JPH0621739A - Diode limiter - Google Patents
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Abstract
Description
【０００１】[0001]
【産業上の利用分野】本発明は、パルスレーダなどに用
いられるダイオードリミッタに関する。BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a diode limiter used for pulse radars and the like.
【０００２】[0002]
【従来の技術】ダイオードリミッタが使用されるパルス
レーダについて、図５の回路構成図で説明する。2. Description of the Related Art A pulse radar using a diode limiter will be described with reference to the circuit configuration diagram of FIG.
【０００３】１はレ−ダ送信信号を生成するマグネトロ
ンである。マグネトロンで生成された送信信号は、サー
キュレータ２を経てアンテナ３から放射される。Reference numeral 1 is a magnetron for generating a radar transmission signal. The transmission signal generated by the magnetron is emitted from the antenna 3 via the circulator 2.
【０００４】また、目標からの反射波は、アンテナ３で
受信されサーキュレータ２を通って、ダイオードリミッ
タ４に入る。ダイオードリミッタ４を通過した反射波
は、レ−ダ受信機５に加えられ、目標の検出が行われ
る。A reflected wave from the target is received by the antenna 3, passes through the circulator 2, and enters the diode limiter 4. The reflected wave that has passed through the diode limiter 4 is applied to the radar receiver 5 and the target is detected.
【０００５】なお、ダイオードリミッタ４は、サーキュ
レータ２から漏洩する送信信号や、近距離の目標で反射
しアンテナ３から入ってくる過大なレ−ダ信号が、レ−
ダ受信機５に直接加わらないようにし、レ−ダ受信機５
を保護する役目を持っている。The diode limiter 4 receives a transmission signal leaking from the circulator 2 and an excessive radar signal reflected by a target at a short distance and entering from the antenna 3 as a radar.
Do not add directly to the radar receiver 5
Have a role to protect.
【０００６】ここで、従来のダイオードリミッタについ
て、図６の等価回路で説明する。Here, a conventional diode limiter will be described with reference to the equivalent circuit of FIG.
【０００７】１０は、導波管などの伝送線路で、直流的
に同電位になっている。伝送線路１０にはＰＩＮダイオ
−ド１１が並列に接続され、その両端は直流的に短絡さ
れている。Reference numeral 10 denotes a transmission line such as a waveguide, which has the same electric potential in terms of direct current. A PIN diode 11 is connected in parallel to the transmission line 10, and both ends thereof are short-circuited in a direct current manner.
【０００８】上記構成のダイオードリミッタに大きな高
周波信号が加わると、ＰＩＮダイオ−ド１１は短絡状態
になる。この結果、ＰＩＮダイオ−ド１１に加わる高周
波信号はほとんど反射され、ＰＩＮダイオ−ドの後方に
透過する電力は低く抑えられる。When a large high frequency signal is applied to the diode limiter having the above structure, the PIN diode 11 is short-circuited. As a result, most of the high frequency signals applied to the PIN diode 11 are reflected, and the power transmitted to the rear of the PIN diode is suppressed to a low level.
【０００９】上記したような動作をするダイオードリミ
ッタは自己励起形リミッタと呼ばれる。The diode limiter that operates as described above is called a self-excitation type limiter.
【００１０】[0010]
【発明が解決しようとする課題】ダイオードリミッタに
は、ＰＩＮダイオ−ドを２個用いる２段構成が一般的で
ある。この場合、初段のＰＩＮダイオ−ドには、Ｉ層幅
が厚く耐電力の大きいもの、そして次段のＰＩＮダイオ
−ドにはＩ層幅が薄くスイッチング速度の早いものが使
用される。The diode limiter generally has a two-stage structure using two PIN diodes. In this case, a PIN diode with a large I layer width and high power resistance is used for the PIN diode in the first stage, and a PIN diode with a small I layer width and a high switching speed is used for the next stage PIN diode.
【００１１】ところで、ダイオードリミッタの耐電力を
大きくするには、初段のＰＩＮダイオ−ドのＩ層幅を厚
くすることが最も効果的である。しかし、ＰＩＮダイオ
−ドを自己励起形リミッタに使用する場合、そのＩ層幅
には上限値がある。In order to increase the withstand power of the diode limiter, it is most effective to increase the width of the I layer of the PIN diode in the first stage. However, when the PIN diode is used for the self-excitation type limiter, the I layer width has an upper limit value.
【００１２】Ｉ層幅の上限値は、Ｎ．Ｊ．Ｂｒｏｗｎ
（ＩＥＥＥ、ＭＴＴ−１５、Ｄｅｃ．１９６７、Ｄｅｓ
ｉｇｎ Ｃｏｎｃｅｐｔ ｆｏｒ Ｈｉｇｈ−Ｐｏｗｅ
ｒ ＰＩＮ Ｄｉｏｄｅ Ｌｉｍｉｔｉｎｇ参照。）に
よって、実験的に見出されている。即ち、動作周波数を
ｆ（ＭＨｚ）、Ｉ層幅の上限値をＷ（μｍ）とすると、
ほぼ、Ｗ＝３００／（ｆ）1/2 （μｍ）の関係がある。The upper limit of the I layer width is N. J. Brown
(IEEE, MTT-15, Dec. 1967, Des
ign Concept for High-Powe
r PIN Diode Limiting. ) Has been experimentally found by. That is, when the operating frequency is f (MHz) and the upper limit of the I layer width is W (μm),
Almost there is a relation of W = 300 / (f) 1/2 (μm).
【００１３】動作周波数が１００ＭＨｚの場合は３０μ
ｍ、動作周波数が１０ＧＨｚの場合は３μｍとなる。30 μ when the operating frequency is 100 MHz
m, and 3 μm when the operating frequency is 10 GHz.
【００１４】ＰＩＮダイオ−ドのＩ層幅が上限値を越え
ると、スパイク状の漏れ電力が発生したり、またＰＩＮ
ダイオ−ドが過大な高周波電力を吸収して破壊したりす
るなどの問題が発生する。逆に、Ｉ層幅が薄いＰＩＮダ
イオ−ドは容量が増加するので、接合面積を小さくして
容量の増加を抑えている。このため、熱抵抗が大きくな
り大電力が扱えなくなる。If the I-layer width of the PIN diode exceeds the upper limit value, spike-like leakage power is generated, and the PIN diode has a PIN.
Problems such as the diode absorbing and destroying excessive high frequency power occur. On the contrary, since the PIN diode having a small I layer width has an increased capacity, the junction area is reduced to suppress the increase in the capacity. For this reason, the thermal resistance becomes large and a large amount of electric power cannot be handled.
【００１５】本発明は、ＰＩＮダイオ−ドのＩ層幅が厚
くても、スパイク状の漏れ電力が発生したり、また高周
波電力の吸収で破壊したりすることのないようにする自
己励起形のダイオ−ドリミッタを提供することを目的と
する。The present invention is of a self-exciting type which prevents spike-like leakage power from being generated or being destroyed by absorption of high frequency power even if the I layer width of the PIN diode is large. The purpose is to provide a dio-limiter.
【００１６】[0016]
【課題を解決するための手段】本発明はＰＩＮダイオー
ドを有するダイオードリミッタにおいて、前記ＰＩＮダ
イオードに順方向の極性で、立上がり電圧以下の電圧を
印加している。According to the present invention, in a diode limiter having a PIN diode, a voltage having a forward polarity and a voltage equal to or lower than a rising voltage is applied to the PIN diode.
【００１７】また、前記ＰＩＮダイオードより立上がり
電圧が低いダイオードを、前記ＰＩＮダイオードに並列
で、同じ向きに接続し、そして前記ＰＩＮダイオードや
前記ダイオードと並列にコンデンサおよび抵抗を接続し
ている。Further, a diode having a rising voltage lower than that of the PIN diode is connected in parallel with the PIN diode in the same direction, and a capacitor and a resistor are connected in parallel with the PIN diode and the diode.
【００１８】[0018]
【作用】ＰＩＮダイオードに順方向の極性で、立上がり
電圧以下の電圧を印加している。 したがって、ＰＩＮ
ダイオ−ドは、自己励起する高周波電力が下がる。この
結果、ＰＩＮダイオ−ドのＩ層幅が厚くても、過大な電
力を吸収するようなことがなくなり、破壊が防げる。Function: The PIN diode is applied with a voltage in the forward direction and having a voltage equal to or lower than the rising voltage. Therefore, the PIN
In the diode, high-frequency power for self-excitation is lowered. As a result, even if the I layer width of the PIN diode is thick, it does not absorb excessive electric power, and destruction can be prevented.
【００１９】[0019]
【実施例】本発明をリッジ導波管に適用した場合を例に
して、図１で本発明の一実施例を説明する。DESCRIPTION OF THE PREFERRED EMBODIMENTS An embodiment of the present invention will be described with reference to FIG. 1 by taking the case where the present invention is applied to a ridge waveguide as an example.
【００２０】図１で、（ａ）は上面図、（ｂ）は上面図
（ａ）のＡーＡ断面図、（ｃ）は下面図、（ｄ）は正面
図、（ｅ）はＡーＡ断面図（ｂ）内の一部を拡大した
図、（ｆ）は下面図（ｃ）のＢーＢ断面図で、内部部品
を取り除いた図である。In FIG. 1, (a) is a top view, (b) is a top view and (a) is a sectional view taken along line AA, (c) is a bottom view, (d) is a front view, and (e) is A-. FIG. 6A is an enlarged view of a part of the sectional view A in FIG. 7B, and FIG. 6F is a sectional view taken along line BB in FIG.
【００２１】以下、本発明の一実施例について、図１の
（ｂ），（ｅ）を中心に参照して説明する。An embodiment of the present invention will be described below with reference to FIGS. 1 (b) and 1 (e).
【００２２】２１は、導波管の管壁中央にリッジ部２２
が形成されたリッジ導波管である。リッジ部２２が形成
された管壁には、リッジ部２２の延長方向にある間隔を
もって２個の穴２３、２４が形成される。このとき、リ
ッジ部２２も穴２３、２４の大きさに合わせて削除され
る。Reference numeral 21 denotes a ridge portion 22 at the center of the waveguide wall.
Is a ridge waveguide in which is formed. Two holes 23 and 24 are formed in the tube wall where the ridge portion 22 is formed with a certain interval in the extension direction of the ridge portion 22. At this time, the ridge portion 22 is also removed according to the size of the holes 23 and 24.
【００２３】また、穴２３、２４の内面にはネジ穴２
５、２６が切られる。このネジ穴２５、２６には、リン
グ状のネジ部品２７、２８がそれぞれ螺入される。した
がって、ネジ部品２７、２８の位置は、図１（ｂ）にお
いて左右に調整できる。そして、ネジ部品２７、２８の
位置を調整することによって、動作周波数が調整され
る。Further, the screw holes 2 are provided on the inner surfaces of the holes 23 and 24.
Cut 5, 26. Ring-shaped screw parts 27 and 28 are screwed into the screw holes 25 and 26, respectively. Therefore, the positions of the screw parts 27 and 28 can be adjusted to the left and right in FIG. Then, the operating frequency is adjusted by adjusting the positions of the screw parts 27 and 28.
【００２４】また、ネジ部品２７、２８の中央には、ネ
ジ棒２９、３０がそれぞれを螺入される。このネジ棒２
９、３０は、同軸線路の内導体として機能し、穴２５、
２６の周囲外壁を外導体とする同軸回路を形成する。こ
の同軸回路はネジ部品２７、２８で短絡された形にな
る。Further, screw rods 29 and 30 are screwed into the centers of the screw parts 27 and 28, respectively. This screw rod 2
9 and 30 function as inner conductors of the coaxial line, and the holes 25 and
A coaxial circuit is formed with the outer peripheral wall of 26 as the outer conductor. This coaxial circuit is short-circuited with the screw parts 27 and 28.
【００２５】また、図（ｅ）は、初段のＰＩＮダイオ−
ドが取り付けられる部分、即ち、図１（ｂ）の点線の丸
で囲った部分を拡大した図である。Further, FIG. (E) shows the first stage PIN diode.
FIG. 2 is an enlarged view of a portion to which the cord is attached, that is, a portion surrounded by a dotted circle in FIG.
【００２６】３１は、リッジ部２２が形成されていない
側の導波管壁で、この管壁３１に穴３２ａが形成され
る。また、穴３２ａの底面中央には径の小さい穴３２ｂ
が連続して形成され、この穴３２ｂは導波管壁３１の外
表面まで延びている。Reference numeral 31 denotes a waveguide wall on the side where the ridge portion 22 is not formed, and a hole 32a is formed in this waveguide wall 31. Further, a hole 32b having a small diameter is formed at the center of the bottom surface of the hole 32a.
Are continuously formed, and the hole 32b extends to the outer surface of the waveguide wall 31.
【００２７】また穴３２ａ、３２ｂの部分にチョーク部
品３３が組み込まれる。チョーク部品３３と、穴３２ａ
の底面との間には、絶縁シート３４が装着される。A choke part 33 is incorporated in the holes 32a and 32b. Choke part 33 and hole 32a
An insulating sheet 34 is mounted between the bottom surface and the bottom.
【００２８】また、径の小さな穴３２ｂには絶縁チュー
ブ３５が設けられ、導波管壁３１の外表面には絶縁シー
ト４４が設けられる。絶縁チューブ３５や絶縁シート３
４は、チョーク部品３３と導波管の管壁３１とを絶縁す
るもので、誘電体である。An insulating tube 35 is provided in the hole 32b having a small diameter, and an insulating sheet 44 is provided on the outer surface of the waveguide wall 31. Insulation tube 35 and insulation sheet 3
Reference numeral 4 is a dielectric which insulates the choke component 33 and the waveguide wall 31 from each other.
【００２９】また、チョーク部品３３の中央には、ダイ
オード取り付け穴３６が設けられ、このダイオード取り
付け穴３６に、ＰＩＮダイオード３７が装着され、その
一端はネジ棒２９の先端で圧着、固定される。Further, a diode mounting hole 36 is provided in the center of the choke part 33, and a PIN diode 37 is mounted in the diode mounting hole 36, and one end thereof is crimped and fixed by the tip of a screw rod 29.
【００３０】また、絶縁シート４４の部分には、ネジ３
８が設けられ、このネジ３８にラグ部品３９が連結して
いる。なお、ネジ３８やラグ部品３９は、絶縁シート４
４によって、導波管壁４５と絶縁される。Further, the screw 3 is attached to the insulating sheet 44.
8 is provided, and a lug part 39 is connected to the screw 38. The screws 38 and the lug parts 39 are used for the insulating sheet 4
4, it is insulated from the waveguide wall 45.
【００３１】ラグ部品３９には、図１（ａ）（ｂ）に示
されるように抵抗４１とリード端子４０が接続される。
そして、リード端子４０から、ＰＩＮダイオード３７に
順方向バイアス電圧として直流の負電圧が印加される。
なお、ラグ部品３９と抵抗４１との接続点Ａには、ダイ
オード４２やコンデンサ４３、抵抗５１が並列に接続さ
れる。ダイオード４２やコンデンサ４３、抵抗５１は、
ＰＩＮダイオード３７とも並列に接続している。A resistor 41 and a lead terminal 40 are connected to the lug component 39 as shown in FIGS. 1 (a) and 1 (b).
Then, a DC negative voltage is applied as a forward bias voltage from the lead terminal 40 to the PIN diode 37.
At the connection point A between the lug component 39 and the resistor 41, the diode 42, the capacitor 43, and the resistor 51 are connected in parallel. The diode 42, the capacitor 43, and the resistor 51 are
The PIN diode 37 is also connected in parallel.
【００３２】なお、ダイオード４２やコンデンサ４３、
抵抗５１の他端は、ラグ部品４６を通して導波管の管壁
に直流的に接続される。また、ラグ部品４６はネジ４７
で導波管の管壁に取り付けられる。抵抗５１は、ＰＩＮ
ダイオード３７が自己励起した際、直流電流の通路とし
て働く。The diode 42, the capacitor 43,
The other end of the resistor 51 is DC-connected to the tube wall of the waveguide through the lug component 46. Also, the lug component 46 is a screw 47.
Is attached to the wall of the waveguide. Resistor 51 is PIN
When the diode 37 is self-excited, it acts as a direct current path.
【００３３】図２は、本発明のダイオ−ドリミッタの初
段部分の等価回路である。なお、図２では図１と同一部
分には同一符号を付してある。FIG. 2 is an equivalent circuit of the first stage portion of the diode limiter of the present invention. In FIG. 2, the same parts as those in FIG. 1 are designated by the same reference numerals.
【００３４】２１は、伝送路を構成するリッジ導波管
で、この導波管２１に並列にＰＩＮダイオード３７が接
続される。ＰＩＮダイオード３７は、抵抗４１を介して
リード端子４０に接続される。また、リード端子４０に
は直流の負電圧が印加される。ＰＩＮダイオード３７と
抵抗４１の接続点Ａには、ダイオード４２が接続され
る。ダイオード４２は、前記ＰＩＮダイオード３７より
立上がり電圧が低く、ＰＩＮダイオード３７と同じ向き
に接続される。また、接続点Ａには、コンデンサ４３と
抵抗５１が接続され、その他端は導波管の管壁に直流的
に接続されている。抵抗５１は、ＰＩＮダイオード３７
が自己励起した際、直流電流の通路として働く。A ridge waveguide 21 constitutes a transmission line, and a PIN diode 37 is connected in parallel with the waveguide 21. The PIN diode 37 is connected to the lead terminal 40 via the resistor 41. Further, a negative DC voltage is applied to the lead terminal 40. A diode 42 is connected to a connection point A between the PIN diode 37 and the resistor 41. The diode 42 has a lower rising voltage than the PIN diode 37 and is connected in the same direction as the PIN diode 37. A capacitor 43 and a resistor 51 are connected to the connection point A, and the other end is connected to the tube wall of the waveguide in a direct current manner. The resistor 51 is a PIN diode 37.
Acts as a direct current path when self-excited.
【００３５】なお、ＰＩＮダイオ−ド３７やダイオ−ド
４２の極性を逆に取り付けた場合、リード端子４０には
逆の正電圧が印加される。When the PIN diode 37 and the diode 42 are attached in reverse polarities, a reverse positive voltage is applied to the lead terminal 40.
【００３６】なお、次段のＰＩＮダイオードの取り付け
られる部分の断面構造が、図１（ｆ）に示される。The sectional structure of the portion to which the PIN diode in the next stage is attached is shown in FIG. 1 (f).
【００３７】穴２４（図１ｂ参照）に対向する管壁に、
ダイオ−ド取り付け穴４８が形成される。この穴４８に
次段のＰＩＮダイオード４９（図１ｂ参照）が配置さ
れ、ネジ棒３０（図１ｂ参照）で圧着、固定される。な
お、ＰＩＮダイオード４９は、例えば図４のように両電
極は直流的に短絡されている。On the tube wall facing the hole 24 (see FIG. 1b),
A diode mounting hole 48 is formed. The next-stage PIN diode 49 (see FIG. 1b) is arranged in the hole 48, and is crimped and fixed by the screw rod 30 (see FIG. 1b). Both electrodes of the PIN diode 49 are short-circuited in direct current as shown in FIG.
【００３８】上記構成の導波管形ダイオードリミッタに
おいて、ダイオード４２を取り除いてリード端子４０に
直流電圧を印加し、接続点Ａの電圧に対するリミッタの
挿入損失を測定した結果が図３に示されている。In the waveguide type diode limiter having the above structure, the diode 42 is removed, a DC voltage is applied to the lead terminal 40, and the insertion loss of the limiter with respect to the voltage at the connection point A is measured. The results are shown in FIG. There is.
【００３９】図３で、横軸は電圧（単位Ｖ）、縦軸は挿
入損失（単位ｄＢ）である。In FIG. 3, the horizontal axis represents voltage (unit V) and the vertical axis represents insertion loss (unit dB).
【００４０】なお、曲線ａは、Ｉ層幅が厚いＰＩＮダイ
オ−ドの特性を、曲線ｂは、Ｉ層幅が薄いＰＩＮダイオ
−ドの特性である。Ｉ層幅の厚いＰＩＮダイオ−ドの方
（曲線ａ）が、Ｉ層幅の薄いＰＩＮダイオ−ド（曲線
ｂ）に比べ、挿入損失が増加を始める電圧が高くなって
いる。これは、ＰＩＮダイオ−ドが、そのＩ層幅によっ
て自己励起する高周波電力の値が異なることに対応して
いる。The curve a is the characteristic of a PIN diode having a large I layer width, and the curve b is the characteristic of a PIN diode having a small I layer width. The PIN diode with a large I layer width (curve a) has a higher voltage at which the insertion loss starts to increase, as compared with the PIN diode with a thin I layer width (curve b). This corresponds to the fact that the PIN diode has different values of high-frequency power self-excited depending on its I-layer width.
【００４１】例えば、ＰＩＮダイオ−ド３７に対し、損
失が増加しない程度、つまり、立上がり電圧以下の直流
電圧を印加すると、ＰＩＮダイオ−ド３７は、自己励起
する高周波電力が下がる。この結果、ＰＩＮダイオ−ド
のＩ層幅が厚くても、過大な電力を吸収するようなこと
がなくなり、破壊が防げることになる。For example, when a direct current voltage lower than the rising voltage is applied to the PIN diode 37, that is, the loss is not increased, the high frequency power for self-excitation of the PIN diode 37 is lowered. As a result, even if the I layer width of the PIN diode is thick, it is possible to prevent excessive power from being absorbed and prevent destruction.
【００４２】なお、図２のようにＰＩＮダイオ−ド３７
と並列にダイオ−ド４２を接続し、このダイオ−ド４２
に順方向の直流電流を流すと、ＰＩＮダイオ−ド３７に
安定した直流定電圧が供給できる。また、ＰＩＮダイオ
−ド３７の順方向立上がり電圧が、周囲温度の影響で変
化することがあるが、このような影響もダイオ−ド４２
で補償できる。As shown in FIG. 2, the PIN diode 37 is used.
Connect the diode 42 in parallel with the
When a direct current in the forward direction is applied to the PIN diode 37, a stable DC constant voltage can be supplied to the PIN diode 37. Further, the forward voltage of the PIN diode 37 may change due to the influence of the ambient temperature.
Can be compensated with.
【００４３】なお、上記の実施例では、ＰＩＮダイオ−
ドに立上がり電圧以下の直流定電圧を印加するために、
ダイオ−ド４２を使用しているが、トランジスタを用い
た回路を使用することもできる。次に、本発明をマイク
ロ波集積回路（以下ＭＩＣと言う。）で構成した他の実
施例を図４で説明する。In the above embodiment, the PIN diode is used.
In order to apply a constant DC voltage below the rising voltage to the
Although the diode 42 is used, a circuit using a transistor can also be used. Next, another embodiment in which the present invention is configured by a microwave integrated circuit (hereinafter referred to as MIC) will be described with reference to FIG.
【００４４】６０は、ＭＩＣ基板で、このＭＩＣ基板６
０上にマイクロストリップ線路を用いてＭＩＣが形成さ
れる。Reference numeral 60 denotes an MIC board, which is the MIC board 6
A MIC is formed on the surface 0 of the microstrip line.
【００４５】ＩＮは、ダイオードリミッタへの入力端
で、この入力端ＩＮにマイクロストリップ線路Ｌ１が接
続され、マイクロストリップ線路Ｌ１に初段のＰＩＮダ
イオード６２が接続される。なおＰＩＮダイオード６２
は、伝送路を構成するマイクロストリップ線路に並列に
接続される。またＰＩＮダイオード６２は、マイクロス
トリップ線路Ｌ２、マイクロチップコンデンサＣ、マイ
クロストリップ線路Ｌ３を通して次段のＰＩＮダイオー
ド６３に接続している。IN is an input terminal to the diode limiter. The microstrip line L1 is connected to the input terminal IN, and the PIN diode 62 of the first stage is connected to the microstrip line L1. The PIN diode 62
Are connected in parallel to the microstrip line forming the transmission line. The PIN diode 62 is connected to the PIN diode 63 at the next stage through the microstrip line L2, the microchip capacitor C, and the microstrip line L3.
【００４６】なお、マイクロチップコンデンサＣは、初
段のＰＩＮダイオード６２と次段のＰＩＮダイオード６
３とを直流的に分離している。The microchip capacitor C includes the PIN diode 62 in the first stage and the PIN diode 6 in the next stage.
3 is separated from DC.
【００４７】次段のＰＩＮダイオード６３は、両電極が
直流的に短絡しており、またマイクロストリップ線路Ｌ
４から出力端ＯＵＴへと接続している。Both electrodes of the PIN diode 63 in the next stage are short-circuited in direct current, and the microstrip line L is used.
4 to the output terminal OUT.
【００４８】前記した初段のＰＩＮダイオード６２に
は、バイアス端子Ｂを通して、バイアス回路（図示せ
ず。）の直流電圧が印加される。この直流電圧は、ＰＩ
Ｎダイオード６２の順方向立上がり電圧以下になってい
る。A DC voltage of a bias circuit (not shown) is applied to the PIN diode 62 at the first stage through the bias terminal B. This DC voltage is PI
It is lower than the forward voltage of the N diode 62.
【００４９】なお、図２では、ＰＩＮダイオード３７に
並列にダイオード４２やコンデンサ４３、抵抗５１が接
続されている．このようなダイオードやコンデンサ、抵
抗を、図４のダイオードリミッタに接続することもでき
る。In FIG. 2, a diode 42, a capacitor 43, and a resistor 51 are connected in parallel with the PIN diode 37. Such diodes, capacitors, and resistors can be connected to the diode limiter shown in FIG.
【００５０】以上述べたように本発明によれば、ＰＩＮ
ダイオードに順方向電圧を印加している。したがって、
ＰＩＮダイオードを用いて自己励起形ダイオードリミッ
タを構成する場合、ＰＩＮダイオードのＩ層幅を広げて
も、大きな高周波電力に対して破損することもなく安定
に動作する。また、レ−ダ受信機をＭＩＣで構成する場
合、本発明のダイオードリミッタもＭＩＣ化し、レ−ダ
受信機と一体化すれば、ＰＩＮダイオードに順方向電圧
を印加する回路も同時に一体化できる。こうすれば大電
力に対応できるダイオードリミッタ内蔵のレ−ダ受信機
が実現できる。As described above, according to the present invention, the PIN
Forward voltage is applied to the diode. Therefore,
When the PIN diode is used to form the self-excited diode limiter, even if the width of the I layer of the PIN diode is widened, the PIN diode operates stably without being damaged by a large high frequency power. Further, when the radar receiver is configured by MIC, the diode limiter of the present invention is also integrated into a MIC and integrated with the radar receiver, so that a circuit for applying a forward voltage to the PIN diode can be integrated at the same time. In this way, a radar receiver with a built-in diode limiter that can handle high power can be realized.
【００５１】[0051]
【発明の効果】自己励起に必要な高周波電力のレベルを
下げ、Ｉ層幅の厚いＰＩＮダイオ−ドを使用しても、ス
パイク状の漏れ電力が発生したり、また高周波電力の吸
収で破壊したりすることのない自己励起形のダイオ−ド
リミッタができる。EFFECTS OF THE INVENTION Even if the level of the high frequency power required for self-excitation is lowered and a PIN diode having a large I layer width is used, a spike-like leakage power is generated or the high frequency power is destroyed by absorption of the high frequency power. A self-exciting type diode-limiter that does not suffer from damage can be obtained.
【図１】本発明の一実施例を説明する図である。FIG. 1 is a diagram illustrating an embodiment of the present invention.
【図２】本発明に使用されるダイオ−ドリミッタの初段
部分の等価回路である。FIG. 2 is an equivalent circuit of a first stage portion of the diode limiter used in the present invention.
【図３】本発明の特性を説明する図である。FIG. 3 is a diagram illustrating characteristics of the present invention.
【図４】本発明の他の実施例を説明する図である。FIG. 4 is a diagram illustrating another embodiment of the present invention.
【図５】ダイオ−ドリミッタが使用されるパルスレ−ダ
を説明する図である。FIG. 5 is a diagram illustrating a pulse radar in which a diode limiter is used.
【図６】従来のダイオ−ドリミッタを説明する図であ
る。FIG. 6 is a diagram illustrating a conventional dio-limiter.
２１…リッジ導波管 ２２…リッジ部 ２３、２４…穴 ２５、２６…ネジ穴部 ２７、２８…ネジ部品 ２９、３０…ネジ棒 ３１…導波管壁 ３２ａ、３２ｂ…穴 ３３…チョーク部品 ３４…絶縁シート ３５…絶縁チューブ ３６、４８…ダイオード取り付け穴 ３７…ＰＩＮダイオード ３８、４７…ネジ ３９、４６…ラグ部品 ４０…リード端子 ４１、５１…抵抗 ４２…ダイオ−ド ４３…コンデンサ ４４…絶縁シート ４９…ＰＩＮダイオード 21 ... Ridge waveguide 22 ... Ridge part 23, 24 ... Hole 25, 26 ... Screw hole part 27, 28 ... Screw part 29, 30 ... Screw rod 31 ... Waveguide wall 32a, 32b ... Hole 33 ... Choke part 34 ... Insulation sheet 35 ... Insulation tube 36, 48 ... Diode mounting hole 37 ... PIN diode 38, 47 ... Screw 39, 46 ... Lug component 40 ... Lead terminal 41, 51 ... Resistor 42 ... Diode 43 ... Capacitor 44 ... Insulation sheet 49 ... PIN diode
Claims (2)
ミッタにおいて、前記ＰＩＮダイオードに順方向の極性
で、立上がり電圧以下の電圧を印加することを特徴とす
るダイオードリミッタ。1. A diode limiter having a PIN diode, wherein a voltage having a forward polarity and a voltage equal to or lower than a rising voltage is applied to the PIN diode.
が低いダイオードを、前記ＰＩＮダイオードに並列で、
同じ向きに接続し、そして前記ＰＩＮダイオードや前記
ダイオードと並列にコンデンサおよび抵抗を接続した請
求項１記載のダイオードリミッタ。2. A diode having a rising voltage lower than that of the PIN diode is connected in parallel with the PIN diode,
The diode limiter according to claim 1, wherein capacitors and resistors are connected in the same direction and in parallel with the PIN diode and the diode.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP17581792A JPH0621739A (en) | 1992-07-03 | 1992-07-03 | Diode limiter |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP17581792A JPH0621739A (en) | 1992-07-03 | 1992-07-03 | Diode limiter |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0621739A true JPH0621739A (en) | 1994-01-28 |
Family
ID=16002750
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP17581792A Pending JPH0621739A (en) | 1992-07-03 | 1992-07-03 | Diode limiter |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0621739A (en) |
-
1992
- 1992-07-03 JP JP17581792A patent/JPH0621739A/en active Pending
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