JPH0578925B2 - - Google Patents
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- JPH0578925B2 JPH0578925B2 JP59235707A JP23570784A JPH0578925B2 JP H0578925 B2 JPH0578925 B2 JP H0578925B2 JP 59235707 A JP59235707 A JP 59235707A JP 23570784 A JP23570784 A JP 23570784A JP H0578925 B2 JPH0578925 B2 JP H0578925B2
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Landscapes
- Thermistors And Varistors (AREA)
Description
産業上の利用分野
本発明は、電圧安定化あるいはサージ吸収のた
めの避雷器やサージアブソーバに用いられるZnO
を主体とする電圧非直線性抵抗体の製造方法に関
するものである。 従来例の構成とその問題点 電圧非直線性抵抗体(以下バリスタという)の
うち、特に、ZnOを主体とするバリスタ(以下
ZnOバリスタという)は電圧非直線性に優れてお
り、避雷器やサージアブソーバに広く用いられて
いる。 ZnOバリスタは、ZnOにBi、Sb、Co、Mn、
Cr等の酸化物を極く微量添加したもので、ZnO
粒子と、ZnO粒子の周囲を取りまく添加物によつ
て形成される粒界層とからなり、ZnO粒子が示す
優れた電圧非直線性は、ZnO粒子と粒界層との界
面の物性に起因するものと考えられている。 以下、従来のZnOバリスタの製造方法を詳述す
る。ZnOに添加物としてBi2O30.5mol%、
CoO0.5mol%、MnO1.3mol%、Cr2O30.5mol%
の割合で秤量添加するとともに、固形分濃度が30
%となるように水と共にボールミル中へ投入し、
さらに、これにセラミツク原料100重量部に対し
て20重量%のPVA(ポリビニルアルコール)溶液
を8重量部添加して20時間湿式混合粉砕してスラ
リー状にする。次に、この混合スラリーを噴霧乾
燥機で乾燥造粒後、3ton/cm2の圧力で直径120mm、
厚さ20mmの形状に圧縮成形する。その後、500℃
に加熱してバインダー等を蒸発除去し、さらに、
側面に高抵抗層を形成するため1050℃で予備焼成
し、高抵抗形成物を塗布後、空気中で1100〜1250
℃で焼結させて得られた焼結体の両平面を研磨
し、500℃で再加熱し、両平面にアルミニウムの
メタリコン電極をとりつけバリスタを製造する。 このような製造方法によつて得られたバリスタ
(試料1)の特性を第1表に示す。 従来のバリスタの製造については以下のような
問題があつた。 先ず第1に、主成分であるZnOに添加され、粒
界層を形成するBi、Sb、Co、Mo、Cr等の酸化
物の添加量は極めて微量であるため、均一に分散
混合する事が非常に困難なことである。これは各
原料成分の粒子径、比重および添加量がそれぞれ
異なること等に起因すると考えられている。 次に、第2の問題は、バインダーとして用いら
れているPVA(ポリビニルアルコール)に起因す
るもので、一般に、PVAは結合能力が大きく、
結合度の高い成形体が得られることから各方面で
使用されているが、次のような欠点がある。すな
わち、湿式混合したスラリーを噴霧乾燥する場
合、造粒粒子が堅いことから成形性が悪く、クラ
ツクや薄い層に裂けるデラミネーシヨンの発生を
回避できなかつた。 これらのことから、非直線性の低下やバラツキ
等が生ずるばかりでなく、課電寿命や放電耐量等
の性能の低下やバラツキが生じていた。 従来、添加物の均一添加を達成するために、添
加物を酸化物の形態でなく、硝酸塩などの可溶性
塩の形態で均一に添加することが試みられ、ま
た、成形性を向上するため、各種ワツクスやステ
アリン酸等の離型剤を添加することが知られてい
る。しかしながら、添加物の均一分散と、成形性
とを向上させるべく、添加物の可溶姓塩とステア
リン酸とを同時に添加すると、可溶性塩の解離に
よつてステアリン酸が充分分散しなかつたり、凝
集したりして好ましい結果は得られていなかつ
た。 発明の目的 本発明は、上記従来の問題を解決するためにな
されたもので、微量添加成分をも均一に分散させ
ることができるとともに、成形性を向上でき、歩
留りが良く、非直線性が高く、課電寿命、放電耐
量の良好なZnOを主体とする電圧非直線性抵抗体
の製造方法を提供することを目的とする。 発明の構成 上記目的を達成するため、本発明は主成分ZnO
に対し添加するCo、Ni、Mn成分のうち1種類以
上をCo、Ni、Mnのステアリン酸塩として添加す
るものであり、添加物の1成分以上をステアリン
酸塩として添加することにより、凝集を防ぎ成形
姓を向上させるとともに、ステアリン酸塩の融点
が約60〜130℃と低いため、スプレードライヤー
による造粒もしくは焼成中に液化し、セラミツク
粒子間に均一に分散するという特有の効果を有し
ている。さらに、ステアリン酸塩の添加量をセラ
ミツク原料100重量部に対して0.1〜10重量部とし
たもので、これは0.1重量部以下では充分な成形
性が得られず、10重量部以上では離型性は向上す
るが粒子間のスベリ性が増大し生強度が低下する
ため好ましくないためである。 実施例の説明 以下、本発明の一実施例を説明する。 ZnOに添加物として、MnO以外は前記試料1
の場合と全く同じように、Bi2O30.5mol%、
CoO0.5mol%、Cr2O30.5mol%の割合で添加し、
次に、ステアリン酸Mnエマルジヨン溶液(ステ
アリン酸Mnとして15重量%含有)をステアリン
酸Mnとして0.01mol%(セラミツク原料100重量
部に対して0.08重量部相当)添加し、さらに
1.29mol%のMnOを添加したものを、以下、前記
試料1と全く同じ方法で、固形分濃度が30%とな
るように水と共にボールミル中へ投入し、さら
に、これにセラミツク原料100重量部に対して20
重量%のPVA溶液を8重量部添加して20時間湿
式混合粉砕してスラリー状にする。次に、この混
合スラリーを噴霧乾燥機で乾燥造粒後に3ton/cm2
の圧力で直径120mm、厚さ20mmの形状に圧縮成形
する。その後、500℃に加熱してバインダー等を
蒸発除去し、さらに、側面に高抵抗層を形成する
ため1050℃で予備焼成し、高抵抗形成物を塗布
後、空気中において1100〜1250℃で焼結させて得
られた焼結体の両平面を研磨し、500℃で再加熱
し、両平面にアルミニウムのメタリコン電極をと
りつけバリスタを製造する。 このようにして製造されたバリスタを試料2と
し、その特性を第1表に示す。 第1表において、試料3は、試料2のステアリ
ン酸Mnを0.5mol%(セラミツク原料100重量部
に対して4重量部相当)、MnOを0.8mol%添加し
た以外は試料2と全く同じようにして製造された
もので、試料4は、試料2のスタアリン酸Mnを
1.3mol%(セラミツク原料100重量部に対して11
重量部相当)、MnOを無添加とした以外は試料2
と全く同じようにして製造されたものである。ま
た、試料5は、試料2のステアリン酸Mnを
0.5mol%(セラミツク原料100重量部に対して4.2
重量部に相当)、MnOを0.8mol%、CoOの代りに
ステアリン酸Coエマルジヨン溶液(ステアリン
酸Coとして15重量%含有)をステアリン酸Coと
して0.5mol%(セラミツク原料100重量部に対し
て3.9重量部に相当)添加した以外は試料2と全
く同じようにして製造されたものである。 第1表中、成形歩留りは成形後の成形体100個
について、クラツク、ゼラミネーシヨン、カケを
外観検査によつて確認して求め、成形体密度は、
成形後の成形体の重量、形状から求めたものであ
る。これら成形歩留りと成形体密度から成形性を
評価でき、成形歩留りと成形体密度とはともに高
いほうが好ましい。 電気特性は、電圧非直線性、放電耐量および課
電寿命特性によつて評価され、電圧非直線性は、
バリスタ素子に1mAまたは10KAの電流をそれ
ぞれ流したときの電圧の比であり、表示される電
流値範囲における電圧非直線線性を示し、小さい
ほうが良い。放電耐量は2msの矩形波電流を5
回流した電流値における消費エネルギーを単位体
積当りに換算したもので、大きいほうが良い。課
電寿命特性は、140℃で4KVの交流電圧を2000時
間印加した場合の交流抵抗分電流の変化率を示
し、小さい方が良い。 第1表から明らかなように、本発明のバリスタ
は、従来の製造方法によるもの(試料1)に比べ
て成形性が向上しているばかりでなく、電圧非直
線性が高く、課電寿命特性、放電耐量が改善され
ていることがわかる。 ただ、試料2はステアリン酸塩の添加量がセラ
ミツク原料100重量部に対して0.1重量部以下であ
り、試料4は10重量部以上であるため、試料3、
5に比べて少し劣る。 なお、上記実施例では、添加されるステアリン
酸塩として、Mn塩とCo塩が、Mn塩単独で、あ
るいはMn塩とCo塩とが同時に添加される場合を
示したが、本発明はこれに限られず、その他のス
テアリン酸塩を組合せて添加したり、3種類以上
のステアリン酸塩を同時に添加することもでき
る。
めの避雷器やサージアブソーバに用いられるZnO
を主体とする電圧非直線性抵抗体の製造方法に関
するものである。 従来例の構成とその問題点 電圧非直線性抵抗体(以下バリスタという)の
うち、特に、ZnOを主体とするバリスタ(以下
ZnOバリスタという)は電圧非直線性に優れてお
り、避雷器やサージアブソーバに広く用いられて
いる。 ZnOバリスタは、ZnOにBi、Sb、Co、Mn、
Cr等の酸化物を極く微量添加したもので、ZnO
粒子と、ZnO粒子の周囲を取りまく添加物によつ
て形成される粒界層とからなり、ZnO粒子が示す
優れた電圧非直線性は、ZnO粒子と粒界層との界
面の物性に起因するものと考えられている。 以下、従来のZnOバリスタの製造方法を詳述す
る。ZnOに添加物としてBi2O30.5mol%、
CoO0.5mol%、MnO1.3mol%、Cr2O30.5mol%
の割合で秤量添加するとともに、固形分濃度が30
%となるように水と共にボールミル中へ投入し、
さらに、これにセラミツク原料100重量部に対し
て20重量%のPVA(ポリビニルアルコール)溶液
を8重量部添加して20時間湿式混合粉砕してスラ
リー状にする。次に、この混合スラリーを噴霧乾
燥機で乾燥造粒後、3ton/cm2の圧力で直径120mm、
厚さ20mmの形状に圧縮成形する。その後、500℃
に加熱してバインダー等を蒸発除去し、さらに、
側面に高抵抗層を形成するため1050℃で予備焼成
し、高抵抗形成物を塗布後、空気中で1100〜1250
℃で焼結させて得られた焼結体の両平面を研磨
し、500℃で再加熱し、両平面にアルミニウムの
メタリコン電極をとりつけバリスタを製造する。 このような製造方法によつて得られたバリスタ
(試料1)の特性を第1表に示す。 従来のバリスタの製造については以下のような
問題があつた。 先ず第1に、主成分であるZnOに添加され、粒
界層を形成するBi、Sb、Co、Mo、Cr等の酸化
物の添加量は極めて微量であるため、均一に分散
混合する事が非常に困難なことである。これは各
原料成分の粒子径、比重および添加量がそれぞれ
異なること等に起因すると考えられている。 次に、第2の問題は、バインダーとして用いら
れているPVA(ポリビニルアルコール)に起因す
るもので、一般に、PVAは結合能力が大きく、
結合度の高い成形体が得られることから各方面で
使用されているが、次のような欠点がある。すな
わち、湿式混合したスラリーを噴霧乾燥する場
合、造粒粒子が堅いことから成形性が悪く、クラ
ツクや薄い層に裂けるデラミネーシヨンの発生を
回避できなかつた。 これらのことから、非直線性の低下やバラツキ
等が生ずるばかりでなく、課電寿命や放電耐量等
の性能の低下やバラツキが生じていた。 従来、添加物の均一添加を達成するために、添
加物を酸化物の形態でなく、硝酸塩などの可溶性
塩の形態で均一に添加することが試みられ、ま
た、成形性を向上するため、各種ワツクスやステ
アリン酸等の離型剤を添加することが知られてい
る。しかしながら、添加物の均一分散と、成形性
とを向上させるべく、添加物の可溶姓塩とステア
リン酸とを同時に添加すると、可溶性塩の解離に
よつてステアリン酸が充分分散しなかつたり、凝
集したりして好ましい結果は得られていなかつ
た。 発明の目的 本発明は、上記従来の問題を解決するためにな
されたもので、微量添加成分をも均一に分散させ
ることができるとともに、成形性を向上でき、歩
留りが良く、非直線性が高く、課電寿命、放電耐
量の良好なZnOを主体とする電圧非直線性抵抗体
の製造方法を提供することを目的とする。 発明の構成 上記目的を達成するため、本発明は主成分ZnO
に対し添加するCo、Ni、Mn成分のうち1種類以
上をCo、Ni、Mnのステアリン酸塩として添加す
るものであり、添加物の1成分以上をステアリン
酸塩として添加することにより、凝集を防ぎ成形
姓を向上させるとともに、ステアリン酸塩の融点
が約60〜130℃と低いため、スプレードライヤー
による造粒もしくは焼成中に液化し、セラミツク
粒子間に均一に分散するという特有の効果を有し
ている。さらに、ステアリン酸塩の添加量をセラ
ミツク原料100重量部に対して0.1〜10重量部とし
たもので、これは0.1重量部以下では充分な成形
性が得られず、10重量部以上では離型性は向上す
るが粒子間のスベリ性が増大し生強度が低下する
ため好ましくないためである。 実施例の説明 以下、本発明の一実施例を説明する。 ZnOに添加物として、MnO以外は前記試料1
の場合と全く同じように、Bi2O30.5mol%、
CoO0.5mol%、Cr2O30.5mol%の割合で添加し、
次に、ステアリン酸Mnエマルジヨン溶液(ステ
アリン酸Mnとして15重量%含有)をステアリン
酸Mnとして0.01mol%(セラミツク原料100重量
部に対して0.08重量部相当)添加し、さらに
1.29mol%のMnOを添加したものを、以下、前記
試料1と全く同じ方法で、固形分濃度が30%とな
るように水と共にボールミル中へ投入し、さら
に、これにセラミツク原料100重量部に対して20
重量%のPVA溶液を8重量部添加して20時間湿
式混合粉砕してスラリー状にする。次に、この混
合スラリーを噴霧乾燥機で乾燥造粒後に3ton/cm2
の圧力で直径120mm、厚さ20mmの形状に圧縮成形
する。その後、500℃に加熱してバインダー等を
蒸発除去し、さらに、側面に高抵抗層を形成する
ため1050℃で予備焼成し、高抵抗形成物を塗布
後、空気中において1100〜1250℃で焼結させて得
られた焼結体の両平面を研磨し、500℃で再加熱
し、両平面にアルミニウムのメタリコン電極をと
りつけバリスタを製造する。 このようにして製造されたバリスタを試料2と
し、その特性を第1表に示す。 第1表において、試料3は、試料2のステアリ
ン酸Mnを0.5mol%(セラミツク原料100重量部
に対して4重量部相当)、MnOを0.8mol%添加し
た以外は試料2と全く同じようにして製造された
もので、試料4は、試料2のスタアリン酸Mnを
1.3mol%(セラミツク原料100重量部に対して11
重量部相当)、MnOを無添加とした以外は試料2
と全く同じようにして製造されたものである。ま
た、試料5は、試料2のステアリン酸Mnを
0.5mol%(セラミツク原料100重量部に対して4.2
重量部に相当)、MnOを0.8mol%、CoOの代りに
ステアリン酸Coエマルジヨン溶液(ステアリン
酸Coとして15重量%含有)をステアリン酸Coと
して0.5mol%(セラミツク原料100重量部に対し
て3.9重量部に相当)添加した以外は試料2と全
く同じようにして製造されたものである。 第1表中、成形歩留りは成形後の成形体100個
について、クラツク、ゼラミネーシヨン、カケを
外観検査によつて確認して求め、成形体密度は、
成形後の成形体の重量、形状から求めたものであ
る。これら成形歩留りと成形体密度から成形性を
評価でき、成形歩留りと成形体密度とはともに高
いほうが好ましい。 電気特性は、電圧非直線性、放電耐量および課
電寿命特性によつて評価され、電圧非直線性は、
バリスタ素子に1mAまたは10KAの電流をそれ
ぞれ流したときの電圧の比であり、表示される電
流値範囲における電圧非直線線性を示し、小さい
ほうが良い。放電耐量は2msの矩形波電流を5
回流した電流値における消費エネルギーを単位体
積当りに換算したもので、大きいほうが良い。課
電寿命特性は、140℃で4KVの交流電圧を2000時
間印加した場合の交流抵抗分電流の変化率を示
し、小さい方が良い。 第1表から明らかなように、本発明のバリスタ
は、従来の製造方法によるもの(試料1)に比べ
て成形性が向上しているばかりでなく、電圧非直
線性が高く、課電寿命特性、放電耐量が改善され
ていることがわかる。 ただ、試料2はステアリン酸塩の添加量がセラ
ミツク原料100重量部に対して0.1重量部以下であ
り、試料4は10重量部以上であるため、試料3、
5に比べて少し劣る。 なお、上記実施例では、添加されるステアリン
酸塩として、Mn塩とCo塩が、Mn塩単独で、あ
るいはMn塩とCo塩とが同時に添加される場合を
示したが、本発明はこれに限られず、その他のス
テアリン酸塩を組合せて添加したり、3種類以上
のステアリン酸塩を同時に添加することもでき
る。
【表】
発明の効果
以上説明したように、本発明によれば、成形性
を向上できるとともに、微量添加成分の均一分散
性を向上でき、歩留りが良く、非直線性が高く、
課電寿命、放電耐量等の電気特性の良好なZnOを
主体とする電圧非直線性抵抗体を提供することが
できる。
を向上できるとともに、微量添加成分の均一分散
性を向上でき、歩留りが良く、非直線性が高く、
課電寿命、放電耐量等の電気特性の良好なZnOを
主体とする電圧非直線性抵抗体を提供することが
できる。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 1 ZnOに対する添加するCo、Ni、Mn成分のう
ち、1種類以上をCo、Ni、Mnのステアリン酸塩
として添加することを特徴とする電圧非直線性抵
抗体の製造方法。 2 ステアリン酸塩の添加量がセラミツク原料
100重量部に対して0.1〜10重量部であることを特
徴とする特許請求の範囲第1項記載の電圧非直線
性抵抗体の製造方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP59235707A JPS61113212A (ja) | 1984-11-08 | 1984-11-08 | 電圧非直線性抵抗体の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP59235707A JPS61113212A (ja) | 1984-11-08 | 1984-11-08 | 電圧非直線性抵抗体の製造方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS61113212A JPS61113212A (ja) | 1986-05-31 |
JPH0578925B2 true JPH0578925B2 (ja) | 1993-10-29 |
Family
ID=16990033
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP59235707A Granted JPS61113212A (ja) | 1984-11-08 | 1984-11-08 | 電圧非直線性抵抗体の製造方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPS61113212A (ja) |
Families Citing this family (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH0773083B2 (ja) * | 1987-05-11 | 1995-08-02 | 富士電機株式会社 | 電圧非直線抵抗磁器の製造方法 |
Citations (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS58188101A (ja) * | 1982-04-28 | 1983-11-02 | 株式会社東芝 | 非直線抵抗体の製造方法 |
-
1984
- 1984-11-08 JP JP59235707A patent/JPS61113212A/ja active Granted
Patent Citations (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS58188101A (ja) * | 1982-04-28 | 1983-11-02 | 株式会社東芝 | 非直線抵抗体の製造方法 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JPS61113212A (ja) | 1986-05-31 |
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