JPH05136603A - Waveguide type diode limiter - Google Patents
Waveguide type diode limiterInfo
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- JPH05136603A JPH05136603A JP29473291A JP29473291A JPH05136603A JP H05136603 A JPH05136603 A JP H05136603A JP 29473291 A JP29473291 A JP 29473291A JP 29473291 A JP29473291 A JP 29473291A JP H05136603 A JPH05136603 A JP H05136603A
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Abstract
Description
【0001】[0001]
【産業上の利用分野】本発明は、例えば、大電力パルス
レーダ装置に用いられるもので、減衰器機能をもった導
波管形ダイオードリミッタに関する。BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a waveguide type diode limiter having an attenuator function, which is used in, for example, a high power pulse radar device.
【0002】[0002]
【従来の技術】ここで、導波管形ダイオードリミッタが
使用される装置の一例を、大型船舶用の大電力(25k
W)パルスレーダ装置を用いて説明する。2. Description of the Related Art Here, one example of a device in which a waveguide type diode limiter is used is a large power (25k) for a large ship.
W) An explanation will be given using a pulse radar device.
【0003】図4は、大電力パルスレーダ装置の回路構
成図で、1は送信信号を生成するマグネトロンである。
この送信信号は、サーキュレータ2を経てアンテナ3か
ら放射される。目標による反射波は、アンテナ3で受信
されサーキュレータ2を通って、ダイオードリミッタ4
に加えられる。ダイオードリミッタ4を通過した反射波
は、次のPINダイオード減衰器5を通り、受信モジュ
ール6に導入される。大電力パルスレーダ装置の構成の
概略は、上記した通りである。ここでダイオードリミッ
タ4は、マグネトロン1から送り出された送信信号のう
ち、サーキュレータ2を漏洩した過大な高周波信号が、
受信モジュール6に加わらないよう受信モジュール6を
保護するものである。FIG. 4 is a circuit configuration diagram of a high-power pulse radar device, and 1 is a magnetron for generating a transmission signal.
This transmission signal is radiated from the antenna 3 via the circulator 2. The reflected wave from the target is received by the antenna 3, passes through the circulator 2, and passes through the diode limiter 4
Added to. The reflected wave that has passed through the diode limiter 4 passes through the next PIN diode attenuator 5 and is introduced into the reception module 6. The outline of the configuration of the high-power pulse radar device is as described above. Here, in the diode limiter 4, among the transmission signals sent from the magnetron 1, an excessive high frequency signal leaking from the circulator 2 is
The reception module 6 is protected so as not to join the reception module 6.
【0004】また、PINダイオード減衰器5は、近距
離の目標で反射した大きな電力の反射波が、受信モジュ
ール6に加わり、受信モジュール6を飽和させることを
防止するものである。The PIN diode attenuator 5 prevents the reflected wave of high power reflected by a target at a short distance from being added to the receiving module 6 and saturating the receiving module 6.
【0005】上記したように大電力パルスレーダ装置で
は、送信信号のサーキュレータからの回り込みから受信
モジュールを保護するためにダイオードリミッタが用い
られる。As described above, in the high power pulse radar device, the diode limiter is used to protect the reception module from the sneak of the transmission signal from the circulator.
【0006】また、近距離目標からの大電力反射波によ
る受信モジュール6の飽和を防止するためにPINダイ
オード減衰器が使用される。A PIN diode attenuator is also used to prevent saturation of the receiver module 6 due to high power reflected waves from a short range target.
【0007】[0007]
【発明が解決しようとする課題】従来は、上記したよう
に過大な高周波信号から受信モジュールを保護するため
のダイオードリミッタと、近距離目標からの大電力反射
波による受信モジュール6の飽和を防止するPINダイ
オード減衰器とが、それぞれ別々の部品で構成されてい
る。したがって、これらを使用する大電力パルスレーダ
装置の寸法が大きくなり、価格も高くなる。Conventionally, as described above, the diode limiter for protecting the receiving module from the excessive high frequency signal and the saturation of the receiving module 6 due to the high power reflected wave from the short distance target are prevented. The PIN diode attenuator is composed of separate parts. Therefore, the size of the high-power pulse radar device using these is large and the price is also high.
【0008】また、大電力レーダ装置では、遠距離の目
標物体を識別するものであるため、受信感度が良いこと
が重要である。しかし、PINダイオード減衰器の残留
損失は、約1dBあり、これが受信感度を悪化させる原
因にもなっている。Further, since the high-power radar device identifies a long-distance target object, it is important that the reception sensitivity is good. However, the residual loss of the PIN diode attenuator is about 1 dB, which also causes deterioration of reception sensitivity.
【0009】[0009]
【課題を解決するための手段】管璧に突起が形成された
リッジ導波管の中に、複数個のPINダイオードを配置
してダイオードリミッタ構成する。そして前記PINダ
イオードにバイアス電流を流せるようにしたものであ
る。A diode limiter is constructed by disposing a plurality of PIN diodes in a ridge waveguide having protrusions formed on a tube wall. A bias current can be passed through the PIN diode.
【0010】[0010]
【作用】上記の構成によれば、一つのダイオードリミッ
タが、リミッタ機能と減衰機能とをもつため、これを例
えば大電力パルスレーダ装置に組み込んだ場合、装置を
小形化でき、価格を下げることもできる。また、PIN
ダイオード減衰器を、別に必要としないため受信感度を
向上させることもできる。According to the above construction, since one diode limiter has a limiter function and an attenuation function, when this is incorporated in, for example, a high power pulse radar device, the device can be downsized and the price can be reduced. it can. Also, PIN
Since a diode attenuator is not required separately, the receiving sensitivity can be improved.
【0011】[0011]
【実施例】以下、本発明の一実施例を図1乃至図3を参
照して説明する。DETAILED DESCRIPTION OF THE PREFERRED EMBODIMENTS An embodiment of the present invention will be described below with reference to FIGS.
【0012】図1は、本発明の導波管形ダイオードリミ
ッタを示し、(a)は上面図、(b)は下面図(c)の
AーA断面図、(d)は正面図、(e)はAーA断面図
内の一部拡大図、(f)は下面図(c)のBーB断面図
で、内部部品を取り除いた図である。1A and 1B show a waveguide type diode limiter of the present invention. FIG. 1A is a top view, FIG. 1B is a bottom view, and FIG. 1C is a sectional view taken along line AA of FIG. (e) is a partially enlarged view in the AA cross-sectional view, (f) is a BB cross-sectional view of the bottom view (c), with internal parts removed.
【0013】ここで、本発明の導波管形ダイオードリミ
ッのタ一実施例を、図1の特に(b),(e)を中心に
参照して説明する。An embodiment of the waveguide type diode limiter of the present invention will now be described with particular reference to FIGS. 1 (b) and (e).
【0014】11は、導波管の管壁中央にリッジ部12
を形成したリッジ導波管である。また、リッジ部12が
形成された管壁には、穴13、14を、リッジ部の延長
方向にある間隔をもって開ける。この場合、リッジ部1
2の一部も穴13、14の大きさに合わせて取り除く。Reference numeral 11 denotes a ridge portion 12 at the center of the waveguide wall.
Is a ridge waveguide formed with. Further, holes 13 and 14 are formed in the tube wall where the ridge portion 12 is formed with a certain distance in the extension direction of the ridge portion. In this case, the ridge portion 1
Part of 2 is also removed according to the size of holes 13 and 14.
【0015】また、穴13、14にネジ穴部15、16
を形成する。このネジ穴部15、16には、それぞれ、
リング状のネジ部品17、18を螺入し、その位置が調
整できるようになっている。このネジ部品17、18の
位置を調整することによって動作する中心周波数が調整
できる。Further, the screw holes 15 and 16 are provided in the holes 13 and 14, respectively.
To form. These screw holes 15 and 16 respectively have
The ring-shaped screw parts 17 and 18 are screwed in, and their positions can be adjusted. The center frequency of operation can be adjusted by adjusting the positions of the screw parts 17 and 18.
【0016】また、ネジ部品17、18の中央に、それ
ぞれネジ棒19、20を螺入し、穴13、14の周囲外
壁を同軸外導体とし、また、ネジ棒19、20を同軸内
導体として、ネジ部品17、18で短絡した同軸回路を
形成する。Further, screw rods 19 and 20 are screwed into the centers of the screw parts 17 and 18, respectively, and outer peripheral walls of the holes 13 and 14 are coaxial outer conductors, and the screw rods 19 and 20 are coaxial inner conductors. , A short circuit is formed by the screw parts 17 and 18.
【0017】また、その詳細を図(e)の拡大図で示し
たように、同軸回路が形成されていない側の導波管壁2
1に穴22を形成し、その穴22を利用してチョーク部
品23を組み込んでいる。Further, as shown in detail in the enlarged view of FIG. 2 (e), the waveguide wall 2 on the side where the coaxial circuit is not formed is shown.
1 has a hole 22 formed therein, and a choke component 23 is incorporated using the hole 22.
【0018】リッジ部のない側の導波管壁21に設けら
れた穴22に、絶縁シート24aをはさむようにしてチ
ョーク部品23を装着する。なお、絶縁チューブ24
b、絶縁シート24cは、それぞれチョーク部品と導波
管の管壁との絶縁を保つためのもので、誘電体である。The choke component 23 is attached to the hole 22 provided in the waveguide wall 21 on the side without the ridge portion so as to sandwich the insulating sheet 24a. The insulating tube 24
The insulating sheet 24c and the insulating sheet 24c are for maintaining the insulation between the choke component and the waveguide wall, and are dielectrics.
【0019】また、チョーク部品23に設けられたダイ
オード取り付け穴25に、PINダイオード26を装着
し、ネジ部品19の先端で圧着、固定する。The PIN diode 26 is mounted in the diode mounting hole 25 provided in the choke component 23, and the tip of the screw component 19 is crimped and fixed.
【0020】チョーク部品23は、絶縁チューブ24
b、絶縁シート24cで管壁11と絶縁している。ま
た、ネジ28に連結しているラグ部品27に、前記ダイ
オード26にバイアス電圧を印加するリード端子31が
接続されている。このリード端子31に、検波ダイオー
ド29と抵抗30を並列に接続している。これら検波ダ
イオード29と抵抗30の他端は、ラグ部品、これを取
り付けるネジによって導波管の管壁と直流的に連結して
いる。The choke part 23 is an insulating tube 24.
b, it is insulated from the tube wall 11 by the insulating sheet 24c. Further, a lead terminal 31 for applying a bias voltage to the diode 26 is connected to the lug component 27 connected to the screw 28. The detection diode 29 and the resistor 30 are connected in parallel to the lead terminal 31. The other ends of the detection diode 29 and the resistor 30 are DC-connected to the tube wall of the waveguide by a lug part and a screw for attaching the lug part.
【0021】一方、図(f)に示すように穴14に対向
した面にダイオード取り付け穴32があり、もう一つの
PINダイオード33が、ネジ棒20で圧着、固定され
ている。 上記構成の導波管形ダイオードリミッタにお
いて、導波管の開口部から大電力の高周波信号が入力さ
れると,高周波信号の一部がチョーク部品23を通って
ラグ部品27に漏れ出る。漏れ出た高周波信号は、検波
ダイオード29で検波される。その検波電流は,導波管
の管壁を通してダイオード26に順方向に流れる。これ
によりダイオード26は導通し,リミッタとしての機能
を果たす。 もう一つのリミッタダイオード33は、そ
の両端が導波管の管壁に直接結合しているので、大電力
の高周波信号によって順方向の電流が流れリミッタとし
て機能する。 また、大電力パルスレーダ装置に使用す
るばあい、反射波の受信時に、リード端子31からリミ
ッタダイオード26に順方向電流を流せば減衰器として
機能させることができる。On the other hand, as shown in FIG. 6F, there is a diode mounting hole 32 on the surface facing the hole 14, and another PIN diode 33 is crimped and fixed by the screw rod 20. In the waveguide type diode limiter having the above configuration, when a high-frequency signal of high power is input from the opening of the waveguide, part of the high-frequency signal leaks to the lug component 27 through the choke component 23. The leaked high frequency signal is detected by the detection diode 29. The detected current flows in the forward direction to the diode 26 through the tube wall of the waveguide. As a result, the diode 26 becomes conductive and functions as a limiter. Since both ends of the other limiter diode 33 are directly coupled to the tube wall of the waveguide, a forward current flows by a high-power high-frequency signal and functions as a limiter. When used in a high-power pulse radar device, it can function as an attenuator if a forward current is passed from the lead terminal 31 to the limiter diode 26 when receiving a reflected wave.
【0022】ここで、リード端子31にバイアス電圧を
加えず、本発明の導波管形ダイオードリミッタを、リミ
ッタとして機能させた場合の特性を図2で説明する。Here, the characteristics when the waveguide type diode limiter of the present invention is made to function as a limiter without applying a bias voltage to the lead terminal 31 will be described with reference to FIG.
【0023】図2のグラフで、(a)は導波管形ダイオ
ードリミッタに加えられる高周波信号の電力が低い場
合、(b)は導波管形ダイオードリミッタに加えられる
高周波信号の電力が高い場合で、いずれも,縦軸には損
失(単位…dB),横軸には周波数をとってある。In the graph of FIG. 2, (a) shows a case where the power of the high frequency signal applied to the waveguide type diode limiter is low, and (b) shows a case where the power of the high frequency signal applied to the waveguide type diode limiter is high. In each case, the vertical axis represents loss (unit: dB) and the horizontal axis represents frequency.
【0024】図(a)から判るように、高周波信号の電
力が低い場合、導波管形ダイオードリミッタの損失は、
基本波周波数で最小となり、それ以上の周波数帯域で
は、約50dBに増大している。As can be seen from FIG. 3A, when the power of the high frequency signal is low, the loss of the waveguide type diode limiter is
It becomes the minimum at the fundamental frequency, and increases to about 50 dB in the frequency band higher than that.
【0025】また、図(b)から判るように、高周波信
号の電力が高い場合、導波管形ダイオードリミッタの損
失は、基本波周波数を含んだ周波数帯域にまで増大して
おり、リミッタとして機能している。Further, as can be seen from FIG. 6B, when the power of the high frequency signal is high, the loss of the waveguide type diode limiter increases up to the frequency band including the fundamental wave frequency and functions as a limiter. is doing.
【0026】図3は、本発明の導波管形ダイオードリミ
ッタを、減衰器として機能させた場合の特性であり、縦
軸に損失(単位…dB)を,横軸にバイアス電流(単位
…μA)をとっている。FIG. 3 shows the characteristics when the waveguide type diode limiter of the present invention is made to function as an attenuator, in which the vertical axis represents loss (unit: dB) and the horizontal axis represents bias current (unit: μA). ) Is taken.
【0027】曲線Aは、高周波信号の進入側、即ち初段
目のPINダイオードを減衰器とした場合であり、曲線
Bは、次段目のPINダイオードを減衰器とした場合で
ある。一般に、初段目のPINダイオードの方がI層が
厚いため、初段目のPINダイオードを減衰器とした場
合と、次段目のPINダイオードを減衰器とした場合と
で特性が相違している。Curve A shows the case where the high frequency signal ingress side, that is, the PIN diode of the first stage is used as the attenuator, and curve B shows the case where the PIN diode of the next stage is used as the attenuator. In general, since the PIN diode of the first stage has a thicker I layer, the characteristics differ when the PIN diode of the first stage is used as an attenuator and when the PIN diode of the next stage is used as the attenuator.
【0028】上記した実施例では、リッジ部が形成され
ていない平らな導波管壁にダイオード取り付け穴をあけ
てダイオードを取り付けている。したがって、外部から
バイアスを印加するチョーク部品の取り付けが容易であ
る。In the above-mentioned embodiment, the diode is attached by opening the diode attachment hole in the flat waveguide wall in which the ridge portion is not formed. Therefore, it is easy to attach a choke component that applies a bias from the outside.
【0029】上記の実施例では、減衰器として機能する
場合、一方のダイオードのみに検波電流を流す構成にな
っている。しかし、他方のPINダイオードも、その両
端を導波管壁に直結しないで、検波電流を流す構成に
し、減衰器としての機能をもたせることもできる。In the above embodiment, when it functions as an attenuator, the detection current is passed through only one diode. However, the other PIN diode can also have a function as an attenuator by not connecting both ends thereof directly to the waveguide wall but by making a detection current flow.
【0030】なお、リッジ部が上下の両管壁に形成され
たダブルリッジ導波管でも、本発明の導波管形ダイオー
ドリミッタを構成できる。また、導波管形ダイオードリ
ミッタを構成するPINダイオードの数も2個に限ら
ず、3個以上でもよい。The waveguide type diode limiter of the present invention can be constructed by a double ridge waveguide having ridge portions formed on both upper and lower tube walls. Further, the number of PIN diodes forming the waveguide type diode limiter is not limited to two and may be three or more.
【0031】[0031]
【発明の効果】本発明によれば、一つの導波管形ダイオ
ードリミッタが、リミッタ機能と減衰機能をもつため、
これを例えば大電力パルスレーダ装置に組み込んだ場
合、装置を小形化でき、価格を下げることができる。ま
た、PINダイオード減衰器を、別に必要としないため
受信感度も向上できる。According to the present invention, since one waveguide type diode limiter has a limiter function and an attenuation function,
When this is incorporated into, for example, a high-power pulse radar device, the device can be downsized and the price can be reduced. Further, since the PIN diode attenuator is not required separately, the receiving sensitivity can be improved.
【図1】本発明の一実施例を示す図である。FIG. 1 is a diagram showing an embodiment of the present invention.
【図2】本発明の特性を示す図である。FIG. 2 is a diagram showing characteristics of the present invention.
【図3】本発明の特性を示す図である。FIG. 3 is a diagram showing characteristics of the present invention.
【図4】本発明が使用される大電力パルスレーダ装置の
回路構成図である。FIG. 4 is a circuit configuration diagram of a high power pulse radar device in which the present invention is used.
11…リッジ導波管 12…リッジ部 13、14…穴 15、16…ネジ穴部 17、18…ネジ部品 19、20…ネジ棒 21…導波管壁 22…穴 23…チョーク部品 24a…絶縁シート 24b…絶縁チューブ 24c…絶縁シート 25…ダイオード取り付け穴 26…PINダイオード 27…ラグ部品 28…ネジ 29…検波ダイオード 30…抵抗 31…リード端子 32…ダイオード取り付け穴 33…PINダイオード 11 ... Ridge waveguide 12 ... Ridge part 13, 14 ... Hole 15, 16 ... Screw hole part 17, 18 ... Screw component 19, 20 ... Screw rod 21 ... Waveguide wall 22 ... Hole 23 ... Choke component 24a ... Insulation Sheet 24b ... Insulating tube 24c ... Insulating sheet 25 ... Diode mounting hole 26 ... PIN diode 27 ... Lug component 28 ... Screw 29 ... Detection diode 30 ... Resistor 31 ... Lead terminal 32 ... Diode mounting hole 33 ... PIN diode
Claims (5)
リッジ導波管と、前記リッジ部の形成方向に所定の間隔
をもち、かつ、前記リッジ部と対向するように配置され
た少なくとも2個のPINダイオードと、一端が前記P
INダイオードの少なくとも1個と直流的に接続され、
他端が前記導波管の外側に引き出され前記PINダイオ
ードにバイアス電流を流すリード端子とを具備した導波
管形ダイオードリミッタ。1. A ridge waveguide in which a ridge portion is formed in the center of the lower surface of a tube wall, and at least a ridge waveguide having a predetermined distance in the direction of formation of the ridge portion and arranged to face the ridge portion. Two PIN diodes and one end of the P
DC connection with at least one IN diode,
A waveguide-type diode limiter, the other end of which is drawn out of the waveguide and has a lead terminal for supplying a bias current to the PIN diode.
ない側の導波管管壁に形成された凹部空間内に位置する
請求項1記載の導波管形ダイオードリミッタ。2. The waveguide type diode limiter according to claim 1, wherein a part of the PIN diode is located in a concave space formed in the waveguide wall on the side where the ridge portion is not present.
管壁と直流的に結合された請求項1記載の導波管形ダイ
オードリミッタ。3. The waveguide type diode limiter according to claim 1, wherein both ends of one PIN diode are galvanically coupled to the waveguide wall.
され、この検波ダイオードで検波された出力電流が、前
記リード端子に接続されたPINダイオードに流れるよ
うにした請求項1記載の導波管形ダイオードリミッタ。4. A waveguide diode according to claim 1, wherein a detection diode is connected to the lead terminal, and an output current detected by the detection diode flows to a PIN diode connected to the lead terminal. limiter.
リッジ部が形成されたダブルリッジ導波管である請求項
1記載の導波管形ダイオードリミッタ。5. The waveguide type diode limiter according to claim 1, wherein the ridge waveguide is a double ridge waveguide in which ridge portions are formed on both upper and lower surfaces.
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP29473291A JPH05136603A (en) | 1991-11-12 | 1991-11-12 | Waveguide type diode limiter |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP29473291A JPH05136603A (en) | 1991-11-12 | 1991-11-12 | Waveguide type diode limiter |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH05136603A true JPH05136603A (en) | 1993-06-01 |
Family
ID=17811592
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP29473291A Pending JPH05136603A (en) | 1991-11-12 | 1991-11-12 | Waveguide type diode limiter |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH05136603A (en) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US6057569A (en) * | 1997-07-16 | 2000-05-02 | New Japan Radio Co., Ltd. | Diode limiter device |
-
1991
- 1991-11-12 JP JP29473291A patent/JPH05136603A/en active Pending
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US6057569A (en) * | 1997-07-16 | 2000-05-02 | New Japan Radio Co., Ltd. | Diode limiter device |
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