JPH06132442A - 半導体装置およびその製造方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【目的】 実装時水蒸気爆発の起き難い表面実装型樹脂
封止型半導体装置の提供 【構成】 タブ４に複合型十字状スリット配列のスリッ
ト１０を設け、かつチップボンディングにおいては、前
記スリットやタブの縁によって区画化された９箇所の分
割状タブ領域１１のうちの四隅４箇所の分割状タブ領域
にのみＡｇペーストからなる塗布ペースト１２を塗布し
て半導体素子５を固定する。前記Ａｇペースト８は１５
〜２５μｍ程度と薄くなっている。薄く部分的であるこ
とから、Ａｇペースト８での水分吸湿量が少なくなり、
半導体装置２０のリフロー実装時、Ａｇペーストに吸湿
された水分による水蒸気爆発が起きなくなる。この結
果、モールド樹脂１におけるクラック，タブ４と半導体
素子５の剥離，これらに伴うワイヤの破断等は発生しな
くなる。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【産業上の利用分野】本発明は樹脂封止型半導体装置、
特に表面実装型樹脂封止型半導体装置に関する。

【０００２】

【従来の技術】電子機器は、機能面から高密度実装化
が、実装面から軽量化，小型化，薄型化が要請されてい
る。このため、電子機器に組み込まれる電子部品の多く
は、表面実装が可能な構造に移行してきている。表面実
装型樹脂封止型半導体装置については、たとえば、工業
調査会発行「電子材料」１９８８年４月号、昭和６３年
４月１日発行、Ｐ７４〜Ｐ７９に記載されている。この
文献には、高密度表面実装型半導体デバイスにおいて、
パッケージを形成する樹脂の吸湿とリフロー実装に起因
する樹脂剥離，樹脂クラックについて記載されている。
また、この文献には、「高密度表面実装化にともなっ
て，パッケージはＳＯＰ（Ｓｍａｌｌ Ｏｕｔｌｉｎｅ
Ｐａｃｋａｇｅ），ＳＯＪ（Ｓｍａｌｌ Ｏｕｔｌｉ
ｎｅ Ｊ−ｌｅａｄ），ＱＦＰ（Ｑｕａｄ Ｆｌａｔ
Ｐａｃｋａｇｅ），ＰＬＣＣ（Ｐｌａｓｔｉｃ Ｌｅａ
ｄｅｄ Ｃｈｉｐ Ｃａｒｒｉｅｒ）など多種多様化
し，ハンダディップ方式を始め，赤外線，ベーパフェー
ズなどのリフロー方式が採用されるようになった。２０
０℃以上のディップやリフロー条件下にさらすと，封止
樹脂は熱変形を起こし，リードフレームやチップとの剥
離や内部樹脂クラックが発生し，耐湿性の著しい劣化を
招く」と記載され、かつ剥離，樹脂クラックの発生機構
が図解されている。この図において、剥離は、半導体素
子と樹脂との界面および半導体素子を固定したタブ裏面
と樹脂との界面で発生している。

【０００３】一方、特開昭５９−１６３５７号公報に
は、半導体ペレット（半導体素子）が搭載される部分の
一部あるいは数箇所を抜いた構造のアイランドを有する
リードフレームを用いて半導体装置を製造した例が記載
されている。この公報には、「アイランド内で抜き去っ
た部分に樹脂が充填されるので、アイランド面の樹脂の
体積が増える。従って、等価的にこの部分の樹脂が厚く
なり熱ストレスや水分等に強くなるので、高信頼度のモ
ールド品が得られる」旨記載されている。

【０００４】また、ダイパッドに穴を設けた例として、
日立評論社発行「日立評論」１９９２年第３号、平成４
年３月２５日発行、Ｐ７５〜Ｐ８０に開示された技術が
ある。この文献では、封止樹脂とダイパッドの界面の密
着性を向上するために、ダイパッドに貫通穴を設け、ダ
イパッドの分割によってリフロー時の水蒸気圧による剥
離発生を低減している。前記貫通穴は十文字状または十
文字状の繰り返し配列になっている。

【０００５】また、ダイ・パッド部に貫通した穴を開け
て樹脂との密着性を向上させた例としては、日経ＢＰ社
発行「日経マイクロデバイス」１９８８年５月号、昭和
６３年５月１日発行、Ｐ４１〜Ｐ４７に開示された技術
がある。このダイ・パッド部に貫通した穴を開けて樹脂
との密着性を上げた半導体装置の場合は、半田でチップ
を固定した構造となっている。そして、この文献には
「チップが半田付けだからできる。Ａｇペーストなどで
は貫通穴をふさいでしまう」という競合メーカーの意見
もあることが紹介されている。また、この文献によれ
ば、ダイ・パッドとチップとの接合は、半田，絶縁性の
接着剤，銀ペーストで行っていること、多くのメーカー
は銀ペーストを接着済として使用していることが記載さ
れている。さらに、この文献には、リフロークラックを
解決する対策の一つとして、「水分の浸入を少なくす
る。浸入しても早めに水分を出す」なる対策方法がある
旨記載され、かつ「タイ・バーから水分を逃がす」こと
が記載されている。そして、要約すると、「リードフレ
ームと樹脂との密着性を上げるばかりが良い方向とは限
らない」とし、「むしろすき間があった方が、水分はパ
ッケージの外部に出ていきやすいのではないかと見る」
という考えがあり、「４ＭＤＲＡＭになるとつりピン
（タイ・バー）が短かくなるので、リードフレームと樹
脂の界面にたまった水分が外部に出やすくなる」という
意見もある旨記載されている。

【０００６】

【発明が解決しようとする課題】表面実装型樹脂封止型
半導体装置は、前記文献にも記載されているように、図
８に示すように、モールド樹脂１からなるパッケージ２
の周囲からリード３を突出させる外観形状となってい
る。また、パッケージ２内においては、タブ４の上面に
半導体素子（半導体チップ）５が固定されている。そし
て、前記半導体チップ５の図示しない電極と前記リード
３の内端が導電性のワイヤ６で電気的に接続されてい
る。このような半導体装置において、前記モールド樹脂
１内に吸湿されかつタブ４とモールド樹脂１の間に溜ま
った水分は、半導体装置の実装時の熱によって気化しか
つ急激に膨張する（水蒸気爆発）。この結果、同図のよ
うにモールド樹脂１がタブ４や半導体素子５から剥離
（剥離による空隙７）したり、タブ４の端や半導体チッ
プ５の端からクラック９が延びてしまう。また、極端な
場合には、パッケージ２（モールド樹脂１）が割れてし
まう。

【０００７】表面実装型樹脂封止型半導体装置における
実装時の水蒸気爆発によるタブと樹脂との剥離やクラッ
ク発生抑止は、タブとパッケージを構成する樹脂との接
着強度を強くするだけでは充分ではないことが、前記文
献にも記載されている。すなわち、水分をパッケージ外
に速やかに放出させることも大事である。また、本発明
による水蒸気爆発によって破損した半導体装置の分析検
討によって、図９に示すように、クラック９の中には、
半導体素子５とタブ４を接合する接着済である銀ペース
ト（Ａｇペースト）８の端から発生しているものがある
ことが判明した。このことは、Ａｇペースト８が水分を
含み、これによって水蒸気爆発が発生し、半導体素子５
とタブ４との間での剥離（図示せず）やモールド樹脂１
でのクラック発生につながることを示すものである。

【０００８】一方、本出願人においては、図１０に示す
ように、タブ（ダイパッド）４に孔（スリット）１０を
設けている。また、この孔１０は、ダイパッドの分割を
図るように十文字状繰り返し孔配列（複合型十字状スリ
ット配列または単一の十文字状スリット配列）となって
いる。一般にタブにＡｇペーストを用いて半導体素子を
固定する場合、タブの半導体素子取付領域に１箇所また
は数箇所Ａｇペーストを塗布した後、前記半導体素子取
付領域に半導体素子を重ねて取り付け、その後前記Ａｇ
ペーストを硬化させてタブに半導体素子を固定してい
る。また、前記タブの半導体素子取付領域に半導体素子
を重ねて取り付ける際、半導体素子に一定の外力（加圧
力）を働かせて、半導体素子とタブとの間のＡｇペース
トを押し潰して広げ、タブの平坦面と半導体素子とが全
域で密着するようにしている。したがって、本出願人に
おいても、前記十文字状スリットまたは複合型十字スリ
ットを有するタブ４においては、スリット１０で分割化
された分割状タブ領域１１、すなわち、スリット１０と
タブ４の周縁で囲まれた各分割状タブ領域１１の略中心
部分に、ディスペンサーを用いてＡｇペーストを滴下し
てスポット的に塗布（塗布ペースト１２）し、その後半
導体素子５を取り付け、かつＡｇペーストを硬化させて
半導体素子５をタブ４に固定している。二点鎖線で示す
前記塗布ペースト１２は、半導体素子５の取り付け時に
加圧されて押し潰されることから、図１０においてハッ
チングで示されるように分割状タブ領域１１は勿論のこ
ととして、各分割状タブ領域１１を連結する連結部分１
３にまで広がる。この図１で示すハッチング部分がＡｇ
ペースト８である。また、前記文献に示されているよう
に、Ａｇペースト８は、その量によってはスリット１０
部分にまで流れ込むこともある。

【０００９】本発明の目的は、実装時水蒸気爆発の起き
難い表面実装型樹脂封止型半導体装置を提供することに
ある。特にタブに半導体素子を接着する接着済部分の水
分に起因する水蒸気爆発の発生を抑える技術を提供する
ことにある。本発明の前記ならびにそのほかの目的と新
規な特徴は、本明細書の記述および添付図面からあきら
かになるであろう。

【００１０】

【課題を解決するための手段】本願において開示される
発明のうち代表的なものの概要を簡単に説明すれば、下
記のとおりである。すなわち、本発明の表面実装型樹脂
封止型半導体装置は、パッケージ内に設けられたタブに
Ａｇペーストを介して半導体素子を固定する構造となっ
ているとともに、前記タブには複数の孔（スリット）が
設けられている。前記複数のスリットは十文字状繰り返
し孔配列となり、複数のスリットによって囲まれる分割
状タブ領域および複数のスリットとタブ縁に囲まれる分
割状タブ領域を形成している。そして、前記タブの半導
体素子取付領域に半導体素子を固定する際は、前記タブ
の半導体素子取付領域において所望領域である分割状タ
ブ領域の周辺部分および分割状タブ領域を連結する連結
部分にＡｇペーストが存在しない状態を作り出すよう
に、前記Ａｇペーストの塗布位置および塗布量ならびに
Ａｇペーストに加える加圧力を選択し、その後半導体素
子をタブの半導体素子取付領域に固定する。これによっ
て、半導体素子はタブの平坦面の一部がＡｇペーストで
固定され、少なくともスリット，連結部分にはＡｇペー
ストが存在しない領域となる。また、半導体素子をタブ
に固定したＡｇペーストの厚さは接着に必要最小限の厚
さ、たとえば１５〜２５μｍ程度と薄くされている。

【００１１】

【作用】上記した手段によれば、本発明の表面実装型樹
脂封止型半導体装置は、タブと半導体素子を接着するＡ
ｇペーストは部分的であることと、薄いことから、Ａｇ
ペースト部分が吸収する水分の量（水分吸湿量）が減
る。したがって、この半導体装置のリフロー実装時、Ａ
ｇペースト部分での水分の絶対量が少ないことによって
水蒸気爆発の発生が抑止できる。

【００１２】

【実施例】以下図面を参照して本発明の一実施例につい
て説明する。図１は本発明の一実施例による半導体装置
におけるタブと半導体素子の相関を示す模式的平面図、
図２は本発明の半導体装置の断面図、図３は同じく半導
体装置の平面図、図４は本発明の半導体装置の製造に用
いられるリードフレームの平面図、図５は本発明の半導
体装置の製造においてチップボンディング，ワイヤボン
ディング等が行われたリードフレームの平面図である。

【００１３】本発明による表面実装型樹脂封止型半導体
装置は、図２および図３に示すように、外観的にはモー
ルド樹脂１によって形成されたパッケージ２と、このパ
ッケージ２の周囲から突出する複数のリード３とからな
っている。前記リード３は、パッケージ２の内外に亘っ
て延在する。パッケージ２から突出するアウターリード
１０の端子形状は特に限定はされないが、ガルウイング
型表面実装形状となっている。また、前記モールド樹脂
１の中心部分には、タブ４が配置されるとともに、この
タブ４上には半導体チップ５が接着済１１を介して固定
されている。図１では接着済１１が部分的に使用されて
いる状態を示してあるが、半導体素子５の全面で接着さ
せてもよい。また、前記半導体素子５の電極と、パッケ
ージ２内に位置するリード３部分、すなわちインナーリ
ード１２の内端は、導電性のワイヤ６で接続されてい
る。

【００１４】一方、前記半導体素子５が固定されるタブ
４には、図１に示すように孔１０が複数設けられてい
る。この孔１０は細長のスリット１０となるとともに、
４個のスリット１０によって十文字状を形成している。
また、タブ４のスリットパターンは、前記単一の十文字
状配列が二次元方向に繰り返し配列されたパターンとな
っている。そして、これらのスリット１０によって、タ
ブ４は９個の平坦領域に分割（区画）化される。すなわ
ち、この分割化された領域（分割状タブ領域１１）は、
周囲が４個のスリット１０で囲まれた中央箇所と、二辺
または三辺がスリット１０の縁で形成されかつ残りの二
辺または一辺がタブ４の縁で形成される周辺の８箇所と
なる。そして、このようなタブ４に固定された半導体素
子５は、タブ４の四隅の分割状タブ領域１１部分のみが
Ａｇペースト８によって固定された構造となっている。

【００１５】このように、四隅の分割状タブ領域１１の
みがチップボンディングに供されるように、半導体装置
製造におけるチップボンディング時のディスペンサによ
るＡｇペーストの塗布は、タブ４の四隅の分割状タブ領
域１１に行われる。また、Ａｇペーストがチップボンデ
ィングに供したくない領域に連結部分１３を越えて浸入
しないように、ディスペンサによるＡｇペーストの塗布
は、図１に示すように、タブ４の四隅の分割状タブ領域
１１の中央にスポット的に塗布される。図１の二点鎖線
で示す箇所がＡｇペースト８による塗布ペースト１２で
ある。

【００１６】Ａｇペースト８の塗布がスポット的で少な
いことから、半導体素子５に一定の加圧力を加えて塗布
ペースト１２を押し潰して半導体素子５を固定した場
合、タブ４に半導体素子５を固定するＡｇペースト８
（図１では一部にハッチングを施して示してある）の厚
さは、特に限定はされないが、１５〜２５μｍ程度と薄
くなる。また、局所的固定となることから、図２におけ
るタブ４の中央領域および図１の四隅の分割状タブ領域
１１を除く領域は、接着済がない領域、すなわち無接着
領域１４となっている。この無接着領域１４は吸湿性の
Ａｇペーストが存在しないことから、水分の溜まる率
（水分吸湿率）が低い。

【００１７】このような表面実装型樹脂封止型半導体装
置２０は、タブ４と半導体素子５との間のＡｇペースト
８は部分的であり、かつ面積的にもタブ４の半導体素子
取付領域の半分以下となる。また、Ａｇペースト８の厚
さも１５〜２５μｍと薄いため、タブ４と半導体素子５
間のＡｇペースト８の絶対量は、半導体素子取付領域全
体にＡｇペースト８を設ける従来に比較して大幅に少な
くなり、Ａｇペースト８における水分吸湿量も少なくな
る。この結果、この半導体装置２０のリフロー実装時、
Ａｇペースト８に吸湿された水分がリフロー実装による
熱によって気化する際、気化する量も少ないことから水
蒸気爆発を起こすようなことはなく、モールド樹脂１に
おけるクラック発生，タブ４と半導体素子５との剥離発
生，これらに伴うワイヤの破断発生は防止できることに
なる。

【００１８】つぎに、このような半導体装置２０の製造
方法について図４および図５を用いて説明する。最初に
図４に示されるようなリードフレーム２５が用意され
る。このリードフレーム２５は、０．１ｍｍ〜０．１５
ｍｍの厚さのＦｅ−Ｎｉ系合金あるいはＣｕ合金等から
なる金属板をエッチングまたは精密プレスによってパタ
ーニングすることによって形成される。リードフレーム
２５は複数の単位リードパターンを一方向に直列に並べ
た形状となっている。単位リードパターンは、一対の平
行に延在する外枠２６と、この一対の外枠２６を連結し
かつ外枠２６に直交する方向に延在する一対の内枠２７
とによって形成される枠２８内に形成されている。この
枠２８の中央には、矩形状のタブ（支持体）４が配設さ
れている。また、前記枠２８の四隅の支持片部３０から
は細いタブ吊りリード２９が延在し、その先端で前記タ
ブ４の四隅をそれぞれ支持している。

【００１９】一方、前述のように前記タブ４には複合型
十字状スリット配列に孔（スリット）１０が設けられて
いる。このスリット１０は、レジンモールドの際、この
スリット１０にモールド樹脂を流れ込ませ、モールド樹
脂とタブ４との接着強度向上を図るようになっている。
また、１２本の前記スリット１０とタブ４の縁によっ
て、中央および八方位にそれぞれ分割状タブ領域１１が
形成されることになる。このようなリードフレーム２５
において、本発明では、数ある分割状タブ領域１１のう
ちの一部の分割状タブ領域１１のみを半導体素子５を接
着するための領域として使用する。

【００２０】他方、前記枠２８の各外枠２６および内枠
２７の内側からは、相互に平行となって枠２８の中央の
タブ４に向かって複数のリード３が延在している。これ
らリード３はその先端をタブ４の近傍に臨ませている。
また、前記リード３は、前記隣合う支持片部３０間に亘
って設けられた細いダム３３と交差するパターンとなっ
ている。そして、このダム３３によって各リード３はそ
の途中を支持されている。前記ダム３３は後述するレジ
ンモールド時、溶けたレジンの流出を阻止するダムとし
て、また強度部材として作用する。なお、前記外枠２６
には、図示しないガイド孔が設けられている。このガイ
ド孔は、リードフレーム２５の移送や位置決め等のガイ
ドとして利用される。

【００２１】つぎに、このようなリードフレーム２５に
対して、図４に示すように、チップボンディングおよび
ワイヤボンディングが行われる。この実施例では、タブ
４の四隅の分割状タブ領域１１のみを半導体素子５の接
着領域として使用する。そこで、ディスペンサによって
前記四隅の分割状タブ領域１１にペースト状接着材、た
とえば、Ａｇペースト８を数箇所に塗布する。Ａｇペー
スト８の塗布は、図４に示すようにスポット的に行われ
る。塗布された二点鎖線で示される塗布ペースト１２
は、塗布ペースト１２が塗布された分割状タブ領域１１
の表面に広がるが、分割状タブ領域１１と分割状タブ領
域１１を連結する連結部分１３を越えて塗布ペースト１
２が塗布されない分割状タブ領域１１に流れ込まないよ
うに、塗布ペースト１２の塗布量が調整される。

【００２２】つぎに、図４に示すように、タブ４上に半
導体素子５が重ねられ、かつ一定の加圧力が加えられ
る。この加圧によって、前記塗布ペースト１２は押し潰
されて塗布ペースト１２が設けられた分割状タブ領域１
１と半導体素子５とを接着するようになる。この接着さ
れたＡｇペースト８の厚さは、できるだけ薄いことが水
分の吸湿を少なくすることで望ましい。前記タブ４と半
導体素子５との間に延在するＡｇペースト８の厚さは、
たとえば１５〜２５μｍ程度となっている。

【００２３】つぎに、図５に示すように、半導体素子５
の図示しない電極とリード３の内端は、導電性のワイヤ
６で接続（ワイヤボンディング）される。

【００２４】つぎに、このリードフレーム２５は、常用
のモールド（トランスファモールド）技術によって、所
定部分にパッケージ２が形成される。パッケージ２は、
図５の二点鎖線で示すように、タブ４，半導体素子５，
リード３の内端部分，ワイヤ６等を被う。つぎに、不要
となるリードフレーム部分は切断除去される。さらに、
パッケージ２から突出するリード３は成形されて、図２
に示されるようなガルウイング型の半導体装置２０が製
造される。

【００２５】このような半導体装置２０においては、半
導体装置２０を配線基板に実装した場合、すなわち、図
示しない配線基板上のフットプリントにパッケージ２か
ら突出するリード３の先端部分を重ね、半田リフローに
よってフットプリントとリード３の先端との接合を図っ
た場合、半田リフロー時の熱によってパッケージ内部の
水分は急激にガス化（水蒸気）するが、タブ４と半導体
素子５を接合するＡｇペースト８は局所的にしか設けら
れていないことと、Ａｇペースト８の厚さは薄いことか
ら、水蒸気は極めて少なく、タブ４と半導体素子５との
界面での水蒸気爆発は発生しなくなる。

【００２６】

【発明の効果】（１）本発明の表面実装型樹脂封止型半
導体装置にあっては、タブの一部にＡｇペーストを設
け、このＡｇペーストだ半導体素子を固定する構造とな
っている。したがって、このＡｇペーストでの水分の吸
湿量はすくなくなるため、半導体装置のリフロー実装時
の熱によるタブと半導体素子との間での水蒸気爆発は発
生しなくなるという効果が得られる。

【００２７】（２）上記（１）により、本発明の表面実
装型樹脂封止型半導体装置にあっては、その製造時、タ
ブに複合型十字状スリット配列にスリットを設け、この
スリットを利用してＡｇペーストの部分接着を行わうこ
とから、半導体素子の部分接着が再現性良く行えるとい
う効果が得られる。

【００２８】（３）本発明の表面実装型樹脂封止型半導
体装置にあっては、タブと半導体素子を接着するＡｇペ
ーストは薄く形成されている。したがって、このＡｇペ
ーストにおける水分吸湿量は少なくなり、半導体装置の
リフロー実装時の熱によるタブと半導体素子との間での
水蒸気爆発は発生しなくなるという効果が得られる。

【００２９】（４）上記（１）〜（３）により、本発明
によれば、リフロー実装時水蒸気爆発が起き難い表面実
装型樹脂封止型半導体装置を提供することができるとい
う相乗効果が得られる。

【００３０】以上本発明者によってなされた発明を実施
例に基づき具体的に説明したが、本発明は上記実施例に
限定されるものではなく、その要旨を逸脱しない範囲で
種々変更可能であることはいうまでもない、たとえば、
図６および図７に示すように、単一の十字状スリット配
列のスリット１０を有するタブ４の場合は、図６に示す
ように、分割状タブ領域１１の中央に少量のＡｇペース
ト８を滴下して小径の塗布ペースト１２を形成する。そ
して、半導体素子５をタブ４に固定した場合には、図７
に示すように、押し潰されて広がったＡｇペースト８
が、分割状タブ領域１１の中央部分にのみ存在し、周囲
は勿論のこととして連結部分１３にも広がらないように
する。これによって、タブ４の主面において、Ａｇペー
スト８が存在する領域と、Ａｇペースト８が存在しない
無接着領域１４を形成することができる。前記無接着領
域１４は、タブ４における半導体素子取付領域の半分以
上となっている。また、この実施例の場合も、Ａｇペー
スト８の厚さは１５〜２５μｍ程度となっている。した
がって、この半導体装置２０もリフロー実装時に、タブ
４と半導体素子５における水蒸気爆発が起きなくなる。

【００３１】以上の説明では主として本発明者によって
なされた発明をその背景となった利用分野である表面実
装型樹脂封止型半導体装置の製造技術に適用した場合に
ついて説明したが、それに限定されるものではない。本
発明は少なくとも樹脂封止型半導体装置の製造技術には
適用できる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の一実施例による半導体装置におけるタ
ブと半導体素子の相関を示す模式的平面図である。

【図２】本発明の半導体装置の断面図である。

【図３】本発明の半導体装置の平面図である。

【図４】本発明の半導体装置の製造に用いられるリード
フレームの平面図である。

【図５】本発明の半導体装置の製造においてチップボン
ディング，ワイヤボンディング等が行われたリードフレ
ームの平面図である。

【図６】本発明の他の実施例によるリードフレームにお
けるタブの平面図である。

【図７】本発明の他の実施例によるリードフレームにお
けるタブに半導体素子が固定された状態を示す模式的平
面図である。

【図８】従来の半導体装置における水蒸気爆発による破
損状態を示す模式的断面図である。

【図９】本発明者観察による半導体装置の水蒸気爆発に
よるクラック例を示す模式的断面図である。

【図１０】本出願人による半導体装置の製造におけるチ
ップボンディング状態を示す模式的平面図である。

【符号の説明】

１…モールド樹脂、２…パッケージ、３…リード、４…
タブ、５…半導体素子（半導体チップ）、６…ワイヤ、
７…空隙、８…銀ペースト（Ａｇペースト）、９…クラ
ック、１０…孔（スリット）、１１…分割状タブ領域、
１２…塗布ペースト、１３…連結部分、１４…無接着領
域、２０…半導体装置、２５…リードフレーム、２６…
外枠、２７…内枠、２８…枠、２９…タブ吊りリード、
３０…支持片部、３３…ダム。

Claims (4)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 モールド樹脂からなるパッケージと、こ
   のパッケージ内に設けられたタブと、このタブに接着済
   を介して固定された半導体素子と、前記パッケージの内
   外に亘って延在する複数のリードとを有する半導体装置
   であって、前記タブと半導体素子との接着に供されるタ
   ブ平坦面の一部を接着済で固定してなることを特徴とす
   る半導体装置。
2. 【請求項２】 モールド樹脂からなるパッケージと、こ
   のパッケージ内に設けられたタブと、このタブに接着済
   を介して固定された半導体素子と、前記パッケージの内
   外に亘って延在する複数のリードとを有する半導体装置
   であって、前記タブには複数の孔が設けられ、かつこれ
   ら孔に取り囲まれる領域および／または前記孔とタブの
   周縁で囲まれる領域の一部は接着済が存在しない領域と
   なっていることを特徴とする半導体装置。
3. 【請求項３】 前記タブと前記半導体素子は銀ペースト
   によって接着されていることを特徴とする請求項１また
   は請求項２記載の半導体装置。
4. 【請求項４】 タブの半導体素子取付領域に数箇所に亘
   ってペースト状接着済を塗布する工程と、前記半導体素
   子取付領域に半導体素子を重ねて取り付ける工程と、前
   記ペースト状接着済を硬化させてタブに半導体素子を固
   定する工程とを有する樹脂封止型半導体装置の製造方法
   であって、前記タブの半導体素子取付領域において所望
   領域にペースト状接着済が存在しない状態を作り出すよ
   うに、前記ペースト状接着済の塗布位置および塗布量な
   らびにペースト状接着済に加える加圧力を選択し、その
   後半導体素子をタブの半導体素子取付領域に固定するこ
   とを特徴とする半導体装置の製造方法。