JPH06139844A - ITO conductive film and method for manufacturing the same - Google Patents
ITO conductive film and method for manufacturing the sameInfo
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 透明度が良好で膜厚が一定な、比抵抗が低い
ＩＴＯ導電膜を再現性よく得る。
【構成】 酸化インジウムと酸化錫との混合物に窒素を
ドーピングする。これをターゲット２９としてスパッタ
リングを行うことにより、基板２２上にＩＴＯ導電膜を
成膜する。この時、ターゲットから飛散する窒素によ
り、スパッタ室内に吸着されている酸素や水分による不
純ガスがこの窒素により置換緩和される。また、成膜さ
れたＩＴＯ導電膜中に窒素が取り込まれ、この窒素はド
ナーとして作用する。
(57) [Summary] [Objective] An ITO conductive film having good transparency, a constant film thickness, and low specific resistance can be obtained with good reproducibility. [Structure] A mixture of indium oxide and tin oxide is doped with nitrogen. By performing sputtering with this as a target 29, an ITO conductive film is formed on the substrate 22. At this time, due to the nitrogen scattered from the target, the impure gas due to oxygen and moisture adsorbed in the sputtering chamber is replaced and relaxed by this nitrogen. Further, nitrogen is taken into the formed ITO conductive film, and this nitrogen acts as a donor.
Description
【０００１】[0001]
【産業上の利用分野】本発明は、液晶表示装置やその他
の表示装置の透明電極、各種デバイスの電極または配線
材料として用いられるＩＴＯ（Indiumu Tin Oxide）導
電膜およびその製造方法に関するものである。BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a transparent electrode of liquid crystal display devices and other display devices, an ITO (Indiumu Tin Oxide) conductive film used as an electrode or wiring material of various devices, and a method for manufacturing the same.
【０００２】[0002]
【従来の技術】従来、ＩＴＯ導電膜は、比抵抗が低いこ
と、可視光透過率が高いこと、水溶液による湿式エッチ
ングができることなどの理由により、表示装置の透明電
極などに広く利用されている。2. Description of the Related Art Conventionally, an ITO conductive film has been widely used for a transparent electrode of a display device because of its low specific resistance, high visible light transmittance, and wet etching with an aqueous solution.
【０００３】図２にＩＴＯ導電膜を用いた表示装置の一
例として、アクティブマトリックス型液晶表示装置の絵
素の構成を示す。この表示装置においては、ガラス板か
らなる絶縁性基板１０上に、複数の絵素電極１がマトリ
クス状に配置されている。各絵素電極１には、薄膜トラ
ンジスタ（以下ＴＦＴと称する）２が接続されている。
ＴＦＴ２には、ゲートバスライン５から分岐されたゲー
ト電極４と、ソースバスライン７から分岐されたソース
電極６と、絵素電極１に接続されたドレイン電極８とが
設けられている。このＴＦＴ２により絵素電極１と対向
電極（図示せず）との間に印加される電界がスイッチン
グされて、表示パターンが形成される。このＴＦＴ２の
製造について、図２および図３を参照しながら説明す
る。まず、スパッタリングにより基板１０全体を覆うよ
うにしてＴａ2Ｏ5からなるベース絶縁膜１１を形成す
る。その上に、スパッタリングによりＴａからなる配線
を形成し、その表層部を電界液中で陽極酸化処理して、
ゲートバスライン５、ゲート電極４、補助容量用ライン
およびＴａＯXからなる陽極酸化膜１２を形成する。次
に、基板全体を覆うようにしてＣＶＤ法によりＳｉＮX
からなるゲート絶縁膜１３を形成する。続いて、ゲート
電極４と対向するように、真性アモルファスシリコン半
導体層１４を形成し、その上にＳｉＮXからなるエッチ
ングストッパー１５を形成する。さらに、その端部と半
導体層１４を覆うようにして、リン（Ｐ）をドープした
ｎ型アモルファスシリコン半導層１６ａ、１６ｂを形成
する。そして、スパッタリングにより、チタン（Ｔｉ）
からなる配線１７ａ、１７ｂとＩＴＯ導電膜１８ａ、１
８ｂを形成する。その後、各層の一部を上方からエッチ
ングストッパ１５までエッチングにより除去する。FIG. 2 shows the configuration of picture elements of an active matrix type liquid crystal display device as an example of a display device using an ITO conductive film. In this display device, a plurality of picture element electrodes 1 are arranged in a matrix on an insulating substrate 10 made of a glass plate. A thin film transistor (hereinafter referred to as TFT) 2 is connected to each pixel electrode 1.
The TFT 2 is provided with a gate electrode 4 branched from a gate bus line 5, a source electrode 6 branched from a source bus line 7, and a drain electrode 8 connected to the pixel electrode 1. The TFT 2 switches the electric field applied between the pixel electrode 1 and the counter electrode (not shown) to form a display pattern. The manufacture of the TFT 2 will be described with reference to FIGS. First, the base insulating film 11 made of Ta 2 O 5 is formed by sputtering so as to cover the entire substrate 10. A wiring made of Ta is formed thereon by sputtering, and its surface layer is anodized in an electrolytic solution,
The gate bus line 5, the gate electrode 4, the auxiliary capacitance line, and the anodic oxide film 12 made of TaO x are formed. Next, the substrate is entirely covered with SiN x by the CVD method.
A gate insulating film 13 made of is formed. Then, an intrinsic amorphous silicon semiconductor layer 14 is formed so as to face the gate electrode 4, and an etching stopper 15 made of SiN x is formed thereon. Further, n-type amorphous silicon semiconductor layers 16a and 16b doped with phosphorus (P) are formed so as to cover the end portion and the semiconductor layer 14. Then, by sputtering, titanium (Ti)
Wirings 17a, 17b and ITO conductive films 18a, 1
8b is formed. After that, a part of each layer is removed from above to the etching stopper 15 by etching.
【０００４】このことにより、配線１７ａとＩＴＯ導電
膜１８ａとから構成されるソースバスライン７およびソ
ース電極６が形成され、配線１７ｂがドレイン電極８と
なり、ＩＴＯ導電膜１８ｂが絵素電極１となる。As a result, the source bus line 7 and the source electrode 6 composed of the wiring 17a and the ITO conductive film 18a are formed, the wiring 17b becomes the drain electrode 8, and the ITO conductive film 18b becomes the pixel electrode 1. .
【０００５】さらに、表示品位の向上のため、図２に示
す絵素電極１の一部は間に陽極酸化膜１２と絶縁膜１３
を介して補助容量用ライン３に重畳される構成とされて
おり、付加容量が形成される。Further, in order to improve the display quality, a part of the pixel electrode 1 shown in FIG. 2 has an anodic oxide film 12 and an insulating film 13 between them.
It is configured to be superposed on the auxiliary capacitance line 3 via the, and an additional capacitance is formed.
【０００６】[0006]
【発明が解決しようとする課題】従来、上記のようなＩ
ＴＯ導電膜は、酸化インジウムと酸化錫をターゲットと
して、不活性ガスまたは酸素ガスを添加した低圧のスパ
ッタガス中でスパッタリングを行うことにより成膜して
いた。通常、スパッタリングを行うスパッタ室の内壁面
やターゲット電極またはスパッタホルダなどには、大気
中の酸素や水分が吸着されている。このため、スパッタ
ガスに添加する酸素ガスの量を調製しても、これら内壁
面などに吸着されている酸素や水分が不純ガスとなって
影響を与えるので、スパッタガス中の酸素ガス量を制御
することは困難である。よって、透明度や膜厚が安定せ
ず、比抵抗が高くなるという問題点があった。そして、
ＩＴＯ導電膜の膜厚が薄かったり比抵抗が高くなるとソ
ースバスラインの冗長構造としての機能が不十分であ
り、透明度が低くなると絵素電極として用いた場合に表
示品位が低下するという問題点が生じる。Conventionally, the above-mentioned I
The TO conductive film was formed by sputtering indium oxide and tin oxide in a low pressure sputtering gas to which an inert gas or oxygen gas was added. Usually, oxygen and moisture in the atmosphere are adsorbed on the inner wall surface of the sputtering chamber for sputtering, the target electrode, the sputter holder, or the like. Therefore, even if the amount of oxygen gas added to the sputter gas is adjusted, the oxygen and moisture adsorbed on these inner wall surfaces will become impure gas and will affect it, so the amount of oxygen gas in the sputter gas can be controlled. Is difficult to do. Therefore, there are problems that the transparency and the film thickness are not stable and the specific resistance is high. And
If the thickness of the ITO conductive film is thin or the specific resistance is high, the function as a redundant structure of the source bus line is insufficient, and if the transparency is low, the display quality deteriorates when used as a pixel electrode. Occurs.
【０００７】このためにスパッタガス中に窒素ガスを添
加して、透明度が良好で窒素を含んだＩＴＯ導電膜を形
成することも行われている。この方法によれば、スパッ
タリング装置内に吸着されている酸素や水分による不純
ガスがこの窒素ガスにより置換緩和されて、ＩＴＯ導電
膜の成膜に悪影響を及ぼすのを防ぐことができる。よっ
て、透明度が良好で膜厚が安定したＩＴＯ導電膜を形成
することができる。また、成膜されたＩＴＯ導電膜中に
窒素が取り込まれ、この窒素はドナーとして作用するこ
とになる。よって、ＩＴＯ導電膜の比抵抗を低減するこ
とができる。しかし、この方法では、スパッタガス中の
窒素ガスの量を制御して成膜するので、ガスの分布によ
り成膜状態が左右され、膜厚、透明度や比抵抗の再現性
が得られなかった。For this reason, it has been practiced to add nitrogen gas to the sputtering gas to form an ITO conductive film having good transparency and containing nitrogen. According to this method, it is possible to prevent the impure gas due to oxygen or water adsorbed in the sputtering apparatus from being replaced and relaxed by this nitrogen gas, and adversely affecting the film formation of the ITO conductive film. Therefore, an ITO conductive film having good transparency and a stable film thickness can be formed. Further, nitrogen is taken into the formed ITO conductive film, and this nitrogen acts as a donor. Therefore, the specific resistance of the ITO conductive film can be reduced. However, according to this method, since the amount of nitrogen gas in the sputtering gas is controlled to form a film, the film formation state is influenced by the gas distribution, and the reproducibility of the film thickness, transparency and specific resistance cannot be obtained.
【０００８】本発明は上記問題点を解決するためになさ
れたものであり、透明度が良好で、比抵抗が高く、膜厚
の再現性のよいＩＴＯ導電膜およびその製造方法を提供
することを目的とする。The present invention has been made to solve the above problems, and an object of the present invention is to provide an ITO conductive film having good transparency, high specific resistance and good film thickness reproducibility, and a method for manufacturing the same. And
【０００９】[0009]
【課題を解決するための手段】本発明のＩＴＯ導電膜
は、酸化インジウムと酸化錫との混合物に窒素をドーピ
ングしたターゲットを用いてスパッタリングすることに
より形成された窒素を含むＩＴＯ導電膜であって、その
ことにより上記目的が達成される。The ITO conductive film of the present invention is an ITO conductive film containing nitrogen formed by sputtering a mixture of indium oxide and tin oxide using a target doped with nitrogen. Therefore, the above object is achieved.
【００１０】本発明のＩＴＯ導電膜の製造方法は、基板
上に、酸化インジウムと酸化錫との混合物に窒素をドー
ピングしたターゲットを用いてスパッタリングを行うこ
とにより窒素を含むＩＴＯ導電膜を形成するＩＴＯ導電
膜の製造方法であって、そのことにより上記目的が達成
される。According to the method of manufacturing an ITO conductive film of the present invention, an ITO conductive film containing nitrogen is formed on a substrate by sputtering using a target obtained by doping a mixture of indium oxide and tin oxide with nitrogen. A method of manufacturing a conductive film, by which the above object is achieved.
【００１１】[0011]
【作用】酸化インジウムと酸化錫の混合物に窒素をドー
ピングしたターゲットを用いてスパッタリングを行う
と、ターゲットから飛散する窒素により、スパッタ室内
に吸着されている酸素や水分による不純ガスがこの窒素
により置換緩和される。よって、この不純ガスがＩＴＯ
導電膜の成膜に悪影響を及ぼすのを防ぐことができ、透
明度が良好で膜厚が安定したＩＴＯ導電膜を形成するこ
とができる。また、成膜されたＩＴＯ導電膜中に窒素が
取り込まれ、この窒素はドナーとして作用することにな
る。よって、ＩＴＯ導電膜の比抵抗を低減することがで
きる。[Function] When sputtering is carried out using a target in which a mixture of indium oxide and tin oxide is doped with nitrogen, the nitrogen scattered from the target causes the nitrogen to be displaced and relax the impure gas due to oxygen and moisture adsorbed in the sputtering chamber. To be done. Therefore, this impure gas is ITO
It is possible to prevent the film formation of the conductive film from being adversely affected, and it is possible to form an ITO conductive film having good transparency and a stable film thickness. Further, nitrogen is taken into the formed ITO conductive film, and this nitrogen acts as a donor. Therefore, the specific resistance of the ITO conductive film can be reduced.
【００１２】スパッタ室内の窒素量は、酸化インジウム
と酸化錫とにドーピングされた窒素量で制御されるの
で、窒素の分布の再現性が高い。よって、透明度、膜厚
および比抵抗の再現性に優れたＩＴＯ導電膜が得られ
る。Since the amount of nitrogen in the sputtering chamber is controlled by the amount of nitrogen doped in indium oxide and tin oxide, the reproducibility of nitrogen distribution is high. Therefore, an ITO conductive film having excellent reproducibility of transparency, film thickness and specific resistance can be obtained.
【００１３】[0013]
【実施例】以下、本発明を図面を参照して説明する。DESCRIPTION OF THE PREFERRED EMBODIMENTS The present invention will be described below with reference to the drawings.
【００１４】図１に本発明に用いられるスパッタリング
装置の一例を示す。FIG. 1 shows an example of a sputtering apparatus used in the present invention.
【００１５】本実施例に用いるスパッタリング装置は、
スパッタ室１９の前後にローディングストッカ２０とア
ンローディングストッカ２１を配置している。スパッタ
リングによりＩＴＯ導電膜が形成される基板２２は、ス
パッタホルダ２３に取り付けられ、一旦ローディングス
トッカ２０に収納されてから１枚ずつスパッタ室１９に
供給される。そして、スパッタリングが完了するとアン
ローディングストッカ２１に排出されるようになってい
る。また、スパッタ室１９、ローディングストッカ２０
およびアンローディングストッカ２１は、それぞれバル
ブ２４を介して真空ポンプに接続され、内部を高真空に
することができるようにされている。The sputtering apparatus used in this embodiment is
A loading stocker 20 and an unloading stocker 21 are arranged before and after the sputter chamber 19. Substrates 22 on which an ITO conductive film is formed by sputtering are attached to a sputter holder 23, temporarily stored in a loading stocker 20, and then supplied to the sputter chamber 19 one by one. When the sputtering is completed, it is discharged to the unloading stocker 21. In addition, the sputtering chamber 19 and the loading stocker 20
Each of the unloading stocker 21 and the unloading stocker 21 is connected to a vacuum pump via a valve 24 so that a high vacuum can be created inside.
【００１６】スパッタ室１９には、ターゲット電極２５
とヒーター２６が備えられ、ターゲット電極２５には直
流電源２７が接続され、ヒーター２６には電源（図示せ
ず）が接続されている。また、このスパッタ室１９に
は、スパッタガス導入管２８が接続されている。The sputtering chamber 19 has a target electrode 25.
And a heater 26, a DC power supply 27 is connected to the target electrode 25, and a power supply (not shown) is connected to the heater 26. A sputter gas introduction pipe 28 is connected to the sputter chamber 19.
【００１７】スパッタリングは以下のようにして行われ
る。まず、酸化インジウム（Ｉｎ2Ｏ3）に１０ｗｔ％程
度の酸化錫（ＳｎＯ2）を添加し、さらに窒素をドーピ
ングしたターゲット２９をターゲット電極２５に磁力に
よって保持させる。酸化インジウムと酸化錫中の窒素の
不純物濃度は、例えば、５０ｍｏｌ％程度とすることが
できる。そして、スパッタホルダ２３に取り付けられた
基板２２をローディングストッカ２０からスパッタ室１
９に供給して、ターゲット２９の上方に対向配置する。
次に、基板２２の温度をヒーター２６によって２００℃
前後まで上昇させ、これを２０分間維持して、真空加熱
する。そして、真空ポンプによりスパッタ室１９内をさ
らに高真空にして、１０-6Ｔｏｒｒ程度にする。その
後、スパッタガス導入管２８から不活性ガスとしてアル
ゴンカスを導入して、スパッタ室１９内のガス圧を３ｍ
Ｔｏｒｒ程度に調製する。その状態で、直流電源２７に
より５００Ｗの電力をターゲット電極２５に供給して、
ターゲット２９と基板２２との間に放電を起こさせると
スパッタリングが行われる。スパッタリングは、ターゲ
ット２９から飛散した酸化インジウムと酸化錫のスパッ
タ粒子が、対向する基板２２の表面に付着してＩＴＯ導
電膜として成膜されることにより行われる。この時、ス
パッタ室１９の内壁面やターゲット２９の表面またはス
パッタホルダ２３などから放出される不純ガス中の酸素
や水分が、ターゲット２９より飛散する窒素により置換
緩和される。よって、基板２２の表面に成膜されるＩＴ
Ｏ導電膜と不純ガス中の酸素や水分が直接酸化反応を行
うのを防止することができる。また、この窒素は、ＩＴ
Ｏ導電膜に取り込まれるため、この取り込まれた窒素が
ドナーとして作用することができる。Sputtering is performed as follows. First, about 10 wt% of tin oxide (SnO 2 ) is added to indium oxide (In 2 O 3 ), and the nitrogen-doped target 29 is held by the target electrode 25 by magnetic force. The impurity concentration of nitrogen in indium oxide and tin oxide can be set to, for example, about 50 mol%. Then, the substrate 22 attached to the sputter holder 23 is transferred from the loading stocker 20 to the sputter chamber 1
9 and is placed above the target 29 so as to face it.
Next, the temperature of the substrate 22 is set to 200 ° C. by the heater 26.
Raise back and forth, hold for 20 minutes and heat in vacuum. Then, the inside of the sputtering chamber 19 is further evacuated to a high vacuum by a vacuum pump to about 10 −6 Torr. After that, argon gas is introduced as an inert gas from the sputter gas introduction pipe 28 to increase the gas pressure in the sputter chamber 19 to 3 m.
Prepare to about Torr. In that state, a DC power source 27 supplies 500 W of power to the target electrode 25,
When electric discharge is generated between the target 29 and the substrate 22, sputtering is performed. Sputtering is performed by sputtered particles of indium oxide and tin oxide scattered from the target 29 adhering to the surface of the opposing substrate 22 to form an ITO conductive film. At this time, oxygen and moisture in the impure gas discharged from the inner wall surface of the sputtering chamber 19, the surface of the target 29, the sputter holder 23, etc. are replaced and relaxed by the nitrogen scattered from the target 29. Therefore, the IT formed on the surface of the substrate 22
It is possible to prevent the O conductive film and oxygen or water in the impure gas from directly performing an oxidation reaction. Also, this nitrogen is IT
Since it is incorporated into the O conductive film, the incorporated nitrogen can act as a donor.
【００１８】上記実施例においては、不純物ガスの悪影
響を排して、透明度が良好で一定の膜厚のＩＴＯ導電膜
を成膜することができた。このＩＴＯ導電膜の窒素含有
量は４０ｍｏｌ％程度となり、比抵抗を４００μΩｃｍ
前後まで低減することができた。また、このＩＴＯ導電
膜はエッチング特性にも優れており、液晶表示装置の絵
素電極やソースバスラインの冗長構造として用いられる
のに適している。In the above embodiment, the adverse effect of the impurity gas was eliminated and an ITO conductive film having good transparency and a constant film thickness could be formed. The nitrogen content of this ITO conductive film was about 40 mol%, and the specific resistance was 400 μΩcm.
It was possible to reduce to the front and back. Further, this ITO conductive film is also excellent in etching characteristics and is suitable for being used as a redundant structure of a pixel electrode or a source bus line of a liquid crystal display device.
【００１９】上記においては、基板２２温度を２００℃
としたが、成膜条件を変えることによりさらに低抵抗な
ＩＴＯ導電膜を得ることもできる。例えば、基板２２温
度を３００℃とすると、比抵抗が３５０μΩｃｍのＩＴ
Ｏ導電膜を成膜することができる。上記のようにして成
膜されたＩＴＯ導電膜は、液晶表示装置のみでなく、Ｅ
Ｌ表示装置やその他の情報処理機器の電極または配線材
料として広く用いることができる。また、ＴＦＴを用い
たアクティブマトリックス型液晶表示装置のみでなく、
ＭＩＭ、ダイオード、ＦＥＴ（バルクトランジスタ）、
バリスタなどを用いたアクティブマトリックス型液晶表
示装置にも用いることができる。また、単純マトリクス
型液晶表示装置に用いることもできる。In the above, the temperature of the substrate 22 is set to 200 ° C.
However, an ITO conductive film having a lower resistance can be obtained by changing the film forming conditions. For example, if the temperature of the substrate 22 is 300 ° C., IT having a specific resistance of 350 μΩcm
An O conductive film can be formed. The ITO conductive film formed as described above is used not only for the liquid crystal display device but also for the E conductive film.
It can be widely used as an electrode or wiring material for L display devices and other information processing equipment. In addition to the active matrix type liquid crystal display device using the TFT,
MIM, diode, FET (bulk transistor),
It can also be used in an active matrix type liquid crystal display device using a varistor or the like. It can also be used in a simple matrix type liquid crystal display device.
【００２０】[0020]
【発明の効果】以上の説明から明らかなように、本発明
によれば、不純ガスによつ悪影響を排して、透明度が良
好で膜厚が一定な、比抵抗が低いＩＴＯ導電膜を再現性
よく製造することができる。As is apparent from the above description, according to the present invention, an ITO conductive film having a good transparency and a constant film thickness and a low specific resistance is reproduced by eliminating the adverse effect of the impure gas. It can be manufactured with good properties.
【図１】本発明に用いられるスパッタリング装置の一例
を示す縦断面図である。FIG. 1 is a vertical sectional view showing an example of a sputtering apparatus used in the present invention.
【図２】アクティブマトリックス型液晶表示装置の絵素
の構成を示す平面図である。FIG. 2 is a plan view showing a configuration of picture elements of an active matrix type liquid crystal display device.
【図３】図２のＸ−Ｘ’断面図である。3 is a cross-sectional view taken along the line X-X ′ of FIG.
２９ ターゲット ２２ 基板 １８ａ、１８ｂ ＩＴＯ電極 29 target 22 substrate 18a, 18b ITO electrode
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 片山 幹雄 大阪府大阪市阿倍野区長池町22番22号 シ ャープ株式会社内 (72)発明者 高濱 学 大阪府大阪市阿倍野区長池町22番22号 シ ャープ株式会社内 (72)発明者 嶋田 吉祐 大阪府大阪市阿倍野区長池町22番22号 シ ャープ株式会社内 ─────────────────────────────────────────────────── ─── Continuation of front page (72) Inventor Mikio Katayama 22-22 Nagaike-cho, Abeno-ku, Osaka-shi, Osaka Within Sharp Co., Ltd. (72) Manabu Takahama 22-22 Nagaike-cho, Abeno-ku, Osaka-shi, Osaka Osaka Incorporated (72) Inventor Yoshisuke Shimada 22-22 Nagaike-cho, Abeno-ku, Osaka-shi, Osaka
Claims (2)
素をドーピングしたターゲットを用いてスパッタリング
することにより形成された窒素を含むＩＴＯ導電膜。1. An ITO conductive film containing nitrogen, which is formed by sputtering a mixture of indium oxide and tin oxide using a target doped with nitrogen.
混合物に窒素をドーピングしたターゲットを用いてスパ
ッタリングを行うことにより窒素を含むＩＴＯ導電膜を
形成するＩＴＯ導電膜の製造方法。2. A method for manufacturing an ITO conductive film, wherein an ITO conductive film containing nitrogen is formed on a substrate by sputtering using a target obtained by doping a mixture of indium oxide and tin oxide with nitrogen.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP28648992A JPH06139844A (en) | 1992-10-23 | 1992-10-23 | ITO conductive film and method for manufacturing the same |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP28648992A JPH06139844A (en) | 1992-10-23 | 1992-10-23 | ITO conductive film and method for manufacturing the same |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH06139844A true JPH06139844A (en) | 1994-05-20 |
Family
ID=17705067
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP28648992A Pending JPH06139844A (en) | 1992-10-23 | 1992-10-23 | ITO conductive film and method for manufacturing the same |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH06139844A (en) |
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