続するボンディングワイヤ１６、全体を固定
する土台となるステム４、内部の部品を物理的に保護す
ると同時にレーザ光を取り出すためのキャップ５及び出
射窓６から成る。

【００３７】図９は、図８に於けるウエハ８の構成を拡
大して示した説明図である。本構成では、図１の構成で
懸念される、レーザチップ１の放熱の影響やレーザ雑音
低減回路１７からのノイズの影響を受けることが少な
く、また図１の構成に比べて構造が簡単である。

【００３８】（実施例５）半導体レーザダイオードに、
レーザ雑音低減手段及び信号検出手段及び前記レーザ出
力検出手段のみを内蔵してもよい。図１０と図１１は、
本発明の一実施例に於ける半導体レーザダイオード構造
を示す説明図である。半導体レーザダイオードは、レー
ザチップ１、前記レーザチップ１の発熱による破壊を防
止するための放熱器２、記録媒体からの反射光から記録
情報や位置誤差信号を再生する信号検出用フォトダイオ
ード９及び前記レーザ出力検出用フォトダイオード３及
びレーザ雑音低減回路１７を一体化して同一基板上に構
成したウエハ８、前記ウエハ８を電気的に外部回路と接
続する導線７、前記ウエハ８と前記導線７、または前記
レーザチップ１と前記ウエハ８を接続するボンディング
ワイヤ１６、全体を固定する土台となるステム４、内部
の部品を物理的に保護すると同時にレーザ光を取り出す
ためのキャップ５及び出射窓６から成る。

【００３９】図１１は、図１０に於けるウエハ８の構成
を拡大して示した説明図である。本構成では、図８の実
施例の特長に加えて、レーザ出力検出が可能となる。

【００４０】（実施例６）半導体レーザダイオードに、
レーザ雑音低減手段及び信号検出手段及び前置増幅器の
みを内蔵してもよい。図１２と図１３は、本発明の一実
施例に於ける半導体レーザダイオード構造を示す説明図
である。半導体レーザダイオードは、レーザチップ１、
前記レーザチップ１の発熱による破壊を防止するための
放熱器２、記録媒体からの反射光から記録情報や位置誤
差信号を再生する信号検出用フォトダイオード９及び前
置増幅器１４及びレーザ雑音低減回路１７を一体化して
同一基板上に構成したウエハ８、前記レーザチップ１及
び前記レーザ出力検出用フォトダイオード３を電気的に
外部回路と接続する導線７、前記ウエハ８と前記導線７
を接続するボンディングワイヤ１６、全体を固定する土
台となるステム４、内部の部品を物理的に保護すると同
時にレーザ光を取り出すためのキャップ５及び出射窓６
から成る。

【００４１】図１３は、図１２於けるウエハ８の構成を
拡大して示した説明図である。本構成では、前記信号検
出用フォトダイオード９から得られる信号の品質を損な
うことなく出力することができる。

【００４２】（実施例７）図１４は、本発明の他の一実
施例に於ける半導体レーザダイオード構造を示す説明図
である。半導体レーザダイオードは、レーザチップ１前
記レーザチップ１の発熱による破壊を防止するための放
熱器２、記録媒体からの反射光から記録情報や位置誤差
信号を再生する信号検出用フォトダイオード９及び前記
レーザチップ１からの出射光量を検出するためのレーザ
出力検出用フォトダイオード３及び前置増幅器１４を一
体化して同一基板上に構成したウエハ８、レーザ雑音低
減回路１７、前記ウエハ８を電気的に外部回路と接続す
る導線７、前記ウエハ８と前記導線７、または前記レー
ザチップ１と前記ウエハ８を接続するボンディングワイ
ヤ１６、全体を固定する土台となるステム４、内部の部
品を物理的に保護すると同時にレーザ光を取り出すため
のキャップ５及び出射窓６から成る。

【００４３】図１４の構成によれば、前記ボンディング
ワイヤ１６の引き回しが、図１の構成に比べ容易とな
る。また、前記レーザ雑音低減回路１７とレーザチップ
１との距離が近くなるため、レーザ雑音低減のためにレ
ーザダイオード駆動電流に重畳される高周波が漏洩する
ことによってもたらされる電磁波の不要放射量を低く抑
えられる利点がある。

【００４４】（実施例８）図１５は、図１で示した半導
体レーザダイオードを用いて光ヘッドを構成した場合の
構造を示す説明図である。光ヘッドは、レーザダイオー
ド１０、回折格子１１、対物レンズ１２より構成され
る。図１の半導体レーザダイオードを用いて光ヘッドを
構成した場合、従来光ヘッド内に別個に配置していた信
号検出用フォトダイオード及びレーザ雑音低減回路及び
前置増幅器が、前記レーザダイオードに一体化されてい
ることにより、光ヘッドが極度に簡略化、小型化され
る。また、光ヘッドを構成する部品点数が減り、組立に
要する工程数も大幅に削減可能となり、生産性の向上が
期待できる。一方、レーザ出力検出用フォトダイオー
ド、信号検出用フォトダイオード及び前置増幅器を一度
に半導体プロセスで製造することが可能であるため、生
産コストの面でも大変有利となる。

【００４５】（実施例９）図１６は、図８で示した半導
体レーザダイオードを用いて光ヘッドを構成した場合の
構造を示す説明図である。光ヘッドは、レーザダイオー
ド１０、回折格子１１、対物レンズ１２、プリズム１９
より構成される。図６の半導体レーザダイオードを用い
て光ヘッドを構成した場合、レーザ出力検出手段３を半
導体レーザダイオード外部に外付けしなければならない
が、一方で高精度のレーザ出力検出が可能となる。

【００４６】

【発明の効果】以上述べたように本発明によれば、次に
示す様な効果がもたらされる。

【００４７】（１）レーザ出力検出手段及び信号検出手
段及びレーザ雑音低減手段及び前置増幅器を一体化した
ことにより、半導体プロセス中で光ヘッドの主な部分を
作ることが可能となり、大きなコストダウンの効果を期
待できる。

【００４８】（２）また、同様に、１チップ化されるこ
とにより、各素子の相対位置精度が向上すると同時に、
光ヘッドが大幅に小型軽量化される。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の半導体レーザダイオードの一実施例の
構造を示す説明図。

【図２】図１の半導体レーザダイオードの構造の詳細を
示す説明図。

【図３】本発明の半導体レーザダイオードの回路構成の
一実施例を示すブロック図。

【図４】本発明の半導体レーザダイオードの回路の一実
施例を示す説明図。

【図５】本発明の半導体レーザダイオードにおけるレー
ザ雑音低減手段の回路の他の一実施例を示す説明図。

【図６】本発明の半導体レーザダイオードの他の一実施
例の構造を示す説明図。

【図７】本発明の半導体レーザダイオードの他の一実施
例の構造を示す説明図。発明の半導体レーザダイオード
の他の一実施例の構造を示す説明図。

【図８】本発明の一実施例における半導体レーザダイオ
ードの構造を示す説明図。

【図９】本発明の半導体レーザダイオードの他の一実施
例の構造を示す説明図。

【図１０】本発明の半導体レーザダイオードの他の一実
施例の構造を示す説明図。

【図１１】本発明の半導体レーザダイオードの他の一実
施例の構造を示す説明図。

【図１２】本発明の半導体レーザダイオードの他の一実
施例の構造を示す説明図。

【図１３】本発明の半導体レーザダイオードの他の一実
施例の構造を示す説明図。

【図１４】本発明の半導体レーザダイオードの他の一実
施例の構造を示す説明図。

【図１５】本発明の半導体レーザダイオードを用いて光
ヘッドを構成した場合の一実施例の構造を示す説明図。

【図１６】本発明の半導体レーザダイオードを用いて光
ヘッドを構成した場合の一実施例の構造を示す説明図。

【図１７】従来の半導体レーザダイオードの構造を示す
説明図。

【符号の説明】

１ レーザチップ ２ 放熱器 ３ レーザ出力検出用フォトダイオード ４ ステム ５ キャップ ６ 出射窓 ７ 導線 ８ ウエハ ９ 信号検出用フォトダイオード １０ レーザダイオード １１ 回折格子 １２ 対物レンズ １３ 光ディスク １４ 前置増幅器 １５ レーザダイオード駆動電流 １６ ボンディングワイヤ １７ レーザ雑音低減回路 １８ ランド １９ プリズム ２０ プリズム ２１ 演算増幅器 ２２ａ 広帯域増幅器 ２２ｂ 広帯域増幅器 ２３ フォーカス位置誤差信号 ２４ トラック位置誤差信号 ２５ 光磁気信号 ２６ 全和信号 ２７ レーザ出力検出手段出力 ２８ セラミックモールドパッケージ ２９ 帰還コンデンサ ３０ａ カップリングコンデンサ ３０ｂ カップリングコンデンサ ３１ ローパスフィルタ

Claims (14)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 半導体レーザを有する光源ユニットにお
   いて、レーザダイオード駆動電流に高周波を重畳し、レ
   ーザ光の可干渉性を低下させることによりレーザ雑音を
   低減させるレーザ雑音低減手段及び光源ユニット外部か
   らの光信号を検出する信号検出手段を同一基板上に構成
   したことを特徴とする半導体レーザダイオード。
2. 【請求項２】 半導体レーザを有する光源ユニットにお
   いて、レーザダイオード駆動電流に高周波を重畳し、レ
   ーザ光の可干渉性を低下させることによりレーザ雑音を
   低減させるレーザ雑音低減手段及び光源ユニット外部か
   らの光信号を検出する信号検出手段及びレーザチップか
   ら出射するレーザ光の光量を監視するレーザ出力検出手
   段を同一基板上に構成したことを特徴とする半導体レー
   ザダイオード。
3. 【請求項３】 半導体レーザを有する光源ユニットにお
   いて、レーザダイオード駆動電流に高周波を重畳し、レ
   ーザ光の可干渉性を低下させることによりレーザ雑音を
   低減させるレーザ雑音低減手段及び光源ユニット外部か
   らの光信号を検出する信号検出手段及び前記信号検出手
   段の出力を電流−電圧変換し、増幅すると共に、必要が
   あれば複数の前記信号検出手段の出力を演算処理して所
   望の信号を生成する前置増幅器を同一基板上に構成した
   ことを特徴とする半導体レーザダイオード。
4. 【請求項４】 半導体レーザを有する光源ユニットにお
   いて、レーザダイオード駆動電流に高周波を重畳し、レ
   ーザ光の可干渉性を低下させることによりレーザ雑音を
   低減させるレーザ雑音低減手段及び光源ユニット外部か
   らの光信号を検出する信号検出手段及びレーザチップか
   ら出射するレーザ光の光量を監視するレーザ出力検出手
   段及び前記信号検出手段とレーザ出力検出手段の出力を
   電流−電圧変換し、増幅すると共に、必要があれば複数
   の前記信号検出手段の出力を演算処理して所望の信号を
   生成する前置増幅器を同一基板上に構成したことを特徴
   とする半導体レーザダイオード。
5. 【請求項５】 半導体レーザを有する光源ユニットにお
   いて、レーザダイオード駆動電流に高周波を重畳し、レ
   ーザ光の可干渉性を低下させることによりレーザ雑音を
   低減させるレーザ雑音低減手段及び光源ユニット外部か
   らの光信号を検出する信号検出手段及びレーザチップか
   ら出射するレーザ光の光量を監視するレーザ出力検出手
   段及び前記信号検出手段とレーザ出力検出手段の出力を
   電流−電圧変換し、増幅すると共に、必要があれば複数
   の前記信号検出手段の出力を演算処理して所望の信号を
   生成する前置増幅器の内、少なくとも２つ以上を同一基
   板上に構成し、さらにレーザチップより発せられるレー
   ザ光の進行方向を所望の方向に転換する光路転換手段を
   有することを特徴とする半導体レーザダイオード。
6. 【請求項６】 半導体レーザを有する光源ユニットにお
   いて、ケース内部に、レーザダイオード駆動電流に高周
   波を重畳し、レーザ光の可干渉性を低下させることによ
   りレーザ雑音を低減させるレーザ雑音低減手段を内蔵
   し、前記レーザ雑音低減手段は、レーザチップ近傍の放
   熱器側面に配置されていることを特徴とする半導体レー
   ザダイオード。
7. 【請求項７】 請求項１記載の半導体レーザダイオード
   を光源に用いたことを特徴とする光ヘッド。
8. 【請求項８】 請求項２記載の半導体レーザダイオード
   を光源に用いたことを特徴とする光ヘッド。
9. 【請求項９】 請求項３記載の半導体レーザダイオード
   を光源に用いたことを特徴とする光ヘッド。
10. 【請求項１０】 請求項４記載の半導体レーザダイオー
    ドを光源に用いたことを特徴とする光ヘッド。
11. 【請求項１１】 請求項５記載の半導体レーザダイオー
    ドを光源に用いたことを特徴とする光ヘッド。
12. 【請求項１２】 請求項６記載の半導体レーザダイオー
    ドを光源に用いたことを特徴とする光ヘッド。
13. 【請求項１３】 半導体レーザを有する光源ユニットに
    おいて、レーザダイオード駆動電流に高周波を重畳し、
    レーザ光の可干渉性を低下させることによりレーザ雑音
    を低減させるレーザ雑音低減回路は、第１及び第２の２
    つの増幅器を用いて構成され、前記第１の増幅器及び前
    記第１の増幅器の出力を入力端子に正帰還する１つのコ
    ンデンサからなる発振器、前記発振器の出力を増幅する
    前記第２の増幅器及び低域通過手段からなることを特徴
    とするレーザ雑音低減手段。
14. 【請求項１４】 半導体レーザを有する光源ユニットに
    おいて、レーザダイオード駆動電流に高周波を重畳し、
    レーザ光の可干渉性を低下させることによりレーザ雑音
    を低減させるレーザ雑音低減回路は、１つの増幅器及び
    前記増幅器の出力を入力端子に正帰還する１つのコンデ
    ンサからなる発振器と、低域通過手段からなることを特
    徴とするレーザ雑音低減手段。