JPH06118912A - 表示装置 - Google Patents
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- JPH06118912A JPH06118912A JP18418993A JP18418993A JPH06118912A JP H06118912 A JPH06118912 A JP H06118912A JP 18418993 A JP18418993 A JP 18418993A JP 18418993 A JP18418993 A JP 18418993A JP H06118912 A JPH06118912 A JP H06118912A
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Landscapes
- Liquid Crystal (AREA)
- Liquid Crystal Display Device Control (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【構成】 各絵素ごとに、絵素データを保持するための
保持用容量CHと、この保持用容量CHの電圧に応じて絵
素容量CPに正負の電荷を供給する双方向アンプ回路2
が設けられた。また、絵素容量CPに並列に充電負荷回
路21が設けられた。 【効果】 保持用容量CHと双方向アンプ回路2を用い
て絵素容量CPのリーク電流を補い明瞭な表示を長時間
維持する実用的な回路を提供することができるようにな
る。また、この絵素容量CPの電圧を安定化して表示を
さらに明瞭にする。
保持用容量CHと、この保持用容量CHの電圧に応じて絵
素容量CPに正負の電荷を供給する双方向アンプ回路2
が設けられた。また、絵素容量CPに並列に充電負荷回
路21が設けられた。 【効果】 保持用容量CHと双方向アンプ回路2を用い
て絵素容量CPのリーク電流を補い明瞭な表示を長時間
維持する実用的な回路を提供することができるようにな
る。また、この絵素容量CPの電圧を安定化して表示を
さらに明瞭にする。
Description
【0001】
【産業上の利用分野】本発明は、アクティブ駆動方式の
表示装置に関する。
表示装置に関する。
【0002】
【従来の技術】アクティブマトリクス駆動方式の液晶表
示装置は、多数の走査信号線とデータ信号線を備え、各
交差部に絵素が設けられている。各絵素は、図10に示
すように、スイッチ素子11と絵素容量CPとによって
構成されている。スイッチ素子11は、ここではTFT
(薄膜トランジスタ)によって構成され、このTFTの
ドレイン−ソース端子間を介してデータ信号線12と絵
素容量CPの一方の電極とを接続するようになってい
る。また、このスイッチ素子11のTFTにおけるゲー
ト端子は、走査信号線13に接続されている。絵素容量
CPは、一方の電極と他方の電極との間に液晶を配置し
た構成であり、他方の電極はコモン電源線14に接続さ
れている。従って、走査信号線13をアクティブにする
とスイッチ素子11がONとなり、データ信号線12上
の絵素データが絵素容量CPに電荷として送り込まれ
る。そして、スイッチ素子11がOFFに戻った後も、
絵素容量CPに蓄積された電荷により液晶に電界が印加
されて表示が維持されることになる。
示装置は、多数の走査信号線とデータ信号線を備え、各
交差部に絵素が設けられている。各絵素は、図10に示
すように、スイッチ素子11と絵素容量CPとによって
構成されている。スイッチ素子11は、ここではTFT
(薄膜トランジスタ)によって構成され、このTFTの
ドレイン−ソース端子間を介してデータ信号線12と絵
素容量CPの一方の電極とを接続するようになってい
る。また、このスイッチ素子11のTFTにおけるゲー
ト端子は、走査信号線13に接続されている。絵素容量
CPは、一方の電極と他方の電極との間に液晶を配置し
た構成であり、他方の電極はコモン電源線14に接続さ
れている。従って、走査信号線13をアクティブにする
とスイッチ素子11がONとなり、データ信号線12上
の絵素データが絵素容量CPに電荷として送り込まれ
る。そして、スイッチ素子11がOFFに戻った後も、
絵素容量CPに蓄積された電荷により液晶に電界が印加
されて表示が維持されることになる。
【0003】
【発明が解決しようとする課題】ところが、上記絵素容
量CPは、実際には、図11に示すように、比較的抵抗
値の小さいリーク抵抗Rが存在するので、蓄積された電
荷がこのリーク抵抗Rを介してリーク電流として漏れ出
すことになる。しかも、絵素容量CPの容量は、通常は
0.1pF以下の極めて小さい値であるため蓄積される
電荷量も僅なものとなり、これがリーク電流として漏れ
出すと電圧も大幅に低下する。従って、図12に示すよ
うに、スイッチ素子11がONとなる書き込み期間中に
絵素データに応じた電荷が絵素容量CPに蓄積されてか
ら次の書き込み期間までのデータ保持期間中に、この絵
素容量CPからリーク電流によって電荷が徐々に失われ
電圧も大きく減衰するようになる。そして、このように
データ保持期間中に絵素容量CPの電圧が減衰すると、
画面が視覚的にチラツキを生じフリッカとなって表示品
位を低下させるという問題が発生する。
量CPは、実際には、図11に示すように、比較的抵抗
値の小さいリーク抵抗Rが存在するので、蓄積された電
荷がこのリーク抵抗Rを介してリーク電流として漏れ出
すことになる。しかも、絵素容量CPの容量は、通常は
0.1pF以下の極めて小さい値であるため蓄積される
電荷量も僅なものとなり、これがリーク電流として漏れ
出すと電圧も大幅に低下する。従って、図12に示すよ
うに、スイッチ素子11がONとなる書き込み期間中に
絵素データに応じた電荷が絵素容量CPに蓄積されてか
ら次の書き込み期間までのデータ保持期間中に、この絵
素容量CPからリーク電流によって電荷が徐々に失われ
電圧も大きく減衰するようになる。そして、このように
データ保持期間中に絵素容量CPの電圧が減衰すると、
画面が視覚的にチラツキを生じフリッカとなって表示品
位を低下させるという問題が発生する。
【0004】また、液晶表示装置の場合には、液晶の劣
化防止のために、通常は絵素容量CPに印加する電荷の
極性を交互に切り換える交流駆動を行う。そして、この
場合にも、図13に示すように、正極フィールドと負極
フィールドのそれぞれのデータ保持期間中にリーク電流
によって絵素容量CPの電圧が減衰し、同様の表示品位
の低下の問題が発生する。
化防止のために、通常は絵素容量CPに印加する電荷の
極性を交互に切り換える交流駆動を行う。そして、この
場合にも、図13に示すように、正極フィールドと負極
フィールドのそれぞれのデータ保持期間中にリーク電流
によって絵素容量CPの電圧が減衰し、同様の表示品位
の低下の問題が発生する。
【0005】ここで、上記問題を解消するには、各絵素
に図14に示すようなサンプルホールド回路を設ける方
法が考えられる。即ち、スイッチ素子11がONになる
と、まず絵素データが保持用容量CHに供給され(サン
プリング)、スイッチ素子11がOFFになることによ
りこの絵素データによる電荷が保持用容量CHに保持さ
れる(ホールド)。そして、トランジスタ15がこの保
持用容量CHの電圧に応じて電源線16から絵素容量CP
に電荷を供給する。ここで、保持用容量CHは、単なる
容量素子であるためリーク電流の少ないものを用いるこ
とができる。また、トランジスタ15は、保持用容量C
Hの電圧を入力とし絵素容量CPを負荷とするNチャンネ
ルMOS・FETの電圧ホロワ回路によりバッファアン
プ回路を構成するので、保持用容量CHの電荷を消費す
ることなく、この保持用容量CHの電圧に応じた正電荷
を絵素容量CPに供給することができる(絵素容量CPが
保持用容量CHの電圧よりトランジスタ15のしきい値
電圧分だけ低い電圧になるまで充電を行う)。従って、
図14に示す絵素では、供給された絵素データを保持用
容量CHで確実に保持し、スイッチ素子11によってこ
れに基づく電荷を絵素容量CPに供給し続けることがで
きるので、データ保持期間中に絵素容量CPの電圧が減
衰して表示品位を低下させるようなことがなくなる。
に図14に示すようなサンプルホールド回路を設ける方
法が考えられる。即ち、スイッチ素子11がONになる
と、まず絵素データが保持用容量CHに供給され(サン
プリング)、スイッチ素子11がOFFになることによ
りこの絵素データによる電荷が保持用容量CHに保持さ
れる(ホールド)。そして、トランジスタ15がこの保
持用容量CHの電圧に応じて電源線16から絵素容量CP
に電荷を供給する。ここで、保持用容量CHは、単なる
容量素子であるためリーク電流の少ないものを用いるこ
とができる。また、トランジスタ15は、保持用容量C
Hの電圧を入力とし絵素容量CPを負荷とするNチャンネ
ルMOS・FETの電圧ホロワ回路によりバッファアン
プ回路を構成するので、保持用容量CHの電荷を消費す
ることなく、この保持用容量CHの電圧に応じた正電荷
を絵素容量CPに供給することができる(絵素容量CPが
保持用容量CHの電圧よりトランジスタ15のしきい値
電圧分だけ低い電圧になるまで充電を行う)。従って、
図14に示す絵素では、供給された絵素データを保持用
容量CHで確実に保持し、スイッチ素子11によってこ
れに基づく電荷を絵素容量CPに供給し続けることがで
きるので、データ保持期間中に絵素容量CPの電圧が減
衰して表示品位を低下させるようなことがなくなる。
【0006】しかしながら、この図14に示すような回
路構成では、トランジスタ15によるバッファアンプ回
路が絵素容量CPに正電荷を供給するだけの一方向の動
作しかできないため、先の絵素データよりも電荷量の少
ない絵素データが供給された場合に、絵素容量CPが先
の電荷をそのまま保持し続けるという不都合を生じる。
路構成では、トランジスタ15によるバッファアンプ回
路が絵素容量CPに正電荷を供給するだけの一方向の動
作しかできないため、先の絵素データよりも電荷量の少
ない絵素データが供給された場合に、絵素容量CPが先
の電荷をそのまま保持し続けるという不都合を生じる。
【0007】また、交流駆動を行う液晶表示装置の場合
には、このような一方向のトランジスタ15のみからな
るバッファアンプ回路では絵素容量CPに負電荷を供給
することができず負極フィールドに対応できないため、
実用的な表示装置を得ることができないという問題もあ
る。
には、このような一方向のトランジスタ15のみからな
るバッファアンプ回路では絵素容量CPに負電荷を供給
することができず負極フィールドに対応できないため、
実用的な表示装置を得ることができないという問題もあ
る。
【0008】本発明は、上記事情に鑑み、データ保持期
間中の絵素容量のリーク電流を補うことにより明瞭な表
示を維持することができ、しかも、交流駆動等も可能と
なる実用的な表示装置を提供することを目的としてい
る。
間中の絵素容量のリーク電流を補うことにより明瞭な表
示を維持することができ、しかも、交流駆動等も可能と
なる実用的な表示装置を提供することを目的としてい
る。
【0009】
【課題を解決するための手段】本発明の表示装置は、複
数の絵素を備え、各絵素に供給された絵素データに応じ
て絵素容量に電荷が蓄積されることにより表示が行われ
る表示装置において、該絵素ごとに、該絵素データを保
持するための保持用容量と、該保持用容量の電圧に応じ
て該絵素容量に正負の電荷を供給する双方向アンプ回路
とを備えており、そのことによって、上記目的が達成さ
れる。
数の絵素を備え、各絵素に供給された絵素データに応じ
て絵素容量に電荷が蓄積されることにより表示が行われ
る表示装置において、該絵素ごとに、該絵素データを保
持するための保持用容量と、該保持用容量の電圧に応じ
て該絵素容量に正負の電荷を供給する双方向アンプ回路
とを備えており、そのことによって、上記目的が達成さ
れる。
【0010】本発明の表示装置は、複数の絵素を備え、
各絵素に供給された絵素データに応じて絵素容量に電荷
が蓄積されることにより表示が行われる表示装置におい
て、該絵素ごとに、該絵素データを保持するための第1
保持用容量と、表示切換信号によってON/OFFを制
御される表示切換回路を介して該第1保持用容量からの
電荷の供給を受ける第2保持用容量と、該第2保持用容
量の電圧に応じて該絵素容量に正負の電荷を供給する双
方向アンプ回路とを備えており、そのことによって、上
記目的が達成される。
各絵素に供給された絵素データに応じて絵素容量に電荷
が蓄積されることにより表示が行われる表示装置におい
て、該絵素ごとに、該絵素データを保持するための第1
保持用容量と、表示切換信号によってON/OFFを制
御される表示切換回路を介して該第1保持用容量からの
電荷の供給を受ける第2保持用容量と、該第2保持用容
量の電圧に応じて該絵素容量に正負の電荷を供給する双
方向アンプ回路とを備えており、そのことによって、上
記目的が達成される。
【0011】前記双方向アンプ回路から正負の電荷の供
給を受ける各絵素容量に並列に接続され、正負の電荷が
適当な負荷を介して通過可能である充電負荷回路を更に
備えていてもよい。
給を受ける各絵素容量に並列に接続され、正負の電荷が
適当な負荷を介して通過可能である充電負荷回路を更に
備えていてもよい。
【0012】少なくとも前記双方向アンプ回路から前記
絵素容量に新たな絵素データに基づく正負の電荷の供給
が開始されてからの一定期間を含む電荷供給期間は前記
充電負荷回路を該絵素容量に並列に接続すると共に、他
の期間については該充電負荷回路を該絵素容量から切り
離すための充電負荷制御手段を更に備えていてもよい。
絵素容量に新たな絵素データに基づく正負の電荷の供給
が開始されてからの一定期間を含む電荷供給期間は前記
充電負荷回路を該絵素容量に並列に接続すると共に、他
の期間については該充電負荷回路を該絵素容量から切り
離すための充電負荷制御手段を更に備えていてもよい。
【0013】
【作用】請求項1の発明によれば、各絵素に供給された
絵素データは、一旦保持用容量に保持される。保持用容
量は、単なる容量素子であるため、表示用の絵素容量と
異なり、リーク電流の極めて小さいものを用いることが
できる。そして、双方向アンプ回路がこの絵素データを
保持した保持用容量の電圧に応じた正負の電荷を絵素容
量に供給する。双方向アンプ回路は、入力インピーダン
スが大きく出力インピーダンスが小さいバッファアンプ
回路であるため、保持用容量に蓄積された電荷をほとん
ど消費することなく、この保持用容量の電圧に応じて絵
素容量に電荷を供給し続けることができる。また、この
双方向アンプ回路は、保持用容量の電圧が絵素容量の電
圧よりも高電圧である場合には、この絵素容量に正電荷
を供給し、保持用容量の電圧が絵素容量の電圧よりも低
電圧である場合には、この絵素容量に負電荷を供給す
る。従って、各絵素は、供給された絵素データを保持用
容量で確実に保持して、絵素容量に蓄積された電荷がリ
ーク電流によって失われるのを双方向アンプ回路により
補うことができるので、明瞭な表示を長時間維持するこ
とができるようになる。しかも、双方向アンプ回路が正
負の電荷を供給することができるので、新たな絵素デー
タに応じた電荷量が直前のレベルより少ない場合や絵素
データを正負の極性を入れ換えて交互に供給するような
場合にも、絵素容量には、この新たな絵素データに応じ
た電荷が確実に供給されることになる。
絵素データは、一旦保持用容量に保持される。保持用容
量は、単なる容量素子であるため、表示用の絵素容量と
異なり、リーク電流の極めて小さいものを用いることが
できる。そして、双方向アンプ回路がこの絵素データを
保持した保持用容量の電圧に応じた正負の電荷を絵素容
量に供給する。双方向アンプ回路は、入力インピーダン
スが大きく出力インピーダンスが小さいバッファアンプ
回路であるため、保持用容量に蓄積された電荷をほとん
ど消費することなく、この保持用容量の電圧に応じて絵
素容量に電荷を供給し続けることができる。また、この
双方向アンプ回路は、保持用容量の電圧が絵素容量の電
圧よりも高電圧である場合には、この絵素容量に正電荷
を供給し、保持用容量の電圧が絵素容量の電圧よりも低
電圧である場合には、この絵素容量に負電荷を供給す
る。従って、各絵素は、供給された絵素データを保持用
容量で確実に保持して、絵素容量に蓄積された電荷がリ
ーク電流によって失われるのを双方向アンプ回路により
補うことができるので、明瞭な表示を長時間維持するこ
とができるようになる。しかも、双方向アンプ回路が正
負の電荷を供給することができるので、新たな絵素デー
タに応じた電荷量が直前のレベルより少ない場合や絵素
データを正負の極性を入れ換えて交互に供給するような
場合にも、絵素容量には、この新たな絵素データに応じ
た電荷が確実に供給されることになる。
【0014】この結果、請求項1の発明によれば、順次
レベルや極性が変化する絵素データを確実に保持してそ
れぞれ明瞭な表示を長時間維持することができるように
なる。
レベルや極性が変化する絵素データを確実に保持してそ
れぞれ明瞭な表示を長時間維持することができるように
なる。
【0015】ただし、上記請求項1の発明の場合には、
絵素に供給された絵素データを保持用容量に蓄積するた
めの書き込み期間が長い場合に、絵素容量に蓄積される
電荷の速やかな切り換えを行うことができなくなる。
絵素に供給された絵素データを保持用容量に蓄積するた
めの書き込み期間が長い場合に、絵素容量に蓄積される
電荷の速やかな切り換えを行うことができなくなる。
【0016】しかしながら、請求項2の発明では、各絵
素に供給された絵素データは、まず第1保持用容量に保
持される。そして、表示切換信号をアクティブにして表
示切換回路をONにすると、この絵素データを保持した
第1保持用容量から第2保持用容量に電荷が供給され、
この第2保持用容量の電圧に応じて双方向アンプ回路が
絵素容量に正負の電荷を供給する。従って、供給された
絵素データを第1保持用容量に蓄積している間の書き込
み期間には、双方向アンプ回路によって第2保持用容量
の電圧に応じた絵素容量への電荷の供給が維持されるの
で、この間に前回の絵素データに基づいた表示を続ける
ことができる。
素に供給された絵素データは、まず第1保持用容量に保
持される。そして、表示切換信号をアクティブにして表
示切換回路をONにすると、この絵素データを保持した
第1保持用容量から第2保持用容量に電荷が供給され、
この第2保持用容量の電圧に応じて双方向アンプ回路が
絵素容量に正負の電荷を供給する。従って、供給された
絵素データを第1保持用容量に蓄積している間の書き込
み期間には、双方向アンプ回路によって第2保持用容量
の電圧に応じた絵素容量への電荷の供給が維持されるの
で、この間に前回の絵素データに基づいた表示を続ける
ことができる。
【0017】この結果、請求項2の発明によれば、絵素
データを第1保持用容量に蓄積するための書き込み期間
が長い場合にも、この書き込み期間には前回の絵素デー
タに基づく表示を維持することができ、絵素容量の表示
の切換を表示切換信号によって迅速に行うことができる
ようになる。
データを第1保持用容量に蓄積するための書き込み期間
が長い場合にも、この書き込み期間には前回の絵素デー
タに基づく表示を維持することができ、絵素容量の表示
の切換を表示切換信号によって迅速に行うことができる
ようになる。
【0018】なお、この請求項2の発明の場合には、第
1保持用容量と第2保持用容量との間で電荷の配分が生
じるため、絵素データが蓄積された第1保持用容量の電
圧が劣化する。ただし、この電圧の劣化を小さくするに
は、第1保持用容量の容量に対して第2保持用容量の容
量を十分に小さくしておけばよい。また、この第1保持
用容量と第2保持用容量との間にも別の双方向アンプ回
路を配置して、第1保持用容量の電荷を消費することな
く、この第1保持用容量の電圧に応じた電荷を第2保持
用容量に供給するようにしてもよい。
1保持用容量と第2保持用容量との間で電荷の配分が生
じるため、絵素データが蓄積された第1保持用容量の電
圧が劣化する。ただし、この電圧の劣化を小さくするに
は、第1保持用容量の容量に対して第2保持用容量の容
量を十分に小さくしておけばよい。また、この第1保持
用容量と第2保持用容量との間にも別の双方向アンプ回
路を配置して、第1保持用容量の電荷を消費することな
く、この第1保持用容量の電圧に応じた電荷を第2保持
用容量に供給するようにしてもよい。
【0019】上記請求項1及び請求項2の発明は、いず
れも双方向アンプ回路が絵素容量のみを負荷として動作
する。ところが、この双方向アンプ回路は、絵素容量の
電圧が入力電圧よりも出力段トランジスタのしきい値電
圧分だけコモン電圧寄りの値に近づくと、この出力段ト
ランジスタがOFF領域に入るために、出力側のインピ
ーダンスが高くなってしまい絵素容量の電圧が不安定に
なる。そして、スイッチングノイズ等によってこの絵素
容量の電圧がしきい値電圧を超えて入力電圧寄りに浮き
上がると、出力段トランジスタが完全にOFF状態とな
るため、もはや双方向アンプ回路の電荷の供給による電
圧調整機能が働かなくなる。従って、この場合には、絵
素容量に生じるリーク電流によって徐々に本来の電圧に
引き戻されることになるので、双方向アンプ回路を使用
しない場合ほどではないにしても、やはりチラツキやフ
リッカを生じて表示品位を低下させる原因となる。
れも双方向アンプ回路が絵素容量のみを負荷として動作
する。ところが、この双方向アンプ回路は、絵素容量の
電圧が入力電圧よりも出力段トランジスタのしきい値電
圧分だけコモン電圧寄りの値に近づくと、この出力段ト
ランジスタがOFF領域に入るために、出力側のインピ
ーダンスが高くなってしまい絵素容量の電圧が不安定に
なる。そして、スイッチングノイズ等によってこの絵素
容量の電圧がしきい値電圧を超えて入力電圧寄りに浮き
上がると、出力段トランジスタが完全にOFF状態とな
るため、もはや双方向アンプ回路の電荷の供給による電
圧調整機能が働かなくなる。従って、この場合には、絵
素容量に生じるリーク電流によって徐々に本来の電圧に
引き戻されることになるので、双方向アンプ回路を使用
しない場合ほどではないにしても、やはりチラツキやフ
リッカを生じて表示品位を低下させる原因となる。
【0020】請求項3の発明は、上記絵素容量に並列に
充電負荷回路を接続することにより、この充電負荷回路
に絵素容量の本来のリーク電流よりも大きな電流が流れ
るようにしたものである。充電負荷回路にこのような電
流が流れると、絵素容量が常に入力電圧よりもしきい値
電圧分以上にコモン電圧寄りの値に保たれるので、出力
段トランジスタが完全なOFF状態にはならなくなり、
双方向アンプ回路の電圧調整機能が確実に働くようにな
る。従って、請求項3の発明によれば、絵素容量の電圧
を安定化しすることにより、さらに明瞭な表示を長時間
維持することができるようになる。
充電負荷回路を接続することにより、この充電負荷回路
に絵素容量の本来のリーク電流よりも大きな電流が流れ
るようにしたものである。充電負荷回路にこのような電
流が流れると、絵素容量が常に入力電圧よりもしきい値
電圧分以上にコモン電圧寄りの値に保たれるので、出力
段トランジスタが完全なOFF状態にはならなくなり、
双方向アンプ回路の電圧調整機能が確実に働くようにな
る。従って、請求項3の発明によれば、絵素容量の電圧
を安定化しすることにより、さらに明瞭な表示を長時間
維持することができるようになる。
【0021】ただし、上記請求項3の発明の場合には、
充電負荷回路に絵素容量のリーク電流よりも大きな電流
が流れ続けるので、表示装置全体の消費電力が増大する
ことになる。そこで、請求項4の発明に示すように、充
電負荷制御手段によって充電負荷回路を電荷供給期間に
のみ絵素容量に接続させるようにすれば、この絵素容量
の電圧が安定した後は充電負荷回路が切り離されるの
で、これによって消費電力の増大を防止することができ
るようになる。
充電負荷回路に絵素容量のリーク電流よりも大きな電流
が流れ続けるので、表示装置全体の消費電力が増大する
ことになる。そこで、請求項4の発明に示すように、充
電負荷制御手段によって充電負荷回路を電荷供給期間に
のみ絵素容量に接続させるようにすれば、この絵素容量
の電圧が安定した後は充電負荷回路が切り離されるの
で、これによって消費電力の増大を防止することができ
るようになる。
【0022】
【実施例】以下、図面を参照しながら、本発明の実施例
を詳述する。
を詳述する。
【0023】図1及び図2は本発明の第1実施例を示す
ものであって、図1は絵素の構成を示す回路ブロック
図、図2は図1の絵素の具体的回路図である。
ものであって、図1は絵素の構成を示す回路ブロック
図、図2は図1の絵素の具体的回路図である。
【0024】本実施例の液晶表示装置の各絵素は、図1
に示すように、サンプルホールド回路を備えている。即
ち、各絵素は、基板上に形成された容量素子としての保
持用容量CHと、液晶を介して設けられた表示素子とし
ての絵素容量CPを備えている。保持用容量CHの一方の
電極には、スイッチ素子1を介してデータ信号が入力さ
れるようになっている。また、この保持用容量CHの一
方の電極は、双方向アンプ回路2の入力に接続されてい
る。スイッチ素子1は、走査信号によってON/OFF
を制御される回路素子であり、例えば図2に示すよう
に、NチャンネルMOS・FETによって構成される。
双方向アンプ回路2の出力は、絵素容量CPの一方の電
極に接続されている。これら保持用容量CHと絵素容量
CPの他方の電極は、コモン電源線3に接続されてい
る。
に示すように、サンプルホールド回路を備えている。即
ち、各絵素は、基板上に形成された容量素子としての保
持用容量CHと、液晶を介して設けられた表示素子とし
ての絵素容量CPを備えている。保持用容量CHの一方の
電極には、スイッチ素子1を介してデータ信号が入力さ
れるようになっている。また、この保持用容量CHの一
方の電極は、双方向アンプ回路2の入力に接続されてい
る。スイッチ素子1は、走査信号によってON/OFF
を制御される回路素子であり、例えば図2に示すよう
に、NチャンネルMOS・FETによって構成される。
双方向アンプ回路2の出力は、絵素容量CPの一方の電
極に接続されている。これら保持用容量CHと絵素容量
CPの他方の電極は、コモン電源線3に接続されてい
る。
【0025】上記双方向アンプ回路2の電源は、それぞ
れスイッチ素子6、7を介して高電圧電源線4と接地電
源線5とに接続されている。スイッチ素子6は、極性切
換信号が正極フィールドを示す場合にONとなり双方向
アンプ回路2の電源を高電圧電源線4に接続する回路で
ある。図2の回路の場合、このスイッチ素子6は、Nチ
ャンネルMOS・FETによって構成され、極性切換信
号がHレベルの場合にONとなる。また、スイッチ素子
7は、極性切換信号が負極フィールドを示す場合にON
となり双方向アンプ回路2を接地電源線5に接続する回
路である。図2の回路の場合、このスイッチ素子7は、
PチャンネルMOS・FETによって構成され、極性切
換信号がLレベルの場合にONとなる。この極性切換信
号は、液晶表示装置の交流駆動時に供給するデータ信号
の極性を示すための図示しない制御回路から出力される
信号である。
れスイッチ素子6、7を介して高電圧電源線4と接地電
源線5とに接続されている。スイッチ素子6は、極性切
換信号が正極フィールドを示す場合にONとなり双方向
アンプ回路2の電源を高電圧電源線4に接続する回路で
ある。図2の回路の場合、このスイッチ素子6は、Nチ
ャンネルMOS・FETによって構成され、極性切換信
号がHレベルの場合にONとなる。また、スイッチ素子
7は、極性切換信号が負極フィールドを示す場合にON
となり双方向アンプ回路2を接地電源線5に接続する回
路である。図2の回路の場合、このスイッチ素子7は、
PチャンネルMOS・FETによって構成され、極性切
換信号がLレベルの場合にONとなる。この極性切換信
号は、液晶表示装置の交流駆動時に供給するデータ信号
の極性を示すための図示しない制御回路から出力される
信号である。
【0026】双方向アンプ回路2は、入力インピーダン
スが大きく出力インピーダンスが小さいバッファアンプ
回路である。図2の回路の場合、この双方向アンプ回路
2は、NチャンネルMOS・FETとPチャンネルMO
S・FETによって構成され、正負の電荷を供給するこ
とができるようになっている。また、高電圧電源線4の
電位をVEEとし接地電源線5の電位をGNDとすると、
コモン電源線3の電位VCOMは、これらVEEとGNDと
のほぼ中央の値となるように設定されている。従って、
この双方向アンプ回路2は、保持用容量CHが電位VCOM
に対して正電圧となる場合には、高電圧電源線4から絵
素容量CPに電流を供給して充電を行い、保持用容量CH
が電位VCOMに対して負電圧となる場合には、絵素容量
CPから接地電源線5に電流を引き抜き放電を行うこと
により、この絵素容量CPの電圧が保持用容量CHの電圧
に応じた値となるようにする。
スが大きく出力インピーダンスが小さいバッファアンプ
回路である。図2の回路の場合、この双方向アンプ回路
2は、NチャンネルMOS・FETとPチャンネルMO
S・FETによって構成され、正負の電荷を供給するこ
とができるようになっている。また、高電圧電源線4の
電位をVEEとし接地電源線5の電位をGNDとすると、
コモン電源線3の電位VCOMは、これらVEEとGNDと
のほぼ中央の値となるように設定されている。従って、
この双方向アンプ回路2は、保持用容量CHが電位VCOM
に対して正電圧となる場合には、高電圧電源線4から絵
素容量CPに電流を供給して充電を行い、保持用容量CH
が電位VCOMに対して負電圧となる場合には、絵素容量
CPから接地電源線5に電流を引き抜き放電を行うこと
により、この絵素容量CPの電圧が保持用容量CHの電圧
に応じた値となるようにする。
【0027】上記構成の各絵素は、走査信号がアクティ
ブとなることによりスイッチ素子1がONとなり、絵素
データのデータ信号が保持用容量CHに供給され(サン
プリング)、スイッチ素子1がOFFに戻ることにより
保持用容量CHがこれを保持する(ホールド)。従っ
て、これらスイッチ素子1、保持用容量CH及び双方向
アンプ回路2がサンプルホールド回路を構成する。この
保持用容量CHは、容量素子として形成されたものであ
るため、ほとんどリーク電流は発生せず、1pF以下の
容量のものであっても、十数ms程度の期間は確実に電
荷を保持することができる。データ信号は、コモン電源
線3に対する極性を交互に切り換えて供給されるように
なっている。また、極性切換信号も、供給するデータ信
号の極性を示すようになっている。従って、保持用容量
CHにデータ信号が保持されると、正極フィールドであ
る場合にはスイッチ素子6がONとなり、双方向アンプ
回路2がこの保持用容量CHの電圧に応じた電圧となる
まで絵素容量CPを充電する。また、負極フィールドで
ある場合にはスイッチ素子7がONとなり、双方向アン
プ回路2がこの保持用容量CHの電圧に応じた電圧とな
るまで絵素容量CPを放電する。図2の回路の場合、M
OS・FETは全てエンハンスメント型によって構成さ
れているので、絵素容量CPは、保持用容量CHの正電圧
よりもNチャンネルMOS・FETのしきい値電圧分だ
け低い電圧まで充電され、又は、保持用容量CHの負電
圧よりもPチャンネルMOS・FETのしきい値電圧分
だけ高い電圧まで放電される。
ブとなることによりスイッチ素子1がONとなり、絵素
データのデータ信号が保持用容量CHに供給され(サン
プリング)、スイッチ素子1がOFFに戻ることにより
保持用容量CHがこれを保持する(ホールド)。従っ
て、これらスイッチ素子1、保持用容量CH及び双方向
アンプ回路2がサンプルホールド回路を構成する。この
保持用容量CHは、容量素子として形成されたものであ
るため、ほとんどリーク電流は発生せず、1pF以下の
容量のものであっても、十数ms程度の期間は確実に電
荷を保持することができる。データ信号は、コモン電源
線3に対する極性を交互に切り換えて供給されるように
なっている。また、極性切換信号も、供給するデータ信
号の極性を示すようになっている。従って、保持用容量
CHにデータ信号が保持されると、正極フィールドであ
る場合にはスイッチ素子6がONとなり、双方向アンプ
回路2がこの保持用容量CHの電圧に応じた電圧となる
まで絵素容量CPを充電する。また、負極フィールドで
ある場合にはスイッチ素子7がONとなり、双方向アン
プ回路2がこの保持用容量CHの電圧に応じた電圧とな
るまで絵素容量CPを放電する。図2の回路の場合、M
OS・FETは全てエンハンスメント型によって構成さ
れているので、絵素容量CPは、保持用容量CHの正電圧
よりもNチャンネルMOS・FETのしきい値電圧分だ
け低い電圧まで充電され、又は、保持用容量CHの負電
圧よりもPチャンネルMOS・FETのしきい値電圧分
だけ高い電圧まで放電される。
【0028】この結果、各絵素は、スイッチ素子1を介
して供給されたデータ信号を保持用容量CHで確実に保
持しているので、絵素容量CPの電圧がリーク電流によ
り減衰しようとした場合に、双方向アンプ回路2がこれ
を補うことができ、明瞭な表示を長時間維持することが
できるようになる。
して供給されたデータ信号を保持用容量CHで確実に保
持しているので、絵素容量CPの電圧がリーク電流によ
り減衰しようとした場合に、双方向アンプ回路2がこれ
を補うことができ、明瞭な表示を長時間維持することが
できるようになる。
【0029】図3及び図4は本発明の第2実施例を示す
ものであって、図3は絵素の構成を示す回路ブロック
図、図4は図3の絵素の具体的回路図である。
ものであって、図3は絵素の構成を示す回路ブロック
図、図4は図3の絵素の具体的回路図である。
【0030】本実施例は、上記図1に示した第1実施例
の絵素のサンプルホールド回路をマスタ−スレーブ方式
とした場合を示す。
の絵素のサンプルホールド回路をマスタ−スレーブ方式
とした場合を示す。
【0031】ここでは、図1に示した第1実施例のサン
プルホールド回路に代えて、図3及び図4に示すよう
に、それぞれスイッチ素子1、第1保持用容量CH1及び
双方向アンプ回路2とスイッチ素子8、第2保持用容量
CH2及び双方向アンプ回路9からなる2組のサンプルホ
ールド回路を用いている。即ち、データ信号は、スイッ
チ素子1を介して第1保持用容量CH1に供給され、この
第1保持用容量CH1の電圧に応じて双方向アンプ回路2
がスイッチ素子8を介して第2保持用容量CH2を充放電
するようになっている。そして、この第2保持用容量C
H2の電圧に応じて双方向アンプ回路9は、絵素容量CP
を充放電する。スイッチ素子1は、第1走査信号によっ
てON/OFFを制御され、スイッチ素子8は、第2走
査信号によってON/OFFを制御される。
プルホールド回路に代えて、図3及び図4に示すよう
に、それぞれスイッチ素子1、第1保持用容量CH1及び
双方向アンプ回路2とスイッチ素子8、第2保持用容量
CH2及び双方向アンプ回路9からなる2組のサンプルホ
ールド回路を用いている。即ち、データ信号は、スイッ
チ素子1を介して第1保持用容量CH1に供給され、この
第1保持用容量CH1の電圧に応じて双方向アンプ回路2
がスイッチ素子8を介して第2保持用容量CH2を充放電
するようになっている。そして、この第2保持用容量C
H2の電圧に応じて双方向アンプ回路9は、絵素容量CP
を充放電する。スイッチ素子1は、第1走査信号によっ
てON/OFFを制御され、スイッチ素子8は、第2走
査信号によってON/OFFを制御される。
【0032】上記図1に示した第1実施例の絵素の場合
には、スイッチ素子1がONとなっている間の書き込み
期間が長い場合には、絵素容量CPの電荷の速やかな切
り換えを行うことができなくなる。しかしながら、本実
施例によれば、各絵素に供給されたデータ信号は、まず
第1走査信号がアクティブとなることにより第1保持用
容量CH1に保持される。そして、この第1走査信号が非
アクティブとなってから第2走査信号がアクティブにな
ると、双方向アンプ回路2がスイッチ素子8を介して第
2保持用容量CH2の充放電を行い、これに応じて絵素容
量CPが双方向アンプ回路9により充放電されることに
なる。従って、第1走査信号がアクティブとなりスイッ
チ素子1がONとなっている書き込み期間中は、絵素容
量CPの電圧が第2保持用容量CH2によって維持される
ので、この間に前回のデータ信号に基づいた表示を続け
ることができる。
には、スイッチ素子1がONとなっている間の書き込み
期間が長い場合には、絵素容量CPの電荷の速やかな切
り換えを行うことができなくなる。しかしながら、本実
施例によれば、各絵素に供給されたデータ信号は、まず
第1走査信号がアクティブとなることにより第1保持用
容量CH1に保持される。そして、この第1走査信号が非
アクティブとなってから第2走査信号がアクティブにな
ると、双方向アンプ回路2がスイッチ素子8を介して第
2保持用容量CH2の充放電を行い、これに応じて絵素容
量CPが双方向アンプ回路9により充放電されることに
なる。従って、第1走査信号がアクティブとなりスイッ
チ素子1がONとなっている書き込み期間中は、絵素容
量CPの電圧が第2保持用容量CH2によって維持される
ので、この間に前回のデータ信号に基づいた表示を続け
ることができる。
【0033】この結果、本実施例によれば、データ信号
を絵素に供給するための書き込み時間が長い場合にも、
この書き込み期間には前回のデータ信号に基づく表示を
維持することができ、絵素容量CPの電荷の切り換えを
第2走査信号のタイミングで短時間に行うことができる
ようになる。
を絵素に供給するための書き込み時間が長い場合にも、
この書き込み期間には前回のデータ信号に基づく表示を
維持することができ、絵素容量CPの電荷の切り換えを
第2走査信号のタイミングで短時間に行うことができる
ようになる。
【0034】図5は本発明の第3実施例を示すものであ
って、絵素の具体的構成を示す回路図である。
って、絵素の具体的構成を示す回路図である。
【0035】本実施例は、上記図3及び図4に示した第
2実施例における第1保持用容量CH1をさらに2つに分
けて第1保持用容量CH11と第1保持用容量CH12を用い
ると共に、双方向アンプ回路2を省略したものである。
従って、本実施例では、第1走査信号がアクティブとな
る間に2つのスイッチ素子1がONとなり、データ信号
を第1保持用容量CH11に供給すると共に、第1保持用
容量CH12に保持された電荷が第2保持用容量CH2に分
配され、第2走査信号がアクティブとなる間に2つのス
イッチ素子8がONとなり、データ信号を第1保持用容
量CH12に供給すると共に、第1保持用容量CH11に保持
された電荷が第2保持用容量CH2に分配されることにな
る。
2実施例における第1保持用容量CH1をさらに2つに分
けて第1保持用容量CH11と第1保持用容量CH12を用い
ると共に、双方向アンプ回路2を省略したものである。
従って、本実施例では、第1走査信号がアクティブとな
る間に2つのスイッチ素子1がONとなり、データ信号
を第1保持用容量CH11に供給すると共に、第1保持用
容量CH12に保持された電荷が第2保持用容量CH2に分
配され、第2走査信号がアクティブとなる間に2つのス
イッチ素子8がONとなり、データ信号を第1保持用容
量CH12に供給すると共に、第1保持用容量CH11に保持
された電荷が第2保持用容量CH2に分配されることにな
る。
【0036】なお、第1保持用容量CH11と第1保持用
容量CH12の電荷が第2保持用容量CH2に分配されるこ
とによる電圧劣化の影響を避けるためには、第1保持用
容量CH11と第1保持用容量CH12の容量に比べ第2保持
用容量CH2の容量を十分に小さくしておく必要がある。
容量CH12の電荷が第2保持用容量CH2に分配されるこ
とによる電圧劣化の影響を避けるためには、第1保持用
容量CH11と第1保持用容量CH12の容量に比べ第2保持
用容量CH2の容量を十分に小さくしておく必要がある。
【0037】図6及び図7は本発明の第4実施例を示す
ものであって、図6は絵素の具体的回路図、図7は絵素
容量の電圧を示すタイムチャートである。
ものであって、図6は絵素の具体的回路図、図7は絵素
容量の電圧を示すタイムチャートである。
【0038】本実施例は、図6に示すように、第1実施
例の構成におけるスイッチ素子7,7を省略したもので
ある。
例の構成におけるスイッチ素子7,7を省略したもので
ある。
【0039】即ち、図2に示した第1実施例と同様に、
保持用容量CHは、一方の電極にスイッチ素子1を介し
てデータ信号が入力されるようになると共に、この一方
の電極が双方向アンプ回路2の入力に接続され、他方の
電極はコモン電源線3に接続されている。また、絵素容
量CPは、一方の電極がこの双方向アンプ回路2の出力
に接続され、他方の電極がコモン電源線3に接続されて
いる。そして、双方向アンプ回路2は、図6の場合に
は、NチャンネルMOS・FET2aとPチャンネルM
OS・FET2bとで構成され、これらのゲート端子を
互いに接続することにより双方向アンプ回路2の入力と
すると共に、ソース端子を互いに接続することにより双
方向アンプ回路2の出力としている。
保持用容量CHは、一方の電極にスイッチ素子1を介し
てデータ信号が入力されるようになると共に、この一方
の電極が双方向アンプ回路2の入力に接続され、他方の
電極はコモン電源線3に接続されている。また、絵素容
量CPは、一方の電極がこの双方向アンプ回路2の出力
に接続され、他方の電極がコモン電源線3に接続されて
いる。そして、双方向アンプ回路2は、図6の場合に
は、NチャンネルMOS・FET2aとPチャンネルM
OS・FET2bとで構成され、これらのゲート端子を
互いに接続することにより双方向アンプ回路2の入力と
すると共に、ソース端子を互いに接続することにより双
方向アンプ回路2の出力としている。
【0040】ただし、この双方向アンプ回路2は、Nチ
ャンネルMOS・FET2aのドレインが直接高電圧電
源線4に接続されると共に、PチャンネルMOS・FE
T2bのドレインが直接接地電源線5に接続されてい
る。そして、このようにスイッチ素子7,7を省略した
場合にも、正極フィールドでは、NチャンネルMOS・
FET2aのみが能動状態となり高電圧電源線4から絵
素容量CPに電流を供給して充電を行い、負極フィール
ドでは、PチャンネルMOS・FET2bのみが能動状
態となり絵素容量CPから接地電源線5に電流を引き抜
き放電を行うことができる。また、一般に保持用容量C
Hの電圧が絵素容量CPの電圧よりもNチャンネルMOS
・FET2aのしきい値電圧分だけ高い値を超えた高電
圧になると、このNチャンネルMOS・FET2aのみ
が能動状態となり、高電圧電源線4から絵素容量CPに
電流を供給することができ、保持用容量CHの電圧が絵
素容量CPの電圧よりもPチャンネルMOS・FET2
bのしきい値電圧分だけ低い値を超えた低電圧になる
と、このPチャンネルMOS・FET2bのみが能動状
態となり、絵素容量CPから接地電源線5に電流を引き
抜くことができる。従って、本実施例の場合には、同じ
極性で保持用容量CHの電圧が変化する場合にも絵素容
量CPの電圧をこれに追従させることができるので、交
流駆動を行わない表示装置にも利用可能となる。
ャンネルMOS・FET2aのドレインが直接高電圧電
源線4に接続されると共に、PチャンネルMOS・FE
T2bのドレインが直接接地電源線5に接続されてい
る。そして、このようにスイッチ素子7,7を省略した
場合にも、正極フィールドでは、NチャンネルMOS・
FET2aのみが能動状態となり高電圧電源線4から絵
素容量CPに電流を供給して充電を行い、負極フィール
ドでは、PチャンネルMOS・FET2bのみが能動状
態となり絵素容量CPから接地電源線5に電流を引き抜
き放電を行うことができる。また、一般に保持用容量C
Hの電圧が絵素容量CPの電圧よりもNチャンネルMOS
・FET2aのしきい値電圧分だけ高い値を超えた高電
圧になると、このNチャンネルMOS・FET2aのみ
が能動状態となり、高電圧電源線4から絵素容量CPに
電流を供給することができ、保持用容量CHの電圧が絵
素容量CPの電圧よりもPチャンネルMOS・FET2
bのしきい値電圧分だけ低い値を超えた低電圧になる
と、このPチャンネルMOS・FET2bのみが能動状
態となり、絵素容量CPから接地電源線5に電流を引き
抜くことができる。従って、本実施例の場合には、同じ
極性で保持用容量CHの電圧が変化する場合にも絵素容
量CPの電圧をこれに追従させることができるので、交
流駆動を行わない表示装置にも利用可能となる。
【0041】上記構成の各絵素を交流駆動する場合、図
7に示すように、正極フィールドと負極フィールドの最
初にそれぞれ書き込み期間が割り当てられ、それ以降が
それぞれデータ保持期間となる。例えば正極フィールド
の書き込み期間には、走査信号がアクティブとなってス
イッチ素子1がONになるので、正極のデータ信号が保
持用容量CHに供給される。また、これによって保持用
容量CHの電圧が上昇すると、双方向アンプ回路2のN
チャンネルMOS・FET2aが能動状態となり絵素容
量CPに高電圧電源線4から電流が供給されるので、図
示のようにこの絵素容量CPの電圧も上昇する。この
際、絵素容量CPは、保持用容量CHの正電圧よりNチャ
ンネルMOS・FET2aのしきい値電圧分だけ低い電
圧まで上昇することになり、結果的にほぼデータ信号に
応じた電圧まで充電される。そして、正極フィールドの
データ保持期間に移ると、スイッチ素子1がOFFに戻
り保持用容量CHが書き込み期間終了時の電圧を保持す
るので、絵素容量CPの電圧がリーク電流によって下降
しようとしてもNチャンネルMOS・FET2aが随時
これを補い、図示のように同じ電圧レベルを維持するこ
とができる。
7に示すように、正極フィールドと負極フィールドの最
初にそれぞれ書き込み期間が割り当てられ、それ以降が
それぞれデータ保持期間となる。例えば正極フィールド
の書き込み期間には、走査信号がアクティブとなってス
イッチ素子1がONになるので、正極のデータ信号が保
持用容量CHに供給される。また、これによって保持用
容量CHの電圧が上昇すると、双方向アンプ回路2のN
チャンネルMOS・FET2aが能動状態となり絵素容
量CPに高電圧電源線4から電流が供給されるので、図
示のようにこの絵素容量CPの電圧も上昇する。この
際、絵素容量CPは、保持用容量CHの正電圧よりNチャ
ンネルMOS・FET2aのしきい値電圧分だけ低い電
圧まで上昇することになり、結果的にほぼデータ信号に
応じた電圧まで充電される。そして、正極フィールドの
データ保持期間に移ると、スイッチ素子1がOFFに戻
り保持用容量CHが書き込み期間終了時の電圧を保持す
るので、絵素容量CPの電圧がリーク電流によって下降
しようとしてもNチャンネルMOS・FET2aが随時
これを補い、図示のように同じ電圧レベルを維持するこ
とができる。
【0042】また、負極フィールドの書き込み期間にも
走査信号がアクティブとなってスイッチ素子1がONに
なるが、保持用容量CHには負極のデータ信号が供給さ
れるので、この保持用容量CHの電圧は下降し、コモン
電源線3の電位VCOMよりも低い値となる。すると、双
方向アンプ回路2のPチャンネルMOS・FET2bが
能動状態となり絵素容量CPから接地電源線5に電流が
引き抜かれるので、図示のようにこの絵素容量CPの電
圧も下降する。この際、絵素容量CPは、保持用容量CH
の負電圧よりPチャンネルMOS・FET2bのしきい
値電圧分だけ高い電圧まで下降することになり、結果的
にほぼデータ信号に応じた電圧まで放電される。そし
て、負極フィールドのデータ保持期間に移ると、スイッ
チ素子1がOFFに戻り保持用容量CHが書き込み期間
終了時の電圧を保持するので、絵素容量CPの電圧がリ
ーク電流によって上昇しようとしてもPチャンネルMO
S・FET2bが随時これを補い、図示のように同じ電
圧レベルを維持することができる。
走査信号がアクティブとなってスイッチ素子1がONに
なるが、保持用容量CHには負極のデータ信号が供給さ
れるので、この保持用容量CHの電圧は下降し、コモン
電源線3の電位VCOMよりも低い値となる。すると、双
方向アンプ回路2のPチャンネルMOS・FET2bが
能動状態となり絵素容量CPから接地電源線5に電流が
引き抜かれるので、図示のようにこの絵素容量CPの電
圧も下降する。この際、絵素容量CPは、保持用容量CH
の負電圧よりPチャンネルMOS・FET2bのしきい
値電圧分だけ高い電圧まで下降することになり、結果的
にほぼデータ信号に応じた電圧まで放電される。そし
て、負極フィールドのデータ保持期間に移ると、スイッ
チ素子1がOFFに戻り保持用容量CHが書き込み期間
終了時の電圧を保持するので、絵素容量CPの電圧がリ
ーク電流によって上昇しようとしてもPチャンネルMO
S・FET2bが随時これを補い、図示のように同じ電
圧レベルを維持することができる。
【0043】この結果、本実施例の場合にも、各絵素
は、スイッチ素子1を介して供給されたデータ信号を保
持用容量CHで確実に保持し、絵素容量CPの電圧がリー
ク電流により減衰しようとした場合に、双方向アンプ回
路2がこれを補うことができるので、明瞭な表示を長時
間維持することができるようになる。
は、スイッチ素子1を介して供給されたデータ信号を保
持用容量CHで確実に保持し、絵素容量CPの電圧がリー
ク電流により減衰しようとした場合に、双方向アンプ回
路2がこれを補うことができるので、明瞭な表示を長時
間維持することができるようになる。
【0044】図8及び図9は本発明の第5実施例を示す
ものであって、図8は絵素の具体的回路図、図9は充電
負荷制御信号のタイミングを示すタイムチャートであ
る。
ものであって、図8は絵素の具体的回路図、図9は充電
負荷制御信号のタイミングを示すタイムチャートであ
る。
【0045】本実施例は、図8に示すように、第4実施
例に充電負荷回路を付加したものである。即ち、スイッ
チ素子1及び双方向アンプ回路2並びに保持用容量CH
及び絵素容量CPは、図6に示した第4実施例と同じ構
成であり、この絵素容量CPに並列に充電負荷回路21
を接続した点が相違する。
例に充電負荷回路を付加したものである。即ち、スイッ
チ素子1及び双方向アンプ回路2並びに保持用容量CH
及び絵素容量CPは、図6に示した第4実施例と同じ構
成であり、この絵素容量CPに並列に充電負荷回路21
を接続した点が相違する。
【0046】充電負荷回路21は、NチャンネルMOS
・FET21aとPチャンネルMOS・FET21bと
で構成されている。これらのMOS・FET21a,2
1bは、チャンネル長が十分に長く形成され、大きなO
N抵抗が得られるようになっている。そして、これらの
MOS・FET21a,21bは、ソース端子が互いに
接続されて絵素容量CPの一方(双方向アンプ回路2の
出力に接続される側)の電極にも接続されると共に、ド
レイン端子が共通にコモン電源線3に接続されている。
また、NチャンネルMOS・FET21aのゲート端子
には、充電負荷制御信号が入力され、PチャンネルMO
S・FET21bのゲート端子には、この充電負荷制御
信号がインバータ回路22で反転されて入力されるよう
になっている。従って、充電負荷制御信号がHレベルに
なると、正極フィールドの場合にはON抵抗の大きいP
チャンネルMOS・FET21bを介して双方向アンプ
回路2の出力からコモン電源線3に電流が流れ、負極フ
ィールドの場合には、ON抵抗が大きいNチャンネルM
OS・FET21aを介してコモン電源線3から双方向
アンプ回路2の出力に電流が流れることになる。また、
充電負荷制御信号がLレベルのときには、MOS・FE
T21a,21bが共にOFF状態となるので、充電負
荷回路21が切り離される。この充電負荷制御信号は、
正極フィールドと負極フィールドの書き込み期間を含む
一定期間にHレベルとなる信号であり、図示しない制御
回路から出力されるようになっている。
・FET21aとPチャンネルMOS・FET21bと
で構成されている。これらのMOS・FET21a,2
1bは、チャンネル長が十分に長く形成され、大きなO
N抵抗が得られるようになっている。そして、これらの
MOS・FET21a,21bは、ソース端子が互いに
接続されて絵素容量CPの一方(双方向アンプ回路2の
出力に接続される側)の電極にも接続されると共に、ド
レイン端子が共通にコモン電源線3に接続されている。
また、NチャンネルMOS・FET21aのゲート端子
には、充電負荷制御信号が入力され、PチャンネルMO
S・FET21bのゲート端子には、この充電負荷制御
信号がインバータ回路22で反転されて入力されるよう
になっている。従って、充電負荷制御信号がHレベルに
なると、正極フィールドの場合にはON抵抗の大きいP
チャンネルMOS・FET21bを介して双方向アンプ
回路2の出力からコモン電源線3に電流が流れ、負極フ
ィールドの場合には、ON抵抗が大きいNチャンネルM
OS・FET21aを介してコモン電源線3から双方向
アンプ回路2の出力に電流が流れることになる。また、
充電負荷制御信号がLレベルのときには、MOS・FE
T21a,21bが共にOFF状態となるので、充電負
荷回路21が切り離される。この充電負荷制御信号は、
正極フィールドと負極フィールドの書き込み期間を含む
一定期間にHレベルとなる信号であり、図示しない制御
回路から出力されるようになっている。
【0047】上記構成の各絵素の交流駆動時の動作は第
4実施例とほぼ同じである。ただし、この第4実施例の
場合には、双方向アンプ回路2が絵素容量CPのみを負
荷として動作するので、例えば正極フィールドの書き込
み期間の終了時に、絵素容量CPの電圧が保持用容量CH
の電圧よりNチャンネルMOS・FET2aのしきい値
電圧分だけ低い値(以下、「正極時満充電電圧」とい
う)近くまで上昇すると、このNチャンネルMOS・F
ET2aがOFF領域に入るために、双方向アンプ回路
2の出力側のインピーダンスが高くなって絵素容量CP
の電圧が不安定になる。そして、スイッチングノイズ等
によってこの絵素容量CPの電圧が正極時満充電電圧よ
りも高くなって浮き上がると、NチャンネルMOS・F
ET2aが完全にOFF状態となる。しかも、Pチャン
ネルMOS・FET2bは、この絵素容量CPの電圧が
さらに上昇して、保持用容量CHの電圧よりも自身のし
きい値電圧分だけ高い値にならない限りOFFのままで
ある。すると、この場合には、絵素容量CPの電圧がデ
ータ保持期間にリーク電流によって徐々に正極時満充電
電圧まで引き戻されることになるので、表示に多少なが
らチラツキやフリッカを生じることになる。また、負極
フィールドの場合にも、絵素容量CPの電圧が保持用容
量CHの電圧よりPチャンネルMOS・FET21bの
しきい値電圧分だけ高い値(以下、「負極時満放電電
圧」という)を超えて低電圧側に浮き上がると、この絵
素容量CPの電圧がデータ保持期間中にリーク電流によ
って徐々に上昇することになり、同様のチラツキやフリ
ッカを生じることになる。
4実施例とほぼ同じである。ただし、この第4実施例の
場合には、双方向アンプ回路2が絵素容量CPのみを負
荷として動作するので、例えば正極フィールドの書き込
み期間の終了時に、絵素容量CPの電圧が保持用容量CH
の電圧よりNチャンネルMOS・FET2aのしきい値
電圧分だけ低い値(以下、「正極時満充電電圧」とい
う)近くまで上昇すると、このNチャンネルMOS・F
ET2aがOFF領域に入るために、双方向アンプ回路
2の出力側のインピーダンスが高くなって絵素容量CP
の電圧が不安定になる。そして、スイッチングノイズ等
によってこの絵素容量CPの電圧が正極時満充電電圧よ
りも高くなって浮き上がると、NチャンネルMOS・F
ET2aが完全にOFF状態となる。しかも、Pチャン
ネルMOS・FET2bは、この絵素容量CPの電圧が
さらに上昇して、保持用容量CHの電圧よりも自身のし
きい値電圧分だけ高い値にならない限りOFFのままで
ある。すると、この場合には、絵素容量CPの電圧がデ
ータ保持期間にリーク電流によって徐々に正極時満充電
電圧まで引き戻されることになるので、表示に多少なが
らチラツキやフリッカを生じることになる。また、負極
フィールドの場合にも、絵素容量CPの電圧が保持用容
量CHの電圧よりPチャンネルMOS・FET21bの
しきい値電圧分だけ高い値(以下、「負極時満放電電
圧」という)を超えて低電圧側に浮き上がると、この絵
素容量CPの電圧がデータ保持期間中にリーク電流によ
って徐々に上昇することになり、同様のチラツキやフリ
ッカを生じることになる。
【0048】しかしながら、本実施例の場合には、図9
に示すように、正極フィールドと負極フィールドの最初
の書き込み期間に走査信号がアクティブになると同時に
充電負荷制御信号がHレベルに変化し、この書き込み期
間が完了して走査信号が非アクティブに戻ってから短期
間の経過後に、充電負荷制御信号がLレベルに戻るよう
になっている。すると、例えば正極フィールドの場合、
書き込み期間には充電負荷制御信号もHレベルとなって
いるので、双方向アンプ回路2のNチャンネルMOS・
FET2aから供給される電流は、絵素容量CPを充電
すると共に、充電負荷回路21におけるPチャンネルM
OS・FET21bを介してコモン電源線3に漏れ出す
ことになる。従って、この場合には、双方向アンプ回路
2の出力側のインピーダンスはPチャンネルMOS・F
ET21bのON抵抗を超えることがないので、絵素容
量CPの電圧がほぼ正極時満充電電圧近くまで安定して
上昇する。そして、書き込み期間が完了しデータ保持期
間が始まると、充電負荷制御信号がLレベルに戻り充電
負荷回路21が絵素容量CPから切り離されるが、この
ときには絵素容量CPの電圧が正極時満充電電圧よりも
僅に低い値で安定しているので、以降のデータ保持期間
中も双方向アンプ回路2がこの絵素容量CPの電圧を維
持することができる。また、負極フィールドの場合に
も、書き込み期間には充電負荷制御信号がHレベルとな
っているので、双方向アンプ回路2のPチャンネルMO
S・FET2bが絵素容量CPの放電を行うと共に、充
電負荷回路21におけるNチャンネルMOS・FET2
1aを介してコモン電源線3からも電流を引き抜くこと
になる。従って、この場合にも、双方向アンプ回路2の
出力側のインピーダンスはNチャンネルMOS・FET
21aのON抵抗を超えることがないので、絵素容量C
Pの電圧がほぼ負極時満放電電圧近くまで安定して下降
する。そして、書き込み期間が完了しデータ保持期間が
始まると、充電負荷制御信号がLレベルに戻り充電負荷
回路21が絵素容量CPから切り離されるが、このとき
には絵素容量CPの電圧が負極時満放電電圧よりも僅に
高い値で安定しているので、以降のデータ保持期間中も
双方向アンプ回路2がこの絵素容量CPの電圧を維持す
ることができる。
に示すように、正極フィールドと負極フィールドの最初
の書き込み期間に走査信号がアクティブになると同時に
充電負荷制御信号がHレベルに変化し、この書き込み期
間が完了して走査信号が非アクティブに戻ってから短期
間の経過後に、充電負荷制御信号がLレベルに戻るよう
になっている。すると、例えば正極フィールドの場合、
書き込み期間には充電負荷制御信号もHレベルとなって
いるので、双方向アンプ回路2のNチャンネルMOS・
FET2aから供給される電流は、絵素容量CPを充電
すると共に、充電負荷回路21におけるPチャンネルM
OS・FET21bを介してコモン電源線3に漏れ出す
ことになる。従って、この場合には、双方向アンプ回路
2の出力側のインピーダンスはPチャンネルMOS・F
ET21bのON抵抗を超えることがないので、絵素容
量CPの電圧がほぼ正極時満充電電圧近くまで安定して
上昇する。そして、書き込み期間が完了しデータ保持期
間が始まると、充電負荷制御信号がLレベルに戻り充電
負荷回路21が絵素容量CPから切り離されるが、この
ときには絵素容量CPの電圧が正極時満充電電圧よりも
僅に低い値で安定しているので、以降のデータ保持期間
中も双方向アンプ回路2がこの絵素容量CPの電圧を維
持することができる。また、負極フィールドの場合に
も、書き込み期間には充電負荷制御信号がHレベルとな
っているので、双方向アンプ回路2のPチャンネルMO
S・FET2bが絵素容量CPの放電を行うと共に、充
電負荷回路21におけるNチャンネルMOS・FET2
1aを介してコモン電源線3からも電流を引き抜くこと
になる。従って、この場合にも、双方向アンプ回路2の
出力側のインピーダンスはNチャンネルMOS・FET
21aのON抵抗を超えることがないので、絵素容量C
Pの電圧がほぼ負極時満放電電圧近くまで安定して下降
する。そして、書き込み期間が完了しデータ保持期間が
始まると、充電負荷制御信号がLレベルに戻り充電負荷
回路21が絵素容量CPから切り離されるが、このとき
には絵素容量CPの電圧が負極時満放電電圧よりも僅に
高い値で安定しているので、以降のデータ保持期間中も
双方向アンプ回路2がこの絵素容量CPの電圧を維持す
ることができる。
【0049】ここで、充電負荷回路21は、絵素容量C
Pの電圧を安定化するためだけであれば通常の抵抗素子
等によって構成することもできる。しかしながら、単に
抵抗素子等によって構成した場合には、常に充電負荷回
路21に電流が流れることになるため消費電力の増加が
無視できなくなるおそれがある。そこで、本実施例のよ
うに充電負荷回路21を充電負荷制御信号によって制御
されるON抵抗の大きいMOS・FET21a,21b
で構成すれば、書き込み期間中は抵抗として機能させる
と共に、データ保持期間中はこの充電負荷回路21を絵
素容量CPから切り離すことができるので、消費電力の
増大を防止することが可能となる。
Pの電圧を安定化するためだけであれば通常の抵抗素子
等によって構成することもできる。しかしながら、単に
抵抗素子等によって構成した場合には、常に充電負荷回
路21に電流が流れることになるため消費電力の増加が
無視できなくなるおそれがある。そこで、本実施例のよ
うに充電負荷回路21を充電負荷制御信号によって制御
されるON抵抗の大きいMOS・FET21a,21b
で構成すれば、書き込み期間中は抵抗として機能させる
と共に、データ保持期間中はこの充電負荷回路21を絵
素容量CPから切り離すことができるので、消費電力の
増大を防止することが可能となる。
【0050】この結果、本実施例の場合には、絵素容量
CPへの充放電時に充電負荷回路21に電流が流れるの
で、双方向アンプ回路2のMOS・FET2a,2bが
完全なOFF状態になるようなことがなくなり、この絵
素容量CPの電圧を安定化してさらに明瞭な表示を長時
間維持することができるようになる。しかも、書き込み
期間経過後に絵素容量CPの電圧が安定すると、充電負
荷制御信号によって充電負荷回路21を切り離すことに
より、消費電力の増大を防止することもできる。
CPへの充放電時に充電負荷回路21に電流が流れるの
で、双方向アンプ回路2のMOS・FET2a,2bが
完全なOFF状態になるようなことがなくなり、この絵
素容量CPの電圧を安定化してさらに明瞭な表示を長時
間維持することができるようになる。しかも、書き込み
期間経過後に絵素容量CPの電圧が安定すると、充電負
荷制御信号によって充電負荷回路21を切り離すことに
より、消費電力の増大を防止することもできる。
【0051】なお、本実施例は、第4実施例の絵素容量
CPに充電負荷回路21を接続した例を示したが、他の
実施例の絵素容量CPに同様の充電負荷回路21を接続
することも可能である。
CPに充電負荷回路21を接続した例を示したが、他の
実施例の絵素容量CPに同様の充電負荷回路21を接続
することも可能である。
【0052】また、本発明は、表示用の各絵素の下部及
び周辺部に適用できるので、駆動回路一体型の表示装置
とすることもできる。その場合は、表示装置の表示部以
外の面積を最小化することができる。
び周辺部に適用できるので、駆動回路一体型の表示装置
とすることもできる。その場合は、表示装置の表示部以
外の面積を最小化することができる。
【0053】
【発明の効果】以上の説明から明らかなように、本発明
の表示装置によれば、保持用容量と双方向アンプ回路を
用いて絵素容量のリーク電流を補い明瞭な表示を長時間
維持する実用的な回路を提供することができるようにな
る。また、充電負荷回路を用いることにより、双方向ア
ンプ回路が絵素容量の充放電を行う際の電圧の安定化を
図ることができるようになる。
の表示装置によれば、保持用容量と双方向アンプ回路を
用いて絵素容量のリーク電流を補い明瞭な表示を長時間
維持する実用的な回路を提供することができるようにな
る。また、充電負荷回路を用いることにより、双方向ア
ンプ回路が絵素容量の充放電を行う際の電圧の安定化を
図ることができるようになる。
【図1】本発明の第1実施例を示すものであって、絵素
の構成を示す回路ブロック図である。
の構成を示す回路ブロック図である。
【図2】本発明の第1実施例を示すものであって、図1
の絵素の具体的回路図である。
の絵素の具体的回路図である。
【図3】本発明の第2実施例を示すものであって、絵素
の構成を示す回路ブロック図である。
の構成を示す回路ブロック図である。
【図4】本発明の第2実施例を示すものであって、図3
の絵素の具体的回路図である。
の絵素の具体的回路図である。
【図5】本発明の第3実施例を示すものであって、絵素
の具体的回路図である。
の具体的回路図である。
【図6】本発明の第4実施例を示すものであって、絵素
の具体的回路図である。
の具体的回路図である。
【図7】本発明の第4実施例を示すものであって、絵素
容量の電圧を示すタイムチャートである。
容量の電圧を示すタイムチャートである。
【図8】本発明の第5実施例を示すものであって、絵素
の具体的回路図である。
の具体的回路図である。
【図9】本発明の第5実施例を示すものであって、充電
負荷制御信号のタイミングを示すタイムチャートであ
る。
負荷制御信号のタイミングを示すタイムチャートであ
る。
【図10】従来例を示すものであって、絵素の回路図で
ある。
ある。
【図11】従来例を示すものであって、絵素容量の等価
回路図である。
回路図である。
【図12】従来例を示すものであって、絵素容量の電圧
を示すタイムチャートである。
を示すタイムチャートである。
【図13】従来例を示すものであって、交流駆動時の絵
素容量の電圧を示すタイムチャートである。
素容量の電圧を示すタイムチャートである。
【図14】サンプルホールド回路を設けた絵素の回路図
である。
である。
2 双方向アンプ回路 9 双方向アンプ回路 21 充電負荷回路 CH 保持用容量 CP 絵素容量
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 東一 智朗 大阪府大阪市阿倍野区長池町22番22号 シ ャープ株式会社内
Claims (4)
- 【請求項1】 複数の絵素を備え、各絵素に供給された
絵素データに応じて絵素容量に電荷が蓄積されることに
より表示が行われる表示装置において、 該絵素ごとに、該絵素データを保持するための保持用容
量と、 該保持用容量の電圧に応じて該絵素容量に正負の電荷を
供給する双方向アンプ回路とを備えた表示装置。 - 【請求項2】 複数の絵素を備え、各絵素に供給された
絵素データに応じて絵素容量に電荷が蓄積されることに
より表示が行われる表示装置において、 該絵素ごとに、該絵素データを保持するための第1保持
用容量と、 表示切換信号によってON/OFFを制御される表示切
換回路を介して該第1保持用容量からの電荷の供給を受
ける第2保持用容量と、 該第2保持用容量の電圧に応じて該絵素容量に正負の電
荷を供給する双方向アンプ回路とを備えた表示装置。 - 【請求項3】 前記双方向アンプ回路から正負の電荷の
供給を受ける各絵素容量に並列に接続され、正負の電荷
が適当な負荷を介して通過可能である充電負荷回路を更
に備えた請求項1又は請求項2に記載の表示装置。 - 【請求項4】 少なくとも前記双方向アンプ回路から前
記絵素容量に新たな絵素データに基づく正負の電荷の供
給が開始されてからの一定期間を含む電荷供給期間は前
記充電負荷回路を該絵素容量に並列に接続すると共に、
他の期間については該充電負荷回路を該絵素容量から切
り離すための充電負荷制御手段を更に備えた請求項3に
記載の表示装置。
Priority Applications (5)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP18418993A JPH06118912A (ja) | 1992-08-20 | 1993-07-26 | 表示装置 |
US08/107,895 US5627557A (en) | 1992-08-20 | 1993-08-18 | Display apparatus |
EP93306620A EP0586155B1 (en) | 1992-08-20 | 1993-08-20 | A display apparatus |
DE69324316T DE69324316T2 (de) | 1992-08-20 | 1993-08-20 | Anzeigegerät |
KR1019930016251A KR970009538B1 (ko) | 1992-08-20 | 1993-08-20 | 표시장치 |
Applications Claiming Priority (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP4-221774 | 1992-08-20 | ||
JP22177492 | 1992-08-20 | ||
JP18418993A JPH06118912A (ja) | 1992-08-20 | 1993-07-26 | 表示装置 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH06118912A true JPH06118912A (ja) | 1994-04-28 |
Family
ID=26502353
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP18418993A Withdrawn JPH06118912A (ja) | 1992-08-20 | 1993-07-26 | 表示装置 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH06118912A (ja) |
Cited By (9)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US4835562A (en) * | 1986-02-14 | 1989-05-30 | Minolta Camera Kabushiki Kaisha | Focus condition detecting device |
US6456267B1 (en) | 1997-12-01 | 2002-09-24 | Hitachi, Ltd. | Liquid crystal display |
JP2002297101A (ja) * | 2001-03-29 | 2002-10-11 | Mitsubishi Electric Corp | 液晶表示装置ならびにそれを備える携帯電話機および携帯情報端末機器 |
US7268777B2 (en) | 1996-09-27 | 2007-09-11 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Electrooptical device and method of fabricating the same |
US7362304B2 (en) | 1999-07-23 | 2008-04-22 | Nec Corporation | Liquid crystal display device and method for driving the same |
US7408534B2 (en) | 1998-06-17 | 2008-08-05 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Reflective type semiconductor display device |
JP2010286849A (ja) * | 1999-12-03 | 2010-12-24 | Mitsubishi Electric Corp | 携帯情報機器の表示用画素駆動方法 |
JP2011257747A (ja) * | 2010-05-12 | 2011-12-22 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 電気光学表示装置およびその表示方法 |
CN111326103A (zh) * | 2019-10-05 | 2020-06-23 | 友达光电股份有限公司 | 像素电路及显示装置 |
-
1993
- 1993-07-26 JP JP18418993A patent/JPH06118912A/ja not_active Withdrawn
Cited By (14)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US4835562A (en) * | 1986-02-14 | 1989-05-30 | Minolta Camera Kabushiki Kaisha | Focus condition detecting device |
US7489291B2 (en) | 1996-09-27 | 2009-02-10 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Electrooptical device and method of fabricating the same |
US7268777B2 (en) | 1996-09-27 | 2007-09-11 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Electrooptical device and method of fabricating the same |
US7532208B2 (en) | 1996-09-27 | 2009-05-12 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Electrooptical device and method of fabricating the same |
US6456267B1 (en) | 1997-12-01 | 2002-09-24 | Hitachi, Ltd. | Liquid crystal display |
US7408534B2 (en) | 1998-06-17 | 2008-08-05 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Reflective type semiconductor display device |
US7362304B2 (en) | 1999-07-23 | 2008-04-22 | Nec Corporation | Liquid crystal display device and method for driving the same |
US7564443B2 (en) | 1999-07-23 | 2009-07-21 | Nec Corporation | Liquid crystal display device and method for driving the same |
JP2010286849A (ja) * | 1999-12-03 | 2010-12-24 | Mitsubishi Electric Corp | 携帯情報機器の表示用画素駆動方法 |
JP2002297101A (ja) * | 2001-03-29 | 2002-10-11 | Mitsubishi Electric Corp | 液晶表示装置ならびにそれを備える携帯電話機および携帯情報端末機器 |
JP2011257747A (ja) * | 2010-05-12 | 2011-12-22 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 電気光学表示装置およびその表示方法 |
US9064473B2 (en) | 2010-05-12 | 2015-06-23 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Electro-optical display device and display method thereof |
CN111326103A (zh) * | 2019-10-05 | 2020-06-23 | 友达光电股份有限公司 | 像素电路及显示装置 |
CN111326103B (zh) * | 2019-10-05 | 2021-08-20 | 友达光电股份有限公司 | 像素电路及显示装置 |
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Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A300 | Withdrawal of application because of no request for examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A300 Effective date: 20001003 |