JPH0593811A - 光吸収膜 - Google Patents
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- JPH0593811A JPH0593811A JP33352191A JP33352191A JPH0593811A JP H0593811 A JPH0593811 A JP H0593811A JP 33352191 A JP33352191 A JP 33352191A JP 33352191 A JP33352191 A JP 33352191A JP H0593811 A JPH0593811 A JP H0593811A
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 クラックを生じることのない高品質の反射防
止の光吸収膜を提供すること。 【構成】 光吸収膜は、誘電体膜と金属膜とを交互に多
数積層することによって構成されている。光吸収膜の中
心部付近にある層の膜はＳｉＯ2 で形成されている。
止の光吸収膜を提供すること。 【構成】 光吸収膜は、誘電体膜と金属膜とを交互に多
数積層することによって構成されている。光吸収膜の中
心部付近にある層の膜はＳｉＯ2 で形成されている。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、ＮＤフィルター，位相
差顕微鏡用位相板，変調コントラスト用瞳変調フィルタ
ー，その他の瞳変調フィルターとして用いられる反射防
止用の光吸収膜に関する。
差顕微鏡用位相板，変調コントラスト用瞳変調フィルタ
ー，その他の瞳変調フィルターとして用いられる反射防
止用の光吸収膜に関する。
【０００２】
【従来の技術】この種の光吸収膜としては、（１）特開
昭５７−１９５２０７号に示された如き、誘電体膜と金
属膜とを含んでいて単独で用いても反射防止効果を有す
る二枚の多層膜で他の誘電体膜を挾んで成るものや、
（２）特公昭５５−４７３６１号に示された如き、金属
膜と誘電膜を交互に順次積層して成るものが知られてい
る。
昭５７−１９５２０７号に示された如き、誘電体膜と金
属膜とを含んでいて単独で用いても反射防止効果を有す
る二枚の多層膜で他の誘電体膜を挾んで成るものや、
（２）特公昭５５−４７３６１号に示された如き、金属
膜と誘電膜を交互に順次積層して成るものが知られてい
る。
【０００３】又、薄膜の加工技術上、薄膜には応力が発
生するが、高屈折率物質と低屈折率物質とを交互に積層
して成る多層膜では、圧縮応力と引張り応力を生じる物
質を組み合わせることにより、応力が打ち消されること
が知られている（藤原編「光学薄膜」，共立出版（株）
発行）。
生するが、高屈折率物質と低屈折率物質とを交互に積層
して成る多層膜では、圧縮応力と引張り応力を生じる物
質を組み合わせることにより、応力が打ち消されること
が知られている（藤原編「光学薄膜」，共立出版（株）
発行）。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】ところで、上記（１）
の場合、金属膜を二層しか使用していないため、分光透
過率を均一にし且つ反射率を小さく設計することは非常
に難しい。又、上記（２）の場合、Ｔｉ又はＣｒから成
る金属膜とＭｇＦ2 から成る透明膜を用いると、分光透
過率が均一となり且つ反射率の小さい膜を設計すること
はできるが、積層数が多くなって膜全体の厚さが厚くな
り、膜の応力でクラックが発生し易くなるという問題が
あり、特に位相膜の場合、図１に示すような光線ＡとＢ
の位相差が１／４λとなるように設計することになるた
め、膜厚は更に厚くなってしまう。
の場合、金属膜を二層しか使用していないため、分光透
過率を均一にし且つ反射率を小さく設計することは非常
に難しい。又、上記（２）の場合、Ｔｉ又はＣｒから成
る金属膜とＭｇＦ2 から成る透明膜を用いると、分光透
過率が均一となり且つ反射率の小さい膜を設計すること
はできるが、積層数が多くなって膜全体の厚さが厚くな
り、膜の応力でクラックが発生し易くなるという問題が
あり、特に位相膜の場合、図１に示すような光線ＡとＢ
の位相差が１／４λとなるように設計することになるた
め、膜厚は更に厚くなってしまう。
【０００５】又、位相膜などのコートとして用いる場合
は、レジスト等を用いてパターンを形成した後真空蒸着
を行うため、基板温度を１２０℃以上にすることができ
ず、クラックが発生し易い条件となってしまう。
は、レジスト等を用いてパターンを形成した後真空蒸着
を行うため、基板温度を１２０℃以上にすることができ
ず、クラックが発生し易い条件となってしまう。
【０００６】そこで、図２に示されるような物質を用い
て膜の引張り応力と圧縮応力とにより膜全体としての応
力を打ち消す方法が開示されているが、この方法を用い
て１／４λの位相差を有する位相膜を設計しようとする
と、屈折率の高い膜を組合せて用いなければならず、加
工の難しい厚い膜しか設計できない。
て膜の引張り応力と圧縮応力とにより膜全体としての応
力を打ち消す方法が開示されているが、この方法を用い
て１／４λの位相差を有する位相膜を設計しようとする
と、屈折率の高い膜を組合せて用いなければならず、加
工の難しい厚い膜しか設計できない。
【０００７】本発明は、従来の技術の有するこのような
問題点に鑑みてなされたものであり、その目的とすると
ころは、膜厚を薄くすることができ且つクラックを生じ
ることのない、ＮＤフィルター，位相差顕微鏡用位相
板，変調コントラスト瞳変調フィルター，その他の瞳変
調フィルターとして用い得る反射防止用の光吸収膜を提
供しようとするものである。
問題点に鑑みてなされたものであり、その目的とすると
ころは、膜厚を薄くすることができ且つクラックを生じ
ることのない、ＮＤフィルター，位相差顕微鏡用位相
板，変調コントラスト瞳変調フィルター，その他の瞳変
調フィルターとして用い得る反射防止用の光吸収膜を提
供しようとするものである。
【０００８】
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するため
に、本発明による光吸収膜は、下記のような誘電体膜と
金属膜とを積層させた光吸収膜を構成している。即ち、
積層されるべき膜数をＭとしたとき、膜総数が偶数の場
合は（Ｍ／２）±ｎ〔但し、ｎ＝０，１，２，‥‥，
｛（Ｍ／２）−２｝〕層目の膜の何れかがＳｉＯ2 で形
成されている。又、膜総数が奇数の場合には、｛（Ｍ＋
１）／２｝±ｎ〔但し、ｎ＝０，１，２，‥‥，
｛〔（Ｍ＋１）／２〕−２｝〕層目の膜の何れかがＳｉ
Ｏ2 で形成されている。或いは、積層された誘電体膜の
うち少なくとも一層は氷晶石で形成されている。
に、本発明による光吸収膜は、下記のような誘電体膜と
金属膜とを積層させた光吸収膜を構成している。即ち、
積層されるべき膜数をＭとしたとき、膜総数が偶数の場
合は（Ｍ／２）±ｎ〔但し、ｎ＝０，１，２，‥‥，
｛（Ｍ／２）−２｝〕層目の膜の何れかがＳｉＯ2 で形
成されている。又、膜総数が奇数の場合には、｛（Ｍ＋
１）／２｝±ｎ〔但し、ｎ＝０，１，２，‥‥，
｛〔（Ｍ＋１）／２〕−２｝〕層目の膜の何れかがＳｉ
Ｏ2 で形成されている。或いは、積層された誘電体膜の
うち少なくとも一層は氷晶石で形成されている。
【０００９】
【作用】反射防止のための分光透過率の均一な光吸収膜
をＴｉやインコネルを用いて設計すると、膜は、低屈折
率の誘電体膜と金属膜を交互に積層した構成となり、特
に７層以上の多層膜とすると良好な特性が得られる。こ
の場合、誘電体膜にはＭｇＦ2 が多く用いられるが、Ｍ
ｇＦ2 は図２に示されるように膜の応力が大きいことか
ら、総膜厚が厚い設計となった場合には、膜にクラック
が発生し易くなる。そこで図２に示されている如く膜の
応力の発生が少ないＳｉＯ2 を用いることで、ＭｇＦ2
の膜の応力を相殺することができる。
をＴｉやインコネルを用いて設計すると、膜は、低屈折
率の誘電体膜と金属膜を交互に積層した構成となり、特
に７層以上の多層膜とすると良好な特性が得られる。こ
の場合、誘電体膜にはＭｇＦ2 が多く用いられるが、Ｍ
ｇＦ2 は図２に示されるように膜の応力が大きいことか
ら、総膜厚が厚い設計となった場合には、膜にクラック
が発生し易くなる。そこで図２に示されている如く膜の
応力の発生が少ないＳｉＯ2 を用いることで、ＭｇＦ2
の膜の応力を相殺することができる。
【００１０】しかしながら、１／４λの位相差を有する
位相膜にこれを用いようとすると、図１に示すように膜
を射出する光線Ａの位相と接合剤を通る光線Ｂの位相と
の間の差を１／４λとしなければならないことから、Ｍ
ｇＦ2 を総てＳｉＯ2 にしてしまうと膜の屈折率と接合
剤の屈折率との差が小さくなってしまい、厚い膜となっ
てしまう。そこで、膜の中心部付近、即ち、積層される
べき膜数をＭとしたとき、膜総数が偶数の場合は（Ｍ／
２）±ｎ〔但し、ｎ＝０，１，２，‥‥，｛（Ｍ／２）
−２｝〕層目の膜に、又膜総数が奇数の場合は｛（Ｍ＋
１）／２｝±ｎ〔但し、ｎ＝０，１，２，‥‥，
｛〔（Ｍ＋１）／２〕−２｝〕層目の膜をＳｉＯ2 で形
成することにより、膜前半部におけるＭｇＦ2 で発生し
た応力を膜中心部で相殺することができ、且つ全体の膜
厚も余り厚くなることのない而も加工し易い光吸収膜を
作ることができる。
位相膜にこれを用いようとすると、図１に示すように膜
を射出する光線Ａの位相と接合剤を通る光線Ｂの位相と
の間の差を１／４λとしなければならないことから、Ｍ
ｇＦ2 を総てＳｉＯ2 にしてしまうと膜の屈折率と接合
剤の屈折率との差が小さくなってしまい、厚い膜となっ
てしまう。そこで、膜の中心部付近、即ち、積層される
べき膜数をＭとしたとき、膜総数が偶数の場合は（Ｍ／
２）±ｎ〔但し、ｎ＝０，１，２，‥‥，｛（Ｍ／２）
−２｝〕層目の膜に、又膜総数が奇数の場合は｛（Ｍ＋
１）／２｝±ｎ〔但し、ｎ＝０，１，２，‥‥，
｛〔（Ｍ＋１）／２〕−２｝〕層目の膜をＳｉＯ2 で形
成することにより、膜前半部におけるＭｇＦ2 で発生し
た応力を膜中心部で相殺することができ、且つ全体の膜
厚も余り厚くなることのない而も加工し易い光吸収膜を
作ることができる。
【００１１】又、氷晶石（Ｎａ3 ＡＩＦ6 ）は分子中に
Ｎａを含むため潮解性を有するという問題点はあるが、
ＭｇＦ2 に比べて応力の発生が可成り小さい（図２参
照）ので、誘電体膜の少なくとも一層を氷晶石で形成す
れば、膜総厚を厚くしたり層数を多くしても、ＭｇＦ2
を用いた膜に比べてクラックは発生しにくくなる。又、
位相膜として氷晶石を用いる場合は、接合剤を用いて膜
全体をガラス板で挾み、膜への水分の浸入を防止する構
成とすることが好ましい。
Ｎａを含むため潮解性を有するという問題点はあるが、
ＭｇＦ2 に比べて応力の発生が可成り小さい（図２参
照）ので、誘電体膜の少なくとも一層を氷晶石で形成す
れば、膜総厚を厚くしたり層数を多くしても、ＭｇＦ2
を用いた膜に比べてクラックは発生しにくくなる。又、
位相膜として氷晶石を用いる場合は、接合剤を用いて膜
全体をガラス板で挾み、膜への水分の浸入を防止する構
成とすることが好ましい。
【００１２】
【実施例】実施例１ 光吸収膜はＴｉとＭｇＦ2 とＳｉＯ2 を用いて９層から
成っており、膜全体を屈折率ｎ＝１．５６の接合剤を用
いて、屈折率ｎ＝１．５１６の基板ガラスとガラス板と
で挾み、位相差は１／４λとなるようにした（図１参
照）。基板ガラス上に順次積層された各層１乃至９の成
分，厚さｄ，屈折率ｎ及び５５０nmの波長の光の透過率
Ｔは下記の通りである。 層 成分 ｄ ｎ Ｔ（％） １ ＭｇＦ2 ２８６．４ １．３７９１４ ２ Ｔｉ ７０．９ ３ ＭｇＦ2 ７７．６ １．３７９１４ ４ Ｔｉ ４８．９ ５ ＳｉＯ2 ７０．９ １．４６０１９ ６ Ｔｉ ４８．９ ７ ＭｇＦ2 ７７．６ １．３７９１４ ８ Ｔｉ ７０．９ ９ ＭｇＦ2 ２８６．４ １．３７９１４ 光吸収膜の構成は、入射側と射出側の膜構成を対称にす
ることにより、両面反射防止とした。尚、透過率２５％
以下の光吸収膜を両面反射防止とした場合には、９層以
上とした方がよい。分光特性は図３に示す通りである。
成っており、膜全体を屈折率ｎ＝１．５６の接合剤を用
いて、屈折率ｎ＝１．５１６の基板ガラスとガラス板と
で挾み、位相差は１／４λとなるようにした（図１参
照）。基板ガラス上に順次積層された各層１乃至９の成
分，厚さｄ，屈折率ｎ及び５５０nmの波長の光の透過率
Ｔは下記の通りである。 層 成分 ｄ ｎ Ｔ（％） １ ＭｇＦ2 ２８６．４ １．３７９１４ ２ Ｔｉ ７０．９ ３ ＭｇＦ2 ７７．６ １．３７９１４ ４ Ｔｉ ４８．９ ５ ＳｉＯ2 ７０．９ １．４６０１９ ６ Ｔｉ ４８．９ ７ ＭｇＦ2 ７７．６ １．３７９１４ ８ Ｔｉ ７０．９ ９ ＭｇＦ2 ２８６．４ １．３７９１４ 光吸収膜の構成は、入射側と射出側の膜構成を対称にす
ることにより、両面反射防止とした。尚、透過率２５％
以下の光吸収膜を両面反射防止とした場合には、９層以
上とした方がよい。分光特性は図３に示す通りである。
【００１３】実施例２ 光吸収膜はＴｉとＭｇＦ2 とＳｉＯ2 を用いて１１層か
ら成っていて、全体を実施例１と同様に構成した。各層
の成分，厚さｄ，屈折率ｎ及び透過率Ｔは下記の通りで
ある。 層 成分 ｄ ｎ Ｔ（％） １ ＭｇＦ2 ３１４．５ １．３７９１４ ２ Ｔｉ ５７．７ ３ ＭｇＦ2 ８０．３ １．３７９１４ ４ Ｔｉ ３１．４ ５ ＳｉＯ2 ８１．７ １．４６０１９ ６ Ｔｉ ３１．４ ７ ＳｉＯ2 ８１．７ １．４６０１９ ８ Ｔｉ ３１．４ ９ ＭｇＦ2 ８０．３ １．３７９１４ １０ Ｔｉ ５７．７ １１ ＭｇＦ2 ３１４．５ １．３７９１４ 第５層と第７層をＳｉＯ2 で形成することにより、光吸
収膜の特性は良好となる。特に光吸収膜の透過率を１５
％以下にした場合は、総膜厚が厚くなるため、積層数を
１１層程度とした方がクラックが発生しにくい。分光特
性は図４に示す通りである。
ら成っていて、全体を実施例１と同様に構成した。各層
の成分，厚さｄ，屈折率ｎ及び透過率Ｔは下記の通りで
ある。 層 成分 ｄ ｎ Ｔ（％） １ ＭｇＦ2 ３１４．５ １．３７９１４ ２ Ｔｉ ５７．７ ３ ＭｇＦ2 ８０．３ １．３７９１４ ４ Ｔｉ ３１．４ ５ ＳｉＯ2 ８１．７ １．４６０１９ ６ Ｔｉ ３１．４ ７ ＳｉＯ2 ８１．７ １．４６０１９ ８ Ｔｉ ３１．４ ９ ＭｇＦ2 ８０．３ １．３７９１４ １０ Ｔｉ ５７．７ １１ ＭｇＦ2 ３１４．５ １．３７９１４ 第５層と第７層をＳｉＯ2 で形成することにより、光吸
収膜の特性は良好となる。特に光吸収膜の透過率を１５
％以下にした場合は、総膜厚が厚くなるため、積層数を
１１層程度とした方がクラックが発生しにくい。分光特
性は図４に示す通りである。
【００１４】実施例３ 光吸収膜はインコネルと氷晶石を用いて１１層から成っ
ており、全体を実施例１と同様に構成した。各層の成
分，厚さｄ，屈折率ｎ及び透過率Ｔは下記の通りであ
る。 層 成分 ｄ ｎ Ｔ（％） １ 氷晶石 ２２４．２ １．３７１ ２ インコネル ７０．９ ３ 氷晶石 ６４．８ １．３７１ ４ インコネル ５８．４ ５ 氷晶石 ３７．４ １．３７１ ６ インコネル ５８．４ ７ 氷晶石 ３７．４ １．３７１ ８ インコネル ５８．４ ９ 氷晶石 ６４．８ １．３７１ １０ インコネル ７０．９ １１ 氷晶石 ２２４．２ １．３７１ 分光特性は図５に示す通りである。
ており、全体を実施例１と同様に構成した。各層の成
分，厚さｄ，屈折率ｎ及び透過率Ｔは下記の通りであ
る。 層 成分 ｄ ｎ Ｔ（％） １ 氷晶石 ２２４．２ １．３７１ ２ インコネル ７０．９ ３ 氷晶石 ６４．８ １．３７１ ４ インコネル ５８．４ ５ 氷晶石 ３７．４ １．３７１ ６ インコネル ５８．４ ７ 氷晶石 ３７．４ １．３７１ ８ インコネル ５８．４ ９ 氷晶石 ６４．８ １．３７１ １０ インコネル ７０．９ １１ 氷晶石 ２２４．２ １．３７１ 分光特性は図５に示す通りである。
【００１５】実施例４ 光吸収膜はＴｉとＭｇＦ2 とＳｉＯ2 を用いて１１層か
ら成っていて、実施例２の第５層と第７層をＭｇＦ2 と
し、又第３層と第９層をＳｉＯ2 として本実施例による
膜を構成した。各層の成分，厚さｄ，屈折率ｎ及び透過
率Ｔは下記の通りである。 層 成分 ｄ ｎ Ｔ（％） １ ＭｇＦ2 ４００ １．３７９１４ ２ Ｔｉ ６５．９ ３ ＳｉＯ2 ７４．８９ １．４６０１９ ４ Ｔｉ ４７．４ ５ ＭｇＦ2 ９３．９４ １．３７９１４ ６ Ｔｉ ４７．４ ７ ＭｇＦ2 ９３．９４ １．３７９１４ ８ Ｔｉ ４７．４ ９ ＳｉＯ2 ７４．８９ １．４６０１９ １０ Ｔｉ ６５．９ １１ ＭｇＦ2 ４００． １．３７９１４ 尚、より厚い光吸収膜を構成する場合、屈折率ｎの大き
な位置にＳｉＯ2 膜を入れることで、更に応力を小さく
することができる。本実施例は屈折率ｎが３の場合に相
当する。又、分光特性は図６に示す通りである。
ら成っていて、実施例２の第５層と第７層をＭｇＦ2 と
し、又第３層と第９層をＳｉＯ2 として本実施例による
膜を構成した。各層の成分，厚さｄ，屈折率ｎ及び透過
率Ｔは下記の通りである。 層 成分 ｄ ｎ Ｔ（％） １ ＭｇＦ2 ４００ １．３７９１４ ２ Ｔｉ ６５．９ ３ ＳｉＯ2 ７４．８９ １．４６０１９ ４ Ｔｉ ４７．４ ５ ＭｇＦ2 ９３．９４ １．３７９１４ ６ Ｔｉ ４７．４ ７ ＭｇＦ2 ９３．９４ １．３７９１４ ８ Ｔｉ ４７．４ ９ ＳｉＯ2 ７４．８９ １．４６０１９ １０ Ｔｉ ６５．９ １１ ＭｇＦ2 ４００． １．３７９１４ 尚、より厚い光吸収膜を構成する場合、屈折率ｎの大き
な位置にＳｉＯ2 膜を入れることで、更に応力を小さく
することができる。本実施例は屈折率ｎが３の場合に相
当する。又、分光特性は図６に示す通りである。
【００１６】実施例５ 光吸収膜はＴｉとＭｇＦ2 とＳｉＯ2 を用いて１３層か
ら構成されている。各層の成分，厚さｄ，屈折率ｎ及び
透過率Ｔは下記の通りである。 層 成分 ｄ ｎ Ｔ（％） １ ＭｇＦ2 ２５０ １．３７９１４ ２ Ｔｉ ６７．９ ３ ＳｉＯ2 ８３．４８ １．４６０１９ ４ Ｔｉ ６７．９ ５ ＭｇＦ2 １４０．８４ １．３７９１４ ６ Ｔｉ ６７．９ ７ ＭｇＦ2 ８７．０７ １．３７９１４ ８ Ｔｉ ６７．９ ９ ＭｇＦ2 １４０．８４ １．３７９１４ １０ Ｔｉ ６７．９ １１ ＳｉＯ2 ８３．４８ １．４６０１９ １２ Ｔｉ ６７．９ １３ ＭｇＦ2 ２５０． １．３７９１４ 本実施例は屈折率ｎが４の場合である。又、分光特性は
図７に示す通りである。
ら構成されている。各層の成分，厚さｄ，屈折率ｎ及び
透過率Ｔは下記の通りである。 層 成分 ｄ ｎ Ｔ（％） １ ＭｇＦ2 ２５０ １．３７９１４ ２ Ｔｉ ６７．９ ３ ＳｉＯ2 ８３．４８ １．４６０１９ ４ Ｔｉ ６７．９ ５ ＭｇＦ2 １４０．８４ １．３７９１４ ６ Ｔｉ ６７．９ ７ ＭｇＦ2 ８７．０７ １．３７９１４ ８ Ｔｉ ６７．９ ９ ＭｇＦ2 １４０．８４ １．３７９１４ １０ Ｔｉ ６７．９ １１ ＳｉＯ2 ８３．４８ １．４６０１９ １２ Ｔｉ ６７．９ １３ ＭｇＦ2 ２５０． １．３７９１４ 本実施例は屈折率ｎが４の場合である。又、分光特性は
図７に示す通りである。
【００１７】
【発明の効果】上述の如く本発明によれば、膜全体とし
て応力発生が少なく、クラックの発生することのない高
品質の光吸収膜を提供することができる。
て応力発生が少なく、クラックの発生することのない高
品質の光吸収膜を提供することができる。
【図１】本発明に係る光吸収膜の一実施例の全体構成図
である。
である。
【図２】各種物質から成る薄膜の応力の膜厚依存性を示
す特性線図である。
す特性線図である。
【図３】本発明に係る光吸収膜の第１実施例の分光特性
線図である。
線図である。
【図４】本発明に係る光吸収膜の第２実施例の分光特性
線図である。
線図である。
【図５】本発明に係る光吸収膜の第３実施例の分光特性
線図である。
線図である。
【図６】本発明に係る光吸収膜の第４実施例の分光特性
線図である。
線図である。
【図７】本発明に係る光吸収膜の第５実施例の分光特性
線図である。
線図である。
Claims (3)
- 【請求項１】誘電体膜と金属膜とを積層することによっ
て構成される光吸収膜において、積層されるべき膜数を
Ｍとしたとき、膜総数が偶数の場合、（Ｍ／２）±ｎ
〔但し、ｎ＝０，１，２，‥‥，｛（Ｍ／２）−２｝〕
層目の膜の何れかをＳｉＯ2 により形成したことを特徴
とする光吸収膜。 - 【請求項２】誘電体膜と金属膜とを積層することによっ
て構成される光吸収膜において、積層されるべき膜数を
Ｍとしたとき、膜総数が奇数の場合、｛（Ｍ＋１）／
２｝±ｎ〔但し、ｎ＝０，１，２，‥‥，｛〔（Ｍ＋
１）／２〕−２｝〕層目の膜の何れかをＳｉＯ2 により
形成したことを特徴とする光吸収膜。 - 【請求項３】誘電体膜と金属膜とを積層することによっ
て構成される光吸収膜において、少なくとも一層の誘電
体膜を氷晶石によって構成したことを特徴とする光吸収
膜。
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP19657391 | 1991-08-06 | ||
| JP3-196573 | 1991-08-06 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0593811A true JPH0593811A (ja) | 1993-04-16 |
Family
ID=16359991
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP33352191A Pending JPH0593811A (ja) | 1991-08-06 | 1991-12-17 | 光吸収膜 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0593811A (ja) |
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-
1991
- 1991-12-17 JP JP33352191A patent/JPH0593811A/ja active Pending
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