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JP4138095B2 - 光学ヘッド - Google Patents

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JP4138095B2
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Description

【0001】
【発明の属する技術分野】
本発明は、光源である半導体レーザに高周波電流を重畳しノイズの発生を抑圧する構造を有する光学ヘッドに関するものである。
【0002】
【従来の技術】
近年、民生用光ディスクの分野ではコンパクトディスクのような再生専用以外にミニディスクのような記録再生可能な機器が浸透してきた。また、これらの機器は軽薄短小の時代の流れにのるように小型化が進んでいる。
【0003】
以下に、これらの機器に使用される従来の高周波重畳回路を用いた光学ヘッドについて説明する。
【0004】
図8は光源及び光検出器を一つのユニットに収めた集積ユニットの断面図である。図8において、1は集積ユニット、1aはパッケージ、1bは光源である半導体レーザ、1cは光検出基板、1eは端子、1fは半導体レーザ1bと光検出基板1cと端子を接続するボンディングワイヤ、2は樹脂製あるいはガラス製のホログラム、2aはホログラム2上に形成された回折領域、3は対物レンズ、4は記録媒体、5aは光束、5bはホログラムの回折領域2aで回折された光束である。
【0005】
図9は可撓性基板に図8の集積ユニットと高周波重畳回路基板を実装した状態を示す斜視図である。図9におて、6は可撓性基板、6aは集積ユニット搭載面、6bはランド部、6c,6eはブリッジ部、6dは信号引出部、6fは高周波重畳回路搭載面、16は高周波重畳回路基板である。
【0006】
図10は図9で示した可撓性基板6を折曲げて光学基台に実装する状態を示した分解斜視図である。図10において、7は集積ユニット1を固定するためのホルダ、7aは集積ユニット1からの出射光を通すための開口、8は金属等の電磁波シールド材料でできたシールドケースである。
【0007】
図9に示すように部品が実装された可撓性基板6をブリッジ部6eで集積ユニット1の裏面が内側になるように折曲げる。次にホルダ7に集積ユニット1を位置決めし、接着固定し、ブリッジ部6cでホルダ7側に90度折曲げシールドケース8を高周波重畳回路基板側から挿入し接着等でシールドケース8をホルダ7に固定する。
【0008】
図11は図10のようにして実装された集積ユニットを用いた光学ヘッドの動作を示す斜視図である。図11において、9は光学基台、10は集積ユニット1から出射した光束を対物レンズ3に入射させるための立上げミラー、3は対物レンズ、4は記録媒体、5aは集積ユニットから出射した光束、11はメインシャフト、12はサブシャフト、Hはシールドケース8の高さである。
【0009】
このように構成された従来例について、その動作について説明する。
【0010】
集積ユニット1内の半導体レーザ1bから出射された光束5aはホログラム2を透過し、対物レンズ3に入射し記録媒体4上に集光される。記録媒体4で反射した光束は再び対物レンズ3を通ってホログラム2に入射する。光束はホログラム2上に形成されている回折領域2aで回折され光検出基板1c上に構成されている光検出器に集光されフォーカス誤差信号、トラッキング誤差信号、記録媒体の情報信号が得られる。
【0011】
次に高周波重畳回路について説明する。記録再生用光学ヘッドに用いられる半導体レーザは記録時に高光出力を得るために干渉性の高い単一モードのタイプが使用されている。光学ヘッドが記録再生中において記録媒体からの反射光束の一部が半導体レーザに戻るため、半導体レーザのチップ内で干渉が起きノイズが発生する。このノイズは情報信号およびサーボ信号に混入し信号の劣化の原因となる。この対策のために高周波重畳回路を用いてノイズの抑圧を行う。一般的に高周波重畳回路は半導体レーザに数百MHzの電流を重畳して縦多モードで光らせ、干渉性を落としてノイズの発生を抑える手法をとっている。
【0012】
なお、上記では記録再生用光学ヘッドについて述べたが、再生専用光学ヘッドにおいても、単一モードに近い発振をしている半導体レーザを用いていれば高周波重畳回路を用いてノイズの発生を抑えている。
【0013】
【発明が解決しようとする課題】
このような光学ヘッドにおいては、光源である集積ユニット1と高周波重畳回路基板16が積み重なり、またシールドケース8と高周波重畳回路基板16との電気的絶縁をはかるため空間を設けなければならず、図11の寸法Hが大きくなる欠点があった。
【0014】
また、従来例の構成であると、高周波重畳回路基板16と半導体レーザ1bとの距離が長くなるため高周波の帯域ではロスが発生する。このため、重畳効果を上げるために高周波重畳回路の発振出力を上げなければならない。その結果として、電磁輻射ノイズや消費電力が増加し、また、コストが上昇する欠点があった。
【0015】
本発明は、このような光学ヘッドにおいて、コストダウンをはかることができ、電磁輻射ノイズや消費電力の少ない、小型の光学ヘッドを提供することを目的とするものである。
【0016】
【課題を解決するための手段】
本発明は、上記の目的を達成するために以下の構成とする。
【0017】
即ち、本発明の光学ヘッドは、光源と、前記光源に高周波電流を重畳する高周波重畳手段と、前記光源から放射された光束を記録媒体上に焦点を結ばせる集光手段と、前記記録媒体からの反射光であって前記集光手段を経て入射する光を、複数の光束に回折する回折手段と、前記回折手段によって回折された光束が入射する光検出手段と、光検出手段が形成された光検出基板とを備え、前記光源は、前記光検出基板上であって、かつ、前記複数の光束が光検出手段に入射する位置に挟まれるように配置され、前記光検出基板は前記高周波重畳手段上に配設され、前記光検出手段で受光した光から、フォーカス誤差信号、トラッキング誤差信号、および前記記録媒体の情報信号が算出されることを特徴とする。
【0021】
本発明は、上記の構成とすることにより、低コストで、電磁輻射ノイズや消費電力の少ない、小型の光学ヘッドが得られる。
【0022】
【発明の実施の形態】
以下、本発明の実施の形態について、図1から図7を用いて説明する。
【0023】
(実施の形態1)
図1は本発明の第1の実施の形態にかかる光学ヘッドに使用する集積ユニットの断面図である。
【0024】
図1において、1は集積ユニット、1aはパッケージ、1bは半導体レーザ、1cは光検出器が構成されている光検出基板、1dは高周波重畳回路が形成されている高周波重畳回路基板、1eは端子、1fはボンディングワイヤ、2は樹脂製あるいはガラス製のホログラム、2aはホログラム表面に形成されている回折領域、3は記録媒体4上に光源から放射された光束5aを収束するための対物レンズ、5bは記録媒体4で反射された光束が回折領域2aで回折された光束である。
【0025】
図2は図1の集積ユニットを実装した可撓性基板を示す斜視図である。図2において、6は可撓性基板、6aは集積ユニット搭載面、6bはランド部、6cはブリッジ部、6dは信号引出部である。
【0026】
図3は図2で示した可撓性基板6をブリッジ部6cで折曲げて光学基台に実装する状態を示す分解斜視図である。図3において、7は集積ユニット1を固定するためのホルダ、7aは集積ユニット1からの出射光を通すための開口、8は金属等の電磁波シールド材料でできたシールドケースである。
【0027】
図4は図3のようにして実装された集積ユニット1を用いた光学ヘッドの動作を示す斜視図である。図4において、9は光学基台、10は集積ユニット1から出射した光束を対物レンズに入射させるための立上げミラー、3は対物レンズ、4は記録媒体、5aは集積ユニットから出射した光束、11はメインシャフト、12はサブシャフト、Hはシールドケース8の高さである。
【0028】
以上のように構成された光学ヘッドについて、以下その動作について説明する。
【0029】
本実施の形態では、集積ユニット1内において、半導体レーザ1bは光検出基板1c上に配設され、光検出基板1cの下に高周波重畳回路基板1dが配設されている。光検出基板1cの光検出信号はボンディングワイヤ1fを通じて端子1eに接続され外部に信号を取り出すようになっている。半導体レーザ1bのアノード側は光検出基板1cを経由するかあるいは直接高周波重畳回路基板1dにボンディングワイヤ1fで接続されている。この構成により集積ユニット外部から供給される半導体レーザ1bのDC駆動電流に高周波重畳回路基板1dで生成される高周波の発振電流を重畳することができる。
【0030】
このように構成された集積ユニット1を図2に示すように可撓性基板6上に実装し、次に図3に示すように集積ユニット1をホルダ7に位置決めし接着固定する。次に、ブリッジ部6cでホルダ7側に90度折曲げシールドケース8を集積ユニット1の背面側から挿入し接着等でシールドケース8をホルダ7に固定する。
【0031】
このように組立てられた集積ユニットを図4に示すように光学部品が搭載された光学基台に接着剤あるいはねじ等の締結部材で固定する。
【0032】
なお、半導体レーザから出射した光が検出される過程は従来例と同じなので省略する。
【0033】
以上のように本実施の形態によれば、半導体レーザ1bと高周波重畳回路基板1dとを短い距離で接続することができるため、半導体レーザと高周波重畳回路基板間のロスをなくすことができる。したがって、従来よりも低発振出力で重畳をかければ良いので低電力、低電磁輻射ノイズを実現できる。
【0034】
また、従来、集積ユニット1の後面に配設されていた高周波重畳回路基板が本実施の形態では存在しなくなるため、寸法Hを従来例よりも小さくすることができ、光学ヘッドのメインシャフト11とサブシャフト12の軸間距離を短くすることができ小型化をはかることができる。
【0035】
また、高周波重畳回路基板と光検出基板と半導体レーザとを同一のパッケージに封入した集積ユニット1のみを可撓性基板に実装すれば良いので必要面積が小さくて済み可撓性基板の低コスト化をはかることができる。
【0036】
なお、本実施の形態ではパッケージ1aとホログラム2を一体としているが分離して使用しても良いのは言うまでもない。
【0037】
また、重畳効果を得るためには半導体レーザ1bと高周波重畳回路基板1dとを短い距離で接続すれば足りるから、高周波重畳回路基板1d上に半導体レーザ1bが設置されていれば良く、光検出基板はこれらとは別個に配置しても良い。このとき、光検出基板は別パッケージとすることもできる。
【0038】
(実施の形態2)
図5は本発明の第2の実施の形態にかかる光学ヘッドに使用する集積ユニットの断面図である。
【0039】
図5において、13は光束を分岐するビームスプリッター、13aはビームスプリッターの反射面、14は光検出器、5cは反射面13aで反射された光束である。これら以外は図1と同じであるので、図1と同一の符号を付して詳細な説明を省略する。
【0040】
以上のように構成された光学ヘッドについて、以下その動作について説明する。
【0041】
半導体レーザ1b、光検出基板1c、及び高周波重畳回路基板1dは集積ユニット1内に実施の形態1と同様に配設されている。
【0042】
集積ユニット1内の半導体レーザ1bから出射された光束5aはホログラム2、ビームスプリッター13を透過し、実施の形態1と同じように対物レンズ(図示せず)に入射し記録媒体(図示せず)上に集光される。記録媒体で反射した光束は再び対物レンズを通ってビームスプリッター13に入射する。ビームスプリッターの反射面13aで反射した光束5cは光検出器14に入射し記録媒体の情報信号が得られる。一方、反射面13aを透過した光束はホログラム2上に形成されている回折領域2aで回折され光検出基板1c上に構成されている光検出器に集光されフォーカス誤差信号、トラッキング誤差信号が得られる。
【0043】
以上のように本実施形態によれば、第1の実施形態の集積ユニットにプリズムを配設することによりさらに小型化をはかることができる。
【0044】
(実施の形態3)
図6は本発明の第3の実施の形態にかかる光学ヘッドに使用する集積ユニットの断面図である。
【0045】
図6において、1aはキャパシタ、コイル、抵抗が内部に形成されているセラミック多層基板製パッケージ、1bは半導体レーザ、1hは光検出器と高周波重畳回路用トランジスタが形成されている光検出基板、1eは端子、1fはボンディングワイヤ、1gはセラミック基板上に形成されたランド部である。これら以外は図1と同じであるので、図1と同一の符号を付して詳細な説明を省略する。
【0046】
以上のように構成された光学ヘッドについて、以下その動作について説明する。
【0047】
集積ユニット1内において、半導体レーザ1bは光検出基板1h上に配設され、さらにこれら2点がセラミック多層基板で構成されているパッケージ1a上に配設されている。セラミック多層基板には高周波重畳回路で使用するキャパシタ、コイル、抵抗が形成され、また、高周波重畳回路で使用するトランジスタは光検出基板1hに形成され、セラミック多層基板と光検出基板1hと半導体レーザ1bとはボンディングワイヤ1fで接続されている。この構成により集積ユニット外部から供給される半導体レーザ1bのDC駆動電流にセラミック多層基板1aと光検出基板1hで生成される高周波の発振電流を重畳することができる。
【0048】
以上のように本実施形態によれば、パッケージを高周波重畳回路の一部分にすることにより部品点数の削減をはかることができる。
【0049】
なお、本実施の形態ではパッケージ1aをセラミック多層基板としたが、パッケージを樹脂パッケージにし、別のセラミック多層基板にキャパシタ、コイル、抵抗を形成してパッケージ内部に構成しても良いのは言うまでもない。
【0050】
また、本実施の形態では、高周波重畳回路で使用するトランジスタは光検出基板1hに形成したが、光検出基板とは別個に設けた半導体基板上に形成しても良い。
【0051】
(実施の形態4)
図7は本発明の第4の実施の形態にかかる光学ヘッドに使用する集積ユニットの断面図である。
【0052】
図7において、1iは光検出器、キャパシタ、コイル、抵抗、トランジスタが形成されている光検出・高周波重畳回路基板である。これ以外は図1と同じであるので、図1と同一の符号を付して詳細な説明を省略する。
【0053】
以上のように構成された光学ヘッドについて、以下その動作について説明する。
【0054】
集積ユニット1内において、半導体レーザ1bは光検出・高周波重畳回路基板1i上に配設されている。光検出・高周波重畳回路基板1i上に高周波重畳回路で使用するキャパシタ、コイル、抵抗、トランジスタが形成され、光検出・高周波重畳回路基板1iと半導体レーザ1bはボンディングワイヤで接続されている。この構成により集積ユニット外部から供給される半導体レーザ1bのDC駆動電流に光検出・高周波重畳回路基板1iで生成される高周波の発振電流を重畳することができる。
【0055】
以上のように本実施形態によれば、高周波重畳回路と半導体レーザを最短で接続できるため、半導体レーザと高周波重畳回路基板間のロスをなくすことができ、低発振出力で重畳をかければ良いので低電力、低電磁輻射ノイズを実現できる。
【0056】
【発明の効果】
以上のように本発明によれば、半導体レーザと高周波重畳回路基板とを短い距離で接続することができるため、半導体レーザと高周波重畳回路基板間のロスをなくすことができ、低発振出力で重畳をかければ良いので低電力、低電磁輻射ノイズを実現できる。
【0057】
また、従来集積ユニットの後面に配設される部品が本発明では存在しなくなるため、光学ヘッドのメインシャフトとサブシャフトの軸間距離を短くすることができ小型化をはかることができる。
【0058】
また、可撓性基板に集積ユニットのみを実装すれば良いので必要面積が小さくて済み可撓性基板の低コスト化をはかることができる。
【図面の簡単な説明】
【図1】 本発明の第1の実施の形態にかかる光学ヘッドに使用する集積ユニットの概略構成を示した断面図
【図2】 本発明の第1の実施の形態にかかる集積ユニットを実装した可撓性基板を示す斜視図
【図3】 本発明の第1の実施の形態にかかる光学基台に実装する状態を示した分解斜視図
【図4】 本発明の第1の実施の形態にかかる集積ユニットを用いた光学ヘッドの動作を示す斜視図
【図5】 本発明の第2の実施の形態にかかる光学ヘッドに使用する集積ユニットの概略構成を示した断面図
【図6】 本発明の第3の実施の形態にかかる光学ヘッドに使用する集積ユニットの概略構成を示した断面図
【図7】 本発明の第4の実施の形態にかかる光学ヘッドに使用する集積ユニットの概略構成を示した断面図
【図8】 従来の光源及び光検出器を一つのユニットに収めた集積ユニットの概略構成を示した断面図
【図9】 従来の集積ユニットと高周波重畳回路基板を可撓性基板に実装した状態を示す斜視図
【図10】 従来の可撓性基板を折曲げて光学基台に実装する状態を示した分解斜視図
【図11】 従来の集積ユニットを用いた光学ヘッドの動作を示す斜視図
【符号の説明】
1 …集積ユニット
1a …パッケージ
1b …半導体レーザ
1c …光検出基板
1d …高周波重畳回路基板
1e …端子
1f …ボンディングワイヤ
1g …ランド部
1h …基板
1i …光検出・高周波重畳回路基板
2 …ホログラム
2a …回折領域
3 …対物レンズ
4 …記録媒体
5a、5b、5c …光束
6 …可撓性基板
6a …集積ユニット搭載面
6b …ランド部
6c、6e …ブリッジ部
6d …信号引出部
6f …高周波重畳回路搭載面
7 …ホルダ
8 …シールドケース
9 …光学基台
10 …立上げミラー
11 …メインシャフト
12 …サブシャフト
13 …ビームスプリッター
14 …光検出器

Claims (4)

  1. 光源と、
    前記光源に高周波電流を重畳する高周波重畳手段と、
    前記光源から放射された光束を記録媒体上に焦点を結ばせる集光手段と、
    前記記録媒体からの反射光であって前記集光手段を経て入射する光を、複数の光束に回折する回折手段と、
    前記回折手段によって回折された光束が入射する光検出手段と、
    光検出手段が形成された光検出基板とを備え、
    前記光源は、前記光検出基板上であって、かつ、前記複数の光束が光検出手段に入射する位置に挟まれるように配置され、
    前記光検出基板は前記高周波重畳手段上に配設され、
    前記光検出手段で受光した光から、フォーカス誤差信号、トラッキング誤差信号、および前記記録媒体の情報信号が算出される光学ヘッド。
  2. 前記高周波重畳手段と前記光検出基板と前記光源とが同一のパッケージに封入されている請求項1に記載の光学ヘッド。
  3. 前記回折手段が表面に形成されたホログラムが前記パッケージに固定されている請求項2に記載の光学ヘッド。
  4. 前記高周波重畳手段が半導体基板で形成されている請求項1〜3のいずれかに記載の光学ヘッド。
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